JP2007318118A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007318118A
JP2007318118A JP2007121335A JP2007121335A JP2007318118A JP 2007318118 A JP2007318118 A JP 2007318118A JP 2007121335 A JP2007121335 A JP 2007121335A JP 2007121335 A JP2007121335 A JP 2007121335A JP 2007318118 A JP2007318118 A JP 2007318118A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
projection system
mount
lithographic apparatus
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007121335A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4881215B2 (ja
Inventor
Hans Butler
バトラー,ハンズ
Frank Auer
アウアー,フランク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2007318118A publication Critical patent/JP2007318118A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4881215B2 publication Critical patent/JP4881215B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Abstract

【課題】投影システムとその他の部分のミスアライメントから生じるアライメントエラーを低減できるリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】投影システムはフレームに支持され、投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータを含む。フレームの位置、または前記フレームの位置の時間導関数は圧電センサにより測定され、前記圧電アクチュエータは、前記フレームの測定された位置または前記フレームの前記位置の時間導関数に基づいて制御される。さらに圧電センサからのデータは、リソグラフィ装置の他の部分、例えばマスクテーブル、基板テーブル、または投影システムを支えるフレーム用のエアマウントのための制御ループに使用される。
【選択図】図2

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置とデバイス製造方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に用いることができる。この場合、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、ダイの一部、または1つ以上のダイを含む)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、およびある特定の方向(「スキャン」方向)の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するために使用される投影システムは、マウントによってフレーム上に支持される。このマウントは圧電アクチュエータと圧電センサとを含み、これらは通常、互いに直列に配置される。圧電センサは、投影システムに加えられた力総量(total force)を測定し、検出された力は、投影システムにかかる力が最小限に抑えられるように、圧電アクチュエータ用のフィードバックループの一部として使われる。投影システムにかかる力を最小限に抑えることによって、投影システムはほぼ静止した状態のままとなる。しかしながら、投影システムが静止状態のままである間に、投影システムを支持するフレームおよび/または基板テーブルおよび/またはパターニングデバイスのサポートが移動または振動した場合、アライメントエラーが生じ得る。
[0004] リソグラフィ装置のPLおよびその他の部分のミスアライメントから生じるアライメントエラーを低減することが望ましい。
[0005] 本発明の一実施形態に従い、パターン付きビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、前記投影システムを保持するように構成されたフレームと、前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成されたマウントであって、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータを含むマウントと、前記フレームの位置、または前記フレームの位置の時間導関数を測定するように構成されたセンサとを備えるリソグラフィ装置であって、前記圧電アクチュエータは、前記フレームの測定された位置または前記フレームの前記位置の時間導関数に基づいて制御される、リソグラフィ装置が提供される。
[0006] 本発明の一実施形態に従い、パターン付き放射ビームを、投影システムを用いて基板のターゲット部分に投影する工程と、フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、前記フレームの位置、または前記フレームの位置の時間導関数を測定する工程と、前記フレームの測定された位置または前記フレームの前記位置の時間導関数に基づいて前記圧電アクチュエータを制御する工程とを備えるデバイス製造方法が提供される。
[0007] 本発明の一実施形態に従い、サポートを用いて放射ビームにパターン付けするパターニングデバイスを保持する工程と、基板テーブルを用いて基板を保持する工程と、投影システムを用いて前記基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する工程と、フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、前記投影システムに加えられた力を検出するための圧電センサを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、前記検出された力に基づいて前記サポートおよび/または前記基板テーブルの位置を制御する工程とを備えるデバイス製造方法が提供される。
[0008] 本発明の一実施形態に従い、パターン付きビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、前記投影システムを保持するように構成されたフレームと、前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成されたマウントであって、前記投影システムに加えられた力を検出するように構成された圧電センサを含むマウントと、前記フレームを支持し、前記フレームの振動を最小限に抑えるように構成された第2のマウントとを備えるリソグラフィ装置であって、前記フレームの振動は、前記検出された力に基づいて前記第2のマウントを制御することによって最小限に抑えられる、リソグラフィ装置が提供される。
[0009] 本発明の一実施形態に従い、投影システムを用いて前記基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する工程と、フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、前記投影システムに加えられた力を検出するための圧電センサを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、第2のマウントを用いて、前記フレームを支持し、かつ前記フレームの振動を最小限に抑える工程と、前記検出された力に基づいて前記フレームの振動を最小限に抑えるように前記第2のマウントを制御する工程とを備えるデバイス製造方法が提供される。
[0010] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において、同じ参照符号は、対応する部分を示す。
[0017] 図1は、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームB(例えば、紫外光(UV))を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1ポジショナPMに連結されている、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2ポジショナPWに連結されている、基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成されている、投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PLとを含む。投影システムは、基準フレームRFに取り付けられる。
[0018] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他の型の光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまな型の光学コンポーネントを含むことができる。
[0019] サポート構造は、パターニングデバイスを支持しており、すなわち、パターニングデバイスの重量を支えている。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0020] 本明細書において使われる「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付けたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0021] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、およびAttenuated位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0022] 本明細書において使われる「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0023] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの(例えば、透過型マスクを採用しているもの)である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの(例えば、上記に言及したプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの)であってもよい。
[0024] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(および/または2つ以上のマスクテーブル)を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンにおいては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0025] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすような比較的高屈折率を有する液体、例えば水、によって基板の少なくとも一部を覆うことができる型のものであってもよい。図1は、投影システムPLの最後の光学エレメントと基板Wとの間に液体を供給するように構成された液体供給システムIHを示している。さらに、リソグラフィ装置内の、例えば、マスクと投影システムとの間の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使われている「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、どちらかといえば、露光中、投影システムと基板との間に液体があるという意味でしかない。
[0026] 図1を参照すると、イルミネータILは、放射ソースSOから放射ビームを受ける。例えば、放射ソースがエキシマレーザである場合、放射ソースとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射ソースSOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射ソースが水銀灯である場合、放射ソースは、リソグラフィ装置の一体型部品とすることもできる。放射ソースSOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0027] イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0028] 放射ビームBは、サポート構造(例えば、マスクテーブルMT)上に保持されているパターニングデバイス(例えば、マスクMA)上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPLを通過し、投影システムPLは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ)を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置付けるように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ(図1には明示的に示されていない)を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は(スキャナとは対照的に)、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる(これらは、けがき線アライメントマークとして公知である)。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0029] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。
[0030] 1. ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に(すなわち、単一静止露光)ターゲット部分C上に投影する。基板テーブルWTは、つぎにXおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光領域の最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
[0031] 2. スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの(縮小)拡大率および画像反転特性によって決めるとよい。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
[0032] 3. 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かし、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射ソースが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0033] 上述の使用モードの組合せおよび/または変形物、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0034] 図2は、フレームFR上の投影システムPLを支持するように構成されたマウント20を示している。マウント20は、2つの部分、すなわち互いに直列に配置されている圧電アクチュエータ22と圧電センサ21とを含んでいる。圧電センサは、投影システムPLに加えられた力を検出し、検出された力は、圧電アクチュエータ用の制御ループの入力として使用される。この制御ループは、投影システムPLに加えられる力を最小限に抑え、よって投影システムを静止状態に維持する機能がある。従ってマウント20は、投影システムPLの振動を低減し、かつ剛性(stiffness)kと減衰dをマウントにもたらすために使用することもできる。各圧電アクチュエータ22は、垂直方向と接線方向(投影システムの中心軸に対して)の力をもたらすことができる。投影システムPLの周囲に配置された複数のマウント20(少なくとも3つのマウントがあることが好ましい)があるため、投影システムPLは、6方向X、Rx、Y、Ry、Z、Rzに移動できる。
[0035] 図3に示される装置では、ジオホン(geophone)30がフレームFRに取り付けられる。本実施例ではジオホンが使用されているが、固定点(例えば、慣性質量)に対するフレームの絶対速度、位置または加速度を測定するデバイスならば十分であり、本発明は任意の形態のモーションセンサを用いて実施できる。ジオホンからのデータは、圧電アクチュエータ22用の制御ループに供給される。よって、フレームFRの動きが検出され、これに応じて圧電アクチュエータ22を用いて投影システムPLが動かされる。一実施形態では、エレメント30は加速度センサであり、圧電アクチュエータは、フレームの測定された加速度に基づいて制御される。従って、フレームFRが動いた場合、投影システムPLは同様に動かされ、これによって投影システムとフレームまたはフレームによって支持される他のオブジェクトとのミスアライメントを低減することになる。このことは特にフレームFRの低周波振動に有用である。
[0036] 図4は、本発明の他の実施形態を示しており、この実施形態においては、投影システムに加えられる力を検出する圧電センサ21からのデータは、基板を支える基板テーブルWTおよび/またはマスクを支持するマスクテーブルMTの位置を制御する制御ループに使用される。投影システムに加えられた力は、マウント自体の減衰作用(damping action)を上回る投影システムのある程度の力、すなわち加速度をもたらす。よって、投影システムの加速度と、投影システムの動作に正確に追従するように制御された基板テーブルおよび/またはマスクテーブルの加速度を検出するために、センサを使用することができる。圧電センサ21は6方向の力を検出するために、投影システムPLの加速度は6方向で検出できる。その結果、投影システムの加速度を測定するために使用される従来の加速度計であって、2方向(通常x方向とy方向)の加速度を測定するのみのものを取り除くことができる。
[0037] 圧電センサ21からのデータは、マスクテーブルMTおよび/または基板テーブルWTの制御ループに使用されるとして説明してきたが、本発明の実施形態はこれに制限される必要はなく、実際に圧電センサ21からのデータは、リソグラフィ装置のあらゆる部分の制御ループに使用することもあり得る。
[0038] 図5は、基板テーブルWTとマスクテーブルMTが、フレームFR上に取り付けられているとして描かれている他の実施形態を示している。この場合もなお、圧電センサ21からのデータは、マスクテーブルと基板テーブルの制御ループにおいて使用されている。
[0039] 図6は、フレームFRがエアマウント40上に支持され、エアマウント40はフレームFRの振動を低減するように作用する、別の実施形態を示している。図に示されるように、圧電センサからのデータは、エアマウント40の制御ループに供給され、このエアマウント40は、フレームFRの振動を低減することによって、リソグラフィ装置の投影システムと他の部分との間のアライメントを改善するために使用できる。一例としてエアマウントが使用されたが、電磁式マウントまたは弾性(例えばゴムなど)マウントなどのあらゆるタイプの振動アイソレータ(vibration isolators)を使用してよい。
[0040] 本明細書においては明確な実施形態として説明されているが、これら実施形態のそれぞれは、改良されたリソグラフィ装置を製造するための他の実施形態と組み合わせることができる。
[0041] 本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、当然のことながら、本明細書記載のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得る。そのような別の用途においては、本明細書で使われている「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義とみなされ得ると、当業者は理解するであろう。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、積層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0042] 光学リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されたパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
[0043] 本明細書で使われている「放射」および「ビーム」という用語は、紫外(UV)放射(例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長またはおよそこれらの値の波長を有する)、および極端紫外(EUV)放射(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[0044] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含むさまざまな種類の光学コンポーネントのどれか1つまたは組合せを指すことができる。
[0045] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法で実行可能であることが明らかである。例えば、本発明は、前述の開示された方法を記載した機械可読命令の1つ以上のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク)を採用することもできる。
[0046] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
[0011] 図1は、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を示している。 [0012] 図2は、投影システムの従来のマウントの詳細な図である。 [0013] 図3は、本発明の一実施形態に従って投影システムのフレームを支持するマウントを示している。 [0014] 図4は、本発明の実施形態に従って投影システムのフレームを支持するマウントを示している。 [0015] 図5は、本発明の実施形態に従って投影システムのフレームを支持するマウントを示している。 [0016] 図6は、本発明の実施形態に従って投影システムのフレームを支持するマウントを示している。

Claims (19)

  1. パターン付きビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムを保持するように構成されたフレームと、
    前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成されたマウントであって、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータを含むマウントと、
    前記フレームの位置、または前記フレームの位置の時間導関数を測定するように構成されたセンサと、
    を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記圧電アクチュエータは、前記フレームの測定された位置または前記フレームの前記位置の時間導関数に基づいて制御される、リソグラフィ装置。
  2. 前記マウントは、前記フレームと前記投影システムとの間の力を測定するように構成された圧電センサをさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記圧電センサは、前記圧電アクチュエータと直列に配置される、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記マウントは複数の圧電アクチュエータを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記マウントは、前記フレームと前記投影システムとの間の力を測定するように構成された複数の圧電センサを含み、各圧電アクチュエータは圧電センサと直列に配置される、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記センサは速度センサを含み、前記圧電アクチュエータは、前記フレームの測定された速度に基づいて制御される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記速度センサはジオホンである、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記センサは加速度センサを含み、前記圧電アクチュエータは、前記フレームの測定された加速度に基づいて制御される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  9. パターン付き放射ビームを、投影システムを用いて基板のターゲット部分に投影する工程と、
    フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、
    前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、
    前記フレームの位置、または前記フレームの位置の時間導関数を測定する工程と、
    前記フレームの測定された位置または前記フレームの前記位置の時間導関数に基づいて前記圧電アクチュエータを制御する工程と、
    を備えるデバイス製造方法。
  10. 放射ビームにパターンを付けるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    パターン付きビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムを保持するように構成されたフレームと、
    前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成されたマウントであって、前記投影システムに加えられた力を検出するように構成された圧電センサを含むマウントと、
    を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記サポートおよび/または前記基板テーブルの位置が、前記検出された力に基づいて制御される、リソグラフィ装置。
  11. 前記圧電センサは、6方向に加えられる力を検出する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記マウントは複数の圧電センサを含む、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記マウントは、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータを含む、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  14. サポートを用いて放射ビームにパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを保持する工程と、
    基板テーブルを用いて基板を保持する工程と、
    投影システムを用いて前記基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する工程と、
    フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、
    前記投影システムに加えられた力を検出するための圧電センサを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、
    前記検出された力に基づいて前記サポートおよび/または前記基板テーブルの位置を制御する工程と、
    を備えるデバイス製造方法。
  15. パターン付きビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムを保持するように構成されたフレームと、
    前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成されたマウントであって、前記投影システムに加えられた力を検出するように構成された圧電センサを含むマウントと、
    前記フレームを支持し、前記フレームの振動を最小限に抑えるように構成された第2のマウントと、
    を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記フレームの振動は、前記検出された力に基づいて前記第2のマウントを制御することによって最小限に抑えられる、リソグラフィ装置。
  16. 複数の第2のマウントをさらに備えるリソグラフィ装置であって、各第2のマウントは、前記フレームを支持し、かつ前記フレームの振動を最小限に抑えるように構成されており、前記フレームの振動は、前記検出された力に基づいて各第2のマウントを制御することによって最小限に抑えられる、請求項15に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記第2のマウントはエアマウントである、請求項15に記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記マウントは、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータをさらに含む、請求項15に記載のリソグラフィ装置。
  19. 投影システムを用いて前記基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する工程と、
    フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、
    前記投影システムに加えられた力を検出するための圧電センサを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、
    第2のマウントを用いて、前記フレームを支持し、かつ前記フレームの振動を最小限に抑える工程と、
    前記検出された力に基づいて前記フレームの振動を最小限に抑えるように前記第2のマウントを制御する工程と、
    を備えるデバイス製造方法。
JP2007121335A 2006-05-09 2007-05-02 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4881215B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/430,181 US7936443B2 (en) 2006-05-09 2006-05-09 Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11/430,181 2006-05-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007318118A true JP2007318118A (ja) 2007-12-06
JP4881215B2 JP4881215B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=38684786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007121335A Expired - Fee Related JP4881215B2 (ja) 2006-05-09 2007-05-02 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7936443B2 (ja)
JP (1) JP4881215B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010505260A (ja) * 2006-09-27 2010-02-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法
JP2011135076A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Asml Netherlands Bv アクティブマウント、アクティブマウントを備えるリソグラフィ装置、およびアクティブマウントを調整する方法
JP2020506416A (ja) * 2017-02-02 2020-02-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102009024870A1 (de) 2008-06-10 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Optische Einrichtung mit einstellbarer Kraftwirkung auf ein optisches Modul
JP5381452B2 (ja) * 2009-07-23 2014-01-08 船井電機株式会社 スタンド
CN104749904B (zh) * 2013-12-31 2017-08-25 上海微电子装备(集团)股份有限公司 物镜支撑装置及光刻机
JP6633986B2 (ja) * 2016-07-20 2020-01-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
WO2018145849A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102018210996A1 (de) * 2018-07-04 2020-01-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung einer optischen einheit
DE102020201724A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288198A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Nikon Corp 露光装置
JPH10261580A (ja) * 1997-03-17 1998-09-29 Nikon Corp 露光装置
JP2000136844A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Canon Inc 変位発生形アクチュエータ能動振動絶縁装置
JP2001102286A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nikon Corp 露光装置
JP2002319543A (ja) * 2001-01-19 2002-10-31 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法および該方法により製造したデバイス

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4383757A (en) * 1979-04-02 1983-05-17 Optimetrix Corporation Optical focusing system
NL9100215A (nl) 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
EP0772801B1 (en) 1995-05-30 2003-07-16 ASML Netherlands B.V. A positioning device with a reference frame for a measuring system
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JPH10112433A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Nikon Corp 除振装置及び露光装置
KR20010030903A (ko) * 1997-11-12 2001-04-16 오노 시게오 투영노광장치
AU1172699A (en) * 1997-11-18 1999-06-07 Nikon Corporation Vibration eliminator, aligner and projection exposure method
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
TW367407B (en) 1997-12-22 1999-08-21 Asml Netherlands Bv Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP4194160B2 (ja) * 1998-02-19 2008-12-10 キヤノン株式会社 投影露光装置
JPH11294520A (ja) 1998-04-08 1999-10-29 Canon Inc 除振装置、これを用いた露光装置およびデバイス製造方法、ならびに除振方法
US6727981B2 (en) 1999-07-19 2004-04-27 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus and making method thereof, exposure apparatus and making method thereof, and device manufacturing method
JP2001148341A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Nikon Corp 露光装置
US6590639B1 (en) * 2000-09-15 2003-07-08 Nikon Corporation Active vibration isolation system having pressure control
US20020080339A1 (en) * 2000-12-25 2002-06-27 Nikon Corporation Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus
US6538720B2 (en) * 2001-02-28 2003-03-25 Silicon Valley Group, Inc. Lithographic tool with dual isolation system and method for configuring the same
US7095482B2 (en) * 2001-03-27 2006-08-22 Nikon Corporation Multiple system vibration isolator
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
US6912041B2 (en) * 2001-06-29 2005-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE10134387A1 (de) 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
EP1321822A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1345082A1 (en) 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
AU2003235124A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Nikon Corporation Exposure system and device manufacturing method
US7049592B2 (en) 2002-07-11 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1380899B1 (en) 2002-07-11 2014-09-03 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1022886C2 (nl) * 2003-03-10 2004-09-14 Fei Co Deeltjes optische inrichting voor het bestralen van een object.
JP2004343075A (ja) 2003-04-14 2004-12-02 Asml Netherlands Bv 投影システム及びその使用方法
JP2005079373A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
EP1513018A1 (en) 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1513017A1 (en) 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6977713B2 (en) 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7265813B2 (en) 2004-12-28 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007040254A1 (ja) 2005-10-05 2007-04-12 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法
US7433050B2 (en) 2005-10-05 2008-10-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8908144B2 (en) 2006-09-27 2014-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288198A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Nikon Corp 露光装置
JPH10261580A (ja) * 1997-03-17 1998-09-29 Nikon Corp 露光装置
JP2000136844A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Canon Inc 変位発生形アクチュエータ能動振動絶縁装置
JP2001102286A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nikon Corp 露光装置
JP2002319543A (ja) * 2001-01-19 2002-10-31 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法および該方法により製造したデバイス

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010505260A (ja) * 2006-09-27 2010-02-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法
JP2011135076A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Asml Netherlands Bv アクティブマウント、アクティブマウントを備えるリソグラフィ装置、およびアクティブマウントを調整する方法
JP2020506416A (ja) * 2017-02-02 2020-02-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法
US10955761B2 (en) 2017-02-02 2021-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20110171759A1 (en) 2011-07-14
JP4881215B2 (ja) 2012-02-22
US20070263189A1 (en) 2007-11-15
US7936443B2 (en) 2011-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4881215B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR100907515B1 (ko) 메트롤로지 툴, 리소그래피 장치 및 메트롤로지 툴을포함한 시스템, 및 기판의 파라미터를 결정하는 방법
JP5009991B2 (ja) リソグラフィ装置
US7903866B2 (en) Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
JP4638454B2 (ja) リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法
JP4621647B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR101428619B1 (ko) 리소그래피 장치, 투영 조립체 및 능동 감쇠
JP5162417B2 (ja) リソグラフィ装置およびその振動制御方法
TWI649637B (zh) 微影裝置、微影投影裝置及器件製造方法
JP4824054B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP6741739B2 (ja) 粒子ビーム装置
JP2005109441A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR20110063762A (ko) 투영 시스템, 리소그래피 장치, 타겟 상으로 방사선 빔을 투영하는 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP4797089B2 (ja) メトロロジーフレーム用のフィードフォワード圧力パルス補償を有するリソグラフィ装置
JP5600138B2 (ja) 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法
JP5422633B2 (ja) コントローラ、リソグラフィ装置、オブジェクト位置の制御方法及びデバイス製造方法
JP4838834B2 (ja) サーボ制御システム、リソグラフィ装置および制御方法
JP6209234B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2019502153A (ja) アクティブベースフレームサポートを有するリソグラフィ装置
JP2010147468A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010103531A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6697563B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100526

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100810

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100813

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110125

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110412

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110415

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4881215

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees