JP2006210856A

JP2006210856A - 露光方法及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2006210856A
Application number: JP2005024553A
Authority: JP
Inventors: Suigen Kiyou; 帥現姜; Soichi Inoue; 壮一井上
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-01-31
Filing date: 2005-01-31
Publication date: 2006-08-10

Abstract

【課題】フィルターを用いたつなぎ露光に置いて、光量分布の微視的な誤差を抑制すること。
【解決手段】透過光量が略均一な透過領域と、透過領域を挟むように形成された遮蔽領域とを具備するフィルターと、繋ぎ露光用の原版と、基板が載置されるステージと、基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備する露光装置を用意する；原版と基板との光学的な位置関係が第１の状態で、第１の原版領域に形成されたパターンを第１の基板領域に転写する；第１の状態で第２の原版領域に形成されたパターンを第２の基板領域に転写する；原版と基板との光学的な位置関係が第２の状態で、第３の原版領域に形成されたパターンを第１の基板領域に前記所定幅重なる第３の基板領域に転写する；第２の状態で第４の原版領域に形成されたパターンを第２の基板領域に所定幅重なる第４の基板領域に転写する。
【選択図】図６

Description

本発明は、つなぎ露光を用いた露光方法及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体素子や液晶などの大領域のパターンを被転写基板に露光転写する際、目的とするパターンを分割して露光する手法が行われている。これは大領域を一括で露光するためには大規模な装置が必要となり装置が非常に高価なものとなってしまうからである。一般的にこの露光方法はつなぎ露光と呼ばれている。つなぎ露光では露光領域の境界部で露光量が直線的に０％から１００％に変化するよう調整され、重複して露光されることによりつなぎ境界部内の全ての位置で露光量が合計で１００％となるよう調整されている。このように境界部にある幅を持たせ重複露光を行う理由は境界部で露光されるパターンの寸法精度向上を目的としたものである。つなぎ露光によるパターン寸法精度の向上は以下の非特許文献１に詳しい。

つなぎ露光を行うためには基板上での光量分布が１００％から０%へと変化を生ぜしめるフィルターが必要となる。このような光量分布を形成するフィルター及び露光方法として２通りの方法が存在する。第一の方法は、フィルター自体に濃度勾配を形成するものである。フィルターに一様な光強度を入射すると濃度勾配の形成された部分の透過光量が位置とともに直線的に変化するよう調整されているため、１００％から０%に変化する光量分布を得ることができる。ここで濃度勾配は露光光を遮蔽する領域と透過する領域とを比率を変えて配置することで形成されている。

第二の方法は、垂直ではない辺を持った開口フィルターを露光領域上で走査させることによるものである。フィルターの位置に対して均一な露光光を入射するとフィルターの開口形状と等しい形で原版が露光される。このフィルターを図のように走査させると、原版上の光強度はその部分を走査するフィルターの開口幅と比例する。よってこの方法でも同様な光量分布を得ることができる。

これら従来技術の問題点を以下で述べる。第一の方法による光量分布の作製ではフィルターは露光光を遮蔽する領域と透過する領域とで形成されている。フィルターを透過した直後の光量分布は、ノコギリ形状をしている。光量分布を所望のものとするためこのフィルターを原版または基板と光学的に共役ではない位置、つまりボケた位置に置く。このようにして得られた光量分布は巨視的にみると直線的に変化しているが微視的に見た場合完全に直線的な光量分布とはならない。フィルターの遮蔽領域に対応する個所は微視的に透過光量が下がり、透過領域に対応する個所は透過光量が上がる。これは遮蔽,透過の両領域ともにフィルター上で有限な大きさをもつため、ボケた位置にフィルターを置いても完全にその影響を排除できないことによる。この影響を少なくするためには遮蔽,透過領域を小さくすることが考えられるが、これらの領域を露光波長に対して小さくすると回折が発生し、これは透過光量にも影響を及ぼすため所望の透過光量分布を得ることはできない。

次に第二の方法についての問題点を述べる。この方法では走査方向に平行なフィルター開口の幅と光量とは単純な比例関係にある。透過領域と遮蔽領域との境界の辺は、巨視的には直線であったとしても微視的には工作精度などの影響で理想的な直線から外れている。このフィルター開口を形成する辺が理想的な直線からずれているとこれが直接光量分布の誤差となってしまう。

このような光量分布の微視的な誤差は、半導体デバイスのパターン寸法誤差を引き起こし、製品歩留まりの低下または良品の製造自体が困難になってしまう。
S. Kyoh et al, "New pattern generation system based on i-line stepper 〜Photomask Repeater〜", Optical Microlithography XIII, SPIE Vol.4000 (2000)

上述したように、つなぎ露光を行う場合、光量分布の微視的な誤差が半導体デバイスのパターン寸法誤差を引き起こし、製品歩留まりの低下または良品の製造自体が困難になってしまう。

本発明の目的は、光量分布の微視的な誤差を抑制し、製品歩留まりの向上または良品の製造を容易にする露光方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。

本発明の一例に係わる露光方法は、繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された原版、前記原版に形成されたパターンが転写される基板、並びに
光源と、前記原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために透過光量が略均一な透過領域の周囲に形成された遮蔽領域を具備するフィルターと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段と、前記原版が載置される原版ステージと、前記基板が載置される基板ステージとを具備する露光装置を用意する工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は第１の原版領域からずれている工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域の少なくとも一部を含み、第３の基板領域は前記第１の基板領域に前記所定幅重なる工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記原版の第４の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第３の原版領域からずれると共に前記第２の原版領域の少なくとも一部を含み、前記第４の基板領域は第２の基板領域に所定幅重なる工程とを含むことを特徴とする。

本発明の一例に係わる露光方法は、繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された原版、並びに光源と、前記原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために遮蔽領域と一部の一方向の幅が連続的に変化する透過領域とを具備するフィルターと、前記原版が載置される前記一方向に平行移動可能な原版ステージと、基板が載置される前記一方向に平行移動可能な基板ステージと、前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備するスキャン露光装置を用意する工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第１の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は第１の原版領域からずれている工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域の少なくとも一部を含み、第３の基板領域は前記第１の基板領域に前記所定幅重なる工程と、前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記原版の第４の原版領域に形成されたパターンを基板の第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第３の原版領域からずれると共に前記第２の原版領域の少なくとも一部を含み、前記第４の基板領域は第２の基板領域に所定幅重なる工程とを含むことを特徴とする。

本発明の一例に係わる露光方法は、繋ぎ露光を行うために同じパターンが形成された重複領域を具備する第１及び第２の原版、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンが転写される基板、並びに光源と、前記第１または第２の原版が載置される原版ステージと、前記基板が載置される基板ステージと、前記第１または第２の原版に形成されたパターンの転写領域を設定すると共に前記繋ぎ露光を行うために透過光量が略均一な透過領域の周囲に形成された遮蔽領域を具備するフィルターと、前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備する露光装置を用意する工程と、前記第１の原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第１の原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記第１の原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、前記第１の原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第１の原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記第１の原版の第２の原版領域に形成されたパターンを基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は前記重複領域を含む工程と、前記第２の原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第２の原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、第２の原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に前記所定幅重なる第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域内の重複領域に形成されたパターン形状を含む工程と、前記第２の原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第２の原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記第２の原版の第４の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に前記所定幅重なる第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第２の原版領域内の重複領域に形成されたパターン形状を含む工程とを含むことを特徴とする。

本発明の一例に係わる露光方法は、繋ぎ露光を行うために同じパターンが形成された重複領域を具備する第１及び第２の原版、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンが転写される基板、並びに光源と、前記第１または第２の原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために遮蔽領域と一部の一方向の幅が連続的に変化する透過領域とを具備するフィルターと、前記第１または第２の原版が載置される前記一方向に平行移動可能な原版ステージと、前記基板が載置される前記一方向に平行移動可能な基板ステージと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備するスキャン露光装置を用意する工程と、前記第１の原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記第１の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記第１の原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、前記第１の原版と基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記第１の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記第１の原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、前記第２の原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記第２の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記第２の原版に形成されたパターンの第３の原版領域を前記基板の第１の基板領域に前記所定幅重なる第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域に形成されたパターンは前記第１の原版領域に含まれる重複領域に形成されたパターンを含む工程と、前記原版と基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記第２の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記第２の領域に含まれる重複領域を含む前記第２の原版の第４の原版領域を基板の第２の基板領域に前記所定幅重なる第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域に形成されたパターンは前記第２の原版領域に含まれる重複領域に形成されたパターンを含む工程とを含むことを特徴とする。

本発明によれば、基板上での光強度の設計強度からのずれを、複数回に分けて位置をずらして露光することにより誤差が均等化さ、製品歩留まりの向上または良品の製造の容易化を図ることができる。

本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる露光装置の概略構成を示す図である。光源１１からの光の光路ＬＰに、第１のフライアイレンズ１２、フィルター１３、第２のフライアイレンズ１４、原版１５、投影光学系１６、基板１７が配置されている。本装置では、フィルター１３の位置は固定である。原版１５は、原版ステージ１８により面内で平行移動可能である。基板１７は、基板ステージ１９により面内で平行移動可能である。原版から基板へパターン転写する装置として、例えば株式会社ニコン製のｉ線ステッパを用いる。被転写基板には６インチウェハを用い、基板の表面にはｉ線レジストが塗布されている。

フィルターの構成を図２を参照して説明する。フィルター１３は、透過領域２１と、濃度勾配領域２２と、遮蔽領域２３とで構成されている。図２には、フィルター１３のエッジを拡大して示している。実際には、透過領域２１の周囲に濃度勾配領域２２及び遮蔽領域２３が配置されている。透過領域２１，濃度勾配領域２２、及び遮蔽領域２３の単位図形の大きさは約６μｍとした。濃度勾配領域には、単位図形の大きさの遮蔽ブロック２４が適宜配置されている。遮蔽ブロック２４の配置は、濃度勾配領域２２を透過した光の透過光量が透過領域２１側から遮蔽領域２３側にかけて、略直線的に変化するように構成されている。濃度勾配領域２２を透過した光の基板上での幅は８００μｍである。図３（ａ）及び図３（ｂ）にフィルター１３を透過した光の光量分布を示す。図３（ａ）は点線部でのフィルター直後の光量分布であり、図３（ｂ）は暈けた位置での透過光量分布である。図３（ｂ）に於いて、破線は理想的な光量分布を示している。

ｉ線レジストのパターンニング露光量は２００ｍＪ／ｃｍ²であり、通常では一括でこの露光量を露光する。本実施形態では２００ｍＪ／ｃｍ²の露光量を５回に分割し、１回の露光を４０ｍＪ／ｃｍ²の露光量で行う。その際、各露光でそれぞれフィルターの位置をずらして露光を行う。

以下に、図４，５を参照して本実施形態に係わる露光方法を説明する。図４は、本発明の第１の実施形態に係わる露光方法の手順の概略を示す図である。図５は、フィルターによって原版に掲載されたパターンが基板に転写される領域を示す図である。図５に於いて、領域Ｒ１，Ｒ２は、フィルターによって光量が０になる境界の外形を破線で示している。実線で示された原版パターンエリアＥは外形である。必要な露光量を得るために５回の露光を行う必要があるが、説明を簡単にするため、以下では２回の露光を行うものとして説明する。

先ず、図４に示すように、原版と基板との光学的な位置関係が第１の状態で、原版の第１の原版領域_R1が基板に転写されるようにフィルターを移動させる。この状態で原版の第１の原版領域Ｒ_R1に形成されたパターンを第１の基板領域Ｒ_S1に転写する（図５（ａ））。

次いで、原版と基板との光学的な位置関係が第１の状態で、図４に示す原版の第２の原版領域Ｒ_R2に形成されたパターンが基板に転写されるように、フィルターを移動させる。この状態で原版の第１の原版領域Ｒ_R2に形成されたパターンを第２の基板領域Ｒ_S2に転写する（図５（ｂ））。

次いで、原版と基板との光学的な位置関係が第２の状態で、図４に示す原版の第１の原版領域Ｒ_R1に形成されたパターンが基板に転写されるように、フィルターを移動させる。この状態で原版の第１の原版領域Ｒ_R1に形成されたパターンを第３の基板領域Ｒ_S3に転写する（図５（ｃ））。

次いで、原版と基板との光学的な位置関係が第２の状態で、原版の第２の原版領域Ｒ_R2に形成されたパターンが基板に転写されるように、フィルターを移動させる。この状態でフィルターによって規定される原版の第２の原版領域Ｒ_R2に形成されたパターンを第４の基板領域Ｒ_S4に転写する（図５（ｄ））。

第１の基板領域Ｒ_S1への転写と第３の基板領域Ｒ_S3への転写とを第１のつなぎ露光とし、第２の基板領域Ｒ_S2への転写と第４の基板領域Ｒ_S4への転写とを第２のつなぎ露光とする。

第１の原版領域Ｒ_R1及び第２の原版領域Ｒ_R2は、フィルターに対する原版の位置によって設定される。よって、第１の原版領域Ｒ_R1及び第２の原版領域Ｒ_R2とのズレ量はフィルターの構成に関係する。本実施形態のフィルターの変化領域は、単位図形からなる遮蔽ブロックが複数配置されて構成されている。そこで、第１の原版領域Ｒ_R1と第２の原版領域Ｒ_R2とのズレ量は、単位図形以上にする必要がある。本実施形態の場合、単位図形の大きさが６μｍであるため、ズレ量も最小値で６μｍであればよい。本実施形態で使用したフィルターの場合、単位図形が数個連なった部分も存在し、このような部分は実質的に図形が大きくなるためボケにくく、透過光量の局所的な誤差も大きい。本実施形態では、最小値の約３倍となる２０μｍのズレ量を採用した。第１の原版領域Ｒ_R1及び第２の原版領域Ｒ_R2とのズレ方向を４５度方向としたが、位置ズレ方向はどの向きでもかまわない。

本実施形態の効果を図６（従来法），図７（本方法）を参照して説明する。図６，７でも、５回の露光に分けるのを単純化して２回に分割していることにしている。図６（ａ）は、つなぎ露光におけるそれぞれ露光の光量分布を示し、図６（ｂ）は。合算光量分布を示す図。図７（ａ）は第１のつなぎ露光におけるそれぞれ露光の光量分布を示す図、図７（ｂ）は第２のつなぎ露光におけるそれぞれ露光の光量分布を示す図、図７（ｃ）は合算光量分布を示す図。

図６に示すように、従来技術ではフィルターの局所的な透過率誤差は基板上の光量分布となってしまう。それに対し、図７に示すように、本方法を用いればフィルターの多くの点を透過した光が基板の露光に関与するため、フィルターの局所的な透過率誤差を平均化することができる。このようにして基板上での光量を均一化することができた。

当然、分割回数を増加されれば平均化効果は大きくなる。本実施形態では５回の露光に分割する例を示したがそれ以上の分割を行う露光方法も本特許請求の範囲を逸脱するものではない。本実施形態ではフィルターの位置をずらしたという表現を用いているがこれはあくまで原版及び基板を基準にした場合の表現である。

本実施形態で使用したステッパは、フィルターが物理的に固定されているため実際には原版と基板を各露光ごとにフィルターに対して動かした。分割した露光ごとにフィルターと原版及び基板の相対的な位置をずらすことが本実施形態の趣旨でありどちらを物理的に動かすかということで制限を加えるものではない。

また、露光光の光軸に対するフィルター１３、原版１５、及び基板１７の配置順は、上記実施形態に限らない。例えば、例えば、露光光の光軸に対して原版１５，フィルター１３，及び基板１７という順番でも構わない。また、透光領域２１及び遮蔽領域２３と濃度勾配領域２２とは一つのフィルターに形成されている必要はなく、それぞれ別の透明基板に形成されていても良い。

上述した実施形態では、第１の原版領域を第１の基板領域に転写、第２の原版領域を第２の基板領域に転写、第１の原版領域を第３の基板領域に転写、第２の原版領域を第４の基板領域に転写という手順でパターンの転写を行った。しかし、第１の原版領域を第１の基板領域に転写、第１の原版領域を第３の基板領域に転写、第２の原版領域を第２の基板領域に転写、第２の原版領域を第４の基板領域に転写という手順で原版に形成されたパターンを基板に転写しても良い。

（第２の実施形態）
本実施形態では開口フィルターを走査させることで光量分布を形成する方式での光量誤差を抑制する方法について述べる。原版から基板へパターン転写する装置として図１に示した装置と同様であるが、例えば株式会社ニコン製のＫｒＦスキャナを用いる。スキャン露光時、基板ステージ及び原版ステージがスキャン方向に移動する。

開口フィルター３０の構成を図８に示す。図８に於いて、符号３１が遮蔽部、符号３２が透過部である。透過部３２の端部のスキャン方向の幅は、連続的に狭くなっている。

図９に示すように、スキャン露光時、原版１５側から見ると、開口フィルター３０が原版１５上を走査する。基板１７には８インチウェハを用い、基板表面にはＫｒＦレーザの波長２４８ｎｍに感光フォトレジストを塗布した。フォトレジストのパターンニング露光量は２０ｍＪであった。前実施形態同様にこの露光量を５回に分割して露光を行った。

パターン転写の手順は、第１の実施形態と同様なので、詳細な説明を省略する。

開口フィルター３０を透過した光の走査による基板上での光量分布を図１０に示す。図１０に示すように、中央部付近の光量を１００％とすると、開口フィルターの透過部の端部が走査した基板上での光量は１００％から０％まで直線的に変化している。

各露光を行う際には、原版に対する開口フィルターの位置をずらし、開口フィルターを透過した光が原版の異なる領域をスキャンするようにする。例えば、図１１に示すように、領域ＳＲ₁と領域ＳＲ₂とをスキャンし、それぞれの領域のパターンを基板に転写する。実際には５回に分割して露光を行っているが、図中では単純化のために２回分の露光のみを示している。

本実施形態において、領域ＳＲ₁と領域ＳＲ₂とのズレ量はスキャン方向に対して垂直な方向に１０μｍとした。その理由は、フィルター３０の開口幅が狭まっている部分に於いて、開口幅の製造誤差である凹凸が、図１２に示すようにほぼ２０μｍ周期であることが測定の結果判明したためである。図１２に於いて、横軸は走査方向に直交する方向の位置、縦軸は設計開口幅からのズレ量を示す。となりあった凹凸を各露光で重ね合わせることで誤差の平均化がもっとも効率よく行われるため位置ずらし量は周期の１／２であるところの１０μｍとした。本実施形態によりフィルターを走査させる露光方式においても第１の実施形態と同様に基板上の合算光量の誤差を平均化効果により抑制することができた。

（第３の実施形態）
本実施形態では露光装置の具備している可動ブラインドによる光量分布の形成について述べる。可動ブラインドは原版上の限定された矩形領域のみに露光光が照射されるための機構であり、各辺に対応する４つの可動羽で構成されている。この可動ブラインドを有する露光装置の例を図１３に示す。図１３に於いて、図１と同一な部位には同一符号を付し、その説明を省略する。図１３に示すように、可動ブラインド４３は図１に示した露光装置においてフィルター１３の配置位置に配置されている。原版から基板へパターン転写する装置として株式会社ニコン製のｉ線ステッパを用いた。

可動ブラインド４３を原版１５の共役な位置からずらして基板上の光像をぼかすと、基板１７上に形成される形成する光量分布は図１４に示すような分布になる。また、つなぎ露光を行った場合の光量分布を図１５に示す。図１４，図１５に於いて、実線が実際の露光量分布を示し、破線が理想的な直線状に変化する露光量分布を示す。図１４に示すように、光量が変化する部分では、この光量分布は、１００％から０％に変化し、その幅は基板上で８０μｍであった。このような光量分布をもっているためつなぎ露光をすることができる。ただしこの実際の光量分布は理想的な直線状の傾斜から最大で３％程度ずれていることがわかった。また、つなぎ露光を行った場合、実際の光量分布は理想的な直線状の傾斜から最大で６％程度ずれる。

この誤差を解消するために通常では一回で行われる露光を第１の実施形態と同様な手法で８回に分割した。さらに各露光で可動ブラインドの位置を１００μｍずらした。この露光を説明する図を図１６に示す。ここでは簡単のため８回の分割露光の内、２回だけを表示している。図１６（ａ）は第１のつなぎ露光におけるそれぞれの露光の光量分布を示し、図１６（ｂ）は第２のつなぎ露光におけるそれぞれの露光の光量分布を示し、図１６（ｃ）は第１のつなぎ露光と第２のつなぎ露光との合成光量分布を示す。

１回ごとのつなぎ露光では最大６％の光量誤差が生じるが、つなぎ露光の領域よりもずらし量を大きくとることにより合算時の光量誤差は最大で６％／８＝０．７５％と１％以下に抑制することができた。

また本実施形態に示した可動ブラインドをＫｒＦスキャン露光装置に適用することもできる。

本実施形態は前記第２の実施形態と組み合わせることで縦方向と横方向の両方向で２次元つなぎ露光が高精度に可能となる。つまり走査方向と垂直な方向での光量分布を形成するためには第２の実施形態の方法を用い、走査方向と平行な方向での光量分布を形成するためには本実施形態の方法を用いれば良い。原版から基板への露光装置にはＫｒＦスキャン露光装置を用いる。この露光装置には第２の実施形態を実現するための開口フィルターと本実施形態を実現するための可動ブラインドの両方を具備している。通常では１回で行われる原版から基板へのパターン転写露光を前記同様に５回の露光に分割し、各露光で開口フィルター及び可動ブラインドの位置をずらして露光を行った。このようにして２次元つなぎ露光が高精度で可能となる。

（第４の実施形態）
本実施形態では前記実施形態で述べた露光方法を実現するために必要な原版及び原版のパターンデータ準備方法について述べる。原版から基板へ一括で露光可能な領域よりも大きなパターンを基板に露光するために図１７に示すような方法でつなぎ露光を行う。ここでは図１７（ａ）に示す所望パターンを図１７（ｂ），図１７（ｃ）に示す第１の原版と第２の原版とに左右に分割する例を示す。つなぎ露光を行うためには第１の原版と第２の原版とに同一なパターンが形成された領域が存在する。この領域を実際のつなぎ露光を行う領域とは区別してパターンデータ上のつなぎ領域とする。適正なつなぎ露光が行われるための必要条件は各露光で実際のつなぎ領域が必ずパターンデータ上のつなぎ領域に含まれていることである。従来技術のように一回で露光を行う場合はパターンデータ上のつなぎ領域と実際のつなぎ領域との幅は同じで構わない。一方、第１〜第３の実施形態で述べたように通常は１回の露光を複数回に分割し各露光でつなぎ領域がずれた露光をするためには、次に示す不等式が成立する必要がある。

パターンデータ上のつなぎ領域幅 ≧ 実際のつなぎ露光の幅＋位置ずらし量×分割回数
ここでの実際のつなぎ露光の幅とは光量分布が１００％から０％に変化する領域の幅と同義である。第３の実施形態での具体的な数値を示す。開口ブラインドで光量分布を形成するつなぎ方向ではつなぎ露光の幅は８０μｍ、位置ずらし量は１００μｍ、分割回数を５回とすればパターンデータ上のつなぎ領域幅は５８０≧８０＋１００×５となり、５８０μｍ以上であればよいことがわかる。また開口フィルターを走査させることで形成する光量分布の幅は５００μｍ、位置ずらし量は１０μｍ、分割回数は５回とすると同様の計算で、パターンデータ上のつなぎ領域幅は５５０μｍ以上であればよいことがわかる。本実施形態ではパターンデータ上のつなぎ領域幅に余裕を５０μｍもたせた。よってパターン上のつなぎ領域の幅はそれぞれ６３０μｍと６００μｍとした。つなぎ露光による基板上の光量分布を図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す。

このようにパターンデータ上のつなぎ領域の幅を実際のつなぎ露光の幅よりも大きくとって原版のデータ及び原版を作製した。このことでつなぎ露光の際につなぎ露光領域をずらした露光が可能となり、つなぎ領域のパターン精度を高精度にすることができる。

なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。

第１の実施形態に係わる露光装置の概略構成を示す模式図。第１の実施形態に係わるフィルターの構成を示す図。フィルターを透過した光の光量分布を示す図。第１の実施形態に係わる露光方法の手順の概略を示す図原版とフィルターとの光学的な位置関係。図６（ａ）はつなぎ露光におけるそれぞれ露光の光量分布を示し、図６（ｂ）は合算光量分布を示す図。図７（ａ）は第１のつなぎ露光におけるそれぞれ露光の光量分布を示す図、図７（ｂ）は第２のつなぎ露光におけるそれぞれ露光の光量分布を示す図、図７（ｃ）は合算光量分布を示す図。第２の実施形態に係わる開口フィルターの構成を示す図。開口フィルターを用いたスキャン露光の概略を示す図。開口フィルターを透過した光の走査による基板上での光量分布を示す図。第２の実施形態に係わるスキャン露光の概略を示す図。フィルターの工作精度と位置ずらしの関係を示す図。第３の実施形態に係わる可動ブラインドを有する露光装置の概略構成を示す図。一枚の可動ブラインドによる光量分布を示す図。つなぎ露光を行った場合の光量分布を示す図。可動ブラインドにより形成された光量分布を用いてつなぎ露光を行った際の合算光量分布を示す図。第４の実施形態に係わるつなぎ露光の概略を示す図。

符号の説明

１１…光源，１２…第１のフライアイレンズ，１３…フィルター，１４…第２のフライアイレンズ，１５…原版，１６…投影光学系，１７…基板，１８…原版ステージ，１９…基板ステージ

Claims

繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された原版、前記原版に形成されたパターンが転写される基板、並びに
光源と、前記原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために透過光量が略均一な透過領域の周囲に形成された遮蔽領域を具備するフィルターと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段と、前記原版が載置される原版ステージと、前記基板が載置される基板ステージとを具備する露光装置を用意する工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は第１の原版領域からずれている工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域の少なくとも一部を含み、第３の基板領域は前記第１の基板領域に前記所定幅重なる工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記原版の第４の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第３の原版領域からずれると共に前記第２の原版領域の少なくとも一部を含み、前記第４の基板領域は第２の基板領域に所定幅重なる工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
前記光量変化手段は、前記フィルターの透過領域と遮蔽領域との間の領域に形成された変化領域であり、前記変化領域には単位図形からなる遮蔽部が複数配置され、前記変化領域では、前記遮蔽部の配置比率が前記透過領域から遮蔽領域にかけて変化することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された原版、並びに
光源と、前記原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために遮蔽領域と一部の一方向の幅が連続的に変化する透過領域とを具備するフィルターと、前記原版が載置される前記一方向に平行移動可能な原版ステージと、基板が載置される前記一方向に平行移動可能な基板ステージと、前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備するスキャン露光装置を用意する工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第１の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は第１の原版領域からずれている工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域の少なくとも一部を含み、第３の基板領域は前記第１の基板領域に前記所定幅重なる工程と、
前記原版と前記基板との光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記原版の第４の原版領域に形成されたパターンを基板の第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第３の原版領域からずれると共に前記第２の原版領域の少なくとも一部を含み、前記第４の基板領域は第２の基板領域に所定幅重なる工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
繋ぎ露光を行うために同じパターンが形成された重複領域を具備する第１及び第２の原版、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンが転写される基板、並びに
光源と、前記第１または第２の原版が載置される原版ステージと、前記基板が載置される基板ステージと、前記第１または第２の原版に形成されたパターンの転写領域を設定すると共に前記繋ぎ露光を行うために透過光量が略均一な透過領域の周囲に形成された遮蔽領域を具備するフィルターと、前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備する露光装置を用意する工程と、
前記第１の原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第１の原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記第１の原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第１の原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第１の原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記第１の原版の第２の原版領域に形成されたパターンを基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第２の原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第２の原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、第２の原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に前記所定幅重なる第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域内の重複領域に形成されたパターン形状を含む工程と、
前記第２の原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第２の原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記第２の原版の第４の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に前記所定幅重なる第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第２の原版領域内の重複領域に形成されたパターン形状を含む工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
第１の原版領域と第３の原版領域とのずれ量が、前記単位図形の一辺の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項４に記載の露光方法。
前記光量変化手段は前記フィルターに形成された変化領域であり、前記変化領域では、単位図形からなる遮蔽部の配置比率が前記透過領域から遮蔽領域にかけて変化することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
前記重複領域の幅は、前記変化領域の幅より大きいことを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
繋ぎ露光を行うために同じパターンが形成された重複領域を具備する第１及び第２の原版、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンが転写される基板、並びに
光源と、前記第１または第２の原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために遮蔽領域と一部の一方向の幅が連続的に変化する透過領域とを具備するフィルターと、前記第１または第２の原版が載置される前記一方向に平行移動可能な原版ステージと、前記基板が載置される前記一方向に平行移動可能な基板ステージと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備するスキャン露光装置を用意する工程と、
前記第１の原版と前記基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記第１の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記第１の原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第１の基板領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第１の原版と基板との光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記第１の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記第１の原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記基板の第２の基板領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第２の原版と前記基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記第２の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記第２の原版に形成されたパターンの第３の原版領域を前記基板の第１の基板領域に前記所定幅重なる第３の基板領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域に形成されたパターンは前記第１の原版領域に含まれる重複領域に形成されたパターンを含む工程と、
前記原版と基板との光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記第２の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記第２の領域に含まれる重複領域を含む前記第２の原版の第４の原版領域を基板の第２の基板領域に前記所定幅重なる第４の基板領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域に形成されたパターンは前記第２の原版領域に含まれる重複領域に形成されたパターンを含む工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
前記第１の原版領域と前記第３の原版領域とのずれ量が、前記透過領域の一方向の幅の製造誤差の変動周期よりも大きいことを特徴とする請求項３または請求項８に記載の露光方法。
繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された原版、前記原版に形成されたパターンが転写されるレジスト膜が半導体基板上に形成されたウェハ、並びに
光源と、前記原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために透過光量が略均一な透過領域の周囲に形成された遮蔽領域を具備するフィルターと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段と、前記原版が載置される原版ステージと、前記ウェハが載置される基板ステージとを具備する露光装置を用意する工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第１のレジスト領域に転写する工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が前記第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第２のレジスト領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は第１の原版領域からずれている工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第３のレジスト領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域の少なくとも一部を含み、第３のレジスト領域は前記第１のレジスト領域に前記所定幅重なる工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記原版の第４の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第４のレジスト領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第３の原版領域からずれると共に前記第２の原版領域の少なくとも一部を含み、前記第４のレジスト領域は第２のレジスト領域に所定幅重なる工程と
前記レジスト膜を現像することによって、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記ウェハを加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された原版、前記原版に形成されたパターンが転写されるレジスト膜が半導体基板上に形成されたウェハ、並びに
光源と、前記原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために遮蔽領域と一部の一方向の幅が連続的に変化する透過領域とを具備するフィルターと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段と、前記原版が載置される原版ステージと、前記ウェハが載置される基板ステージとを具備する露光装置を用意する工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第１のレジスト領域に転写する工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が前記第１の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第２のレジスト領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は第１の原版領域からずれている工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第３のレジスト領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域の少なくとも一部を含み、第３のレジスト領域は前記第１のレジスト領域に前記所定幅重なる工程と、
前記原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が前記第２の状態、且つ前記フィルターと前記原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記原版の第４の原版領域に形成されたパターンをレジスト膜の第４のレジスト領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第３の原版領域からずれると共に前記第２の原版領域の少なくとも一部を含み、前記第４のレジスト領域は第２のレジスト領域に所定幅重なる工程と
前記レジスト膜を現像することによって、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記ウェハを加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された第１及び第２の原版、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンが転写されるレジスト膜が半導体基板上に形成されたウェハ、並びに
光源と、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために透過光量が略均一な透過領域の周囲に形成された遮蔽領域を具備するフィルターと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段と、前記第１または第２の原版が載置される原版ステージと、前記ウェハが載置される基板ステージとを具備する露光装置を用意する工程と、
前記第１の原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第１の原版との光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記第１の原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第１のレジスト領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第１の原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第１の原版との光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記第１の原版の第２の原版領域に形成されたパターンをレジスト膜の第２のレジスト領域に転写する工程であって、前記第２の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第２の原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第２の原版との光学的な位置関係が第３の位置関係で、第２の原版の第３の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第１のレジスト領域に前記所定幅重なる第３のレジスト領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域は前記第１の原版領域内の重複領域に形成されたパターン形状を含む工程と、
前記第２の原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記フィルター及び光量変化手段と前記第２の原版との光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記第２の原版の第４の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第２のレジスト領域に前記所定幅重なる第４のレジスト領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域は前記第２の原版領域内の重複領域に形成されたパターン形状を含む工程と
前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記ウェハを加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
繋ぎ露光を行うための所定のパターンが形成された第１及び第２の原版、前記第１及び第２の原版に形成されたパターンが転写されるレジスト膜が半導体基板上に形成されたウェハ、並びに
光源と、前記第１または第２の原版に形成されたパターンの転写領域を設定するために遮蔽領域と一部の一方向の幅が連続的に変化する透過領域とを具備するフィルターと、前記第１または第２の原版が載置される前記一方向に平行移動可能な原版ステージと、前記ウェハが載置される前記一方向に平行移動可能な基板ステージと、前記繋ぎ露光を行うために前記基板上での光量を所定幅変化させる光量変化手段とを具備するスキャン露光装置を用意する工程と、
前記第１の原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記第１の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第１の位置関係で、前記第１の原版の第１の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第１のレジスト領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第１の原版とウェハとの光学的な位置関係が第１の状態、且つ前記第１の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第２の位置関係で、前記第１の原版の第２の原版領域に形成されたパターンを前記レジスト膜の第２のレジスト領域に転写する工程であって、前記第１の原版領域は前記重複領域を含む工程と、
前記第２の原版と前記ウェハとの光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記第２の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第３の位置関係で、前記第２の原版に形成されたパターンの第３の原版領域を前記レジスト膜の第１のレジスト領域に前記所定幅重なる第３のレジスト領域に転写する工程であって、前記第３の原版領域に形成されたパターンは前記第１の原版領域に含まれる重複領域に形成されたパターンを含む工程と、
前記原版とウェハとの光学的な位置関係が第２の状態、且つ前記第２の原版と前記フィルターとの光学的な位置関係が第４の位置関係で、前記第２の領域に含まれる重複領域を含む前記第２の原版の第４の原版領域をレジスト膜の第２のレジスト領域に前記所定幅重なる第４のレジスト領域に転写する工程であって、前記第４の原版領域に形成されたパターンは前記第２の原版領域に含まれる重複領域に形成されたパターンを含む工程と
前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記ウェハを加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。