JP2008310091A - ハーフトーン型位相シフトマスク - Google Patents
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- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
Abstract
【解決手段】透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量(透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ=φtと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」(距離)だけ伝播した光の位相変化量δ0=φ0の位相差δφt=φt−φ0)と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量(位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ=φpと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」(距離)だけ伝播した光の位相変化量δ0=φ0の位相差δφp=φp−φ0)の「符号」が「同符号」となるように「2層型」の位相シフト膜を設計することとした。これにより、位相シフト膜の薄膜化が図られ、膜中欠陥が抑制され、かつ、パターン解像度を改善することができる。
【選択図】図2
Description
tt=t0t・exp(-i・φt)
= tstttp・exp(-i・2πdtnt/λ)/[1+rstrtp・exp(-4πi・dtnt/λ)]
tp=t0p・exp(-i・φp)
= ttptp0・exp(-i・2πdpnp/λ)/[1+rtprp0・exp(-4πi・dpnp/λ)]
2、12 位相シフト膜
2a、12a 位相調整膜
2b、12b 透過率調整膜
13 レジスト
Claims (6)
- 透明基板上に透光部と半透光部とを有するハーフトーン型位相シフトマスクであって、
前記半透光部には位相調整膜と透過率調整膜を積層させた位相シフト膜が設けられており、
前記透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ=φtと露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を前記透過率調整膜と同じ距離だけ伝播した光の位相変化量δ0=φ0の位相差δφt(=φt−φ0)と、前記位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ=φpと露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を前記位相調整膜と同じ距離だけ伝播した光の位相変化量δ0=φ0の位相差δφp(=φp−φ0)が、δφt>0かつδφp>0、または、δφt<0かつδφp<0であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。 - 前記透光部を透過した光と前記半透光部を透過した光の位相差が実質的にπラジアン(180°)である請求項1に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
- 前記位相調整膜の消衰係数kが0.3以下、前記透過率調整膜の消衰係数kが0.5以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
- 前記位相調整膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物の少なくとも1種からなる光学膜である請求項1乃至3の何れか1項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
- 前記透過率調整膜は、金属とシリコンを含有し、これに少なくとも酸素または窒素を有する光学膜である請求項1乃至4の何れか1項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
- 前記透過率調整膜と前記位相調整膜は、同一のエッチング媒体でエッチング可能な光学膜である請求項1乃至5の何れか1項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
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