TWI774350B - 用於計算一經校正基板高度圖之方法、用於高度量測之系統、及微影裝置 - Google Patents

用於計算一經校正基板高度圖之方法、用於高度量測之系統、及微影裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種用於使用一高度位準感測器計算一第一基板之一經校正基板高度圖的方法。該方法包含：在該第一基板以一第一速度移動的情況下藉助於該高度位準感測器對該第一基板進行取樣，該第一速度為該第一基板相對於該高度位準感測器之一第一至少部分非恆定速度，以產生一第一高度位準資料；基於該第一高度位準資料產生一第一高度圖；及藉由自該第一高度圖減去一校正圖來計算一經校正基板高度圖，其中該校正圖係自一第一速度高度圖與一第二速度高度圖之間的差來計算。

Description

用於計算一經校正基板高度圖之方法、用於高度量測之系統、及微影裝置
本發明係關於一種用於量測基板之高度的方法及系統。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如遮罩)之圖案(常常亦被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之A輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365nm(i線)、248nm、193nm及13.5nm。相比於使用例如具有193nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有在4nm至20nm之範圍內之波長(例如6.7nm或13.5nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
微影裝置可包括照明系統，該照明系統經組態以在輻射光 束到達圖案化器件之前調節該輻射光束。一旦輻射光束已藉由圖案化器件而圖案化，投影系統就將輻射光束引導至基板。在基板曝光以將圖案轉印至基板上之前，可判定及映射基板之高度位準。舉例而言，基板之所得高度圖可用以相對於投影系統來定位基板。
在習知微影裝置中，可藉由在預定等距位置(例如處於矩形量測柵格上之位置)處對基板之高度進行取樣而產生高度圖。高度位準感測器及基板可相對於彼此沿著一軌跡而移動，該軌跡係沿著預定位置而選擇。在習知微影裝置中，在基板及高度位準感測器以恆定速度相對於彼此移動時獲取量測樣本。因此，高度位準感測器藉由以恆定取樣率取樣而對等距量測位置進行取樣。應注意，在量測程序中，基板或高度位準感測器或此兩者可移動。
為了減小量測系統獲取相對於該量測系統移動之物件之量測樣本的量測持續時間，該量測系統可經組態以在物件相對於該量測系統加速時在不同樣本位置處獲取量測樣本，如例如US2006/0103819中所揭示。特定言之，判定對應於物件相對於量測系統依據時間而變化的所選擇加速度及速度的用於獲取樣本之量測時序。
在上文所描述之高度量測方法及高度量測系統中，未等距地獲取量測樣本且量測樣本對(例如)基板之加速度誘發之變形敏感。因此，所獲得高度圖將在加速力(動態效應)之影響下由基板之非均一樣本分佈及時間高度變化控管。
本發明之一目標為提供一種高度量測方法及一種高度量測系統，以用於獲得動態效應影響最小的一高度圖。
根據本發明之一實施例，提供一種用於使用一高度位準感測器來計算一第一基板之一經校正基板高度圖的方法。該方法包括：在該第一基板以一第一速度移動的情況下藉助於該高度位準感測器對該第一基板進行取樣，其中該第一速度為該第一基板相對於該高度位準感測器之一第一至少部分非恆定速度，以產生一第一高度位準資料；基於該第一高度位準資料產生一第一高度圖；及藉由自該第一高度圖減去一校正圖來計算一經校正基板高度圖，其中該校正圖係自一第一速度高度圖與一第二速度高度圖之間的差來計算。
在本發明之一實施例中，該第一速度高度圖可自以對應於第一速度之一速度量測的至少一第二基板之至少一個高度圖導出，且該第二速度高度圖可自以一第二速度量測的至少該第二基板之至少一個高度圖導出，該第二速度可為相對於該第一速度具有一較低振幅的一第二至少部分非恆定速度。
該取樣可在該第一基板與該高度位準感測器相對於彼此加速之時刻至少部分地執行，其類似於在高度量測期間之基板之非恆定速度。
根據本發明之一實施例，提供一種用於量測一第一基板之一高度之系統。該系統包含：一高度位準感測控制器，其經組態以：接收用於該第一基板第一高度位準資料；基於該第一高度位準資料產生第一高度圖資料；及運用校正圖資料校正該第一高度圖資料，其中該校正圖資料可自一第一速度高度圖與一第二速度高度圖之間的一差來計算。
該第一速度高度圖可自以對應於第一速度之一速度量測的至少一第二基板之至少一個高度圖導出，且該第二速度高度圖可自以一第 二速度量測的至少該第二基板之至少一個高度圖導出。該第二速度可為相對於該第一速度具有一較低振幅的一第二至少部分非恆定速度。
在一實施例中，一種微影裝置包含用於量測第一基板之高度之系統。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例、特徵及優點的結構及操作。
200:基板
201:實線箭頭
202:恆定速度區域
311:曲線之傾斜部分
312:曲線之水平及筆直部分
313:曲線之下降部分
520:高速高度圖
525:平均高速高度圖
530:低速高度圖
535:平均低速高度圖
540:校正圖
550:生產基板之高度位準圖/生產基板高度圖
560:經校正基板高度圖
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
IL:照明系統/照明器
LA:微影裝置
M1:遮罩對準標記
M2:遮罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:遮罩支撐件
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PW:第二定位器
SO:輻射源
W:基板
WT:基板支撐件
現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：- 圖1描繪微影裝置之示意性綜述；- 圖2A描繪習知掃描量測方法之時序圖表；- 圖2B說明根據圖2A之時序圖表的量測軌跡；- 圖3描繪依據根據圖2A之量測軌跡之軌跡位置而變化的樣本距離；- 圖4描繪依據根據圖2A之量測軌跡之軌跡位置而變化的經量測高度變形；- 圖5A說明根據本發明之一實施例之校正圖的建構；- 圖5B說明根據本發明之一實施例之校正圖的使用。
諸圖中展示之特徵未必按比例，且所描繪之大小及/或配置不具限制性。應理解，諸圖包括可能對本發明並非必需的選用特徵。此外，並未在諸圖中之每一者中描繪系統及/或微影裝置之所有特徵，且諸圖可僅展示與描述特定特徵相關的一些組件。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有 類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在約5nm至100nm之範圍內之波長)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該微影裝置LA包括：照明系統(亦被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；遮罩支撐件(例如遮罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如遮罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間-此亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐件WT(亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在該另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT以外，微影裝置LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下方移動。
在操作中，輻射光束B入射於被固持於遮罩支撐件MT上之圖案化器件(例如遮罩)MA上，且係由存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿遮罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統 PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置量測系統，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便使不同目標部分C在輻射光束B之路徑中定位於經聚焦且對準之位置處。相似地，第一定位器PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記P1、P2被稱為切割道對準標記。
在一項實例中，諸如掃描器之微影裝置LA可包括用以在曝光之前量測基板表面之高度的高度位準感測器(或高度感測器)。微影裝置LA可使用此量測：(i)計算在曝光期間由基板支撐件遵循的曝光剖面(及在一些態樣中，投影系統特性)；及(ii)用於診斷在曝光期間產生之位準量測及聚焦誤差。高度位準感測器可控制基板支撐件，同時在量測晶圓高度圖時嘗試保持基板焦點對準。高度位準感測器捕捉為用以尋找基板之表面之初始量測。
隨著器件構形增加，尤其在3D NAND記憶體陣列中，高度位準感測器之要求在範圍及解析度兩個方面變得更嚴格。在KrF系統上，舉例而言，器件構形可具有多個微米之步階，諸如在製作階梯結構時。在ArF及ArFi系統上之其他3D NAND記憶體陣列通常經平坦化，從而具有高達200nm之構形。在另一實例中，在不久的將來預期超過20微米之器件構形，且長期預期超過40微米之器件構形(例如，基於約800層之最小值，其中每一層為至少約50nm厚)。
為了闡明本發明，使用笛卡爾座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉被稱作Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。x軸及y軸界定水平面，而z軸在豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明，而僅用於闡明。替代地，另一座標系，諸如圓柱形座標系可用以闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可不同，例如使得z軸具有沿著水平面之分量。
在習知微影裝置中，高度位準感測器用以在等距預定位置處對基板之高度進行取樣，且高度位準感測器以恆定取樣率進行取樣。因此，需要基板在取樣期間以恆定速度移動。為了獲得基板之完整圖，基板在高度位準感測器未經定位用於通常處於基板之量測區域外部的每一筆直軌跡之取樣(亦被稱為運轉距離)時加速及減速。當基板定位於高度位準感測器之量測範圍內時，基板通常以恆定速度移動且基板之高度藉助於高度位準感測器量測。
歸因於微影裝置內之基板之有限移動範圍，僅存在有限運轉距離。因此，歸因於有限移動範圍，基板之速度限於最大速度。若將需要較高恆定速度，則將需要較大運轉距離。
藉由增加最大速度而不增加運轉距離來縮短總量測時段將為有益的。此可藉由在基板加速時對基板進行取樣來實現。圖2A說明可在此量測情境之狀況下使用的時序圖表之實例。圖2A描繪基板相對於高度位準感測器之依據時間而變化的位置、速度、加速度及加速度變化率。
在t0時，基板可靜止且相對於高度位準感測器定位，使得高度位準感測器可開始進行取樣。在t0時，基板根據所選擇加速度函數而 開始加速。歸因於加速，速度增加且位置增加。在加速時段期間，量測感測器可獲取樣本，亦即，預定位置處之量測。為了在等距位置處獲取樣本，此等樣本必須在其間的不等時段內被獲取。然而，通常(且有益地)以恆定取樣率執行取樣。在軌跡之恆定速度部分期間，在t1之後，速度恆定且因此位置係一階多項式，亦即，時間之線性函數。在t2之後，基板對應於所選擇二階多項式函數進行減速，直至速度在t3時再次變為零為止。
圖2B說明映射於基板200上之圖2A之量測情境的動態軌跡。箭頭201說明在高度位準量測期間之量測掃描。在t0與t1之間以及t2與t3之間的時段期間，基板相對於高度位準感測器以非恆定速度移動。具有非恆定速度之此等軌跡係由實線箭頭201說明。在t1與t2之間的時段中，基板相對於高度位準感測器以恆定速度移動。晶圓處之恆定速度區域202通常位於晶圓之中心部分周圍(在Y方向上)。
由於通常以恆定取樣率獲取量測樣本，因此不在等距位置獲取量測樣本。圖3描繪例示性曲線圖，其說明依據沿著掃描軌跡之位置而變化的樣本距離，亦即，基板處之兩個依序量測樣本之間的距離。隨著晶圓處之高度量測起始，基板相對於高度位準感測器之速度可不恆定且速度仍可增加(參看圖2A，其對應於t0與t1之間的時段)。特此，樣本距離並不恆定，替代地樣本距離增加，如由曲線之傾斜部分311所說明。當基板達到恆定速度時，樣本距離變得恆定，如由曲線之水平及筆直部分312所說明(參看圖2A，對應於t1與t2之間的時段)。在某一時刻，基板開始減速(參看圖2A，對應於t2與t3之間的時段)，且樣本距離再次不恆定，替代地樣本距離減小，如由曲線之下降部分313所說明。
如由圖3所說明，量測位置(或樣本位置)並不等距。因此， 藉由使用如由圖2A所描繪之時序圖表而執行高度量測，其產生量測柵格(及(特此)基板高度圖)，該量測柵格在量測軌跡開始時及結束時將具有相對於量測軌跡之中心部分之更密集的取樣。因此，取樣密度係藉由在執行量測之時刻基板相對於高度位準感測器之局部(或時間)速度控管。
除了取樣密度以外，在基板相對於高度位準感測器之非恆定速度下執行之高度位準量測(此處亦考量非恆定速度至恆定速度之間的轉變，且考量恆定速度至非恆定速度之間的轉變)通常亦受移動部件之變形影響。亦即，通常，晶圓上之加速度並非所要的，此係由於支撐基板之基板支撐件在力下變形，其可由牛頓之第二定律F=m．a描述。因此，將存在作用於基板支撐件以及作用於經量測之基板之力。此導致經量測高度圖中之高度誤差。此最終可在曝光階段期間引起散焦。
圖4描繪說明依據在基板處之位置而變化的高度變形之曲線圖，該高度變形為作用於基板支撐件及由基板支撐件支撐之基板的加速力之直接結果。隨著基板(及基板支撐件)加速度減小，觀測到，高度變形振幅減小，如由曲線之左側所說明。隨著基板之速度變得恆定，力誘發之高度變形相對較小或甚至相對於在加速及/或減速期間觀測到之變形可忽略。在恆定速度下之基板之高度變形係由如圖4中所標繪之曲線的平坦(水平)中間區段表示。當基板速度減小時(參看圖2A，因此在t2之後的時段)，基板高度變形之振幅增加，如由所標繪曲線之右側所說明。
研究顯示，由由於基板(及基板支撐件)之加速及減速而引起的力控管的高度變形之至少一部分為可重複高度變形或至少可再生高度變形。高度變形之可重複性帶來校準及校正此等加速及減速誘發之變形的機會。
本發明可提供一種將校正應用至經量測高度位準圖，且特此校正或補償由於在基板高度之量測期間基板相對於高度位準感測器之非恆定速度而引起的失真及或高度變形的方法。圖5A及圖5B說明根據本發明之校正方法之實施例。
在藉助於高度位準感測器進行之總高度量測期間，基板相對於高度位準感測器具有非恆定速度。在其中基板之高度位準係以掃描衝程(例如如圖2B中所說明在Y方向上)量測的情形中，在針對單一掃描衝程獲取第一量測樣本之時刻，基板之實際速度取決於在基板處之掃描之位置，例如在X方向上之位置。亦即，當每一掃描衝程使用相同的軌跡(及時序圖表)時，在每一掃描衝程之高度量測開始時(因此在基板邊緣處)之基板的實際速度取決於在加速開始與基板與高度位準感測器相互作用之時刻(在例如基板邊緣處之第一高度量測之開始)之間已流逝的時間。參看圖2B，基板之中心處之掃描衝程的初始(或第一)量測(在X方向上)將以比遠離基板之中心之掃描衝程(例如如圖2B中所說明之最外側掃描衝程)的初始量測(在X方向上)低的速度進行。
為了校正或補償歸因於速度差所引起的變形誘發之高度誤差，建構校正圖。此校正圖之建構係基於複數個高度圖。運用一或多個基板(例如裸基板)獲得第一組高度圖。在一或多個基板以至少部分非恆定速度移動的情況下執行第一量測系列，以獲得第一高度圖。可在量測期間使用如例如圖2A中所說明之時序圖表。第一組高度圖係針對相對較低最終速度獲得，且被稱作低速高度圖530。舉例而言，一或多個基板可具有大致1 m/s之第一最大最終速度。此可為基板在掃描期間在恆定速度時段下達到的速度。第二組高度圖係藉由一或多個基板獲得，例如與用於低速高 度圖530之裸基板相同的裸基板。在一或多個基板以至少部分非恆定速度移動的情況下執行第二量測系列，以獲得第二高度圖。第二組高度圖係針對相對較高最終速度獲得，且被稱作高速高度圖520。舉例而言，一或多個基板可具有大致3 m/s之第二最大最終速度。
在另一實施例中，在一或多個基板以恆定速度移動的情況下執行第一量測系列，以獲得第一高度圖。基於在恆定速度下之量測來建構第一高度圖可具有可更高效地消除或抑制由加速(及減速)誘發之動態效應的優點。
基於一或多個低速度高度圖530建構平均低速高度圖535。基於一或多個高速高度圖520建構平均高速高度圖525。一或多個低速及或高速高度圖可包括關於實際掃描方向之高度資訊。亦即，所謂的向上掃描及向下掃描效應可影響基板之經量測高度位準。為了獲得平均低速高度圖535及或高速高度圖525，可考量對向上掃描及向下掃描效應及/或任何其他位置相依效應之校正或補償。
在建構平均低速高度圖535及平均高速高度圖525的情況下，可判定增加之基板速度之影響。藉由自平均高速高度圖525減去平均低速高度圖535，可計算該影響。平均低速高度圖535與平均高速高度圖525之間的差形成校正圖540，如由圖5A所說明。所獲得之校正圖540顯示由於增加之加速度振幅所引起的高度變形，其類似於由圖4之曲線圖所說明。如可注意到，校正圖540展示具有相對較低高度變形之區域，其對應於以恆定速度獲得之量測結果，類似於如圖4中所說明之曲線的中間區段。
圖5B說明校正圖540可如何用以校正在(例如)生產基板(或 用於微影曝光序列中之基板)處所獲得之高度位準圖。在生產基板曝光之前，藉助於高度位準感測器來量測生產基板之高度位準，從而產生生產基板之高度位準圖(或生產基板高度圖)550。在基板高度位準係以(至少部分)非恆定速度以最大最終速度量測的情況下，生產基板高度圖550可受加速度誘發之變形影響。可藉由自生產基板高度圖550減去校正圖540來應用對誘發之變形之校正(或補償)，特此計算經校正基板高度圖560。在此狀況下，用於獲得平均高速高度圖525之第二最大最終速度(高速)對應於在生產基板之高度量測期間使用以產生生產基板高度圖550的最大最終速度。特此，如藉由例如裸基板所經歷的高度變化或變形與歸因於非恆定速度所引起的生產基板之預期高度變化相似或可相當。
使用多於一個時序圖表可能係有利的，其中每一時序圖表對應於(例如)不同最大速度及或加速度。另外，各自針對不同時序圖表產生一或多個校正圖540可有益於應用適合於及對應於如在一或多個生產基板之高度量測期間所使用之量測設定的校正圖540。一或多個校正圖540可本端地儲存於微影裝置(例如，如圖1所說明之微影裝置LA)處或可遠端地儲存。一或多個校正圖540可在微影裝置LA處之曝光序列期間係可存取的。
一或多個校正圖540可用以比較不同基板支撐件之加速度誘發之高度變形。不同基板支撐件可經配置於不同微影裝置中或可經配置於單一微影裝置中。兩個或多於兩個校正圖540之間的差可用於(所謂的)夾盤間匹配或機器間匹配。校正圖540可為校準圖。
包含例如兩個基板支撐件之微影裝置可需要每基板支撐件及量測設定(時序圖)至少一個校正圖。因此，對於一個時序圖，可儲存至 少兩個校正圖540。
校正圖540亦可在基板支撐件之壽命期間(或在壽命或微影裝置期間)在不同時刻產生。校正圖540隨著時間推移之改變可用於監測基板支撐件效能。此可觸發校正動作以確保微影裝置之效能。
在本發明之一實施例中，使用一種用於使用高度位準感測器來計算第一基板之經校正基板高度圖560的方法，其包含以下步驟：在第一基板以第一速度移動的情況下藉助於高度位準感測器對第一基板進行取樣，該第一速度為第一基板相對於高度位準感測器之第一至少部分非恆定速度，以產生第一高度位準資料；基於第一高度位準資料產生第一高度圖550(或生產基板高度圖)；藉由自第一高度圖550減去校正圖540來計算經校正基板高度圖560，其中校正圖540係自第一速度高度圖(例如，平均高速高度圖525)與第二速度高度圖(例如，平均低速高度圖535)之間的差來計算。
第一速度高度圖為以對應於第一速度之速度量測的至少第二基板之高度圖。第二速度高度圖為以第二速度量測的至少該第二基板之高度圖。第二速度為第二基板相對於高度位準感測器之第二至少部分非恆定速度，且相對於第一速度具有較低振幅。
另外，在第一基板與高度位準感測器相對於彼此加速之時刻至少部分地執行取樣。
在本發明之另一實施例中，使用一種用於使用高度位準感測器來計算第一基板之經校正基板高度圖560的方法，其包含以下步驟：在第一基板以第一速度移動的情況下藉助於高度位準感測器對第一基板進行取樣，該第一速度為第一基板相對於高度位準感測器之第一恆定速度， 以產生第一高度位準資料；基於第一高度位準資料產生第一高度圖550(或生產基板高度圖)；藉由自第一高度圖550減去校正圖540來計算經校正基板高度圖560，其中校正圖540係自第一速度高度圖(例如，平均高速高度圖525)與第二速度高度圖(例如，平均低速高度圖535)之間的差來計算。
在本發明之一實施例中，可使用一種用於量測高度之系統，該系統包含：高度位準感測控制器，其經組態以：接收用於第一基板之第一高度位準資料；基於第一高度位準資料產生第一高度圖資料550；及運用校正圖資料540校正第一高度圖資料550，其中校正圖資料540係自第一速度高度圖525與第二速度高度圖535之間的差來計算。
在一實施例中，第一速度高度圖525可自以對應於第一速度之速度量測的至少第二基板之至少一個高度圖520導出，且第二速度高度圖535可自以第二速度量測的至少該第二基板之至少一個高度圖530導出。第二速度可為相對於第一速度具有較低振幅的第二至少部分非恆定速度。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中之微影裝置之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成遮罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。此等裝置通常可被稱作 微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
540:校正圖
550:生產基板之高度位準圖/生產基板高度圖
560:經校正基板高度圖

Claims (6)

  1. 一種用於使用一高度位準感測器計算一第一基板之一經校正基板高度圖的方法，其包含：在該第一基板以一第一速度移動的情況下藉助於該高度位準感測器對該第一基板進行取樣，該第一速度為該第一基板相對於(with respect to)該高度位準感測器之一第一至少部分非恆定(non-constant)速度，以產生一第一高度位準(level)資料；基於該第一高度位準資料產生一第一高度圖；及藉由自該第一高度圖減去一校正圖來計算一經校正基板高度圖，其中該校正圖係自一第一速度高度圖與一第二速度高度圖之間的一差來計算。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一速度高度圖係自以對應於該第一速度之一速度量測的至少一第二基板之至少一個高度圖導出，且該第二速度高度圖係自以一第二速度量測的至少該第二基板之至少一個高度圖導出，該第二速度為相對於該第一速度具有一較低振幅(amplitude)的一第二至少部分非恆定速度。
  3. 如請求項1或2之方法，其中在該第一基板與該高度位準感測器相對於彼此加速之時刻至少部分地執行取樣。
  4. 一種用於高度量測之系統，其包含： 一高度位準感測控制器，其經組態以：接收用於一第一基板第一高度位準資料；基於該第一高度位準資料產生第一高度圖資料；及運用校正圖資料校正該第一高度圖資料，其中該校正圖資料係自一第一速度高度圖與一第二速度高度圖之間的一差來計算。
  5. 如請求項4之系統，其中該第一速度高度圖係自以對應於第一速度之一速度量測的至少一第二基板之至少一個高度圖導出，且該第二速度高度圖係自以一第二速度量測的至少該第二基板之至少一個高度圖導出，該第二速度為相對於該第一速度具有一較低振幅的一第二至少部分非恆定速度。
  6. 一種微影裝置，其包含如請求項4或5之系統。
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