JP2008145581A - ワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに平行な多数の直線状金属細線と直線状誘電体細線が配置されているワイヤーグリッド偏光子において、誘電体細線の両側壁の全面は、隣接する金属細線の一方の側壁と接しており、金属細線の2つの側壁の少なくとも一方は、前記誘電体細線と接しない領域を有していることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
この問題を解決するため、複屈折透明誘電体積層体の反射型偏光子を輝度向上フィルムとして使用することが広く普及している。複屈折透明誘電体積層体の反射型偏光子は、液晶バックライトからの光のうち1方向の偏光成分を透過し、それとは直交する偏光成分をバックライト側に反射する。バックライト側に戻った光は、バックライト部の部材の複屈折や、バックライト部での散乱や反射により偏光状態が解消された状態で、再び反射型偏光子へと戻ってくるため、一部が偏光子を透過するようになる。このサイクルを繰り返すことにより、光の利用効率を高めることが可能となる。
このワイヤーグリッド偏光子に、その法線方向から光が入射すると、金属細線2の長手方向と直交する電場ベクトルを有する成分(すなわちTM偏光)は透過し、金属細線の長手方向と平行な電場ベクトルを有する成分(すなわちTE偏光)は反射される。
ワイヤーグリッド偏光子は赤外波長領域において有用な偏光子として古くから利用されている(例えば、非特許文献1)。可視光波長域(およそ400nm〜700nm)では、その金属細線周期が200nm以下であることが必要で、作製上の困難さが伴うが、近年の微細加工技術の進歩に伴い、ようやく製造、販売されるようになった(例えば、非特許文献2)。
ところで、本明細書中で言うところの十分な透過率とは、透過率40%以上(TM偏光のみを考えた場合、透過率80%以上)を言い、また、十分な偏光分離性能とは、TM偏光とTE偏光の透過率の比(消光比)が20000:1以上を言う。
図8より明らかなように、十分に高い透過率と偏光分離性能(消光比)は、アルミニウム細線の高さが175nm前後の時に得られ、幅70nmであるので、アスペクト比が2.5である。
特に液晶表示装置に用いる場合には、液晶パネルを構成するガラス基板と貼り合せる必要があり、この貼り合せの工程で金属細線が倒れ、十分な性能を発揮できないという問題がある。
しかしながら、図10に示すように、計算機シミュレーションによると、周期140nmで幅が70nmの金属細線からなるワイヤーグリッド偏光子において、金属細線(アルミニウムを仮定)間に屈折率1.5の樹脂が埋め込まれた場合、十分な透過率と偏光分離性能を持つことが不可能となる。
J.P.Auton,Applied Optics.Vol.6.1023(1967) F.J.Kahn,Private Line Report on Projection Display.Vol.7.No.10.3(2001)
また、本発明のワイヤーグリッド偏光子は、前記誘電体細線の高さは、前記金属細線の高さの40%から70%であることを特徴としている。
また、本発明のワイヤーグリッド偏光子は、隣接する前記誘電体細線間には、1つの前記金属細線が形成され、前記誘電体細線の高さは、前記金属細線の高さの40%から70%であることを特徴としている。
また、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、所定の波長域の光を透過可能な基板上に、前記所定の波長域の光を透過可能な誘電体からなる互いに平行に延在する複数の誘電体細線を形成する第1の工程と、前記誘電体細線間を金属で埋め込むように金属層を形成する第2の工程と、前記誘電体細線の頂部に堆積された前記金属層を除去する第3の工程と、前記誘電体細線を一部除去して、前記誘電体細線の高さを除去前の40%から70%とする第4の工程と、を備えることを特徴としている。
また、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、前記金属層は、化学気相堆積法により形成されることを特徴としている。
また、本発明のワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、前記金属層の除去が、反応性イオンエッチングにより行われることを特徴としている。
さらに、金属細線の2つの側壁の少なくとも一方は、誘電体細線と接しない領域を有しているため、側壁全体が接している場合よりも、同じアスペクト比構造とした場合に、高い透過率と偏光分離機能を有することが可能となる。
以下、本発明の第1の実施形態を添付の図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態を表す、断面概略図である。
本発明の第1の実施の形態のワイヤーグリッド偏光子10は、基板11と複数の誘電体細線12と複数の金属細線13とによって構成されており、基板11上に所定の周期d、幅w2、高さh、屈折率nの誘電体細線12が平行に多数並んでおり、その誘電体細線12の両側面の全面に、所定の幅w1、高さhの金属細線13が接するようになっている。このとき2×w1+w2<dとなっている。なお、基板11、誘電体細線12は、所定の波長域の光を透過可能な材料からなっている。
本実施形態において、ワイヤーグリッド偏光子10を構成する基板11及び金属細線13、誘電体細線12の屈折率は、ワイヤーグリッド偏光子10の透過率と偏光分離性能に大きく影響する。
ワイヤーグリッド偏光子10の基板11として使用可能な材料は、液晶プロジェクタなど、耐熱性が要求される用途でワイヤーグリッド偏光子10を用いる場合には、ガラスに代表されるような可視光に対し透明性の高い高耐熱性無機材料である。
金属細線13の材料は金属であれば、特に限定はないが、可視光に対する消衰係数(屈折率の虚数部)が大きいことが好ましく、最も好ましい材料はアルミニウムである。
また、偏光分離機能と透過率の観点から言えば、低屈折率材料の方が好ましく、低屈折率樹脂材料としては、弗素系樹脂やシリコン樹脂が使用でき、更には、上記各種樹脂材料やその複合樹脂に、弗素系樹脂やシリコン樹脂を混入して、屈折率を下げた樹脂として使用することが出来る。
〔第1の工程〕
まず、図2(a)に示すように、樹脂層をナノインプリント法にて加工して、周期d、幅w2、高さhの誘電体細線12が平行に多数並んだ構造を作製する。その作製法の例としては、PCフィルム上に、UV硬化型樹脂をワイヤーバーで薄くコーティングし、離型処理を施したモールドと、ラミネートした状態で、UV光で樹脂を硬化、モールド離型、という手順によるものがある。なお、上記のモールドは、あらかじめ電子線リソグラフィー法によりシリコンウエハを加工したものであり、周期d、幅w、深さhの溝がその加工により多数形成されたものとなっている。
また、本実施形態においては、UVナノインプリント法で誘電体細線12の構造を作製するため、UVナノインプリント法に適した材料として、アクリル系のUV硬化型樹脂を用いているが、UVナノインプリント法に代えて熱ナノインプリント法を適用する場合には、基板11としてガラスを、誘電体細線12の材料としてPMMA(ポリメチルメタアクリレート)を用いてもよい。この場合には、ガラス基板11の一面に、PMMAを溶剤に溶解した溶液をスピンコート法により塗布、乾燥して、PMMAの薄膜(例えば厚み1μm)を形成する。また、熱ナノインプリント法を適用する場合には、PMMA基板そのものの表面に直接、細線パターンを作製してもよい。
次に、図2(b)に示すように、誘電体細線12の構造を有するフィルムに対して、CVD(化学気相成長法)にて、誘電体細線12の頂部、側壁ならびに誘電体細線12間を被覆するように、金属層14を成膜する。金属の成膜方法は、大きく分けてPVD(物理的気相成長法)とCVD(化学気相成長法)とがある。代表的なPVDとしては、真空蒸着法やスパッタリング法があり、CVDに比べ成膜速度が速いという特徴がある。
この際、PVD法にて堆積させる金属は、CVD法で堆積する金属と同じ金属であることが好ましいが、前述の理由により、それが困難な場合は、チタンなどの他の金属を用いることも可能である。
次に、図2(c)に示すように、誘電体細線12頂部と誘電体細線12間(溝底部)に堆積した金属のみを反応性イオンエッチング法にて除去し、誘電体細線12の側壁に堆積した金属を残すことで、金属細線13の構造を作製した。ここで、反応性イオンエッチングとは、プラズマによりガスをイオン化・ラジカル化して材料をエッチングする方法をいう。
例えば、イオンの衝突衝撃を利用するイオンミリングや、セラミックの超微粉を噴射させるサンドブラスト、或いは金属の結晶構造の方向性を利用したアルカリ又は酸性の液体を用いたウェットエッチングでも、異方性を持たせる事は可能である。或いは、反応ガス中に材料を曝す方法(反応性ガスエッチング)でも、基板11と垂直な方向に、ある種のガス流を作れば可能である。ただし、本実施形態で用いた反応性イオンエッチングが、エッチング厚みの制御がし易く、精度も良いため、実用上最も好ましい方法といえる。
まず、厚み100μmのPCフィルム上に、UVナノインプリント法にて、周期140nm、幅49nm、高さ175nmの誘電体細線12が平行に多数並んだ構造を作製した。このとき、誘電体細線12は、PCフィルム上に、UV硬化型樹脂であるPAK−01(東洋合成製)をワイヤーバーで薄くコーティングし、離型処理を施したモールドとラミネートした状態で、UV光で樹脂を硬化、モールド離型、という手順にて作製された。
また、本実施形態のワイヤーグリッド偏光子10は、1本の誘電体細線12に対して金属細線13が2本作製されるため、金属細線13の周期は、誘電体細線12の周期の半分となる。例えば、可視光線に対するワイヤーグリッド偏光子10が、200nm以下の周期を必要とするため、誘電体細線12の周期は、その倍の400nm以下であれば良い。したがって、製造工程上の難易度も下がり、生産効率を上昇させ、且つ大面積化も容易となる。
以下、本発明の第2の実施形態を添付の図面を参照しながら説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態を表す、断面概略図である。
本発明の第2の実施形態のワイヤーグリッド偏光子20は、基板21と複数の誘電体細線22と複数の金属細線23とによって構成されており、基板上に所定の周期d、幅w2、高さh2、屈折率nの誘電体細線22が平行に多数並んでおり、その誘電体細線22の両側面の全面に、所定の幅w1の、高さh1の金属細線23が接するようになっている。このときh2<h1、2×w1+w2<dとなっている。なお、基板21、誘電体細線22は、所定の波長域の光を透過可能な材料からなっている。
一方、誘電体細線22が金属細線23を支持し、その倒壊を防ぐと言う信頼性の点からは、誘電体細線22の高さは、高ければ高いほど好ましい。本実施形態のワイヤーグリッド偏光子20に要求される信頼性は、それが使われる商品形態や、作製工程によって異なり、金属細線23の倒壊を防ぐために、誘電体細線22が、どの程度の高さがあれば良いかを一概には言えないが、発明者が実際に実験的に得た知見によれば、誘電体細線22の高さが、金属細線23の高さの40%以上の高さであれば、十分な信頼性を得られることが判明している。
〔第1の工程〕
まず、図4(a)に示すように、樹脂層をナノインプリント法にて加工して、周期d、幅w2、高さh1の誘電体細線22が平行に多数並んだ構造を作製する。ナノインプリント法の例としては、第1の実施形態のワイヤーグリッド偏光子10の作製方法における第1の工程の記載と同様であるためその説明を省略する。
次に、図4(b)に示すように、誘電体細線構造を有するフィルムに対して、CVD(化学気相成長法)にて、誘電体細線22の頂部、側壁ならびに誘電体細線22間を被覆するように、金属層24を成膜する。金属の成膜方法は、第1の実施形態のワイヤーグリッド偏光子の作製方法における第2の工程と同様であるため、その説明を省略する。
次に、図4(c)に示すように、誘電体細線頂部と誘電体細線間(溝底部)に堆積した金属のみを反応性イオンエッチング法にて除去し、誘電体細線22の側壁に堆積した金属を残すことで、金属細線23の構造を作製した。反応性イオンエッチング法は、第1の実施形態のワイヤーグリッド偏光子の作製方法における第3の工程と同様であるため、その説明を省略する。
図4(a)〜(c)までの工程で得られた試料の誘電体細線22の頂部を除去し、その高さをh2からh1にすることにより、図4(d)に示すような構造を得る。この工程は、エッチングによって行われ、ウェットエッチングでもドライエッチング(特に反応性イオンエッチング)でも良いが、金属細線構造に影響を与えないような、エッチングであることが好ましい。反応性イオンエッチングの場合、反応性ガスとして酸素を用いることで、金属細線構造に影響を与えず、樹脂系の誘電体細線22だけをエッチングすることができる。
まず、ガラス基板上のPMMA層に、熱ナノインプリント法にて、周期200nm、幅60nm、高さ200nmの誘電体細線22が平行に多数並んだ構造を作製した。ここで、ガラス基板は予め二酸化チタンと二酸化シリコンの薄膜を三層重ねた反射防止コートがされているものであり、反射防止層とは反対側の表面に、PMMAを溶剤に溶解した溶液を、スピンコート法により塗布、乾燥して、PMMAの薄膜(厚み1μm)を形成したものを用いている。このとき誘電体細線22は、PMMAを塗布したフロートガラス基板を、150℃に熱し、PMMA層を軟化させた後で、モールドを接触、加圧し、この加圧状態のまま、モールドと基板とを室温まで冷却、モールド離型、という手順にて作製された。
また、本実施形態のワイヤーグリッド偏光子20は、1本の誘電体細線22に対して金属細線23が2本作製されるため、金属細線23の周期は、誘電体細線22の周期の半分となる。例えば、可視光線に対するワイヤーグリッド偏光子20が、200nm以下の周期を必要とするため、誘電体細線22の周期は、その倍の400nm以下であれば良い。したがって、製造工程上の難易度も下がり、生産効率を上昇させ、且つ大面積化も容易となる。
図5は、本発明の第3の実施形態を表す、断面概略図である。
本発明の第3の実施形態のワイヤーグリッド偏光子30は、基板31と複数の誘電体細線32と複数の金属細線33とによって構成されており、基板上に所定の周期d、幅w2、高さh2、屈折率nの誘電体細線32が平行に多数並んでおり、その誘電体細線32の両側面の全面に、所定の幅w1の、高さh1の金属細線33が接するようになっている。このときh2<h1、w1+w2=dとなっている。なお、基板31、誘電体細線32は、所定の波長域の光を透過可能な材料からなっている。
一方、誘電体細線32が金属細線33を支持し、その倒壊を防ぐと言う信頼性の点からは、誘電体細線32の高さは、高ければ高いほど好ましい。本実施形態のワイヤーグリッド偏光子20に要求される信頼性は、それが使われる商品形態や、作製工程によって異なり、金属細線33の倒壊を防ぐために、誘電体細線32が、どの程度の高さがあれば良いかを一概には言えないが、発明者が実際に実験的に得た知見によれば、誘電体細線32の高さが、金属細線33の高さの40%以上の高さであれば、十分な信頼性を得られることが判明している。
〔第1の工程〕
まず、図6(a)に示すように、樹脂層をナノインプリント法にて加工して、周期100nm、幅50nm、高さ175nmの誘電体細線32が平行に多数並んだ構造を作製する。ナノインプリント法の例としては、第1の実施形態のワイヤーグリッド偏光子10の作製方法における第1の工程の記載と同様であるためその説明を省略する。なお、図6においては、樹脂層にかえて樹脂基板表面を直接加工した例として図示されている。
次に、図6(b)に示すように、誘電体細線構造を有するフィルムに対して、CVD(化学気相成長法)にて、誘電体細線全体を被覆するように、金属層34を成膜する。金属の成膜方法は、第1の実施形態のワイヤーグリッド偏光子10の作製方法における第2の工程と同様であるため、その説明を省略する。
次に、図6(c)に示すように、誘電体細線上に堆積した金属をアルカリ水溶液によるウェットエッチング法にて除去する。このエッチングの工程は、アルカリ水溶液によるウェットエッチング法に限るものではなく、酸性溶液を用いたウェットエッチングや、第1や第2の実施形態と同様に反応性イオンエッチングを用いることも可能である。ただし、誘電体細線間に埋まった金属は、誘電体細線上に堆積した金属に比べて、アルカリ水溶液に浸る確率が非常に低いため、反応性イオンエッチングに比べて生産工程が簡単なウェットエッチングでも、容易に図6(c)の構造を作ることが可能である。そのほか、イオンの衝突衝撃を利用するイオンミリングや、セラミックの超微粉を噴射させるサンドブラスト法、反応性ガスエッチング法でも、誘電体細線上に堆積した金属の除去は可能である。
最後に、図6(d)に示すように、誘電体細線32の上部を、反応性ガスとして酸素を用いた反応性イオンエッチングにより除去する。このエッチングの工程は、酸素を用いた反応性イオンエッチングに限るものではなく、誘電体細線32を構成する材料(本実施形態ではPMMA)をエッチングし、金属細線33の構造に影響を与えないような、エッチングであるなら他の方法を採用することもできる。また、例えば、塩化メチレン溶液やMMA(メチルメタアクリレート)溶液を用いたウェットエッチング法を用いても良い。
まず、厚み125μmのPMMAフィルム上に、熱ナノインプリント法にて、周期100nm、幅50nm、高さ175nmの誘電体細線32が平行に多数並んだ構造を作製した。このとき誘電体細線32は、PMMAフィルムを、150℃に熱し、軟化させた後で、モールドを接触、加圧し、この加圧状態のまま、モールドと基板とを室温まで冷却、モールド離型、という手順にて作製された。
最後に、誘電体細線32の上部を、反応性ガスとして酸素を用いた反応性イオンエッチングにより除去し、誘電体細線32の高さを125nmとした。
以上添付図面を参照しながら、第1から第3まで本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
2、11、21、31 基板
3、8、13、23、33 金属細線
9、12、22、32 誘電体細線
14、24、34 金属層
Claims (10)
- 所定の波長域の光を透過可能な基板と、
前記基板上に形成され、互いに平行に延在する複数の誘電体細線と、
前記誘電体細線間に形成され、前記複数の誘電体細線と平行に延在する複数の金属細線と、を備え、
前記誘電体細線は、前記所定の波長域の光を透過可能な誘電体からなり、
前記複数の各誘電体細線の両側壁の全面は、隣接する前記金属細線の一方の側壁と接しており、
前記金属細線の2つの側壁の少なくとも一方は、前記誘電体細線と接しない領域を有していることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子。 - 隣接する前記誘電体細線間には、2つの前記金属細線が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のワイヤーグリッド偏光子。
- 前記誘電体細線の高さは、前記金属細線の高さの40%から70%であることを特徴とする請求項1または2に記載のワイヤーグリッド偏光子。
- 隣接する前記誘電体細線間には、1つの前記金属細線が形成され、前記誘電体細線の高さは、前記金属細線の高さの40%から70%であることを特徴とする請求項1に記載のワイヤーグリッド偏光子。
- 所定の波長域の光を透過可能な基板上に、前記所定の波長域の光を透過可能な誘電体からなる互いに平行に延在する複数の誘電体細線を形成する第1の工程と、
前記誘電体細線の頂部、側壁ならびに前記誘電体細線間を被覆するように金属層を形成する第2の工程と、
前記誘電体細線の頂部ならびに前記誘電体細線間に形成された前記金属薄膜を、前記基板の法線方向に平行な異方性エッチングにより除去する第3の工程と、を備えることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子の製造方法。 - 前記第3の工程の後に、前記誘電体細線を一部除去して、前記誘電体細線の高さを除去前の40%から70%とする第4の工程をさらに備えることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
- 所定の波長域の光を透過可能な基板上に、前記所定の波長域の光を透過可能な誘電体からなる互いに平行に延在する複数の誘電体細線を形成する第1の工程と、
前記誘電体細線間を金属で埋め込むように金属層を形成する第2の工程と、
前記誘電体細線の頂部に堆積された前記金属層を除去する第3の工程と、
前記誘電体細線を一部除去して、前記誘電体細線の高さを除去前の40%から70%とする第4の工程と、を備えることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子の製造方法。 - 前記誘電体細線の形成は、ナノインプリント法により行われることを特徴とする請求項5乃至7の何れかに記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
- 前記金属層は、化学気相堆積法により形成されることを特徴とする請求項5乃至8の何れかに記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
- 前記金属層の除去が、反応性イオンエッチングにより行われることを特徴とする請求項5乃至9に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
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