JP2006040927A - 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 新たな制振装置を設けることなく、簡単な構造により制振することができる支持装置、ステージ装置、露光装置等を提供する。
【解決手段】 被支持部材120を自重補償しつつ支持する自重補償部と、被支持部材120を重力方向に移動させる電磁アクチュエータ230と、を有する支持装置において、電磁アクチュエータ230は、磁石250と、粗動用電機子241及び粗動用電機子241に対して重力方向に直列に配置された微動用電機子245と、を備える。
【選択図】 図2
【解決手段】 被支持部材120を自重補償しつつ支持する自重補償部と、被支持部材120を重力方向に移動させる電磁アクチュエータ230と、を有する支持装置において、電磁アクチュエータ230は、磁石250と、粗動用電機子241及び粗動用電機子241に対して重力方向に直列に配置された微動用電機子245と、を備える。
【選択図】 図2
Description
本発明は、物体を保持して移動するステージ装置、及びステージ装置を備える露光装置等に関する。
いわゆるスキャンニング・ステッパ等の投影露光装置では、ウエハを保持するテーブルと、テーブルを保持して水平面方向に2次元移動するステージと、このステージを駆動する2軸駆動リニアモータ等を備えたステージ装置が主に用いられている。このステージ装置では、レチクルのパターン像を投影する投影光学系の像面にウエハの表面を正確に合わせ込むために、テーブルとステージとの間にボイスコイルモータ(VCM)等のアクチュエータを配し、このアクチュエータを駆動することにより、ウエハの上下方向の位置及び傾斜角を制御している。
そして、例えば、特開平10−521号公報に記載されているように、テーブルを上下方向以外の方向には移動しないようにする案内部と、テーブルの自重と案内部によって発生する上下方向の力を永久磁石等を使用してキャンセルする自重補償部とを設けて、アクチュエータの負荷を低減させる工夫がなされている。
特開平10−521号公報
そして、例えば、特開平10−521号公報に記載されているように、テーブルを上下方向以外の方向には移動しないようにする案内部と、テーブルの自重と案内部によって発生する上下方向の力を永久磁石等を使用してキャンセルする自重補償部とを設けて、アクチュエータの負荷を低減させる工夫がなされている。
しかしながら、上述した技術では、今後量産化が進むと予測されている1G〜4Gビットクラス(最小線幅で0.2μm以下)の電子デバイスチップを製造する走査型の露光装置(ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置)への適用には必ずしも十分ではない。
すなわち、テーブルとステージとの間に発生する微少振動、特にアクチュエータの分解能よりも小さい振幅の振動を制振するためには、新たな制振装置をテーブルとステージとの間に設ける必要ある。このため、装置が複雑となると共に装置コストが上昇してしまうという問題がある。
すなわち、テーブルとステージとの間に発生する微少振動、特にアクチュエータの分解能よりも小さい振幅の振動を制振するためには、新たな制振装置をテーブルとステージとの間に設ける必要ある。このため、装置が複雑となると共に装置コストが上昇してしまうという問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、新たな制振装置を設けることなく、簡単な構造により制振することができる支持装置、ステージ装置、露光装置等を提供することを目的とする。
本発明に係る支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第1の発明は、被支持部材(120)を自重補償しつつ支持する自重補償部(220)と、被支持部材を重力方向に移動させる電磁アクチュエータ(230)と、を有する支持装置(200)において、電磁アクチュエータは、磁石(250)と、粗動用電機子(241)及び粗動用電機子に対して重力方向に直列に配置された微動用電機子(245)と、を備えるようにした。
この発明によれば、電磁アクチュエータが、粗動用電機子と微動用電機子とを有するにも関わらず、共通の磁石を用いているので、電磁アクチュエータの省スペース化を図りつつ、被支持部材を粗動させたり及び微動させたりすることができる。
第1の発明は、被支持部材(120)を自重補償しつつ支持する自重補償部(220)と、被支持部材を重力方向に移動させる電磁アクチュエータ(230)と、を有する支持装置(200)において、電磁アクチュエータは、磁石(250)と、粗動用電機子(241)及び粗動用電機子に対して重力方向に直列に配置された微動用電機子(245)と、を備えるようにした。
この発明によれば、電磁アクチュエータが、粗動用電機子と微動用電機子とを有するにも関わらず、共通の磁石を用いているので、電磁アクチュエータの省スペース化を図りつつ、被支持部材を粗動させたり及び微動させたりすることができる。
また、磁石(250)と微動用電機子(245)は、被支持部材(120)の振動を抑える推力を発生するものでは、特別な制振装置を用いることなく被支持部材の振動を抑えることが可能となる。
また、被支持部材(120)の重力方向の位置を計測する位置センサ(260)を備え、位置センサの計測結果に基づいて、微動用電機子(245)への流入電流を制御するものでは、容易に被支持部材に発生した振動を制振させる制御系を形成することができる。
また、位置センサ(260)は、静電容量型センサであるものでは、被支持部材に発生した微細な振動を計測することが可能となり、制振性能を向上させることができる。
また、被支持部材(120)の重力方向の位置を計測する位置センサ(260)を備え、位置センサの計測結果に基づいて、微動用電機子(245)への流入電流を制御するものでは、容易に被支持部材に発生した振動を制振させる制御系を形成することができる。
また、位置センサ(260)は、静電容量型センサであるものでは、被支持部材に発生した微細な振動を計測することが可能となり、制振性能を向上させることができる。
第2の発明は、第1部材(130)と、第1部材上に載置されると共に第1部材に対して重力方向に相対移動可能な第2部材(120)と、を有するステージ装置(100)において、第1部材と第2部材との間に、第1の発明の支持装置(200)が配置されるようにした。
この発明によれば、第1部材を第2部材に対して平行移動又は姿勢変更を行った際に、第1部材に発生した微少振動を能動的に制振することができるので、即時に次の動作(処理)に移行することができる。
この発明によれば、第1部材を第2部材に対して平行移動又は姿勢変更を行った際に、第1部材に発生した微少振動を能動的に制振することができるので、即時に次の動作(処理)に移行することができる。
第3の発明は、マスク(R)を保持するマスクステージ(20)と、基板(W)を保持する基板ステージ(100)とを有し、マスク(R)に形成されたパターン(PA)を基板(W)に露光する露光装置(EX)において、マスクステージと基板ステージの少なくとも一方に、第3の発明のステージ装置(100)を用いるようにした。
この発明によれば、マスクのパターンの像を投影する投影光学系の像面に基板を位置決めした際に、基板を載置するステージの微少振動を能動的に制振することができる。
この発明によれば、マスクのパターンの像を投影する投影光学系の像面に基板を位置決めした際に、基板を載置するステージの微少振動を能動的に制振することができる。
第3の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程において第3の発明の露光装置(EX)を用いるようにした。
この発明によれば、効率よく高性能なデバイスを製造することができる。
この発明によれば、効率よく高性能なデバイスを製造することができる。
本発明によれば以下の効果を得ることができる。
支持装置が、被支持部材の微少振動を制振する機能を有するので、特別な制振装置を用いることなく被支持部材の振動を抑えることが可能となる。これにより、装置コストの上昇を抑えることができる。
また、少ない動力で被支持部材の重力方向の位置や姿勢を正確に制御することができるとともに、被支持部材に生じた微少振動を制振することができるので、露光装置においては、ウエハとマスクの相対位置を高精度に位置合わせすることができる。これにより、微細なパターンを有する高性能なデバイスを製造することができる。
支持装置が、被支持部材の微少振動を制振する機能を有するので、特別な制振装置を用いることなく被支持部材の振動を抑えることが可能となる。これにより、装置コストの上昇を抑えることができる。
また、少ない動力で被支持部材の重力方向の位置や姿勢を正確に制御することができるとともに、被支持部材に生じた微少振動を制振することができるので、露光装置においては、ウエハとマスクの相対位置を高精度に位置合わせすることができる。これにより、微細なパターンを有する高性能なデバイスを製造することができる。
以下、本発明の支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図1は、ステージ装置100の構成を示す概念図である。
ステージ装置100は、ウエハWを支持しつつ、XY平面内の2次元移動及びθZ方向(Z軸回りの回転)の微小回転を行うものであって、上面にウエハホルダ101が配置されたZテーブル(被支持部材)120と、Zテーブル120と一体となってXY方向に移動するXYテーブル130と、Zテーブル120とXYテーブル130とを一体としてXY方向及びθZ方向に駆動する駆動部(不図示)を有する。
そして、Zテーブル120とXYテーブル130の間には、3台の支持装置200が配置(図1においては2台のみ図示)されており、これによりZテーブル120はXYテーブル130に対して三点支持される。
支持装置200は、Zテーブル120を水平方向(XY方向、θZ方向)以外の方向(Z方向、θX方向(X軸回りの回転)、及びθY方向(Y軸回りの回転))に誘導する案内部210と、Zテーブル120の自重及び案内部210の弾性力をキャンセルする自重補償部220と、Zテーブル120をZ方向に駆動する電磁アクチュエータ230とから構成される。
図1は、ステージ装置100の構成を示す概念図である。
ステージ装置100は、ウエハWを支持しつつ、XY平面内の2次元移動及びθZ方向(Z軸回りの回転)の微小回転を行うものであって、上面にウエハホルダ101が配置されたZテーブル(被支持部材)120と、Zテーブル120と一体となってXY方向に移動するXYテーブル130と、Zテーブル120とXYテーブル130とを一体としてXY方向及びθZ方向に駆動する駆動部(不図示)を有する。
そして、Zテーブル120とXYテーブル130の間には、3台の支持装置200が配置(図1においては2台のみ図示)されており、これによりZテーブル120はXYテーブル130に対して三点支持される。
支持装置200は、Zテーブル120を水平方向(XY方向、θZ方向)以外の方向(Z方向、θX方向(X軸回りの回転)、及びθY方向(Y軸回りの回転))に誘導する案内部210と、Zテーブル120の自重及び案内部210の弾性力をキャンセルする自重補償部220と、Zテーブル120をZ方向に駆動する電磁アクチュエータ230とから構成される。
案内部210は、3枚の板バネ211(図1においては2枚のみ図示)から構成される。板バネ211は、それぞれ1枚の長方形の薄いバネ用金属板(例えばステンレスなど)で形成される。
そして、XYテーブル130の周辺部に120°間隔で設けられた3つの支柱133の第1取付面134にネジ止めされるとともに、Zテーブル120の下面にネジ止めされる。すなわち、板バネ211は、Zテーブル120とXYテーブル130とを連結する役目を有している。
そして、3枚の板バネ211を水平方向(XY方向)に略平行に設置することにより、案内部210は、水平方向(XY方向、θZ方向)に高い剛性を有し、一方、水平方向以外の方向(Z方向、θX方向、及びθY方向)に低い剛性を有する。
そして、XYテーブル130の周辺部に120°間隔で設けられた3つの支柱133の第1取付面134にネジ止めされるとともに、Zテーブル120の下面にネジ止めされる。すなわち、板バネ211は、Zテーブル120とXYテーブル130とを連結する役目を有している。
そして、3枚の板バネ211を水平方向(XY方向)に略平行に設置することにより、案内部210は、水平方向(XY方向、θZ方向)に高い剛性を有し、一方、水平方向以外の方向(Z方向、θX方向、及びθY方向)に低い剛性を有する。
自重補償部220は、永久磁石の吸引力を利用して、Zテーブル120の自重及びZテーブル120のZ方向等への移動に伴って発生する案内部210の弾性力をキャンセルするものである。
3つの支柱133の上端に設けられた第2取付面135には、不図示のヨークを介して永久磁石226(コバルト系、ニッケル系、又はネオジウム鉄ボロン系など)が取り付けられる。
一方、Zテーブル120から突き出た突起部121の上面には永久磁石225が不図示のヨークを介して取り付けられている。永久磁石225は、上述の永久磁石226と所定の間隔を空けて向かい合い、Z方向に吸引力が発生するように配置される。そして、永久磁石225と永久磁石226による吸引力が、Zテーブル120の自重及び案内部210(板バネ211)の弾性力とつりあうように、永久磁石225,226の形状が調整されている。このようにして、Zテーブル120の自重及び案内部210の弾性力がキャンセルされている。
3つの支柱133の上端に設けられた第2取付面135には、不図示のヨークを介して永久磁石226(コバルト系、ニッケル系、又はネオジウム鉄ボロン系など)が取り付けられる。
一方、Zテーブル120から突き出た突起部121の上面には永久磁石225が不図示のヨークを介して取り付けられている。永久磁石225は、上述の永久磁石226と所定の間隔を空けて向かい合い、Z方向に吸引力が発生するように配置される。そして、永久磁石225と永久磁石226による吸引力が、Zテーブル120の自重及び案内部210(板バネ211)の弾性力とつりあうように、永久磁石225,226の形状が調整されている。このようにして、Zテーブル120の自重及び案内部210の弾性力がキャンセルされている。
電磁アクチュエータ230は、いわゆるボイスコイルモータ(VCM)であって、電機子240と磁石部250とから構成される。固定子としての電機子240はXYテーブル130に配置され、一方、可動子としての磁石部250はZテーブル120に配置される。そして、電機子240に流す電流を調節することにより、Zテーブル120にZ方向の推力(駆動力)を与えて、Z方向位置制御を行うことが可能となっている。
なお、Zテーブル120のZ方向の位置(XYテーブル130に対する相対位置)は、支持装置200の近傍に配置された3つの位置センサ260(例えば、静電容量センサ)により計測される。
また、電磁アクチュエータ230は、自重補償部220によりZテーブル120の自重及び案内部210の弾性力がキャンセルされているため、その駆動力によりZテーブル120の自重等を支える必要がない。すなわち、電機子240には、Zテーブル120の自重を支えるために常に大きな電流を流しておく必要がないため、電機子240が発熱し、更にその熱がZテーブル120伝わって、位置精度等に悪影響を及ぼすという問題の発生が回避されている。したがって、少ない電力によりZテーブル120に駆動力を与えることができるという特徴を有する。
なお、Zテーブル120のZ方向の位置(XYテーブル130に対する相対位置)は、支持装置200の近傍に配置された3つの位置センサ260(例えば、静電容量センサ)により計測される。
また、電磁アクチュエータ230は、自重補償部220によりZテーブル120の自重及び案内部210の弾性力がキャンセルされているため、その駆動力によりZテーブル120の自重等を支える必要がない。すなわち、電機子240には、Zテーブル120の自重を支えるために常に大きな電流を流しておく必要がないため、電機子240が発熱し、更にその熱がZテーブル120伝わって、位置精度等に悪影響を及ぼすという問題の発生が回避されている。したがって、少ない電力によりZテーブル120に駆動力を与えることができるという特徴を有する。
図2は、電磁アクチュエータ230の断面図である。
電磁アクチュエータ230の電機子240は、XYテーブル130の周辺部に120°間隔で3つ載置される。固定子としての電機子240は、粗動用電機子241と微動用電機子245とからなり、粗動用電機子241と微動用電機子245とがZ方向に積み重ねられて(直列に)形成される。
粗動用電機子241は、Z方向に沿って直列に配置された2つの同一形状のコイル242,243から構成される。なお、コイル242に流れる電流とコイル243に流れる電流とは、常に相反する方向に流れるようになっている。
微動用電機子245は、コイル242,243に比べて巻数の少ないコイル246からなり、コイル243の下方に重なるように(Z方向に沿って直列に)配置される。
電磁アクチュエータ230の電機子240は、XYテーブル130の周辺部に120°間隔で3つ載置される。固定子としての電機子240は、粗動用電機子241と微動用電機子245とからなり、粗動用電機子241と微動用電機子245とがZ方向に積み重ねられて(直列に)形成される。
粗動用電機子241は、Z方向に沿って直列に配置された2つの同一形状のコイル242,243から構成される。なお、コイル242に流れる電流とコイル243に流れる電流とは、常に相反する方向に流れるようになっている。
微動用電機子245は、コイル242,243に比べて巻数の少ないコイル246からなり、コイル243の下方に重なるように(Z方向に沿って直列に)配置される。
電磁アクチュエータ230の可動子としての磁石部250は、Zテーブル120の下面に固定されたハウジング251内に配置される。ハウジング251は、円筒形の部材であって、電機子240がその内部に収容される。
ハウジング251の内壁には、複数の永久磁石252,253(コバルト系、ニッケル系、又はネオジウム鉄ボロン系など)が不図示のヨークを介して配置される。また、永久磁石252,253は、電機子240と対向するように配置される。具体的には、永久磁石252のN極が粗動用電機子241のコイル242に、永久磁石253のS極が粗動用電機子241のコイル242と微動用電機子245のコイル246に対向する。
更に、ハウジング251の底面(Zテーブル120の下面側)の中央部には、円柱形に形成された永久磁石255が立設される。永久磁石255は、N極とS極がその軸方向(Z方向)に交互に配置され、S極がコイル242に、N極がコイル243とコイル246に対向する。
このため、図2に示すように、磁場(点線)が電機子241,245を横切るように発生している。この磁場の強度は永久磁石252,253,255自体を強くしたりヨークの厚みを変えたりして変更する。
そして、コイル242,243及びコイル246に電流を流すことにより、Z方向のローレンツ力が発生し、可動子である磁石部250とともにZテーブル120が上下(Z方向)移動可能となっている。
ハウジング251の内壁には、複数の永久磁石252,253(コバルト系、ニッケル系、又はネオジウム鉄ボロン系など)が不図示のヨークを介して配置される。また、永久磁石252,253は、電機子240と対向するように配置される。具体的には、永久磁石252のN極が粗動用電機子241のコイル242に、永久磁石253のS極が粗動用電機子241のコイル242と微動用電機子245のコイル246に対向する。
更に、ハウジング251の底面(Zテーブル120の下面側)の中央部には、円柱形に形成された永久磁石255が立設される。永久磁石255は、N極とS極がその軸方向(Z方向)に交互に配置され、S極がコイル242に、N極がコイル243とコイル246に対向する。
このため、図2に示すように、磁場(点線)が電機子241,245を横切るように発生している。この磁場の強度は永久磁石252,253,255自体を強くしたりヨークの厚みを変えたりして変更する。
そして、コイル242,243及びコイル246に電流を流すことにより、Z方向のローレンツ力が発生し、可動子である磁石部250とともにZテーブル120が上下(Z方向)移動可能となっている。
上述したように、電磁アクチュエータ230は、1つの磁石部250に対して、粗動用電機子241と微動用電機子245を有する。微動用電機子245がZテーブル120に小さな駆動力を与えることを目的としているためである。すなわち、小さな駆動力を発生させるために、コイル246の巻数を少な目にしており、またコイル246を横切る磁場も弱くなるように配置している。つまり、コイル246をコイル243の下方に重ねるように配置して、磁石部250が発生する磁場の一部を利用するようにして、専用の磁石を不要としている。
このように、電磁アクチュエータ230は、従来と同様に、磁石部250と粗動用電機子241によりZテーブル120に比較的大きな駆動力を与えてZ方向に移動させることができる。これに加えて、磁石部250と微動用電機子245によりZテーブル120に比較的小さな駆動力を与えてZ方向に微動させることが可能となっている。
なお、各支持装置200において、自重補償部220で発生する力(磁気吸引力)、電磁アクチュエータ230の粗動用電機子241によって発生する駆動力、及び電磁アクチュエータ230の微動用電機子245によって発生する駆動力は、全て略同一の位置でZテーブル120に作用するように構成されている。つまり、各支持装置200における前記3つの力の作用点は、同一のZ軸上に位置するようになっている。
このように、電磁アクチュエータ230は、従来と同様に、磁石部250と粗動用電機子241によりZテーブル120に比較的大きな駆動力を与えてZ方向に移動させることができる。これに加えて、磁石部250と微動用電機子245によりZテーブル120に比較的小さな駆動力を与えてZ方向に微動させることが可能となっている。
なお、各支持装置200において、自重補償部220で発生する力(磁気吸引力)、電磁アクチュエータ230の粗動用電機子241によって発生する駆動力、及び電磁アクチュエータ230の微動用電機子245によって発生する駆動力は、全て略同一の位置でZテーブル120に作用するように構成されている。つまり、各支持装置200における前記3つの力の作用点は、同一のZ軸上に位置するようになっている。
次に、上述したステージ装置100を用いた露光装置EXについて、図を参照して説明する。
図3は、露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図である。
露光装置EXは、レチクル(マスク)Rとウエハ(基板)Wとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルRに形成されたパターンPAを投影光学系30を介してウエハW上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャンニング・ステッパである。
そして、露光装置EXは、露光光ELによりレチクルRを照明する照明光学系10、レチクルRを保持するレチクルステージ20、レチクルRから射出される露光光ELをウエハW上に投射する投影光学系30、ウエハWを保持するウエハステージ100、露光装置EXを統括的に制御する制御装置50等を備える。
なお、以下の説明において、投影光学系30の光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でレチクルRとウエハWとの同期移動方向(走査方向)をY軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をX軸方向とする。更に、X軸、Y軸、及びZ軸まわり方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
図3は、露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図である。
露光装置EXは、レチクル(マスク)Rとウエハ(基板)Wとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルRに形成されたパターンPAを投影光学系30を介してウエハW上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャンニング・ステッパである。
そして、露光装置EXは、露光光ELによりレチクルRを照明する照明光学系10、レチクルRを保持するレチクルステージ20、レチクルRから射出される露光光ELをウエハW上に投射する投影光学系30、ウエハWを保持するウエハステージ100、露光装置EXを統括的に制御する制御装置50等を備える。
なお、以下の説明において、投影光学系30の光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でレチクルRとウエハWとの同期移動方向(走査方向)をY軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をX軸方向とする。更に、X軸、Y軸、及びZ軸まわり方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
照明光学系10は、レチクルステージ20に支持されているレチクルRを露光光ELで照明するものであり、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるレチクルR上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等(いずれ不図示)を有している。
照明光学系10から射出される露光光ELとしては、水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、F2レーザ光(波長157nm)等の紫外光が用いられる。
そして、光源5から射出されたレーザビームは、照明光学系10に入射され、レーザビームの断面形状がスリット状又は矩形状(多角形)に整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光(露光光)ELとなってレチクルR上に照射される。
照明光学系10から射出される露光光ELとしては、水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、F2レーザ光(波長157nm)等の紫外光が用いられる。
そして、光源5から射出されたレーザビームは、照明光学系10に入射され、レーザビームの断面形状がスリット状又は矩形状(多角形)に整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光(露光光)ELとなってレチクルR上に照射される。
レチクルステージ(マスクステージ)20は、レチクルRを支持しつつ、投影光学系30の光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内の2次元移動及びθZ方向の微小回転を行うものであって、レチクルRを保持するレチクル微動ステージ21と、レチクル微動ステージ21と一体に走査方向であるY軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージ22と、これらを移動させるリニアモータ等(不図示)を備える。そして、レチクル微動ステージ21には、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルが真空吸着等により保持される。
レチクルステージ20上には移動鏡23が設けられ。また、移動鏡23に対向する位置にはレーザ干渉計24が設けられる。そして、レチクルステージ20上のレチクルRの2次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計24によりリアルタイムで計測され、その計測結果は制御装置50に出力される。そして、制御装置50がレーザ干渉計24の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、レチクルステージ20に支持されているレチクルRの位置決め等が行われる。
レチクルステージ20上には移動鏡23が設けられ。また、移動鏡23に対向する位置にはレーザ干渉計24が設けられる。そして、レチクルステージ20上のレチクルRの2次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計24によりリアルタイムで計測され、その計測結果は制御装置50に出力される。そして、制御装置50がレーザ干渉計24の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、レチクルステージ20に支持されているレチクルRの位置決め等が行われる。
投影光学系30は、レチクルRのパターンPAを所定の投影倍率βでウエハWに投影露光するものであって、ウエハW側の先端(下端)部に設けられた光学素子32を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒31で支持される。本実施形態において、投影光学系30は、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。なお、投影光学系30は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。
ウエハステージ(基板ステージ)100は、ウエハWを支持しつつ、XY平面内の2次元移動及びθZ方向の微小回転を行うものであり、上述したステージ装置100が用いられる。
すなわち、ウエハステージ100は、ウエハWを保持するウエハホルダ101、ウエハホルダ101をZ軸方向、θX方向、及びθY方向の3自由度方向に微小駆動するZテーブル(第2部材)120、Zテーブル120と一体となってY軸方向に連続移動するとともにX軸方向にステップ移動するXYテーブル(第1部材)130、XYテーブル130をXY平面内で移動可能に支持するウエハ定盤140、Zテーブル120及びXYテーブル130とを一体として平行移動させるリニアモータ等からなる駆動部(不図示)等を備える。
なお、Zテーブル120とXYテーブル130との間には、支持装置200が配置されており(図3においては不図示)、Zテーブル120をZ方向に移動させて、ウエハWのレベリング及びフォーカシングを行うようになっている。
また、Zテーブル120上には移動鏡107が設けられ、これに対向する位置にはレーザ干渉計108が設けられる。ウエハステージ100上のウエハWの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計108によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置50に出力される。そして、制御装置50がレーザ干渉計108の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することでウエハステージ100に支持されているウエハWの位置決めを行う。
また、XYテーブル130の底面には、非接触ベアリングである複数のエアパッド105が固定されており、これらのエアパッド105によってXYテーブル130がウエハ定盤140上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持される。
すなわち、ウエハステージ100は、ウエハWを保持するウエハホルダ101、ウエハホルダ101をZ軸方向、θX方向、及びθY方向の3自由度方向に微小駆動するZテーブル(第2部材)120、Zテーブル120と一体となってY軸方向に連続移動するとともにX軸方向にステップ移動するXYテーブル(第1部材)130、XYテーブル130をXY平面内で移動可能に支持するウエハ定盤140、Zテーブル120及びXYテーブル130とを一体として平行移動させるリニアモータ等からなる駆動部(不図示)等を備える。
なお、Zテーブル120とXYテーブル130との間には、支持装置200が配置されており(図3においては不図示)、Zテーブル120をZ方向に移動させて、ウエハWのレベリング及びフォーカシングを行うようになっている。
また、Zテーブル120上には移動鏡107が設けられ、これに対向する位置にはレーザ干渉計108が設けられる。ウエハステージ100上のウエハWの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計108によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置50に出力される。そして、制御装置50がレーザ干渉計108の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することでウエハステージ100に支持されているウエハWの位置決めを行う。
また、XYテーブル130の底面には、非接触ベアリングである複数のエアパッド105が固定されており、これらのエアパッド105によってXYテーブル130がウエハ定盤140上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持される。
制御装置50は、露光装置EXを統括的に制御するものであり、各種演算及び制御を行う演算部の他、各種情報を記録する記憶部や入出力部等を備える。
そして、例えば、レーザ干渉計24,108の検出結果に基づいてレチクルR及びウエハWの位置を制御して、レチクルRに形成されたパターンPAの像をウエハW上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。
そして、例えば、レーザ干渉計24,108の検出結果に基づいてレチクルR及びウエハWの位置を制御して、レチクルRに形成されたパターンPAの像をウエハW上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。
続いて、上述した露光装置EXを用いてレチクルRのパターンPAの像をウエハWに露光する方法について説明する。
まず、レチクルRがレチクルステージ20にロードされるとともに、ウエハWがウエハステージ100にロードされる。続いて、各種の露光条件が設定された後に、制御装置50の管理の下で、レチクル顕微鏡及びオフアクシス・アライメントセンサ等(ともに不図示)を用いたレチクルアライメント、アライメントセンサのベースライン計測等の所定の準備作業が行われる。その後、アライメントセンサを用いたウエハWのファインアライメント(エンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)等)が終了し、ウエハW上の複数のショット領域の配列座標が求められる。
ウエハWの露光のための準備作業が終了すると、制御装置50は、アライメント結果に基づいてウエハW側のレーザ干渉計108の計測値をモニタしつつ、ウエハWのファーストショット(第1番目のショット領域)の露光のための加速開始位置(走査開始位置)にウエハステージ100を移動させる。
次いで、制御装置50は、レチクルステージ20及びウエハステージ100とのY軸方向の走査を開始させ、レチクルステージ20、ウエハステージ100がそれぞれの目標走査速度に達すると、露光光ELによってレチクルRのパターン領域が照射され、走査露光が開始される。
そして、レチクルRのパターン領域の異なる領域が露光光ELで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハW上のファーストショット領域に対する走査露光が終了する。これにより、レチクルRのパターンPAが投影光学系30介してウエハW上のファーストショット領域のレジスト層に縮小転写される。
このファーストショット領域に対する走査露光が終了すると、制御装置50は、ウエハステージ100をX,Y軸方向にステップ移動させて、セカンドショット領域の露光のための加速開始位置に移動させる。すなわち、ショット間ステッピング動作が行われる。そして、セカンドショット領域に対して上述したような走査露光を行う。
このようにして、ウエハWのショット領域の走査露光と次ショット領域の露光のためのステッピング動作とが繰り返し行われて、ウエハW上の全ての露光対象ショット領域にレチクルRのパターンPAが順次転写される。
そして、このような処理を繰り返し行うことにより、複数のウエハWの露光が行われる。
まず、レチクルRがレチクルステージ20にロードされるとともに、ウエハWがウエハステージ100にロードされる。続いて、各種の露光条件が設定された後に、制御装置50の管理の下で、レチクル顕微鏡及びオフアクシス・アライメントセンサ等(ともに不図示)を用いたレチクルアライメント、アライメントセンサのベースライン計測等の所定の準備作業が行われる。その後、アライメントセンサを用いたウエハWのファインアライメント(エンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)等)が終了し、ウエハW上の複数のショット領域の配列座標が求められる。
ウエハWの露光のための準備作業が終了すると、制御装置50は、アライメント結果に基づいてウエハW側のレーザ干渉計108の計測値をモニタしつつ、ウエハWのファーストショット(第1番目のショット領域)の露光のための加速開始位置(走査開始位置)にウエハステージ100を移動させる。
次いで、制御装置50は、レチクルステージ20及びウエハステージ100とのY軸方向の走査を開始させ、レチクルステージ20、ウエハステージ100がそれぞれの目標走査速度に達すると、露光光ELによってレチクルRのパターン領域が照射され、走査露光が開始される。
そして、レチクルRのパターン領域の異なる領域が露光光ELで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハW上のファーストショット領域に対する走査露光が終了する。これにより、レチクルRのパターンPAが投影光学系30介してウエハW上のファーストショット領域のレジスト層に縮小転写される。
このファーストショット領域に対する走査露光が終了すると、制御装置50は、ウエハステージ100をX,Y軸方向にステップ移動させて、セカンドショット領域の露光のための加速開始位置に移動させる。すなわち、ショット間ステッピング動作が行われる。そして、セカンドショット領域に対して上述したような走査露光を行う。
このようにして、ウエハWのショット領域の走査露光と次ショット領域の露光のためのステッピング動作とが繰り返し行われて、ウエハW上の全ての露光対象ショット領域にレチクルRのパターンPAが順次転写される。
そして、このような処理を繰り返し行うことにより、複数のウエハWの露光が行われる。
上述した露光処理において、ウエハステージ100は、ウエハWのZ方向の位置と姿勢(傾斜角)を制御して、ウエハWの表面を投影光学系30の像面に合わせ込む必要がある。
このため、制御装置50は、不図示のオートフォーカスセンサによりウエハWのZ方向の位置、姿勢を計測し、その計測結果に基づいて、Zテーブル120とXYテーブル130の間に配置した3つの支持装置200を駆動する。具体的には、各支持装置200の電磁アクチュエータ230の粗動用電機子241に電流を流すことにより、Zテーブル120にZ方向の駆動力を付加して、Zテーブル120をZ方向の所定位置に移動、停止させる。これにより、ウエハWの表面を投影光学系30の像面に合わせ込むことができる。
しかしながら、Zテーブル120をZ方向の移動させたことにより、Zテーブル120に微少振動が残ってしまう場合が少なくない。
そこで、Zテーブル120を所定位置に停止させた後に、位置センサ260によりZテーブル120の振動を検出する。位置センサ260には分解能に優れた静電容量型センサが用いられているので、Zテーブル120の微少振動を計測することができる。制御装置50は、この検出結果に基づいて、電磁アクチュエータ230の微動用電機子245に電流を流す。具体的には、微少振動を打ち消すように駆動力を与えて、Zテーブル120を能動的に制振する。
これにより、迅速にZテーブル120の微少振動を抑えられるので、微少振動が収まるまで露光処理(露光光の投射)を停止する(待つ)必要がなくなり、露光処理時間の短縮及びスループットの向上が図られる。
なお、微動用電機子245の駆動方法は、これに限定されるものではない。位置センサ206の検出値や粗動用電機子241の駆動量(駆動力)等に応じて、フィードバック制御やフィードフォワード制御等を単独又は組み合わせて用いるようにしてもよい。
このため、制御装置50は、不図示のオートフォーカスセンサによりウエハWのZ方向の位置、姿勢を計測し、その計測結果に基づいて、Zテーブル120とXYテーブル130の間に配置した3つの支持装置200を駆動する。具体的には、各支持装置200の電磁アクチュエータ230の粗動用電機子241に電流を流すことにより、Zテーブル120にZ方向の駆動力を付加して、Zテーブル120をZ方向の所定位置に移動、停止させる。これにより、ウエハWの表面を投影光学系30の像面に合わせ込むことができる。
しかしながら、Zテーブル120をZ方向の移動させたことにより、Zテーブル120に微少振動が残ってしまう場合が少なくない。
そこで、Zテーブル120を所定位置に停止させた後に、位置センサ260によりZテーブル120の振動を検出する。位置センサ260には分解能に優れた静電容量型センサが用いられているので、Zテーブル120の微少振動を計測することができる。制御装置50は、この検出結果に基づいて、電磁アクチュエータ230の微動用電機子245に電流を流す。具体的には、微少振動を打ち消すように駆動力を与えて、Zテーブル120を能動的に制振する。
これにより、迅速にZテーブル120の微少振動を抑えられるので、微少振動が収まるまで露光処理(露光光の投射)を停止する(待つ)必要がなくなり、露光処理時間の短縮及びスループットの向上が図られる。
なお、微動用電機子245の駆動方法は、これに限定されるものではない。位置センサ206の検出値や粗動用電機子241の駆動量(駆動力)等に応じて、フィードバック制御やフィードフォワード制御等を単独又は組み合わせて用いるようにしてもよい。
以上、説明したように、Zテーブル120を自重補償しつつ支持する自重補償部220と、Zテーブル120をZ方向に移動させる電磁アクチュエータ230とを有する支持装置200において、電磁アクチュエータ230が磁石部250と、粗動用電機子241及び粗動用電機子241に対して重力方向(Z方向)に直列に配置された微動用電機子245とを備えるようにしたので、特別な制振装置を設けることなく、Zテーブル120を制振することができる。
特に、巻数の少ないコイル246により微動用電機子245を形成することができ、更に、コイル246を既存の磁石部250が発生させる磁場内に配置するだけなので、設備コストを殆ど上昇させずに、上述したような効果を得ることができる。
特に、巻数の少ないコイル246により微動用電機子245を形成することができ、更に、コイル246を既存の磁石部250が発生させる磁場内に配置するだけなので、設備コストを殆ど上昇させずに、上述したような効果を得ることができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
上述した実施の形態では、3台の支持装置200をZテーブル120とXYテーブル130の間に配置した場合について説明したが、1台や2台の支持装置200で被支持部材を支持する場合の他、4台以上の支持装置200で被支持部材を支持してもよい。
また、上述した実施形態とは異なり、電機子240をZテーブル120に、磁石部250をXYテーブル130に固定してもよいことは、勿論である。
自重補償部220として、永久磁石の吸引力を用いる場合について説明したが、永久磁石の反発力を用いる場合の他、電磁石を用いる場合、圧縮流体(高圧ガス)を用いたものであってもよい。
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報等に開示されているように、ウエハ等の被処理基板を別々に載置してXY方向に独立に移動可能な2つのステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
また、上述の実施形態においては、投影光学系とウエハとの間が気体(空気や窒素)で満たされている露光装置について説明しているが、液浸式の露光装置に本発明を適用することができる。
また、前述した実施形態ではステップ・アンド・リピート方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも本発明を適用することができる。更に、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子(LCD)等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ上へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
レチクルステージ20の移動により発生する反力は、投影光学系30に伝わらないように、特開平8−330224号公報(対応USP5,874,820)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
また、ウエハステージ100の移動により発生する反力は、投影光学系30に伝わらないように、特開平8−166475号公報(対応USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。その場合、電磁アクチュエータ230によって発生するZ方向の反力が、ウエハステージ100を介して投影光学系30に伝わらないような機構を設けてもよい。
また、ウエハステージ100の移動により発生する反力は、投影光学系30に伝わらないように、特開平8−166475号公報(対応USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。その場合、電磁アクチュエータ230によって発生するZ方向の反力が、ウエハステージ100を介して投影光学系30に伝わらないような機構を設けてもよい。
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図4は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図5は、半導体デバイスの場合におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
20 レチクルステージ(マスクステージ)
100 ステージ装置、ウエハステージ(基板ステージ)
120 Zテーブル(被支持部材、第2部材)
130 XYテーブル(第1部材)
200 支持装置
220 自重補償部
230 電磁アクチュエータ
241 粗動用電機子
245 微動用電機子
250 磁石部
260 位置センサ
EX 露光装置
PA パターン
R レチクル(マスク)
W ウエハ(基板)
100 ステージ装置、ウエハステージ(基板ステージ)
120 Zテーブル(被支持部材、第2部材)
130 XYテーブル(第1部材)
200 支持装置
220 自重補償部
230 電磁アクチュエータ
241 粗動用電機子
245 微動用電機子
250 磁石部
260 位置センサ
EX 露光装置
PA パターン
R レチクル(マスク)
W ウエハ(基板)
Claims (7)
- 被支持部材を自重補償しつつ支持する自重補償部と、前記被支持部材を重力方向に移動させる電磁アクチュエータと、を有する支持装置において、
前記電磁アクチュエータは、磁石と、粗動用電機子及び前記粗動用電機子に対して重力方向に直列に配置された微動用電機子と、
を備えることを特徴とする支持装置。 - 前記磁石と前記微動用電機子は、前記被支持部材の振動を抑える推力を発生することを特徴とする請求項1に記載の支持装置。
- 前記被支持部材の重力方向の位置を計測する位置センサを備え、
前記位置センサの計測結果に基づいて、前記微動用電機子への流入電流を制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の支持装置。 - 前記位置センサは、静電容量型センサであることを特徴とする請求項3に記載の支持装置。
- 第1部材と、前記第1部材上に載置されると共に前記第1部材に対して重力方向に相対移動可能な第2部材と、を有するステージ装置において、
前記第1部材と前記第2部材との間に、請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の支持装置が配置されることを特徴とするステージ装置。 - マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、請求項5に記載のステージ装置を用いることを特徴とする露光装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において請求項6に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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