JP2020506416A - リソグラフィ装置、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020506416A JP2020506416A JP2019537789A JP2019537789A JP2020506416A JP 2020506416 A JP2020506416 A JP 2020506416A JP 2019537789 A JP2019537789 A JP 2019537789A JP 2019537789 A JP2019537789 A JP 2019537789A JP 2020506416 A JP2020506416 A JP 2020506416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor frame
- sensor
- force
- lithographic apparatus
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 91
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 78
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 34
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 21
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 16
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 11
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Vibration Prevention Devices (AREA)
Abstract
Description
[001] 本願は、2017年2月2日に出願した欧州特許出願第17154328.3号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムであって、複数の光学素子を含む投影システムと、
センサフレームと、
センサフレームに対する複数の光学素子のうちの少なくとも1つの位置を測定するように構成された第1位置測定システムであって、位置測定システムは、光学素子を監視するように適合された少なくとも1つのセンサを含み、センサはセンサフレームに設置された少なくとも1つのセンサ要素を含む、第1位置測定システムと、
基準上でセンサフレームを支持するように構成されたセンサフレームサポートと、
センサフレームサポートによってセンサフレームに加えられる力に関連する力測定データを生成するように適合された力測定デバイスと、
基板とパターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように適合された位置制御デバイスであって、位置制御デバイスは、力測定データを受け取り、少なくとも力測定データに基づいて基板とパターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように構成される、位置制御デバイスとを備える。
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムであって、複数の光学素子を含む投影システムと、
センサフレームと、
センサフレームに対する複数の光学素子のうちの少なくとも1つの位置を測定するように構成された第1位置測定システムであって、位置測定システムは、光学素子を監視するように適合された少なくとも1つのセンサを含み、センサはセンサフレームに設置された少なくとも1つのセンサ要素を含む、第1位置測定システムと、
基準上でセンサフレームを支持するように構成されたセンサフレームサポートと、
センサフレームサポートによってセンサフレームに加えられる力に関連する力測定データを生成するように適合された力測定デバイスと、
基板とパターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように適合された位置制御デバイスであって、位置制御デバイスは、力測定データを受け取り、少なくとも力測定データに基づいて基板とパターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように構成される、位置制御デバイスとを備える。
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムであって、複数の光学素子を含む投影システムと、
センサフレームと、
センサフレームに対する複数の光学素子のうちの少なくとも1つの位置を測定するように構成された第1位置測定システムであって、位置測定システムは、光学素子を監視するように適合された少なくとも1つのセンサを含み、センサはセンサフレームに設置された少なくとも1つのセンサ要素を含む、第1位置測定システムと、
基準上でセンサフレームを支持するように構成されたセンサフレームサポートと、
センサフレームサポートによってセンサフレームに加えられる力に関連する力測定データを生成するように適合された力測定デバイスと、
基板とパターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように適合された位置制御デバイスであって、位置制御デバイスは、力測定データを受け取り、少なくとも力測定データに基づいて基板とパターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように構成される、位置制御デバイスとを備える。
1.ステップモードにおいては、マスクサポート構造MT及び基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板サポート構造WTは、X及び/又はY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、マスクサポート構造MT及び基板テーブルWT又は「基板サポート」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクサポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分Cの高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクサポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームBに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
F=ksfs・xdispl
ここで、Fは、第1方向の力を示し、xdisplは、同じ第1方向のセンサフレーム20と基準との相対変位を示し、ksfsは、同じ第1方向のセンサフレームサポート30の剛性を示す。したがって、力は、センサフレーム20と基準との相対変位に比例する。
d=F/ksf
ここで、dは、変形を示し、Fは、センサフレーム20と基準との相対変位から計算される力を示し(F=ksfs・xdispl)、ksfは、第1方向のセンサフレーム20の剛性を示す。
Fdamp=C・asf
ここで、Fdampは第1方向の制振力を示し、Cは減衰定数を示し、asfは同じ第1方向のセンサフレーム20の加速度を示す。
ここでは、dは変形を示し、Pは比例定数であり、xdisplは同じ第1方向のセンサフレーム20と基準との相対変位を示し、ksfsは、同じ第1方向のセンサフレームサポート30の剛性を示し、Cは減衰定数を示し、asfは、同じ第1方向のセンサフレーム20の加速度を示し、ksfは第1方向のセンサフレーム20の剛性を示す。
Claims (17)
- リソグラフィ装置であって、
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムであって、複数の光学素子を含む投影システムと、
センサフレームと、
前記センサフレームに対する前記複数の光学素子のうちの少なくとも1つの位置を測定するように構成された第1位置測定システムであって、前記第1位置測定システムは、光学素子を監視するように適合された少なくとも1つのセンサを含み、前記センサは前記センサフレームに設置された少なくとも1つのセンサ要素を含む、第1位置測定システムと、
基準上で前記センサフレームを支持するように構成されたセンサフレームサポートと、
前記センサフレームサポートによって前記センサフレームに加えられる力に関連する力測定データを生成するように適合された力測定デバイスと、
前記基板と前記パターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように適合された位置制御デバイスであって、前記位置制御デバイスは、前記力測定データを受け取り、少なくとも前記力測定データに基づいて前記基板と前記パターン付き放射ビームとの前記相対位置を制御するように構成される、位置制御デバイスとを備える、リソグラフィ装置。 - 前記位置制御デバイスは、測定された力に基づいて前記センサフレームの変形を決定するように適合された変形監視デバイスを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記パターン付き放射ビームの投影中に前記基板を保持するように適合された基板サポートをさらに含み、前記位置制御デバイスは、前記複数の光学素子のうちの少なくとも1つと前記基板サポートとの相対位置を制御するように適合される、請求項1〜2のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記センサフレームサポートは、少なくとも1つの振動絶縁システムを含み、前記力測定デバイスは、前記センサフレームへの前記振動絶縁システムの力を決定するように適合される、請求項1〜3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記力測定デバイスは、少なくとも1つの方向の前記センサフレームと前記基準との相対変位を決定するように適合された位置センサを含み、前記位置センサによって生成された測定データに基づいて前記センサフレームへの前記センサフレームサポートの力を決定するように適合された力測定コントローラをさらに含む、請求項1〜4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記センサフレームサポートは、制振力を加えるように適合されたダンパシステムを含み、前記力測定コントローラは、前記制振力及び前記位置センサによって生成された測定データの両方に基づいて前記センサフレームへの前記センサフレームサポートの力を決定するように適合される、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置センサは、前記センサフレームに配置されかつ前記振動絶縁システムに隣接する位置センサ要素を含む、請求項4及び5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記センサフレームサポートは、複数の振動絶縁システムを含み、前記力測定デバイスは、複数の位置センサを含み、各位置センサは、前記センサフレームと関連振動絶縁システムに隣接する前記力フレームとの間の第1方向の相対変位を決定するように適合され、前記力測定コントローラは、前記複数の位置センサによって生成された測定データに基づいて前記センサフレームへの前記センサフレームサポートの前記力を決定するように適合される、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記力測定デバイスは、多自由度の前記センサフレームと前記基準との相対変位を決定するように適合され、前記力測定コントローラは、前記多自由度の前記センサフレームと前記力フレームとの相対変位の決定に基づいて、前記センサフレームへの前記センサフレームサポートの前記力を決定するように適合される、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記力測定デバイスは、少なくとも1つのピエゾ力センサを含む、請求項1〜9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記力測定デバイスは、少なくとも1つの歪ゲージを含む、請求項1〜10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記複数の光学素子及び前記センサフレームを支持するように適合された力フレームをさらに含み、前記センサフレームサポートは、前記センサフレームと前記力フレームとの間に配置される、請求項1〜11のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、パターンをパターニングデバイスから基板上へと転写するように配置される、請求項1〜12のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムであって、複数の光学素子を含む投影システムと、
センサフレームと、
前記センサフレームに対する前記複数の光学素子のうちの少なくとも1つの位置を測定するように構成された第1位置測定システムであって、前記第1位置測定システムは、光学素子を監視するように適合された少なくとも1つのセンサを含み、前記センサは前記センサフレームに設置された少なくとも1つのセンサ要素を含む、第1位置測定システムと、
基準上で前記センサフレームを支持するように構成されたセンサフレームサポートと、
前記センサフレームサポートによって前記センサフレームに加えられる力に関連する力測定データを生成するように適合された力測定デバイスと、
前記基板と前記パターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように適合された位置制御デバイスであって、前記位置制御デバイスは、前記力測定データを受け取り、少なくとも前記力測定データに基づいて前記基板と前記パターン付き放射ビームとの前記相対位置を制御するように構成される、位置制御デバイスとを備える、リソグラフィ装置。 - パターンをパターニングデバイスから基板上に投影するように配置されたリソグラフィ投影装置であって、
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムであって、複数の光学素子を含む投影システムと、
センサフレームと、
前記センサフレームに対する前記複数の光学素子のうちの少なくとも1つの位置を測定するように構成された第1位置測定システムであって、前記第1位置測定システムは、光学素子を監視するように適合された少なくとも1つのセンサを含み、前記センサは前記センサフレームに設置された少なくとも1つのセンサ要素を含む、第1位置測定システムと、
基準上で前記センサフレームを支持するように構成されたセンサフレームサポートと、
前記センサフレームサポートによって前記センサフレームに加えられる力に関連する力測定データを生成するように適合された力測定デバイスと、
前記基板と前記パターン付き放射ビームとの相対位置を制御するように適合された位置制御デバイスであって、前記位置制御デバイスは、前記力測定データを受け取り、少なくとも前記力測定データに基づいて前記基板と前記パターン付き放射ビームとの前記相対位置を制御するように構成される、位置制御デバイスとを備える、リソグラフィ投影装置。 - パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含むデバイス製造方法であって、請求項1に記載のリソグラフィ装置を使用するステップを含む、デバイス製造方法。
- パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、請求項1に記載のリソグラフィ装置を使用するステップを含む、デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17154328.3 | 2017-02-02 | ||
EP17154328 | 2017-02-02 | ||
PCT/EP2018/050602 WO2018141520A1 (en) | 2017-02-02 | 2018-01-11 | Lithographic apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020506416A true JP2020506416A (ja) | 2020-02-27 |
JP6884869B2 JP6884869B2 (ja) | 2021-06-09 |
Family
ID=57960322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019537789A Active JP6884869B2 (ja) | 2017-02-02 | 2018-01-11 | リソグラフィ装置、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10955761B2 (ja) |
JP (1) | JP6884869B2 (ja) |
NL (1) | NL2020264A (ja) |
WO (1) | WO2018141520A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113632008A (zh) * | 2019-01-18 | 2021-11-09 | Asml荷兰有限公司 | 投影系统和包括所述投影系统的光刻设备 |
EP3964893A1 (de) * | 2020-06-29 | 2022-03-09 | Carl Zeiss SMT GmbH | Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung |
EP3961305A3 (de) | 2020-06-29 | 2022-03-09 | Carl Zeiss SMT GmbH | Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung |
EP3961306A3 (de) * | 2020-06-29 | 2022-03-16 | Carl Zeiss SMT GmbH | Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung |
DE102021205808A1 (de) | 2020-06-29 | 2021-12-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kompensation von kriecheffekten in einer abbildunsgseinrichtung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007318118A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2012500484A (ja) * | 2008-08-18 | 2012-01-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 投影システム、リソグラフィ装置、放射ビームをターゲット上に投影する方法およびデバイス製造方法 |
JP2012504328A (ja) * | 2008-09-30 | 2012-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 投影システムおよびリソグラフィ装置 |
US20140185029A1 (en) * | 2011-07-01 | 2014-07-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging arrangement with vibration decoupled support units |
US9081292B2 (en) * | 2011-05-06 | 2015-07-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Arrangement for actuating an element in a projection exposure apparatus |
WO2016139012A1 (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6563128B2 (en) | 2001-03-09 | 2003-05-13 | Cymer, Inc. | Base stabilization system |
NL2005701A (en) | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Asml Netherlands Bv | Active mount, lithographic apparatus comprising such active mount and method for tuning such active mount. |
CN104380201B (zh) * | 2012-05-31 | 2016-11-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有多个度量支撑单元的光学成像设备 |
-
2018
- 2018-01-11 NL NL2020264A patent/NL2020264A/en unknown
- 2018-01-11 JP JP2019537789A patent/JP6884869B2/ja active Active
- 2018-01-11 WO PCT/EP2018/050602 patent/WO2018141520A1/en active Application Filing
- 2018-01-11 US US16/482,515 patent/US10955761B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007318118A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2012500484A (ja) * | 2008-08-18 | 2012-01-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 投影システム、リソグラフィ装置、放射ビームをターゲット上に投影する方法およびデバイス製造方法 |
JP2012504328A (ja) * | 2008-09-30 | 2012-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 投影システムおよびリソグラフィ装置 |
US9081292B2 (en) * | 2011-05-06 | 2015-07-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Arrangement for actuating an element in a projection exposure apparatus |
US20140185029A1 (en) * | 2011-07-01 | 2014-07-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging arrangement with vibration decoupled support units |
WO2016139012A1 (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10955761B2 (en) | 2021-03-23 |
JP6884869B2 (ja) | 2021-06-09 |
US20200050120A1 (en) | 2020-02-13 |
WO2018141520A1 (en) | 2018-08-09 |
NL2020264A (en) | 2018-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7619207B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5713904B2 (ja) | 投影システムおよびリソグラフィ装置 | |
US7633600B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7999912B2 (en) | Lithographic apparatus and sensor calibration method | |
JP6884869B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 | |
JP5162417B2 (ja) | リソグラフィ装置およびその振動制御方法 | |
JP6535103B2 (ja) | リソグラフィ装置及びリソグラフィ投影方法 | |
US11914308B2 (en) | Lithographic apparatus | |
JP5417443B2 (ja) | 投影システム、リソグラフィ装置、放射ビームをターゲット上に投影する方法およびデバイス製造方法 | |
JP4797089B2 (ja) | メトロロジーフレーム用のフィードフォワード圧力パルス補償を有するリソグラフィ装置 | |
JP2017524964A (ja) | 対象物位置決めシステム、制御システム、リソグラフィ装置、対象物位置決め方法およびデバイス製造方法 | |
JP2016106272A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010087484A (ja) | デバイス製造方法、制御システム、コンピュータプログラムおよびコンピュータ可読媒体 | |
JP2007221104A (ja) | リソグラフィ装置、および媒体内のオブジェクト位置を測定する装置および方法 | |
US8441616B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20140293251A1 (en) | Projection System, Lithographic Apparatus, Method of Projecting a Beam of Radiation onto a Target and Device Manufacturing Method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190920 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200715 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6884869 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |