KR20180098688A

KR20180098688A - 편광자, 편광자의 제조 방법, 광 배향 장치 및 편광자의 장착 방법

Info

Publication number: KR20180098688A
Application number: KR1020187024359A
Authority: KR
Inventors: 유이치 이나즈키; 노부히토 도야마; 야스히로 오카와; 아키히코 시바타; 가즈오 사사모토
Original assignee: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2014-01-15
Filing date: 2015-01-14
Publication date: 2018-09-04
Anticipated expiration: 2035-01-14
Also published as: JP6620854B2; TW201531776A; TWI612362B; CN105874365B; JPWO2015108075A1; KR20160105786A; JP6455444B2; KR101991216B1; TW201706688A; CN105874365A; WO2015108075A1; JP2019008318A; TWI564633B; KR101919210B1

Abstract

본 발명은 복수개의 세선이 병렬로 배치된 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 해소하면서, 소광비가 우수한 편광자를 제공하는 것을 주목적으로 한다. 자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선이 병렬로 배치된 편광자에 있어서, 상기 세선이 배치된 편광 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막을 형성함으로써, 상기 과제를 해결한다.

Description

편광자, 편광자의 제조 방법, 광 배향 장치 및 편광자의 장착 방법{POLARIZER, POLARIZER MANUFACTURING METHOD, OPTICAL ALIGNMENT DEVICE AND MOUNTING METHOD OF POLARIZER}

본 발명은 소광비가 우수한 편광자, 그 제조 방법, 및 그 편광자를 구비한 광 배향 장치에 관한 것이다.

액정 표시 장치는, 일반적으로 구동 소자가 형성된 대향 기판과 컬러 필터를 대향 배치하여 주위를 밀봉하고, 그 간극에 액정 재료를 충전한 구조를 갖는다. 그리고, 액정 재료는 굴절률 이방성을 갖고 있으며, 액정 재료에 인가된 전압의 방향을 따르도록 정렬되는 상태와, 전압이 인가되지 않는 상태의 차이로부터, 온/오프를 전환하여 화소를 표시할 수 있다. 여기서 액정 재료를 끼움 지지하는 기판에는, 액정 재료를 배향시키기 위하여 배향막이 설치되어 있다.

또한, 액정 표시 장치에 사용되는 위상차 필름이나, 3D 표시용 위상차 필름의 재료로서도 배향막이 사용되고 있다.

배향막으로서는, 예를 들어, 폴리이미드로 대표되는 고분자 재료를 사용한 것이 알려져 있고, 이 고분자 재료를 천 등에 의해 마찰하는 러빙 처리가 실시됨으로써 배향 규제력을 갖게 된다.

그러나, 이러한 러빙 처리에 의해 배향 규제력이 부여된 배향막에서는, 천 등이 이물로서 잔존한다고 하는 문제가 있었다.

이에 비해 직선 편광을 조사함으로써 배향 규제력을 발현하는 배향막, 즉 광 배향막에서는, 상술한 바와 같이 천 등에 의한 러빙 처리를 행하지 않고 배향 규제력을 부여할 수 있기 때문에, 천 등이 이물로서 잔존하는 문제가 없는 점에서 최근에 주목받고 있다.

이러한 광 배향막에의 배향 규제력 부여를 위한 직선 편광의 조사 방법으로서는, 편광자를 통하여 노광하는 방법이 일반적으로 사용된다. 편광자로서는, 평행하게 배치된 복수의 세선을 갖는 것이 사용되고, 세선을 구성하는 재료로서는, 알루미늄이나 산화티타늄이 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1).

그리고, 평행으로 배치된 복수의 세선을 형성하는 방법으로서는, 종래, 2 광속 간섭 노광법이 사용되어 왔다(예를 들어, 특허문헌 2, 3).

이 2 광속 간섭 노광법은, 위상 및 광로 길이를 맞춘 2개의 레이저광을 중첩한 때에 발생하는 주기적 광 강도 분포(간섭 패턴)를 기판 상의 레지스트에 전사하는 기술이다.

예를 들어, 유리 기판 위에 알루미늄 등의 금속층을 형성하고, 그 위에 형성한 레지스트층에 2 광속 간섭 노광을 실시하고, 현상하여 얻어진 주기적인 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여 금속층을 에칭하고, 그 후, 레지스트 패턴을 제거함으로써, 유리 기판 상에 알루미늄 등의 금속을 포함하는 복수의 평행 배치된 세선을 형성할 수 있다.

그 후, 편광자로서의 원하는 형태로 유리 기판을 절단함으로써, 알루미늄 등의 금속을 포함하는 세선을 갖는 편광자를 얻을 수 있다.

일본 특허 제4968165호 공보 일본 특허 공개 제2013-145863호 공보 일본 특허 공개 제2007-178763호 공보

상술한 바와 같이 종래의 편광자는, 세선을 형성한 대면적의 유리 기판으로부터 세선마다 절단하여, 원하는 사이즈 및 형태의 편광자를 잘라내게 되기 때문에, 얻어진 편광자는, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 편광자(110)의 외측 테두리(즉, 절단 단부)까지 세선(112)이 신장되어 있다.

그로 인해, 편광자(110)를 광 배향 장치에 배치할 때, 편광자(110)를 고정하기 위해서, 이 세선(112)이 형성되어 있는 영역을 끼움 지지하면, 끼움 지지한 부분으로부터 세선(112)의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제가 있다.

한편, 세선이 배치되어 있는 부분을 끼움 지지하지 않도록 하기 위해서, 어떤 방법에 의해, 세선이 배치되는 영역을, 편광자로서 잘라내는 영역의 내측의 영역에 한정하고, 세선이 배치되어 있지 않은 영역, 즉, 유리 기판이 노출된 영역을 끼움 지지하여 편광자를 고정하는 것도 생각할 수 있다.

그러나, 이 경우에는, 예를 들어 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 편광자(120)에 있어서 세선(122)이 배치되는 영역의 외측 영역은, 유리 기판(121)이 노출되는 영역이 되고, 이 유리 기판(121)이 노출되는 영역으로부터, 입사광의 P파 성분뿐만 아니라 S파 성분도 투과되어버리기 때문에, 소광비가 크게 저하되어버린다고 하는 문제가 있다.

또한, 소광비란, 상기 세선에 대하여 평행인 편광 성분(S파)의 투과율(출사광 중의 S파 성분/입사광 중의 S파 성분, 이하, 간단히 S파 투과율이라 하는 경우가 있다.)에 대한, 상기 세선에 대하여 수직인 편광 성분(P파)의 투과율(출사광 중의 P파 성분/입사광 중의 P파 성분, 이하, 간단히 P파 투과율이라 하는 경우가 있다.)의 비율(P파 투과율/S파 투과율)을 말한다.

예를 들어, P파 투과율이 50％, S파 투과율이 1％인 편광 특성을 갖는 편광자의 소광비의 값은 50이 되지만, 이 편광자에 유리 기판이 노출되는 영역이 형성되고, P파 투과율 및 S파 투과율이 모두 1％ 증가한 경우, 소광비, 즉 P파 투과율/S파 투과율의 비율은, (50+1)/(1+1)=25.5가 되어, 소광비는 대략 절반의 값으로 저하되게 된다.

본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때, 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 해소하면서, 소광비가 우수한 편광자를 제공하는 것을 주목적으로 한다.

본 발명자는, 여러가지 연구한 결과, 상기 세선이 배치된 편광 영역의 외측에 자외광을 차광하는 차광막을 형성함으로써 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성한 것이다.

즉, 본 발명은 자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선이 병렬로 배치된 편광자로서, 상기 세선이 배치된 편광 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 편광 영역의 외측 테두리를 구성하는 하나의 변을 따라 상기 차광막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 편광 영역의 외주에 상기 차광막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 차광막에, 문자, 기호, 또는 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 문자, 상기 기호, 또는 상기 얼라인먼트 마크가, 복수개의 세선이 병렬로 배치된 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 문자, 상기 기호, 또는 상기 얼라인먼트 마크에 있어서의 상기 자외광에 대한 S파 투과율의 값이, 상기 편광 영역에서의 상기 자외광에 대한 S파 투과율과 동일값, 혹은, 상기 편광 영역에서의 상기 자외광에 대한 S파 투과율보다도 작은 값인 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 차광막에 상기 세선이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 차광막을 구성하는 재료가 상기 세선을 구성하는 재료를 함유하는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 상기 차광막을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자이다.

또한, 본 발명은 자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선 및 상기 자외광을 차광하는 차광막을 갖는 편광자의 제조 방법으로서, 상기 투명 기판 상에 제1 재료층을 형성한 적층체를 준비하는 공정과, 상기 제1 재료층 상에 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층을 가공하여, 세선 패턴과 차광막 패턴을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여 상기 제1 재료층을 에칭 가공하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조 방법이다.

또한, 본 발명은 상기 레지스트층이 포지티브형의 전자선 레지스터로 구성되어 있고, 상기 세선 패턴과 상기 차광막 패턴을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 공정이, 상기 세선 패턴을 구성하는 라인 앤드 스페이스 패턴의 스페이스 패턴부가 되는 위치의 레지스트층에 전자선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조 방법이다.

또한, 본 발명은 자외광을 편광하여 광 배향막에 조사하는 광 배향 장치로서, 상술한 편광자를 구비하고, 상기 편광자의 상기 편광 영역을 투과하는 광을, 상기 광 배향막에 조사하는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치이다.

또한, 본 발명은 상기 광 배향막을 이동시키는 기구가 구비되어 있고, 상기 편광자가 상기 광 배향막의 이동 방향 및 상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향의 양방향으로 복수개 구비되어 있고, 상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서 인접하는 상기 복수개의 편광자 사이의 경계부가, 상기 광 배향막의 이동 방향으로 연속적으로 연결되지 않도록, 상기 복수개의 편광자가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치이다.

본 발명은 입사한 자외광의 세선에 평행인 편광 방향의 광을 차폐하고, 상기 세선에 수직인 편광 방향의 광을 투과시키는 편광자로서, 상기 자외광에 대하여 투과성을 갖는 기판 상에, 복수개의 상기 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막을 갖고, 상기 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직인 것을 특징으로 하는 편광자를 제공한다.

본 발명에 따르면, 상기 차광막이 상기 세선 영역의 외측에 형성되어 있음으로써, 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때, 차광막이 형성되어 있는 영역을 끼움 지지할 수 있다. 즉, 편광자에 있어서는, 세선이 배치되어 있는 영역인 세선 영역을 끼움 지지하지 않고, 편광자를 광 배향 장치에 고정할 수 있고, 그로 인해, 끼움 지지한 부분으로부터 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 해소할 수 있다.

또한, 상기한 바와 같이 세선이 배치되어 있는 영역인 세선 영역의 외주에는, 차광막이 형성되어 있기 때문에, 편광자에 있어서는, 세선 영역의 외측 영역으로부터, 입사광, 특히 입사광의 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제할 수 있어, 소광비가 크게 저하되어버린다고 하는 문제를 억제할 수 있다.

또한, 상기 차광막의 내측 테두리측의 에지가 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직인 것에 의해, 상기 세선 영역과 차광막의 간격이 적은 것으로 하는 것이 용이해서, 높은 소광비를 얻을 수 있기 때문이다.

본 발명에 있어서는, 상기 차광막의 외측에 상기 세선이 배치된 영역인 제2 세선 영역이 형성되어 있어도 된다. 차광막의 외측 테두리가 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있고, 차광막의 외측 테두리부터 편광자의 외측 테두리까지의 영역에도 세선이 배치되어 있는 영역인 제2 세선 영역이 형성되어 있는 형태이면, 편광자를 복수매 평면형으로 배열하여 광 배향 장치에 배치할 때, 서로 이웃하게 되는 편광자의 각 차광막끼리가 접하여 차광 영역이 넓어져버린다고 하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.

본 발명은 편광자가 복수개 구비된 광 배향 장치로서, 상기 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이며, 복수개의 상기 편광자는, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치를 제공한다.

본 발명에 따르면, 복수개의 상기 편광자가, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않도록 배치되어 있는 것에 의해, 각 편광자 사이에는 차광막이 없기 때문에, 마치 1매의 편광자를 구비한 경우처럼 작용시킬 수 있다.

본 발명은 복수개의 편광자를 광 배향 장치에 장착하는 편광자의 장착 방법으로서, 상기 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이며, 상기 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크에 의해, 상기 편광자의 위치 정렬을 행함과 함께 복수개의 상기 편광자의 편광 방향을 조정하는 위치 정렬 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 편광자의 장착 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크를 사용함으로써, 세선의 위치나 각도의 정보를 고정밀도로 취득할 수 있어, 용이하게 원하는 위치나 각도에 맞출 수 있다.

본 발명에 따르면, 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 해소하면서, 소광비가 우수한 편광자를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 편광자를 구비한 광 배향 장치에 있어서는, 광 배향막에 배향 규제력을 부여하는 것을 효과적으로 행할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 편광자의 일례를 도시하는 도면으로서, (a)는 개략 평면도, (b)는 (a)의 A-A선 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 본 발명에 따른 편광자의 차광막의 평면 형태를 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 편광자에 있어서의 차광막의 다른 평면 형태례를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 편광자의 다른 예를 도시하는 도면으로서, (a)는 개략 평면도, (b)는 (a)의 얼라인먼트 마크 확대도이다.
도 5는 본 발명에 따른 편광자의 제조 방법의 일례를 도시하는 개략 공정도이다.
도 6은 도 5에 계속되는, 본 발명에 따른 편광자의 제조 방법의 일례를 도시하는 개략 공정도이다.
도 7은 본 발명에 따른 광 배향 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 광 배향 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 광 배향 장치에 있어서의 편광자의 배치 형태의 일례를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 광 배향 장치에 있어서의 편광자의 배치 형태의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 11은 실시예 2의 편광자의 편광 특성의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 12는 종래의 편광자의 예를 도시하는 개략 평면도이다.

이하, 본 발명에 따른 편광자, 편광자의 제조 방법, 광 배향 장치 및 편광자의 장착 방법에 대하여 설명한다.

A. 편광자

먼저, 본 발명에 따른 편광자에 대하여 설명한다.

본 발명에 따른 편광자는, 자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선이 병렬로 배치된 편광자로서, 상기 세선이 배치된 편광 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막이 형성되어 있는 것이다.

도 1은, 본 발명에 따른 편광자의 일례를 도시하는 도면으로서, (a)는 개략 평면도, (b)는 도 1의 A-A선 단면도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 편광자(10)는 투명 기판(1) 상에 복수개의 세선(2)이 병렬로 배치되어 있고, 세선(2)이 배치된 편광 영역(3)의 외주에는, 차광막(4)이 형성되어 있다.

이와 같은 구성을 갖기 때문에, 편광자(10)에 있어서는, 광 배향 장치에 배치할 때, 차광막(4)이 형성되어 있는 영역을 끼움 지지할 수 있다.

즉, 편광자(10)에 있어서는, 세선(2)이 형성되어 있는 영역(편광 영역(3))을 끼움 지지하지 않고, 편광자(10)를 광 배향 장치에 고정할 수 있고, 그로 인해, 끼움 지지한 부분으로부터 세선(2)의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 해소할 수 있다.

또한, 상기한 바와 같이 세선(2)이 배치된 편광 영역(3)의 외주에는, 차광막(4)이 형성되어 있기 때문에, 편광자(10)에 있어서는, 편광 영역(3)의 외측 영역으로부터, 입사광, 특히 입사광의 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제할 수 있어, 소광비가 크게 저하되어버린다고 하는 문제를 억제할 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 편광자의 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.

1. 투명 기판

투명 기판(1)으로서는, 세선(2)을 안정적으로 지지할 수 있고, 자외광 투과성이 우수한 것이며, 노광광에 의한 열화가 적은 것으로 할 수 있는 것이라면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 광학 연마된 합성 석영 유리, 형석, 불화칼슘 등을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 합성 석영 유리를 바람직하게 사용할 수 있다. 품질이 안정되어 있고, 또한, 단파장의 광, 즉, 고에너지의 노광광을 사용한 경우여도 열화가 적기 때문이다.

투명 기판(1)의 두께로서는, 편광자(10)의 용도나 사이즈 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다.

2. 세선

세선(2)은 편광자(10)에 있어서, 입사광의 P파 성분을 효율적으로 투과하고, 입사광의 S파 성분의 투과율을 낮게 억제하는 작용을 발휘하는 것이며, 투명 기판(1) 상에 직선형으로 복수 형성되고, 또한, 평행하게 배치되는 것이다.

세선(2)을 구성하는 재료는, 원하는 소광비 및 P파 투과율을 얻을 수 있는 것이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 알루미늄, 티타늄, 몰리브덴, 실리콘, 크롬, 탄탈륨, 루테늄, 니오븀, 하프늄, 니켈, 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐, 코발트, 망간, 철, 인듐 등의 금속이나 합금, 및 이 산화물, 질화물, 또는 산질화물 중 어느 하나를 함유하는 재료를 들 수 있다. 그 중에서도, 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 자외선 영역의 단파장에 있어서도, 소광비 및 P파 투과율을 우수한 것으로 할 수 있고, 내열성, 내광성도 우수하기 때문이다.

몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로서는, 예를 들어, 몰리브덴 실리사이드(MoSi), 몰리브덴 실리사이드 산화물(MoSiO), 몰리브덴 실리사이드 질화물(MoSiN), 몰리브덴 실리사이드 산화질화물(MoSiON) 등을 들 수 있다.

또한, 세선(2)은 복수종의 재료로 구성되어 있어도 되고, 또한, 재료가 서로 다른 복수층으로 구성되어 있어도 된다.

세선(2)의 두께로서는, 원하는 소광비 및 P파 투과율을 얻을 수 있는 것이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 60nm 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 60nm 내지 160nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 80nm 내지 140nm의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 범위인 것에 의해, 소광비 및 P파 투과율을 우수한 것으로 할 수 있기 때문이다.

또한, 상기 세선의 두께는, 단면에서 보아, 세선의 길이 방향 및 폭 방향에 수직인 방향의 두께 중 최대의 두께를 말하는 것이며, 세선이 복수층으로 구성되는 경우에는, 모든 층을 포함하는 두께를 말하는 것이다.

또한, 상기 세선의 두께는 하나의 편광자 내에 서로 다른 두께의 것을 포함하는 것이어도 되지만, 통상, 동일한 두께로 형성된다.

세선(2)의 개수 및 길이로서는, 원하는 소광비 및 P파 투과율을 얻을 수 있는 것이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니고, 편광자(10)의 용도 등에 따라서 적절히 설정되는 것이다.

세선(2)의 피치(도 1의 (a)에 도시하는 P₁)로서는, 원하는 소광비 및 P파 투과율을 얻을 수 있는 것이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니고, 직선 편광의 생성에 사용하는 광의 파장 등에 따라서 상이한 것이지만, 예를 들어, 60nm 이상 140nm 이하의 범위 내로 할 수 있고, 그 중에서도 80nm 이상 120nm 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 90nm 이상 110nm 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 피치인 것에 의해, 소광비 및 P파 투과율이 우수한 것으로 할 수 있기 때문이다.

또한, 상기 세선의 피치는, 폭 방향으로 인접하는 세선 간의 피치의 최대 피치를 말하는 것이며, 세선이 복수층으로 구성되는 경우에는, 모든 층을 포함하는 피치를 말하는 것이다.

또한, 상기 세선의 피치는 하나의 편광자 내에 서로 다른 피치의 것을 포함하는 것이어도 되지만, 통상, 동일 피치로 형성된다.

상기 세선의 듀티비, 즉, 세선의 피치에 대한 폭의 비(폭/피치)로서는, 원하는 소광비 및 P파 투과율을 얻을 수 있는 것이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 0.3 이상 0.6 이하의 범위 내로 할 수 있고, 그 중에서도0.35 이상 0.45 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 듀티비인 것에 의해, 높은 P파 투과율을 가진 채 소광비가 우수한 편광자로 할 수 있고, 또한 세선 가공을 용이하게 할 수 있기 때문이다.

또한, 상기 세선의 폭은, 평면에서 보아, 세선의 길이 방향에 수직 방향인 길이를 말하는 것이며, 세선이 복수층으로 구성되는 경우에는, 모든 층을 포함하는 폭을 말하는 것이다.

또한, 상기 세선의 폭은 하나의 편광자 내에 서로 다른 폭의 것을 포함하는 것이어도 되지만, 통상, 동일 폭으로 형성된다.

3. 편광 영역

도 1에 도시하는 편광자(10)에 있어서, 편광 영역(3)은 차광막(4)에 의해 둘레가 둘러싸인 영역이며, 이 편광 영역(3)에 세선(2)이 배치된다. 바꿔 말하면, 도 1에 도시하는 편광자(10)에 있어서의 편광 영역(3)은 차광막(4)에 의해 규정된 영역이며, 입사광이 투과하는 영역이다.

본 발명에 있어서, 편광 영역(3)은 세선(2)이 배치된 영역보다도 큰 영역으로 하는 것도 가능하다. 보다 구체적으로는, 세선(2)이 그 길이 방향(도 1의 (a)에 도시하는 Y 방향)에 있어서 차광막(4)에 접속되어 있지 않은 형태여도 된다.

또한, 세선(2)의 배열 방향(평면에서 보아, 세선(2)의 길이 방향에 수직인 방향, 즉, 도 1의 (a)에 도시하는 X 방향)에 있어서, 말단의 세선(2)과 차광막(4)의 간격은, 세선(2)끼리의 간격보다도 큰 사이즈여도 된다. 보다 구체적으로는, 도 1의 (a), (b)에 있어서, 도면 중 우측 말단의 세선(2)의 좌측의 에지와 차광막(4)의 내측 테두리측의 에지와의 간격 P₂는, 세선(2)끼리의 간격 P₁보다도 큰 사이즈여도 된다.

그러나, 높은 소광비를 얻기 위해서는, 도 1에 도시하는 편광자(10)와 같이, 세선(2)은 그 길이 방향에 있어서 차광막(4)에 접속되어 있는 형태인 것이 바람직하다. 편광 영역(3)에 있어서 세선(2)이 존재하지 않는 영역을 보다 작게 할 수 있어, 입사광의 S파 성분이 투과되어버리는 것을 보다 억제할 수 있기 때문이다.

또한, 세선(2)의 배열 방향에 있어서의 말단의 세선(2)과 차광막(4)의 간격은, 세선(2)끼리의 간격과 동일한 크기인 것이 바람직하다.

보다 구체적으로는, 도 1의 (a), (b)에 있어서, 도면 중 우측 말단의 세선(2)의 좌측의 에지와 차광막(4)의 내측 테두리측의 에지와의 간격 P₂는, 세선(2)끼리의 간격 P₁과 동일한 크기인 것이 바람직하다. 마찬가지로, 도 1의 (a), (b)에 있어서, 도면 중 좌측 말단의 세선(2)의 우측의 에지와 차광막(4)의 내측 테두리측의 에지와의 간격은, 세선(2)끼리의 간격 P₁과 동일한 크기인 것이 바람직하다. 더 높은 소광비를 얻을 수 있기 때문이다.

본 발명에 있어서는, 예를 들어, 세선(2)을 형성하는 공정과 차광막(4)을 형성하는 공정을 동일 공정으로 함으로써, 세선(2)의 배열 방향에 있어서의 말단의 세선(2)과 차광막(4)의 간격을, 세선(2)끼리의 간격과 동일한 크기로 할 수 있다. 또한, 차광막(4)과 세선(2)의 위치 관계를 고정밀도로 제작할 수 있고, 차광막(4)의 에지 방향과 세선(2)의 방향을 고정밀도로 평행, 또는 수직으로 제작할 수 있다.

또한, 상기한 바와 같이 차광막(4)에 세선(2)이 접속되어 있는 형태이면, 편광자에 조사되는 광에 의해 세선(2)에 축적되는 열을 차광막(4)으로 분산시키는 것이나, 대전 방지의 효과를 발휘할 수도 있다.

또한, 차광막(4)에 세선(2)이 접속되어 있는 형태이면, 편광자(10)의 제조 공정에 있어서, 세선(2)을 형성하기 위한 세밀한 레지스트 패턴(세선 패턴)을 차광막(4)을 형성하기 위한 대면적 레지스트 패턴(차광막 패턴)에 접속시킬 수 있어, 세선(2)을 형성하기 위한 세밀한 레지스트 패턴(세선 패턴)이 제조 공정 중에 도괴되거나, 박리되거나 하는 문제를 억제할 수도 있다.

4. 차광막

차광막(4)은 편광 영역(3)의 외측에 형성되고, 입사광, 특히 입사광의 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제하는 것이다.

본 발명에 있어서, 차광막(4)은 240nm 이상 380nm 이하의 파장 자외광에 대하여 광학 농도가 2.8 이상인 차광성을 갖는 것이 바람직하다.

광 배향막에 배향 규제력을 부여하기 위하여 조사되는 자외광의 파장 범위에서, 차광막(4)이 높은 차광성을 가짐으로써, 소광비가 우수한 편광자를 제공할 수 있기 때문이다.

차광막(4)을 구성하는 재료는, 원하는 광학 농도를 얻을 수 있는 것이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 알루미늄, 티타늄, 몰리브덴, 실리콘, 크롬, 탄탈륨, 루테늄, 니오븀, 하프늄, 니켈, 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐, 코발트, 망간, 철, 인듐 등의 금속이나 합금, 및 이들의 산화물, 질화물, 또는 산질화물 중 어느 하나를 함유하는 재료를 들 수 있다. 그 중에서도, 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료를 적절하게 들 수 있다.

차광막(4)을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 경우, 차광막(4)의 두께가 60nm 이상이면, 240nm 이상 380nm 이하의 파장 자외광에 대하여 광학 농도가 2.8 이상인 차광성을 가질 수 있기 때문이다.

또한, 차광막(4)은 복수종의 재료로 구성되어 있어도 되고, 또한, 재료가 서로 다른 복수층으로 구성되어 있어도 된다.

또한, 차광막(4)을 구성하는 재료는, 세선(2)을 구성하는 재료를 함유하는 것이 바람직하다.

차광막(4)을 구성하는 재료가 세선(2)을 구성하는 재료를 함유하는 경우, 세선(2)을 형성하는 공정에서 사용하는 장치나 재료를, 차광막(4)을 형성하는 공정에도 사용할 수 있고, 제조 비용의 삭감으로 되기 때문이다. 또한, 세선(2)을 형성하는 공정과 차광막(4)을 형성하는 공정을 동일 공정으로 함으로써, 세선(2)과 차광막(4)의 상대 위치 정밀도를 향상시킬 수도 있다.

또한, 차광막(4)을 구성하는 재료와 세선(2)을 구성하는 재료가 모두 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 경우에는, 차광막(4)에 있어서 높은 차광성을 갖고, 또한, 소광비 및 P파 투과율이 우수한 편광자로 할 수 있다.

이어서, 차광막(4)의 평면 형태에 대하여 설명한다.

도 2는, 도 1에 도시하는 본 발명에 따른 편광자의 차광막의 평면 형태를 설명하는 도면이다.

도 2에 도시한 바와 같이, 편광자(10)에 있어서의 차광막(4)은 내측 테두리(5)와 외측 테두리(6)를 갖는 프레임형의 형태를 갖고 있으며, 통상, 차광막(4)의 내측 테두리(5)는 편광 영역(3)의 외측 테두리와 일치한다.

또한, 도 1에 도시하는 편광자(10)와 같이, 차광막(4)의 외측 테두리(6)는 통상, 편광자(10)의 외측 테두리와 일치하는 것이다.

단, 본 발명에 있어서는, 상기 형태에 한정되지 않고, 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때, 차광막(4)이 형성되어 있는 영역에서 편광자를 끼움 지지할 수 있고, 또한, 불필요한 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제할 수 있는 것이라면, 적용할 수 있다.

예를 들어, 광 배향막에 직선 편광을 조사하는 광 배향 장치에 편광자가 장비되는 때에, 편광자의 외측 테두리 근방이 보유 지지 기구 등에 의해 덮여서, 이 편광자의 외측 테두리 근방으로부터의 광이, 광 배향막에 조사되지 않는 경우에는, 차광막(4)의 외측 테두리(6)는 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있어도 된다.

또한, 차광막(4)이 형성되어 있는 영역 이외의 편광자의 영역에는, 세선(2)이 형성되어 있는 형태, 예를 들어, 차광막(4)의 외측 테두리(6)보다도 외측의 영역에도 세선(2)이 형성되어 있는 형태이면, 차광막(4)이 형성되어 있는 영역에서 편광자를 끼움 지지할 수 있고, 한편, 차광막이 형성되어 있지 않은 영역에는 세선(2)이 형성되어 있기 때문에, 불필요한 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제할 수 있는 점에서, 본 발명의 편광자로서 적용할 수 있다.

도 3은, 본 발명에 따른 편광자에 있어서의 차광막의 다른 평면 형태의 예를 도시하는 도면이다. 또한, 도 3에 있어서, 세선(2)의 길이 방향은 도면 중 상하 방향이다.

상기한 바와 같이 본 발명에 있어서 차광막(4)은 편광 영역(3)의 외측에 형성되고, 입사광, 특히 입사광의 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제하는 것이다.

그로 인해, 본 발명에 있어서의 차광막(4)의 평면 형태는, 도 1에 도시한 바와 같은 편광 영역(3)의 외주에 차광막(4)이 형성되어 있는 형태에 한정되지 않고, 광 배향 장치에 있어서의 보유 지지 구조나 편광자의 배치 방법에 따라, 각종 형태로 할 수 있다.

예를 들어, 도 3의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 세선(2)이 형성되어 있는 영역(편광 영역(3))의 외측 테두리를 구성하는 하나의 변을 따라 차광막(4)이 형성되어 있는 형태여도 된다.

또한, 도 3의 (a)에 도시하는 형태에 있어서는, 세선(2)의 길이 방향과 차광막(4)의 길이 방향이 동일한 방향으로 되어 있는 예를, 도 3의 (b)에 도시하는 형태에 있어서는, 세선(2)의 길이 방향과 차광막(4)의 길이 방향이 직교하는 관계로 되어 있는 예를 각각 도시하고 있다.

또한, 차광막(4)은 복수 배치되어 있어도 된다. 예를 들어, 도 3의 (c), (d)에 도시한 바와 같이, 세선(2)이 형성되어 있는 영역(편광 영역(3))의 외측 테두리를 구성하는 한쌍의 대향하는 2변을 따라 차광막(4)이 형성되어 있는 형태여도 된다.

또한, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 세선(2)이 형성되어 있는 영역(편광 영역(3))의 외측 테두리를 구성하는 변으로서, 서로 교차하는 2변을 따라 차광막(4)이 형성되어 있는 형태여도 된다. 또한, 도 3의 (f), (g)에 도시한 바와 같이, 세선(2)이 형성되어 있는 영역(편광 영역(3))의 외측 테두리를 구성하는 3개의 변을 따라 차광막(4)이 형성되어 있는 형태여도 된다.

여기서, 도 2에 관한 설명에 있어서도 설명한 바와 같이, 본 발명에 있어서, 차광막(4)의 외측 테두리(6)는 편광자(10)의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있어도 된다. 예를 들어, 도 3의 (h)에 도시한 바와 같이, 차광막(4)의 외측 테두리(도 2에 도시하는 외측 테두리(6))를 구성하는 4개의 변의 모두가, 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있는 형태여도 되고, 또한, 도시는 생략하지만, 차광막(4)의 외측 테두리(도 2에 도시하는 외측 테두리(6))를 구성하는 4개의 변 중 1개 내지 3개의 변이, 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있는 형태여도 된다.

또한 마찬가지로, 도 3의 (a) 내지 (g)에 도시하는 형태에 있어서도, 차광막(4)의 외측 테두리는, 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있어도 된다.

이들의 경우, 차광막(4)이 형성되어 있지 않은 영역에는, 세선(2)이 형성되어 있는 형태인 것이 바람직하다. 광 배향 장치의 보유 지지 기구 등이 어떤 형태인지에 상관없이, 편광자로부터 불필요한 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제할 수 있기 때문이다.

상기 도 3의 (a) 내지 (d)에 도시한 바와 같은 형태이면, 예를 들어, 편광자를 복수매 평면형으로 배열하여 광 배향 장치에 배치할 때, 각 편광자의, 차광막(4)이 형성되지 않은 변끼리를 서로 이웃하게 하여 배치함으로써, 차광막(4)이 편광자 사이의 이음매 부분에 영향을 미치지 않도록 할 수 있다.

또한, 예를 들어, 복수의 편광자를 외측 테두리 부분이 상하로 중첩되도록 배열하여 광 배향 장치에 배치할 때 차광막(4)이 형성되지 않은 변끼리의 외측 테두리 부분을 중첩함으로써, 차광막(4)이 편광자 사이의 이음매 부분에 영향을 미치지 않도록 할 수 있다.

또한, 도 3의 (e) 내지 (h)와 같이, 세선(2)에 대하여 평행인 방향 및 수직인 방향의 양쪽에 차광막(4)이 형성되어 있는 형태이면, 편광 방향을 90도 회전시켜서 광 배향 장치에 배치하고자 하는 경우에도, 별도의 편광자를 정렬시키는 것을 필요로 하지 않고, 동일한 편광자로 대응 가능하다.

또한, 도 3의 (h)와 같이 차광막(4)의 외측 테두리가 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있고, 차광막(4)의 외측 테두리부터 편광자의 외측 테두리까지의 영역에도 세선(2)이 형성되어 있는 형태이면, 편광자를 복수매 평면형으로 배열하여 광 배향 장치에 배치할 때, 서로 이웃하게 되는 편광자의 각 차광막(4)끼리가 접하여 차광 영역이 넓어져버리는 경우가 없다.

또한, 복수매의 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때는, 도 1 및 도 3의 (a) 내지 (h)에 도시하는 각종 형태의 편광자를 조합하여 사용해도 된다.

도 4는, 본 발명에 따른 편광자의 다른 예를 도시하는 도면으로서, (a)는 개략 평면도, (b)는 (a)의 얼라인먼트 마크 확대도이다.

도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 편광자(20)는 그 네 코너 근방의 차광막(4)에 얼라인먼트 마크(7)를 갖고 있다.

본 발명에 있어서, 차광막(4)에는, 문자, 기호, 또는, 얼라인먼트 마크가 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 차광막(4)에 문자, 기호 등을 형성함으로써, 형식 번호 등, 편광자에 관한 정보를 부여할 수 있다. 또한, 상하 좌우나 표리 등의 방향의 판별이나, 개략적인 위치 정렬에도 이용할 수 있다.

또한, 상술한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 세선(2)을 형성하는 공정과 차광막(4)을 형성하는 공정을 동일 공정으로 함으로써, 세선(2)과 차광막(4)의 상대 위치 정밀도를 향상시킬 수도 있다. 그로 인해, 차광막(4)에 얼라인먼트 마크(7)를 형성함으로써, 세선(2)의 위치나 각도의 정보를 얼라인먼트 마크(7)로부터 취득할 수 있다.

또한, 광 배향막에 직선 편광을 조사하는 광 배향 장치에 편광자(20)를 장비할 때는, 이 얼라인먼트 마크(7)를 사용하여, 세선(2)의 위치나 각도를, 용이하게 원하는 위치나 각도에 맞출 수도 있다.

본 발명에 있어서, 상기 얼라인먼트 마크의 형태는, 특별히 한정되지 않고 십자형, L자형 등의 각종 형태를 사용할 수 있지만, 얼라인먼트 마크에는 세선(2)의 방향과 평행인 방향 또는 수직인 방향 중의 적어도 일 방향으로 에지를 형성해 두는 것이 바람직하다. 또한 용도에 따라, 세선(2)의 방향에 대하여 45도 등의 각도가 되는 에지를 갖고 있어도 된다.

얼라인먼트 마크의 수나 배치 개소는 특별히 한정되지 않고 적절히 필요한 수, 필요한 개소에 설치할 수 있다.

상기 문자, 기호, 또는, 얼라인먼트 마크는, 차광막(4)과는 다른 재료로 구성되어 있어도 되고, 또한, 차광막(4)에 개구를 설치하여 투명 기판(1)을 노출시킨 구성이어도 된다.

단, 상기 문자, 기호, 또는, 얼라인먼트 마크가, 차광막(4)에 개구를 설치하여 투명 기판(1)을 노출시킨 구성을 갖는 경우에는, 소광비가 저하되어버리는 것을 억제하기 위해서, 통상, 투명 기판(1)의 노출 면적이 작아지는 형태로 하는 것이 바람직하게 된다.

한편, 본 발명에 있어서는, 상기 문자, 기호, 또는, 얼라인먼트 마크를, 복수개의 세선이 병렬로 배치된 구성으로 할 수도 있다.

예를 들어, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)를, 복수개의 세선(8)이 병렬로 배치된 구성으로 할 수도 있다. 또한 도시는 생략하지만, 상기 문자나 기호도 마찬가지로, 복수개의 세선(8)이 병렬로 배치된 구성으로 할 수도 있다. 또한 복수개의 세선 방향은, 편광 영역의 세선 방향과 동일한 것이 바람직하다.

그리고, 얼라인먼트 마크(7)나 상기 문자, 기호를 갖는 편광자(20)가 원하는 소광비가 되도록, 세선(8)의 재료, 두께, 피치, 듀티비 등의 조건을 설계함으로써, 자외광을 차광, 또는 편광시키는 기능을 갖게 하고, 차광막(4)에 얼라인먼트 마크(7)나 상기 문자, 기호를 형성해도, 편광자(20)의 소광비가 저하되어버리는 것을 방지할 수 있다.

본 발명에 있어서, 얼라인먼트 마크(7)나 상기 문자, 기호를 구성하는 세선(8)의 재료, 두께, 피치, 듀티비 등은, 원하는 S파 투과율로 되는 것이라면 사용할 수 있지만, 그 중에서도, 세선(8)의 재료 및 두께는, 편광 영역(3)에 배치된 세선(2)의 재료 및 두께와 동일한 것이 바람직하고, 또한, 세선(8)의 길이 방향, 피치 및 듀티비는, 편광 영역(3)에 배치된 세선(2)의 길이 방향, 피치 및 듀티비와 동일한 것이 바람직하다.

얼라인먼트 마크(7)나 상기 문자, 기호를 형성해도 소광비는 변함없기 때문에, 얼라인먼트 마크(7)나 상기 문자, 기호의 수 및 배치에 대해서, 보다 자유로운 설계를 할 수 있기 때문이다.

또한, 본 발명에 따른 편광자에 있어서, 편광 영역(3)에 배치되는 세선(2)에 대해서는, 높은 소광비일 것, 즉, P파 투과율이 높고, S파 투과율은 낮을 것이 요구되지만, 차광막(4)에 형성되는 상기 문자, 기호, 또는 얼라인먼트 마크를 구성하는 세선(8)에 대해서는, S파 투과율이 낮을 것이 요구되기는 하지만, P파 투과율이 높을 것에 대해서는 반드시 요구되는 것은 아니다.

즉, 상기 문자, 기호, 또는 얼라인먼트 마크는, 광 배향막에 입사광의 S파 성분을 조사해버리는 것을 피할 필요가 있기는 하지만, P파 성분의 투과율에 대해서는, 상기 문자, 기호, 또는얼라인먼트 마크를 식별 가능한 레벨이면 되고, 반드시 높은 투과율을 필요로 하지는 않는다.

그로 인해, 본 발명에 있어서는, 편광자에 조사되는 자외광에 대하여 상기 문자, 기호, 또는 얼라인먼트 마크에 있어서의 S파 투과율의 값은, 편광 영역(3)에 있어서의 S파 투과율과 동일값, 혹은 보다 작은 값인 것이 바람직하다.

B. 편광자의 제조 방법

이어서, 본 발명에 따른 편광자의 제조 방법에 대하여 설명한다.

본 발명에 따른 편광자의 제조 방법은, 자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선, 및 자외광을 차광하는 차광막을 갖는 편광자의 제조 방법으로서, 상기 투명 기판 상에 제1 재료층을 형성한 적층체를 준비하는 공정과, 상기 제1 재료층 상에 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층을 가공하여, 세선 패턴과 차광막 패턴을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여 상기 제1 재료층을 에칭 가공하는 공정을 구비하는 것이다.

본 발명에 있어서는, 세선(2)을 형성하는 공정과 차광막(4)을 형성하는 공정을 동일 공정으로 함으로써, 제조 공정을 단축할 수 있고, 또한, 세선(2)과 차광막(4)의 상대 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.

또한, 세선(2)과 차광막(4)을 동일한 재료로 구성함으로써, 제조 비용을 낮게 억제할 수도 있다.

도 5 및 도 6은, 본 발명에 따른 편광자의 제조 방법의 일례를 도시하는 개략 공정도이다.

예를 들어, 본 발명에 따른 편광자의 제조 방법을 사용하여 편광자(10)를 제조하기 위해서는, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 먼저, 투명 기판(1) 상에 세선(2) 및 차광막(4)을 구성하는 재료를 포함하는 편광 재료층(31), 및 편광 재료층(31)을 에칭 가공할 때의 하드 마스크로서 작용하는 하드 마스크 재료층(32)을 순차 형성한 적층체를 준비한다.

또한, 이 예에 있어서는, 하드 마스크 재료층(32)이 상기 제1 재료층에 상당한다.

이어서, 하드 마스크 재료층(32) 상에 레지스트층(33)을 형성하고(도 5의 (b)), 전자선(40) 등을 조사하고(도 5의 (c)), 현상 등을 실시하여, 세선 패턴(34a)과 차광막 패턴(34b)을 갖는 레지스트 패턴(34)을 형성한다(도 5의 (d)).

본 발명에 있어서는, 예를 들어, 반도체 리소그래피용 포토마스크의 제조에 사용되는 전자선 묘화 장치를 사용하여, 세선 패턴(34a)과 차광막 패턴(34b), 또한 상기 얼라인먼트 마크 등을 동일 공정에서 제작함으로써, 전자선 묘화 장치의 고정밀도의 위치 정밀도 관리 하에서 그들의 상대 위치를 제어할 수 있다.

이어서, 레지스트 패턴(34)을 에칭 마스크로 사용하여 하드 마스크 재료층(32)을 에칭 가공하여, 하드 마스크 패턴(32P)을 형성한다(도 6의 (e)). 예를 들어, 하드 마스크 재료층(32)의 재료에 크롬을 사용한 경우에는, 염소와 산소의 혼합 가스를 사용한 건식 에칭에 의해 하드 마스크 패턴(32P)을 형성할 수 있다.

이어서, 레지스트 패턴(34) 및 하드 마스크 패턴(32P)을 에칭 마스크로 사용하여, 편광 재료층(31)을 에칭 가공하여, 세선(2)과 차광막(4)을 갖는 편광 재료 패턴(31P)을 형성한다(도 6의 (f)). 예를 들어, 편광 재료층(31)의 재료에 몰리브덴 실리사이드를 사용한 경우에는, SF₆ 가스를 사용한 건식 에칭에 의해, 편광 재료 패턴(31P)을 형성할 수 있다.

이어서, 레지스트 패턴(34)을 제거하고(도 6의 (g)), 계속해서, 하드 마스크 패턴(32P)을 제거하여, 투명 기판(1) 상에 복수개의 세선(2)과 차광막(4)을 갖는 편광자(10)를 얻는다(도 6의 (h)).

또한, 도 5 및 도 6에 도시하는 예에 있어서는 생략하였지만, 본 발명에 있어서는, 대면적의 투명 기판(1) 상에 복수개의 세선(2)과 차광막(4)을 형성하고, 그 후, 세선(2)이 배치된 편광 영역(3)의 외측을 절단하여, 원하는 사이즈 및 형태로 잘라낸 편광자(10)를 얻어도 된다.

또한, 상기에 있어서는, 레지스트 패턴(34)을 남긴 상태에서 편광 재료층(31)을 에칭 가공하고 있지만, 본 발명에 있어서는, 도 6의 (e)에 도시하는 하드 마스크 패턴(32P)을 형성하는 공정 후, 레지스트 패턴(34)을 제거하고, 하드 마스크 패턴(32P)만을 에칭 마스크로 사용하여 편광 재료층(31)을 에칭 가공하여 편광 재료 패턴(31P)을 형성해도 된다.

또한, 상기에 있어서는, 얻어지는 편광자(10)로서, 하드 마스크 패턴(32P)을 제거한 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명에 있어서는, 필요에 따라 하드 마스크 패턴(32P)을 전체면 또는 부분적으로 남겨 두어도 된다.

예를 들어, 도 6의 (g)에 도시하는 형태와 같이, 하드 마스크 패턴(32P)을 전체면에 남긴 형태를, 최종적으로 얻어지는 편광자의 형태로 해도 된다. 이 경우, 하드 마스크 패턴(32P)을 제거하는 공정을 생략할 수 있어, 공정 단축의 효과를 발휘할 수 있다.

또한, 상기에 있어서는, 편광 재료층(31) 상에 하드 마스크 재료층(32)을 설치하는 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명에 있어서는, 하드 마스크 재료층(32)을 설치하지 않고, 편광 재료층(31) 상에 레지스트층(33)을 형성하고, 레지스트 패턴(34)을 에칭 마스크로 사용하여 편광 재료층(31)을 에칭 가공하여, 세선(2)과 차광막(4)을 갖는 편광 재료 패턴(31P)을 형성해도 된다.

이 경우에는, 편광 재료층(31)이 상기 제1 재료층에 상당한다.

여기서, 상기 도 5의 (c)에 도시된 레지스트 패턴(34)의 형성에 사용하는 방법은, 원하는 세선 패턴(34a)과 차광막 패턴(34b)을 갖는 레지스트 패턴(34)을 형성할 수 있는 방법이라면 사용할 수 있지만, 그 중에서도, 전자선을 조사하는 방법이 바람직하다.

전자선을 조사하는 방법에 의한 레지스트 패턴 형성은, 반도체용의 포토마스크 제조 등에서 실적이 있고, 예를 들어, 피치가 60nm 이상 140nm 이하의 범위의 세선 패턴을, 원하는 영역에 고정밀도로 형성할 수 있기 때문이다. 또한, 세선 패턴(34a)과 차광막 패턴(34b)의 상대 위치 정밀도도, 반도체용의 포토마스크 제조에 요구되는, 나노미터 레벨의 정밀도로 할 수 있기 때문이다.

또한, 본 발명에 있어서는, 레지스트층(33)이 포지티브형의 전자선 레지스터로 구성되어 있고, 세선 패턴(34a)과 차광막 패턴(34b)을 갖는 레지스트 패턴(34)을 형성하는 공정이, 원하는 세선과 원하는 차광막이 형성되는 위치 이외의 레지스트층(33)에 전자선을 조사하는 공정인 것이 바람직하다.

보다 구체적으로는, 세선 패턴(34a)이 라인 앤드 스페이스 패턴을 구성하고 있고, 상기 라인 앤드 스페이스 패턴의 스페이스 패턴부가 되는 위치의 레지스트층(33)에 전자선을 조사하는 공정인 것이 바람직하다.

상기 위치에 전자선을 조사하는 방법이면, 전자선을 조사하는 면적을 작게 할 수 있고, 전자선 조사 공정의 시간을 짧게 할 수 있기 때문이다.

상기에 대해서, 더 자세하게 설명한다.

예를 들어, 도 1에 도시하는 편광자(10)의 세선(2)의 폭이, 세선(2)의 피치의 절반의 크기일 경우, 네가티브형의 전자선 레지스터를 사용하여, 편광자(10)의 세선 패턴과 차광막 패턴을 얻고자 하는 경우, 전자선 조사하는 면적은, 세선(2) 모두를 합친 면적에 차광막(4)의 면적을 첨가한 면적이 된다.

한편, 상기 방법을 사용하면, 전자선 조사하는 면적은, 세선(2)의 스페이스 부분의 모두를 합한 면적, 즉, 대략, 세선(2) 모두를 합친 면적이면 되므로, 차광막(4)의 면적을 조사하는 시간을 삭감할 수 있다.

C. 광 배향 장치

이어서, 본 발명에 따른 광 배향 장치에 대하여 설명한다.

본 발명에 따른 광 배향 장치는, 자외광을 편광하여 광 배향막에 조사하는 광 배향 장치로서, 상기 본 발명에 따른 편광자를 구비하고, 편광자의 편광 영역을 투과하는 광을 광 배향막에 조사하는 것이다.

본 발명에 따른 광 배향 장치에 있어서는, 본 발명에 따른 편광자를 구비함으로써, 자외광 램프로부터 조사된 자외광의 불필요한 S파 성분이 투과되어버리는 것을 억제할 수 있다. 그로 인해, 광 배향막에 배향 규제력을 부여하는 것을 효과적으로 행할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.

도 7은, 본 발명에 따른 광 배향 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.

도 7에 도시하는 광 배향 장치(50)는 본 발명의 편광자가 수용된 편광자 유닛(51)과 자외광 램프(52)를 구비하고 있고, 자외광 램프(52)로부터 조사된 자외광을 편광자 유닛(51)에 수용된 편광자(10)에 의해 편광하고, 이 편광된 광(편광광(54))을 워크(56) 상에 형성된 광 배향막(55)에 조사함으로써, 광 배향막(55)에 배향 규제력을 부여하는 것이다.

또한, 광 배향 장치(50)에는, 광 배향막(55)을 형성한 워크(56)를 이동시키는 기구가 구비되어 있고, 워크(56)를 이동시킴으로써, 광 배향막(55)의 전체면에 편광광(54)을 조사할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시하는 예에 있어서, 워크(56)는 도면 중 우측 방향(도 6에 있어서의 화살표 방향)으로 이동한다.

또한, 도 7에 도시하는 예에 있어서는, 워크(56)를 직사각 형상의 평판으로서 도시하였지만, 본 발명에 있어서, 워크(56)의 형태는, 편광광(54)을 조사할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 워크(56)는 필름형의 형태여도 되고, 또한, 권취 가능하도록 띠형(웹형)의 형태여도 된다.

본 발명에 있어서, 자외광 램프(52)는 파장이 240nm 이상 380nm 이하의 자외광을 조사할 수 있는 것이면 바람직하고, 또한, 광 배향막(55)은 파장이 240nm 이상 380nm 이하의 자외광에 대하여 감도를 갖는 것이면 바람직하다.

광 배향 장치(50)는 상기 파장의 범위의 자외광에 대하여 높은 차광성을 갖는 차광막(4)을 갖는 편광자(10)를 구비하고 있기 때문에, 불필요한 S파 성분이 투과되어버리는 것을 효율적으로 억제할 수 있다. 그로 인해, 상기 파장의 범위의 자외광에 감도를 갖는 광 배향막에 배향 규제력을 부여하는 것을 효율적으로 행할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있기 때문이다.

또한, 자외광 램프(52)로부터의 광을 효율적으로 편광자에 조사하기 위해서, 광 배향 장치(50)는 자외광 램프(52)의 배면측(편광자 유닛(51)과는 반대측)이나 측면측에 자외광을 반사하는 반사경(53)을 갖고 있는 것이 바람직하다.

또한, 대면적의 광 배향막(55)에 대하여 효율적으로 배향 규제력을 부여하기 위해서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 자외광 램프(52)에 막대형의 램프를 사용하여, 워크(56)의 이동 방향(도 7에 있어서의 화살표 방향)에 대하여 직교하는 방향으로 긴 조사 영역이 되는 편광광(54)이 조사되도록, 광 배향 장치(50)를 구성하는 것이 바람직하다.

이 경우, 편광자 유닛(51)도 대면적의 광 배향막(55)에 대하여 편광광(54)을 조사하는 데 적합한 형태가 되지만, 대면적의 편광자를 제조하기에는 곤란성이 있기 때문에, 편광자 유닛(51) 내에 복수개의 편광자를 배치하는 것이 기술적으로나 경제적으로나 바람직하다.

또한, 본 발명에 따른 광 배향 장치는, 복수개의 자외광 램프를 구비하는 구성이어도 된다.

도 8은, 본 발명에 따른 광 배향 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.

도 8에 도시한 바와 같이, 광 배향 장치(60)는 2개의 자외광 램프(62)를 구비하고 있고, 각 자외광 램프(62)와 워크(66) 사이에는, 각각, 본 발명의 편광자가 수용된 편광자 유닛(61)이 구비되어 있다. 또한, 각 자외광 램프(62)에는, 각각 반사경(63)이 구비되어 있다.

이와 같이, 자외광 램프(62)를 복수개 구비함으로써, 자외광 램프(62)를 1개 구비하는 경우보다도, 워크(66) 상에 형성된 광 배향막(65)에 조사하는 편광광(64)의 조사량을 증가시킬 수 있다. 그로 인해, 자외광 램프(62)를 1개 구비하는 경우보다도 워크(66)의 이동 속도를 크게 할 수 있고, 그 결과, 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 도 8에 도시하는 예에 있어서는, 워크(66)의 이동 방향(도 8에 있어서의 화살표 방향)에 2개의 자외광 램프(62)를 병렬 배치한 구성을 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 예를 들어, 워크(66)의 이동 방향에 직교하는 방향으로, 복수개의 자외광 램프를 배치한 구성이어도 되고, 또한, 워크(66)의 이동 방향 및 그것에 직행하는 방향의 양쪽 방향으로 복수개의 자외광 램프를 배치한 구성이어도 된다.

또한, 도 8에 도시하는 예에 있어서는, 1개의 자외광 램프(62)에 대하여 1개의 편광자 유닛(61)이 배치된 구성을 나타내고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 예를 들어, 복수개의 자외광 램프에 대하여 1개의 편광자 유닛이 배치된 구성이어도 된다. 이 경우, 1개의 편광자 유닛은, 복수개의 자외광 램프의 조사 영역을 포함할 수 있는 크기를 갖고 있으면 된다.

도 9는, 본 발명에 따른 광 배향 장치에 있어서의 편광자의 배치 형태의 일례를 도시하는 도면이다. 또한, 도 9의 (a) 내지 (d)에 도시하는 편광자의 배치 형태는, 모두, 평판형의 편광자(10)가 광 배향막의 막면에 대향하여 평면적으로 배열된 형태를 도시하고 있다.

예를 들어, 도 7에 도시하는 광 배향 장치(50)에 있어서, 워크(56)의 이동 방향에 대하여 직교하는 방향으로 띠형의 편광광(54)을 조사하는 경우에는, 편광자 유닛(51) 내에는, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 워크(56)의 이동 방향(화살표 방향)에 대하여 직교하는 방향으로, 편광자(10)를 복수개 배치하는 것이 효율적이다. 편광자(10)의 수를 적게 억제할 수 있기 때문이다.

한편, 편광자(10)의 면적이 작은 경우나, 광 배향 장치가 복수개의 자외광 램프를 구비하는 경우에는, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 워크의 이동 방향(화살표 방향)에 대하여 직교하는 방향에 추가로, 이동 방향(화살표 방향)을 따르는 방향으로도, 편광자(10)를 복수개 배치하는 것이 바람직하다. 자외광 램프로부터의 광을 낭비 없이 광 배향막에 조사할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있기 때문이다.

여기서, 본 발명에 있어서는, 도 9의 (c) 및 도 9의 (d)에 도시한 바와 같이, 복수개 배치되는 편광자가, 워크의 이동 방향(화살표 방향)을 따라 일렬로 정렬되지 않도록, 인접하는 편광자의 위치를, 워크의 이동 방향에 직교하는 방향(도면 중의 상하 방향)으로 시프트시켜서 배치하는 것이 바람직하다.

보다 상세하게는, 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서 인접하는 복수개의 편광자 사이의 경계부를 사이에 둔 차광막이, 광 배향막의 이동 방향으로 직선적으로 연결되지 않도록, 복수개의 편광자가 배치되어 있는 것이 바람직하다.

차광막(4)이 형성된 영역에서는 편광광이 발생하지 않기 때문에, 이 차광막(4)이 광 배향막에 끼치는 폐해를 억제하기 위해서이다.

여기서, 도 9의 (c)에 도시하는 배치 형태는, 배치되는 복수개의 편광자가, 모두 동일한 형상, 동일한 사이즈를 갖고, 좌우 방향에 있어서 인접하는 편광자의 상하 방향의 위치가, 편광자의 상하 방향의 크기의 1/2의 크기의 스텝으로 상하 방향으로 시프트되어 있는 배치 형태이다.

또한, 도 9의 (d)에 도시하는 배치 형태는, 배치되는 복수개의 편광자가, 모두 동일한 형상, 동일한 사이즈를 갖고, 좌우 방향에 있어서 인접하는 편광자의 상하 방향의 위치가, 편광자의 상하 방향의 크기의 1/2보다도 작은 스텝으로 상하 방향으로 시프트되어 있는 배치 형태이다.

상기에 대해서, 더 자세하게 설명한다.

도 9의 (c)에 도시하는 배치 형태에 있어서, 상하 방향으로 인접 배치된 편광자(10(10p))와 편광자(10(10q))의 경계부(71)는 좌우 방향으로 배치된 편광자(10(10r))와 편광자(10(10s))에 의해, 좌우 방향으로 신장되어 가는 것이 저지되어 있다.

즉, 도 9의 (c)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 상하 방향으로 인접 배치된 편광자 사이의 경계부를 사이에 둔 차광막이, 좌우 방향으로 직선적으로 연결되어 가는 것이 저지되어 있다.

그로 인해, 도 9의 (c)에 도시하는 배치 형태를 채용하여, 광 배향막에 편광광을 조사할 경우, 상기 차광막에 기인하는 폐해가 광 배향막에 연속적으로 미치는 것을 억제할 수 있다.

마찬가지로, 도 9의 (d)에 도시하는 배치 형태에 있어서도, 상하 방향으로 인접 배치된 편광자 사이의 경계부를 사이에 둔 차광막이, 좌우 방향으로 직선적으로 연결되어 가는 것이 저지되어 있다.

그로 인해, 도 9의 (d)에 도시하는 배치 형태를 채용하여, 광 배향막에 편광광을 조사할 경우, 상기 차광막에 기인하는 폐해가 광 배향막에 연속적으로 미치는 것을 억제할 수 있다.

또한, 도 9의 (c)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 편광자의 상하 방향의 크기의 1/2의 크기의 스텝으로 상하 방향으로 시프트되어 있기 때문에, 좌우 방향(워크의 이동 방향)에 대하여 편광자 2개마다 경계부(71)의 상하 방향의 위치가 정렬되게 된다.

한편, 도 9의 (d)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 편광자의 상하 방향의 크기의 1/2보다도 작은 스텝으로 상하 방향으로 시프트되어 있기 때문에, 경계부(72)의 상하 방향의 위치는, 보다 정렬되기 어려워진다.

그로 인해, 도 9의 (d)에 도시하는 배치 형태에 있어서는, 상기 차광막에 기인하는 폐해가 광 배향막에 연속적으로 미치는 것을 보다 억제할 수 있다.

또한, 도 9의 (a) 내지 (d)에 도시하는 예에 있어서는, 개개의 편광자는, 그 측면이 서로 접하게 배치되어 있지만, 본 발명은 이 형태에 한정되지 않고, 인접하는 편광자 사이의 경계부가 간극을 갖고 있는 형태여도 된다.

또한, 인접하는 편광자의 단부를 서로 중첩됨으로써, 편광자 사이의 경계부에 간극이 발생하지 않는 형태로 해도 된다.

도 10은, 본 발명에 따른 광 배향 장치에 있어서의 편광자의 배치 형태의 다른 예를 도시하는 도면이다.

본 발명에 있어서는, 도 9의 (a)에 도시하는 배치 형태 대신에, 예를 들어, 도 3의 (c)에 도시된 편광자(10c)와 도 3의 (c)에 도시된 편광자(10f)를 사용하여, 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 각 편광자에 있어서 차광막이 형성되지 않은 변끼리의 외측 테두리 부분을 중첩하도록 배치해도 된다.

이러한 배치 형태이면, 도면 중 상하 방향의 각 편광자 사이에는 차광막이 없고, 또한, 각 편광자 사이에 간극이 발생하지 않기 때문에, 도면 중 상측 방향으로부터 하측 방향으로 편광자(10f, 10c, 10f)의 순서로 배치한 3매의 편광자를, 마치, 도면 중 상하 방향으로 긴 1매의 편광자를 구비한 경우처럼 작용시킬 수 있다.

그리고, 각 편광자는, 각각의 차광막의 부분을 끼움 지지하는 방법으로 광 배향 장치에 배치할 수 있다. 그로 인해, 세선이 형성되어 있는 영역(편광 영역)을 끼움 지지하지 않고, 각 편광자를 광 배향 장치에 고정할 수 있고, 끼움 지지한 부분으로부터 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 발생시키지 않도록 할 수 있다.

또한, 도 10의 (a)에 있어서는, 번잡해지는 것을 피하기 위해서, 편광자(10f, 10c, 10f)의 순서로 배치한 3매의 편광자의 형태를 예시했지만, 상기 형태에 있어서, 편광자(10c)를 2매 이상 사용하여, 도면 중 상하 방향으로 보다 길게 배치해도 된다.

또한, 마찬가지로, 도 3의 (a)에 도시된 편광자(10a)와 도 3의 (e)에 도시된 편광자(10e)를 사용하여, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 각 편광자에 있어서 차광막이 형성되지 않은 변끼리의 외측 테두리 부분을 중첩하도록 배치해도 된다. 이 경우에도, 마치 1매의 편광자를 구비한 경우처럼 작용시킬 수 있다.

또한, 이 경우에도, 각 편광자는, 각각의 차광막의 부분을 끼움 지지하는 방법으로 광 배향 장치에 배치할 수 있다. 그로 인해, 세선이 형성되어 있는 영역(편광 영역)을 끼움 지지하지 않고, 편광자를 광 배향 장치에 고정할 수 있어, 끼움 지지한 부분으로부터 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 발생시키지 않도록 할 수 있다.

또한, 도 10의 (b)에 있어서도, 편광자(10a)를 도면 중 상하 방향으로 2매 이상 사용하여, 도면 중 상하 방향으로 보다 긴 배치 형태로 해도 된다.

D. 편광자

이어서, 본 발명의 편광자에 대하여 설명한다.

본 발명의 편광자는, 입사한 자외광의 세선에 평행인 편광 방향의 광을 차폐하고, 상기 세선에 수직인 편광 방향의 광을 투과시키는 편광자로서, 상기 자외광에 대하여 투과성을 갖는 기판 상에, 복수개의 상기 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막을 갖고, 상기 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직인 것을 특징으로 하는 것이다.

이러한 본 발명의 편광자로서는, 예를 들어, 이미 설명한 도 1에 도시하는 것으로 할 수 있다.

또한, 도 1은, 편광 영역(3)이, 세선(2)이 배치된 영역인 세선 영역과 동일한 경우를 도시하는 것이다.

또한, 도 1은, 상기 차광막(4)이, 상기 세선(2)이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성되고, 상기 차광막(4)의 내측 테두리측의 에지가, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직인 것을 도시하는 것이다.

본 발명의 편광자는, 기판, 세선 영역 및 차광막을 갖는 것이다.

1. 기판

본 발명에 있어서의 기판은, 상기 자외광에 대하여 투과성을 갖는 것이다.

본 발명에 있어서, 「자외광에 대하여 투과성을 갖는」이란, 구체적으로는, 파장이 240nm 이상 380nm 이하의 광을 투과할 수 있음을 말하는 것이다.

이러한 기판을 구성하는 재료 및 두께로서는, 상기 「A. 편광자」의 「1. 투명 기판」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

2. 세선 영역

본 발명에 있어서의 세선 영역은 세선이 배치된 영역이다.

상기 세선 영역은, 보다 구체적으로는, 복수개의 세선이 병렬로 배치된 영역을 말하는 것이다.

또한, 상기 세선 영역은, 세선에 평행인 편광 방향의 광을 차폐하고, 상기 세선에 수직인 편광 방향의 광을 투과시켜, 직선 편광을 생성하기 위한 주된 영역이다.

본 발명에 있어서의 세선은, 상기 기판 상에 복수개가 병렬로 배치되는 것이다.

이러한 세선을 구성하는 재료, 두께, 개수 및 길이, 피치, 듀티비 및 폭에 대해서는 상기 「A. 편광자」의 「2. 세선」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

상기 세선 영역의 세선의 길이 방향의 외측에 차광막이 형성되는 경우, 그 세선의 길이 방향의 말단과, 차광막은 접속되어 있는 형태인 것이 바람직하다.

상기 세선 영역의 세선의 배열 방향의 외측에 차광막이 형성되는 경우, 세선의 배열 방향에 있어서의 말단의 세선과 차광막의 간격은, 세선끼리의 간격과 동일한 크기인 것이 바람직하다.

보다 구체적으로는, 도 1의 (a), (b)에 있어서, 도면 중 우측 말단의 세선(2)의 좌측의 에지와 차광막(4)의 내측 테두리측의 에지와의 간격 P₂는, 세선(2)끼리의 간격 P₁과 동일한 크기인 것이 바람직하다. 마찬가지로, 도 1의 (a), (b)에 있어서, 도면 중 좌측 말단의 세선(2)의 우측의 에지와 차광막(4)의 내측 테두리측의 에지와의 간격은, 세선(2)끼리의 간격 P₁과 동일한 크기인 것이 바람직하다.

또한, 상기 세선의 길이 방향의 말단과 차광막이 접속되어 있는 형태 및 말단의 세선과 차광막의 간격이 세선끼리의 간격인 것에 의한 효과 등에 대해서는, 상기 「A. 편광자」의 「3. 편광 영역」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다.

3. 차광막

본 발명에 있어서의 차광막은, 상기 자외광을 차광하는 것이다.

상기 차광막은, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성되는 것이다.

또한, 상기 차광막은, 상기 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직인 것이다.

상기 차광막의 평면 형태는, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성되는 것이면 된다.

이러한 평면 형태는, 구체적으로는, 상기 「A. 편광자」의 「4. 차광막」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 도 3의 (h)와 같이 차광막의 외측 테두리가 편광자의 외측 테두리보다도 내측에 설치되어 있고, 차광막의 외측 테두리부터 편광자의 외측 테두리까지의 영역에도 세선이 형성되어 있는 형태, 즉, 상기 차광막의 외측에 상기 세선이 배치된 영역인 제2 세선 영역이 형성되어 있는 형태로 해도 된다. 상기 세선 영역, 차광막 및 제2 세선 영역이 이 순으로 형성됨으로써, 편광자를 복수매 평면형으로 배열하여 광 배향 장치에 배치할 때, 서로 이웃하게 되는 편광자의 각 차광막끼리가 접하여 차광 영역이 넓어져버린다고 하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기 제2 세선 영역에 포함되는 세선의 길이 방향은, 통상, 상기 세선 영역에 포함되는 세선의 길이 방향과 동일한 방향이다.

또한, 복수매의 편광자를 광 배향 장치에 배치할 때는, 차광막의 평면 형태가 서로 다른 각종 형태의 편광자를 조합하여 사용해도 된다.

상기 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향은, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직인 것이면 된다.

여기서, 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직이란, 상기 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행인 방향 또는 수직인 방향이면 되고, 차광막이 내측 테두리측의 에지를 복수 갖는 것인 경우에는, 세선의 길이 방향과 평행인 방향 및 수직인 방향의 양자를 포함하는 것이어도 된다.

이미 설명한 도 1 및 도 3의 (e), (f), (g) 및 (h)는 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행인 방향 및 수직인 방향의 양자를 포함하는 경우를 도시하는 것이다.

도 3의 (a) 및 (c)는 차광막의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행인 방향만일 경우를 도시하는 것이다.

도 3의 (b) 및 (d)는 차광막의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 수직인 방향만일 경우를 도시하는 것이다.

상기 차광막의 외측에 제2 세선 영역이 형성되는 경우, 상기 차광막의 외측 테두리측의 에지의 형성 방향은, 상기 제2 세선 영역에 포함되는 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직 방향인 것이 바람직하다. 더 높은 소광비를 얻을 수 있기 때문이다.

상기 차광막에는, 문자, 기호, 또는, 얼라인먼트 마크가 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 차광막에 문자, 기호 등을 형성함으로써, 형식 번호 등, 편광자에 관한 정보를 부여할 수 있다. 또한, 상하 좌우나 표리 등의 방향의 판별이나, 개략적인 위치 정렬에도 이용할 수 있다.

이러한 문자, 기호, 또는, 얼라인먼트 마크에 대해서는, 구체적으로는, 상기 「A. 편광자」의 「4. 차광막」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

상기 차광막의 자외광에 대한 차광성 및 구성하는 재료는, 상기 「A. 편광자」의 「4. 차광막」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

4. 편광자

본 발명의 편광자는, 기판, 세선 영역 및 차광막을 갖는 것이지만, 필요에 따라 기타의 구성을 갖는 것이어도 된다.

E. 광 배향 장치

이어서, 본 발명의 광 배향 장치에 대하여 설명한다.

본 발명의 광 배향 장치는, 편광자가 복수개 구비된 것으로서, 상기 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이며, 복수개의 상기 편광자는, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

이러한 본 발명의 광 배향 장치로서는, 예를 들어, 이미 설명한 도 7 및 도 8에 도시하는 것으로 할 수 있다.

또한, 복수개의 상기 편광자의 배치, 즉, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않는 배치로서는, 구체적으로는, 이미 설명한 도 10의 (a) 및 (b)에 도시하는 것으로 할 수 있다.

본 발명에 따르면, 복수개의 상기 편광자가, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않도록 배치되어 있는 것에 의해, 각 편광자 사이에는 차광막이 없기 때문에, 마치 1매의 편광자를 구비한 경우와 같이 작용시킬 수 있다.

또한, 각 편광자는, 각각의 차광막의 부분을 끼움 지지하는 방법으로 광 배향 장치에 배치할 수 있다. 그로 인해, 세선이 형성되어 있는 영역인 세선 영역을 끼움 지지하지 않고, 각 편광자를 광 배향 장치에 고정할 수 있고, 끼움 지지한 부분으로부터 세선의 파손을 연쇄적으로 야기해버린다고 하는 문제나, 파손된 세선 부분으로부터 이물이 발생되어버린다고 하는 문제를 발생시키지 않도록 할 수 있다.

본 발명은 편광자를 적어도 갖는 것이다.

이하, 본 발명의 편광자 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.

1. 편광자

본 발명에 있어서의 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이다.

이러한 편광자에 대해서는, 예를 들어, 상기 「D. 편광자」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다.

2. 편광자의 배치

본 발명에 있어서의 편광자의 배치는, 복수개의 상기 편광자가, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않는 것이다.

이러한 편광자의 배치는, 예를 들어, 인접하여 배치된 편광자가 각각의 편광자의 차광막이 형성되지 않은 변끼리가 인접하는 배치로 할 수 있다.

보다 구체적으로는, 이미 설명한 도 10의 (a) 및 (b)에 도시하는 배치로 할 수 있다.

상기 편광자의 배치는, 인접하는 편광자가, 그 측면이 서로 접하도록 배치되어 있는 것이어도 되지만, 인접하는 편광자 사이의 경계부가 간극을 갖고 있는 형태여도 된다.

상기 편광자의 배치는, 인접하는 편광자의 단부를 서로 중첩되는 것에 의해, 편광자 사이의 경계부에 간극이 발생하지 않는 형태로 해도 된다.

상기 편광자의 배치가, 인접하여 배치된 편광자가 각각의 편광자의 차광막이 형성되지 않은 변끼리가 인접하도록 배치되고, 또한, 인접하는 편광자의 단부를 서로 중첩되는 배치, 즉, 각 편광자에 있어서 차광막이 형성되지 않은 변끼리의 외측 테두리 부분을 중첩하는 배치에 대해서는, 예를 들어, 상기 「C. 광 배향 장치」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

상기 편광자의 워크의 이동 방향에 대한 배치에 대해서는 상기 「C. 광 배향 장치」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않도록 배치되어 있는 복수개의 상기 편광자를, 1매의 편광자(이하, 간단히 결합 편광자라 칭하는 경우가 있다.)로 보았을 경우에, 상기 결합 편광자를 복수개 배치하여 사용하는 것이어도 된다.

이러한 결합 편광자의 배치 형태에 대해서는, 상기 「C. 광 배향 장치」의 항에 기재된 복수개의 편광자의 배치 형태와 동일하게 할 수 있다.

3. 광 배향 장치

본 발명의 광 배향 장치는, 복수개의 편광자를 갖는 것이지만, 필요에 따라 기타의 구성을 갖는 것이어도 된다.

이러한 기타의 구성으로서는, 예를 들어, 편광자가 수용되는 편광자 유닛, 자외광 램프, 반사경, 워크를 이동시키는 기구 등을 갖는 것이어도 된다.

상기 기타의 구성은, 상기 「C. 광 배향 장치」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.

F. 편광자의 장착 방법

이어서, 본 발명의 편광자 장착 방법에 대하여 설명한다.

본 발명의 편광자 장착 방법은, 복수개의 편광자를 광 배향 장치에 장착하는 방법이며, 상기 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이며, 상기 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크에 의해, 상기 편광자의 위치 정렬을 행함과 함께 복수개의 상기 편광자의 편광 방향을 조정하는 위치 정렬 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.

보다 구체적으로는, 세선을 형성하는 공정과 차광막을 형성하는 공정을 동일 공정으로 함으로써, 세선과 차광막의 상대 위치 정밀도를 향상시킬 수도 있다. 그로 인해, 차광막에 얼라인먼트 마크를 형성함으로써, 세선의 위치나 각도의 정보를, 얼라인먼트 마크로부터 고정밀도로 취득할 수 있다. 이러한 것부터, 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크를 사용함으로써, 위치 정렬, 및 편광자의 편광 방향을 결정하는 세선 영역 내의 세선의 길이 방향의 방향 확인을 고정밀도로 행하는 것이 가능하게 되는 것이다.

본 발명의 편광자 장착 방법은, 위치 정렬 공정을 적어도 갖는 것이다.

이하, 본 발명의 편광자 장착 방법의 각 공정에 대하여 상세하게 설명한다.

1. 위치 정렬 공정

본 발명에 있어서의 위치 정렬 공정은, 상기 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크에 의해, 상기 편광자의 위치 정렬을 행함과 함께 복수개의 상기 편광자의 편광 방향을 조정하는 공정이다.

또한, 본 공정에 사용되는 편광자 및 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크는, 상기 「A. 편광자」의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있으므로, 여기에서의 설명은 생략한다.

본 공정에 있어서의 편광자의 위치 정렬을 행함과 함께 복수개의 상기 편광자의 편광 방향을 조정하는 방법으로서는, 상기 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크를 사용하는 방법이기만 하면 특별히 한정되는 것은 아니고, 얼라인먼트 마크를 사용한 일반적인 위치 정렬 방법 등을 사용할 수 있다.

상기 방법은, 예를 들어, 광 배향 장치에 있어서 복수개의 편광자를 배치 개소에 상기 얼라인먼트 마크에 대응하는 배치측 얼라인먼트 마크를 형성하고, 편광자의 얼라인먼트 마크를 배치측 얼라인먼트 마크와 평면에서 보아 중첩되도록 배치하는 방법 등을 들 수 있다.

2. 편광자의 장착 방법

본 발명의 편광자 장착 방법은, 상기 위치 정렬 공정을 갖는 것이지만, 필요에 따라, 기타의 공정을 갖는 것이어도 된다.

이상, 본 발명에 따른 편광자, 편광자의 제조 방법, 광 배향 장치 및 편광자의 장착 방법에 대하여 각각의 실시 형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 경우여도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

실시예

이하에 실시예를 나타내고, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.

[실시예 1]

먼저, 다음의 테스트 기판을 제조하고, 각 파장에 있어서의 굴절률(n)과 소쇠 계수(k)를 측정하고, 소정의 막 두께에 있어서의 광학 농도를 산출하였다.

(차광막 형성)

투명 기판에 두께 6.35mm의 합성 석영 유리를 준비하고, 몰리브덴과 실리콘의 혼합 타깃(Mo:Si=1:2mol％)을 사용하여 아르곤 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링법에 의해, 막 두께 60nm의 몰리브덴 실리사이드막을 형성하여, 테스트 기판을 제조하였다.

또한, 상기 막 두께는, VEECO사 제조의 AFM 장치 DIMENSION-X3D에 의해 측정하였다.

(굴절률 및 소쇠 계수의 측정)

테스트 기판에 대해서, 투과형 엘립소미터(울람사 제조의 VUV-VASE)에 의해 파장 190nm 내지 380nm의 자외광에 대한 굴절률(n) 및 소쇠 계수(k)를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.

(광학 농도)

표 1에 나타내는 굴절률(n) 및 소쇠 계수(k)에 기초하여, 상기 몰리브덴 실리사이드막의 막 두께가 60nm 및 100nm인 경우의 광학 농도(OD)를 산출하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.

(실시예 1의 평가)

표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 편광자의 차광막이, 막 두께 60nm 이상의 몰리브덴 실리사이드막을 갖고 있으면, 190nm 이상 380nm 이하의 파장 자외광에 대하여 광학 농도 2.8 이상의 차광성을 갖는 것이 확인되었다.

또한, 차광막이, 막 두께 100nm 이상의 몰리브덴 실리사이드막으로 구성되어 있는 경우에는, 190nm 이상 380nm 이하의 파장 자외광에 대하여 광학 농도 4.4 이상의 차광성을 갖는 것이 확인되었다.

[실시예 2]

이어서, 다음의 편광자를 제조하고, 각 파장에 있어서의 P파 투과율 및 S파 투과율을 측정하고, 소광비를 산출하였다.

(편광자의 제조)

투명 기판으로서, 평면 사이즈가 152mm×152mm, 두께가 6.35mm인 합성 석영 유리를 준비하고, 몰리브덴과 실리콘의 혼합 타깃(Mo:Si=1:2mol％)을 사용하여 아르곤 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링법에 의해, 막 두께 100nm의 몰리브덴 실리사이드막을 형성하였다.

이어서, 크롬 타깃을 사용하여 아르곤 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링법에 의해, 상기 몰리브덴 실리사이드막 상에 막 두께 5nm의 크롬막을 형성하였다.

이어서, 상기 크롬막의 상에 포지티브형의 전자선 레지스터(닛본 제온사 제조의 ZEP520)를 도포하고, 전자선 묘화를 행하여, 세선 패턴과 차광막 패턴을 갖는 레지스트 패턴을 형성하였다.

여기서, 상기 세선 패턴은, 피치가 100nm인 라인 앤드 스페이스 패턴이며, 상기 라인 앤드 스페이스 패턴의 전체의 평면 사이즈가 90mm×100mm로 하였다. 바꿔 말하면, 편광자의 편광 영역의 평면 사이즈가 90mm×100mm가 되도록 하였다. 또한, 세선의 길이 방향 길이가 90mm이며, 세선과 차광막이 접속되는 형태가 되도록 하였다.

또한, 상기 차광막 패턴은, 내측 테두리가 상기 편광 영역의 외측 테두리와 일치하는 것이며, 외측 테두리가 152mm×152mm의 크기로 되도록 하였다.

또한, 차광막 패턴의 내측 테두리는, 세선 패턴을 구성하는 라인 앤드 스페이스 패턴의 방향에 대하여 평행인 에지와 수직인 에지의 양쪽을 갖도록 형성하고, 또한, 상기 라인 앤드 스페이스 패턴의 스페이스 패턴은, 라인 앤드 스페이스 패턴의 방향에 대하여 평행인 차광막의 내측 테두리(에지)에 도달할 때까지, 균일한 폭이 되도록 형성하였다.

이어서, 상기 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여, 먼저, 염소와 산소의 혼합 가스를 사용한 건식 에칭에 의해, 크롬막을 에칭 가공하여 크롬막 패턴을 형성하고, 계속해서, 상기 크롬막 패턴으로부터 노출되는 몰리브덴 실리사이드막을, SF₆ 가스를 사용한 건식 에칭에 의해 가공하고, 그 후, 상기 레지스트 패턴 및 크롬막 패턴을 제거하여, 세선이 배치된 편광 영역의 외주에 차광막이 형성되어 있는 실시예 2의 편광자를 얻었다.

이 실시예 2의 편광자의 세선의 폭, 두께, 및 피치를 Vistec사 제조의 SEM 측정 장치 LWM9000과 VEECO사 제조의 AFM 장치 DIMENSION-X3D에 의해 측정한 바, 각각, 36nm, 100nm, 및 100nm였다.

(세선의 구조 평가)

실시예 2의 편광자의 세선 및 차광막에 대하여 투과형 엘립소미터(울람사 제조의 VUV-VASE)에 의해 구조를 평가하였다.

그 결과, 상기 세선이, 폭 및 두께가 각각 31.8nm 및 95.8nm인 몰리브덴 실리사이드막과, 상기 몰리브덴 실리사이드막의 상면의 막 두께 및 측면의 막 두께가 각각 4.2nm 및 4.2nm인 산화규소를 포함하는 산화막을 갖는 것이 확인되었다.

또한, 상기 차광막이, 두께 95.8nm의 몰리브덴 실리사이드막과, 상기 몰리브덴 실리사이드막의 상면의 막 두께가 4.2nm인 산화규소를 포함하는 산화막을 갖는 것이 확인되었다.

(P파 투과율 및 S파 투과율의 측정)

실시예 2의 편광자에 대하여 투과형 엘립소미터(울람사 제조의 VUV-VASE)에 의해 파장 200nm 내지 400nm의 범위 내의 자외광의 P파 투과율(출사광 중의 P파 성분/입사광 중의 P파 성분) 및 S파 투과율(출사광 중의 S파 성분/입사광 중의 S파 성분)을 측정하고, 소광비(P파 투과율/S파 투과율)를 산출하였다. 결과를 표 3 및 도 11에 나타낸다.

표 3 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 파장 240nm 내지 400nm의 범위에서, 실시예 2의 편광자의 P파 투과율은 64.3％ 이상이며, 소광비는 55.1 이상이었다.

또한, 파장 240nm 내지 260nm의 범위에서, 실시예 2의 편광자의 P파 투과율은 64.3％ 이상이며, 소광비는 55.1 이상이었다. 또한, 파장 355nm 내지 375nm의 범위에서, 실시예 2의 편광자의 P파 투과율은 77.1％ 이상이며, 소광비는 277.9 이상이었다.

(실시예 2의 평가)

표 3 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 실시예 2의 편광자는, 높은 P파 투과율을 갖고, 소광비가 우수한 것이었다.

또한, 상기 실시예 1의 결과로부터, 막 두께 60nm 이상의 몰리브덴 실리사이드막을 갖고 있으면, 190nm 이상 380nm 이하의 파장 자외광에 대하여 광학 농도가 2.8 이상의 차광성을 갖는 것이 확인되었고, 실시예 2의 편광자 차광막은, 적어도 두께가 95.8nm인 몰리브덴 실리사이드막을 갖고 있는 점에서, 차광성도 충분히 높은 것이라고 평가할 수 있다.

1: 투명 기판
2: 세선
3: 편광 영역
4: 차광막
5: 내측 테두리
6: 외측 테두리
7: 얼라인먼트 마크
8: 세선
10, 20: 편광자
31: 편광 재료층
31P: 편광 재료 패턴
32: 하드 마스크 재료층
32P: 하드 마스크 패턴
33: 레지스트층
34: 레지스트 패턴
34a: 세선 패턴
34b: 차광막 패턴
50, 60: 광 배향 장치
51, 61: 편광자 유닛
52, 62: 자외광 램프
53, 63: 반사경
54, 64: 편광광
55, 65: 광 배향막
56, 66: 워크
71, 72: 경계부
110, 120: 편광자
112, 122: 세선
121: 유리 기판

Claims

자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선이 병렬로 배치된 편광자로서,
상기 세선이 배치된 편광 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막이 형성되며,
상기 차광막을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
제1항에 있어서, 상기 편광 영역의 외측 테두리를 구성하는 하나의 변을 따라 상기 차광막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 편광 영역의 외주에 상기 차광막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 차광막에, 문자, 기호, 또는 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
제4항에 있어서, 상기 문자, 상기 기호, 또는 상기 얼라인먼트 마크가, 복수개의 세선이 병렬로 배치된 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 편광자.
제5항에 있어서, 상기 문자, 상기 기호, 또는 상기 얼라인먼트 마크에 있어서의 상기 자외광에 대한 S파 투과율의 값이, 상기 편광 영역에서의 상기 자외광에 대한 S파 투과율과 동일값, 혹은, 상기 편광 영역에서의 상기 자외광에 대한 S파 투과율보다도 작은 값인 것을 특징으로 하는 편광자.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 차광막에 상기 세선이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 차광막을 구성하는 재료가 상기 세선을 구성하는 재료를 함유하는 것을 특징으로 하는 편광자.
자외광에 대하여 투과성을 갖는 투명 기판 상에 복수개의 세선 및 상기 자외광을 차광하는 차광막을 갖는 편광자의 제조 방법으로서,
상기 투명 기판 상에 제1 재료층을 형성한 적층체를 준비하는 공정과,
상기 제1 재료층 상에 레지스트층을 형성하는 공정과,
상기 레지스트층을 가공하여, 세선 패턴과 차광막 패턴을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
상기 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여 상기 제1 재료층을 에칭 가공하는 공정을 구비하며,
상기 차광막을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 레지스트층이 포지티브형의 전자선 레지스터로 구성되어 있고,
상기 세선 패턴과 상기 차광막 패턴을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 공정이, 상기 세선 패턴을 구성하는 라인 앤드 스페이스 패턴의 스페이스 패턴부가 되는 위치의 레지스트층에 전자선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조 방법.
자외광을 편광하여 광 배향막에 조사하는 광 배향 장치로서,
제1항 또는 제2항에 기재된 편광자를 구비하고,
상기 편광자의 상기 편광 영역을 투과하는 광을, 상기 광 배향막에 조사하는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치.
제11항에 있어서, 상기 광 배향막을 이동시키는 기구가 구비되어 있고,
상기 편광자가 상기 광 배향막의 이동 방향 및 상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향의 양방향으로 복수개 구비되어 있고,
상기 광 배향막의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서 인접하는 상기 복수개의 편광자 사이의 경계부가, 상기 광 배향막의 이동 방향으로 연속적으로 연결되지 않도록, 상기 복수개의 편광자가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치.
입사한 자외광의 세선에 평행인 편광 방향의 광을 차폐하고, 상기 세선에 수직인 편광 방향의 광을 투과시키는 편광자로서,
상기 자외광에 대하여 투과성을 갖는 기판 상에, 복수개의 상기 세선이 병렬로 배치되고,
상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 상기 자외광을 차광하는 차광막을 갖고,
상기 차광막의 내측 테두리측의 에지의 형성 방향이, 상기 세선의 길이 방향과 평행 또는 수직이며,
상기 차광막을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
제13항에 있어서, 상기 차광막의 외측에 상기 세선이 배치된 영역인 제2 세선 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자.
편광자가 복수개 구비된 광 배향 장치로서,
상기 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이며,
복수개의 상기 편광자는, 인접하여 배치된 상기 편광자의 각각의 상기 세선 영역 사이에 상기 차광막이 포함되지 않도록 배치되고,
상기 차광막을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 배향 장치.
복수개의 편광자를 광 배향 장치에 장착하는 편광자의 장착 방법으로서,
상기 편광자는, 복수개의 세선이 병렬로 배치되고, 상기 세선이 배치된 영역인 세선 영역의 외측에 형성된 차광막을 갖는 것이며,
상기 차광막에 형성된 얼라인먼트 마크에 의해, 상기 편광자의 위치 정렬을 행함과 함께 복수개의 상기 편광자의 편광 방향을 조정하는 위치 정렬 공정을 갖고,
상기 차광막을 구성하는 재료가 몰리브덴 실리사이드를 함유하는 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 편광자의 장착 방법.