JP2008182210A - ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008182210A
JP2008182210A JP2007326587A JP2007326587A JP2008182210A JP 2008182210 A JP2008182210 A JP 2008182210A JP 2007326587 A JP2007326587 A JP 2007326587A JP 2007326587 A JP2007326587 A JP 2007326587A JP 2008182210 A JP2008182210 A JP 2008182210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
magnet
coarse
repulsion
fine movement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007326587A
Other languages
English (en)
Inventor
Yugo Shibata
雄吾 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2007326587A priority Critical patent/JP2008182210A/ja
Priority to KR1020070134936A priority patent/KR20080063101A/ko
Priority to TW096150291A priority patent/TW200848943A/zh
Priority to US11/964,248 priority patent/US7880864B2/en
Publication of JP2008182210A publication Critical patent/JP2008182210A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】第1ステージとその上に搭載される第2ステージとを含むステージ装置において、駆動用のアクチュエータの発熱を低減する。
【解決手段】第2ステージは第1ステージの上に搭載される。第1アクチュエータは第1ステージを第1方向に駆動する。第2アクチュエータは、第1ステージに対して第2ステージが相対的に移動するように第2ステージを駆動する。第1ユニットは、第1ステージの第1方向の端部に配置された第1可動磁石と、第1ステージが第1方向の移動ストロークの一端に位置するときに及び第1可動磁石に対面するように配置されて第1可動磁石に対して斥力を発生する第1固定磁石と、を含む。第2ユニットは、第2ステージの第1方向の両端部に配置された第2可動磁石と、第1ステージが第1方向の移動ストロークの一端に位置するときに第2可動磁石に対面するように配置されて第2可動磁石に対して斥力を発生する第2固定磁石と、を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
従来技術として、特許文献1には、反発磁石ユニットを搭載した位置決めステージ装置が示されている。
図11(a)は、従来例の位置決めステージ装置の斜視図である。この位置決めステージ装置では、本体ベースにベースガイド101が固定され、ベースガイド101に対して一軸方向に移動可能なように、工作物102を搭載するステージ103が支持されている。ステージ103の姿勢は、ベースガイド101の上面とステージ103の下面との間に配置される軸受けで規制される。ステージ103の両側にはリニアモータ可動子105が固定される。リニアモータ固定子106がリニアモータ可動子105に非接触で対面し、リニアモータ固定子106は本体ベースに固定されている。レーザ干渉計からの光を反射ミラー116に照射することによって、ステージ103の位置が計測される。
この位置決めステージ装置は図11(b)に示す反発磁石ユニットを備えており、ステージ103の前後には可動磁石ホルダ131と可動磁石132とからなる反発可動子133が固定されている。可動磁石132は鉛直方向に着磁された板状の単極永久磁石である。この従来例では、上がN極に着磁されている。この反発可動子133はベースガイド101上に配置された反発固定子135と相互に作用してステージ103に斥力を与え、ステージ103を加減速するように作用する。
この反発磁石ユニットは、可動磁石132の各々の磁極面に対して両側から上下磁石137で挟み込む構成にすることで、対面方向の斥力を相殺することが出来る。反発可動子133に対応して、ステージ103に加減速力を与える反発固定子135がベースガイド上に固定されている。反発固定子135はステージ103のストロークの両端に1ユニットずつ設けられる。
また上下磁石137の間隔は可動磁石132の厚さより少し大きく取られ、両横ヨーク138の内側間隔は可動磁石132の幅より広く取ってある。可動磁石132が上下一対の磁石137の間及び両横ヨーク138の間に形成される穴に、非接触で挿入できるようになっている。
反発可動子133が点線の位置にいる時、反発可動子133は矢印の方向の反発力を受けるようになっている。反発可動子133が点線の位置から矢印の方向に斥力を受けて押し出されるに従い反発力は減少し、反発可動子133が反発固定子135からある程度離れると反発力はゼロになる。その時ステージ103は最大速度まで加速されており、軸受けによってガイドされているのでそのままの速度で反対側まで移動する。
空気抵抗や軸受けによる減速に対して、リニアモータ可動子105が力を発生することで速度を維持する。ステージ103の反対側に設けられた反発可動子133が、もう一端の反発固定子135と相互作用するまでステージの運動エネルギーは保存される。したがってステージの反対側の反発可動子133も、図13(b)の前記点線で示した位置における挿入量と同じ量だけもう一端の反発固定子135に挿入された状態で速度がゼロになる。
また、近年の露光装置に搭載されるステージ装置では、スループットを向上させるために更に大きな加速度での駆動が要求される一方で、半導体は益々微細化するために更なる高精度で位置決めすることが望まれている。そこで、長ストローク移動のための粗動ステージと精密位置決めのための微動ステージからなる粗微動構成のステージ装置などが提案されてきた。
特開2004−79639号公報
しかし従来の位置決めステージ装置では、粗動ステージを大加速度で駆動した際に、微動ステージのリニアモータの発熱が大きいという欠点があった。微動ステージのリニアモータはローレンツ力を利用したもので、他のアクチュエータと比較すると、応答性、振動絶縁性に優れるが発熱が大きい。発熱が問題になるのは加速減速時である。走査露光では粗動ステージをまず加速し、粗動ステージは最大速度に到達したら一定速度で走行しつつ露光処理が成され、露光処理が終了したら粗動ステージを減速するということが繰り返される。粗動ステージの加速と減速の際に、「微動ステージの質量×加速度」だけの推力を、微動リニアモータで与えなければならない。したがって、粗動ステージを加速又は減速する時に、微動リニアモータが発熱し周辺の空気がゆらぐことで干渉計の計測誤差を招いたり、微動リニアモータの発熱により微動ステージが変形するなどして、微動ステージの位置決め精度が悪化する。あるいは、微動ステージの発熱を抑えるために、粗動ステージの加速度が制限されてしまいスループットの低下を招くなどの問題があった。
また、粗動ステージと微動ステージとの間の加減速力の伝達手段として、電磁石の力による電磁継ぎ手が提案されているが、粗動ステージを大加速する際に発生する加速力を伝達する為には、電磁継ぎ手への投入電力が増大し発熱が増大する。さらに、電磁継ぎ手が大きくなり粗動ステージの質量が大きくなってしまう、又は、微動ステージの形状が複雑化し、サーボゲインの周波数帯域を上げることが困難になるという問題があった。
本発明は、第1ステージとその上に搭載される第2ステージとを含むステージ装置において、駆動用のアクチュエータの発熱を低減することを目的とする。
本発明のステージ装置は、第1ステージと、前記第1ステージを第1方向に駆動する第1アクチュエータと、前記第1ステージの上に搭載される第2ステージと、前記第1ステージに対して前記第2ステージが相対的に移動するように前記第2ステージを駆動する第2アクチュエータと、前記第1ステージの前記第1方向の端部に配置された第1可動磁石と、前記第1ステージが前記第1方向の移動ストロークの一端に位置するときに及び前記第1可動磁石に対面するように配置されて前記第1可動磁石に対して斥力を発生する第1固定磁石と、を含む第1ユニットと、前記第2ステージの前記第1方向の両端部に配置された第2可動磁石と、前記第1ステージが前記第1方向の移動ストロークの一端に位置するときに前記第2可動磁石に対面するように配置されて前記第2可動磁石に対して斥力を発生する第2固定磁石と、を含む第2ユニットと、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、第1ステージとその上に搭載される第2ステージとを含むステージ装置において、駆動用のアクチュエータの発熱を低減することができる。
[第1の実施形態]
図1は本発明の第1の実施形態におけるステージ装置の平面図、図2は図1のα方向から見た側面図(断面図)、図3は図1のβ方向から見た正面図、図4は斥力発生ユニットを示す斜視図である。このステージ装置は、本体ベース1にベースガイド2が固定され、ベースガイド2に対して一軸方向に移動可能なように、工作物3を搭載する粗動ステージ4(第1ステージ)が支持されている。粗動ステージ4の姿勢は、本体ベース1の上面と粗動ステージ4の下面との間に配置される軸受け14で規制される。高精度な位置決め精度が求められる露光装置では、軸受け14として空気軸受けが採用される。粗動ステージ4の両側には粗動用リニアモータ可動子5が固定される。粗動用リニアモータ可動子5には粗動用リニアモータ固定子6が非接触で対面し、粗動用リニアモータ固定子6は本体ベース1に固定されている。粗動用リニアモータ可動子5及び粗動用リニアモータ固定子6は、粗動ステージである第1ステージをY方向(第1方向)に駆動する第1アクチュエータを構成している。第1アクチュエータはリニアモータに限定されない。また、第1方向はX方向でも差し支えない。粗動ステージ4の位置はレーザ干渉計からの光を粗動用反射ミラー16に照射して計測される。
粗動ステージ4の上に微動用Xリニアモータ17〜25及び不図示の自重補償機構を介して、工作物3を搭載する微動ステージ15(第2ステージ)が6軸方向に移動可能なように搭載されている。
図2に示すように、微動ステージ15と粗動ステージ4の間には微動用Xリニアモータ固定子18と微動用Xリニアモータ可動子19からなる微動用Xリニアモータ17が2個配置されている。そして、微動用Yリニアモータ固定子21と微動用Yリニアモータ可動子22からなる微動用Yリニアモータ20が2個配置されている。さらに、微動用Zリニアモータ固定子24と微動用Zリニアモータ可動子25からなる微動用Zリニアモータ23が3個配置されている。この場合、微動用Yリニアモータが、粗動ステージである第1ステージに対して微動ステージである第2ステージが相対的に移動するように第2ステージをY方向(第1方向)に駆動する第2アクチュエータを構成している。第2アクチュエータはリニアモータに限定されない。また、第1方向はX方向でも差し支えない。
各リニアモータ可動子には各リニアモータ固定子が非接触で対面し、各リニアモータ固定子は粗動ステージ4の上面に、各リニアモータ可動子は微動ステージ15の下面に固定されている。微動ステージ15の位置はレーザ干渉計からの光を微動用反射ミラー26に照射して計測される。リニアモータは非接触で、いわゆるローレンツ力により推力を発生するものである。このリニアモータを用いて、微動ステージ15はX、Y、Z、ωx、ωy、ωzの6軸を精密に位置決めされている。さらに、不図示の自重補償機構が、微動ステージ15の自重を支持している。このため前述の微動用Zリニアモータ23は、微動ステージ15の自重を支持するための推力を発生する必要がなく目標位置からのずれを補正するためのわずかな力のみを発生すればよいようになっている。
このステージ装置は図4に示す粗動用斥力発生ユニット(第1ユニット)及び微動用斥力発生ユニット(第2ユニット)を備えている。粗動ステージ4のY方向の両端部には粗動用可動磁石ホルダ8と粗動用可動磁石9からなる粗動用反発可動子7(第1可動磁石)が固定されている。粗動用可動磁石9は鉛直方向に着磁された板状の単極永久磁石である。この実施形態では、上がN極に着磁されている。この粗動用反発可動子7は、ベースガイド2上に配置された粗動用反発固定子10(第1固定磁石)と相互に作用して粗動ステージ4に斥力を与え、粗動ステージ4を加減速するように作用する。すなわち、粗動用反発可動子7(第1可動磁石)と粗動用反発固定子10(第1固定磁石)とで粗動用斥力発生ユニット(第1ユニット)を構成している。
同様に、微動ステージ15のY方向の両端部には微動用可動磁石ホルダ28と微動用可動磁石29からなる微動用反発可動子(第2可動磁石)27が固定されている。微動用可動磁石29は鉛直方向に着磁された板状の単極永久磁石である。この実施例では、上がN極に着磁されている。この微動用反発可動子27は、ベースガイド2上に配置された微動用反発固定子(第2固定磁石)30と相互に作用して微動ステージ15に斥力を与え、微動ステージ15を加減速するように作用する。すなわち、微動用反発可動子27(第2可動磁石)と微動用反発固定子30(第2固定磁石)とで微動用斥力発生ユニット(第2ユニット)を構成している。
斥力発生ユニットの上記の構成で特徴的なのは、斥力を発生する方向と永久磁石の着磁方向が直交している点である。例えばY方向に着磁された磁石の同じ極同士を対面させてもY方向の斥力を得ることはできるが、これでは斥力を発生できる距離が非常に短く、粗動ステージ4は十分な速度に到達することが出来ない。図4に示すように同極磁石を対面させて、対面方向と直角方向に発生する力を利用することで、対面させる同極磁石の寸法に応じた力発生ストロークを得ることが出来る。この粗動用斥力発生ユニットは粗動用可動磁石9の各々の磁極面に対して両側から上下磁石12で挟み込む構成にすることで、対面方向の斥力を相殺することが出来る。同様に、微動用斥力発生ユニットは微動用可動磁石29の各々の磁極面に対して両側から上下磁石32で挟み込む構成にすることで、対面方向の斥力を相殺することが出来る。
今、粗動ステージ4の質量をM、微動ステージ15の質量をmとする。各ステージの加速度をaとする。粗動ステージ4を加速度aで加速する為に必要な力F、及び、微動ステージ15を加速度aで加速する為に必要な力fは、以下の式(1)及び(2)でそれぞれ表すことができる。
F=M×a ・・・・・・・・(1)
f=m×a ・・・・・・・・(2)
加速度aは同じなので、発生させるべき力は、下記の式(3)で示されるように、質量比となる。
F:f= M:m・・・・・・(3)
すなわち、粗動用斥力発生ユニットが発生する斥力と微動用斥力発生ユニットが発生する斥力との比が、粗動ステージ4の質量と微動ステージ15の質量との比となるように各斥力発生ユニットの同極磁石の寸法を決定する。
図5は、粗動用斥力発生ユニット及び微動用斥力発生ユニットを上から見た図をそれぞれ並べたものである。説明の都合上、上ヨーク、上磁石は省略している。
図5で示すように、粗動用可動磁石9のX方向の寸法(幅)をA1、Y方向の寸法(長さ)をA2とし、微動用可動磁石29のX方向の寸法(幅)をB1、Y方向の寸法(長さ)をB2とする。
本実施形態では、斥力発生ユニットの磁石の寸法を、下記(4)、(5)のようにした。
A2=B2 ・・・・・・・(4)
A1:B1=M:m ・・・(5)
すなわち、Y方向における粗動用可動磁石9の寸法(長さ)と微動用可動磁石29の寸法(長さ)とが同一である。また、Y方向に垂直なX方向における粗動用可動磁石9の寸法(幅)と微動用可動磁石29の寸法(幅)と比は、粗動ステージ4の質量と微動ステージの質量との比に等しい。そうすると、粗動用及び微動用の斥力発生ユニットが発生させる斥力F及びfは、下記(6)のようになり、質量Mの粗動ステージと質量mの微動ステージとが同じ加速度aで加速される。
F:f=M:m・・・・・・(6)
同様に、反発可動子の大きさや厚さを変える、反発固定子の対向する磁石の大きさや厚さを変える、反発可動子の挿入量を変える、などの方法によって微動用斥力発生ユニットと粗動用斥力発生ユニットが発生する斥力を変えることができる。このような方法で、微動用斥力発生ユニットが発生する斥力と粗動用斥力発生ユニットが発生する斥力との比が微動ステージの質量と粗動ステージの質量との比となるように各斥力発生ユニットの同極磁石の寸法を決定してもよい。
こういった構成をとることで、各斥力発生ユニットにより、各ステージは同じ加速力を発生することができる。したがって、粗動ステージ4と微動ステージ15との相対速度は0となり、微動用Yリニアモータ可動子22は力を発生する必要がなくなり、微動用リニアモータからの発熱を抑えることができる。
図3に示すように、上記粗動用反発可動子7に対応して、粗動ステージ4に加減速力を与える粗動用反発固定子10がベースガイド2上に固定されている。同様に、微動用反発可動子27に対応して、微動ステージ15に加減速力を与える微動用反発固定子30もベースガイド2上に固定されている。粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30はベースガイド2のストロークの両端に1ユニットずつ設けられる。
図4は、斥力発生ユニットのみを抜き出して示している斜視図である。粗動用反発固定子10は、組磁石として、上ヨーク11、上磁石12、両側の横ヨーク13、下磁石12、及び下ヨーク11から構成される。上下磁石12は粗動用反発可動子7と同様に鉛直方向に着磁された板状単極永久磁石である。ただし、極は粗動用反発可動子7と同じ極が対面するように配置される。つまり上磁石の12の下面はN極、下磁石の12の上面はS極になるように配置される。上ヨーク11、横ヨーク13、及び下ヨーク11は上下磁石12の磁束を側方経由で循環させるために設けられている。また、上下磁石12の間隔は粗動用可動磁石9の厚さより少し大きい間隔とされ、両横ヨーク13の内側間隔は粗動用可動磁石9の幅より広く取られている。粗動用可動磁石9が上下一対の磁石12の間及び両横ヨーク13の間に形成される穴に、非接触で挿入できるようになっている。
同様に、微動用反発固定子30は、組磁石として、上ヨーク31、上磁石32、両側の横ヨーク33、下磁石32、及び下ヨーク31から構成される。上下磁石12は粗動用反発可動子7と同様に鉛直方向に着磁された板状の単極永久磁石である。ただし、微動用反発固定子30の極は微動用反発可動子27と同じ極が対面するように配置される。つまり上磁石の32の下面はN極、下磁石の32の上面はS極になるように配置される。上ヨーク31、横ヨーク33、及び下ヨーク31は上下磁石32の磁束を側方経由で循環させるために設けられている。また、上下磁石32の間隔は微動用可動磁石29の厚さより少し大きい間隔とされ、両横ヨーク33の内側間隔は微動用可動磁石29の幅より広く取られている。微動用可動磁石29が、上下一対の磁石32の間及び両横ヨーク33の間に形成される穴に、非接触で挿入できるようになっている。
粗動用反発可動子7が点線の位置にいる時、及び微動用反発可動子27が点線の位置にいる時、反発可動子7,27は矢印の方向の斥力を受けるようになっている。粗動用反発可動子7が点線の位置から矢印の方向に斥力を受けて押し出されるに従い斥力は減少し、粗動用反発可動子7が粗動用反発固定子10からある程度離れると斥力はゼロになる。その時粗動ステージ4は最大速度まで加速されており、軸受け14によってガイドされているのでそのままの速度で反対側まで移動する。同様に、微動用反発可動子27が点線の位置から矢印の方向に斥力を受けて押し出されるに従い斥力は減少し、微動用反発可動子27が微動用反発固定子30からある程度離れると斥力はゼロになる。その時微動ステージ15は最大速度まで加速されており、微動ステージ15と粗動ステージとの相対速度は0となり、そのままの速度で反対側まで移動する。
粗動ステージ4の空気抵抗や軸受けによる減速に対し、粗動用リニアモータ可動子5が力を発生することで速度を維持する。また、微動ステージ15の空気抵抗や実装外乱などによる減速に対し、微動用Yリニアモータ可動子22が力を発生することで速度を維持する。粗動ステージ4の反対側に設けられた粗動用反発可動子7及び微動ステージ15の反対側に設けられた微動用反発可動子27が、もう一端の粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30と相互作用するまでステージの運動エネルギーは保存される。そこで、粗動ステージ4の反対側の粗動用反発可動子7及び微動ステージ15の反対側の微動用反発可動子27も、図4の点線で示した位置における挿入量と同じ量だけもう一端の粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30に挿入された状態で速度がゼロになる。
また、ステージの加減速時の粗動用斥力発生ユニットと微動用斥力発生ユニットとの間の磁気的な作用による力の干渉を防ぐ為に、図2に示すように磁気シールド46が各斥力発生ユニットの上下に配置されることが望ましい。さらに、この磁気シールド46は、軟鉄、パーマロイ、ケイ素鋼など高透磁率材料であることが望ましい。
図6に示すように粗動ステージ4の重心34と、粗動用反発可動子7と粗動用反発固定子10の作用点をそれに合わせる。すなわち、粗動用の斥力発生ユニットが発生する斥力の作用線が粗動ステージとそれに装着された部材との全体の重心位置を通過するように設ける。そうすることで、斥力による回転成分を抑圧できる。また、微動ステージ15の重心36と、微動用反発可動子27と微動用反発固定子30の作用点をそれに合わせることで、斥力による回転成分を抑圧できる。これにより、粗動ステージ4と微動ステージ15とが受ける斥力の誤差を抑えることができ、さらに微動用リニアモータの発熱を低減できる効果がある。
図7に第一の実施形態の駆動部を示す。電源オン時に、(a)の状態にあったとする。(b)では、リニアモータに電流を通電して、初期位置(反発開始位置)から一番遠い位置まで駆動する。これは、次に粗動ステージ4及び微動ステージ15を初期位置(反発開始位置)まで駆動する際の加速区間を確保するためである。
(c)では、粗動ステージ4及び微動ステージ15を初期位置(反発開始位置)まで加速駆動する。そして、粗動用反発可動子7が粗動用反発固定子10の所定の位置まで挿入されるように、また微動用反発可動子27が微動用反発固定子30の所定の位置まで挿入されるようにする。1回の加速動作で粗動用反発可動子7が粗動用反発固定子10の所定の位置まで、また微動用反発可動子27が微動用反発固定子30の所定の位置まで挿入されない場合は、加速しながら何回か往復運動させる。そして、粗動用反発可動子7が粗動用反発固定子10の所定の位置まで、また微動用反発可動子27が微動用反発固定子30の所定の位置まで挿入されるまで加速駆動する。
(d)では、粗動用反発可動子7が粗動用反発固定子10の所定の位置まで、また微動用反発可動子27が微動用反発固定子30の所定の位置まで挿入される(反発開始位置)。そして、速度ゼロになり停止した時点で斥力による加速力が粗動ステージ4及び微動ステージ15に作用し反対向きに駆動される。
(e)では、粗動用反発可動子7と粗動用反発固定子10が次第に離れていき、また微動用反発可動子27と微動用反発固定子30が次第に離れていき斥力が作用しなくなり、粗動ステージ4と微動ステージ15は定速で駆動される。空気抵抗や軸受けによる減速に対し、リニアモータ可動子5及び微動用Yリニアモータ20が力を発生することで一定速度を維持する。
(f)では、粗動ステージ4及び微動ステージ15が反対側のストロークエンドに到達する。粗動用反発可動子7と粗動用反発固定子10が、また微動用反発可動子27と微動用反発固定子30が再び作用し合い、斥力により減速力が働きステージはやがて速度ゼロの状態で停止する。
(g)では再び斥力による加速力が粗動ステージ4及び微動ステージ15に作用し反対向きに駆動される。(h)の状態を経て、(i)では粗動用反発可動子7と粗動用反発固定子10が、また微動用反発可動子27と微動用反発固定子30が再び作用し合い斥力により減速力が働きステージはやがて速度ゼロの状態で停止する。
これ以降は(d)〜(i)の状態を繰り返し、ステージが反発固定子間を往復運動する。
加減速力は粗動ステージ4及び微動ステージ15は共に永久磁石の斥力で発生させるので、粗動用リニアモータ及び微動用Yリニアモータ20に流す電力は少なくてすむため、発熱を抑えることができる。さらに省電力が達成できる。
図8に第1の実施形態の制御ブロック図を示す。斥力発生ユニットの磁石の着磁ムラや寸法誤差、又はステージの重心ずれやなどが原因で、粗動用斥力発生ユニットが発生する斥力による粗動ステージの加速度と微動用斥力発生ユニットが発生する斥力による微動ステージの加速度に差が出てしまう場合がある。そういった場合、図8で示すように、微動ステージの加速度と粗動ステージの加速度の差分を粗動ステージ用リニアモータで変更するのが望ましい。こうすることで、微動用リニアモータに余分に流す電力は少なくてすむため、微動用リニアモータからの発熱を抑えることができる。しかし、同様にステージ間の加速度の差分を微動用リニアモータで変更することもできるし、粗動用リニアモータ及び微動用リニアモータの両方を用いて変更してもよい。すなわち、ステージ間の加速度の差分を粗動用リニアモータ及び微動用リニアモータの少なくとも一方を用いて変更する。
なお、粗動用及び微動用の斥力発生ユニットは、一対の固定永久磁石間に可動永久磁石を挿入する構成を一例として挙げたが、この構成にかぎるものではない。また、斥力発生ユニットはステージの両端に設けられることが好ましいが、ステージの一端のみに設ける構成であってもよい。すなわち斥力発生ユニットは、ステージに設けられた可動磁石と、ステージの移動ストロークの端部に設けられ、この端部において可動磁石と対向するように設けられる固定磁石とを有する。そして、可動磁石と固定磁石との間に働く反発力を利用して前記ステージに力を付与するものであればよい。

[第2の実施形態]
図9(a)は本発明の第2の実施形態におけるステージ装置の平面図、(b)は反発固定子駆動部38を示す。斥力発生ユニットによる粗動ステージ4及び微動ステージ15の加減速動作は実施例1と同じである。
半導体露光装置のレチクルステージに適用した場合、粗動用反発可動子7及び微動用反発可動子27の挿入量を変えることで粗動ステージ4及び微動ステージ15は最大速度を変えることが出来る。つまり露光中のドーズ量を変えたい場合には図7(d)における粗動用反発可動子7を粗動用反発固定子10内へ挿入する量を、また微動用反発可動子27を微動用反発固定子30へ挿入する量を変えればよい。
また、工作物3であるレチクル全体のパターンを露光しない場合、例えば半分とか一部だけを露光する場合もある。この場合は往復運動する粗動ステージ4及び微動ステージ15の加減速を開始する位置を変更する必要がある。先の図7の動作説明では、粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30の位置はベースガイド2上の両端に固定であるとして説明してきた。
図9(b)には、一般的に知られているネジ送り機構で粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30の位置を変更できる、反発固定子駆動部(固定磁石の駆動部)38の構成を示す。ベースガイド2に、モータ39と送りネジ支持部42が固定される。モータが回転すると同軸上に連結された送りネジ40が回転し、送りネジナット41を介して粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30の位置を変更できる。粗動用反発固定子10及び微動用反発固定子30の位置はモータに内蔵したエンコーダで検出できる。
こうした構成によれば、往復運動する粗動ステージ4及び微動ステージ15の加減速を開始する位置を変更することが可能となり、レチクルの一部を露光したい場合などに即座に対応できる。
[第3の実施形態]
半導体の微細化が進む中で、ステージはますますの高速化、高精度化が求められているため、従来の粗微動構成では必要とされるステージのサーボ帯域を確保するのが困難となりつつある。そこで、ステージの高速化、高精度化に対応したステージシステムを提供するため、チルト及びZ方向に加えてXY平面方向にも位置決めが可能なガイドレスの6自由度の平面ステージが考案されている。(特開2004−254489号公報)
図10は、第3の実施形態におけるステージ装置の構成を表す図であり、(a)図は側面図(断面図)、(b)図は粗動ステージ4の上面図である。微動ステージ15と粗動ステージ4の間が平面モータ43で構成されている。平面モータ43は固定子としてのコイル群44及び可動子としての磁石45から構成されている。
図10(a)に示す位置決め装置には、粗動ステージ4の上面に格子状に固定子としてのコイル群44が配置されており、微動ステージ15の下部にも同様に格子状に可動子としての磁石45が配置されている。固定子コイル群44の少なくとも1つに電流を流すことで、ローレンツ力により推力を得て駆動され、6自由度の推力を得ることができる。微動ステージ15の位置はレーザ干渉計からの光を微動用反射ミラー26に照射して計測される。この平面モータを用いて、微動ステージ15をX、Y、Z、ωx、ωy、ωzの6軸を精密に位置決めされている。さらに、不図示の自重補償機構が、微動ステージ15の自重を支持している。このため前述の平面モータ43は、微動ステージ15の自重を支持するための推力を発生する必要がなく目標位置からのずれを補正するためのわずかな力のみを発生すればよいようになっている。
このような平面モータを用いた粗微動構成のステージにおいても、大加速時のモータの発熱は問題となる。そこで第3の実施形態の位置決めステージ装置も、図10(a)に示す粗動用斥力発生ユニット及び微動用斥力発生ユニットを備えており、粗動ステージ4の前後には粗動用可動磁石ホルダ8と粗動用可動磁石9からなる粗動用反発可動子7が固定されている。粗動用可動磁石9は鉛直方向に着磁された板状の単極永久磁石である。この粗動用反発可動子7は、ベースガイド2上に配置された粗動用反発固定子10と相互に作用して粗動ステージ4に斥力を与え、粗動ステージ4を加減速するように作用する。同様に、微動ステージ15の前後には微動用可動磁石ホルダ28と微動用可動磁石29からなる微動用反発可動子27が固定されている。微動用可動磁石29は鉛直方向に着磁された板状の単極永久磁石である。この微動用反発可動子27は、ベースガイド2上に配置された微動用反発固定子30と相互に作用して微動ステージ15に斥力を与え、微動ステージ15を加減速するように作用する。斥力発生ユニットによる粗動ステージ4及び微動ステージ15の加減速動作は第1の実施形態と同じである。
このような構成をとることで、加減速力は粗動ステージ4及び微動ステージ15は共に永久磁石の斥力で発生させるので、不図示の粗動用リニアモータ及び微動用平面モータ43に流す電力は少なくてすむため、発熱を抑えることができる。さらに省電力が達成できる。
[露光装置の実施形態]
以下、本発明のステージ装置が適用される例示的な露光装置を説明する。露光装置は図12に示すように、照明装置501、レチクルを搭載したレチクルステージ502、投影光学系503、基板を搭載した基板ステージ504とを有する。露光装置は、レチクルに形成された回路パターンを基板に投影露光するものであり、ステップアンドリピート投影露光方式又はステップアンドスキャン投影露光方式であってもよい。
照明装置501は回路パターンが形成されたレチクルを照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約193nmのArFエキシマレーザ、波長約248nmのKrFエキシマレーザ、波長約153nmのF2エキシマレーザ等を使用することができる。しかし、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、YAGレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
照明光学系はマスクを照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。投影光学系503は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。
レチクルステージ502及び基板ステージ504は、リニアモータによって移動可能であり、例えば第1〜3の実施形態に示されるステージ装置が使用される。ステップアンドスキャン投影露光方式の場合には、それぞれのステージは同期して移動する。
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用されうる。
[デバイス製造の実施形態]
次に、図13及び図14を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図13は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてレチクル(マスク)を製作する。ステップS3(基板製造)ではシリコン等の材料を用いて基板を製造する。ステップS4(基板プロセス)は前工程と呼ばれ、レチクルと基板を用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用して基板上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製された基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップS7)される。
図14は、ステップ4の基板プロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、基板の表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、基板の表面に絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)では、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、基板にイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、基板に感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンを基板に露光する。ステップS17(現像)では、露光した基板を現像する。ステップS18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって基板上に多重に回路パターンが形成される。
第1の実施形態におけるステージ装置の平面図である。 第1の実施形態におけるステージ装置の断面図である。 第1の実施形態におけるステージ装置の正面図である。 第1の実施形態における斥力発生ユニットの斜視図である。 第1の実施形態における斥力発生ユニットの上面図である。 第1の実施形態におけるステージ装置の側面図である。 第1の実施形態におけるステージ装置の駆動を説明する図である。 第1の実施形態におけるステージ装置の制御ブロック図である。 第2の実施形態におけるステージ装置の平面図である。 第2の実施形態における反発固定子の駆動部の構成図である。 第3の実施形態におけるステージ装置の断面図である。 第3の実施形態における粗動ステージの上面図である。 従来例における反発力による加速手段を備えたステージ装置の斜視図である。 従来例における反発磁石ユニットを示す斜視図である。 露光装置を説明するための図である。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図13に示すフローチャートにおけるステップS4の基板プロセスの詳細なフローチャートである。
符号の説明
1:本体ベース、2:ベースガイド、3:工作物(レチクル、基板)、4:粗動ステージ、
5:粗動用リニアモータ可動子、6:粗動用リニアモータ固定子、
7:粗動用反発加速可動子、8:粗動用可動磁石ホルダ、9:粗動用可動磁石、
10:粗動用反発固定子、11:上ヨーク、下ヨーク、12:上磁石、下磁石、
13:横ヨーク、14:軸受け、15:微動ステージ、16:粗動用反射ミラー、
17:微動用Xリニアモータ、18:微動用Xリニアモータ固定子、
19:微動用Xリニアモータ可動子、20:微動用Yリニアモータ、
21:微動用Yリニアモータ固定子、22:微動用Yリニアモータ可動子、
23:微動用Zリニアモータ、24:微動用Zリニアモータ固定子、
25:微動用Zリニアモータ可動子、26:微動用反射ミラー、
27:微動用反発加速可動子、28:微動用可動磁石ホルダ、
29:微動用可動磁石、30:微動用反発固定子、31:上下ヨーク、32:上下磁石、
33:横ヨーク、34:粗動ステージ重心、35:粗動用反発固定子の作用点、
36:微動ステージ重心、37:微動用反発固定子の作用点、
38:反発固定子駆動部、39:反発固定子駆動モータ、
40:送りネジ、41:送りネジナット、42:送りネジ支持部、
43:平面モータ、44:固定子コイル群、45:可動子磁石
101:ベースガイド、102:工作物、103:ステージ、
104:ヨーガイド、105:リニアモータ可動子、106:リニアモータ固定子、
131:可動磁石ホルダ、132:粗動用可動磁石、133:反発可動子、
135:反発固定子、136:上下ヨーク、137:上下磁石、138:横ヨーク、
501:照明系ユニット、502:レチクルステージ、503:投影光学系、
504:基板ステージ、505:露光装置本体

Claims (10)

  1. 第1ステージと、
    前記第1ステージを第1方向に駆動する第1アクチュエータと、
    前記第1ステージの上に搭載される第2ステージと、
    前記第1ステージに対して前記第2ステージが相対的に移動するように前記第2ステージを駆動する第2アクチュエータと、
    前記第1ステージの前記第1方向の端部に配置された第1可動磁石と、前記第1ステージが前記第1方向の移動ストロークの一端に位置するときに及び前記第1可動磁石に対面するように配置されて前記第1可動磁石に対して斥力を発生する第1固定磁石と、を含む第1ユニットと、
    前記第2ステージの前記第1方向の両端部に配置された第2可動磁石と、前記第1ステージが前記第1方向の移動ストロークの一端に位置するときに前記第2可動磁石に対面するように配置されて前記第2可動磁石に対して斥力を発生する第2固定磁石と、を含む第2ユニットと、
    を備えることを特徴とするステージ装置。
  2. 前記第1ユニットが発生する斥力と前記第2ユニットが発生する斥力との比を前記第1ステージの質量と前記第2ステージの質量との比とすることを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
  3. 前記第1方向における、前記第1可動磁石の寸法と前記第2可動磁石の寸法とが同一で、かつ、前記第1方向に垂直な方向における、前記第1可動磁石の寸法と前記第2可動磁石の寸法との比が、前記第1ステージの質量と前記第2ステージの質量との比に等しいことを特徴とする請求項2に記載のステージ装置。
  4. 前記第1方向における、前記第1固定磁石の寸法と前記第2固定磁石の寸法とが同一で、かつ、前記第1方向に垂直な方向における、前記第1固定磁石の寸法と前記第2固定磁石の寸法との比が、前記第1ステージの質量と前記第2ステージの質量との比に等しいことを特徴とする請求項2に記載のステージ装置。
  5. 前記第1ユニットが発生する斥力の作用線が、前記第1ステージと前記第1ステージに装着された部材との全体の重心位置を通過し、かつ、前記第2ユニットが発生する斥力の作用線が、前記第2ステージと前記第2ステージに装着された部材との全体の重心位置を通過することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のステージ装置。
  6. 前記第2アクチュエータは、前記第2ステージを6軸方向に駆動させるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のステージ装置。
  7. 前記第1ユニットが前記第1ステージに作用させる力と、前記第2ユニットが前記第2ステージに作用させる力との差分を、第1アクチュエータ及び第2アクチュエータの少なくとも一方を用いて変更することを特徴とした請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のステージ装置。
  8. 前記第1固定磁石及び第2固定磁石の位置を変更する固定磁石の駆動部を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の位置決めステージ装置。
  9. レチクルのパターンを投影光学系を介して基板上に投影し基板を露光する露光装置において、
    レチクルが、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のステージ装置により支持されることを特徴とする露光装置。
  10. 請求項9に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
JP2007326587A 2006-12-27 2007-12-18 ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 Withdrawn JP2008182210A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007326587A JP2008182210A (ja) 2006-12-27 2007-12-18 ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
KR1020070134936A KR20080063101A (ko) 2006-12-27 2007-12-21 스테이지 장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
TW096150291A TW200848943A (en) 2006-12-27 2007-12-26 Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US11/964,248 US7880864B2 (en) 2006-12-27 2007-12-26 Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006353175 2006-12-27
JP2007326587A JP2008182210A (ja) 2006-12-27 2007-12-18 ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008182210A true JP2008182210A (ja) 2008-08-07

Family

ID=39725845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007326587A Withdrawn JP2008182210A (ja) 2006-12-27 2007-12-18 ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2008182210A (ja)
KR (1) KR20080063101A (ja)
TW (1) TW200848943A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011102630A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Canon Inc 磁気支持機構、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101234182B1 (ko) * 2009-09-22 2013-02-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 액추에이터, 위치설정 시스템 및 리소그래피 장치
JP2014085504A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Canon Inc ステージ装置、露光装置および物品の製造方法
JP2021184701A (ja) * 2018-08-08 2021-12-02 キヤノン株式会社 搬送システム、可動子、制御装置及び制御方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2963790B1 (en) * 2014-06-30 2019-06-26 Dr. Johannes Heidenhain GmbH XY-Table
KR102441111B1 (ko) * 2017-03-31 2022-09-06 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 이동체의 구동 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101234182B1 (ko) * 2009-09-22 2013-02-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 액추에이터, 위치설정 시스템 및 리소그래피 장치
JP2011102630A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Canon Inc 磁気支持機構、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2014085504A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Canon Inc ステージ装置、露光装置および物品の製造方法
JP2021184701A (ja) * 2018-08-08 2021-12-02 キヤノン株式会社 搬送システム、可動子、制御装置及び制御方法
JP7208317B2 (ja) 2018-08-08 2023-01-18 キヤノン株式会社 搬送システム、可動子の制御方法、製造システム及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080063101A (ko) 2008-07-03
TW200848943A (en) 2008-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7880864B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7368838B2 (en) High efficiency voice coil motor
KR100880618B1 (ko) 스테이지 장치
JP2011501396A (ja) 三次元動作移動体とその制御方法
KR20100124316A (ko) 이동체 장치 및 노광 장치
US20080074635A1 (en) Supporting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20080084122A1 (en) Moving apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2008182210A (ja) ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2004228473A (ja) 移動ステージ装置
US20060061218A1 (en) Dual force wafer table
JP2007258356A (ja) ステージ装置
JP5020597B2 (ja) 位置決め装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7683506B2 (en) CI-core actuator for long travel in a transverse direction
JP2010262969A (ja) ステージ装置、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法
JP2012212876A (ja) 平面モータおよび平面モータを備えるリソグラフィ装置
US7738114B2 (en) Exposure apparatus configured to minimize effects of mechanism for measuring stage position on peripheral mechanism and device-manufacturing method
US20030218732A1 (en) Stage assembly including a reaction assembly
JP2008078377A (ja) ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
US20050162802A1 (en) Offset gap control for electromagnetic devices
JP2008199876A (ja) ステージ装置および露光装置
JP5058546B2 (ja) 力発生装置およびこれを用いたステージ装置ならびに露光装置
JP2008172137A (ja) 位置決め装置および露光装置
US7429845B2 (en) System and method for controlling a stage assembly
JP4011919B2 (ja) 移動装置及び露光装置並びに半導体デバイスの製造方法
JP2008130854A (ja) 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20110301