JP5741868B2 - パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 90
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 64
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 52
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 118
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 206010057362 Underdose Diseases 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
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Description
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図7に基づいて説明する。図1には、第1の実施形態に係る露光装置100の構成が概略的に示されている。
次に、本発明の第2の実施形態を、図9〜図22に基づいて、説明する。本第2の実施形態に係る露光装置は、前述の第1の実施形態と同様に構成されているので、以下では、重複説明を避ける観点から、同一若しくは同等の部分については同一の符号を用いるとともに、詳細説明は省略する。本第2の実施形態に係る露光装置は、主制御装置20が、目標パターンの設計データに加えて後述するテンプレートを用いて、可変成形マスクVMで生成すべきパターン(マスクパターン)に応じた駆動系30に対する制御情報を算出する点が、前述の第1の実施形態と異なる。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明を行うものとする。
a. 縦線から成るラインアンドスペース(L/S)パターンの形成の場合、ウエハW上には、非継ぎ部(継ぎ部以外の部分)で350nm、継ぎ部で362nmのライン幅のL/Sパターンが形成された。
b. 横線から成るラインアンドスペース(L/S)パターンの形成の場合、ウエハW上には、非継ぎ部で350nm、継ぎ部で372nmのライン幅のL/Sパターンが形成された。
c. 縦線から成る孤立のスペースパターンの形成の場合、ウエハW上には、非継ぎ部で350nm、継ぎ部で325nmの幅の孤立のスペースパターンが形成された。
d. 横線から成る孤立のスペースパターンの形成の場合、ウエハW上には、非継ぎ部で350nm、継ぎ部で340nmの幅の孤立のスペースパターンが形成された。
e. 孤立のラインパターンの形成の場合、ウエハW上には、非継ぎ部で350nm、継ぎ部で377nmの幅の孤立のラインパターンが形成された。
次に、上記各実施形態に係る露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法について説明する。図24は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
Claims (18)
- 照明光の入射位置に2次元的に配置され、前記照明光の振幅、位相及び偏光の状態の少なくとも1つを空間的に個別に変調する複数の変調素子を有し、明領域と暗領域とからなる光模様を生成する可変成形マスクを用いて物体上の少なくとも1つの区画領域にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記可変成形マスクにより発生する光模様を継ぎ合わせて前記物体上の区画領域に目標パターンを形成するに当たり、
前記可変成形マスクの使用領域を規定する複数のテンプレートを、テンプレート同士のオーバーラップ領域が一部に生じる状態で、前記目標パターンが形成される2次元画素領域内に、それぞれ設定する設定工程と、
各テンプレートの設定に関する情報と、前記目標パターンに関する情報とに基づいて、前記可変成形マスクの複数の変調素子を制御する制御工程と、を含み、
前記オーバーラップ領域の幅を複数段階で変更するように、前記複数のテンプレートの大きさを変更しつつ、前記設定工程を複数回繰り返し行うとともに、前記設定工程が行われる度に、前記制御工程を行うパターン形成方法。 - 請求項1に記載のパターン形成方法において、
前記設定工程では、前記目標パターンに含まれるパターンの光近接効果による線幅誤差の補正を考慮したオーバーラップ量のオーバーラップ領域が一部に生じる状態で、前記2次元画素領域内に、前記複数のテンプレートをそれぞれ設定するパターン形成方法。 - 請求項1又は2に記載のパターン形成方法において、
前記物体は、前記可変成形マスクによる光模様の形成面と平行な面内で、少なくとも所定の走査方向に移動可能であり、
前記各テンプレートは、前記物体の前記走査方向の移動に同期して、前記目標パターンが形成される2次元画素領域に対して相対走査されるように、設定位置が順次変更されるパターン形成方法。 - 請求項3に記載のパターン形成方法において、
前記目標パターンに関する情報は、明領域と暗領域の分布状態が互いに異なる複数の基本パターンと、該基本パターン毎の前記可変成形マスクに照射される前記照明光の積算光量に関する情報とを含む、目標パターンに応じた基本パターンの重畳情報を含み、
前記制御工程では、前記各テンプレートの設定に関する情報と、前記重畳情報とに基づいて、前記目標パターンを前記物体上に形成する間に、前記照明光の照射によりパターンの前記物体上での形成に寄与する複数の変調素子の前記可変成形マスク上の数及び位置の少なくとも一方が変更されるように、前記可変成形マスクの複数の変調素子を制御するパターン形成方法。 - 請求項4に記載のパターン形成方法において、
前記重畳情報は、光近接効果による前記物体上に形成されるパターンの線幅誤差及び位置誤差の少なくとも一方の補正を考慮した情報であるパターン形成方法。 - 請求項4又は5に記載のパターン形成方法において、
前記照明光は、パルス光であり、
前記基本パターン毎の前記照明光の積算光量に関する情報は、パルス数を含むパターン形成方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記テンプレートの形状は、台形状、平行四辺形状、及びこれらを組み合わせた形状のいずれかであるパターン形成方法。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記物体上での前記パターンの形成は、次数の異なる複数の回折光同士を干渉させることで、干渉縞を物体上に形成することで行われるパターン形成方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて、
物体上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された前記物体を処理する工程と、を含むデバイス製造方法。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
照明光を射出する照明系と、
前記照明光の入射位置に2次元的に配置され、前記照明光の振幅、位相及び偏光の状態の少なくとも1つを空間的に個別に変調する複数の変調素子を有し、明領域と暗領域とからなる光模様を生成する可変成形マスクと、
前記可変成形マスクにより発生する光模様を継ぎ合わせて前記物体上の区画領域に目標パターンを形成するに当たり、前記可変成形マスクの使用領域を規定する複数のテンプレートを、テンプレート同士のオーバーラップ領域が一部に生じる状態で、前記目標パターンが形成される2次元画素領域内に、それぞれ設定するテンプレート設定装置と、
各テンプレートの設定に関する情報と、前記目標パターンに関する情報とに基づいて、前記可変成形マスクの複数の変調素子を制御する制御装置と、を備え、
前記テンプレート設定装置は、前記複数のテンプレートの設定を変更することで、前記オーバーラップ領域のオーバーラップ量を変更可能であるパターン形成装置。 - 請求項10に記載のパターン形成装置において、
前記テンプレート設定装置は、目標パターンに含まれるパターンの光近接効果による線幅誤差の補正を考慮したオーバーラップ量の前記オーバーラップ領域が一部に生じるように、前記2次元画素領域内に、前記複数のテンプレートを設定するパターン形成装置。 - 請求項10又は11に記載のパターン形成装置において、
前記物体が載置され、該物体を保持して少なくとも所定の走査方向に移動可能な移動体と、
前記設定装置は、前記移動体の前記走査方向の移動に同期して、前記目標パターンが形成される2次元画素領域に対して相対走査されるように、前記各テンプレートの前記相対走査方向の設定位置を順次変更するパターン形成装置。 - 請求項11に記載のパターン形成装置において、
前記目標パターンに関する情報は、明領域と暗領域の分布状態が互いに異なる複数の基本パターンと、該基本パターン毎の前記可変成形マスクに照射される前記照明光の積算光量に関する情報とを含む、目標パターンに応じた基本パターンの重畳情報を含み、
前記制御装置は、前記各テンプレートの設定に関する情報と、前記重畳情報とに基づいて、前記目標パターンを前記物体上に形成する間に、前記照明光の照射によりパターンの前記物体上での形成に寄与する複数の変調素子の前記可変成形マスク上の数及び位置の少なくとも一方が変更されるように、前記可変成形マスクの複数の変調素子を制御するパターン形成装置。 - 請求項13に記載のパターン形成装置において、
前記重畳情報は、光近接効果による前記物体上に形成されるパターンの線幅誤差及び位置誤差の少なくとも一方の補正を考慮した情報であるパターン形成装置。 - 請求項13又は14に記載のパターン形成装置において、
前記照明光は、パルス光であり、
前記基本パターン毎の前記照明光の積算光量に関する情報は、パルス数を含むパターン形成装置。 - 請求項10〜15のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、前記テンプレートの形状は、台形状、平行四辺形状、及びこれらを組み合わせた形状のいずれかであるパターン形成装置。
- 請求項10〜16のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記可変成形マスクは、マイクロミラー・アレイを含むパターン形成装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法において、
前記リソグラフィ工程では、請求項10〜17のいずれか一項に記載のパターン形成装置を用いて物体上にパターンを形成するデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013141448A JP5741868B2 (ja) | 2007-07-13 | 2013-07-05 | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007184137 | 2007-07-13 | ||
JP2007184137 | 2007-07-13 | ||
JP2007194688 | 2007-07-26 | ||
JP2007194688 | 2007-07-26 | ||
JP2013141448A JP5741868B2 (ja) | 2007-07-13 | 2013-07-05 | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523538A Division JP5630634B2 (ja) | 2007-07-13 | 2008-07-14 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013191901A JP2013191901A (ja) | 2013-09-26 |
JP5741868B2 true JP5741868B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=40259465
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523538A Active JP5630634B2 (ja) | 2007-07-13 | 2008-07-14 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013141448A Active JP5741868B2 (ja) | 2007-07-13 | 2013-07-05 | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523538A Active JP5630634B2 (ja) | 2007-07-13 | 2008-07-14 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8089616B2 (ja) |
JP (2) | JP5630634B2 (ja) |
TW (1) | TWI443472B (ja) |
WO (1) | WO2009011119A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011119A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nikon Corporation | パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイス |
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US8320644B2 (en) | 2010-06-15 | 2012-11-27 | Apple Inc. | Object detection metadata |
US9213227B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-12-15 | Nikon Corporation | Custom color or polarization sensitive CCD for separating multiple signals in autofocus projection system |
JP2013138100A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
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KR102120893B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광장치, 그 제어방법 및 노광을 위한 정렬방법 |
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US9638906B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-05-02 | Nikon Corporation | Catadioptric imaging systems for digital scanner |
US9703085B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-07-11 | Nikon Corporation | Catadioptric imaging systems for digital scanner |
JP6321386B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-05-09 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光方法 |
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-
2008
- 2008-07-14 WO PCT/JP2008/001881 patent/WO2009011119A1/ja active Application Filing
- 2008-07-14 TW TW097126607A patent/TWI443472B/zh active
- 2008-07-14 JP JP2009523538A patent/JP5630634B2/ja active Active
-
2009
- 2009-12-29 US US12/648,648 patent/US8089616B2/en active Active
-
2011
- 2011-11-09 US US13/292,724 patent/US9239525B2/en active Active
-
2013
- 2013-07-05 JP JP2013141448A patent/JP5741868B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120057141A1 (en) | 2012-03-08 |
US8089616B2 (en) | 2012-01-03 |
WO2009011119A1 (ja) | 2009-01-22 |
JPWO2009011119A1 (ja) | 2010-09-16 |
JP2013191901A (ja) | 2013-09-26 |
US20100099049A1 (en) | 2010-04-22 |
TW200919106A (en) | 2009-05-01 |
US9239525B2 (en) | 2016-01-19 |
TWI443472B (zh) | 2014-07-01 |
JP5630634B2 (ja) | 2014-11-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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