JP2001148341A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JP2001148341A
JP2001148341A JP33070099A JP33070099A JP2001148341A JP 2001148341 A JP2001148341 A JP 2001148341A JP 33070099 A JP33070099 A JP 33070099A JP 33070099 A JP33070099 A JP 33070099A JP 2001148341 A JP2001148341 A JP 2001148341A
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Yasunaga Kayama
泰永 加山
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    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Abstract

(57)【要約】 【課題】 投影光学系に発生する振動を抑制して位置決
め精度の向上、およびパターン投影精度の向上に寄与す
る。 【解決手段】 マスクRのパターンを基板Wに露光する
露光装置1において、パターンを基板Wに投影する投影
光学系PLと、投影光学系PLを保持する保持部材34
と、投影光学系PLの変位に関する情報を検出する検出
装置38と、保持部材34に設けられたアクチュエータ
36と、検出装置38の検出結果に応じてアクチュエー
タ36を駆動する駆動装置37とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造に用いられ、マスクのパターンをウエハ等の基板
に露光する露光装置に関し、特に振動制御を行うための
アクチュエータを有する露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程の
1つであるリソグラフィ工程においては、マスク又はレ
チクル(以下、レチクルと称する)に形成された回路パ
ターンをレジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガ
ラスプレート等の基板上に転写する種々の露光装置が用
いられている。例えば、半導体デバイス用の露光装置と
しては、近年における集積回路の高集積化に伴うパター
ンの最小線幅(デバイスルール)の微細化に応じて、レ
チクルのパターンを投影光学系を用いてウエハ上に縮小
転写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
【0003】この縮小投影露光装置としては、レチクル
のパターンをウエハ上の複数のショット領域(露光領
域)に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の
静止露光型の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)
や、このステッパを改良したもので、特開平8−166
043号公報等に開示されるようなレチクルとウエハと
を一次元方向に同期移動してレチクルパターンをウエハ
上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキ
ャン方式の走査露光型の露光装置(いわゆるスキャニン
グ・ステッパ)が知られている。
【0004】これらの露光装置では、上述したパターン
の微細化に対応するために、解像度の向上のみならず、
位置決めの高精度化が不可欠になっている。そのため、
マスクやウエハ等に対するアライメントの高精度化、マ
スクステージやウエハステージ等のサーボ系位置決め性
能の向上、周辺環境からの伝達振動遮断性能の向上など
が行われている。例えば、床を介して伝わる振動に対し
ては、床面に先ず装置の基準になるベースプレートを設
置し、その上に床振動を遮断するための防振台を介して
レチクルステージ、ウエハステージおよび投影光学系
(投影レンズ)等を支持する本体コラムを載置した構造
を用いることで大部分の振動を抑制することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光装置には、以下のような問題が存在
する。位置決めに対する要求精度が高くなるにしたがっ
て、露光装置内部での構造自体に起因する振動を抑制す
ることも重要になっている。すなわち、上記の露光装置
は、ウエハ上のあるショット領域に対する露光の後、他
のショット領域に対して順次露光を繰り返すものである
から、ウエハステージ(ステッパの場合)、あるいはレ
チクルステージおよびウエハステージ(スキャニング・
ステッパの場合)の加速、減速運動によって生じる反力
が本体コラムおよび投影光学系の振動要因となり、投影
光学系が変位する虞がある。
【0006】この場合、投影光学系とウエハ等との相対
位置誤差を生じさせて、ウエハ上で設計値と異なる位置
にパターンが転写されたり、その位置誤差に振動成分を
含む場合には像ボケ(パターン線幅の増大)を招く原因
になるという不都合があった。特に、投影光学系に薄肉
部や孔部が存在する場合は、共振周波数が低下して振動
振幅が大きくなることで投影光学系の変位も大きくな
り、パターン微細化の実現の障害になっていた。
【0007】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、投影光学系に発生する振動に伴う変位を抑
制して位置決め精度の向上、およびパターン投影精度の
向上に寄与する露光装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図7に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明の露光装置
は、マスク(R)のパターンを基板(W)に露光する露
光装置(1)において、パターンを基板(W)に投影す
る投影光学系(PL)と、投影光学系(PL)を保持す
る保持部材(34)と、投影光学系(PL)の変位に関
する情報を検出する検出装置(38、43)と、保持部
材(34)に設けられたアクチュエータ(36)と、検
出装置(38、43)の検出結果に応じてアクチュエー
タ(36)を駆動する駆動装置(37)とを備えたを特
徴とするものである。
【0009】従って、本発明の露光装置では、例えばマ
スク(R)のパターンを基板(W)に露光するにあたっ
て投影光学系(PL)の保持部材(34)に振動に伴う
変位が発生すると、検出装置(38、43)がこの変位
に関する情報を検出して駆動装置(37)に出力する。
そして、駆動装置(37)が変位を相殺するようにアク
チュエータ(36)を駆動することで、アクチュエータ
(36)が保持部材(34)に発生する変位を抑制す
る。なお、アクチュエータ(36)を設ける位置は、保
持部材(34)の共振周波数での変位が大きい場所が好
ましい。また、検出装置(38)を設ける位置は、投影
光学系(PL)の倒れの振動が大きな場所が好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の露光装置の実施の
形態を、図1ないし図3を参照して説明する。ここで
は、例えば露光装置として、レチクルとウエハとを同期
移動しつつ、レチクルに形成された半導体デバイスの回
路パターンをウエハ上に転写する、いわゆるスキャニン
グ・ステッパを使用する場合の例を用いて説明する。
【0011】図1に示す露光装置1は、光源(不図示)
からの露光用照明光によりレチクル(マスク)R上の矩
形状(あるいは円弧状)の照明領域を均一な照度で照明
する照明光学系IU、レチクルRを保持するマスクステ
ージとしてのレチクルステージ2、レチクルRから射出
される照明光をウエハ(基板)W上に投影する投影光学
系PL、ウエハWを保持する基板ステージとしてのウエ
ハステージ3から概略構成されている。なお、ここで投
影光学系PLの光軸方向をZ方向とし、このZ方向と直
交する方向でレチクルRとウエハWの同期移動方向をX
方向とし、非同期移動方向をY方向とする。
【0012】この露光装置1には、平板状のベースプレ
ート4上に3つの支柱5が固定されており、これらの支
柱5の上端にはエアダンパ、弾性バネ又はオイルダンパ
からなる3つの防振台6がそれぞれ固定されており、外
部振動の影響を受けない構造になっている。これらの防
振台6を介して、鋳物等で構成された鏡筒定盤7が支柱
5上に載置されている。そして、上記投影光学系PL
は、鏡筒定盤7に光軸方向をZ方向として上方から挿入
されて支持(保持)されており、レチクルステージ2が
載置されるレチクル定盤8は、鏡筒定盤7に設けられた
フレーム9に支持されている。ウエハステージ3が載置
されるウエハ定盤10は、フレーム11を介して鏡筒定
盤7に吊り下げられて固定されている。
【0013】照明光学系IUは、鏡筒定盤7に設けられ
たフレーム12に支持されている。なお、露光用照明光
としては、例えば超高圧水銀ランプから射出される紫外
域の輝線(g線、i線)およびKrFエキシマレーザ光
(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、Ar
Fエキシマレーザ光(波長193nm)およびF2レー
ザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV)など
が用いられる。
【0014】レチクル定盤8上には、固定子13Aと可
動子14AとからなるX軸リニアモータ16Aが配置さ
れている。可動子14Aは、連結部材15を介してレチ
クルステージ2に連結されている。レチクルステージ2
は、X軸方向の直動ガイド(不図示)に案内されてお
り、X軸リニアモータ16Aに駆動されてX方向の前後
に滑らかに移動する。なお、上記X軸リニアモータ16
Aは、レチクルステージ2のY方向一側に設けられるも
のであり、レチクルステージ2のY方向他方側には、固
定子13Bと可動子14BとからなるX軸リニアモータ
16Bが配設されている。これらX軸リニアモータ16
A、16Bは、レチクルステージ2をムービングコイル
方式でX方向に駆動する。また、レチクルステージ2の
X方向の位置は、レチクルステージ2上に固定された移
動鏡17と、レチクル定盤8に支持されてX軸に平行な
レーザビームを移動鏡17に照射するレーザ干渉計18
とによって検出される。
【0015】固定子13A、13Bは直動ガイド19
A、19Bに案内されてX方向の前後に摺動可能になっ
ている。ベースプレート4に固定された制動フレーム2
0には、固定子13A、13Bに非接触で制動力を与え
るX制動部材21A、21Bが取り付けられている。
【0016】ウエハ定盤10上には、固定子23Aと可
動子24AとからなるX軸リニアモータ26Aが配置さ
れている。可動子24Aは、連結部材25を介してウエ
ハステージ3に連結されている。ウエハステージ3は、
X軸方向の直動ガイド(不図示)に案内されており、X
軸リニアモータ26Aに駆動されてX方向の前後に滑ら
かに移動する。なお、上記X軸リニアモータ26Aは、
ウエハステージ3のY方向一側に設けられるものであ
り、ウエハステージ3のY方向他方側には、固定子23
Bと可動子24BとからなるX軸リニアモータ26Bが
配設されている。これらX軸リニアモータ26A、26
Bは、ウエハステージ3をムービングコイル方式でX方
向に駆動する。
【0017】固定子23A、23Bは直動ガイド29
A、29Bに案内されてX方向の前後に摺動可能になっ
ている。また、制動フレーム30には、固定子23A、
23Bに非接触でX方向に制動力を与えるX制動部材3
1A、31Bが取り付けられている。
【0018】なお、ウエハステージ3には、図示しない
ものの、ウエハステージ3をY方向に駆動する2軸のム
ービングマグネット方式のY軸リニアモータが設けられ
ており、ウエハステージ3はエアベアリング方式でウエ
ハ定盤10上のXY平面を非接触で浮上走行する構成に
なっている。また、Y軸リニアモータの固定子(不図
示)に非接触でY方向に制動力を与えるY制動部材(不
図示)が、ベースプレート4の+Y方向に固定された制
動フレーム32に固定されている。
【0019】ウエハステージ3のX方向の位置は、ウエ
ハステージ3上にY方向に沿って固定された移動鏡27
Xと、ウエハ定盤10に支持されてX軸に平行なレーザ
ビームを移動鏡27Xに照射するレーザ干渉計28Xと
によって検出される。また、ウエハステージ3のY方向
の位置は、ウエハステージ3上にX方向に沿って固定さ
れた移動鏡27Yと、X軸に平行なレーザビームを移動
鏡27Yに照射するレーザ干渉計(不図示)とによって
検出される。
【0020】投影光学系PLとしては、ここでは物体面
(レチクルR)側と像面(ウエハW)側の両方がテレセ
ントリックで円形の投影視野を有し、石英や蛍石を光学
硝材とした屈折光学素子(レンズ素子)からなる1/4
(または1/5)縮小倍率の屈折光学系が使用されてい
る。このため、レチクルRに照明光が照射されると、レ
チクルR上の回路パターンのうち、照明光で照明された
部分からの結像光束が投影光学系PLに入射し、その回
路パターンの部分倒立像が投影光学系PLの像面側の円
形視野の中央にスリット状に制限されて結像される。こ
れにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投
影光学系PLの結像面に配置されたウエハW上の複数の
ショット領域のうち、1つのショット領域表面のレジス
ト層に縮小転写される。
【0021】この投影光学系PLは、内部に複数の光学
素子(投影レンズ)を収納する鏡筒33を有し、この鏡
筒33には鏡筒定盤7上で鏡筒33をZ方向に沿わせて
保持するフランジ(保持部材)34が鏡筒33の外周面
から一体的に突設されている。図2に示すように、フラ
ンジ34は、平面視略正三角形を呈しており、各コーナ
ーにおいて取付ネジ等のサポート35により鏡筒定盤7
に固定されている。フランジ34には、鏡筒33と各サ
ポート35との間に位置して、貫通孔(加工部)34a
と切欠部(加工部)34bとが形成されている。各切欠
部34bは、サポート35と鏡筒33とを結ぶ方向と直
交する方向に沿って、フランジ34の鏡筒定盤7側に形
成されている(図1参照)。これら貫通孔34a、切欠
部34bは、フランジ34を介して鏡筒定盤7へアクセ
スする等に用いられるものである。
【0022】なお、フランジ34の素材としては、低熱
膨張の材質、例えばインバー(Inver;ニッケル3
6%、マンガン0.25%、および微量の炭素と他の元
素を含む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。
このフランジ34は、投影光学系PLを鏡筒定盤7に対
して点と面とV溝とを介して3点で支持する、いわゆる
キネマティック支持マウントを構成している。このよう
なキネマティック支持構造を採用すると、投影光学系P
Lの鏡筒定盤7に対する組み付けが容易で、しかも組み
付け後の鏡筒定盤7および投影光学系PLの振動、温度
変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという
利点がある。
【0023】フランジ34上の各コーナー(周辺)に
は、貫通孔34aと切欠部34bとの近傍、即ちフラン
ジ34の強度的に弱い場所に位置してアクチュエータと
してのピエゾ素子(圧電素子)36が接着材等の結合手
段で切欠部34bに沿って複数(図2では二枚)貼設さ
れている。ピエゾ素子36は、所定の電流を与えられる
ことでX方向およびY方向の双方向に伸縮するものであ
る。このピエゾ素子36は、図1に示すように、該ピエ
ゾ素子36を駆動する駆動装置37に接続されている。
【0024】また、投影光学系PLの倒れの振動が最も
大きな箇所である鏡筒33の下端部には、投影光学系P
Lの変位に関する情報を検出する検出装置として、投影
光学系PLの振動を検出する加速度センサ38が設けら
れている。この加速度センサ38の検出結果は、駆動装
置37に出力される。
【0025】図3に示すように、駆動装置37は、フィ
ルタ装置39と信号変換装置40とアンプ41とから概
略構成されている。フィルタ装置39は、加速度センサ
38から出力された加速度信号に対して所定のフィルタ
リング(抽出)を行い信号変換装置40に出力するもの
である。信号変換装置40は、フィルタ装置39で抽出
された信号を所定の形状に変換してアンプ41に出力す
るものである。アンプ41は、信号変換装置40で変換
された信号を所定のゲインに増幅してピエゾ素子36に
出力するものである。
【0026】上記の構成の露光装置の動作の中、まずレ
チクルステージ2の動作について以下に説明する。レチ
クルステージ2を+X方向に駆動するために、可動子1
4A、14BにX方向の駆動力が付与されると、レチク
ルステージ2が移動するのに伴って、対応する固定子1
3A、13Bには反力が作用する。同時にX制動部材2
1A、21Bから固定子13A、13Bに対して、その
反力と逆向きで大きさの同じX方向への推力が制動力と
して作用するため、固定子13A、13BにはX方向へ
の力が作用することなく、固定子13A、13Bは静止
した状態を維持する。この際、反力と制動力とがほぼ同
一直線上にあるため、モーメントや固定子13A、13
Bを変形させようとする力等が発生することがなく、可
動子14A、14Bの加減速時に微小な振動等が生じる
こともないので、レチクルRをX方向の所望の位置に高
精度に駆動することができる。
【0027】同様に、ウエハステージ3をX方向に駆動
する際には、対応するX軸リニアモータ26A、26B
の可動子24A、24Bに目標とする加速度(減速時も
含む)に比例する推力が付与されて、ウエハステージ3
がX方向に駆動される。このとき、反作用によってその
推力と方向が逆で同じ大きさの力(反力)が対応する固
定子23A、23Bに働く。そして、X制動部材31
A、31Bから固定子23A、23Bに対して、その反
力と逆向きで大きさの同じX方向への推力が制動力とし
て作用するため、固定子23A、23BにはX方向への
力が作用することなく、固定子23A、23Bは静止し
た状態を維持する。
【0028】また、ウエハステージ3をY方向に駆動す
る際には、Y軸リニアモータに所定の加速度に比例する
推力が付与される。そして、Y軸リニアモータの固定子
に作用する反力は、Y制動部材からこの固定子に対し
て、その反力と逆向きで大きさの同じX方向への推力が
制動力として作用するため、固定子にはX方向への力が
作用することなく、固定子は静止した状態を維持する。
【0029】このウエハステージ3は、露光時には、ウ
エハW上の一つのショット領域への露光が終了するとX
軸リニアモータ26A、26B及びY軸リニアモータを
ステッピング駆動して次のショット領域を走査開始位置
に移動させた後、X軸リニアモータ26A、26Bを定
速駆動するとともに、レチクルステージ2を同期して駆
動することによって、レチクルRとウエハWとを投影光
学系PLに対してX方向に投影倍率を速度比として同期
走査するという動作がステップ・アンド・スキャン方式
で繰り返されて、ウエハW上の各ショット領域への露光
が行われる。
【0030】これらレチクルステージ2およびウエハス
テージ3の移動時には、各ステージにおける固定子の静
止状態は維持されるが、投影光学系PLがフランジ34
を介して鏡筒定盤7に保持されている構造では、材料剛
性や形状により程度が異なるものの、機械的な倒れ共振
が必ず存在する。特に、本実施の形態のフランジ34の
ように、貫通孔34aのような孔部や切欠部34bのよ
うに薄肉部が存在する場合は、共振周波数が低下して振
動振幅が大きくなる。この共振周波数での振動は形状等
に依存するが、上記孔部や薄肉部の周辺の強度的に弱く
なっている場所で歪みや伸び縮みを伴う。そのため、本
実施の形態では、加速度センサ38、ピエゾ素子36お
よび駆動装置37により、上記歪みや伸び縮みに起因し
て投影光学系PLに発生する変位を抑制する。
【0031】具体的には、レチクルステージ2およびウ
エハステージ3の動作に伴う振動がフレーム9、11を
介して鏡筒定盤7に伝わり、フランジ34の歪みや伸び
縮みを伴って投影光学系PLが微小振動する。ここで、
加速度センサ38がこの微小な振動を検出して、駆動装
置37のフィルタ装置39に出力する。このとき、加速
度センサ38は鏡筒33の下端部に設けられているの
で、投影光学系PLに発生する振動を効率的、且つ明確
に検出できる。
【0032】フィルタ装置39は、投影光学系PLの機
械的な共振により増幅された振動の加速度のみをフィル
タリングして取り出し、信号変換装置40に入力させ
る。信号変換装置40は、入力した加速度信号を速度信
号に変換するとともに、ピエゾ素子36を駆動する信号
を作り出してアンプ41に入力させる。アンプ41は、
入力した速度信号を増幅してピエゾ素子36に出力す
る。ピエゾ素子36は、フランジ34に発生する歪みや
伸び縮みを相殺する方向に伸縮して、速度に比例した粘
性力をフランジ34に与える。これにより、フランジ3
4に発生する歪みや伸び縮みが抑えられ、投影光学系P
Lの振動振幅を小さくすることができる。
【0033】以上説明したように、本実施の形態の露光
装置では、投影光学系PLの構造に起因する振動を加速
度センサ38で検出して、この検出結果に基づいてピエ
ゾ素子36を伸縮させてフランジ34の歪みや伸び縮み
を相殺する粘性力を付加し、この歪みや伸び縮みに起因
する投影光学系PLの振動を制振できるため、投影光学
系PLの振動による位置決め精度の悪化やパターン投影
精度の悪化を未然に防ぐことができ、パターンの微細化
に対応した露光精度を維持することができる。また、本
実施の形態では、投影光学系PLの振動を抑制する際に
ピエゾ素子36の伸縮に伴う振動しか発生しないため、
鏡筒33を直接駆動するときのように、他の部分に余分
な振動を発生させる虞がない。
【0034】さらに、本実施の形態の露光装置では、フ
ランジ34の周辺の共振周波数が低下して振動振幅が大
きくなる箇所にピエゾ素子36を貼設しているので、フ
ランジ34に発生する歪みや伸び縮みを効果的に抑える
ことができ、ピエゾ素子36を小型にしたり、ピエゾ素
子36の貼設枚数を減らすことが可能になる。
【0035】図4は、本発明の露光装置の第2の実施の
形態を示す図である。この図において、図1ないし図3
に示す第1の実施の形態の構成要素と同一の要素につい
ては同一符号を付し、その説明を省略する。第2の実施
の形態と上記の第1の実施の形態とが異なる点は、ピエ
ゾ素子36の貼設形態である。なお、この図において
は、投影光学系PLのみ図示している。
【0036】図4に示すように、フランジ34の貫通孔
34a、切欠部34b近傍の上面には、切欠部34bに
沿ってアダプタ板42が取付ネジ43により着脱自在に
取り付けられている。そして、アダプタ板42には、ピ
エゾ素子36が接着剤等の結合手段で貼設されている。
この場合、ピエゾ素子36の大きさや貼設枚数は、振動
振幅の大きさ等で決定される。他の構成は、上記第1の
実施の形態と同様である。
【0037】本実施の形態では、レチクルステージ2や
ウエハステージ3の移動に起因して発生するフランジ3
4の歪みや伸び縮みがアダプタ板42に伝わり、アダプ
タ板42が歪みや伸び縮みを起こす。そして、アダプタ
板42に発生した歪みや伸び縮みをピエゾ素子36が伸
縮することで抑える。そのため、この実施の形態では、
上記第1の実施の形態と同様の効果が得られることに加
えて、ピエゾ素子36が寿命や故障等により動作しなく
なった場合でも、アダプタ板42を取り外すことで交換
が容易になる。また、フランジ34の大きさや、フラン
ジ34に発生する歪みや伸び縮みの大きさに合わせて、
ピエゾ素子36の大きさや貼設枚数の異なる複数種類の
アダプタ板42を予め用意しておき、状況に応じてアダ
プタ板42を適宜フランジ34に装着することも可能に
なる。
【0038】図5は、本発明の露光装置の第3の実施の
形態を示す図である。この図において、図4に示す第2
の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符
号を付し、その説明を省略する。第3の実施の形態と上
記第2の実施の形態とが異なる点は、検出装置として歪
みセンサを設けたことである。
【0039】すなわち、図5に示すように、フランジ3
4には、ピエゾ素子36が貼設されたアダプタ板42の
外側に位置して歪みセンサ(検出装置)43が取り付け
られている。この実施の形態では、投影光学系PLに発
生した微小振動を歪みセンサ43が検出してフィルタ装
置40に出力する。そして、フィルタ装置40が、投影
光学系PLの機械的な共振により増幅された振動の歪み
のみをフィルタリングして取り出し、信号変換装置40
が、入力した歪み信号を速度信号に変換するとともに、
ピエゾ素子36を駆動する信号を作り出してアンプ41
に入力させる。そして、アンプ41は、入力した速度信
号を増幅してピエゾ素子36に出力して作動させる。
【0040】本実施の形態の露光装置でも、上記第2の
実施の形態と同様の効果が得られる。なお、上記第1の
実施の形態では加速度センサ38で投影光学系PLの振
動を検出し、第2の実施の形態では歪みセンサ43で投
影光学系PLの微小振動を検出する構成としたが、セン
サ38、43を双方取り付ける構成としてもよい。この
場合、センサ38、43の取付位置等に応じて両センサ
38、43の検出結果を補正して速度信号を作成すれば
よい。
【0041】図6は、本発明の露光装置の第4の実施の
形態を示す図である。この図において、図5に示す第3
の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符
号を付し、その説明を省略する。第4の実施の形態と上
記第3の実施の形態とが異なる点は、ピエゾ素子の貼設
位置である。
【0042】すなわち、図6に示すように、フランジ3
4の両面のほぼ同じ位置にピエゾ素子36a、36bが
貼設されている。一般に、フランジ34に歪みや伸び縮
みが発生すると、一方の面で伸びが起こり、他方の面で
縮みが起こる。そこで、この実施の形態では、ピエゾ素
子36a、36bをそれぞれ逆相で同時に作動させる。
これにより、より大きな粘性力をフランジ34に付与す
ることができ、投影光学系PLの振動をより効果的に抑
制することが可能になる。
【0043】図7は、本発明の露光装置の第5の実施の
形態を示す図である。この図において、図1ないし図3
に示す第1の実施の形態の構成要素と同一の要素につい
ては同一符号を付し、その説明を省略する。第5の実施
の形態と上記第1の実施の形態とが異なる点は、レチク
ルステージ2、ウエハステージ3および投影光学系PL
の支持構造および加速度センサ38の取付位置である。
【0044】すなわち、図7に示すように、ベースプレ
ート4上には、リアクションフレーム44が設置されて
おり、リアクションフレーム44の上部には、フレーム
12を介して照明光学系IUが設けられている。また、
リアクションフレーム44の上部側および下部側には、
内側に向けて突出する段部44aおよび44bが間隔を
あけてそれぞれ形成されている。
【0045】そして、リアクションフレーム44の段部
44aには、レチクル定盤8が各コーナーにおいて防振
ユニット45を介してほぼ水平に支持されている(な
お、図7では紙面奥側の防振ユニットについては図示せ
ず)。防振ユニット45は、内圧が調整可能なエアマウ
ント(防振パッド)46A〜46D(図7では前方側の
46A、46Bのみ図示)と、固定子及び可動子からな
るボイスコイルモータ47A〜47D(図7では前方側
の47A、47Bのみ図示)とが段部44a上に直列に
対をなして配置された構成になっている。
【0046】また、リアクションフレーム44の段部4
4bには、鏡筒定盤7が各コーナーにおいて防振ユニッ
ト48を介してほぼ水平に支持されている(なお、図7
では紙面奥側の防振ユニットについては図示せず)。防
振ユニット45は、内圧が調整可能なエアマウント(防
振パッド)49A〜49D(図7では前方側の49A、
49Bのみ図示)と、固定子及び可動子からなるボイス
コイルモータ50A〜50D(図7では前方側の50
A、50Bのみ図示)とが段部44b上に直列に対をな
して配置された構成になっている。
【0047】一方、ベースプレート4上方には、ウエハ
定盤10が防振ユニット51を介してほぼ水平に支持さ
れている。防振ユニット51は、ウエハ定盤10の各コ
ーナーに配置され(なお、図7では紙面奥側の防振ユニ
ットについては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウ
ント(防振パッド)52A〜52D(図7では前方側の
52A、52Bのみ図示)とボイスコイルモータ53A
〜53D(図7では前方側の53A、53Bのみ図示)
とがベースプレート4上に並列に配置された構成になっ
ている。
【0048】また、上記レチクル定盤8、ウエハ定盤1
0、鏡筒定盤7には、各定盤のZ方向の振動を計測する
3つの振動センサ(例えば加速度計;不図示)と、XY
面内方向の振動を計測する3つの振動センサ(例えば加
速度計;不図示)とがそれぞれ取り付けられている。後
者の振動センサのうち2つは、各定盤のY方向の振動を
計測し、残りの振動センサはX方向の振動を計測するも
のである(以下、便宜上これらの振動センサを振動セン
サ群と称する)。そして、これらの振動センサ群の計測
値に基づいてレチクル定盤8、ウエハ定盤10、鏡筒定
盤7の6自由度(X、Y、Z、θX、θY、θZ)の振
動をそれぞれ求めることができる。
【0049】また、本実施の形態では、投影光学系PL
がフランジ34より上方側の方が下方側に比較して長く
なっており、投影光学系PLの倒れの振動が最も大きな
箇所は上端部になる。そのため、投影光学系PLの振動
を検出するための加速度センサ38は、鏡筒33の上端
部に設けられている。他の構成は、上記第1の実施の形
態と同様である。
【0050】上記の構成の露光装置1では、レチクルス
テージ2が移動すると、レーザ干渉計の計測値に基づい
てレチクルステージ2の移動に伴う重心の変化による影
響をキャンセルする力(カウンターフォース)が防振ユ
ニット45にフィードフォワードで与えられ、この力を
発生するようにエアマウント46A〜46Dおよびボイ
スコイルモータ47A〜47Dが駆動される。同様に、
ウエハステージ3が移動すると、レーザ干渉計の計測値
に基づいてウエハステージ3の移動に伴う重心の変化に
よる影響をキャンセルするカウンターフォースが防振ユ
ニット51にフィードフォワードで与えられ、この力を
発生するようにエアマウント52A〜52Dおよびボイ
スコイルモータ53A〜53Dが駆動される。
【0051】そして、鏡筒定盤7においては、レチクル
ステージ2、ウエハステージ5の移動による反力でリア
クションフレーム44に微振動が発生しても、鏡筒定盤
7に設けられた振動センサ群の計測値に基づいて6自由
度方向の振動を求め、エアマウント52A〜52Dおよ
びボイスコイルモータ53A〜53Dをフィードバック
制御することによりこの微振動をキャンセルして、鏡筒
定盤7を定常的に安定した位置に維持することができ
る。
【0052】本実施の形態の露光装置では、上記第1の
実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、鏡筒
定盤7に支持された投影光学系PLを安定した位置に維
持するとともに、レチクルステージ2、ウエハステージ
3および投影光学系PLが防振ユニット45、48、5
1によって振動的に独立しているので、レチクルステー
ジ2およびウエハステージ3の駆動に起因する振動が投
影光学系PLに伝わることを防止でき、投影光学系PL
の振動に起因するパターン転写位置のずれや像ボケ等の
発生を効果的に防止して露光精度の向上を図ることもで
きる。
【0053】なお、上記実施の形態において、ピエゾ素
子36がフランジ34に対して速度に比例した粘性力を
与える構成としたが、これに限られず、加速度に比例し
た反力を発生させて振動を抑制することも可能である。
また、上記実施の形態では、フランジ34に貫通孔34
aや切欠部34b等の加工部が設けられているものとし
て説明したが、これらの加工部がない場合でも、投影光
学系PLには微振動が発生するため、上記センサ38、
43により振動を検出し、ピエゾ素子36によりフラン
ジ34の歪みや伸び縮みを相殺する粘性力を付加するこ
とは効果的である。逆に、フランジ34に加工部がない
場合は、フランジ34に発生する歪みや伸び縮みが分散
し、ピエゾ素子36を多数または大面積で貼設する必要
があるため、歪みや伸び縮みを集中させるために意図的
に加工部を設けることでピエゾ素子36を小型化したり
貼設枚数を減らすことも可能である。
【0054】なお、投影光学系PLの変位を検出するセ
ンサとしては、上記加速度センサ38や歪みセンサ43
の他に、外部から投影光学系PL(鏡筒33)との間の
距離を計測するレーザ等を用いた反射型光学センサや、
静電容量型センサ、超音波センサ等を用いてもよい。ま
た、アクチュエータとしてもピエゾ素子36に限定され
るものではなく、フランジ34に変位を付加するもので
あれば他の素子を用いてもよい。
【0055】また、上記実施の形態では、投影光学系P
Lを一つの鏡筒定盤7で支持する構成としたが、例え
ば、Z方向に互いに間隔をあけて配置した複数(例えば
二つ)の鏡筒定盤で支持してもよい。この場合、フラン
ジを鏡筒定盤に対応させて複数(例えば二つ)設け、複
数の鏡筒定盤に支持された投影光学系PLの倒れや各フ
ランジに発生する歪み、伸び縮みに応じて各フランジに
適宜ピエゾ素子を貼設すればよい。
【0056】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス用の半導体ウエハWのみならず、液晶ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
【0057】露光装置1としては、レチクルRとウエハ
Wとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。
【0058】露光装置1の種類としては、ウエハWに半
導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用
の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。
【0059】また、露光用照明光の光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.7nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルRを用いる構成としてもよい
し、レチクルRを用いずに直接ウエハ上にパターンを形
成する構成としてもよい。また、YAGレーザや半導体
レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【0060】投影光学系PLの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型
タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。
【0061】ウエハステージ3やレチクルステージ2に
リニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)
を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型お
よびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮
上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ2、3
は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを
設けないガイドレスタイプであってもよい。
【0062】各ステージ2、3の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力により各ステージ2、3を駆動する平面モータを用
いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニット
とのいずれか一方をステージ2、3に接続し、磁石ユニ
ットと電機子ユニットとの他方をステージ2、3の移動
面側(ベース)に設ければよい。
【0063】以上のように、本願実施形態の露光装置1
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0064】半導体デバイスは、図8に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設
計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するス
テップ202、シリコン材料からウエハを製造するステ
ップ203、前述した実施形態の露光装置1によりレチ
クルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ
204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、
ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検
査ステップ206等を経て製造される。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る露
光装置は、検出装置が投影光学系の変位に関する情報を
検出し、駆動装置が検出装置の検出結果に応じて保持部
材に設けられたアクチュエータを駆動する構成となって
いる。これにより、この露光装置では、保持部材の歪み
や伸び縮みに起因する投影光学系の振動を制振できるた
め、投影光学系の振動による位置決め精度の悪化やパタ
ーン投影精度の悪化を未然に防ぐことができ、パターン
の微細化に対応した露光精度を維持できるという優れた
効果を奏する。
【0066】請求項2に係る露光装置は、アクチュエー
タが圧電素子を有する構成となっている。これにより、
この露光装置では、検出装置の検出結果に基づいて圧電
素子を伸縮させて保持部材の歪みや伸び縮みに起因する
投影光学系の振動を制振できるとともに、圧電素子の伸
縮に伴う振動しか発生しないため、投影光学系を直接駆
動するときのように、他の部分に余分な振動を発生させ
ないという効果が得られる。
【0067】請求項3に係る露光装置は、検出装置が投
影光学系と保持部材との少なくとも一方に設けられる構
成となっている。これにより、この露光装置では、投影
光学系の変位に関する情報を投影光学系の振動、または
保持部材の歪みや伸び縮みを介して検出でき、さらに、
双方で情報を検出すれば、より高精度の情報を得られる
という効果を奏する。
【0068】請求項4に係る露光装置は、検出装置が加
速度センサを有する構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、投影光学系に加わる加速度を介して投
影光学系の変位に関する情報を得られるという効果を奏
する。
【0069】請求項5に係る露光装置は、検出装置が歪
みセンサを有する構成となっている。これにより、この
露光装置では、投影光学系に加わる歪みを介して投影光
学系の変位に関する情報を得られるという効果を奏す
る。
【0070】請求項6に係る露光装置は、駆動装置が検
出装置の検出結果をフィルタリングするフィルタ装置を
有する構成となっている。これにより、この露光装置で
は、機械的な共振により増幅された投影光学系の変位の
みを抽出できるという効果を奏する。
【0071】請求項7に係る露光装置は、アクチュエー
タが保持部材の周辺に設けられる構成となっている。こ
れにより、この露光装置では、保持部材の歪みや伸び縮
みが発生しやすい箇所を効果的に抑えることができ、ア
クチュエータを小型にしたり、アクチュエータの数を減
らせるという効果が得られる。
【0072】請求項8に係る露光装置は、アクチュエー
タが保持部材の加工部近傍に設けられる構成となってい
る。これにより、この露光装置では、保持部材の歪みや
伸び縮みが発生しやすい箇所を効果的に抑えることがで
き、アクチュエータを小型にしたり、アクチュエータの
数を減らせるという効果が得られる。
【0073】請求項9に係る露光装置は、マスクステー
ジと基板ステージと投影光学系とが振動的に独立して配
設される構成となっている。これにより、この露光装置
では、マスクステージおよび基板ステージの駆動に起因
する振動が投影光学系に伝わることを防止でき、投影光
学系の振動に起因するパターン転写位置のずれや像ボケ
等の発生を一層効果的に防止して露光精度の向上を図れ
るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、加速度センサ、ピエゾ素子および駆動装置が設けら
れた露光装置の概略構成図である。
【図2】 同露光装置を構成する投影光学系およびフ
ランジの平面図である。
【図3】 駆動装置の構成図である。
【図4】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、ピエゾ素子が貼設されたアダプタ板が取付ネジによ
りフランジに着脱自在に取り付けられた正断面図であ
る。
【図5】 本発明の第3の実施の形態を示す図であっ
て、フランジにピエゾ素子および歪みセンサが取り付け
られた正断面図である。
【図6】 本発明の第4の実施の形態を示す図であっ
て、フランジの一方の面にピエゾ素子および歪みセンサ
が取り付けられ、他方の面にもピエゾ素子が取り付けら
れた正断面図である。
【図7】 本発明の第5の実施の形態を示す図であっ
て、レチクルステージ、ウエハステージおよび投影光学
系が振動的に独立して配設された露光装置の概略構成図
である。
【図8】 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフ
ローチャート図である。
【符号の説明】
PL 投影光学系 R レチクル(マスク) W ウエハ(基板) 1 露光装置 2 レチクルステージ(マスクステージ) 3 ウエハステージ(基板ステージ) 34 フランジ(保持部材) 34a 貫通孔(加工部) 34b 切欠部(加工部) 36、36a、36b ピエゾ素子(アクチュエータ、
圧電素子) 37 駆動装置 38 加速度センサ(検出装置) 39 フィルタ装置 43 歪みセンサ(検出装置)

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクのパターンを基板に露光する露
    光装置において、 前記パターンを前記基板に投影する投影光学系と、 前記投影光学系を保持する保持部材と、 前記投影光学系の変位に関する情報を検出する検出装置
    と、 前記保持部材に設けられたアクチュエータと、 前記検出装置の検出結果に応じて前記アクチュエータを
    駆動する駆動装置と、を備えたことを特徴とする露光装
    置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の露光装置において、 前記アクチュエータは、圧電素子を有していることを特
    徴とする露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の露光装置にお
    いて、 前記検出装置は、前記投影光学系と前記保持部材との少
    なくとも一方に設けられていることを特徴とする露光装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載の露
    光装置において、 前記検出装置は、加速度センサを有していることを特徴
    とする露光装置。
  5. 【請求項5】 請求項1から3のいずれかに記載の露
    光装置において、 前記検出装置は、歪みセンサを有していることを特徴と
    する露光装置。
  6. 【請求項6】 請求項1から5のいずれかに記載の露
    光装置において、 前記駆動装置は、前記検出装置の検出結果をフィルタリ
    ングするフィルタ装置を有していることを特徴とする露
    光装置。
  7. 【請求項7】 請求項1から6のいずれかに記載の露
    光装置において、 前記アクチュエータは、前記保持部材の周辺に設けられ
    ていることを特徴とする露光装置。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の露光装置において、 前記アクチュエータは、前記保持部材に加工が施された
    加工部近傍に設けられていることを特徴とする露光装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項1から8のいずれかに記載の露
    光装置において、 前記マスクを保持して移動するマスクステージと、前記
    基板を保持して移動する基板ステージと前記投影光学系
    とは、互いに振動的に独立して配設されることを特徴と
    する露光装置。
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