KR101299564B1 - 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법은 기판 상에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계; 상기 반응층으로부터 돌출되는 다수의 볼록부를 상호 이격되게 형성하는 볼록부 형성단계; 이웃하는 상기 볼록부 사이의 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 반응층 중 적어도 일부가 볼록부의 측벽면에 재증착되어 그리드 구조물을 형성하는 그리드 구조물 형성단계; 상기 볼록부를 제거하는 볼록부 제거단계; 상기 이웃하는 그리드 구조물 사이의 기판 상에 적층된 반응층을 제거하는 반응층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 이온빔을 조사하여 식각하는 이온밀링(ion milling) 공정시의 재증착 현상을 이용하여 대면적이 기판 상에 그리드 간의 간격을 미세화하는 동시에 좁은 선폭의 그리드를 가지는 편광자를 용이하게 제작할 수 있는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법이 제공된다.

Description

나노 와이어 그리드 편광자 제작방법{METHOD FOR FABRICATING NANO-WIRE GRID POLARIZER}
본 발명은 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 그리드 간 간격을 미세화하는 동시에 미세한 선폭의 나노 와이어 그리드 편광자를 제작할 수 있는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 관한 것이다.
광선에 의하여 두 개의 직교하는 편광들을 분리하기 위하여 전자기방사 또는 광선의 가시 및 준가시 스펙트럼 내에서 작동하는 와이어 그리드 편광자들이 개발되어 왔다.
이러한 와이어 그리드 편광자는 규칙적으로 배열되는 금속 와이어 그리드 구조로 구성되며, 금속 와이어 간의 공간은 광의 파장보다 작아야 하며, 금속 와이어의 폭, 즉, 선폭은 광파장보다 훨씬 작아야 한다.
한편, 일반적으로 종래의 와이어 그리드 편광자는 나노 임프린트 공정 또는 리소그래피 공정을 통하여 제작된다.
다만, 이러한 종래의 나노 임프린트 공정 만을 이용하는 공정은 100nm 피치를 가지는 마스터를 대면적으로 제작하는데 많은 비용이 소요되고, 고종횡비의 와이어 그리드를 제작하기가 까다로운 문제가 있었다.
또한, 상술한 원리에 따라 와이어 그리드 간 간격, 피치 및 와이어 그리드의 선폭을 미세화하는 공정의 구현이 어렵다는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이온빔을 조사하여 식각하는 이온밀링(ion milling) 공정시의 재증착 현상을 이용하여 대면적이 기판 상에 그리드 간의 간격을 미세화하는 동시에 좁은 선폭의 그리드를 가지는 편광자를 용이하게 제작할 수 있는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법을 제공함에 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판 상에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계; 상기 반응층으로부터 돌출되는 다수의 볼록부를 상호 이격되게 형성하는 볼록부 형성단계; 이웃하는 상기 볼록부 사이의 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽면에 재증착되어 그리드 구조물을 형성하는 그리드 구조물 형성단계; 상기 볼록부를 제거하는 볼록부 제거단계; 상기 이웃하는 그리드 구조물 사이의 기판 상에 적층된 반응층을 제거하는 반응층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 의해 달성된다.
또한, 상기 반응층 적층단계에서 상기 기판 상에 적층되는 반응층의 두께를 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 상기 그리드 구조물 형성단계에서 상기 이온빔의 조사각도, 조사시간을 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 기판 상에 상호 이격되는 다수의 볼록부와 상기 볼록부보다 낮은 높이의 오목부를 반복 형성하는 패터닝단계; 상기 볼록부와 오목부의 상면에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계; 상기 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 오목부 상에 적층된 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽면에 재증착되어 그리드 구조물을 형성하는 그리드 구조물 형성단계;를 포함하고, 상기 반응층 적층단계에서 상기 오목부의 상면에 적층되는 반응층의 두께에 따라 재증착으로 인하여 형성되는 상기 그리드 구조물의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 상기 반응층 적층단계에서 상기 오목부의 상면에 적층되는 반응층의 두께를 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 상기 그리드 구조물 형성단계에서 상기 이온빔의 조사각도, 조사시간을 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 상기 반응층 적층단계와 상기 그리드 구조물 형성단계를 반복 수행하되, 반복횟수를 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절할 수 있다.
또한, 상기 그리드 구조물과 상기 기판의 사이에 개재되는 오목부를 제외한 오목부 및 상기 볼록부를 제거하는 제거단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 볼록부와 상기 오목부는 광투과성을 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 이온빔의 재증착 현상을 이용함으로써 미세한 선폭의 그리드 구조물을 용이하게 제작할 수 있는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법이 제공된다.
또한, 이온빔의 조사각도, 조사시간을 제어함으로써 형성되는 와이어 그리드의 선폭, 그리드 간의 간격 및 피치를 용이하게 미세화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 의한 나노 와이어 그리드 편광자의 사시도이고,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 볼록부 형성단계를 개략적으로 도시한 것이고,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 그리드 구조물 형성단계와 볼록부 제거단계와 반응층 제거단계를 개략적으로 도시한 것이고,
도 4는 본 발명의 제2실시예 및 제3실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 패터닝 단계와 반응층 적층단계를 개략적으로 도시한 것이고,
도 5는 본 발명의 제2실시예 및 제3실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 그리드 구조물 형성단계를 개략적으로 도시한 것이고,
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 제거단계를 개략적으로 도시한 것이다.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 의한 나노 와이어 그리드 편광자(100)의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 볼록부 형성단계를 개략적으로 도시한 것이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법은 반응층 적층단계와 볼록부 형성단계와 그리드 구조물 형성단계와 볼록부 제거단계와 반응층 제거단계를 포함한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 반응층 적층단계는 추후 최종 그리드 구조물(140)을 형성하는 금속재질의 반응층(120)을 기판(110) 상에 적층하는 단계이다.
본 실시예에서 상기 기판(110)은 유리 또는 투명필름 재질이 이용되나, 광투과율이 우수한 재질이라면 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 본 단계에서 기판(110)에 적층되는 반응층(120)으로는 알루미늄(Al)이 이용된다.
상기 볼록부 형성단계는 반응층(120) 상에 볼록부(131)를 성형하는 단계이며, 본 실시예의 볼록부 형성단계는 레지스트 적층단계와 임프린팅단계와 잔류층 제거단계를 포함한다.
도 2(a)를 참조하면, 상기 레지스트 적층단계에서는 반응층(120) 상에 레지스트(130)를 적층한다. 본 실시예에서 반응층(120) 상에 적층되는 레지스트(130)로는 광경화성 레지스트가 사용되며, 스핀코팅(spin coating) 방식에 의하여 적층되나, 재질 및 적층 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2(b)를 참조하면, 상기 임프린팅 단계에서는 마스터(M)를 레지스트(130)의 상면에 접촉시킨 후에 소정의 힘으로 가압한다. 이때, 레지스트(130)는 캐필러리 포스(Capillary force)에 의하여 가압된 마스터(M) 내부에 충진된다. 충진이 완료된 후에 레지스트(130)에 자외선(UV)광을 조사하여 경화시키고, 경화가 완료되면 마스터(M)를 제거한다. 경화 후에 마스터(M)가 제거되면, 레지스트(130)는 상호 이격되며 돌출되는 다수개의 볼록부(131)와, 이웃하는 볼록부(131) 사이에서 상대적으로 함몰되는 잔류층(132)을 형성하게 된다.
도 2(c) 및 도 2(d)를 참조하면, 상기 잔류층 제거단계는 경화된 레지스트(130) 중 본 제작단계에서 필요하지 않는 영역인 잔류층(132)을 제거하는 단계이다. 즉, 레지스트(130)를 경화함으로써 반응층(120)으로부터 상측으로 돌출되는 볼록부(131)가 다수 형성되고, 볼록부(131)의 주위에는 잔류층(132)이 형성되는데, 경화된 레지스트(130) 중 볼록부(131)만이 반응층(120) 상에 남겨지도록 잔류층(132)을 식각 제거한다.
한편, 본 실시예에서의 볼록부 형성단계는 임프린팅 공정에 의하여 임프린팅단계와 잔류층 제거단계를 포함하였으나, 변형례에서는 기술분야에서 일반적으로 알려진 리소그래피(lithography) 공정을 통하여 레지스트를 패터닝 함으로써 잔류층의 형성 없이 단일 공정으로 볼록부를 형성할 수도 있으며, 볼록부를 패터닝할 수 있는 공정이라면 이에 제한되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 그리드 구조물 형성단계와 볼록부 제거단계와 반응층 제거단계를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 상기 그리드 구조물 형성단계는 상기 형성된 볼록부(131)를 이용하여 고종횡비(high aspect ratio)의 그리드 구조물(140)을 성형하는 단계이다.
먼저, 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 이온발생 플라즈마로부터 발생되는 아르곤 이온(Ar+) 빔(B)을 잔류층(132)이 제거됨에 따라 외부에 노출되는 반응층(120)에 조사하여 반응층(120)을 제거하는 이온밀링(ion milling) 공정을 수행한다. 이때, 이온밀링 공정은 발생되는 아르곤 이온빔(B)을 가속시켜 반응층(120)과 충돌을 일으키도록 하는 것이 바람직하다.
이온빔(B)과 충돌되는 반응층(120)은 입자화되어 식각되나, 그 중 일부의 반응층 입자들은 튀어나오면서 제거되지 못하고, 양측에 수직으로 돌출 형성된 볼록부(131)의 측벽에 재증착됨으로써 그리드 구조물(140)을 형성하게 된다.
따라서, 반응층(120) 입자의 재층착 현상으로 인하여 형성되는 그리드 구조물(140)은 하나의 볼록부(131) 당 양측벽에 각 하나씩 총 두개가 형성되며, 볼록부(131)의 하방에 증착된 반응층(120), 즉, 볼록부(131)와 기판(110)의 사이에 개재되는 반응층(120)의 대부분은 이온빔(B)과의 직접 충돌이 없었으므로 식각되지 않고 그대로 남아있게 된다.
이때, 조사되는 이온빔(B)과 반응층(120)이 이루는 각도, 즉, 이온빔(B)의 조사각 및 조사시간 등은 반응층(120)의 식각률 및 볼록부(131) 측벽에 재증착됨으로써 형성되는 그리드 구조물의 폭(w)에 영향을 미친다. 본 실시예에서는 이온빔(B)이 반응층과 90˚를 형성하며 조사되도록 함으로써, 식각되면서 발생하는 반응층(120) 입자의 재증착 성능을 향상시키나, 조사각은 이에 제한되지 않고, 상술한 요건을 고려하여 조사각 및 조사시간을 결정하는 것이 바람직하다.
한편, 이온빔(B)의 조사각 외에도 상술한 반응층 적층단계에서 기판(110)에 적층되는 반응층(120)의 두께가 두꺼워 질수록 재층착으로 인하여 형성되는 그리드 구조물(140)의 폭(w)도 두꺼워 지는 것이므로, 앞선 반응층 적층단계에서는 최종 형성될 그리드 구조물(140)의 폭(w)을 고려하여 반응층(120)의 두께를 결정하는 것이 바람직하다.
도 3(b) 및 도 3(c)를 참조하면, 상기 볼록부 제거단계는 볼록부(131)를 제거함으로써, 볼록부(131) 하방의 반응층(120)을 외부로 노출시키는 단계이다. 본 단계에서는 O2 플라즈마 애싱(plasma ashing) 공정을 통하여 볼록부(131)를 제거한다.
도 3(c) 및 도 3(d)를 참조하면, 상기 반응층 제거단계는 제거된 볼록부(131)에 의하여 외부로 노출되는 반응층(120), 즉, 볼록부(131)와 기판(110) 사이에 개재되어 이온빔(B)을 통한 식각 공정에 영향을 거의 받지 못했던 반응층(120) 부분을 제거하는 단계이다. 따라서, 본 반응층(120)을 제거함으로써, 기판(110) 상에는 상호 이격되며 길게 형성되는 그리드 구조물(140)만이 남게 된다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 와이어 그리드 구조물 편광자 제작방법에 의하면, 기존의 임프린팅 공정에 이용되는 마스터를 이용하여 제작되는 것보다 그리드 구조물 간의 간격(s)도 미세화할 수 있으며, 에이 따라 기판의 단위 면적당 그리드 수, 즉, 선밀도가 증가될 수 있다.
또한, 이온빔의 조사각도, 조사시간, 반응층의 적층 두께 등을 제어함으로써 그리드 구조물의 선폭(w)을 원하는 형태로 용이하게 조절할 수 있는다.
다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 패터닝 단계와 반응층 적층단계를 개략적으로 도시한 것이고, 도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 그리드 구조물 형성단계를 개략적으로 도시한 것이다.
본 발명의 제2실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법은 패터닝단계와 반응층 적층단계와 그리드 구조물 형성단계를 포함한다.
도 4(a) 및 도 4(b)를 참조하면, 상기 패터닝 단계는 기판(210) 상에 다수의 볼록부(221)와 오목부(222)를 반복적으로 패터닝 하는 단계로서, 레지스트 적층단계와 임프린팅단계를 포함한다.
상기 레지스트 적층단계는 기판(210) 상에 레지스트를 적층하는 단계이다. 본 실시예에서 기판(210) 상에 적층되는 레지스트로는 광경화성 레지스트가 사용되며, 스핀코팅(spin coating) 방식에 의하여 적층되나, 재질 및 적층 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 본 실시예에서의 레지스트는 광경화성 뿐만 아니라 광투과성을 가지는 것이 이용됨으로써, 후술하는 그리드 구조물 형성단계 이후에 제거되지 않고 형성된 그리드 구조물(240)과 함께 기판(210)에 남겨져, 최종 나노 와이어 그리드 편광자로 그대로 이용된다.
상기 임프린팅 단계에서는 마스터를 레지스트의 상면에 접촉시킨 후에 소정의 힘으로 가압한다. 이때, 레지스트는 캐필러리 포스(Capillary force)에 의하여 가압된 마스터 내부에 충진된다. 충진이 완료된 후에 레지스트(130)에 자외선(UV)광을 조사하여 경화시키고, 경화가 완료되면 마스터를 제거한다. 경화 후에 마스터가 제거된다.
마스터가 제거되면, 기판(210)에는 상대적으로 돌출되는 형상으로서 상호 이격되는 다수개의 볼록부(221), 이웃하게 배치되는 볼록부(221) 사이에 상대적으로 함몰되는 오목부(222)가 교대로 형성된다.
한편, 본 실시예의 패터닝 단계에서는 임프린팅 공정에 의하여 볼록부(221)와 오목부(222)를 패터닝 하였으나, 변형례에서는 본 기술분야에서 일반적으로 알려진 리소그래피(lithography) 공정을 통하여 레지스트를 패터닝 함으로써 볼록부와 오목부를 패터닝할 수 있으며, 볼록부와 오목부를 성형할 수 있는 공정이라면 패터닝 공정이 이에 제한되지 않고 사용될 수 있다.
도 4(c)를 참조하면, 상기 반응층 적층단계는 기판(210) 상에 형성되는 볼록부(221)와 오목부(222)의 상면에 반응층(230)을 적층하는 단계이다. 적층되는 반응층(230)의 두께는 후술하는 그리드 구조물 형성단계에서 형성되는 그리드 구조물(240)의 폭(w)에 영향을 미치게 되므로, 최종 형성될 그리드 구조물(240)의 폭(w)을 고려하여 적층되는 반응층(230)의 두께를 결정하는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 상기 그리드 구조물 형성단계는 상기 형성된 볼록부(221)를 이용하여 고종횡비의 그리드 구조물(240)을 성형하는 단계이다.
먼저, 이온발생 플라즈마로부터 발생되는 아르곤 이온(Ar+) 빔(B)을 반응층(230)에 조사하여 반응층(230)을 제거하는 이온밀링(ion milling) 공정을 수행한다. 이때, 이온밀링 공정은 발생되는 아르곤 이온빔(B)을 가속시켜 반응층(230)과 충돌을 일으키도록 하는 것이 바람직하다.
이온빔(B)과 충돌되는 반응층(230) 중 볼록부(221)의 상면에 적층된 반응층(230)의 대부분은 입자화된 후 식각되는 것이나, 오목부(222)의 상면에 적층된 반응층(230) 중 일부의 입자들은 튀어나오면서 양측에 수직으로 돌출되는 볼록부(221)의 측벽에 재증착됨으로써, 그리드 구조물(240)을 형성하게 된다.
이때, 조사되는 이온빔(B)과 반응층(230)이 이루는 각도, 즉, 이온빔(B)의 조사각 및 조사시간 등은 반응층(230)의 식각률 및 볼록부(221) 측벽에 재증착됨으로써 형성되는 그리드 구조물의 폭(w)에 영향을 미친다. 본 실시예에서는 이온빔(B)이 반응층과 90˚를 형성하며 조사되도록 함으로써, 식각되면서 발생하는 반응층(230) 입자의 재증착 성능을 향상시키나, 조사각은 이에 제한되지 않고, 상술한 요건을 고려하여 조사각 및 조사시간을 결정하는 것이 바람직하다.
따라서, 반응층(230) 입자의 재층착 현상으로 인하여 형성되는 그리드 구조물(240)은 하나의 볼록부(221) 당 두개씩이 형성된다.
이때, 조사되는 이온빔(B)과 반응층(230)이 이루는 각도, 즉, 이온빔(B)의 조사각 및 조사시간 등은 반응층(230)의 식각률 및 볼록부(221) 측벽에 재증착됨으로써 형성되는 그리드 구조물의 폭(w)에 영향을 미친다. 본 실시예에서는 이온빔(B)이 반응층과 90˚를 형성하며 조사되도록 함으로써, 식각되면서 발생하는 반응층(230) 입자의 재증착 성능을 향상시키나, 조사각은 이에 제한되지 않고, 상술한 요건을 고려하여 조사각 및 조사시간을 결정하는 것이 바람직하다.
한편, 이온빔(B)의 조사각 외에도 상술한 반응층 적층단계에서 기판(210)에 적층되는 반응층(230)의 두께가 두꺼워 질수록 재층착으로 인하여 형성되는 그리드 구조물(240)의 폭(w)도 두꺼워 지는 것이므로, 앞선 반응층 적층단계에서는 최종 형성될 그리드 구조물(240)의 폭(w)을 고려하여 반응층(230)의 두께를 결정하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에서는 반응층 적층단계와 그리드 구조물 형성단계를 반복적으로 수행하고, 이러한 단계의 반복횟수를 통하여 그리드 구조물(240)의 폭(w)을 조절할 수도 있다.
한편, 상술한 바와 같이 본 실시예에서 볼록부(221)와 오목부(222)는 광투과성이 우수한 재질로 형성되는 것으로서, 광은 볼록부(221)와 오목부(222)에 의하여 차단되지 않고 투과될 수 있으므로, 별도의 제거공정을 거치지 않고 기판(210) 상에 볼록부(221)와 오목부(222)가 형성된 상태 그대로 최종 나노 와이어 그리드 편광자(200)로 이용될 수 있다.
이하, 본 발명의 제3실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 제3실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법은 패터닝단계와 반응층 적층단계와 볼록부 형성단계와 그리드 구조물 형성단계와 제거단계를 포함한다.
다만, 본 실시예의 패터닝 단계와 반응층 적층단계와 볼록부 형성단계와 그리드 구조물 형성단계는, 도 4 및 도 5을 참조하여 상술한 본 발명의 제2실시예의 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법과 동일한 것이므로 중복 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법의 제거단계를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 상기 제거단계는 볼록부(221) 및 오목부(222) 일부를 제거함으로써 나노 와이어 그리드 편광자(300)를 최종 완성하는 단계이다. 즉, O2 플라즈마 애싱(plasma ashing) 등의 식각 공정을 통하여 볼록부(221)를 제거하는 동시에, 그리드 구조물(240)과 기판(210) 사이의 개재된 오목부(222)만을 제외한 나머지 오목부(222)를 전부 제거하는 단계이다.
따라서, 본 실시예에 따르면, 볼록부(221) 및 오목부(222)가 광투과성 재질로 형성되지 않는 경우에는 이를 제거함으로써, 그리드 구조물(240)만을 기판(210) 상에 남겨두고 최종 나노 와이어 그리드 편광자(300)로 이용할 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
100 : 본 발명의 제1실시예에 따른 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법에 의한 나노 와이어 그리드 편광자
110 : 기판 131 : 볼록부
120 : 반응층 132 : 잔류층
130 : 레지스트 140 : 그리드 구조물

Claims (9)

  1. 기판 상에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계;
    상기 반응층으로부터 돌출되는 다수의 볼록부를 상호 이격되게 형성하는 볼록부 형성단계;
    이웃하는 상기 볼록부 사이의 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽면에 재증착되어 그리드 구조물을 형성하는 그리드 구조물 형성단계;
    상기 볼록부를 제거하는 볼록부 제거단계;
    상기 이웃하는 그리드 구조물 사이의 기판 상에 적층된 반응층을 제거하는 반응층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응층 적층단계에서 상기 기판 상에 적층되는 반응층의 두께를 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 그리드 구조물 형성단계에서 상기 이온빔의 조사각도, 조사시간을 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  4. 기판 상에 상호 이격되는 다수의 볼록부와 상기 볼록부보다 낮은 높이의 오목부를 반복 형성하는 패터닝단계;
    상기 볼록부와 오목부의 상면에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계;
    상기 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 오목부 상에 적층된 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽면에 재증착되어 그리드 구조물을 형성하는 그리드 구조물 형성단계;를 포함하고, 상기 반응층 적층단계에서 상기 오목부의 상면에 적층되는 반응층의 두께에 따라 재증착으로 인하여 형성되는 상기 그리드 구조물의 폭이 조절되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 그리드 구조물 형성단계에서 상기 이온빔의 조사각도, 조사시간을 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 반응층 적층단계와 상기 그리드 구조물 형성단계를 반복 수행하되, 반복횟수를 조절함으로써 상기 그리드 구조물의 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  8. 제4항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그리드 구조물과 상기 기판의 사이에 개재되는 오목부를 제외한 오목부 및 상기 볼록부를 제거하는 제거단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광자 제작방법.
  9. 제4항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 볼록부와 상기 오목부는 광투과성을 가지는 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 편광자 제작방법.
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