JP2004071978A - 露光装置の管理方法、マスクの管理方法、露光方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
露光装置の管理方法、マスクの管理方法、露光方法、および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】複数台の露光装置1について、各露光装置1を用いて転写される各露光パターンの各露光装置1間における寸法差が所定の許容範囲内に収まる露光装置1を、露光領域16全体のうちの所定の露光領域ごとに1台ないしは複数台選び出す。選び出された露光装置1を、各露光領域ごとにそれぞれ一群として群分けし、各群ごとに管理する。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一連の半導体装置の製造プロセスにおけるリソグラフィ工程に係り、特にマスクパターンを転写する露光工程に用いられる露光装置の管理方法、マスクの管理方法、露光方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、リソグラフィ工程においては、複数台の露光装置を用いて露光作業が行われる。露光装置には、理想的には複数台の装置間においても同一の露光特性を持たせるべきであるが、現実には装置間差が生じる。このため、同一仕様の露光装置を用いて露光作業を行った場合であっても、パターンの出来上がりに違いが生じる。
【0003】
その代表的な例が、投影露光時に発生するディストーションである。ディストーションが発生すると、露光領域内の基準格子座標と実露光座標との間にずれが生じる。そのずれの量は、一般に20〜30nm程度であるが、ディストーションの量やその方向は露光装置間で個々に異なる。このため、例えば重ね合わせ露光を行う場合、露光領域中心において合わせずれ量を0にできたとしても、露光領域内全体では重ね合わせ誤差が生じてしまう場合が殆どである。
【0004】
このような複数台の露光装置を用いて露光作業を行う場合に発生するディストーション問題を解決するために、例えば次に述べる方法が試みられている。複数台の露光装置のそれぞれのディストーション量を各装置間で比較して、それらのディストーション差が所定の許容範囲内に収まる露光装置を一群とする露光装置群を構成するように、各露光装置を予め群分けする。そして、パターニング工程においては、所望の許容値を満足する露光装置郡内の露光装置を使用して露光作業を行う。このような露光方法の代表例として、特許第3104636号公報にその詳細が述べられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
複数台の露光装置を用いる場合、各装置間のディストーション差による合わせずれに関する問題は、露光装置の性能向上や制御方法の向上などで次第に改善されつつある。ところが、複数台の露光装置間においてレジストパターンの寸法誤差が生じる原因は、各装置間のディストーション差による合わせずれだけではなく、他にも各種存在することが近年明らかになってきた。
【0006】
例えば、レジストパターンの微細化に伴い、露光装置の光学系の解像理論限界値と実際に形成されるパターン寸法値との間に差が殆どなくなり、光学系の僅かな誤差がパターンの寸法精度に大きな影響を及ぼすようになってきた。また、微細な寸法からなるレジストパターンを形成するために、要求されるパターン自体の精度も高い精度が必要になってきた。具体的には、例えば線幅が110〜130nm程度のレジストパターンを形成する場合、露光領域内における誤差が10nm程度以下となる寸法精度が必要であるが、この精度を満たすのは大変難しい。これは、レチクル(マスク)に形成されているマスクパターンの線幅に製造上の誤差が含まれていることが主な原因である。ただし、たとえ誤差を含んでいない理想的なマスクパターンが形成されたマスクをそのまま露光装置に装填して露光しても、露光装置自体が有する転写誤差のために、前述した寸法精度を確保することは殆ど不可能である。
【0007】
つまり、レジストパターンの寸法の変動は、露光装置が理想的な状態からの誤差を含んでいることから生じる。露光領域内において、照明σ、NA、照度、非点収差、あるいは球面収差などの寸法誤差要因が変化すると、形成されるレジストパターンの寸法も変化する。これら各寸法誤差要因は、レジストパターンの寸法変動に対して互いに独立に影響することもあれば、相互作用を及ぼしつつ影響することもある。また、半導体製造装置の露光装置は、その光学系の解像限界までパターン転写が可能なように予め設計および調整が為されているので、前記各寸法誤差要因の変化量はごく僅かである。したがって、寸法誤差要因自体をさらに小さくしたり、あるいはウェーハ(レジスト膜)の表面内でのレジストパターンの寸法変動を一定に保持したりするのは大変困難である。
【0008】
また、レジストパターンの寸法誤差が許容範囲を越えると、半導体装置の内部に組み込まれる各種の微細な半導体素子などを適正な状態で形成することが困難になる。ひいては、半導体装置全体の品質や歩留まりが低下するおそれがある。
【0009】
本発明は、以上説明したような課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、複数台の露光装置を用いて露光作業を行う場合に、各露光装置が有する転写誤差の精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、露光作業を高い精度で効率よく行うことができる露光装置の管理方法を提供することにある。また、複数枚のマスクを用いて露光作業を行う場合に、各マスクに形成される各マスクパターンの寸法精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、露光作業を高い精度で効率よく行うことができるマスクの管理方法を提供することにある。また、複数台の露光装置および複数枚のマスクを用いて露光作業を行う場合に、各露光装置が有する転写誤差の精度や、各マスクに形成されるマスクパターンの寸法精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、各マスクパターンを高い精度で効率よく転写することができる露光方法を提供することにある。さらに、この露光方法により転写されるマスクパターンに基づいて、半導体装置の内部に組み込まれる各種の微細な半導体素子などを高い精度で効率よく形成して、高品質な半導体装置を効率よく製造できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明に係る露光装置の管理方法は、複数台の露光装置について、これら各露光装置を用いて転写されるそれぞれの露光パターンの前記各露光装置間における寸法差が、前記各露光パターンが転写される露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置を群分けして管理することを特徴とするものである。
【0011】
この露光装置の管理方法においては、複数台の露光装置を用いて転写されるそれぞれの露光パターンの各露光装置間における寸法差が、露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、所定の露光領域ごとに複数台の露光装置の中から1台ないしは複数台選択し、群分けして管理する。これにより、複数台の露光装置を用いて露光作業を行う際に、各露光パターンの各露光装置間における寸法差が許容範囲内に収まる露光装置を、所定の露光領域ごとに予め群分けされて管理されている露光装置群の中から容易かつ迅速に選んで、露光パターンを適正な精度で転写することができる。
【0012】
また、前記課題を解決するために、本発明に係るマスクの管理方法は、少なくとも1台の露光装置とともに用いられる複数枚のマスクについて、これら各マスクに形成されている各マスクパターンに基づいて転写されるそれぞれの露光パターンの前記各マスク間における寸法差が、前記各露光パターンが転写される露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まるマスクを、前記所定の露光領域ごとに前記各マスクの中から1枚ないしは複数枚選択し、これらの選択されたマスクを一群として前記各マスクを群分けして管理することを特徴とするものである。
【0013】
このマスクの管理方法においては、転写される露光パターンの各マスク間における寸法差が露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まるマスクを、所定の露光領域ごとに複数枚のマスクの中から1枚ないしは複数枚選択し、群分けして管理する。これにより、複数枚のマスクを用いて露光作業を行う際に、各露光パターンの各マスク間における寸法差が許容範囲内に収まるマスクを、所定の露光領域ごとに予め群分けされて管理されているマスク群の中から容易かつ迅速に選んで、露光パターンを適正な精度で転写することができる。
【0014】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る露光方法は、複数台の露光装置を用いて、複数枚のマスクに形成されている複数のマスクパターンを基板に転写する露光方法において、前記各露光装置について、前記各マスクパターンに基づいて前記基板に転写されるそれぞれの露光パターンの前記各露光装置間における寸法差が、前記各露光パターンが転写される前記基板上の露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から予め1台ないしは複数台選択して群分けするとともに、前記所定の露光領域に対応する前記各露光装置の群に属する1台ないしは複数台の露光装置を用いて、前記所定の露光領域ごとに前記各マスクパターンを前記基板に転写することを特徴とするものである。
【0015】
この露光方法においては、複数台の露光装置を用いて複数枚のマスクに形成されている複数のマスクパターンを基板に転写する。この際、各マスクパターンに基づいて基板に転写されるそれぞれの露光パターンの各露光装置間における寸法差が、露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、所定の露光領域ごとに複数台の露光装置の中から予め1台ないしは複数台選択して群分けする。そして、所定の露光領域に対応する露光装置群に属する1台ないしは複数台の露光装置を用いて、所定の露光領域ごとに各マスクパターンを基板に転写する。これにより、複数台の露光装置および複数枚のマスクを用いて露光作業を行う際に、各露光パターンの各露光装置間における寸法差が許容範囲内に収まる露光装置を、所定の露光領域ごとに予め群分けされている露光装置群の中から容易かつ迅速に選んで、各マスクパターンを適正な精度で転写することができる。
【0016】
さらに、前記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、本発明に係る露光方法により転写されるマスクパターンに基づいてエッチング処理を行うエッチング工程を含むことを特徴とするものである。
【0017】
この半導体装置の製造方法においては、本発明に係る露光方法により転写されるマスクパターンに基づいてエッチング処理を行う。これにより、半導体装置の内部に組み込まれる各種の微細な半導体素子などを高い精度で効率よく形成して、半導体装置の品質および歩留まりを向上させることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【0019】
図1に、本発明の一実施形態に使用する露光装置1の概略構成を示す。本実施形態では、露光光として波長が約193nmのArFエキシマレーザ光線3を用いる。したがって、露光光源には、ArFエキシマレーザ光線発生装置2を用いる。ArFエキシマレーザ光線3は、フライアイレンズ4を透過して2次光源を形成する。フライアイレンズ4を透過したArFエキシマレーザ光線3は、2次光源面に配置されている照明アパーチャ5に入射する。照明アパーチャ5は、照明形状および照明コヒーレンシーσを決定する。照明アパーチャ5を通過したArFエキシマレーザ光線3は、レチクルブラインド6に入射する。レチクルブラインド6は後述するレチクル10と光学的に共役な位置に配置されており、レチクル10の照明領域を決定する。レチクルブラインド6を通過したArFエキシマレーザ光線3は、反射ミラー7によって反射されて、コンデンサーレンズ8に入射するようにその進行方向を変えられる。コンデンサーレンズ8は、レチクル10の照明がケーラー照明になるように調整されている。
【0020】
コンデンサーレンズ8に入射したArFエキシマレーザ光線3は、コンデンサーレンズ8によってレチクルステージ9上に載置されているレチクル10に向けて照射される。レチクル10には、所定の形状からなるマスクパターン11が形成されている。このレチクル10は、マスクとも称する。コンデンサーレンズ8を透過したArFエキシマレーザ光線3は、レチクル10のマスクパターン11が形成されている領域に向けて照射される。レチクル10のマスクパターン11が形成されている領域内のスリット領域に入射したArFエキシマレーザ光線3は、その領域を通過した後、投影レンズ12に入射する。投影レンズ12に入射したArFエキシマレーザ光線3は、投影レンズ12によってウェーハステージ13上に載置されているウェーハ14に向けて照射される。半導体基板(ウェーハ)14の表面(上面)には、レジスト膜15(フォトレジスト膜)が設けられている。レジスト膜15にArFエキシマレーザ光線3が到達することによりレジスト膜15が露光されて、マスクパターン11に基づく図示しない露光パターンがレジスト膜15に縮小転写される。露光パターンが転写されたレジスト膜15を現像することにより、レジスト膜15に露光パターンに基づく所定の形状からなる図示しないレジストパターンが形成される。
【0021】
本実施形態では、露光装置として、いわゆるスキャンタイプの露光装置1を用いている。このため、レチクルステージ9およびウェーハステージ13は、レチクル10とウェーハ14とが互いに同期しつつ移動できるようにスキャンを行う。このスキャン動作は、レジスト膜15の露光中に行われる。
【0022】
図2に、露光装置1を用いて露光されるレジスト膜15上の露光領域16と、レチクル10のウェーハ14に投影されたスリット領域17との相対的な関係を簡略化して示す。図2中白抜き矢印は、レチクルステージ9およびウェーハステージ13の移動によるスリット領域17のスキャンの向きを示すものである。本実施形態においては、レチクルステージ9とウェーハステージ13とは、互いに反対方向に移動する設定とする。レチクルブラインド6によって、スリット領域17のみに照明光としてのArFエキシマレーザ光線3が照射される。レジスト膜15の露光中に、スリット領域17が図2中白抜き矢印に示す向きに沿って露光領域16全体をスキャンすることによって、レジストパターンが露光領域16全体に転写される。本実施形態では、スリット領域17はその寸法を約5mm×約26mmに設定されている。また、露光領域16は、その寸法を約33mm×約26mmに設定されている。
【0023】
本発明者らは、スリット領域17内における露光パターンの寸法の変動を調べるために、次の条件で露光実験を行った。露光光として、波長が約193nmのArFエキシマレーザ光線3を用いる。また、照明コヒーレンシー(σ)を約0.75に、照明形状を2/3輪帯照明に、また開口数(NA)を0.6に設定する。この条件下において、寸法が約0.14μmのレジストパターンをウェーハ14上のレジスト膜15に形成する。この際、P1、P2、P3、P4、およびP5の5台のスキャン型露光装置1を用いて、前述した同じ条件下においてそれぞれ露光を行った。P1〜P5の各露光装置1によってレジスト膜15に転写された、各露光パターンの寸法を測定した結果を図3に示す。本実施形態においては、露光パターンの寸法誤差を、露光作業によってレジスト膜15に転写された各露光パターンに基づいて形成された、各レジストパターンの寸法を測定した結果に基づいて調べるものとする。
【0024】
図3は、P1〜P5の5台の露光装置1により転写された各露光パターンのスリット領域17内における寸法の変動を、それぞれグラフにして示すものである。詳しく説明すると、各レジストパターンの寸法は、図2に示すように、スキャン方向と直交するスリット領域17の長手方向に沿って略等間隔に設定された、10点のサンプリング点I〜Xにおいて測定された。以下、スリット領域17の長手方向をスリット方向と称することとする。この図3から明らかなように、同一タイプの5台の露光装置1を用いて同一条件下において露光を行った場合でも、各レジストパターンの寸法の変動は各露光装置1ごとに異なっているとともに、各レジストパターンの寸法の変動の傾向はスリット方向で異なっていることが分かる。なお、図示は省略するが、各レジストパターンのスキャン方向における寸法の変動(寸法のばらつき)に関しては、P1〜P5のどの露光装置1でも略同じ傾向を示した。
【0025】
このような結果は、次に述べる理由によるものと考えられる。露光領域16内におけるレジストパターンの寸法変動の原因は、露光領域16内での照明や投影光学系の光学的な要因が主である。このため、レジストパターンは、スキャン方向については略同一の光学条件下で転写されるので、その寸法変動が小さい。これに対して、スリット方向については光学条件が場所によって異なっているので、レジストパターンに寸法変動が生じる。
【0026】
図3から、目標寸法値を140nmに設定されたレジストパターンの実際の寸法精度(変動)を、露光領域16内で140nm±約5nm以内に収めることができる露光装置1はP1、P2、およびP5の3台のみであることが分かる。ここで、P1、P2、およびP5の3台の露光装置1をA群とし、その他の露光装置1をB群とする。この群分けにより、微細なレジストパターンをスリット方向の全域にわたって許容誤差の範囲内で形成する必要がある場合には、A群に属するいずれかの露光装置1を用いて露光作業を行えばよい。これに対して、スリット方向の全域にわたって微細なレジストパターンを厳密な精度で形成する必要がない場合には、B群に属するいずれかの露光装置1を用いて露光作業を行えばよい。ただし、スリット方向の全域にわたって微細なレジストパターンを厳密な精度で形成する必要がない場合においても、A群のいずれかの露光装置1を用いて露光作業を行っても構わないのはもちろんである。
【0027】
また、P4の露光装置1は、10点のサンプリング点I〜XのうちIV〜Xにおいては、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差を±約5nm以下に保つことができる。ここで、新たな群分けとして、P1、P2、P4、およびP5の4台の露光装置1をC群とする。この群分けにより、スリット領域17のうちIV〜Xまでのサンプリング点を含む領域に対応する部分に微細なマスクパターンが形成されているレチクル10を用いる場合は、C群に属するいずれかの露光装置1を用いて露光作業を行えばよい。これにより、スリット領域17のうちIV〜Xまでのサンプリング点を含む領域において、微細なレジストパターンを、その寸法誤差を±約5nm以下に抑えて形成することができる。
【0028】
通常、露光領域16内で許されるパターン寸法の変動幅(誤差)は、最小パターン寸法の10分の1程度と言われている。具体的には、例えばパターン寸法が110〜130nm程度のレジストパターンを形成する場合には、±10nm程度の変動幅しか許されない。本実施形態においては、露光領域16全体において、目標寸法値が140nmに設定された微細なレジストパターンを、その寸法誤差を±約5nm以下に抑えて形成することができる。すなわち、露光領域16全体において、レジストパターンの寸法誤差を許容範囲である目標寸法値の10分の1よりも大幅に抑制して、微細なレジストパターンを形成することができる。
【0029】
このように、本実施形態においては、複数台の露光装置1について、これら各露光装置1を用いて転写される各露光パターンの各露光装置1間における寸法差が所定の許容範囲内に収まる露光装置1を、露光領域16全体のうちの所定の露光領域(部分露光領域)ごとに1台ないしは複数台選び出す。具体的には、各露光パターンの各露光装置1間における寸法差が±約5nm以内に収まる露光装置1を、所定の部分露光領域ごとに1台ないしは複数台選び出す。それとともに、各露光装置1を用いて転写される各露光パターンの寸法の目標寸法からの誤差が所定の許容範囲内に収まる露光装置1を、露光領域16全体のうちの所定の部分露光領域ごとに1台ないしは複数台選び出す。具体的には、各露光パターンの寸法の140nmからの誤差が±約5nm以内に収まる露光装置1を、所定の部分露光領域ごとに1台ないしは複数台選び出す。そして、選び出された露光装置1を、選び出された露光領域ごとにそれぞれ一群として群分けして、これらの群ごとに複数台の露光装置1を管理する。しかる後、露光パターンをレジスト膜15に転写する際に、露光パターンを転写する所定の部分露光領域ごとに、それら各領域に対応する露光装置群を複数台の露光装置1の中から選び、選ばれた露光装置群に属する1台ないしは複数台の露光装置1を用いて露光作業を行う。
【0030】
複数台の露光装置1は、前述した分類法により予め群分けされて管理されているので、露光パターンの転写領域が移るごとに、それら各転写領域に対応する露光装置群の中から適正な露光装置1を容易かつ迅速に選んで、適正な状態で容易かつ迅速に露光作業を行うことができる。これにより、所定の部分露光領域において露光パターンの寸法差および寸法誤差を許容範囲内に収めて、微細な露光パターンを高い精度で容易に、かつ効率よくレジスト膜15に転写できる。ひいては、露光領域16全体において露光パターンの寸法誤差を許容範囲内に収めて、微細な露光パターンを高い精度で容易に、かつ効率よくレジスト膜15に転写できる。
【0031】
また、各露光パターンは、同一内容のマスクデータ(レチクルデータ)に基づいて作製されたマスク(レチクル)10を用いて転写されることが好ましい。特に、同一群内の各露光装置1を用いて図示しない半導体装置の同一マスク層に転写される各露光パターンは、同一内容のレチクルデータに基づいて作製されたレチクル10を用いて転写されることが好ましい。以下、具体的に説明する。
【0032】
例えば、図1および図2において、レジスト膜15を半導体装置内の所定のマスク層とする。このマスク層に転写される露光パターンの寸法差および寸法誤差がスリット方向に分布を有している場合には、複数台の露光装置1に用いられる複数枚のレチクル10に形成されている各マスクパターン11に対して、各露光パターンの寸法差および寸法誤差の分布が所定の許容範囲内に収まるように調整(補正)を施せばよい。具体的には、各露光パターンの各レチクル10間における寸法差の分布が所定の許容範囲内に収まるように、各マスクパターン11に対して各露光パターンの寸法変動を補正する方向にバイアスをつける。それとともに、各露光パターンの寸法の目標寸法からの誤差の分布が所定の許容範囲内に収まるように、各マスクパターン11に対して各露光パターンの寸法変動を補正する方向にバイアスをつける。これにより、転写される各露光パターンの寸法精度、ひいてはそれら各露光パターンに基づいて形成される各レジストパターンの寸法精度を、それぞれ所望の精度に保持することができる。
【0033】
例えば、P1〜P5の5台の露光装置1のうち、P3の露光装置1のみをD群の露光装置1として新たに群分けして管理する。そして、このD群に属する露光装置1、すなわちP3の露光装置1に用いられる複数枚のレチクル10に形成されているマスクパターン11対して、次に述べる補正を施す。ただし、本実施形態では説明を分かり易くするために、以下、1枚のレチクル10について説明する。マスクパターン11について、スリット領域17のうちI,II,IX,Xのサンプリング点を含む各領域に対応する部分に形成されているマスクパターン11には、+約12nmのバイアスをつける。また、スリット領域17のうちIII,IV,VII,VIIIのサンプリング点を含む各領域に対応する部分に形成されているマスクパターン11には、+約6nmのバイアスをつける。このように、露光パターンの寸法誤差が露光領域16のスリット方向全体において所定の許容範囲内に収まるように、1枚のレチクル10に形成されているマスクパターン11に対して、所定の露光領域に対応する部分ごとに、それら各部分に応じたバイアスをつける。そして、前記設定値でマスクパターン11に補正が施されたレチクル(マスク)10を、MASK−Dとする。
【0034】
同様に、P1〜P5の5台の露光装置1のうち、P4の露光装置1のみをE群の露光装置1として新たに群分けして管理する。そして、E群の露光装置1、すなわちP4の露光装置1に用いられる1枚のレチクル10に形成されているマスクパターン11対して、次に述べる補正を施す。マスクパターン11について、スリット領域17のうちIのサンプリング点を含む領域に対応する部分に形成されているマスクパターン11には、−約9nmのバイアスをつける。また、スリット領域17のうちII,IIIのサンプリング点を含む各領域に対応する部分に形成されているマスクパターン11には、−約6nmのバイアスをつける。このようにマスクパターン11に補正が施されたレチクル10を、MASK−Eとする。また、A群としたP1、P2、およびP5の3台の露光装置1は、露光領域16内のすべてのサンプリング点において、各露光パターンの各装置間における寸法差が約10nm以下である。このため、P1、P2、およびP5の3台の露光装置1を同一群として群分けして管理している。
【0035】
また、A群の露光装置1とともに用いる各レチクル10の各マスクパターン11はすべて同一のパターンでよい。この場合、各マスクパターン11に対する補正量は、スリット領域17のどのサンプリング点においても0とする。すなわち、マスクパターン11に特にバイアスをつけなかったレチクル10を、MASK−Aとする。
【0036】
このように、露光パターンの寸法差および寸法誤差がスリット方向に分布を有している場合、前述した分類法により予め群分けされている各露光装置1を、露光パターンの寸法差および寸法誤差の分布の傾向に応じてさらに群分けして管理する。併せて、各露光装置1とともに予め群分けされている各レチクル10を、これらに形成されている各マスクパターン11につけられたバイアスの傾向に応じてさらに群分けして管理する。このような複数の露光装置群と、これら各露光装置群に対応して作り分けられて群分けされた複数のマスク(レチクル)群との適正な組み合わせを図4に示す。この図4に示すように、露光作業を行う際には、A群の露光装置1に対してはMASK−Aに属するレチクル10を、D群の露光装置1に対してはMASK−Dに属するレチクル10を、またE群の露光装置1に対してはMASK−Eに属するレチクル10をそれぞれ用いる。すなわち、同一群内の各露光装置1を用いて転写される各露光パターンは、同一内容のレチクルデータに基づいて作製されたレチクル10を用いて転写される。このように、各露光装置群および各マスク群の中から、適正な組み合わせとなる露光装置1およびレチクル10をそれぞれ選んで露光作業を行う。これにより、スリット方向およびスキャン方向の両方向において、露光パターンの寸法差および寸法誤差を許容範囲内に収めることができる。
【0037】
すなわち、複数台の露光装置1を用いて露光作業を行う場合に、各露光装置1および各レチクル10を予め前述した群分けに基づいて管理することにより、微細な露光パターンを、その寸法精度を露光領域16全体において高い精度に保ちつつ、容易に、かつ、迅速に転写することができる。これは、量産ラインにおける露光方法として重要であるとともに、効率的な管理方法である。
【0038】
以上説明した、露光パターンの寸法の測定からマスク露光までの一連のシーケンス、すなわち本実施形態に係る露光方法のシーケンスの主要部を、フローチャートにして図5に示す。
【0039】
以上説明したように、本実施形態に係る露光装置の管理方法によれば、複数台の露光装置1を用いて露光作業を行う場合に、各露光装置1が有する転写誤差の精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、露光作業を高い精度で容易に、かつ効率よく行うことができる。また、実際に形成されるレジストパターンの、各露光装置1間における寸法差も小さくすることができる。
【0040】
同様に、本実施形態に係るマスクの管理方法によれば、複数台の露光装置1を用いて露光作業を行う場合に、各露光装置1に用いられる各レチクル10に形成されるマスクパターン11の寸法精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、露光作業を高い精度で容易に、かつ効率よく行うことができる。したがって、このマスクの管理方法と前述した露光装置の管理方法とを併用することにより、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差を極めて小さくできる。また、実際に形成されるレジストパターンの、各露光装置1間における寸法差も極めて小さくすることができる。
【0041】
また、本実施形態に係る露光方法においては、複数台の露光装置1を、これら各装置1が有する照明σ、開口数(NA)、照度、非点収差、あるいは球面収差などの様々な露光パターンの寸法誤差要因(転写誤差要因)によって生じる、各露光パターンの寸法誤差の分布が同一傾向になるように群分けして管理する。具体的には、複数台の露光装置1を、これら各装置1を用いてレジスト膜15に形成された各レジストパターンの寸法の変動(ばらつき)の分布が所定の露光領域ごとに同一傾向になるように、各レジストパターンの寸法変動の傾向に基づいて群分けして管理する。
【0042】
併せて、そのような分類法に基づいて群管理されている各露光装置1に対して、各露光装置群ごとに同一設計データに基づいて1枚ないしは複数枚のマスク10を作るとともに、これら各マスク10を群管理する。つまり、各マスク10は、各露光パターンの所定の露光領域内における系統的な誤差が許容範囲内に収まるように、それぞれのマスクパターン11の誤差要因となる部分に対して、それぞれの誤差を補正するバイアスをつけられる。そして、所定の露光領域に対応する露光装置群から選出された露光装置1と、この露光装置1が選出された群に対応するマスク群から選出されたマスク10とをペアで用いて露光作業を行う。これにより、複数台の露光装置1を用いて露光作業を行う際に、各露光パターンの系統的誤差に基づく寸法変動(寸法誤差)を、露光領域16全体において一定の規格値内に収めることができる。また、露光パターンの寸法誤差が許容範囲内に収まる露光装置1およびマスク10を容易かつ迅速に選んで、微細なマスクパターン11を高い精度で容易に、かつ、効率よく転写することができる。
【0043】
次に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について簡潔に説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、前述した本実施形態に係る露光方法により転写された露光パターンに基づいてエッチング処理を行う工程などを含むものである。前述した本実施形態に係る露光方法によれば、露光パターンを高い精度で容易に、かつ、効率よくレジスト膜15に転写できる。したがって、本実施形態の露光方法により転写された露光パターンに基づいてエッチング処理などを行うことにより、半導体装置の内部に組み込まれる図示しない各種の微細な半導体素子などを高い精度で効率よく形成することができる。これにより、半導体装置の品質および歩留まりを向上させることができる。このように、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、高品質な半導体装置を効率よく製造できる。
【0044】
なお、本発明に係る露光装置の管理方法、マスクの管理方法、露光方法、および半導体装置の製造方法は、前述した一実施形態には制約されない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。
【0045】
例えば、各露光装置群のうち、D群およびE群に属する露光装置1はそれぞれ1台ずつであったが、それぞれ複数台でもあっても構わないのはもちろんである。また、各マスク群に属するマスク(レチクル)10としては、無補正のMASK−Aのマスク10に形成されているマスクパターン11に、各マスク群ごとに異なる所定のバイアスをつけたものをそれぞれ1枚ずつ使用した。ただし、同一群内に露光装置1が多数存在する場合には、各露光装置群、各マスク群ごとに同一仕様のマスク10を複数枚用意することは、本発明を実施するのに際して何ら支障はない。
【0046】
また、MASK−Aに属するマスク10およびMASK−Bに属するマスク10は、それぞれのマスクパターン(デバイスパターン)11につけられたマスクバイアスが互いに異なるだけではなく、アライメントマークなどが異なる場合もあり得る。これは、解像力的には同程度の性能を発揮し得る光学系を有する露光装置1であっても、アライメント等に用いるマーク類まで同一とは限らないためである。また、マスクバイアスのつけ方に関しては、例えばマスクパターン11として左右の2本の平行線パターンが必要な場合に、左側のパターンと右側のパターンとでバイアス値が異なるような付け方をしてもよい。これは、露光パターンの線幅変動がコマなどによる収差が原因の場合、接近したパターン間では収差の影響の受け方が異なる場合があるためである。このような場合、1枚のマスク10が、これに形成されているマスクパターン11の各部分につけられるバイアス量などに応じて、複数のマスク群に属することもあり得る。ただし、このような場合でも、本発明の実施において何ら支障はない。
【0047】
また、前述した実施形態では、露光パターンの寸法は、露光パターンをレジスト膜15に転写した後に、この露光パターンに基づいて形成されたレジストパターンの寸法を測定することにより調べた。ただし、露光パターンの寸法として、レジストパターンに所定の加工を施した後の寸法を用いても構わない。例えば、レジストパターンに対する後工程として、さらにエッチングなどの加工工程がある場合には、加工された後のレジストパターンの寸法を測定しても本発明の要旨を何ら逸脱しない。これにより、露光パターンやレジストパターンの寸法精度のみならず、それらに基づいて形成される半導体装置内の各種の微細な半導体素子などをより高い精度で形成することができる。ひいては、半導体装置の品質をより向上させることができる。これは、各露光パターン間における寸法差や形状差などの各種転写誤差や、あるいは各装置間における転写特性の差を調べる場合においても同様である。
【0048】
さらに、いわゆる重ね合わせ露光を行う場合においても、本発明を適用することができる。複数台の露光装置1を、それらが有している露光パターンの転写位置の誤差要因の傾向に応じて、所定の領域ごとに群分けして管理する。具体的には、前述した露光装置1の群分けと同様に、複数台の露光装置1間における露光パターンの転写位置の差として、レジスト膜15に投影(転写)された各露光パターンの寸法差や形状差などの、いわゆる転写誤差を測定する。この際、各露光パターンの各種の転写誤差は、レジスト膜15に転写された各露光パターンに基づいて形成されたレジストパターンの寸法を測定して調べてもよいし、このレジストパターンに加工を施した後のレジストパターンの寸法を測定して調べてもよい。
【0049】
そして、各露光パターン間の転写誤差を調べた結果に基づいて、各露光パターンの各露光装置1間における転写誤差が所定の許容範囲内に収まる露光装置1を、所定の露光領域ごとに1台ないしは複数台選択し、群分けして管理する。このように群管理された複数台の露光装置1を所定の露光領域ごとに使い分けて、重ね合わせ露光を行う。これにより、重ね合わせ露光を行う際の露光パターンの各露光装置1間における転写誤差を良好に抑制して、各マスク10に形成されている各マスクパターン11を高い精度で重ね合わせ露光することができる。
【0050】
なお、露光パターンの転写位置の誤差要因とは、具体的には、露光装置1の照明σ、NA、照度、ディストーション、コマ収差、非点収差などを指す。これらは露光装置の転写特性でもある。したがって、複数台の露光装置1を用いて重ね合わせ露光を行う場合に、各露光装置1を、レジスト膜15に転写された各露光パターンの転写誤差に基づいて群分けして管理する代わりに、各露光装置1間における転写特性の差に基づいて群分けして管理しても構わない。重ね合わせ露光を行う場合、各露光装置1間における転写特性の差として、特に各露光装置1間におけるディストーション差が重要である。したがって、複数台の露光装置1を用いて重ね合わせ露光を行う場合、各露光装置1を、それらの寸法差や形状差とともに、ディストーション差に基づいて群分けして管理することは大変有効である。
【0051】
また、重ね合わせ露光を行う際に、各露光装置1に用いるマスク10として、各マスク10が有するマスクパターン11の位置が、各露光装置1の転写誤差を補正する方向に予めずらされて形成された複数枚のマスク10を用いてもよい。そして、露光装置1の場合と同様に、所定の露光領域ごとに、各マスク10間における各露光パターンの転写誤差が所定の許容範囲内に収まるマスク10を1枚ないしは複数枚選択し、これらの選択されたマスク10を一群として群分けして管理する。あるいは、各マスク10が有するマスクパターン11の位置が、各露光装置1間における転写特性の差、特にディストーション差を補正(抑制、調整)する方向に予めずらされて形成された複数枚のマスク10を用いてもよい。この場合、各マスクパターン11に施された補正に応じて、各マスク10を群分けして管理する。各マスクパターン11に施される補正が、各マスクパターン11の各部分ごとに異なっている場合には、それら各部分ごとに各マスク10を群分けして管理しても構わない。
【0052】
前述したように、各露光装置1および各マスク10は、それらを用いて転写される各露光パターンの寸法誤差が所定の許容範囲内に収まるように群管理されている。したがって、各露光パターンの寸法誤差に基づく群管理と、各露光パターンを重ね合わせた際のパターン間における転写誤差、または各露光装置1間における転写特性の差に基づく群管理とを併用することにより、複数台の露光装置1および複数枚のマスク10を用いて、重ね合わせ露光を高い精度で容易に、かつ、効率よく行うことができる。なお、各露光パターンの寸法誤差に基づく群管理、各露光パターンを重ね合わせた際のパターン間における転写誤差に基づく群管理、および各露光装置1間における転写特性の差に基づく群管理を全て同時に実施しても、本発明に何ら差し支えないのはもちろんである。また、これらの群管理は、重ね合わせ露光を行わない場合に実施しても構わないのはもちろんである。
【0053】
さらに、重ね合わせ露光を行うにあたり、適正な精度で露光パターンを投影露光できる、基準となる露光装置1を所定の露光領域ごとに少なくとも1台選ぶ。それとともに、この基準となる露光装置1により投影露光される、基準となる露光パターンに対する転写誤差が所定の許容範囲内に収まる露光パターンを投影露光できる露光装置1を、所定の露光領域ごとに1台ないしは複数台選ぶ。そして、所定の露光領域ごとに選ばれた各露光装置1をそれぞれ一群として群分けして管理しても構わない。基準となる露光装置1により投影露光される、基準となる露光パターンが予め設定された理想的な寸法および形状を有していれば、このような群管理に基づく露光方法により、極めて高精度な重ね合わせ露光を行うことができる。
【0054】
【発明の効果】
本発明に係る露光装置の管理方法によれば、複数台の露光装置を用いて露光作業を行う際に、露光パターンの各露光装置間における寸法差が許容範囲内に収まる露光装置を、所定の露光領域ごとに予め群分けされている露光装置群の中から容易かつ迅速に選んで、露光パターンを適正な精度で転写することができる。したがって、複数台の露光装置を用いて露光作業を行う場合に、各露光装置が有する転写誤差の精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、露光作業を高い精度で効率よく行うことができる。
【0055】
また、本発明に係るマスクの管理方法によれば、複数枚のマスクを用いて露光作業を行う際に、露光パターンの各マスク間における寸法差が許容範囲内に収まるマスクを、所定の露光領域ごとに予め群分けされているマスク群の中から容易かつ迅速に選んで、露光パターンを適正な精度で転写することができる。したがって、複数枚のマスクを用いて露光作業を行う場合に、各マスクに形成される各マスクパターンの寸法精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、露光作業を高い精度で効率よく行うことができる。
【0056】
また、本発明に係る露光方法によれば、複数台の露光装置および複数枚のマスクを用いて露光作業を行う際に、各露光パターンの各露光装置間における寸法差が許容範囲内に収まる露光装置を、所定の露光領域ごとに予め群分けされている露光装置群の中から容易かつ迅速に選んで、各マスクパターンを適正な状態で転写することができる。したがって、複数台の露光装置および複数枚のマスクを用いて露光作業を行う場合に、各露光装置が有する転写誤差の精度や、各マスクに形成される各マスクパターンの寸法精度の改善を必要とすることなく、実際に形成されるレジストパターンの寸法誤差が許容範囲内に収まるように、各マスクパターンを高い精度で効率よく転写することができる。
【0057】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の内部に組み込まれる各種の微細な半導体素子などを高い精度で効率よく形成して、半導体装置の品質および歩留まりを向上させることができる。したがって、高品質な半導体装置を効率よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に使用する露光装置の概略構成を示す図。
【図2】図1の露光装置により露光されるレジスト膜の露光領域とレチクルのスリット領域との相対関係を簡略化して示す平面図。
【図3】複数台の露光装置により露光されたレジストパターンのスリット領域内における寸法の変動をグラフにして示す図。
【図4】露光装置群とマスク群との適正な組み合わせを示す図。
【図5】一実施形態に係る露光方法のシーケンスの主要部をフローチャートにして示す図。
【符号の説明】
1…露光装置
10…レチクル(マスク)
11…マスクパターン
14…半導体基板
15…レジスト膜
16…露光領域
Claims (32)
- 複数台の露光装置について、これら各露光装置を用いて転写されるそれぞれの露光パターンの前記各露光装置間における寸法差が、前記各露光パターンが転写される露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置を群分けして管理することを特徴とする露光装置の管理方法。
- 前記各露光装置のうち、前記各露光パターンの寸法の目標寸法からの誤差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置をさらに群分けして管理することを特徴とする請求項1に記載の露光装置の管理方法。
- 前記各露光パターンの寸法として、前記各露光装置を用いて基板上のレジスト膜に転写された前記各露光パターンに基づいて形成されたそれぞれのレジストパターンに、所定の加工を施した後の寸法を用いることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置の管理方法。
- 前記各露光装置のうち、前記各露光パターンの前記各露光装置間における転写誤差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置をさらに群分けして管理することを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれかに記載の露光装置の管理方法。
- 前記各露光パターンの前記各露光装置間における転写誤差を、前記各露光装置を用いて基板上のレジスト膜に転写された前記各露光パターンに基づいて形成された各レジストパターンに、所定の加工を施した後の寸法に基づいて調べることを特徴とする請求項4に記載の露光装置の管理方法。
- 前記各露光装置のうち、前記各露光装置間における転写特性の差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置をさらに群分けして管理することを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれかに記載の露光装置の管理方法。
- 前記各露光装置間における転写特性の差として、前記各露光装置間のディストーション差を用いることを特徴とする請求項6に記載の露光装置の管理方法。
- 前記各露光パターンのうち、同一群内の前記各露光装置を用いて半導体装置の同一マスク層に転写される露光パターンは、同一内容のマスクデータに基づいて作製されたマスクを用いて転写されることを特徴とする請求項1〜7のうちのいずれかに記載の露光装置の管理方法。
- 少なくとも1台の露光装置とともに用いられる複数枚のマスクについて、これら各マスクに形成されている各マスクパターンに基づいて転写されるそれぞれの露光パターンの前記各マスク間における寸法差が、前記各露光パターンが転写される露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まるマスクを、前記所定の露光領域ごとに前記各マスクの中から1枚ないしは複数枚選択し、これらの選択されたマスクを一群として前記各マスクを群分けして管理することを特徴とするマスクの管理方法。
- 前記各マスクのうち、前記各露光パターンの前記各マスク間における寸法差が前記所定の露光領域内において前記所定の許容範囲外となるマスクに前記寸法差を前記所定の許容範囲内に収める調整を施すとともに、この調整が施されたマスクを前記所定の露光領域ごとに前記調整に応じてさらに群分けして管理することを特徴とする請求項9に記載のマスクの管理方法。
- 前記各マスクのうち、前記各露光パターンの寸法の目標寸法からの誤差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まるマスクを、前記所定の露光領域ごとに前記各マスクの中から1枚ないしは複数枚選択し、これらの選択されたマスクを一群として前記各マスクをさらに群分けして管理することを特徴とする請求項9または10に記載のマスクの管理方法。
- 前記各マスクのうち、前記各露光パターンの寸法の前記目標寸法からの誤差が前記所定の露光領域内において前記所定の許容範囲外となるマスクに前記誤差を前記所定の許容範囲内に収める調整を施すとともに、この調整が施されたマスクを前記所定の露光領域ごとに前記調整に応じてさらに群分けして管理することを特徴とする請求項11に記載のマスクの管理方法。
- 前記各露光パターンの寸法として、前記各マスクを用いて半導体基板上のレジスト膜に転写された前記各露光パターンに基づいて形成されたそれぞれのレジストパターンに、所定の加工を施した後の寸法を用いることを特徴とする請求項9〜12のうちのいずれかに記載のマスクの管理方法。
- 前記各マスクのうち、前記各露光パターンの前記各マスク間における転写誤差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まるマスクを、前記所定の露光領域ごとに前記各マスクの中から1枚ないしは複数枚選択し、これらの選択されたマスクを一群として群分けして管理することにより、前記複数枚のマスクをさらに群分けして管理することを特徴とする請求項9〜13のうちのいずれかに記載のマスクの管理方法。
- 前記各マスクのうち、前記各露光パターンの前記各マスク間における転写誤差が前記所定の露光領域内において前記所定の許容範囲外となるマスクに前記転写誤差を前記所定の許容範囲内に収める調整を施すとともに、この調整が施されたマスクを前記所定の露光領域ごとに前記調整に応じてさらに群分けして管理することを特徴とする請求項14に記載のマスクの管理方法。
- 前記各露光パターンの前記各マスク間における転写誤差を、前記各マスクを用いて基板上のレジスト膜に転写された前記各露光パターンに基づいて形成された各レジストパターンに、所定の加工を施した後の寸法に基づいて調べることを特徴とする請求項14または15に記載のマスクの管理方法。
- 前記露光装置を複数台とし、これら各露光装置を請求項1〜8のうちのいずれかに記載の露光装置の管理方法に基づいて群分けして管理するとともに、これら各露光装置群に対応させて前記各マスクをさらに群分けして管理することを特徴とする請求項9〜16のうちのいずれかに記載のマスクの管理方法。
- 前記各マスクの群分けを、前記各露光装置間における転写特性の差に基づいて群分けされて管理されている前記各露光装置群に対応させて行うことを特徴とする請求項17に記載のマスクの管理方法。
- 前記各露光装置間における転写特性の差として、前記各露光装置間のディストーション差を用いることを特徴とする請求項18に記載のマスクの管理方法。
- 前記各マスクに施される調整は、前記各露光装置間におけるディストーション差を補正する調整であることを特徴とする請求項19に記載のマスクの管理方法。
- 前記各露光パターンのうち、同一群内の前記各露光装置を用いて半導体装置の同一マスク層に転写される露光パターンは、同一内容のマスクデータに基づいて作製されたマスクを用いて転写されることを特徴とする請求項17〜20のうちのいずれかに記載のマスクの管理方法。
- 複数台の露光装置を用いて、複数枚のマスクに形成されている複数のマスクパターンを基板に転写する露光方法において、
前記各露光装置について、前記各マスクパターンに基づいて前記基板に転写されるそれぞれの露光パターンの前記各露光装置間における寸法差が、前記各露光パターンが転写される前記基板上の露光領域全体のうちの所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から予め1台ないしは複数台選択して群分けするとともに、
前記所定の露光領域に対応する前記各露光装置の群に属する1台ないしは複数台の露光装置を用いて、前記所定の露光領域ごとに前記各マスクパターンを前記基板に転写することを特徴とする露光方法。 - 前記各露光装置のうち、前記各露光パターンの寸法の目標寸法からの誤差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から予め1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置をさらに群分けすることを特徴とする請求項22に記載の露光方法。
- 前記各露光パターンの寸法として、前記基板上のレジスト膜に転写された前記各露光パターンに基づいて形成されたそれぞれのレジストパターンに、所定の加工を施した後の寸法を用いることを特徴とする請求項22または23に記載の露光方法。
- 前記各露光装置のうち、前記各露光パターンの前記各露光装置間における転写誤差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から予め1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置をさらに群分けすることを特徴とする請求項22〜24のうちのいずれかに記載の露光方法。
- 前記各露光パターンの前記各露光装置間における転写誤差を、前記基板上のレジスト膜に転写された前記各露光パターンに基づいて形成された各レジストパターンに、所定の加工を施した後の寸法に基づいて調べることを特徴とする請求項25に記載の露光方法。
- 前記各露光装置のうち、前記各露光装置間における転写特性の差が前記所定の露光領域内において所定の許容範囲内に収まる露光装置を、前記所定の露光領域ごとに前記各露光装置の中から予め1台ないしは複数台選択し、これらの選択された露光装置を一群として前記各露光装置をさらに群分けすることを特徴とする請求項22〜26のうちのいずれかに記載の露光方法。
- 前記各露光装置間における転写特性の差として、前記各露光装置間のディストーション差を用いることを特徴とする請求項27に記載の露光方法。
- 前記各露光パターンのうち、同一群内の前記各露光装置を用いて半導体装置の同一マスク層に転写される露光パターンは、同一内容のマスクデータに基づいて作製されたマスクを用いて転写されることを特徴とする請求項22〜28のうちのいずれかに記載の露光方法。
- 前記複数台の露光装置として、請求項1〜8のうちのいずれかに記載の露光装置の管理方法に基づいて管理されている露光装置を用いることを特徴とする請求項22〜29のうちのいずれかに記載の露光方法。
- 前記複数枚のマスクとして、請求項9〜21のうちのいずれかに記載のマスクの管理方法に基づいて管理されている複数枚のマスクを用いることを特徴とする請求項22〜30のうちのいずれかに記載の露光方法。
- 請求項22〜31のうちのいずれかに記載の露光方法により転写されるマスクパターンに基づいてエッチング処理を行うエッチング工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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