JP2015198121A - リソグラフィ装置、ステージ装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ステージの移動方向と、その方向に対する移動条件に応じた支持手段を用いて、スループットの向上と低コスト化の両立が可能なリソグラフィ装置を提供すること。【解決手段】 基板Ｗ上にビームを照射する光学系を有する鏡筒ＣＬと、基板Ｗの主走査方向への長距離移動と副走査方向への短距離移動とを繰り返すステージ装置とを備え、ビームにより基板Ｗ上にパターンを形成するリソグラフィ装置に関する。前記ステージ装置は、主走査方向に移動する第１移動体ＹＭと、該第１移動体ＹＭを磁気力により浮上支持して主走査方向に移動可能とする浮上ユニットＬＶと、副走査方向に移動する第２移動体ＸＭと、該第２移動体ＸＭを接触支持して副走査方向に移動可能とするリニアガイドＸＧとを有する。【選択図】 図１

Description

本発明は、リソグラフィ装置、ステージ装置、及び物品の製造方法に関する。

近年、半導体集積回路におけるパターンの微細化に伴い、ＥＵＶ露光装置や電子線描画装置等の真空下で基板にパターン形成を行うリソグラフィ装置の開発が進められている。基板を保持して水平面内の２軸方向にステージを移動させる移動手段としてリニアモータを使用し、ステージの移動を案内する際の支持手段として静圧軸受を用いる技術が知られている（特許文献１）。特許文献１に記載の静圧軸受は、静圧軸受からの排気による真空度の低下を防ぐために、３つの真空ポケットを用いて排気を回収する機構を設けている。

特開２００４−３６３２５９号公報

ステージが主走査方向に長距離移動したあと、主走査方向と直交方向である副走査方向にステージが短距離移動し、折り返し主走査方向に長距離移動する動作を繰り返しながらパターン形成を行う電子線描画装置がある。

スループットの向上のために、長距離移動をする主走査方向にステージを速く移動させるためにステージを静圧軸受により浮上させることが考えられる。しかしながら、電子線描画装置のように真空チャンバ内でステージを高速に移動する装置に対して静圧軸受を使用すると、静圧軸受から生じる排気の回収が間に合わなくなり真空度が低下する恐れが生じる。一方、前述の移動方式のような副走査方向への総移動距離が短い場合にまで静圧軸受のような耐久性に優れたガイドを用いると、不要なコストがかかってしまう。

そこで、本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、ステージの移動方向と、その方向に対する移動条件に応じた支持手段を用いて、スループットの向上と低コスト化の両立が可能なリソグラフィ装置を提供することを目的とする。

本発明は、基板上にビームを照射する光学系を有する鏡筒と、前記基板の主走査方向への長距離移動と副走査方向への短距離移動とを繰り返すステージ装置とを備え、前記ビームにより前記基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記ステージ装置が、前記主走査方向に移動する第１移動体と、該第１移動体を磁気力により浮上支持し、前記主走査方向に移動可能とする浮上ユニットと、前記副走査方向に移動する第２移動体と、該第２移動体を接触支持し、前記副走査方向に移動可能とするリニアガイドとを有することを特徴とする。

本発明のリソグラフィ装置によれば、ステージの移動方向と、その方向に対する移動条件に応じた支持手段を用いて、スループットの向上と低コスト化の両立が可能となる。

第１の実施形態に係るステージを有する描画装置の構成図。 ステージＹＭを鉛直方向から見た図。 ステージＹＭの移動軌跡を示す図。 第２の実施形態に係るステージについて説明する図。

［第１の実施形態］
（描画装置の構成）
本発明に係るステージ装置の実施形態について、図１（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図１（ａ）はレジストの塗布されているウエハ（基板）Ｗ上に電子線を照射してパターン形成を行う描画装置（リソグラフィ装置）１の正面図である。Ｙ軸方向に対する、ステージ装置の構成は図２を用いて後述する。

鏡筒ＣＬは、電子線を発生する電子源（不図示）と、電子源から射出された電子線をウエハＷ上に集束する電子光学系ＥＯを有している。さらに、鏡筒ＣＬは真空チャンバＶＣを貫通するように設置されており、真空チャンバＶＣ内及び鏡筒ＣＬ内は真空ポンプ（不図示）を用いて高真空雰囲気に保たれている。真空チャンバＶＣ内で移動する、後述のステージＸＭやステージＹＭの周囲の真空度は、例えば１×１０⁻²Ｐａ以下１×１０^−６Ｐａ以上である。

真空チャンバＶＣ内の底部には、土台となる定盤ＢＳ、及び定盤ＢＳを支え定盤ＢＳへ伝わる外部振動を低減するためのマウントＭＴがある。定盤ＢＳ上にはＸ軸方向（副走査方向、第２方向）に移動可能なステージＸＭ（第２移動体）がある。ステージＸＭの上方には、ステージＸＭと対面し、かつウエハＷを保持した状態でＸ軸方向、Ｙ軸方向（主走査方向、第１方向）、及びＺ軸方向への移動が可能なステージＹＭ（第１移動体）がある。制御部２はステージＸＭやステージＹＭを移動するためのアクチュエータを制御する。

ステージＹＭ上には、Ｘ軸方向の位置を計測するために用いるミラーＸＢＭがある。真空チャンバＶＣから吊り下げられている干渉計Ｌは、ミラーＸＢＭに向けてレーザ光を射出し、ミラーＸＢＭが反射したレーザ光と参照光との干渉光を検出する。干渉計Ｌは、この干渉光の強度変化に基づいてステージＹＭのＸ軸方向の変位を計測する。Ｙ軸方向及びＺ軸方向の変位も、ミラーＹＢＭ（図２（ａ）に図示）とＺ軸方向用のミラー（不図示）を用いて同様に計測する。干渉計Ｌによる検出結果から、検出器３がステージＹＭのＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の位置を出力する。

主制御部４は、制御部２と検出器３に接続されている。主制御部４は、検出器３の計測結果に基づいて、ステージＸＭ及びステージＹＭに必要な移動量を制御部２に指示する。制御部２の指示に基づいてステージＸＭとステージＹＭが同期しながら移動をし、ステージＹＭの６軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚ）の位置が制御される。

（ステージ装置の構成）
ステージＸＭは、リニアモータＸＬＭ（図１（ｂ）に図示）によって定盤ＢＳ上をＸ軸方向に移動する。転動体が転がる機構を利用したガイド（第２ガイド）（以下、リニアガイドと称す）ＸＧは、ステージＸＭを定盤ＢＳに対して接触支持しながらＸ軸方向への移動を案内する。リニアガイドＸＧはガイド軸ＸＧＳとスライダーＸＧＭによって構成されている。本実施形態におけるステージ装置は、図１（ａ）に示すようにＸ軸方向に２つ、図１（ｂ）に示すようにＹ軸方向に２つ、の合計４つのスライダーＸＧＭを有している。

ステージＹＭは、後述の磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭと、各々の磁石ユニットに対応するコイルＸＡＣ、ＹＡＣ、ＺＡＣによるリニアモータ機構で移動する。図１（ａ）に示す浮上ユニットＬＶ（第１ガイド）は、ステージＹＭをステージＸＭに対して浮上支持しながらＹ軸方向への移動を案内する。浮上ユニットＬＶは、ステージＹＭの下方（第１移動体の下方）にあるステージＸＭに固定された固定部ＬＶＳと、固定部ＬＶＳに対して磁気力により浮上しながらステージＹＭと共に移動する可動部ＬＶＭを有している。

可動部ＬＶＭは、保持部ＬＶＭＳと、長手方向がＹ軸方向である直方体形状の永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２を有している。永久磁石ＬＶＭＭ１と永久磁石ＬＶＭＭ２は互いに鉛直方向逆向きに着磁されている。固定部ＬＶＳと保持部ＬＶＭＳの材料は、鉄、ニッケル合金等の高い透磁率を有する材料である。永久磁石ＬＶＭＭ１及び永久磁石ＬＶＭＭ２と固定部ＬＶＳの間にはたらく磁気吸引力によって、ステージＹＭは浮上状態を保つことができる。

リニアガイドＸＧは、接触式の支持手段の中でも低コストで済む。浮上ユニットＬＶは、真空中で使用する場合であっても、静圧軸受を使用する場合に比べて低コスト化を図ることができる。

また、浮上ユニットＬＶは、同じ非接触式のガイドとして知られている静圧軸受よりも、高速移動に対応することができる。静圧軸受を適用した場合はステージＹＭを５μｍ程度しか浮上させることができないのに対し、磁気力による浮上支持手段であればステージＹＭを０．５〜１０ｍｍ浮上させることができ、高速で移動した場合であっても被浮上面（本実施形態の場合はステージＸＭ）に接触してしまう恐れが少ないからである。

ステージＹＭの底面には、ステージＹＭを移動するアクチュエータが配置されている。アクチュエータの可動子として磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭがある。磁石ユニットＸＡＭはステージＹＭをＸ軸方向に移動し、２つの磁石ユニットＹＡＭはステージＹＭをＹ軸方向に移動し、４つの磁石ユニットＺＡＭはステージＹＭをＺ軸方向に移動する。各々の磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭは、各々の磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭに対応するアクチュエータの固定子である、コイルＸＡＣ、ＹＡＣ、ＺＡＣが貫通できるように中空の構造をしている。

磁石ユニットＹＡＭは、コイルＹＡＣの上下に磁石ＹＡＭＭを各々配置しており、各々の磁石ＹＡＭＭのさらに上下をヨークＹＡＭＹで挟んでいる。さらに、ヨークＹＡＭＹ同士を中間部材ＹＡＭＩで固定している。Ｙ軸方向には異なる磁極の磁石ＹＡＭＭが交互に並べられている。

磁石ユニットＺＡＭの磁石ＺＡＭＭ１同士、ＺＡＭＭ２同士には互いに異なる向きの磁性を帯びた磁石である。磁石ＺＡＭＭ１、ＺＡＭＭ２の側面にはヨークＺＡＭＹが配置されており、ヨークＺＡＭＹ同士を中間部材ＺＡＭＩで固定している。

磁石ユニットＸＡＭは、コイルＸＡＣの上下にある磁石ＸＡＭＭと、各々磁石の上下に配置されたヨークＸＡＭＹと、ヨークＸＡＭＹ同士を連結するように固定する中間部材ＸＡＭＩで構成されている。各々の磁石ＸＡＭＭはＸ軸方向に異なる向きの磁性を帯びた磁石である。

次に、鉛直方向上側からステージＹＭを見た図を図２（ａ）に示す。鏡筒ＣＬの中央には電子線の射出口ＢＡを図示している。射出孔ＢＡの幅は６０μｍ〜２００μｍである。ステージＸＭからステージＹＭを見た図を図２（ｂ）に示す。

コイルＸＡＣは単相の長円形コイルであって、ＸＹ平面においてＹ軸方向に長い形状をしている。コイルＺＡＣも単相の長円形コイルであり、コイルＺＡＣの成す面がコイルＸＡＣの成す面と直角を成すように配置されている。一方、コイルＹＡＣは多相コイルで構成されており、ステージＹＭをＹ軸方向に長距離移動できる構成となっている。

制御部２は、コイルＸＡＣに電流を流して、電磁力により磁石ユニットＸＡＭ及びステージＹＭをＸ軸方向に移動する。制御部２によるステージＹＭのＸ軸方向への制御は、Ｘ軸方向への微少な位置調整の他、ステージＸＭの移動に追従するようにステージＸＭと連動して移動するために行われる。同様にコイルＺＡＣに電流を流して、磁石ユニットＺＡＭ及びステージＹＭをＺ軸方向に移動する。さらに、制御部２はステージＹＭの位置に応じたコイルＹＡＣの所定のコイルに対して電流を流して、磁石ユニットＹＡＭ及びステージＹＭをＹ軸方向に移動する。

図２（ｂ）に示すように、コイルＺＡＣの各コイルは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に対して離間して配置されている。これにより、描画中に、ウエハＷ表面の微小な凹凸等に合わせてステージＹＭの傾きを制御することができる。このようにして、制御部２からの指示に基づいて各々のコイルに対して流れる電流量、電流の方向、及びタイミング等に応じて、ステージＹＭの位置が制御される。

（ステージの移動について）
以上の構成により、ステージＸＭはリニアガイドＸＧによって支持されながらＸ軸方向へ進み、ステージＹＭは浮上ユニットＬＶによって支持されながらＹ軸方向へ進む。ステージＸＭとステージＹＭの移動によって、ウエハＷは図３に示すような軌跡を描く。電子線でパターンを描画している最中にＹ軸方向に長距離移動するスキャン動作（実線部）と、電子線を照射していない間にＸ軸方向に短距離移動するステップ動作（破線部）とを繰り返す。ステップ動作中には、Ｙ軸方向への移動成分も含まれるため、Ｕターンを示す軌跡となっている。

直径３００ｍｍのウエハＷを用いてパターンを描画する場合であって、加速及び減速の間は電子線を照射しないとすると、一度のスキャン動作あたりのＹ軸方向への移動距離は、５００ｍｍ〜１０００ｍｍとなる。加速や減速時の速度に応じて移動距離は変動する。それに対して、照射領域ＢＡの幅が２００μｍの場合は、１度のステップ動作によるＸ軸方向への移動距離は２００μｍである。

描画装置１が１枚のウエハに対して照射領域ＢＡの幅が２００μｍでパターンを描画するにあたり、１枚のウエハＷに描画し終えるまでに移動する総移動距離について説明する。直径３００ｍｍのウエハＷに対して、途中でアライメント計測等を行わずにパターンを形成する場合に、Ｘ軸方向には余裕を持たせても４００ｍｍしか移動しない。

一度のスキャン動作当たりの移動距離が一定であるとすると、Ｙ軸方向に対する総移動距離は１００００００〜２００００００ｍｍにも達する。すなわち、１枚のウエハを処理するに当たり、Ｘ軸方向への総移動距離は、Ｙ軸方向への総移動距離の１／５０００〜１／２５００しか移動しない。

照射領域ＢＡの幅が２００μｍよりも小さい場合はＹ軸方向に対する総移動距離は前述の値よりもさらに小さくなる。たとえ、照射領域ＢＡの幅が２００μｍよりも大きい場合であったとしても、ステージＹＭのＸ軸方向の移動距離は、Ｙ軸方向への移動距離の１／５００以下の距離しか移動しない。

スループット向上のため、Ｙ軸方向への移動は高速で行う必要がある。例えば、最大速度が１０００ｍｍ／ｓ、より好ましくは１５００ｍｍ／ｓ〜２５００ｍｍ／ｓである。Ｘ軸方向への移動はわずかであり、１度のステップ動作では大きな速度を出すことができないため、最大速度は５ｍｍ／ｓ以下である。より好ましくは２ｍｍ／ｓ以下とする。

本実施形態におけるステージ構成の場合、Ｘ軸方向への移動は、１度のステップ動作あたりの速度は小さく移動距離は短い。一方、Ｙ軸方向への移動は、Ｘ軸方向に比べて、１度のスキャン動作あたりの速度は大きく移動距離は長い。すなわち、ステージ装置のＸ軸方向への移動量はＹ軸方向への移動量に比べて相対的に短く、また、Ｘ軸方向への移動速度はＹ軸方向への移動速度に比べて相対的に遅いという移動方式である。

このような移動をする場合に、Ｘ軸方向への移動速度は小さいことから、非接触ガイドの使用を要しない。移動距離も短いため高耐久性も要求されない。よって、ステージＸＭの支持手段として接触式のリニアガイドＸＧを使用することが可能である。これにより、他の支持手段を用いて移動を案内する場合に比べて低コスト化が実現できる。

さらに、Ｙ軸方向への移動を浮上ユニットＬＶを用いて支持しながら移動を案内することによって、排気機構付きの静圧軸受を使用する場合に比べて、スループットを向上することもできる。

仮に、２軸方向の移動手段を同じにしようとすると、リニアガイド同士では高速化に対応できずスループットが低減するだけでなく、高速移動による摩耗が激しくなり寿命が短くなる。２軸とも浮上ステージを使用した場合は、６軸干渉計が２セット必要となってしまうため高コスト化を引き起こす上に、Ｘ軸移動は速度を大きくしてもスループット向上への寄与が小さいため大幅なスループットの向上にはならない。

以上のことから、ステージの移動方向、及びその方向に対する速度及び移動距離等の移動条件に応じた支持手段を用いることが必要となる。本実施形態のように磁気力による支持手段とリニアガイドによる接触支持との、２種類の支持手段を移動条件に応じて使い分けることで、スループットの向上と低コスト化を両立することが可能となる。

［第２の実施形態］
図４は第２の実施形態に係るステージ装置を有する描画装置１を、鉛直方向上側からステージＹＭを見た図示している。第２の実施形態では、１枚のウエハＷに対して４本の鏡筒ＣＬから射出される電子線で描画を行う点で第１の実施形態とは異なる。電子線を射出する鏡筒が４倍になった分、一度に描画できるＸ軸方向の幅が４倍となる。１つの鏡筒ＣＬによる描画領域を整数倍することで他の鏡筒ＣＬによる描画領域となるように４本の鏡筒ＣＬを適切な間隔で並べれば、ステージＸＭの合計の移動量を約１／４に低減することが可能となる。

これにより接触方式のリニアガイドＸＧの移動距離が減ることになる。すなわち、複数の鏡筒を設けることで、リニアガイドＸＧの摩耗速度を低減させるとともに、真空チャンバＶＣ内においてパーティクルが発生する場合であってもその発生量を低減することが可能となる。さらに、鏡筒ＣＬの本数を増やすことによって一度に描画できる面積が増える分、スループットを向上する効果も得られる。このようにして、各々の移動方向への移動量が相対的に異なる移動方式を活かしつつ、さらにスループットを向上することができる。

［その他の実施形態］
磁気力によって支持されて移動するステージとリニアガイドで支持されて移動するステージのどちらが上方でも構わないが、前述の実施形態のように磁気力によって支持されながら移動するステージが上となる構成のほうが好ましい。逆にしてしまうと、ステージの重力に逆らって浮上させるための強力な磁性体を用意するか、あるいはＺ軸方向への移動用のアクチュエータ機構に対してより大きな動力を与えなければならないからである。

ステージＸＭを移動するアクチュエータは、位置決め精度や応答性の良さ、及び耐摩耗性に優れている観点からリニアモータ機構であることが好ましいが、その他のアクチュエータ機構でも構わない。少なくとも描画装置１のメンテナンス時までの耐久性があるのであれば、回転モータによる回転運動を直動運動に変換するアクチュエータ機構（回転モータとボールねじの組み合わせ、回転モータとカム及びリンクの組み合わせ等）であっても構わない。これらのアクチュエータを用いた場合であっても所望の位置決め精度が得られるのであれば、よりステージ装置の低コスト化につながるからである。

なお、本発明のステージ装置は、以上の実施形態の説明におけるステージＸＭ、ステージＹＭ、磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、コイルＸＡＣ、ＹＡＣ、リニアガイドＸＧ、ＸリニアモータＸＬＭと、磁石ユニットＺＡＭとコイルＺＡＣを有するアクチュエータ及び浮上ユニットＬＶの少なくとも一方と、を有する。磁気力による浮上支持は浮上ユニットＬＶだけでなくとも、Ｚ軸方向へ移動するアクチュエータを浮上ユニットとして兼用したり、これで代用したりすることもできる。しかし、Ｚ軸方向へ異動するアクチュエータはウエハＷの凹凸に合わせた照射面の傾き補正のためだけに用いる、あるいは浮上ユニットＬＶと兼用で用いる構成のほうが、コイルＺＡＣに流す電流を低減できるため好ましい。これにより、コイルＺＡＣの発熱を抑制することが可能となり、ウエハＷの熱変形を抑制することができる。

本発明のステージ装置は、電子線を用いた描画装置に限らず、ＫｒＦやＥＵＶ等の光線、イオンビームやレーザビームを照射してパターンを形成するリソグラフィ装置や、インプリント法を用いてパターンを形成するリソグラフィ装置にも適用できる。また、基板を保持して移動するステージ装置を有する、その他の処理装置にも適用できる。特に真空チャンバ内のように、大気圧中に比べて選択可能な支持手段に制約が生じやすい場合や、２軸方向に対する移動条件が異なる場合に好適である。

［物品の製造方法］
本発明の物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、ＣＤ−ＲＷ、フォトマスク等）の製造方法は、前述の実施形態のステージ装置を用いて基板（ウエハやガラス板等）上にパターンを露光する工程と、露光された基板を現像する工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程（酸化、成膜、蒸着、エッチング、イオン注入、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでも良い。

１ 描画装置
３ 制御部（ステージ用）
４ 主制御部
ＣＬ 鏡筒
ＣＶ 真空チャンバ
ＥＯ 光学系
ＬＶ 浮上ユニット
ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２ 永久磁石
ＸＧ リニアガイド
ＸＬＭ リニアモータ
ＸＭ、ＹＭ ステージ
Ｗ ウエハ
ＺＡＣ 磁石ユニット（Ｚ軸方向用）
ＺＡＣ コイル（Ｚ軸方向用）

Claims (11)

1. 基板上にビームを照射する光学系を有する鏡筒と、前記基板の主走査方向への長距離移動と副走査方向への短距離移動とを繰り返すステージ装置とを備え、前記ビームにより前記基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
   前記ステージ装置が、
   前記主走査方向に移動する第１移動体と、
   該第１移動体を磁気力により浮上支持し、前記主走査方向に移動可能とする浮上ユニットと、
   前記副走査方向に移動する第２移動体と、
   該第２移動体を接触支持し、前記副走査方向に移動可能とするリニアガイドとを有することを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 前記第１移動体は前記第２移動体の上方にあり、前記第１移動体は前記第２移動体と連動して前記副走査方向にも移動することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 真空チャンバを有し、前記ステージ装置は、前記真空チャンバ内で移動することを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. １枚の前記基板に対する前記パターンの形成に伴う、前記第２移動体の総移動距離は、前記第１移動体の総移動距離の１／５００以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記ステージ装置の移動を制御する制御部を有し、
   前記制御部は、前記パターンを形成している間における前記第１移動体の最大速度が１０００ｍｍ／ｓ以上の速度となるように制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記ステージ装置の移動を制御する制御部を有し、
   前記制御部は、前記パターンを形成している間における前記第２移動体の最大速度が５ｍｍ／ｓ以下の速度となるように制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記浮上ユニットは、前記第１移動体に設けられている永久磁石と、前記第１移動体の下方に固定して設けられている磁性体とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
8. 複数の前記鏡筒を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
9. 主走査方向に長距離移動する第１移動体と、
   該第１移動体を磁気力により浮上支持し、移動可能とする浮上ユニットと、
   副走査方向に短距離移動する第２移動体と、
   該第２移動体を接触支持し、移動可能とするリニアガイドとを有し、
   前記第１移動体と前記第２移動体とが連動して移動することを特徴とするステージ装置。
10. 第１方向に移動する第１移動体と、前記第１方向の移動量より短い移動量で、前記第１方向とは異なる第２方向に移動する第２移動体とを有し、前記第１移動体と前記第２移動体とが連動して移動するステージ装置であって、
    前記第１移動体を磁気力により浮上支持し、前記第１方向に移動可能とする第１ガイドと、
    該第２移動体を接触支持し、前記第２方向に移動可能とする第２ガイドとを有することを特徴とするステージ装置。
11. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いて、基板にビームを照射する工程と、前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。