JP6700932B2 - 検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法 - Google Patents
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Description
前記制御部は、前記ステージの目標位置に対する偏差が予め定められた許容範囲内に収束する前において前記偏差が前記許容範囲内にある期間を前記撮像の期間とし前記偏差が前記許容範囲外にある期間を前記撮像の期間としないように、前記撮像部を制御することを特徴とする。
図1は、本発明の第1実施形態に係る検出装置および露光装置の概略図である。当該検出装置は、他のリソグラフィ装置(例えばインプリント装置)へ適用することもできるが本実施形態では露光装置への適用を例に説明する。本実施形態に係る検出装置は、レーザー干渉計9、10および12と、マークの撮像を行う撮像部としてのレチクルアライメント検出系13およびウエハアライメント検出系16と、フォーカス・チルト検出系15を有する。本実施形態に係る検出装置を備えた露光装置は、レチクルステ−ジ2と、ウエハステ−ジ(基板保持部)4と、照明光学系5と、投影光学系6と、を有する。レチクルステージ2は、レチクル(原版)1の支持および位置決めを行う。ウエハステージ4は、ウエハ(基板、被測定物)3の支持および位置決めを行う。照明光学系5は、レチクル1を露光光で照明する。投影光学系6は、露光光で照明されたレチクル1のパターン像をウエハステージ4に支持されたウエハ3に投影する。制御部20は、コンピュータやメモリなどを含み、検出装置および露光装置の動作を統括制御し、本実施形態に係る検出方法をプログラムとしてコンピュータに実行させうる。本実施形態では、制御部20は、検出装置に含まれているものとする。
第1実施形態では、ウエハステージ4の位置は、目標位置(偏差ゼロ)に収束していくことを前提としていた。しかしながら、装置状態、計測条件等によっては、ある程度の偏差を持った位置に収束する場合もある。図8は、本実施形態に係るウエハステージ位置の目標位置からの偏差の時間変化を示す図である。図8は、図7(B)の場合に対し、ステージ位置が収束する位置を偏差ゼロから偏差10に変更した場合を示している。収束位置が異なるだけで、蓄積時間等は第1実施形態と同様である。収束位置の設定は、事前に求めたウエハステージ4の振動特性に基づいて設定しうる。また、アライメントマーク19を数点計測し、偏差の傾向をモニタして、モニタ結果から設定することもできる。本実施形態によれば、ステージの振動が目標位置とずれた位置に収束する場合にも対応でき、本実施形態よる検出装置も第1実施形態と同様の効果を奏する。
図9(A)および(B)は、アライメントマーク19を計測する際の、ウエハステージ4を目標位置まで動かし始めてからの経過時間とウエハステージ4の位置の目標位置からの偏差との関係を示す図である。本実施形態では、許容レンジを上記実施形態のEaよりも範囲を狭くしたEbを用いる。図9(A)は、従来の検出方法であり、時刻TsからΔTの蓄積時間で計測を行っている場合を示している。本実施形態の許容レンジは、図9(A)のΔTの区間における振動の振幅の最小値とする。許容レンジEbに対応した蓄積時間は、図9(B)で示すT1´〜T10´である。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工(例えば残膜除去(リソグラフィ装置がインプリント装置である場合)する工程とを含む。リソグラフィ装置が露光または描画装置である場合は、上記加工する工程の代わりに現像する工程を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
11 基準プレート
13 レチクルアライメント検出系
15 フォーカス・チルト検出系
16 ウエハアライメント検出系
17、18 基準マーク
19 アライメントマーク
20 制御部
Claims (17)
- 物体を保持して移動するステージ上のマーク又は前記ステージに保持された物体上のマークの撮像を行う撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを含み、前記撮像部により撮像されたマークを検出する検出装置であって、
前記制御部は、前記ステージの目標位置に対する偏差が予め定められた許容範囲内に収束する前において前記偏差が前記許容範囲内にある期間を前記撮像の期間とし前記偏差が前記許容範囲外にある期間を前記撮像の期間としないように、前記撮像部を制御することを特徴とする検出装置。 - 前記制御部は、前記ステージの位置を計測する計測部からの出力に基づいて、前記撮像の期間を制御することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記偏差が前記許容範囲内にある不連続な複数の期間を前記撮像の期間とすることを特徴とする請求項1または2に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記撮像により得られた信号の強度が許容条件を満たした場合、前記撮像の期間を終了するように前記撮像部を制御することを特徴とする請求項1ないし請求項3のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記撮像部の出力と、前記計測部の出力とに基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項2に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記偏差が前記許容範囲内にある期間における前記ステージの位置の代表値に基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項5に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記撮像部に含まれている撮像素子の電子シャッタ、または前記撮像部に含まれている、前記マークを照明するための光源を制御することにより、前記撮像の期間を制御することを特徴とする請求項1ないし請求項6のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記目標位置は前記ステージが位置決めされるべき位置であり、前記偏差は前記ステージの位置と前記目標位置との差に基づき求められることを特徴とする請求項1ないし請求項7のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記偏差が前記許容範囲内に収束する前において、前記ステージは周期的に振動していることを特徴とする請求項1ないし請求項8のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- マークの撮像を行う撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを含み、前記マークを検出する検出装置であって、
前記制御部は、前記マークを有する物体の位置を計測する計測部からの出力に基づいて、前記位置が許容範囲内に収束する前において前記位置が前記許容範囲内にある期間だけ前記撮像の期間となるように、前記撮像部を制御することを特徴とする検出装置。 - 前記制御部は、前記撮像部の出力と、前記計測部の出力とに基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項10に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記物体の位置が前記許容範囲内にある期間における前記物体の位置の代表値に基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項11に記載の検出装置。
- 物体を保持して移動するステージ上のマーク又は前記ステージに保持された物体上のマークの撮像を行って撮像されたマークを検出する検出方法であって、
前記ステージの目標位置に対する偏差が予め定められた許容範囲内に収束する前において前記偏差が前記許容範囲内にある期間を前記撮像の期間とし前記偏差が前記許容範囲外にある期間を前記撮像の期間としないように前記マークの撮像を行うことを特徴とする検出方法。 - マークの撮像を行って前記マークを検出する検出方法であって、
前記マークを有する物体の位置を計測する計測部からの出力に基づいて、前記マークを有する物体の位置が許容範囲内に収束する前において前記位置が前記許容範囲内にある期間だけ前記撮像の期間となるように、前記マークの撮像を行う撮像部を制御することを特徴とする検出方法。 - 請求項13又は14に記載の検出方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
- パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
基板を保持して移動するステージと、
前記ステージの保持された基板に形成されたマークを検出する請求項1乃至請求項12のうちいずれか1項に記載の検出装置と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 請求項16に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含み、加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
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