JP4977794B2 - パターン転写方法およびフォトマスク - Google Patents
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Description
2、12 遮光性膜
13 高屈折率媒体
14 レジスト
15 被転写基板
16 光学素子
Claims (4)
- 基板上にパターニングされた遮光性膜を備えたフォトマスクを用いたパターン転写方法において、前記フォトマスクのパターニングされた遮光性膜の形成領域を含むパターン形成面を屈折率が1よりも大きな媒質としての固体で覆った状態であって、前記遮光性膜の非形成領域の前記固体の厚みが1mm以上となるように前記パターン形成面を覆った状態で、前記フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分を有する露光光を前記パターン形成面と反対側の面から入射させ、前記パターン形成面に対向して配置された被転写基板上に設けられたレジストを、変形照明により露光する、パターン転写方法。
- 前記固体がSOG、酸化ケイ素、窒化珪素、酸窒化珪素の何れかである請求項1に記載のパターン転写方法。
- フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分を有する変形照明を用いて露光するパターン転写方法に用いるフォトマスクであって、
透明基板の主面に遮光性膜がパターニングされており、該遮光性膜の非形成領域に屈折率が1よりも大きな媒質として厚みが1mm以上の固体が充填されており、前記固体は前記パターニングされた遮光性膜を被覆している、フォトマスク。 - 前記固体は、SOG、酸化ケイ素、窒化珪素、酸窒化珪素の何れかである請求項3に記載のフォトマスク。
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