JP2010078437A - 偏光状態検査装置および偏光状態検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、光の透過率を向上させることができる偏光状態検査装置および偏光状態検査方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基部と、前記基部の主面上に設けられ、透光性を有する材料からなる格子部を有し、第１の偏光方向の光を選択的に透過させる第１の偏光子と、前記基板の主面上に設けられ、透光性を有する材料からなる格子部を有し、前記第１の偏光方向とは異なる第２の偏光方向の光を選択的に透過させる第２の偏光子と、を備えたことを特徴とする偏光状態検査装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、偏光状態検査装置および偏光状態検査方法に関する。

光リソグラフィ技術により微細なパターンを形成する場合、照明光の偏光状態が結像に大きな影響を及ぼす。すなわち、照明光の偏光状態には、光の電場ベクトルが照明光の入射面に垂直な方向に振動する「ｓ偏光」と、入射面に平行な方向に振動する「ｐ偏光」とがあるが、「ｓ偏光」を用いた方がコントラストを向上させることができる。そのため、微細なラインアンドスペースパターンを形成させる場合には、被処理物（例えば、ウェーハなど）の表面に形成されたレジスト上に投影される照明光が「ｓ偏光」となるようにしている。

ここで、照明光学系に設けられた回折光学素子などの位置が振動を受けることでずれてしまい、当初に設定した偏光方向が変動する場合がある。また、回折光学素子の製造誤差などにより偏光方向がばらつくこともある。
そのため、偏光状態を測定する測定手段を設けて、偏光状態の測定と調整を行う技術が提案されている（特許文献１、２を参照）。
特許文献１、２に開示がされた技術によれば、偏光状態の経時変化やばらつきなどを知ることができる。しかしながら、偏光状態を測定する測定手段を別途設ける必要があるため、露光装置の複雑化、高コスト化などを招くおそれがある。また、偏光状態を測定する測定手段を設けていない既存の露光装置などに対する対応も考慮されていなかった。

また、偏光子を設けた検査用マスクを用いて、偏光状態を検査する技術が提案されている（特許文献３を参照）。
特許文献３に開示がされた技術によれば、露光装置の複雑化、高コスト化を招くことなく偏光状態を検査することができる。また、既存の露光装置に対しても対応することができる。しかしながら、偏光子をクロムなどの金属膜で形成しているため、光の透過率が低下するおそれがある。
特開２００６−１７９６６０号公報 特開２００７−１８８９２７号公報 特開２００５−１１６７３３号公報

本発明は、光の透過率を向上させることができる偏光状態検査装置および偏光状態検査方法を提供する。

本発明の一態様によれば、透光性を有する基部と、前記基部の主面上に設けられ、透光性を有する材料からなる格子部を有し、第１の偏光方向の光を選択的に透過させる第１の偏光子と、前記基板の主面上に設けられ、透光性を有する材料からなる格子部を有し、前記第１の偏光方向とは異なる第２の偏光方向の光を選択的に透過させる第２の偏光子と、を備えたことを特徴とする偏光状態検査装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、上記の偏光状態検査装置を用いて、露光対象を感光する工程と、前記感光された部分の感光状態から偏光状態を検査する工程と、を含むことを特徴とする偏光状態検査方法が提供される。

本発明によれば、光の透過率を向上させることができる偏光状態検査装置および偏光状態検査方法が提供される。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る偏光状態検査装置を例示するための模式図である。なお、図１（ａ）は模式平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ矢視断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ部の模式拡大図である。また、図１（ａ）中の矢印Ｘ、Ｙは互いに直交する２方向を表している。なお、偏光状態検査装置１を後述する露光装置１００に取り付ける場合には、Ｘ方向がスリット方向、Ｙ方向がスリット走査方向（スキャン方向）となる。
図１に示すように、偏光状態検査装置１には、基部２、偏光部３、遮光部４が設けられている。

基部２は、例えば、透明材料から形成され、光が容易に透過できるようになっている。透明材料としては、透明な無機材料や有機材料などを例示することができる。この場合、光の透過率が高いものが好ましく、また、傷などがつきにくいように硬度の高いものが好ましい。そのようなものとしては、例えば、石英などを例示することができる。ただし、これに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

基部２の一方の主面には、偏光部３が設けられている。偏光部３は、透光性を有する材料から形成されている。また、基部２よりも光の透過率が低い材料から形成されている。そのような材料としては、ＭｏＳｉ系の材料（例えば、二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ_２）など）を例示することができる。ただし、これに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
基部２に設けられる側と対向する側の主面には遮光部４が設けられている。遮光部４は、光を遮ることができる材料から形成されている。そのような材料としては、クロムなどの金属材料を例示することができる。ただし、これに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

遮光部４には、主面間を貫通するようにして孔４ａが設けられている。そのため、外部から照射された光の一部が、孔４ａを介して偏光部３に入射することができるようになっている。この場合、孔４ａの形状は特に限定されない。ただし、光が入射する方向の影響を抑制することを考慮すれば点対称図形であることが好ましく、特に、円であることがより好ましい。
また、孔４ａをピンホール光学系として機能させることができるように、その大きさが充分小さいものとされている。例えば、孔４ａの形状が円である場合には、その直径を５０μｍ程度とすることができる。そして、孔４ａをピンホール光学系として機能させることで、光源側の像を光学的に共役な位置に形成させることができるようになっている。すなわち、孔４ａは、光源側の像を光学的に共役な位置に形成させるピンホール光学系となる。

また、孔４ａは複数設けられ、その数が偶数となるようになっている。また、図１（ａ）に示すように、孔４ａを図中のＸ方向（露光装置のスリット方向）に等間隔に配設することができる。また、孔４ａを図中のＹ方向（後述する露光装置のスリット走査方向（スキャン方向））に等間隔に配設することができる。この場合、配設ピッチ寸法は、図中のＸ方向の方が小さくなっている。なお、孔４ａの数、配設位置、ピッチ寸法などは図示したものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。
また、一例として、図中の横方向に一列に配設する場合を例示したが、これに限定されるわけではない。孔４ａ同士が隣接するような状態で配設されていればよい。例えば、図中の縦方向に一列に配設するようにしてもよいし、格子状、千鳥状などとなるように配設することもできる。

図１（ｃ）に示すように、孔４ａに面する部分には偏光子５が設けられている。また、偏光子５には、透過部５ａと格子部５ｂとが設けられている。そして、偏光部３が除去された部分が透過部５ａとなり、除去されなかった部分が格子部５ｂとなっている。そのため、格子部５ｂは偏光部３と同様に透光性を有することになる。また、基部２よりも光の透過率が低いことになる。また、透過部５ａと格子部５ｂとは交互に配設され、いわゆるラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）を形成している。この場合、透過部５ａと格子部５ｂのピッチ方向の寸法（幅寸法）が略同一となるようにすることができる。また、ピッチ寸法は、照射される光の波長よりも短いものとなっている。なお、ピッチ寸法に関しては後述する。

また、偏光子５は複数設けられ、隣接する偏光子５において偏光軸方向（格子部５ｂのライン方向（ピッチ方向に直交する方向））が互いに交差するように配設されている。この場合、交差する方向を略直交する方向とすれば、後述する偏光状態の検査を容易に行うことができる。また、偏光子５の数を偶数とすれば、隣接する偏光子５による感光部分を比較観察することができるので、偏光状態の検査をさらに容易に行うことができる。なお、偏光状態の検査に関しては後述する。

次に、偏光子５の作用について例示をする。
図２は、偏光子の作用について例示をするための模式断面図である。なお、図２に示す偏光子５は、図１（ｃ）におけるＣ−Ｃ矢視方向の断面を表している。
照射される光の波長よりも短いピッチ寸法のラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）が形成されている場合、照射される光の偏光方向によって反射量と透過量が変わってくる。ここで、偏光子５のピッチ方向（偏光軸方向（ライン方向）に直交する方向）に振動する光をＴＥ（Transverse Electric）波とし、これに直交する偏光軸方向（ライン方向）に振動する光をＴＭ(Transverse Magnetic）波とする。

図２（ａ）は、照射される光Ｌ１（入射光）がＴＥ波である場合の反射量と透過量を例示するための模式図である。
また、図２（ｂ）は、照射される光Ｌ１（入射光）がＴＭ波である場合の反射量と透過量を例示するための模式図である。
図２（ａ）に示すように、照射される光Ｌ１がＴＥ波である場合には、ほとんどが反射されることで反射光Ｌ３となり、偏光子５を透過する透過光Ｌ２は僅かなものとなる。一方、図２（ｂ）に示すように、照射される光Ｌ１がＴＭ波である場合には、一部が反射されて反射光Ｌ３となるが、偏光子５を透過する透過光Ｌ２の量は多くなる。

この様に、偏光子５を設けるものとすれば、ＴＭ波は透過するがＴＥ波の透過は抑制されることになる。そのため、ＴＭ波を選択的に透過させることができるようになる。すなわち、偏光子５は、基部２の主面に設けられ、複数の偏光方向の光を選択的に透過させることができる。

この場合、入射面（反射面Ｒに垂直であって、照射される光Ｌ１（入射光）、と反射光Ｌ３とを含む面）を基準とすれば、入射面に垂直となるＴＭ波はｓ波（ｓ偏光）となるので、ｓ波（ｓ偏光）を選択的に透過させることができることになる。なお、隣接する偏光子５においては、偏光軸方向（ライン方向）がこれと略直交する方向となっているのでＴＥ波が入射面に垂直となる。そのため、隣接する偏光子５においては、ＴＥ波がｓ波（ｓ偏光）となるのでｓ波（ｓ偏光）が選択的に透過されないことになる。その結果、偏光子５の偏光軸方向（ライン方向）を考慮しつつ、露光対象（例えば、レジストなど）の感光された部分を観察することで偏光状態（ｓ波（ｓ偏光）の含まれ具合）を検査することができるようになる。

図３は、偏光状態の検査を例示するための模式図である。なお、図中上段の円環状の図は照明像の形状を表し、その左側に記載された斜めの矢印は光の振動方向を表している。また、図中中段の図は図１（ｃ）において例示をした隣接する偏光子５を表している。また、図中下段の図はレジスト上に感光された像を表している。この場合、感光された像は光の照射量が多いほど濃く、少ないほど淡くなるように表している。
図３に示すように、左側に設けられた偏光子５の偏光軸方向（ライン方向）と光の振動方向とは平行に近い。そのため、ＴＭ波となる部分が多く透過量が多くなるので、感光の度合いが高くなる（色が濃くなる）。一方、右側に設けられた偏光子５の偏光軸方向（ライン方向）と光の振動方向とは垂直に近い。そのため、ＴＭ波となる部分が少なく透過量が少なくなるので、感光の度合いが低くなる（色が淡くなる）。また、入射面の方向を考慮すればｓ波（ｓ偏光）であるか否かを知ることができる。

そして、照明の偏光に偏りがあると隣接する像の感光状態が異なってくるので、このことから偏光度を算出することができる。そして、像の感光状態から光の振動方向やその割合などを知ることができるので、偏光状態を知ることができる。

この場合、特許文献３に開示がされた技術のように偏光部（格子部）をクロムなどの金属材料で形成するようにすれば、格子部を光が透過できないことになる。すなわち、偏光子は、光を遮光する格子部と光を透過させる透過部とを備えることになる。この様な、偏光子を用いたとしても偏光状態の検査をすることはできる。しかしながら、クロムなどの金属材料で形成された格子部を有するものの場合には、透過量が少なくなるので透過率が低下し、検査精度や検査の信頼性が低下するおそれがある（後述する図５を参照）。

本実施の形態においては、基部２よりも光の透過率は低いが透光性を有する材料で偏光部３（格子部５ｂ）を形成している。そのため、偏光状態検査装置１を透過する光の透過率を向上させることができる。その結果、検査精度や検査の信頼性を向上させることができる。

ここで、本発明者の得た知見によれば、偏光子５の特性は、透過部５ａ、格子部５ｂの寸法による影響を受ける。
次に、偏光子５の特性に与える影響について例示をする。
図４は、比較例に係る偏光状態検査装置の要部について例示をするための模式断面図である。なお、図４は、図２に例示したもののように偏光状態検査装置に設けられた偏光子部分について例示をするための模式断面図である。また、図中の上段に記載された矢印は、照射される光Ｌ４に含まれるＴＥ波、ＴＭ波をそれぞれ表したものである。また、図中の下段に記載された矢印は透過光Ｌ５を表している。また、格子部２５ｂの高さをＨ１、ピッチ寸法をＰ１としている。

比較例に係る偏光状態検査装置２０にも、基部２、図示しない偏光部、遮光部が設けられている。また、図示しない遮光部には、主面間を貫通するようにして孔が設けられている。そして、図示しない偏光部の孔に面する部分には偏光子２５が設けられている。すなわち、比較例に係る偏光状態検査装置２０は、前述した偏光状態検査装置１と同様の構成を有している。ただし、偏光状態検査装置１とは偏光子２５の構成、偏光部（格子部２５ｂ）の材料が異なる。

図４に示すように、偏光子２５には、透過部２５ａと格子部２５ｂとが設けられている。偏光子２５の場合も、偏光部が除去された部分が透過部２５ａとなり、除去されなかった部分が格子部２５ｂとなる。また、透過部２５ａと格子部２５ｂとは交互に配設され、いわゆるラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）となるようになっている。ここで、図示しない偏光部はクロムなどの金属材料で形成されている。そのため、格子部２５ｂもクロムなどの金属材料で形成されていることになる。

図５は、比較例に係る偏光状態検査装置の特性を例示するためのグラフ図である。 図５（ａ）は、格子部の高さＨ１とピッチ寸法Ｐ１が消光比に与える影響を例示するためのグラフ図である。また、図５（ｂ）は、格子部の高さＨ１とピッチ寸法Ｐ１が透過率に与える影響を例示するためのグラフ図である。なお、消光比とは、ＴＭ波の強度とＴＥ波の強度との比（ＴＭ波の強度／ＴＥ波の強度）である。また、透過率はＴＭ波とＴＥ波の合計の透過率である。また、照射波長を１９３ｎｍとし、透過部２５ａと格子部２５ｂのピッチ方向の寸法（幅寸法）を略同一としている。

図５（ａ）に示すように、格子部の高さＨ１を高くすれば消光比を大きくすることができる。また、ピッチ寸法Ｐ１を小さくすれば消光比を大きくすることができる。消光比を大きくすることができれば、偏光分離特性を向上させることができる。そのため、格子部の高さＨ１を高くするとともに、ピッチ寸法Ｐ１を小さくすることが好ましい。

ところが、図５（ｂ）に示すように、格子部の高さＨ１を高くしたり、ピッチ寸法Ｐ１を小さくしたりすれば透過率が著しく低下してしまう。そのため、検査精度や検査の信頼性が低下してしまうおそれがある。

図６は、本実施の形態に係る偏光状態検査装置の要部について例示をするための模式断面図である。なお、図２に例示したものと同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、図中の上段に記載された矢印は、照射される光Ｌ６に含まれるＴＥ波、ＴＭ波をそれぞれ表したものである。また、図中の下段に記載された矢印は透過光Ｌ７を表している。また、格子部５ｂの高さをＨ２、ピッチ寸法をＰ２としている。

図７は、本実施の形態に係る偏光状態検査装置の特性を例示するためのグラフ図である。図７（ａ）は、格子部の高さＨ２とピッチ寸法Ｐ２が消光比に与える影響を例示するためのグラフ図である。また、図７（ｂ）は、格子部の高さＨ２とピッチ寸法Ｐ２が透過率に与える影響を例示するためのグラフ図である。なお、消光比とは、ＴＭ波の強度とＴＥ波の強度との比（ＴＭ波の強度／ＴＥ波の強度）である。また、透過率はＴＭ波とＴＥ波の合計の透過率である。また、照射波長を１９３ｎｍとし、透過部５ａと格子部５ｂのピッチ方向の寸法（幅寸法）を略同一としている。

図７（ａ）に示すように、格子部の高さＨ２を５０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下とすれば消光比を大きくすることができる。また、ピッチ寸法Ｐ２を１３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下とすれば消光比を大きくすることができる。消光比を大きくすることができれば、偏光分離特性を向上させることができる。

また、図７（ｂ）に示すように、格子部の高さＨ２を５０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下としたり、ピッチ寸法Ｐ２を１３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下としても透過率が著しく低下するようなことはない。そのため、検査精度や検査の信頼性を確保することができる。

また、比較例に係る偏光状態検査装置２０において、高い消光比を得ようとするとピッチ寸法Ｐ１を６０ｎｍ以下とする必要がある。しかしながら、この様な微細な構造を形成することは困難である。また、製造の歩留まりも著しく低下するおそれがある。一方、本実施の形態に係る偏光状態検査装置１においては、ピッチ寸法Ｐ２を１３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下とすることができるので、製造の容易化、歩留まりの向上を図ることができる。

次に、本実施の形態に係る偏光状態検査方法について例示をする。
図８は、本実施の形態に係る偏光状態検査方法について例示をするための模式図である。なお、一例として、露光装置１００における偏光状態の検査を例示する。
図８に示すように、露光装置１００には、照明部１０１、マスクステージ１０６、投影光学系１０２、ウェーハステージ１０３が設けられている。露光装置１００は、露光マスクに形成された回路パターンをレジストに転写する投影露光装置である。

照明部１０１は、光源部１０４と照明光学系１０５を備えている。光源部１０４としては、例えば、波長１９３ｎｍ程度のＡｒＦエキシマレーザ、波長２４８ｎｍ程度のＫｒＦエキシマレーザ、波長１５３ｎｍ程度のＦ２エキシマレーザなどのレーザ光源を例示することができる。照明光学系１０５は、光源部１０４からの光を露光マスクに照射するためのものである。照明光学系１０５には、レンズや偏光方向を調整するための図示しない回折光学素子が設けられている。また、図示しないミラー、ライトインテグレーター、絞りなどを設けることもできる。

マスクステージ１０６は、転写される回路パターンが形成された図示しない露光マスクを保持、移動する。また、偏光状態の検査を行う場合には、本実施の形態に係る偏光状態検査装置１を保持、移動する。
投影光学系１０２は、例えば、第１の投影レンズ１０７、投影系瞳面１０９、第２の投影レンズ１０８から構成されるものとすることができる。

ウェーハステージ１０３は、ウェーハＷを保持、移動する。例えば、リニアモータなどを用いて、保持されたウェーハＷを水平方向に移動させるようなものを例示することができる。また、露光マスクとウェーハＷを同期走査させることができるようになっている。

次に露光装置１００の作用について例示をする。光源部１０４から放射された光は照明光学系１０５を介して図示しない露光マスクに照射される。露光マスクを透過した光は、投影光学系１０２を介してウェーハＷの表面に塗布されたレジスト上に投影される。この際、図示しない露光マスクとウェーハＷとは光学的に共役の位置関係にある。走査型投影露光装置の場合は、図示しない露光マスクとウェーハＷを走査することにより露光マスクの回路パターンをレジストに転写する。なお、ステップアンドリピート露光方式の露光装置（ステッパー）の場合には、図示しない露光マスクとウェーハＷを静止させた状態で転写が行われる。

ここで、「ｓ偏光」の光を用いた方がコントラストを上げることができる。そのため、微細なラインアンドスペースパターンを形成させる場合には、レジスト上に投影される光が「ｓ偏光」となるようにされている。この場合、レジスト上に投影される光が「ｓ偏光」となるように、照明光学系１０５に設けられた図示しない回折光学素子を用いて偏光方向を調整するようにしている。

しかしながら、照明光学系１０５に設けられた図示しない回折光学素子の位置が振動を受けることでずれてしまい、当初に設定した偏光方向が変動する場合がある。また、図示しない回折光学素子の製造誤差などにより偏光方向がばらつくこともある。そのため、偏光状態の検査を行い、露光装置の状態を確認したり偏光方向を調整したりする必要がある。

本実施の形態に係る偏光状態検査方法においては、マスクステージ１０６に本実施の形態に係る偏光状態検査装置１を保持させる。そして、光源部１０４から放射された光を照明光学系１０５を介して偏光状態検査装置１に照射する。偏光状態検査装置１に照射された光は、孔４ａ、偏光子５、基部２を透過して投影光学系１０２に入射する。そして、投影光学系１０２に入射した光がウェーハＷの表面に塗布されたレジスト上に照射される。この際、露光マスクと同様に偏光状態検査装置１とウェーハＷ（レジスト）とは光学的に共役の位置関係にある。また、孔４ａはピンホール光学系として機能するので、光源部１０４の像を光学的に共役な位置にあるウェーハＷ（レジスト）上に形成させることができる。

前述したように、照明の偏光に偏りがあると隣接する像の感光状態が異なってくるので、このことから偏光度を算出することができる。また、像の感光状態から光の振動方向やその割合などを知ることができるので、偏光状態を知ることができる。
この様に、本実施の形態に係る偏光状態検査方法においては、本実施の形態に係る偏光状態検査装置１を用いて、露光対象（例えば、レジストなど）を感光する工程と、前記感光された部分の感光状態から偏光状態を検査する工程とを含んでいる。また、偏光状態の検査は、隣接する感光された部分の感光状態を比較することにより行われるようにすることができる。また、偏光状態の検査は、顕微鏡などを用いた目視検査とすることができる。また、偏光状態の検査は、感光された部分を画像処理することにより行われるようにすることもできる。

本実施の形態によれば、露光マスクのかわりに偏光状態検査装置１を用いるだけで偏光状態の経時変化やばらつきなどを知ることができる。この場合、偏光状態を測定する測定手段を別途設ける必要がないので、露光装置の複雑化、高コスト化などを招くおそれがない。また、偏光状態を測定する測定手段を設けていない既存の露光装置などに対しても偏光状態の検査を行うことができる。
また、偏光状態検査装置１を透過する光の透過率を向上させることができるので、検査精度や検査の信頼性を向上させることができる。

以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
例えば、偏光状態検査装置１として、基部２の一方の主面に偏光部３（偏光子５）、遮光部４（孔４ａ）を積層するようにして設ける場合を例示したが、基部２の一方の主面に偏光部３（偏光子５）を設け、他方の主面に遮光部４（孔４ａ）を設けることもできる。ただし、基部２の一方の主面に偏光部３（偏光子５）、遮光部４（孔４ａ）をこの順に積層するようにして設けるものとすれば、遮光部４により偏光部３を保護することができる。

また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、偏光状態検査装置１、露光装置１００などが備える各要素の形状、材料、配置、数などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

本実施の形態に係る偏光状態検査装置を例示するための模式図である。 偏光子の作用について例示をするための模式断面図である。 偏光状態の検査を例示するための模式図である。 比較例に係る偏光状態検査装置の要部について例示をするための模式断面図である。 比較例に係る偏光状態検査装置の特性を例示するためのグラフ図である。 本実施の形態に係る偏光状態検査装置の要部について例示をするための模式断面図である。 本実施の形態に係る偏光状態検査装置の特性を例示するためのグラフ図である。 本実施の形態に係る偏光状態検査方法について例示をするための模式図である。

符号の説明

１ 偏光状態検査装置、２ 基部、３ 偏光部、４ 遮光部、４ａ 孔、５ 偏光子、５ａ 透過部、５ｂ 格子部、１００ 露光装置、１０１ 照明部、１０６ マスクステージ、１０２ 投影光学系、１０３ ウェーハステージ

Claims (11)

1. 透光性を有する基部と、
   前記基部の主面上に設けられ、透光性を有する材料からなる格子部を有し、第１の偏光方向の光を選択的に透過させる第１の偏光子と、
   前記基板の主面上に設けられ、透光性を有する材料からなる格子部を有し、前記第１の偏光方向とは異なる第２の偏光方向の光を選択的に透過させる第２の偏光子と、
   を備えたことを特徴とする偏光状態検査装置。
2. 前記格子部は、前記基部よりも光の透過率が低いこと、を特徴とする請求項１記載の偏光状態検査装置。
3. 光源側の像を光学的に共役な位置に形成させるピンホール光学系をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の偏光状態検査装置。
4. 複数の前記第１の偏光子と、
   複数の前記第２の偏光子と、
   を備え、
   前記第１の偏光子と前記第２の偏光子とが交互に配設されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の偏光状態検査装置。
5. 前記第１の偏光子と前記第２の偏光子の数の合計は、偶数であることを特徴とする請求項４記載の偏光状態検査装置。
6. 前記第１の偏光方向と、前記第２の偏光方向と、は、略直交することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の偏光状態検査装置。
7. 前記格子部の高さは、５０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の偏光状態検査装置。
8. 前記格子部のピッチ寸法は、１３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の偏光状態検査装置。
9. 請求項１〜８のいずれか１つに記載の偏光状態検査装置を用いて、露光対象を感光する工程と、
   前記感光された部分の感光状態から偏光状態を検査する工程と、
   を含むことを特徴とする偏光状態検査方法。
10. 前記検査は、隣接する前記感光された部分の感光状態を比較することにより行われることを特徴とする請求項９記載の偏光状態検査方法。
11. 前記検査は、前記感光された部分を画像処理することにより行われることを特徴とする請求項９または１０に記載の偏光状態検査方法。