JP5713904B2 - 投影システムおよびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
放射ビームB(例えば、紫外線またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと、を含む。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
ΔQ/Δt=フレームへの/フレームからの熱伝達率、W
h=フレームへの熱伝達係数、W/(m2K)
A=フレームの熱伝達表面積、m2
ΔTenv=フレーム面と周囲環境の温度差、K、である。
Q=フレームへの熱伝達、J
m=フレームの質量、Kg
cp=フレームの比熱容量、J/(KgK)
ΔTframe=フレームの温度変化、である。
Claims (22)
- リソグラフィ装置用投影システムであって、
第1フレームと、
第2フレームと、
前記第1フレームに取り付けられた光エレメントと、
前記第2フレームに対する前記光エレメントの位置を特定する第1測定システムと、
前記第2フレームの変形に依存する少なくとも1つのパラメータを測定する第2測定システムと、
前記第2フレームの温度を所定値に操作する温度制御システムと、
前記第1測定システムおよび前記第2測定システムの測定値を使用して前記第2フレーム上の基準点に対する前記光エレメントの位置を特定するコントローラとを含む、リソグラフィ装置用投影システム。 - 前記第1測定システムは、前記第2フレーム上の第1位置に対する前記光エレメントの位置を特定する第1センサを含み、
前記コントローラは、前記第2測定システムからの測定値を用いて、前記第2フレームの前記変形に起因する、前記基準点に対する前記第2フレーム上の前記第1位置の位置変化を特定するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。 - 前記第1フレームに取り付けられた少なくとも1つの第2光エレメントと、
前記第2フレームに対する前記第2光エレメントの位置を特定する第3測定システムと、をさらに含み、
前記コントローラは、前記第1測定システムおよび前記第2測定システムの前記測定値を使用して前記第2フレーム上の前記基準点に対する前記第2光エレメントの位置を特定するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。 - 前記第2測定システムは、前記第2フレーム上の少なくとも1つの位置に対する前記第2フレーム上の少なくとも1つの他の位置を測定するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- 前記第1測定システムは、前記第2フレーム上の第1位置に対する前記光エレメントの位置を特定する第1センサを含み、
前記第2測定システムは、前記第2フレーム上の前記第1位置と異なる前記第2フレーム上の第2位置に対する前記光エレメントの位置を測定する第2センサを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。 - 前記第2測定システムは、前記第2フレームの少なくとも一部の歪みを測定するセンサを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- 前記光エレメントと前記第1フレームとの間に力を与えるアクチュエータをさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- 第3フレームをさらに含み、
前記第1フレームは、少なくとも1つの弾性サポートによって前記第3フレームに取り付けられ、
前記第2フレームは、少なくとも1つの弾性サポートによって前記第3フレームに取り付けられる、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。 - 前記温度制御システムは、前記投影システムが基板を露光するために使用されていないときのみ、前記第2フレームの温度を前記所定値に操作するコントローラを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- 前記温度制御システムは、使用中、前記第2フレームの熱時定数を減少させることによって前記第2フレームの温度を前記所定値に操作するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- 前記温度制御システムは、前記第2フレームへの熱伝達率および/または前記第2フレームからの熱伝達率を増加させることによって前記第2フレームの熱時定数を減少させるように構成される、請求項10に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- 前記温度制御システムは、
流体流を用いて前記第2フレームからの熱を供給および/または除去することと、
前記流体流の温度を制御するコントローラを用いて前記流体流を制御することと、によって前記第2フレームの温度を前記所定値に操作するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。 - 前記温度制御システムは、
ガス供給ユニットを用いて前記第2フレームを取り囲む環境にガスを供給することと、
ガス供給制御ユニットを用いて前記第2フレームを取り囲む前記環境に供給された前記ガスの圧力を制御することと、によって前記第2フレームの温度を前記所定値に操作するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。 - 前記第2フレームが前記温度制御システムによって操作される前記所定温度は、前記投影システムが基板の露光において使用されるときに維持される温度である、請求項1に記載のリソグラフィ装置用投影システム。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する、請求項1に記載の投影システムと、を含む、リソグラフィ装置。 - 基準フレームと、前記基準フレームに対する前記パターニングデバイスおよび前記基板のうちの少なくとも1つの位置を測定する測定システムと、をさらに含み、
前記第1フレームは、少なくとも1つの弾性サポートによって前記基準フレームに取り付けられ、
前記第2フレームは、少なくとも1つの弾性サポートによって前記基準フレームに取り付けられる、請求項15に記載のリソグラフィ装置。 - 基準フレームと、前記基準フレームに対する前記パターニングデバイスおよび前記基板のうちの少なくとも1つの位置を測定する測定システムと、
パターニングデバイスを支持する前記サポート、前記基板テーブル、および前記基準フレームのうちの少なくとも1つが取り付けられるベースフレームと、をさらに含み、
前記第1フレームは、少なくとも1つの弾性サポートによって前記ベースフレームに取り付けられ、
前記第2フレームは、少なくとも1つの弾性サポートによって前記基準フレームに取り付けられる、請求項15に記載のリソグラフィ装置。 - 第1フレームおよび第2フレームを含む投影システム内の光エレメントを位置決めする方法であって、
前記第2フレームに対する前記光エレメントの位置を特定することであって、前記光エレメントは前記第1フレームに取り付けられることと、
前記第2フレームの変形に依存する少なくとも1つのパラメータを測定することと、
温度制御システムによって前記第2フレームの温度を所定値に操作することと
前記第1測定システムおよび前記第2測定システムの測定値を使用して前記第2フレーム上の基準点に対する前記光エレメントの位置を特定することと
を含む、方法。
置決めする方法。 - 放射ビームを基板上に投影する方法であって、
放射源を用いて放射ビームを供給することと、
請求項18の方法を用いて位置決めされた少なくとも1つの光エレメントを使用して前記放射ビームを誘導することと、を含む、方法。 - 請求項19の方法を用いてパターン形成された放射ビームを基板上に投影することを含む、デバイス製造方法。
- 前記第2フレーム上の基準点に対する前記光エレメントの位置を特定するステップの前に、前記第2フレームの温度を所定レベルに操作することを含む、請求項18に記載の光エレメントを位置決めする方法。
- 放射源を用いて放射ビームを供給することと、
請求項21の方法を用いて位置決めされた少なくとも1つの光エレメントを用いて前記放射ビームを誘導することと、によって、パターン形成された放射ビームを基板上に投影することを含む、デバイス製造方法。
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