CN101556438B - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种同时地将两个图案形成装置曝光到衬底上的光刻设备和器件制造方法。在实施例中，光刻设备包括用于接收和调节脉冲辐射束的多个照射系统；配置在脉冲辐射束源和照射系统之间用于交替地将辐射束脉冲引导到各个照射系统的束引导装置；用于保持多个图案形成装置的支撑台，每个图案形成装置能够将图案在其横截面上赋予到各自经调节的辐射束上以形成多个图案化的辐射束；和构造用于将多个图案化的辐射束同时地投影到衬底的目标部分上的投影系统。在实施例中，衬底用相变材料覆盖。

Description

光刻设备和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于形成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过利用投影系统把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

存在持续的期望，能够产生具有更细分辨率的图案。通常，使用更短波长的辐射，以便获得更细分辨率的图案。步进式和扫描式系统的分辨率变得受到限制，尤其是使用193nm波长的辐射。使用浸没光刻技术已经扩展了分辨率，将数值孔径(NA)增大到接近1.56NA。这将支持32nm(半个间距)的分辨率。为了达到更高的分辨率，尤其是使用193nm波长照射，将需要发展新的图案形成技术。

已经提出一种用于提高分辨率的图案形成技术，所述图案形成技术是多次曝光技术。在这种技术中，位于衬底上的目标部分被曝光两次或更多次。每次曝光可以使用不同的图案、或使用光刻设备的投影系统或照射系统或两者中的不同光学设置来完成这种多次曝光。在不同的曝光使用不同图案的情况中，这些不同的图案可以例如由不同图案形成装置提供。作为示例，对于衬底可能期望具有使用相移掩模的曝光和具有修整掩模的曝光。可以期望，两个曝光具有不同的曝光条件。通常，这种“双曝光”通过用第一图案形成装置(例如相移掩模)对整个衬底第一次曝光，然后用第二图案形成装置(例如修整掩模)调换第一图案形成装置并且用第二图案形成装置对整个衬底曝光。这个过程相当消耗时间，并且通常会导致较差的产量(也就是每单元时间处理的衬底的数量)。

通过在一个台上使用多个图案形成装置能够减轻更换图案形成装置的可能存在的不利因素，正如美国专利No.6,800,408中所述。尽管在一个台上使用了多个图案形成装置，美国专利No.6,800,408的图案形成技术相对于单次曝光技术对于设备的产量仍然具有显著的影响。这是因为第一和第二图案形成装置连续地形成图案到衬底的目标部分上。通过同时将第一和第二图案形成装置的图案形成到衬底的目标部分上减轻这种不利缺陷，正如美国专利No.6,611,316中所述。美国专利No.6,611,316描述了一种图案形成技术，其中在投影系统的场平面中并列产生两个掩模版图像。

发明内容

在投影系统的场平面中，设置两个分离的并列掩模版图像具有缺陷。该缺陷在于，当校正投影系统的光学像差时，应该考虑更大面积的场平面。由于两个并列的图像穿过投影系统的不同部分，它们可能会受到投影系统的光学像差的不同影响。由于在校正光学像差中受限制的可能性，在场平面内的并列图像不能单独地被最优化。替代地，在并列图像之间进行折衷。

因而，期望的是，例如，提供一种改进的多次曝光图案形成技术和/或一种改进的光刻设备。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，其包括：用于接收并调节脉冲辐射束的多个照射系统；配置在脉冲辐射束的源和照射系统之间用于交替地将辐射束的脉冲引导到各个照射系统的束引导装置；用于保持多个与特定图案相关的图案形成装置的支撑台，每个图案形成装置能够将图案赋予到各自被调节的辐射束的横截面上，以形成各自的图案化的辐射束；用于保持衬底的衬底台；和用于将相对于彼此一致地传播的多个图案化的辐射束中的每一个交替地投影到所述衬底的目标部分上、以在所述衬底上获得所述特定图案的投影系统。

在实施例中，束引导装置配置成交替地引导单个脉冲到各个照射系统。

在还一实施例中，所述衬底基本上用相变材料层覆盖。相变材料层在暴露到所述辐射中之前可以是晶体或多晶体状态。

在另一实施例中，支撑台和衬底台是同步扫描台。

在还一实施例中，束引导装置配置成交替地引导脉冲组到各个照射系统。

在又一实施例中，光刻设备是浸没光刻设备。

在另一实施例中，束引导装置是束组合器或束分离器。

在又一实施例中，光刻设备包括用于提供脉冲的辐射束的辐射源。

在另一实施例中，所述光刻设备包括多个辐射源，每个辐射源构造成提供脉冲的辐射束并且响应于各自的照射系统，并且其中所述束引导装置包括用于交替地启动所述辐射源以产生单个脉冲或多个脉冲的控制单元。

在又一实施例中，多个照射系统配置成单独地调节对应于各自的图案的各个辐射束。

根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，其包括：提供脉冲辐射束；交替地引导所述辐射束的脉冲到多个照射系统，以产生多个各自的已调节的辐射束；引导所述各个已调节的辐射束中的每一个到多个图案形成装置的一个，每个所述图案形成装置具有各自的图案；将各自的图案在所述已调节的辐射束的各自的横截面上赋予到每一个所述已调节的辐射束上，以形成多个各自的图案化的辐射束；和将相对于彼此一致地传播的所述多个图案化的辐射束中的每一个交替地投影到衬底的目标部分上。

在实施例中，所述方法包括交替地引导单个脉冲到各个照射系统。

在所述方法的还一实施例中，所述衬底用相变材料层覆盖。

在还一实施例中，所述方法还包括同时地扫描所述图案形成装置和所述衬底。

在又一实施例中，所述方法包括交替地引导脉冲组到各个照射系统。

附图说明

下面仅通过示例，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中：

图1示意地示出根据本发明的实施例的光刻设备；

图2示意地显示了根据本发明实施例的光刻设备的投影系统中的光瞳；

图3示意地显示了根据本发明另一实施例的光刻设备。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明实施例的光刻设备。该设备包括辐射源101，构造用于产生脉冲辐射束107。该辐射源101可以是例如受激准分子激光器，产生脉冲紫外或深紫外辐射。任何脉冲照射抗蚀剂曝光源都是合适的。辐射源和光刻设备可以是分离的实体。在这种情况中，辐射源不被看成是形成光刻设备的一部分，并且在束传递系统(未示出)的帮助下，辐射束从辐射源101传到束引导装置102(如下面讨论的)。

束引导装置102配置成接收辐射束107并且交替地引导辐射束的脉冲朝向第一照射系统105a和第二照射系统105b。引导到第一照射系统的脉冲形成第一辐射束125a，而引导到第二照射系统的脉冲形成第二辐射束125b。第一和第二照射系统105a、105b构造成分别调节第一和第二辐射束125a、125b，以分别形成经调节的辐射束127a和127b。支撑台109配置在第一和第二照射系统的下游，以支撑第一图案形成装置104a和第二图案形成装置104b。第一图案形成装置104a和第二图案形成装置104b将各自的经调节的辐射束127a和127b图案化，以形成各自的图案化的辐射束124a、124b。束组合器106配置成接收并且引导图案化的辐射束124a、124b沿单个光学轴线朝向投影系统112。投影系统112配置成将图案化的辐射束124a、124b投影到设置在衬底的目标部分上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上(未示出)。衬底用衬底台114支撑。

束引导装置102包括改变方向元件102a和反射元件103a和103b。改变方向元件102a配置成通过各自的反射元件103a和103b交替地改变脉冲的方向到第一照射系统105a和第二照射系统105b。改变方向元件102a可以是可旋转的反射镜，其与辐射源101的脉冲输出是同步的。可替换地或附加地，束引导装置102可以包括一个或更多个其他光学元件，以改变脉冲的方向到第一和第二照射系统。

第一照射系统105a和第二照射系统105b每一个包括调整器AD，以分别调整第一和第二辐射束125a、125b的角度强度分布。调整器可以是包括变焦元件(zoom)和旋转三棱镜元件(axicon element)或微型反射镜阵列的光学设置。此外，第一和第二照射系统每一个包括一个或更多个其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。照射系统可以用来调节各自的辐射束，以在其横截面上形成所需的均匀度和强度分布。可替换地或附加地，第二照射系统105b的结构可以与第一照射系统105a的结构不同。在该实施例中，第一和第二照射系统对于第一和第二图案形成装置104a、104b的各自特定的图案，可以单独地被最优化，以最佳地调节各自的第一和第二辐射束125a、125b。

支撑台109保持第一和第二图案形成装置104a、104b两者。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计和例如图案形成装置是否保持在真空环境等其他条件的方式，保持图案形成装置。支撑台可以使用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术，以保持图案形成装置。根据需要支撑台可以是固定的或可移动的。通常，可以通过长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑台的移动。在实施例中(未示出)，图案形成装置104a、104b分别通过分离的支撑台支撑。在这个实施例中，使两个分离的支撑台同步，以将第一和第二图案形成装置的相应部分曝光。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的，并被称为“掩模”或“掩模版(reticle)”。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。

束组合器106包括反射元件106a、106b、106c，以引导各个图案化的辐射束124a、124b朝向束组合器立方体106d。可替换地或附加地，其他改变方向结构可以配置成改变和组合各个图案化的辐射束124a、124b。

投影系统112可以是折射型、反射型、反射折射型光学系统，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。如这里所示，光刻设备是使用透射式图案形成装置的透射类型。可选地，光刻设备可以是采用反射型图案形成装置的反射类型。

衬底台114配置成相对于投影系统112定位衬底。衬底台WT的移动可以使用长行程模块和短行程模块来实现。光刻设备可以是具有两个或更多个衬底台的类型。在这种“多台”的机器中，附加的台可以并行地使用，或在一个或更多个其他台被用于曝光的同时在一个或多个台上实施准备步骤。

光刻设备可以是这种类型，其中至少一部分衬底被具有相对高的折射率的液体(也就是水)覆盖，以便填满投影系统和衬底之间的空隙。浸没液体也可以应用到光刻设备中的其他空隙，例如图案形成装置和投影系统之间。浸没技术在本领域是公知的，其用于提高投影系统的数值孔径。这里用到的术语“浸没”并不意味着例如衬底等结构必须浸没到液体内，而指的是在曝光过程中液体位于投影系统和衬底之间。

在运行过程中，辐射源产生脉冲辐射束107，其中脉冲的第一部分被引导朝向第一照射系统105a和第一图案形成装置104a。脉冲的第二部分被引导朝向第二照射系统105b和第二图案形成装置104b。被引导到第一照射系统的脉冲形成第一辐射束125a，被引导到第二照射系统的脉冲形成第二辐射束125b。第一和第二照射系统105a、105b分别调节第一和第二辐射束125a、125b，以分别形成经调节的辐射束127a、127b。第一和第二辐射束127a、127b分别入射到第一和第二图案形成装置104a、104b。第一和第二图案形成装置104a、104b分别将经调节的辐射束127a和127b图案化，以分别形成图案化的辐射束124a、124b。图案化的辐射束124a、124b通过束组合器106空间地组合，使得图案化的辐射束124a、124b在退出束组合器106时相对于彼此一致地传播。应该强调的是，在本文中，“一致的”应该解释具有与两个向量之间的关系有关的通常的几何意义。当向量的方向是基本上相同时，这些向量被认为是一致的，尽管量值可能是不同的。图案化的辐射束可以被看作向量，每一个具有量值和方向。因此，在退出束组合器时，两个图案化的辐射束124a、124b沿着相同的光轴朝向投影系统112传播，但是可能具有不同的强度。投影系统将各个图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。正如上面提到的，束引导装置102交替地将脉冲引导朝向第一和第二照射系统。由于沿着穿过各照射系统、图案形成装置、束组合器的各个部分和投影系统的光学路径很少或没有脉冲展宽发生，图案化的辐射束124a、124b在入射到衬底上时是时间分离的。因此，第一图案形成装置的图案和第二图案形成装置的图案交替地投影到衬底的目标部分上。

光刻设备可以用在步进模式或扫描模式中：

1.在步进模式中，在将赋予各个辐射束的整个图案交替地投影到衬底的目标部分上的同时，将支撑台109和衬底台114保持为基本静止。然后将所述衬底台114沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分的尺寸。

2.在扫描模式中，在将赋予各个辐射束的图案交替地投影到衬底的目标部分上的同时，对支撑台109和衬底台114同步地进行扫描。衬底台114相对于支撑台109的速度和方向可以通过投影系统112的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的动态曝光中的目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定了目标部分的高度(沿所述扫描方向)。在扫描模式中，各个图案形成装置的图案的一些部分被交替地投影到衬底的目标部分上。

在完成衬底的曝光后，抗蚀剂被显影。在正性抗蚀剂(positive toneresist)的情形中，抗蚀剂中仅有被高于抗蚀剂阈值水平的第一或第二图案化的辐射束曝光的区域能够溶解。在负性抗蚀剂的情形中，抗蚀剂的非曝光区域被显影。因而，经过显影，抗蚀剂包括与第一和第二图案形成装置的重叠图案相同的图案。

图2示意地示出了根据本发明实施例的光刻设备的投影系统中的光瞳21。在透镜光瞳21中，示意地显示了位于投影系统的场平面(即，与图案形成装置平面和衬底平面共轭的平面)处的照射狭缝22。在该实施例中，光刻设备是以扫描模式运行的光刻设备，其中“Y”是扫描方向。照射狭缝22在图案化的辐射束124a和124b沿着相同的光轴交替地穿过投影系统时将它们呈现出来。由于图案化的辐射束沿着相同的光轴交替的穿过，投影系统的光学像差和其他光学参数对于仅由照射狭缝22穿过的光瞳的横截面面积应该进行最优化。

在实施例中，使用的抗蚀剂是快速阈值处理系统(

)。这意味着在抗蚀剂中，由抗蚀剂被图案化的辐射束曝光导致的曝光化学反应快速地完成。希望能够这样，使得两个曝光图像的曝光和随之在抗蚀剂系统中产生的化学反应不彼此影响。例如，邻近已经进行第一剂量辐射曝光的区域的抗蚀剂区域可能不希望地受到第一剂量辐射的影响，使得那个区域保留第一剂量的“记忆(memory)”，这对于在那个区域上随后的第二剂量辐射的图案化精确度是有害的。

在实施例中，覆盖衬底的抗蚀剂系统包括相变材料。相变材料可以是硫属化物玻璃，例如锗锑碲(GeSbTe)或银铟锑碲(AgInSbTe)。可替换地，相变材料可以是任何其他能够利用晶体生长过程或其他沉积技术施加到衬底上的相变材料。相变材料是在热的影响下从晶体状态转变成非晶体状态或从非晶体状态转变到晶体状态的材料。从第一状态到第二状态的转变是在施加的热超过明确定义的阈值水平时发生的，其中所述明确定义的阈值水平依赖于所选的具体相变材料。在该实施例中，超过阈值水平引起从第一状态转变到第二状态的热量是使用来自图案化辐射束的辐射来传递的。热的阈值水平可以通过计算精确地转变为将要从图案化的辐射束获得的辐射强度的阈值水平。只有暴露到超过阈值水平的辐射中的相变材料的区域应该从非晶体状态转变到晶体状态或从晶体状态转变到非晶体状态。由于该明确定义的阈值水平，与希望图案化的区域邻近的区域，其暴露到小于阈值水平的辐射下，不应该会转变状态，因而应该保持基本上没有前次曝光的“记忆”。在冷却后，相变材料基本上“忘记”由与任何多次曝光相关的空间图像的邻近尾部导致的任何部分曝光。仅有已经暴露到高于辐射阈值水平的辐射中的相变材料区域应该变成在显影剂中可溶解(或不可溶解的，视情况而定)。

在实施例中，相变材料层在暴露到辐射中之前是晶体或多晶体状态。期望地，相变材料层是晶体薄膜层。该膜可以被看成热成像层，因为热被用来在该膜中形成图像，随后在该膜中的图像可以在合适的条件下进行显影。而且，该膜具有对没有达到阈值曝光的前次部分曝光基本上没有“记忆”的特性。

在步进模式中，第一图案的形成图案曝光选择地加热晶体膜并且将相变材料的所选区域的第一部分转变成非晶体状态。膜以高精确度被有效地局部融化，并且被集中(pooled)。然后，融化的区域通过快速热淬火被再次凝固成晶体状态。这样，相变材料作用类似阈值抗蚀剂。随后，第二图案的形成图案曝光选择地加热晶体膜并将相移材料的所选区域的第二部分转变成非晶体状态。如同第一图案的曝光，在第二曝光期间，膜被局部地有效融化，然后融化的区域通过快速热淬火再凝固成非晶体状态。当执行第二图案曝光时，除了在超过曝光阈值并且晶体膜被转变成非晶体状态的图案区域，膜基本上没有第一图案曝光的“记忆”。因而，在随后的曝光图案之间基本上没有由图像上的部分曝光尾部引起的邻近效应。在将相变材料显影后，衬底包括具有与第一和第二图案形成装置的重叠图案一致的图案的晶体相变材料(或包括具有与第一和第二图案形成装置的重叠图案一致的图案的非晶体相变材料，视情况而定)。

在扫描模式中，第一图案的第一部分的图案形成曝光选择地加热晶体膜并且将相变材料的所选区域的第一部分转变成非晶体状态。膜以高精确度被有效地局部融化，并且被集中(pooled)。然后，融化的区域通过快速热淬火被再凝固成非晶体状态。这样，相变材料作用类似阈值抗蚀剂。随后，第二图案的第二部分的图案形成曝光选择地加热晶体膜，并且将相移材料的所选区域的第二部分转变成非晶体状态。与第一图案的第一部分的曝光相同，在第二曝光时，膜被有效地局部融化，然后融化的区域通过快速热淬火再凝固成非晶体状态。在第一和第二图案形成装置的一部分交替曝光的过程中，重复这个过程，直到整个第一和第二图案已经投影到相变材料上。在将相变材料显影后，衬底包括具有与第一和第二图案形成装置的重叠图案一致的图案的晶体相变材料(或非晶体相变材料，视情况而定)。

采用的具体曝光时间将是多个参数的函数，包括所使用的辐射源的类型、辐射源脉冲长度和束能量。期望地，交替地曝光的部分的曝光持续时间在大约1纳秒到大约1微秒范围内，或在50到200纳秒范围内。代替交替地引导脉冲朝向第一和第二照射系统，可以交替地引导脉冲组朝向第一和第二照射系统。

图3示意地显示根据本发明另一实施例的光刻设备。在这个实施例中，光刻设备包括第一和第二辐射源301、302以及控制单元303，所述控制单元303用以控制第一和第二辐射源302、303的输出。第一和第二照射系统、支撑台、束组合器、投影系统和衬底台可以与图1所描述的实施例中的一致。在这个实施例中，控制单元303交替地启动第一和第二辐射源以产生辐射脉冲。由第一辐射源产生的脉冲被引导到第一照射系统，而由第二辐射源产生的脉冲被引导到第二照射系统。这个实施例的优点在于可以获得更高频脉冲发射，实现更高产量的光刻设备。这个实施例的优点在于扫描图案形成装置和衬底台之间的更好的同步。

在实施例中，光刻设备是浸没式光刻设备，也就是，其中衬底的至少一部分用液体覆盖，以便充满投影系统和衬底之间的空隙。在运行过程中，衬底可以被入射到衬底上的图案化辐射束加热。在衬底和投影系统之间施加液体的好处在于液体吸收来自衬底的热，并且由于浸没液体的连续流动，将热转移到曝光区域外部。这导致衬底的加热被减少，因而改善工艺参数，例如重叠以及从图案形成装置转移到衬底的图案的质量。

也可以采用上述使用模式的结合和/或变体，或使用完全不同的模式。虽然在所述的实施例中，光刻设备包括两个照射系统用以对两个图案形成装置曝光，应该理解到，本发明的实施例不限于这个数量的照射系统。本领域技术人员将会认识到可以使用多于两个的照射系统，其中脉冲被交替引导到多个照射系统。

虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

虽然上面详述了本发明的实施例在光刻设备的应用，应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，和粒子束，例如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以认为是一个或多种不同类型光学部件的组合体，包括折射型、反射型、磁性、电磁的和静电的光学部件。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以除所述方式之外的方式实施。例如，本发明的实施例可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的至少一个机器可读的指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储媒介(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。此外，机器可读的指令可以嵌入到两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可以存储在至少一个不同的存储器和/或数据存储媒介中。

上面所述的控制器可以具有任何合适的用于接收、处理和发送信号的结构。例如，每个控制器可以包括至少一个处理器，用于执行包括对应上述方法的机器可读指令的计算机程序。控制器还可以包括用于存储这种计算机程度的数据存储媒介，和/或容纳这种媒介的硬件。

上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离给出本发明的权利要求的范围，可以对上述本发明进行更改。

Claims (15)

1.一种光刻设备，其包括：

多个照射系统，所述多个照射系统构造用于接收和调节脉冲辐射束；

束引导装置，所述束引导装置配置在脉冲辐射束的源和所述照射系统之间，所述束引导装置构造和配置用于交替地将所述辐射束的脉冲引导到所述各个照射系统；

支撑台，所述支撑台构造用于保持与特定图案相关的多个图案形成装置，每个所述图案形成装置能够将图案在其横截面上赋予到各自经调节的辐射束上，以形成各自的图案化的辐射束；

衬底台，所述衬底台用于保持衬底；

投影系统；和

束组合器，所述束组合器配置成接收图案化的辐射束并且沿同一光学轴线朝向投影系统引导图案化的辐射束，

其中，所述支撑台和衬底台是同步扫描台，所述投影系统构造用于在支撑台和衬底台被同步地扫描的同时将相对于彼此一致地传播的所述各个图案化的辐射束中的每一个交替地投影到所述衬底的同一目标部分上，以在所述衬底上获得所述特定图案。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述束引导装置配置成交替地引导单个脉冲到所述各个照射系统。

3.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述衬底基本上用相变材料层覆盖。

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述相变材料层在暴露到所述辐射中之前是晶体或多晶体状态。

5.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述束引导装置配置成交替地引导脉冲组到所述各个照射系统。

6.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述光刻设备是浸没式光刻设备。

7.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其还包括构造用于提供脉冲辐射束的辐射源。

8.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其还包括多个辐射源，每个辐射源构造成提供脉冲辐射束并且对应于各自的照射系统，并且其中所述束引导装置包括用于交替地启动所述辐射源以产生单个脉冲或多个脉冲的控制单元。

9.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述多个照射系统配置成单独地调节分别与各个图案相对应的各个辐射束。

10.一种器件制造方法，其包括步骤：

提供脉冲辐射束；

交替地引导所述辐射束的脉冲到多个照射系统，以分别产生多个各自经调节的辐射束；

引导所述经调节的辐射束中的每一个到多个图案形成装置中的一个，每个所述图案形成装置具有各自的图案；

将各自的图案在所述经调节的辐射束各自的横截面上赋予到每一个所述经调节的辐射束上以形成多个各自的图案化的辐射束；

利用束组合器接收图案化的辐射束并且沿同一光学轴线朝向投影系统引导图案化的辐射束；和

在支撑台和衬底台被同步地扫描的同时将相对于彼此一致地传播的多个图案化的辐射束中的每一个交替地投影到衬底的同一目标部分上。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括交替地引导单个脉冲到各个照射系统。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述衬底用相变材料层覆盖。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述相变材料层在暴露到所述辐射中之前是晶体或多晶体状态。

14.根据权利要求10所述的方法，其包括交替地引导脉冲组到各个照射系统。

15.根据权利要求10、11和14中任何一个所述的方法，其中提供所述脉冲辐射束的步骤包括提供来自多个辐射源中每一个辐射源的脉冲辐射束到所述多个照射系统的各个照射系统，和包括交替地启动所述辐射源以产生单个脉冲或多个脉冲。

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