JP2017524964A - 対象物位置決めシステム、制御システム、リソグラフィ装置、対象物位置決め方法およびデバイス製造方法 - Google Patents

対象物位置決めシステム、制御システム、リソグラフィ装置、対象物位置決め方法およびデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】本発明は、可動対象物、アクチュエータシステムおよび制御システムを備える対象物位置決めシステムに関する。可動対象物は、基準に対して移動可能である。アクチュエータシステムは、基準に対して可動対象物を移動させるために対象物上の力印加箇所にて対象物に力を加えるよう構成される。制御システムは、基準に対して対象物の注目点を位置決めするよう構成される。制御システムは、力印加箇所と注目点との空間的関係を表すパラメータに基づいてアクチュエータシステムを駆動するよう構成される。パラメータは、基準に対する対象物の位置を表す別のパラメータに依存する。【選択図】図2

Description

[関連出願へのクロスリファレンス]
本出願は、2014年6月3日に出願された欧州出願14171005.3号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
本発明は、対象物位置決めシステム、制御システム、リソグラフィ装置、対象物位置決め方法およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、たいていは基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造に用いられる。その場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがICの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板(例えばシリコンウェーハ)上の(例えばダイの一部、一つのダイ、またはいくつかのダイを備える)目標部分に転写されることができる。パターンは典型的に基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層への結像により転写される。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続してパターン付与される。従来のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパおよびスキャナを含む。ステッパでは、パターン全体を目標部分に一回で露光することで各目標部分が照射される。スキャナでは、放射ビームに対してパターンを所与の方向(「スキャン」方向)にスキャンするとともに、この方向に平行または反平行に基板を同期させてスキャンすることにより各目標部分が照射される。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へパターンを転写することが可能である。
リソグラフィ装置は通常、パターニングデバイスを支持するよう構築されるサポートおよび/または基板を保持するよう構築される基板テーブルなどの正確に位置決めされる必要のある一以上の対象物を備える。したがって、リソグラフィ装置は、基準に対して可動物体を位置決めするための対象物位置決めシステムを備えることが好ましい。対象物位置決めシステムは、基準に対して可動対象物を移動させるために対象物に力を加えるよう構成されるアクチュエータシステムと、基準に対して対象物の位置を測定するよう構成される測定システムと、アクチュエータシステムを駆動することにより測定システムの出力に基づいて基準に対して対象物を位置決めするよう構成される制御システムとを備える。
より高いスループットに対する要求の増大に伴い、対象物に加わる加速度も増大している。これは、トーションモードやアンブレラモードといった対象物の内的動的モードの励起につながるであろう。これら内的動的モードは、対象物位置決めシステムが取得可能な精度を制限するかもしれない。
改善された性能、つまり、改善された精度を持つ対象物位置決めシステム(特にリソグラフィ装置向け)を提供することが望ましい。
本発明のある実施の形態によれば、可動対象物と、アクチュエータシステムと、制御システムとを備える対象物位置決めシステムが提供される。可動対象物は、基準に対して移動可能である。アクチュエータシステムは、基準に対して可動対象物を移動させるために対象物上の力印加箇所において対象物に力を加えるように構成される。制御システムは、基準に対して対象物の注目点を位置決めするよう構成される。制御システムは、力印加箇所と注目点の間の空間的関係を表すパラメータに基づいてアクチュエータシステムを駆動するよう構成される。パラメータは、基準に対する対象物の位置を表す別のパラメータに依存する。
本発明の別の実施の形態によれば、対象物位置決めシステムに用いるように構成される制御システムが提供される。
本発明の別の実施の形態によれば、対象物位置決めシステムを備えるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の別の実施の形態によれば、対象物を位置決めする方法が提供される。この方法は、a)基準に対して対象物の注目点を位置決めするステップと、b)対象物上の力印加箇所において対象物に力を加えるステップと、c)力印加箇所と注目点との間の空間的関係に基づいて力を加えるステップと、を備え、空間的関係が基準に対する対象物の位置に依存する。
別の実施の形態によれば、対象物位置決めシステムを用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の実施の形態は、例示のみを目的として、対応する部分が対応する符号により示される添付の模式的な図面を参照しながら説明される。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。 本発明のある実施の形態に係る対象物位置決めシステムを模式的に示す図である。 本発明の別の実施の形態に係る対象物位置決めシステムを示す図である。 図3の対象物位置決めシステムに適用可能な制御手法を示す図である。 本発明の別の実施の形態に係る対象物位置決めシステムを示す図である。 図5の対象物位置決めシステムの一部を示す上面図である。 図5および図6の対象物位置決めシステムに適用可能な制御手法を示す図である。 図7の制御手法の実際上の実施の形態をより詳細に示す図である。 本発明のさらに別の実施の形態に係る対象物位置決めシステムのための制御手法を示す図である。
図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置LAを模式的に示す。この装置は、放射ビームB(例えば、UV放射またはEUV放射)を調整するよう構成される照明システム(イルミネータ)ILと;パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構築され、特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第1位置決め装置PMに接続されるサポート構造(例えばマスクテーブル)MTと;基板(例えばレジストコートされたウェハ)Wを保持するよう構築され、特定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするよう構成される第2位置決め装置PWに接続される基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTaまたはWTbと;パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されるパターンを基板Wの(例えば一以上のダイを備える)目標部分Cに投影するよう構成される投影システム(例えば屈折型投影レンズシステム)PSと;を備える。
照明システムは、放射を方向付け、成形し、または制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子またはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。本書で用いられる「放射ビーム」の用語は、いかなる種類の電磁的な放射を包含し、紫外(UV)放射(例えば、365nm、248nm、193nm、157nmもしくは126nm、または、その近傍の波長を有する)および極端紫外(EUV)放射(例えば、5−20nmの範囲の波長を有する)を含むとともに、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームをも含む。
サポート構造MTは、パターニングデバイスPAを支持し、いいかえれば、その重さに耐える。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスMAが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方法でパターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式または他の固定技術を用いてパターニングデバイスMAを保持してもよい。サポート構造MTは、フレームまたはテーブルであってよく、例えば必要に応じて固定式または可動式であってよい。サポート構造MTは、例えば投影システムPSに対して、パターニングデバイスMAが所望の位置にあることを確実にしてよい。本書での「レチクル」または「マスク」の用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなされてよい。
本書での「パターニングデバイス」の用語は、放射ビームの断面にパターンを付して例えば基板Wの目標部分Cにパターンを生成するために使用可能な任意のデバイスを参照するものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付されるパターンは、例えばパターン位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Wの目標部分Cにおける所望のパターンに完全に対応しなくてもよいことに留意されるべきである。たいていの場合、放射ビームに付されるパターンは、目標部分に生成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応するであろう。
パターニングデバイスは、透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、例えばバイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには様々なハイブリッド型マスクなどのマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小型ミラーのマトリックス配列を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。
本書での「投影システム」の用語は、用いられる露光放射に応じて、または、液浸液の使用もしくは真空環境の使用といった他の要素に応じて、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型および静電型の光学システム、または、これらの任意の組み合わせを含む、任意の種類の投影システムを含むものと広く解釈されるべきである。本書での「投影レンズ」の用語のいかなる使用は、より一般的な「投影システム」の用語と同義であるとみなされてよい。
図示されるように、装置は透過型である(例えば透過型マスクを用いる)。代わりに、装置は反射型であってよい(例えば、上述したような種類のプログラマブルミラーアレイを用いる、または、反射型マスクを用いる)。
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブル(デュアルステージ)またはそれ以上の基板テーブル(および/または二以上のマスクテーブル)または一つの基板テーブルおよび一つの較正ステージを有する種類の装置であってよい。このような「マルチステージ」の機械において、追加のテーブルが並行して使用されてもよいし、一以上のテーブルが露光のために使用されている間に一以上の他の基板テーブルで準備工程が実行されてよい。図1の例における二つの基板テーブルWTaおよびWTbは、この実例である。本書に開示される発明は、スタンドアローン方式で使用できるが、特に単一ステージ装置またはマルチステージ装置のいずれかの露光前測定ステージにおいて追加の機能を提供できる。
リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の隙間を埋めるように、基板の少なくとも一部が比較的高屈折率を有する液体(例えば水)によりカバーされる種類の装置であってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他の隙間、例えばマスクと投影システムの間に適用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増やすための技術として周知である。本書で用いられる「液浸」の用語は、基板などの構造が液体中に水没しなければならないこと意味するのではなく、むしろ露光中に投影システムと基板の間に液体が配置されることを意味するのみである。
図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOからの放射ビームを受ける。ソースおよびリソグラフィ装置は、例えばソースがエキシマレーザである場合、別体であってもよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の部分を形成するものとみなされず、放射ビームはソースSOからイルミネータILに向けて、例えば適当な方向付けミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムBDの助けを借りて通過する。別の場合、例えばソースが水銀ランプである場合、ソースがリソグラフィ装置の一体的な部分であってよい。ソースSOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと称されてもよい。
イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。たいていの場合、イルミネータの瞳面における強度分布の外側半径範囲および/または内側半径範囲(一般にそれぞれσアウタおよびσインナと称される)を少なくとも調整できる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他の要素を備えてもよい。イルミネータは、その断面に所望の均一性および強度分布を有するように放射ビームを調整するために用いられてよい。
放射ビームBは、サポート構造(例えばマスクテーブルMT)に保持されるパターニングデバイス(例えばマスクMA)に入射し、パターニングデバイスによりパターン化される。マスクMAを通過すると、放射ビームBは、基板Wの目標部分Cにビームを合焦させる投影システムPSを通過する。第2位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば干渉計装置、リニアエンコーダまたは容量性センサ)の助けにより、例えば異なる目標部分Cが放射ビームBの経路上に位置するように基板テーブルWTa/WTbを正確に動かすことができる。同様に、第1位置決め装置PMおよび別の位置センサ(これは図1に明示していない)は、例えばマスクライブラリからの機械検索後またはスキャン中に、放射ビームBに対するマスクMAの正確な位置決めのために用いることができる。一般に、マスクテーブルMTの動きは、第1位置決め装置PMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現されてもよい。同様に、基板テーブルWTa/WTbの動きは、第2位置決め装置PWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されてもよい。(スキャナと対照的に)ステッパの場合、マスクテーブルMTがショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、もしくは固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1,M2および基板アライメントマークP1,P2を用いて位置合わせされてもよい。基板アライメントマークは図示されるように専用の目標部分を占めているが、これらは目標部分の間のスペースに位置してもよい(これはスクライブラインアライメントマークとして知られる)。同様に、一以上のダイがマスクMA上に設けられる場合、マスクアライメントマークがダイの間に位置してもよい。
図示される装置は、以下のモードの少なくとも一つで使用されることができる。
1.ステップモードでは、放射ビームBに付与されたパターン全体が1回の照射で一つの目標部分Cに投影される間、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTa/WTbは実質的に静止状態とされる(すなわち単一静的露光)。そして基板テーブルWTa/WTbはX方向および/またはY方向に移動され、その結果、異なる目標部分Cを露光できる。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光にて結像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTa/WTbは同期してスキャンされる(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率および像反転特性により定められてもよい。スキャンモードにおいて、スキャン動作の長さが目標部分の高さ(スキャン方向)を決定する一方で、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光における目標部分の幅(非スキャン方向)を制限する。
3.別のモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、マスクテーブルMTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルWTa/WTbが移動またはスキャンされる。このモードにおいて、一般的にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTa/WTbが移動するたびに、または、スキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したような種類のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに直ちに適用できる。
上述したモードの使用の組み合わせおよび/または変形例が用いられてもよいし、完全に異なるモードの使用が用いられてもよい。
リソグラフィ装置LAは、二つの基板テーブルWTaおよびWTbと、二つのステーション(露光ステーションおよび測定ステーション)とを有するいわゆるデュアルステージ型の装置であり、二つのステーション間で基板テーブルの交換が可能である。一方の基板テーブル上の一方の基板が露光ステーションにて露光されている間、別の基板が測定ステーションにて他方の基板テーブルに装着されることができ、その結果、様々な準備ステップが実行されうる。準備ステップは、レベルセンサLSを用いて基板表面をマッピングすることと、アライメントセンサASを用いて基板上のアライメントマークの位置を測定することとを含んでよい。これは、装置の処理能力の実質的な向上を可能にする。仮に、露光ステーションと同様に測定ステーションに基板テーブルがある間に位置センサIFが基板テーブルの位置を測定できない場合、双方のステーションにて基板テーブルの位置の追跡を可能にする第2位置センサが設けられてもよい。
装置はさらにリソグラフィ装置制御ユニットLACUを含み、これは記載される様々なアクチュエータおよびセンサの動きおよび測定の全てを制御する。LACUは、装置の動作に関連する所望の計算を実現するための信号処理およびデータ処理能力も含む。実際のところ、制御ユニットLACUは、多くのサブユニットのシステムとして実現されるであろう。各サブユニットは、リアルタイムでのデータ取得や処理、装置内のサブシステムまたは構成要素の制御を扱う。例えば、一つの処理サブシステムは、基板位置決め装置PWのサーボ制御に特化してもよい。個別のユニットが粗動および微動アクチュエータを扱ってもよく、または異なる軸を扱ってもよい。別のユニットは、位置センサIFの読み出しに特化してもよい。装置の全体的な制御は、これらサブシステムの処理ユニット、オペレータおよびリソグラフィ製造工程に包含される他の装置と通信する中央処理ユニットにより制御されてもよい。
上述のように、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTa/WTbは、リソグラフィ装置内の対象物の例であり、基準(例えば投影システムPS)に対して(正確に)位置決めされる必要があるかもしれない。位置決め可能でありうる対象物の別の例は、投影システムPSの光学素子である。
リソグラフィ装置内の基準に対して対象物を位置決めするため、リソグラフィ装置は、本発明に係る一以上の対象物位置決めシステムを備える。これは、以下に詳述される。本記載の残りにおいて一般的な用語「対象物」が用いられうるが、適用可能であれば、この用語が基板テーブルWT、マスクテーブルMT、光学素子、投影システムPSなどにより置き換え可能であることは明らかであろう。
本発明に係る対象物位置決めシステムは、図2に模式的に示される。このシステムは、投影システムPSなどの基準REに対して位置決めされる対象物OB(例えば図1に示す基板テーブルWTまたはマスクテーブルMT)と;基準REに対して対象物OBを移動させるために対象物OBに力Fを加えるよう構成されるアクチュエータシステムASと;基準REに対して対象物OBの位置を測定するよう構成される測定システムMSであって、図1の位置センサIFなどの一以上のセンサを備えてもよい測定システムMSと;アクチュエータシステムASを駆動することにより測定システムMSの出力OPに基づいて基準REに対して対象物OBの注目点を位置決めするよう構成される制御システムCS;とを備える。
図2では、対象物OBと基準REの間に力Fを加えるようアクチュエータシステムASが示される。しかしながら、基準REに力が加えられること自体は必須ではない。加えられる力Fの結果としての擾乱を最小化するために、いわゆる力分離フレーム(separate force frame)が設けられてもよい。これは、基準REから分離され、基準REに擾乱を与えることなく対象物に力Fを加えることを可能にし、基準REに対する対象物OBの位置を決定するための測定システムMSにより用いられる。
図2では、測定システムMSが基準REに対する対象物OBの位置を測定するように示される。図2は直接的な測定が実行されることを示唆しうるが、測定システムが別の構造に対して対象物の位置を測定するように構成されることも可能である。この位置が測定システムMSの出力OPから差し引かれることができる限りにおいて、測定システムMSは、基準REに対して一以上の自由度で対象物の位置を測定するとみなされてもよい。測定システムMSにより測定可能な自由度の例は、X方向、X方向と直交するY方向、および、XおよびY方向の双方と直交する(一般にZ方向と称される)軸周りの回転方向Rzである。出力OPは、基準REに対する対象物OBの位置を表すいかなる種類の測定信号であってもよい。
制御システムCSは、図1にも示されるリソグラフィ装置制御ユニットLACUの一部であってもよい。図2の制御システムCSの代表的な実施の形態が以下に示されるであろう。
図3は、本発明に係る対象物OBとして機能する基板テーブルWTaを模式的に示す。基板テーブルWTaは、基板Wを支持するよう構成される。図3は、いくつかの目標部分Cを示す基板の上面も示す。
図3はさらに、基板Wの目標部分Cに放射ビームBを合焦させるよう構成される投影システムPSの一部を示す。放射ビームBにより照明される基板Wの目標部分Cは、注目点POIであるとみなされる。この実施の形態において、基板W上に複数の目標部分Cがあり、基板Wの上面視における破線DLを例えば用いて示される移動パターンでウェハを横切る放射ビームをスキャンすることにより、これら目標部分Cが連続的に放射ビームにより照明される。したがって、この実施の形態において、注目点POIは対象物OB上の静的な場所ではなく、基板Wを横切るスキャンの間、常に変化する。
図3は、センサSEも示す。センサSEは、基板Wの位置を測定し、したがって、基板テーブルWTaの位置を間接的に測定する測定システムの一部である。センサSEは、基板Wに向けて放射ビームRBを出射するための放射源を持つセンサヘッドSHを備える。放射ビームRBは、基板Wの表面で反射されて検出器DEに向かう。検出器DEは、基板Wの位置を導出するために入来する反射された放射ビームを処理する。表面は、例えばグレーティング(不図示)を備えてもよく、グレーティング、センサヘッドSHおよび検出器DEの種類や構成に応じて、基板のX方向、Y方向および/またはZ方向の位置の決定を可能にしてもよい。
図3のセンサSEの優位性は、実質的に注目点POIに位置する測定箇所MLにおいて基板Wの位置が測定されることである。これは、基板テーブルWTaに加わる力により生じる基板テーブルWTaのいかなる変形をも注目点POIにおいて測定システムにより測定されることを意味し、その結果、注目点POIでの変形と測定箇所MLでの変形との差を考慮した補正が不要であることを意味する。そのような差がないからである。
代わりに、センサSEが対象物OBの位置を基板テーブルWTaにより基板Wが支持される側とは反対側で測定するよう構成され、測定箇所が注目点POIの直下となるようにしてもよい。このようなセンサの実施の形態において、エンコーダヘッドと協力して、対象物OBの底部上にグレーティングが設けられてもよい。
アクチュエータシステム(図3に不図示)は、基板テーブルWTaを移動させ、したがって、基板Wを正確に移動させ、放射ビームBの経路中に異なる目標部分Cを位置させるために用いられる。このアクチュエータシステムは、したがって、力印加箇所FLにおいて少なくとも力Fを基板テーブルWTaに加える。図3の例において、力印加箇所FLは、基板テーブルWTaに対して動かない。
基板Wを横切って移動する注目点POIに起因して、力Fにより生じる注目点POIにおける基板テーブルWTaの変形は、基板テーブルWTaの位置に依存する。または、言いかえれば、力印加箇所FLと注目点POIとの間の空間的関係が基準REに対する基板テーブルWTaの位置に依存する。空間的関係は、力印加箇所と注目点の間のコンプライアンス(compliance)を含んでもよい。コンプライアンスは、力印加箇所FLに印加される力Fに起因した基板テーブルWTaの変形により生じる力印加箇所FLに対する注目点POIの変位量を示しうる。
この特定の実施の形態では、動かない力印加箇所FLに対する注目点POIの位置の変化により空間的関係の位置依存性が生じるが、動かない注目点POIに対する力印加箇所FLの位置の変化により空間的関係の位置依存性が生じる実施の形態も想定される。さらに、対象物の位置とともに注目点POIと力印加箇所FLの双方が変化する実施の形態も存在する。力印加箇所FLと注目点POIの間の空間的関係は、力印加箇所FLと注目点POIの間の互いの間隔が変化していないが、対象物OB上の力印加箇所FLおよび注目点POIの双方の場所が対象物OBの位置に依存する場合であっても、対象物OBの位置に依存するとみなされる。なぜなら、力印加箇所FLにおいて印加される力に起因するPOIにおける挙動は、対象物OBの異なる位置に対して異なるからである。
図4は、本発明のある実施の形態に係る対象物位置決めシステムを表すブロック図であり、特に図3に示される実施の形態に適用可能である。ブロック図は、位置決めされるべき対象物OBの実挙動を表すブロックPを備え、基準REに対して対象物OBを移動させるために対象物OBに力を加えるアクチュエータシステムの挙動を含む。
対象物の位置は、測定システムMSにより測定され、測定システムMSの出力OPは、制御システムCSに与えられる。制御システムCSは、対象物上の注目点POIの所望の位置を表す設定信号SPSを生成する設定値生成部SPGを備える。
制御システムCSはさらに、設定信号SPSに基づいてフィードフォワード信号SFFを生成するよう構成されるフィードフォワードシステムFFSと、設定信号SPSおよび測定システムMSの出力OPに基づいてフィードバック信号SFBを生成するよう構成されるフィードバックシステムFBSとを備える。
制御システムCSは、フィードフォワード信号SFFおよびフィードバック信号SFBを駆動信号DSに合算してブロックPのアクチュエータシステムを駆動する。
本発明は、対象物OBの柔軟性に起因して、対象物OBに力Fを加えることが対象物OBの変形を生じさせ、励起されるモードおよび注目点POIの位置に依存して注目点POIの位置を変化させ、その結果、無限に堅固な対象物に比べて注目点POIが予想されるような挙動にならないかもしれないという洞察に基づく。したがって、本発明者らは、無限に堅固な対象物を仮定して、設定信号SPSに基づくフィードフォワード信号SFFを加えることが、対象物OBの実変形に起因して増大する収束誤差を生じさせることを見出した。
このように増大する収束誤差を回避するため、本発明では力印加箇所FLと注目点POIの間の空間的関係に依存するフィードフォワード信号SFFを用いる。ここで、空間的関係は、上述したように、基準REに対する対象物OBの位置に依存する。このようにして、フィードフォワード信号SFFが対象物OBのコンプライアンスを考慮する結果、注目点POIが設定信号SPSにより表される所望の位置により近づくようになり、位置決め精度が改善され、収束誤差および収束時間が低減される。
ある実施の形態において、基準REに対する対象物OBの実位置に依存するフィードフォワードシステムFFS内のパラメータを用いることにより、これを実現できる。この場合、測定システムMSの出力OPも同様にフィードフォワードシステムFFSへの入力として用いられる。しかしながら、安定性の問題を回避するため、このパラメータが対象物OBの所望の位置に依存することが好ましく、したがって、この目的のために設定信号SPSも同様にフィードフォワードシステムFFSへの入力として用いられる。
図5は、本発明の別の実施の形態に係る対象物位置決めシステムを模式的に示し、図1の基板テーブルWTaと同様の対象物OBと、力印加箇所FLにおいて力Fを印加することにより基準REに対して対象物を移動させるアクチュエータシステムASと、測定箇所MLにおいて基準REに対する対象物OBの位置を測定する測定システムMSとを示す。
基板テーブルWTaは、基板Wを支持するよう構成される。放射ビームBは、投影システムPSにより基板Wの目標部分に合焦され、その結果、照明されるべき目標部分の位置は、基板Wひいては対象物OBの注目点POIとなる。
図6は、基板を支持する対象物OBの上面図である。この図において、基板Wは、例えば破線DLで示されるパターンで投影システムPSの下方の基板Wを移動させることにより、連続的に照明されるべき複数の目標部分Cを有するように示される。パターンDLにしたがって対象物OBを移動させるため、対象物OBはXおよびY方向の双方に移動される必要があり、したがって、対象物OBの位置も同様にこれらの方向で測定される必要がある。
図6はさらに、対象物OBのX方向の位置を測定するための第1センサSE1と対象物OBのY方向の位置を測定するための第2センサSE2とを備える測定システムを示す。双方のセンサSE1,SE2は、基準REに対して固定され、各測定ビームMB1,MB2を対象物に向けさせ、対象物の位置とともに変化する対象物OB上の各測定箇所ML1およびML2が規定されるようにする。例えば、対象物OBがX方向に移動すると、測定箇所ML2が対象物OBに沿ってX方向に移動する。対象物OBがY方向に移動するとき、同様のことが測定箇所ML1について成り立つ。
対象物OBへの入力として力Fを加えることは、対象物OBの内的動的モードを励起し、対象物OBの変形を生じさせるかもしれない。対象物OBの位置が注目点POIではなく測定箇所ML1,ML2にて測定されるため、測定される変形が注目点POIでの変形に対応せず、位置の誤差を生じさせるかもしれない。
さらに、注目点POIおよび測定箇所ML1,ML2は、対象物OBの位置とともに変化するため、アクチュエータシステムASにより生じる変形も同様に変化する。したがって、力印加箇所FLと測定箇所ML1,ML2の間の空間的関係および力印加箇所FLと注目点POIの空間的関係は、基準REに対する対象物OBの位置に依存する。その結果、力印加箇所FLと注目点POIの空間的関係および力印加箇所FLと測定箇所ML1,ML2の間の空間的関係の差(これは、測定箇所ML1,ML2における変形および注目点POIにおける変形の差を表す)も同様に、基準REに対する対象物OBの位置に依存しうる。
図7は、本発明のある実施の形態に係る対象物位置決めシステムを表すブロック図であり、特に図5および図6に示す実施の形態に適用可能である。このブロック図は、位置決めされるべき対象物OBの実挙動を表すブロックPを備え、基準REに対して対象物OBを移動させるために対象物OBに力Fを加えるアクチュエータシステムASの挙動を含む。
対象物OBの位置は、測定システムMSにより測定され、測定システムMSの出力OPは制御システムCSに与えられる。制御システムCSは、対象物OB上の注目点POIの所望の位置を表す設定信号SPSを生成する設定値生成部SPGを備える。
制御システムCSはさらに、設定信号SPSに基づいてフィードフォワード信号SFFを生成するよう構成されるフィードフォワードシステムFFSと、設定信号SPSおよび測定システムMSの出力OPに基づいてフィードバック信号SFBを生成するよう構成されるフィードバックシステムFBSとを備える。
制御システムCSは、フィードフォワード信号SFFとフィードバック信号SFBを駆動信号DSに合算してブロックPのアクチュエータシステムASを駆動する。
対象物OBの柔軟性に起因して、対象物OBへの入力として力Fを加えることが対象物OBの変形を生じさせ、励起されるモードおよび注目点POIの位置に依存して注目点POIの位置を変化させ、その結果、無限に堅固な対象物に比べて注目点POIが予想されるような挙動にならないかもしれない。したがって、無限に堅固な対象物を仮定して、設定信号SPSに基づいてフィードフォワード信号SFFを加えることは、対象物OBの変形に起因して増大する収束誤差を生じさせるであろう。
このような増大する収束誤差を回避するため、本発明では力印加箇所FLと注目点POIの間の空間的関係を表すパラメータに依存するフィードフォワード信号SFFを用いる。ここで、空間的関係は、基準REに対する対象物OBの位置に依存する。このようにして、フィードフォワード信号SFFが対象物OBのコンプライアンスを考慮する結果、注目点POIの測定される位置がより良く設定信号SPSに追従し、位置決めの精度が改善される。
ある実施の形態において、測定システムMSの出力OPがフィードフォワードシステムFFSへの入力としても用いられるようにし、基準REに対する対象物OBの実位置に依存するフィードフォワードシステムFFS内の少なくとも一つの別のパラメータにより、これを実現することができる。しかしながら、安定性の問題を回避するため、パラメータが対象物OBの所望の位置に依存することが好ましく、したがって、この目的のために設定信号SPSも同様にフィードフォワードシステムFFSへの入力として用いられる。
制御システムCSはさらに、フィードフォワード信号SFFと、力印加箇所FLと注目点POIの間の空間的関係および力印加箇所FLと測定箇所ML1,ML2の間の空間的関係の差とに基づいて、フィードバックシステムFBSに補正信号SCOを提供するよう構成される補正システムCOSを備えてもよい。ここで、当該差は、基準REに対する対象物OBの位置に依存する。
ある実施の形態において、測定システムMSの出力OPが補正システムCOSの入力としても用いられるようにして、基準REに対する対象物OBの実位置に依存する補正システムCOS内のパラメータを用いることにより、これを実現することができる。しかしながら、安定性の問題を回避するため、パラメータが対象物OBの所望の位置に依存することが好ましく、したがって、この目的のために設定信号SPSが補正システムCOSへの入力として用いられる。
その結果、フィードフォワードシステムFFSは、対象物OBのコンプライアンス、したがって、力印加箇所FLにおいて力Fを加えることにより生じる注目点POIの変形を考慮し、補正システムCOSは、注目点POIにおける変形と各測定箇所ML1,ML2にて測定される変形との差を考慮する。
図8は、図7の制御システムCSのより実際上の実施例を示す。フィードフォワードシステムFFSは、例えば、最大で4次までに限定されてもよく、スナップフィードフォワードとも称される。注目点POIの所望の位置がSPSとして参照される場合、所望の位置SPSの関数としてのフィードフォワードSFFは、次式で計算されてもよい。
Figure 2017524964
ここで、sは、ラプラス変換の複素変数であり、mは、対象物OBの質量である。Cpoiは、力印加箇所FLと注目点POIの間の位置依存コンプライアンスを表すパラメータである。
フィードフォワード信号SFFの関数としての補正信号SCOは、次式で記述されてもよい。
Figure 2017524964
ここで、Cpocは、力印加箇所FLと測定箇所ML1,ML2の間の位置依存コンプライアンスを表すパラメータである。Cpoiは、力印加箇所FLと注目点POIの間の位置依存コンプライアンスを表すパラメータである。
上述の関数は、図8に実装され、フィードフォワードシステムFFSおよび補正システムCOSを形成する。
パラメータCpocおよび/またはCpoiは、有限要素モデルまたは任意の他の組み込み型の計算モデルを用いることにより決定されてもよい。
図9は、代替的な実施の形態を示し、有限要素モデルまたは他の計算モデルを用いる場合とは異なる代替的な手法でCpocおよびCpoiが決定される。図9の制御システムは、観測部OBSを持つ補正システムCOSを用いる。観測部OBSは、対象への入力としての駆動信号DSと、測定システムMSの出力OPとに基づいて対象物の内的動的挙動を推定するための対象物の動的モデルを含む。出力OPは、詳細は後述されるように、信号eおよび利得Lを介して観測部OBSに与えられる。
この実施の形態での観測部OBSは、測定システムMSのモデルも含み、測定システムMSの出力OPに対応する推定出力EOPを出力する。対象物の実際の動的挙動と動的モデルとの差および/または対象物に加えられる外部擾乱に起因して、推定出力EOPは実出力OPとは異なるかもしれない。信号eは、出力OPと推定出力EOPの差である。誤差信号eは、利得Lを介して観測部OBSにフィードバックされ、出力OPと一致する推定出力EOPが得られるように差を補償する。
観測部OBSの動的モデルは、対象物の位置に対する、力印加箇所FLと測定箇所(ML,ML1,ML2)の間の空間的関係の依存性と、力印加箇所FLと注目点POIの間の空間的関係の依存性とを含む。
観測部OBSの動的モデルは、以下の状態空間方程式により表されてもよい。ここで、観測部OBSの状態は、参照記号xOBSおよびプラントPの動的モデルにより示され、測定システムMSは、行列A’、B’およびC’により表される。
Figure 2017524964
Figure 2017524964
L(OP−EOP)の項は補正項であり、例えば、動的モデルのA’およびB’と実際のシステムのA行列およびB行列との相違がそれぞれ存在する場合に、動的モデルと実際のシステムP,MSの差に起因する影響の低減を助ける。行列Lは、重み付け行列として機能する。
対象物の位置に依存すべき出力方程式の少なくとも一つの係数(この場合、行列C’の少なくとも一つの係数)を与えることにより、観測される内的動的挙動の位置依存性が含まれるかもしれない。
これは、C’(p)により示されてもよい。ここでpは少なくとも一つの自由度での対象物の位置である。位置pは、対象物の測定された位置OPであってもよいし、または、設定信号SPSであってもよい。出力方程式が依存する位置pとしての設定信号SPSは、より安定したシステムが得られるという利益を有する。
ある実施の形態において、重み付け行列Lもまた対象物の位置に少なくとも一つの自由度で依存する。したがって、方程式は以下のように記述されてもよい。
Figure 2017524964
Figure 2017524964
e=OP−EOPのとき、以下の誤差方程式を定式化できる。
Figure 2017524964
対象物の位置に依存する出力方程式および重み付け行列の双方を生成する利益は、所与のAおよびC’(p)に対して固有値(A’−L(p)*C’(p))が一定となるようにL(p)を選択できることである。これは、誤差の挙動が対象物の位置に依存しないことを意味する。
観測部OBSの状態が既知のとき、注目点POIの位置および測定箇所MLの位置を推定することができ、その結果、力印加箇所FLにおける対象物OBへの入力としての力Fを加えることにより生じる推定される変形dPOI,dMLが決定され、これをフィードバックシステムFBSの補正に用いて対象物位置決めシステムの精度を向上させることができる。
補正信号SCOの決定に観測部OBSを用いることの優位性は、補正信号SCOの決定時に対象物の実挙動が考慮されるため、擾乱に対しての補正も同様に可能となることである。
本書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、および/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味しうる。
上記では、光学リソグラフィとの関連で本発明の実施の形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、文脈上許されれば、光学リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に設けられたレジストの層に押しつけ、その後、電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。レジストを硬化した後、パターニングデバイスがレジストから除去され、パターンが残される。
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、上述の制御システムは、機械で読み取り可能な命令の一以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよい。
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。したがって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。

Claims (16)

  1. 基準に対して移動可能な可動対象物と、
    前記基準に対して前記可動対象物を移動させるために前記対象物上の力印加箇所において前記対象物に力を加えるよう構成されるアクチュエータシステムと、
    前記基準に対して前記対象物の注目点を位置決めするよう構成される制御システムと、を備え、
    前記制御システムは、前記力印加箇所と前記注目点との間の空間的関係を表すパラメータに基づいて前記アクチュエータシステムを駆動するよう構成され、
    前記パラメータは、前記基準に対する前記対象物の位置を表す別のパラメータに依存することを特徴とする対象物位置決めシステム。
  2. 前記空間的関係は、前記力印加箇所と前記注目点の間のコンプライアンスを備えることを特徴とする請求項1に記載の対象物位置決めシステム。
  3. 前記別のパラメータは、設定信号と測定信号の一方に基づくことを特徴とする請求項1または2に記載の対象物位置決めシステム。
  4. 前記対象物上の測定箇所において測定し、前記基準に対する前記対象物の位置を表す測定信号を提供するよう構成される測定システムを備え、
    前記制御システムは、
    前記注目点の所望の位置を表す設定信号を生成する設定値生成器と、
    前記設定信号に基づいてフィードフォワード信号を生成するよう構成されるフィードフォワードシステムと、
    前記設定信号および前記測定信号に基づいてフィードバック信号を生成するよう構成されるフィードバックシステムと、を備え、
    前記制御システムは、前記フィードフォワード信号および前記フィードバック信号に基づいて前記アクチュエータシステムを駆動するよう構成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の対象物位置決めシステム。
  5. 前記フィードフォワード信号は、前記パラメータに依存することを特徴とする請求項4に記載の対象物位置決めシステム。
  6. 前記制御システムは、前記フィードフォワード信号および空間的関係パラメータに基づいて前記フィードバックシステムに補正信号を提供するよう構成される補正システムをさらに備え、前記空間的関係パラメータは、第1の空間的関係と第2の空間的関係の間の差を表し、前記第1の空間的関係は、前記力印加箇所と前記注目点の間であり、前記第2の空間的関係は、前記力印加箇所と前記測定箇所の間であることを特徴とする請求項4または5に記載の対象物位置決めシステム。
  7. 前記空間的関係パラメータは、前記パラメータに依存することを特徴とする請求項6に記載の対象物位置決めシステム。
  8. 前記補正システムは、前記設定信号および前記フィードフォワード信号に基づいて前記対象物の内的動的挙動を推定する動的モデルを備え、前記補正信号は、推定される内的動的挙動に基づくことを特徴とする請求項6または7に記載の対象物位置決めシステム。
  9. 前記補正システムは、前記制御システムから前記対象物への入力と前記測定信号とに基づいて前記対象物の内的動的挙動を推定するための前記対象物の動的モデルを有する観測部を備え、前記動的モデルは、前記空間的関係パラメータに依存し、前記観測部は、前記補正信号を提供するよう構成されることを特徴とする請求項6または7に記載の対象物位置決めシステム。
  10. 前記フィードフォワードシステムは、前記設定信号に基づいて前記対象物の内的動的挙動を推定する動的モデルを備え、前記フィードフォワード信号は、推定される内的動的挙動に基づくことを特徴とする請求項4から9のいずれか一項に記載の対象物位置決めシステム。
  11. 請求項1から10のいずれか一項に記載の対象物位置決めシステムに用いるように構成されることを特徴とする制御システム。
  12. 請求項1から10のいずれか一項に記載の対象物位置決めシステムを備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
  13. 放射ビームを調整するように構成される照明システムと、
    放射の断面にパターンを付与してパターン放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するように構築されるサポートと、
    基板を保持するように構築される基板テーブルと、
    パターン放射ビームを目標部分に投影するように構築される投影システムと、をさらに備え、
    前記対象物位置決めシステムは、前記サポートと前記基板テーブルの一方を備えることを特徴とする請求項12に記載のリソグラフィ装置。
  14. a)基準に対して対象物の注目点を位置決めするステップと、
    b)前記対象物上の力印加箇所において前記対象物に力を加えるステップと、
    c)前記力印加箇所と前記注目点との間の空間的関係に基づいて前記力を加えるステップと、を備え、
    前記空間的関係は、前記基準に対する前記対象物の位置に依存することを特徴とする対象物位置決め方法。
  15. リソグラフィ装置内で前記対象物を位置決めするステップを備えることを特徴とする請求項14に記載の対象物位置決め方法。
  16. 請求項1または10に記載の対象物位置決めシステムを用いることを特徴とするデバイス製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105706001B (zh) * 2013-10-30 2017-10-03 Asml荷兰有限公司 在光刻术中的物体定位
JP6363217B2 (ja) * 2014-04-04 2018-07-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 制御システム、位置決めシステム、リソグラフィ装置、制御方法、デバイス製造方法及び制御プログラム
USD892854S1 (en) 2018-07-31 2020-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display screen or portion thereof with transitional graphical user interface
US11914307B2 (en) 2019-02-26 2024-02-27 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus lithographic apparatus measurement method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003035335A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Canon Inc 能動除振装置
JP2006165564A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2008300828A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Asml Netherlands Bv ステージシステムおよびそのようなステージシステムを備えるリソグラフィ装置
JP2013079939A (ja) * 2011-08-25 2013-05-02 Asml Netherlands Bv 位置測定システム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7379156B2 (en) 2004-12-29 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036277A1 (nl) * 2007-12-19 2009-06-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, stage system and stage control method.
JP4922338B2 (ja) * 2008-04-25 2012-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 位置制御システム、リソグラフィ装置、および可動オブジェクトの位置を制御する方法
JP5235707B2 (ja) * 2009-02-03 2013-07-10 キヤノン株式会社 制御装置
US9715182B2 (en) 2012-11-27 2017-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, substrate support system, device manufacturing method and control program

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003035335A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Canon Inc 能動除振装置
JP2006165564A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2008300828A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Asml Netherlands Bv ステージシステムおよびそのようなステージシステムを備えるリソグラフィ装置
JP2013079939A (ja) * 2011-08-25 2013-05-02 Asml Netherlands Bv 位置測定システム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

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