WO2022004350A1

WO2022004350A1 - マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

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Publication number: WO2022004350A1
Application number: PCT/JP2021/022631
Authority: WO
Inventors: 順野澤; 圭司穐山
Original assignee: Hoya株式会社
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2021-06-15
Publication date: 2022-01-06
Also published as: JPWO2022004350A1; US20230194973A1; KR20230029606A; TW202217433A; CN115769144A

Abstract

マスク製造プロセスを複雑化させることなく、透過率の異なるパターンを所望の精度で作成することができ、それぞれのパターンにおいて、所望の位相シフト機能を得ることのできるマスクブランクを提供する。　位相シフト膜上に透過率調整膜を有し、位相シフト膜は、位相シフト膜を透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、透過率調整膜の露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とする。式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１

Description

マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

　本発明は、マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法に関するものである。

　一般に、半導体デバイスの製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚もの転写用マスクと呼ばれている基板が使用される。半導体デバイスのパターンを微細化するに当たっては、転写用マスクに形成されるマスクパターンの微細化に加え、フォトリソグラフィーで使用される露光光源の波長の短波長化が必要となる。半導体装置製造の際の露光光源としては、近年ではＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）へと短波長化が進んでいる。

　転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光パターンを備えたバイナリマスクの他に、ハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。ハーフトーン型位相シフトマスクの位相シフト膜には、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）系の材料が広く用いられる。

　特許文献１には、透明基板２上にエッチング停止膜３、所定のパターンを形成する位相シフト層４が順次形成されており、領域Ａに形成された位相シフト層４上にクロムからなる遮光性膜パターン５が形成され、領域Ｂに形成された位相シフト層４上にモリブデンシリサイドからなる半透光性膜パターン６が形成されたもので、レベンソン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクが同一基板上に形成されてなる位相シフトマスクが開示されている。
　また、特許文献２には、透光性基板１１の、遮光パターンが形成される部分、及び半遮光パターンが形成される部分に設けられたハーフトーン膜１２と、ハーフトーン膜１２のうち、遮光パターンが形成される部分にあるハーフトーン膜１２上に設けられた遮光膜１３とを備える位相シフトマスクが開示されている。半遮光パターンは、ハーフトーン膜１２からなる第１の半遮光パターン、及び第１の半遮光パターンよりも寸法が小さいハーフトーン膜からなる第２の半遮光パターンを含み、この第２の半遮光パターンを含む領域の光透過経路３２中に、この光透過経路３２の光透過率を調整する元素を含むものである。

特開平６－１２３９６１公報特開２００７－２７９４４１号公報

　近年において、要求されるパターンの種類が多様化、複雑化してきており、ハーフトーン型位相シフトマスクに形成される転写パターンにおいても、より微細なパターンと比較的疎なパターンとが共存することがある。良好な位相シフト効果を得るために好適な透過率は、パターンの種類に応じて異なることがある。すなわち、転写されるパターンの種類やピッチ等によって、透過率を高くすることが好ましい場合と、透過率を抑えることが好ましい場合とがありうる。そして、転写領域において、相対的に高い透過率を有する領域と、相対的に低い透過率を有する領域とを、どのように設定するかは、転写対象の半導体デバイスに応じて異なるため、転写対象に形成されるパターンの種類に対応して所望の透過率を有する領域を設定することのできる設計自由度の高いマスクブランクが求められている。

　特許文献１に記載の位相シフトマスクは、領域Ａにおいて遮光性膜パターンが形成され、他の領域Ｂにおいて半透光性膜パターン５が形成されており、この位相シフトマスク自体は有用ではある。しかし、この位相シフトマスクは、領域Ａにレベンソン型位相シフトパターンが設けられ、領域Ｂにハーフトーン型位相シフトパターンが設けられているという、異なる位相シフト効果が生じるパターンが平面視で混在するものである。ハーフトーン型位相シフトマスクであって異なる透過率のハーフトーン型位相シフトパターンを設けるという要求に対応したものではなかった。

　また、特許文献２に記載の位相シフトマスクは、ハーフトーンマスクブランクに対して、Ｇａイオンをイオン注入することで、注入された領域の光透過率を減少させる処理を行うものである。このような処理は、通常のマスクを作成する際には行われるものではなく、マスク製造装置にイオン注入機構を備えておく必要があり、マスク製造処理が複雑化してしまう。そして、マスクブランクに注入されるイオンが所望の領域から拡散しうるため、微細パターンの製造の要求を満たすには困難なものであった。

　そこで、本発明は、従来の課題を解決するためになされたものであり、透光性基板上に位相シフト膜を備えたマスクブランクにおいて、マスクブランクから位相シフトマスクを製造するときのプロセス（マスク製造プロセス）を複雑化させることなく、透過率の異なるパターンを所望の精度で作成することができるとともに、それぞれのパターンにおいて、所望の位相シフト機能を得ることのできる位相シフト膜を備えるマスクブランクを提供することを目的としている。また、このマスクブランクを用いて製造される位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的としている。そして、本発明は、このような位相シフトマスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的としている。

　前記の課題を達成するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
　透光性基板上に、位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
　前記位相シフト膜上に透過率調整膜を有し、
　前記位相シフト膜は、前記位相シフト膜を透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、
　前記透過率調整膜の前記露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、前記露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とするマスクブランク。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１

（構成２）
　前記透過率調整膜の前記屈折率ｎ_Ｕは、１．２以上であることを特徴とする構成１記載のマスクブランク。
（構成３）
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕは、１．５以上であることを特徴とする構成１または２に記載のマスクブランク。

（構成４）
　前記位相シフト膜は、前記露光光を１２％以上の透過率で透過することを特徴とする構成１から３のいずれかに記載のマスクブランク。
（構成５）
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕと前記厚さｄ_Ｕ［ｎｍ］は、下記の式（３）の関係を満たすことを特徴とする構成１から４のいずれかに記載のマスクブランク。
式（３）　ｄ_Ｕ≦８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９

（構成６）
　前記透過率調整膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする構成１から５のいずれかに記載のマスクブランク。
（構成７）
　前記位相シフト膜と前記透過率調整膜との間に、ケイ素と酸素を含有する中間膜を備えることを特徴とする構成１から６のいずれかに記載のマスクブランク。

（構成８）
　前記位相シフト膜は、前記透光性基板側とは反対の表面側に、ケイ素と酸素を含有する最上層を備えることを特徴とする構成１から６のいずれかに記載のマスクブランク。
（構成９）
　前記透過率調整膜の上に、遮光膜を備えることを特徴とする構成１から８のいずれかに記載のマスクブランク。

（構成１０）
　透光性基板上に、第１のパターンを有する位相シフト膜を備えた位相シフトマスクであって、
　前記位相シフト膜上に、第２のパターンを有する透過率調整膜を有し、
　前記位相シフト膜は、前記位相シフト膜を透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、
　前記透過率調整膜の前記露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、前記露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とする位相シフトマスク。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
（構成１１）
　前記透過率調整膜の前記屈折率ｎ_Ｕは、１．２以上であることを特徴とする構成１０記載の位相シフトマスク。

（構成１２）
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕは、１．５以上であることを特徴とする構成１０または１１に記載の位相シフトマスク。
（構成１３）
　前記位相シフト膜は、前記露光光を１２％以上の透過率で透過することを特徴とする構成１０から１２のいずれかに記載の位相シフトマスク。

（構成１４）
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕと前記厚さｄ_Ｕ［ｎｍ］は、下記の式（３）の関係を満たすことを特徴とする構成１０から１３のいずれかに記載の位相シフトマスク。
式（３）　ｄ_Ｕ≦８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９
（構成１５）
　前記透過率調整膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする構成１０から１４のいずれかに記載の位相シフトマスク。

（構成１６）
　前記位相シフト膜と前記透過率調整膜との間に、前記第２のパターンを有する中間膜を備え、前記中間膜はケイ素と酸素を含有することを特徴とする構成１０から１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
（構成１７）
　前記位相シフト膜は、前記透光性基板側とは反対の表面側に、ケイ素と酸素を含有する最上層を備えることを特徴とする構成１０から１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。

（構成１８）
　前記透過率調整膜の上に、第３のパターンを有する遮光膜を備えることを特徴とする構成１０から１７のいずれかに記載の位相シフトマスク。
（構成１９）
　構成９記載のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法であって、
　ドライエッチングにより前記遮光膜に第１のパターンを形成する工程と、
　前記第１のパターンを有する遮光膜をマスクとするドライエッチングにより前記透過率調整膜および前記位相シフト膜のそれぞれに第１のパターンを形成する工程と、
　ドライエッチングにより前記遮光膜に第２のパターンを形成する工程と、
　前記第２のパターンを有する遮光膜をマスクとするドライエッチングにより前記透過率調整膜に第２のパターンを形成する工程と、
　ドライエッチングにより前記遮光膜に第３のパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
（構成２０）
　構成１８記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

　本発明のマスクブランクは、マスク製造プロセスを複雑化させることなく、透過率の異なるパターンを所望の精度で作成することができ、それぞれのパターンにおいて、所望の位相シフト機能を得ることのできるマスクブランクを提供することができる。

本発明の第１の実施形態におけるマスクブランクの構成を示す断面図である。本発明の第１の実施形態における位相シフトマスクの構成を示す断面図である。本発明の第１の実施形態における位相シフトマスクの製造工程の要部を示す断面模式図である。本発明の第１の実施形態における位相シフトマスクの製造工程の要部を示す断面模式図である。本発明の第２の実施形態におけるマスクブランクの構成を示す断面図である。本発明の第２の実施形態における位相シフトマスクの構成を示す断面図である。本発明の第２の実施形態における位相シフトマスクの製造工程の要部を示す断面模式図である。本発明の第２の実施形態における位相シフトマスクの製造工程の要部を示す断面模式図である。光学シミュレーションＡ１の結果から導き出された、位相差の増加量が所定値以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚と、屈折率ｎとの関係を示す図である。光学シミュレーションＡ１およびＢ１の結果から導き出された、位相差の増加量が所定値以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚と、屈折率ｎとの関係を示す図である。光学シミュレーションＡ２およびＢ２の結果から導き出された、透過率の比が所定値以下であることを満たすための、透過率調整膜の最小膜厚と、消衰係数ｋとの関係を示す図である。光学シミュレーションＡ３およびＢ３の結果から導き出された、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光の透過率が所定値以上であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚と、消衰係数ｋとの関係を示す図である。本発明の第３の実施形態におけるマスクブランクの構成を示す断面図である。本発明の第３の実施形態における位相シフトマスクの構成を示す断面図である。本発明の第３の実施形態における位相シフトマスクの製造工程の要部を示す断面模式図である。本発明の第３の実施形態における位相シフトマスクの製造工程の要部を示す断面模式図である。

　以下、本発明の実施の形態について説明する。本願発明者らは、位相シフト膜において、マスク製造プロセスを複雑化させることなく、透過率の異なるパターンを所望の精度で作成することができるとともに、それぞれのパターンにおいて所望の位相シフト機能を得ることのできる手段について、鋭意研究を行った。
　まず、透過率の異なるパターンを作成するために、位相シフト膜上に透過率調整膜を有する構成を着想した。そして、位相シフト膜は、位相シフト膜を透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせる機能（以下、適宜「所望の位相シフト機能」という）を有するものとした。このようにすることで、位相シフトマスク上の透過率調整膜が除去された部位において、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光（以下、適宜「露光光」という）は、位相シフト膜を所定の透過率で透過し、また、上述した所望の位相シフト機能を得ることができるものとなる。
　そのうえで、位相シフト膜と透過率調整膜を透過した露光光に対しても所望の位相シフト機能が得られるとともに、位相シフト膜を透過した露光光の透過率に対して有意に異なる透過率が得られるような透過率調整膜の構成について、さらに検討を行った。

　まず、位相シフト機能に関して、本発明者らは、位相シフト膜を透過した露光光に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が２０度以下であることを満たすための条件を検討した。この検討において、本発明者らは、透過率調整膜の最大膜厚と、屈折率ｎとの関係に着目し、位相シフト膜および透過率調整膜について光学シミュレーションＡ１を行った。光学シミュレーションＡ１では、屈折率ｎを１．２から２．０の範囲において、透過率調整膜の膜厚を変えながら、位相差の増加量が２０度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚を算出した。ここで、位相シフト膜の膜厚は６０．４ｎｍ、屈折率ｎは２．６１、消衰係数ｋは０．３６とした。なお、上記の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、ＡｒＦエキシマレーザー光の波長（波長１９３ｎｍ）に対するものであり、特に言及しない限り、以降も同様である。

　また、光学シミュレーションＡ１では、位相シフト膜と透過率調整膜の間に中間膜を設定した。この中間膜は、透過率調整膜をドライエッチングでパターニングするときに位相シフト膜までエッチングされないようにすることを想定して設けた。この中間膜の膜厚は３ｎｍ、屈折率ｎは１．５６、消衰係数ｋは０．００とした。中間膜はこのような光学特性を有するため、光学シミュレーションＡ１の結果に与える影響は軽微である。

　この光学シミュレーションＡ１の結果を元に、透過率調整膜の屈折率ｎと最大膜厚との関係を整理した。図９は、光学シミュレーションＡ１の結果から導き出された、位相シフト膜を透過した露光光に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が２０度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚と、屈折率ｎとの関係を示す図である。図９における曲線Ａ１１、Ａ１２、そしてＡ１３は、位相差の増加量が２０度以下、１５度以下、そして１０度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚をそれぞれ示している。

　図９中に示される、位相差の増加量が２０度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚の関係式（曲線Ａ１１の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍａｘ＝－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
　また、図９に示されるように、位相差の増加量が１５度以下および１０度以下であることを満たす曲線Ａ１２、Ａ１３は、曲線Ａ１１よりも下側に位置している。位相差の増加量が１５度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚の関係式（曲線Ａ１２の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍａｘ＝－７０．６２×ｎ_Ｕ ^３＋４０６．５×ｎ_Ｕ ^２－７９５．７×ｎ_Ｕ＋５４０．１
　さらに、位相差の増加量が１０度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚の関係式（曲線Ａ１３の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍａｘ＝２０１．１×ｎ_Ｕ ^４－１４０７×ｎ_Ｕ ^３＋３７００×ｎ_Ｕ ^２－４３５６×ｎ_Ｕ＋１９５６

　これらの結果から、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、屈折率ｎ_Ｕとが、
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
を満たすとき、位相シフト膜を透過した露光光に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が２０度以下になることを見出した。
　また、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、屈折率ｎ_Ｕとが、
式（１－Ａ１２）　ｄ_Ｕ≦－７０．６２×ｎ_Ｕ ^３＋４０６．５×ｎ_Ｕ ^２－７９５．７×ｎ_Ｕ＋５４０．１
を満たすとき、位相シフト膜を透過した露光光に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が１５度以下であることを見出した。
　さらに、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、屈折率ｎ_Ｕとが、
式（１－Ａ１３）　ｄ_Ｕ≦２０１．１×ｎ_Ｕ ^４－１４０７×ｎ_Ｕ ^３＋３７００×ｎ_Ｕ ^２－４３５６×ｎ_Ｕ＋１９５６
を満たすとき、位相シフト膜を透過した露光光に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が１０度以下になることを見出した。

　さらに、本発明者らは、位相シフト膜の条件を変えて同様の光学シミュレーションＢ１を行ってみた。その位相シフト膜は、透光性基板側から第１層、第２層、および第３層が積層した構造とした。第１層は、膜厚を４１ｎｍ、屈折率ｎを２．６１、消衰係数ｋを０．３６とした。第２層は、膜厚を２４ｎｍ、屈折率ｎを２．１８、消衰係数ｋを０．１２とした。第３層は、膜厚を４ｎｍ、屈折率ｎを１．５６、消衰係数ｋを０．００とした。なお、光学シミュレーションＢでは、第３層が、上記の中間膜の機能も持ちうるため、位相シフト膜と透過率調整膜の間に中間膜を設けない構成とした。この光学シミュレーションＢ１の結果を元に、透過率調整膜の屈折率ｎと最大膜厚との関係を整理した。

　図１０は、透過率調整膜の最大膜厚と、屈折率ｎとの関係について、光学シミュレーションＡ１と光学シミュレーションＢ１の結果を対比した図である。図１０に示されている曲線Ａ１１、Ａ１２およびＡ１３は、光学シミュレーションＡ１の結果であり、図９に図示したものと同じである。図１０に示されている曲線Ｂ１１、Ｂ１２およびＢ１３は、それぞれ光学シミュレーションＢ１の結果であり、位相差の増加量がそれぞれ１４度以下、１１度以下、６度以下であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚をそれぞれ示している。

　図１０において、曲線Ａ１１は、曲線Ｂ１１（位相差の増加量が１４度の閾値の曲線）よりも下にある。これは、曲線Ａ１１を基に導き出された式（１）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ１で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、位相差の増加量が１４度以下になることを示している。同様に、曲線Ａ１２は、曲線Ｂ１２よりも下にある。これは、曲線Ａ１２を基に導き出された式（１－Ａ１２）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ１で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、位相差の増加量が１１度以下になることを示している。同様に、曲線Ａ１３は、曲線Ｂ１３よりも下にある。これは、曲線Ａ１３を基に導き出された式（１－Ａ１３）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ１で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、位相差の増加量が６度以下になることを示している。これらの結果は、式（１）の関係を満たす透過率調整膜であれば、その下に設けられる位相シフト膜の光学特性に関わらず、上述した位相差の増加量が２０度以下になることを意味する。

　一方、本発明者らは、位相シフト膜を透過した露光光の透過率に対して有意に異なる透過率が得られるものとして、位相シフト膜を透過した露光光の透過率Ｔｐに対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光の透過率Ｔｓの比（すなわち、Ｔｓ／Ｔｐ。以下、これを単に透過率の比ということがある。）が０．５以下であることを満たすため条件を検討した。この検討において、本発明者らは、透過率調整膜の最小膜厚と、消衰係数ｋとの関係に着目し、位相シフト膜および透過率調整膜について光学シミュレーションＡ２およびＢ２をそれぞれ行った。光学シミュレーションＡ２およびＢ２では、消衰係数ｋを１．５から２．０の範囲において、透過率調整膜の膜厚を変えながら、透過率の比が０．５以下であることを満たすための、透過率調整膜の最小膜厚を算出した。なお、位相シフト膜に関しては、光学シミュレーションＡ２では、光学シミュレーションＡ１と同じものを用い、光学シミュレーションＢ２では、光学シミュレーションＢ１と同じものを用いた。

　その後、このシミュレーションＡ２およびＢ２の各結果を元に、透過率調整膜の消衰係数ｋと最小膜厚との関係を整理した。図１１は、透過率調整膜の最小膜厚と、消衰係数ｋとの関係について、光学シミュレーションＡ２と光学シミュレーションＢ２の結果を対比した図である。図１１に示されている曲線Ａ２１およびＡ２２は、光学シミュレーションＡ２の結果であり、透過率の比がそれぞれ０．５０以下、０．４５以下であることを満たすための、透過率調整膜の最小膜厚をそれぞれ示している。曲線Ｂ２１およびＢ２２は、光学シミュレーションＢ２の結果であり、透過率の比がそれぞれ０．５０以下、０．４３以下であることを満たすための、透過率調整膜の最小膜厚をそれぞれ示している。

　図１１中に示される、透過率の比が０．５以下であることを満たすための、透過率調整膜の最小膜厚の関係式（曲線Ａ２１の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍｉｎ＝－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　また、図１１に示されるように、透過率の比が０．４５以下であることを満たす曲線Ａ２２は、曲線Ａ２１よりも上側に位置している。透過率の比が０．４５以下であることを満たすための、透過率調整膜の最小膜厚の関係式（曲線Ａ２２の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍｉｎ＝８．５９２×ｋ_Ｕ ^３－３８．６０×ｋ_Ｕ ^２＋５４．２８×ｋ_Ｕ－１５．３６

　これらの結果から、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、消衰係数ｋ_Ｕとが、
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
を満たすときに、位相シフト膜を透過した露光光の透過率に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光の透過率の比が０．５以下であることを見出した。
　また、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、消衰係数ｋ_Ｕとが、
式（２－Ａ２２）　ｄ_Ｕ≧８．５９２×ｋ_Ｕ ^３－３８．６０×ｋ_Ｕ ^２＋５４．２８×ｋ_Ｕ－１５．３６
を満たすときに、位相シフト膜を透過した露光光の透過率に対して、位相シフト膜および透過率調整膜の積層構造を透過した露光光の透過率の比が０．４５以下であることを見出した。

　図１１において、曲線Ａ２１は、曲線Ｂ２１（透過率の比が０．５０の閾値の曲線）よりも上にある。これは、曲線Ａ２１を基に導き出された式（２）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ２で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、透過率の比が０．５０以下になることを示している。同様に、曲線Ａ２２は、曲線Ｂ２２（透過率の比が０．４３の閾値の曲線）よりも上にある。これは、曲線Ａ２２を基に導き出された式（２－Ａ２２）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ２で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、透過率の比が０．４５以下になることを示している。これらの結果は、式（２）の関係を満たす透過率調整膜であれば、その下に設けられる位相シフト膜の光学特性に関わらず、上述した透過率の比が０．５０以下になることを意味する。

　このようにして、本発明者らは、式（１）および式（２）の関係を満たす透過率調整膜であれば、上述した位相差の増加量が２０度以下であり、上述した透過率の比が０．５０以下であることを突き止めた。本発明は、以上のような鋭意検討の結果、なされたものである。

＜第１の実施形態＞
［マスクブランクとその製造］
　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明を行う。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るマスクブランク１０の構成を示す断面図である。図１に示す本発明のマスクブランク１０は、透光性基板１上に、位相シフト膜２、中間膜３、透過率調整膜４、遮光膜５、ハードマスク膜６およびレジスト膜７がこの順に積層された構造を有する。

　透光性基板１は、合成石英ガラスのほか、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス（ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２ガラス等）などで形成することができる。これらの中でも、合成石英ガラスは、ＡｒＦエキシマレーザー光に対する透過率が高く、マスクブランクの透光性基板１を形成する材料として特に好ましい。透光性基板１を形成する材料のＡｒＦ露光光の波長（約１９３ｎｍ）における屈折率ｎは、１．５以上１．６以下であることが好ましく、１．５２以上１．５９以下であるとより好ましく、１．５４以上１．５８以下であるとさらに好ましい。

　位相シフト膜２は、適切な位相シフト効果を得るために、透過するＡｒＦ露光光に対し、この位相シフト膜２の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した光との間で生じる位相差が１５０度以上２１０度以下の範囲になるように調整されていることが好ましい。位相シフト膜２における前記位相差は、１５５度以上であることが好ましく、１６０度以上であるとより好ましい。他方、位相シフト膜２における前記位相差は、１９５度以下であることが好ましく、１９０度以下であるとより好ましい。

　位相シフト膜２は、露光光を１２％以上の透過率で透過することが好ましい。近年、半導体基板（ウェハ）上のレジスト膜に対する露光・現像プロセスとしてＮＴＤ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ　Ｔｏｎｅ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）が用いられるようになってきていて、そこではブライトフィールドマスク（パターン開口率が高い転写用マスク）がよく用いられる。ブライトフィールドの位相シフトマスクでは、位相シフト膜の露光光に対する透過率を１２％以上とすることにより、透光部を透過した光の０次光と１次光のバランスがよくなる。このバランスがよくなると、位相シフト膜を透過した露光光が０次光に干渉して光強度を減衰させる効果がより大きくなって、レジスト膜上でのパターン解像性が向上する。位相シフト効果による転写像（投影光学像）のパターンエッジ強調効果をより高めるために、位相シフト膜２は１９％以上の透過率で透過することがより好ましく、２８％以上の透過率で透過することがより好ましい。一方、位相シフト膜２のＡｒＦ露光光に対する透過率は、５０％以下であると好ましく、４０％以下であるとより好ましい。位相シフト膜２のＡｒＦ露光光に対する透過率が５０％を超えると、サイドローブの影響が強くなりすぎるため、好ましくない。

　位相シフト膜２の厚さは９０ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であるとより好ましい。一方で、位相シフト膜２の厚さは４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であるとより好ましい。

　位相シフト膜２において、前記の光学特性と膜の厚さに係る諸条件を満たすため、位相シフト膜の屈折率ｎは、２．０以上であると好ましく、２．１以上であるとより好ましい。また、位相シフト膜２の屈折率ｎは、３．０以下であると好ましく、２．９以下であるとより好ましい。位相シフト膜２の消衰係数ｋは、０．９以下が好ましく、０．６以下がより好ましい。また、位相シフト膜２の消衰係数ｋは、０．１以上であると好ましい。

　位相シフト膜２を含む薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋは、その薄膜の組成だけで決まるものではない。その薄膜の膜密度や結晶状態なども屈折率ｎや消衰係数ｋを左右する要素である。このため、反応性スパッタリングで薄膜を成膜するときの諸条件を調整して、その薄膜が所望の屈折率ｎおよび消衰係数ｋとなるように成膜する。その薄膜を、上記の屈折率ｎと消衰係数ｋの範囲にするには、反応性スパッタリングで成膜する際に、貴ガスと反応性ガス（酸素ガス、窒素ガス等）の混合ガスの比率を調整することだけに限られない。反応性スパッタリングで成膜する際における成膜室内の圧力、スパッタリングターゲットに印加する電力、ターゲットと透光性基板１との間の距離等の位置関係など多岐にわたる。これらの成膜条件は成膜装置に固有のものであり、形成される薄膜が所望の屈折率ｎおよび消衰係数ｋになるように適宜調整されるものである。

　位相シフト膜２は、非金属元素とケイ素を含有する材料で形成される。ケイ素と遷移金属を含有する材料で形成された薄膜は、消衰係数ｋが高くなる傾向がある。位相シフト膜２の全体膜厚を薄くするために、非金属元素とケイ素と遷移金属を含有する材料で位相シフト膜２を形成してもよい。この場合に含有させる遷移金属としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）等のいずれか１つの金属またはこれらの金属の合金が挙げられる。一方、位相シフト膜２は、非金属元素とケイ素とからなる材料、または、半金属元素と非金属元素とケイ素とからなる材料で形成されていることが好ましい。

　位相シフト膜２に半金属元素を含有させる場合、ホウ素、ゲルマニウム、アンチモン及びテルルから選ばれる１以上の半金属元素を含有させると、スパッタリングターゲットとして用いるケイ素の導電性を高めることが期待できるため、好ましい。
　位相シフト膜２に非金属元素を含有させる場合、窒素、酸素、炭素、フッ素及び水素から選ばれる１以上の非金属元素を含有させると好ましい。この非金属元素には、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）およびキセノン（Ｘｅ）等の貴ガスも含まれる。
　なお、位相シフト膜２の全体の組成において、窒素及び酸素の合計含有量が４０原子％以上であることが好ましく、５０原子％以上であるとより好ましい。

　位相シフト膜２は、金属元素と酸素を含有する材料で形成してもよい。この場合に含有させる金属元素としては、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）等のいずれか１つの金属またはこれらの金属の合金が挙げられる。この場合、位相シフト膜２の酸素の含有量は、４０原子％以上であることが好ましく、５０原子％以上であるとより好ましい。

　本実施形態では、位相シフト膜２と、透過率調整膜４との間に、ケイ素と酸素を含有する中間膜３を備える。この中間膜３は、位相シフト膜２に対するエッチングストッパー膜として機能するものであり、位相シフト膜２にパターンを形成するドライエッチングが終わるまでの間、エッチングマスクとして機能するだけの膜の厚さがあれば十分である。また、特に限定されるものではないが、この中間膜３は、基板１と同じ材料で構成されることが好ましい。このようにすることで、ドライエッチングで位相シフト膜２にパターンを形成する際に、露出した透光性基板１の表面がエッチングガスの影響によりエッチングされた場合であっても、中間膜３も同程度の量エッチングされることになる。したがって、位相シフトパターンが形成されたときに、透光性基板１の露出した部位を透過する露光光と、位相シフト膜２（及び中間膜３）を透過する露光光との位相差は、上述した好適な範囲に確保されることになる。このように、本実施形態のマスクブランクは、中間膜３を設けることで、位相シフト機能の信頼性を高めることができる点で好ましい。中間膜３の酸素含有量は、５０原子％以上であると好ましく、５５原子％以上であるとより好ましく、６０原子％以上であるとさらに好ましい。中間膜３の厚さは１ｎｍ以上であると好ましく、２ｎｍ以上であるとより好ましい。また、中間膜３の厚さは１０ｎｍ以下であると好ましく、５ｎｍ以下であるとより好ましい。

　マスクブランク１０は、中間膜３の上に、透過率調整膜４を有するものである。この透過率調整膜４は、露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすものである。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　上述のように、式（１）を満たす透過率調整膜４であれば、位相シフト膜２を透過した露光光に対して、位相シフト膜２および透過率調整膜４の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が２０度以下であるという条件を満たすことができる。そして、式（２）を満たす透過率調整膜４であれば、位相シフト膜２を透過した露光光の透過率に対して、位相シフト膜２および透過率調整膜４の積層構造を透過した露光光の透過率の比が０．５０以下であるという条件を満たすことができる。

　そのうえで、透過率調整膜４の屈折率ｎ_Ｕは、１．２以上であることが好ましく、１．５以上であることがより好ましい。また、透過率調整膜４の屈折率ｎ_Ｕは、３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましい。一方、透過率調整膜４の消衰係数ｋ_Ｕは、１．５以上であることが好ましく、２．０以上であることがより好ましい。また、透過率調整膜４の消衰係数ｋ_Ｕは、３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましい。
　また、透過率調整膜４の消衰係数ｋ_Ｕと厚さｄ_Ｕ［ｎｍ］は、下記の式（３）の関係を満たすことが好ましい。
式（３）　ｄ_Ｕ≦８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９

　この式（３）の導出の経緯について述べる。本発明者らは、１２％以上の透過率を有する位相シフト膜２の上に透過率調整膜４を設けた場合において、位相シフト膜２および透過率調整膜４を透過する透過率（以下、これを積層体透過率ということがある。）が２％以上となる条件について検討を行った。この検討において、本発明者らは、透過率調整膜の最大膜厚と、消衰係数ｋとの関係に着目し、位相シフト膜および透過率調整膜について光学シミュレーションＡ３およびＢ３をそれぞれ行った。光学シミュレーションＡ３およびＢ３では、消衰係数ｋを１．５から２．０の範囲において、透過率調整膜の膜厚を変えながら、積層体透過率が２％以上であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚を算出した。なお、位相シフト膜に関しては、光学シミュレーションＡ３では、光学シミュレーションＡ１およびＡ２と同じものを用い、光学シミュレーションＢ３では、光学シミュレーションＢ１およびＢ２と同じものを用いた。

　その後、このシミュレーションＡ３およびＢ３の各結果を元に、透過率調整膜の消衰係数ｋと最大膜厚との関係を整理した。図１２は、透過率調整膜の最大膜厚と、消衰係数ｋとの関係について、光学シミュレーションＡ３と光学シミュレーションＢ３の結果を対比した図である。図１２に示されている曲線Ａ３１およびＡ３２は、光学シミュレーションＡ３の結果であり、積層体透過率がそれぞれ２％以上、４％以上であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚をそれぞれ示している。曲線Ｂ３１およびＢ３２は、光学シミュレーションＢ２の結果であり、積層体透過率がそれぞれ２％以上、４％以上であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚をそれぞれ示している。

　図１２中に示される、積層体透過率が２％以上であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚の関係式（曲線Ａ３１の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍａｘ＝８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９
　また、図１２に示されるように、積層体透過率が４％以上であることを満たす曲線Ａ３２は、曲線Ａ３１よりも下側に位置している。積層体透過率が４％以上であることを満たすための、透過率調整膜の最大膜厚の関係式（曲線Ａ３２の数式）は、以下のようになる。
ｄ_Ｕｍａｘ＝５．１０１×ｋ_Ｕ ^２－２２．４６×ｋ_Ｕ＋３８．４４

　これらの結果から、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、消衰係数ｋ_Ｕとが、
式（３）　ｄ_Ｕ≦８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９
を満たすときに、積層体透過率が２％以上であることを見出した。
　また、透過率調整膜の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、消衰係数ｋ_Ｕとが、
式（３－Ａ３２）　ｄ_Ｕ≦５．１０１×ｋ_Ｕ ^２－２２．４６×ｋ_Ｕ＋３８．４４
を満たすときに、積層体透過率が４％以上であることを見出した。

　図１１において、曲線Ａ３１は、曲線Ｂ３１（積層体透過率が２％以上の閾値の曲線）よりも下にある。これは、曲線Ａ３１を基に導き出された式（３）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ３で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、積層体透過率が２％以上になることを示している。同様に、曲線Ａ３２は、曲線Ｂ３２（積層体透過率が４％以上の閾値の曲線）よりも下にある。これは、曲線Ａ３２を基に導き出された式（３－Ａ３２）の関係を満たす透過率調整膜は、光学シミュレーションＢ３で用いた位相シフト膜の上に設けた場合であっても、積層体透過率が４％以上になることを示している。
　これらの結果は、式（３）の関係を満たす透過率調整膜であれば、その下に設けられる位相シフト膜の光学特性に関わらず、積層体透過率が２％以上になることを意味する。

　透過率調整膜４は、上記の光学特性を得られるのであれば、いずれの材料を用いてもよい。透過率調整膜４は、ケイ素を含有することが好ましく、ケイ素と非金属元素を含有することがより好ましい。また、透過率調整膜４は、ケイ素と窒素を含有することが、所望の特性を得られやすい点で好ましい。透過率調整膜４は、ケイ素と窒素の合計含有量が９７原子％以上であることがより好ましく、９９原子％以上であるとさらに好ましい。

　マスクブランク１０は、透過率調整膜４の上に遮光膜５を備えた構成としている。遮光膜５は、透過率調整膜４にパターンを形成する際に用いられるエッチングガスに対して十分なエッチング選択性を有する材料を適用する必要がある。この場合の遮光膜５は、クロムを含有する材料で形成することが好ましい。遮光膜５を形成するクロムを含有する材料としては、クロム金属のほか、クロムに酸素、窒素、炭素、ホウ素およびフッ素から選ばれる一以上の元素を含有する材料が挙げられる。

　一般に、クロム系材料は、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスでエッチングされるが、クロム金属はこのエッチングガスに対するエッチングレートがあまり高くない。塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスのエッチングガスに対するエッチングレートを高める点を考慮すると、遮光膜５を形成する材料としては、クロムに酸素、窒素、炭素、ホウ素およびフッ素から選ばれる一以上の元素を含有する材料が好ましい。また、遮光膜５を形成するクロムを含有する材料にモリブデン、インジウムおよびスズのうち一以上の元素を含有させてもよい。モリブデン、インジウムおよびスズのうち一以上の元素を含有させることで、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスに対するエッチングレートをより速くすることができる。

　一方、遮光膜５として、透過率調整膜４側からクロムを含有する材料からなる層とケイ素を含有する材料からなる層がこの順に積層した構造を備えてもよい。この場合におけるクロムを含有する材料の具体的な事項については、上記の遮光膜５の場合と同様である。

　マスクブランク１０において、遮光膜５をエッチングするときに用いられるエッチングガスに対してエッチング選択性を有する材料で形成されたハードマスク膜６を遮光膜５の上にさらに積層させた構成とすると好ましい。ハードマスク膜６は、基本的に光学濃度の制限を受けないため、ハードマスク膜６の厚さは遮光膜５の厚さに比べて大幅に薄くすることができる。そして、有機系材料のレジスト膜７は、このハードマスク膜６にパターンを形成するドライエッチングが終わるまでの間、エッチングマスクとして機能するだけの膜の厚さがあれば十分である。このため、レジスト膜７を従来よりも大幅に厚さを薄くすることができる。レジスト膜７の薄膜化は、レジスト解像度の向上とパターン倒れ防止に効果があり、微細化要求に対応していく上で極めて重要である。

　このハードマスク膜６は、遮光膜５がクロムを含有する材料で形成されている場合は、ケイ素を含有する材料で形成されることが好ましい。なお、この場合のハードマスク膜６は、有機系材料のレジスト膜との密着性が低い傾向がある。このため、ハードマスク膜６の表面をＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane）処理を施し、表面の密着性を向上させることが好ましい。なお、この場合のハードマスク膜６は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等で形成されるとより好ましい。

　また、遮光膜５がクロムを含有する材料で形成されている場合におけるハードマスク膜６の材料として、前記のほか、タンタルを含有する材料も適用可能である。この場合におけるタンタルを含有する材料としては、タンタル金属のほか、タンタルに窒素、酸素、ホウ素および炭素から選ばれる一以上の元素を含有させた材料などが挙げられる。たとえば、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＣＮ、ＴａＣＯ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＣＮ、ＴａＢＯＣＮ、などが挙げられる。また、ハードマスク膜６は、遮光膜５がケイ素を含有する材料で形成されている場合、前記のクロムを含有する材料で形成されることが好ましい。

　マスクブランク１０において、ハードマスク膜６の表面に接して、有機系材料のレジスト膜７が１００ｎｍ以下の膜厚で形成されていることが好ましい。ＤＲＡＭ　ｈｐ３２ｎｍ世代に対応する微細パターンの場合、ハードマスク膜６に形成すべき転写パターン（位相シフトパターン）に、線幅が４０ｎｍのＳＲＡＦ（Sub-Resolution Assist Feature）が設けられることがある。しかし、この場合でも、レジストパターンの断面アスペクト比が１：２．５と低くすることができるので、レジスト膜７の現像時、リンス時等にレジストパターンが倒壊や脱離することを抑制できる。なお、レジスト膜７は、膜厚が８０ｎｍ以下であるとより好ましい。なお、ケイ素を含有する材料でハードマスク膜６を形成している場合、レジスト膜を形成する前に、ハードマスク膜６の表面に対してＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane）等を用いたシリル化処理を行うことが好ましい。

　位相シフト膜２、中間膜３、透過率調整膜４、遮光膜５、ハードマスク膜６は、スパッタリングによって形成されるが、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングおよびイオンビームスパッタリングなどのいずれのスパッタリングも適用可能である。導電性が低いターゲットを用いる場合においては、ＲＦスパッタリングやイオンビームスパッタリングを適用することが好ましい。成膜レートを考慮すると、ＲＦスパッタリングを適用するとより好ましい。また、レジスト膜７は、スピン塗布法によって形成される。

　このように、図１を参照して本実施形態のマスクブランク１０の構成を説明したが、この構成に限定されるものではなく、例えば、中間膜３、ハードマスク膜６、レジスト膜７を有してない構成のマスクブランクであってもよい。また、基板１と位相シフト膜２との間にエッチングストッパー膜を設けた構成のマスクブランクであってもよい。この場合のエッチングストッパー膜の材料としては、例えば、アルミニウム、ケイ素および酸素を含有する材料、アルミニウム、ハフニウムおよび酸素を含有する材料、ハフニウムおよび酸素を含有する材料、クロムを含有する材料などが挙げられる。これらの点は、後述する第２の実施形態のマスクブランクにおいても同様である。

［位相シフトマスクとその製造］
　この第１の実施形態に係る位相シフトマスク１００（図２参照）では、透光性基板１上に、第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）２ａを備え、この位相シフトパターン２ａ上に、第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）４ｂを備えている。また、この位相シフトパターン２ａと、この透過率調整パターン４ｂとの間に、第２のパターンを有する中間膜（中間パターン）３ｂを備えている。そして、この透過率調整膜４ｂの上に、第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ｃを備えている。

　すなわち、この第１の実施の形態に係る位相シフトマスク１００は、透光性基板１上に、位相シフトパターン２ａを備え、この位相シフトパターン２ａ上に、中間パターン３ｂ、透過率調整パターン４ｂ、遮光パターン５ｃを備え、この位相シフトパターン２ａは、この位相シフトパターン２ａを透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対してこの位相シフトパターン２ａの厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、この透過率調整パターン４ｂの露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とするものである。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　そして、この位相シフトマスク１００における、透光性基板１、位相シフトパターン２ａ、中間パターン３ｂ、透過率調整パターン４ｂおよび遮光パターン５ｃの具体的な構成については、マスクブランク１０の場合と同様である。

　以下、要部断面模式図である図３および図４に示す製造工程にしたがって、この第１の実施形態に係る位相シフトマスク１００の製造方法を説明する。
　図１に示されるマスクブランク１０においてスピン塗布法によって形成されたレジスト膜７に対して、位相シフト膜２に形成すべき第１のパターンを電子線で描画し、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第１のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）７ａを形成する（図３（ａ）参照）。この第１のパターンには、位相シフト膜２に形成されて位相シフト効果を奏するための位相シフトパターンと、アライメントマーク用のパターン（図２の左側の開口部）とが含まれている。
　続いて、第１のレジストパターン７ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングをハードマスク膜６に対して行い、第１のパターンを有するハードマスク膜（ハードマスクパターン）６ａを形成する（図３（ｂ）参照）。

　次に、第１のレジストパターン７ａおよびハードマスクパターン６ａをマスクとして、塩素系ガスと酸素系ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５に対して行い、第１のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ａを形成する（図３（ｃ）参照）。続いて、第１のレジストパターン７ａを除去して洗浄処理を行い、遮光パターン５ａおよびハードマスクパターン６ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを透過率調整膜４、中間膜３および位相シフト膜２に対して行い、第１のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）４ａ、第１のパターンを有する中間膜（中間パターン）３ａ、第１のパターンを部分的に有する位相シフト膜（位相シフトパターン）２ａ’を形成する（図３（ｄ）参照）。このドライエッチングにより、ハードマスクパターン６ａは除去される。なお、この位相シフト膜２に対するドライエッチングでは、後述の透過率調整膜４に透過率調整パターン４ｂをドライエッチングで形成する工程において、透過率調整パターン４ｂを形成し終えるときに、位相シフト膜２ａ’の残存している部分もほぼ同時に除去されるように、位相シフト膜２ａ’の残存する部分の厚さを調整することが好ましい。

　続いて、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。その後、レジスト膜に対して、透過率調整膜４に形成すべきパターンを電子線で描画して、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第２のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）８ｂを形成する（図４（ａ）参照）。その後、レジストパターン８ｂをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５ａに対して行い、第２のパターンを有する遮光膜（遮光パターン５ｂ）を形成する（図４（ａ）参照）。

　そして、レジストパターン８ｂを除去して洗浄処理を行い、遮光パターン５ｂをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを透過率調整膜４に対して行い、第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）４ｂを形成する（図４（ｂ）参照）。このとき、第１のパターンを部分的に有する位相シフト膜（位相シフトパターン）２ａ’の露出した残存部分も除去されて、第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）２ａ’を形成する（図４（ｂ）参照）。

　そして、遮光パターン５ｂおよび透過率調整パターン４ｂをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチング（オーバーエッチング）を中間パターン３ａに対して行い、第２のパターンを有する中間膜（中間パターン）３ｂを形成する（図４（ｃ）参照）。このとき、透光性基板１の露出部分がフッ素系ガスによって掘り込まれる場合があるが、上述のように中間膜３は透光性基板１と同等の材料で形成されているため、透光性基板１の露出部分と、位相シフトパターン２ａの露出部分との間での所望の位相差を確保することができる。

　そして、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。その後、レジスト膜に対して、遮光膜５に形成すべきパターンを電子線で描画して、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第３のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）９ｃを形成する（図４（ｄ）参照）。その後、レジストパターン９ｃをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光パターン５ｂに対して行い、第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ｃを形成する（図４（ｄ）参照）。
　その後、レジストパターン９ｃを除去してから洗浄工程を行う。このようにして、図２に示される位相シフトマスク１００を製造することができる。

［半導体デバイスの製造］
　第１の実施形態の半導体デバイスの製造方法は、第１の実施形態の位相シフトマスク１００または第１の実施形態のマスクブランク１０を用いて製造された位相シフトマスク１００を用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴としている。このため、第１の実施形態の位相シフトマスク１００を用いて半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写すると、半導体デバイス上のレジスト膜に設計仕様を十分に満たす精度でパターンを形成することができる。

＜第２の実施形態＞
［マスクブランクとその製造］
　図５は、本発明の第２の実施形態に係るマスクブランク２０の構成を示す断面図である。図５に示すマスクブランク２０は、位相シフト膜１５を、第１層１２、第２層１３、第３層１４を積層した３層構造で構成し、この位相シフト膜１５の上に透過率調整膜１６を備えている点が、図１に示すマスクブランク１０と異なっている。以下、第１の実施形態のマスクブランク１０と共通する点については、適宜その説明を省略する。

　本実施形態における位相シフト膜１５は、第１層１２、第２層１３、第３層１４のＡｒＦ露光光の波長におけるそれぞれの屈折率ｎ_１、ｎ_２、ｎ_３がｎ_１＞ｎ_２＞ｎ_３の関係を満たし、第１層１２、第２層１３および第３層１４のそれぞれの消衰係数ｋ_１、ｋ_２、ｋ_３が、ｋ_１＞ｋ_２＞ｋ_３の関係を満たすように構成されている。加えて、第１層１２、第２層１３、第３層１４のそれぞれの膜厚ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３がｄ_１＞ｄ_２＞ｄ_３の関係を満たすように構成されている。
　位相シフト膜１５は、このような関係を満たす第１層１２、第２層１３、第３層１４で構成され、これにより、第１の実施形態における位相シフト膜２よりも高い透過率を有する位相シフト膜とすることができる。なお、この位相シフト膜１５の構成は、光学シミュレーションＢ１、Ｂ２、Ｂ３のシミュレーション時に設定した位相シフト膜の条件が含まれている。

　位相シフト膜１５を構成する材料は、第１の実施形態の位相シフト膜２と同様のものを適用できる。また、位相シフト膜１５の全体の組成において、窒素及び酸素の合計含有量が４０原子％以上であることが好ましく、５０原子％以上であるとより好ましい。
　第１層１２は、ケイ素および窒素を含有する材料で形成されることが好ましく、第２層１３は、ケイ素、酸素、および窒素を含有する材料で形成されることが好ましく、最上層である第３層１４は、ケイ素および酸素を含有する材料で形成されることが好ましい。

　また、透過率調整膜１６は、位相シフト膜１５の上に積層されており、この点が、第１の実施の形態における透過率調整膜４と異なっている。他に満たすべき条件については、第１の実施の形態における透過率調整膜４と同様である。

　以上のように、本実施形態におけるマスクブランク２０は、位相シフト膜１５の上に、透過率調整膜１６を有するものである。この透過率調整膜１６は、露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすものである。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　上述のように、式（１）を満たす透過率調整膜１６であれば、位相シフト膜１５を透過した露光光に対して、位相シフト膜１５および透過率調整膜１６の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が２０度以下であるという条件を満たすことができる。そして、式（２）を満たす透過率調整膜１６であれば、位相シフト膜１５を透過した露光光の透過率に対して、位相シフト膜１５および透過率調整膜１６の積層構造を透過した露光光の透過率の比が０．５０以下であるという条件を満たすことができる。

［位相シフトマスクとその製造］
　この第２の実施形態に係る位相シフトマスク２００（図６参照）では、透光性基板１上に、第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）１５ａを備え、この位相シフトパターン１５ａ上に、第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）１６ｂを備えている。また、この位相シフトパターン１５ａは、透光性基板１側とは反対の表面側に、ケイ素と酸素を含有する最上層である第１のパターンを有する第３層１４ａを備えている。そして、この透過率調整パターン１６ｂの上に、第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ｃを備えている。

　すなわち、この第２の実施の形態に係る位相シフトマスク２００は、透光性基板１上に、位相シフトパターン１５ａを備え、この位相シフトパターン１５ａ上に、透過率調整パターン１６ｂ、遮光パターン５ｃを備え、この位相シフトパターン１５ａは、この位相シフトパターン１５ａを透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対してこの位相シフトパターン１５ａの厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、この透過率調整パターン１６ｂの露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とするものである。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　そして、この位相シフトマスク２００における、透光性基板１、位相シフトパターン１５ａ、透過率調整パターン１６ｂおよび遮光パターン５ｃの具体的な構成については、マスクブランク２０の場合と同様である。

　以下、要部断面模式図である図７および図８に示す製造工程にしたがって、この第２の実施形態に係る位相シフトマスク２００の製造方法を説明する。
　図５に示されるマスクブランク２０においてスピン塗布法によって形成されたレジスト膜７に対して、位相シフト膜１５に形成すべき第１のパターンを電子線で描画し、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第１のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）７ａを形成する（図７（ａ）参照）。この第１のパターンには、位相シフト膜１５に形成されて位相シフト効果を奏するための位相シフトパターンと、アライメントマーク用のパターン（図６の左側の開口部）とが含まれている。
　続いて、第１のレジストパターン７ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングをハードマスク膜６に対して行い、第１のパターンを有するハードマスク膜（ハードマスクパターン）６ａを形成する（図７（ｂ）参照）。

　次に、第１のレジストパターン７ａおよびハードマスクパターン６ａをマスクとして、塩素系ガスと酸素系ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５に対して行い、第１のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ａを形成する（図７（ｃ）参照）。続いて、第１のレジストパターン７ａを除去して洗浄処理を行い、遮光パターン５ａおよびハードマスクパターン６ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを透過率調整膜１６および位相シフト膜１５に対して行い、第１のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）１６ａ、第１のパターンを部分的に有する位相シフト膜（位相シフトパターン）１５ａ’を形成する（図７（ｄ）参照）。この位相シフトパターン１５ａ’は、第１のパターンを部分的に有する第１層１２ａ’、第１のパターンを有する第２層１３ａ、第１のパターンを有する第３層１４ａとで構成されている。このドライエッチングにより、ハードマスクパターン６ａは除去される。なお、この位相シフト膜１５に対するドライエッチングでは、後述の透過率調整膜１６に透過率調整パターン１６ｂをドライエッチングで形成する工程において、透過率調整パターン１６ｂを形成し終えるときに、位相シフト膜１５ａ’（第１層１２ａ’）の残存している部分もほぼ同時に除去されるように、位相シフト膜１５ａ’（第１層１２ａ’）の残存する部分の厚さを調整することが好ましい。

　続いて、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。その後、レジスト膜に対して、透過率調整膜１６に形成すべきパターンを電子線で描画して、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第２のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）８ｂを形成する（図８（ａ）参照）。その後、レジストパターン８ｂをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５ａに対して行い、第２のパターンを有する遮光膜（遮光パターン５ｂ）を形成する（図８（ａ）参照）。

　そして、レジストパターン８ｂを除去して洗浄処理を行い、遮光パターン５ｂをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを透過率調整膜１６に対して行い、第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）１６ｂを形成する（図８（ｂ）参照）。このとき、第１のパターンを部分的に有する位相シフト膜（位相シフトパターン）１５ａ’の露出した残存部分も除去されて、第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）１５ａを形成する（図８（ｂ）参照）。

　そして、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。その後、レジスト膜に対して、遮光膜５に形成すべきパターンを電子線で描画して、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第３のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）９ｃを形成する（図８（ｃ）参照）。その後、レジストパターン９ｃをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光パターン５ｂに対して行い、第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ｃを形成する（図８（ｃ）参照）。
　その後、レジストパターン９ｃを除去してから洗浄工程を行う。このようにして、図６に示される位相シフトマスク２００を製造することができる。

［半導体デバイスの製造］
　第２の実施形態の半導体デバイスの製造方法は、第２の実施形態の位相シフトマスク２００または第１の実施形態のマスクブランク２０を用いて製造された位相シフトマスク２００を用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴としている。このため、第２の実施形態の位相シフトマスク２００を用いて半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写すると、半導体デバイス上のレジスト膜に設計仕様を十分に満たす精度でパターンを形成することができる。

＜第３の実施形態＞
［マスクブランクとその製造］
　図１３は、本発明の第３の実施形態に係るマスクブランク３０の構成を示す断面図である。図１３に示すマスクブランク３０は、位相シフト膜２の上に透過率調整膜４１を直接設けた点と、透過率調整膜４１と遮光膜５の間にエッチングストッパー膜３１を配置した点が、図１に示すマスクブランク１０と異なっている。以下、第１の実施形態のマスクブランク１０と共通する点については、適宜その説明を省略する。

　本実施形態における透過率調整膜４１はクロムを含有する材料で形成されている。この透過率調整膜４１は、位相シフト膜２との間で十分なエッチング選択性を有するため、第１の実施形態における中間膜３に相当する膜は設けていない。透過率調整膜４１は、クロムに酸素、窒素、炭素、ホウ素およびフッ素から選ばれる一以上の元素を含有する材料で形成されることが好ましい。また、透過率調整膜４１は、遮光膜５に用いられているクロム系材料を用いることができる。この透過率調整膜４１の露光光の波長における屈折率ｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数ｋ_Ｕ、厚さｄ_Ｕ［ｎｍ］は、前記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすように設計される。

　本実施形態におけるエッチングストッパー膜３１は、遮光膜５を前記のクロムを含有する材料で形成した場合において、遮光膜５をドライエッチングでパターニングするときにエッチングストッパーとして機能する。エッチングストッパー膜３１には、ケイ素を含有する材料を用いることができる。エッチングストッパー膜３１は、ケイ素と酸素を含有する材料で形成されると好ましい。一方、エッチングストッパー膜３１は、タンタルと酸素を含有する材料で形成することもできる。エッチングストッパー膜３１の厚さは１ｎｍ以上であると好ましく、２ｎｍ以上であるとより好ましい。また、エッチングストッパー膜３１の厚さは１０ｎｍ以下であると好ましく、５ｎｍ以下であるとより好ましい。なお、本実施形態において、ケイ素を含有する材料あるいはタンタルを含有する材料で遮光膜５を形成する場合は、エッチングストッパー膜３１を設けなくてもよい。

　以上のように、本実施形態におけるマスクブランク３０は、位相シフト膜２の上に、透過率調整膜４１を有するものである。この透過率調整膜４１は、露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすものである。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　上述のように、式（１）を満たす透過率調整膜４１であれば、位相シフト膜２を透過した露光光に対して、位相シフト膜２および透過率調整膜４１の積層構造を透過した露光光に対する位相差の増加量が２０度以下であるという条件を満たすことができる。そして、式（２）を満たす透過率調整膜４１であれば、位相シフト膜２を透過した露光光の透過率に対して、位相シフト膜２および透過率調整膜４１の積層構造を透過した露光光の透過率の比が０．５０以下であるという条件を満たすことができる。

［位相シフトマスクとその製造］
　この第３の実施形態に係る位相シフトマスク３００（図１４参照）では、透光性基板１上に、第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）２ａを備え、この位相シフトパターン２ａ上に、第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）４１ｂを備えている。また、この透過率調整パターン４１ｂの上に、第２のパターンを有するエッチングストッパー膜（エッチングストッパーパターン）３１ｂを備えている。そして、このエッチングストッパー膜３１ｂの上に、第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ｃを備えている。

　すなわち、この第３の実施の形態に係る位相シフトマスク３００は、透光性基板１上に、位相シフトパターン２ａを備え、この位相シフトパターン２ａ上に、透過率調整パターン４１ｂ、エッチングストッパーパターン３１ｂ、遮光パターン５ｃを備え、この位相シフトパターン２ａは、この位相シフトパターン２ａを透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対してこの位相シフトパターン２ａの厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、この透過率調整パターン４１ｂの露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とするものである。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　そして、この位相シフトマスク３００における、透光性基板１、位相シフトパターン２ａ、透過率調整パターン４１ｂ、エッチングストッパーパターン３１ｂおよび遮光パターン５ｃの具体的な構成については、マスクブランク３０の場合と同様である。

　以下、要部断面模式図である図１５および図１６に示す製造工程にしたがって、この第３の実施形態に係る位相シフトマスク３００の製造方法を説明する。
　図１３に示されるマスクブランク３０においてスピン塗布法によって形成されたレジスト膜７に対して、位相シフト膜２に形成すべき第１のパターンを電子線で描画し、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第１のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）７ａを形成する（図１５（ａ）参照）。この第１のパターンには、位相シフト膜２に形成されて位相シフト効果を奏するための位相シフトパターンが含まれている。
　続いて、第１のレジストパターン７ａをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５に対して行い、第１のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）５ａを形成する（図１５（ｂ）参照）。

　次に、第１のレジストパターン７ａおよび遮光パターン５ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングをエッチングストッパー膜３１に対して行い、第１のパターンを有するエッチングストッパー膜（エッチングストッパーパターン）３１ａを形成する（図１５（ｃ）参照）。次に、第１のレジストパターン７ａを除去して洗浄処理を行う。続いて、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。その後、レジスト膜に対して、エッチングストッパー膜３１および透過率調整膜４１に形成すべきパターンを電子線で描画して、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第２のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）８ｂを形成する（図１５（ｄ）参照）。

　次に、レジストパターン８ｂをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５ａに対して行い、第２のパターンを有する遮光膜（遮光パターン５ｂ）を形成する（図１６（ａ）参照）。このとき、エッチングストッパーパターン３１ａをマスクとするドライエッチングも透過率調整膜４１に対して行われ、第１のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）４１ａが形成される。次に、第２のレジストパターン８ｂを除去して洗浄処理を行う。続いて、透過率調整パターン４１ａをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを位相シフト膜２に対して行い、第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）２ａを形成する（図１６（ｂ）参照）。このとき、遮光パターン５ｂをマスクとするドライエッチングもエッチングストッパーパターン３１ａに対して行われ、第２のパターンを有するエッチングストッパー膜（エッチングストッパーパターン）３１ｂが形成される。

　次に、第２のレジストパターン８ｂを除去して洗浄処理を行う。続いて、レジスト膜をスピン塗布法によって形成する。その後、レジスト膜に対して、遮光膜５に形成すべきパターンを電子線で描画して、さらに現像処理等の所定の処理を行うことによって第３のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）９ｃを形成する（図１６（ｃ）参照）。次に、レジストパターン９ｃをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを遮光膜５ｂに対して行い、第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン５ｃ）を形成する（図１６（ｄ）参照）。このとき、エッチングストッパーパターン３１ｂをマスクとするドライエッチングも透過率調整パターン４１ａに対して行われ、第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）４１ｂが形成される。その後、レジストパターン９ｃを除去してから洗浄工程を行う。このようにして、図１４に示される位相シフトマスク３００を製造することができる。

［半導体デバイスの製造］
　第３の実施形態の半導体デバイスの製造方法は、第３の実施形態の位相シフトマスク３００または第３の実施形態のマスクブランク３０を用いて製造された位相シフトマスク３００を用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴としている。このため、第３の実施形態の位相シフトマスク３００を用いて半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写すると、半導体デバイス上のレジスト膜に設計仕様を十分に満たす精度でパターンを形成することができる。

　以下、実施例により、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
［マスクブランクの製造］
　主表面の寸法が約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍで、厚さが約６．３５ｍｍの合成石英ガラスからなる透光性基板１を準備した。この透光性基板１は、端面及び主表面を所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものである。この透光性基板１の光学特性を測定したところ、ＡｒＦ露光光の波長における屈折率ｎが１．５５６、消衰係数ｋが０．００であった。

　次に、成膜スパッタ装置内に透光性基板１を設置し、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガスおよび窒素（Ｎ_２）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、透光性基板１の表面に接してケイ素および窒素からなる位相シフト膜２（ＳｉＮ膜　Ｓｉ：Ｎ＝３４．８原子％：６５．２原子％）を６０．４ｎｍの厚さで形成した。続いて、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ_２）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、位相シフト膜２上に、ケイ素および酸素からなる中間膜３（ＳｉＯ_２膜）を３．０ｎｍの厚さで形成した。そして、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ_２）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、ケイ素および窒素からなる透過率調整膜４を１２．０ｎｍの厚さで形成した。

　位相シフト量測定装置（レーザーテック社製　ＭＰＭ１９３）を用いて、別の透光性基板上に位相シフト膜を同様に形成し、波長１９３ｎｍの光に対する透過率と位相差を測定したところ、透過率が１８．６％、位相差が１８０．０度（ｄｅｇ）であった。また、別の透光性基板上に位相シフト膜と透過率調整膜とを同様に形成し、波長１９３ｎｍの光に対する透過率と位相差を測定したところ、透過率が６．１％、位相差が１８０．０度（ｄｅｇ）であった。なお、中間膜３は、膜厚が３ｎｍと薄く、透光性基板と同様に高い透過率を有するものであるため、中間膜３の有無による透過率と位相差への影響は無視できるものである。

　さらに、この位相シフト膜２、中間膜３、透過率調整膜４の光学特性を測定したところ、位相シフト膜２は屈折率ｎが２．６１、消衰係数ｋが０．３６であり、中間膜３は屈折率ｎが１．５６、消衰係数ｋが０．００であり、透過率調整膜４は屈折率ｎ_Ｕが１．５２、消衰係数ｋ_Ｕが２．０９であった。
　これらの透過率調整膜４の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、屈折率ｎ_Ｕと、消衰係数ｋ_Ｕの値は、式（１）、式（２）、式（３）のいずれの関係も満たすものである。

　次に、成膜スパッタ装置内に位相シフト膜２、中間膜３、透過率調整膜４が形成された透光性基板１を設置し、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、透過率調整膜４上にＣｒＯＣからなる遮光膜５を４４ｎｍの厚さで形成した。この位相シフト膜２、中間膜３、透過率調整膜４および遮光膜５の積層構造における波長１９３ｎｍの光に対する光学濃度（ＯＤ）を測定したところ、３．０以上であった。

　そして、この遮光膜５が形成された透光性基板１に対して、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ_２）および窒素（Ｎ_２）の混合ガスをスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングにより遮光膜５の上に、ケイ素、窒素および酸素からなるハードマスク膜６を１２ｎｍの厚さで形成した。そして、ハードマスク膜６の表面にＨＭＤＳ処理を施した。続いて、スピン塗布法によって、ハードマスク膜６の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜７を膜厚８０ｎｍで形成した。
　以上の手順により、透光性基板１上に、位相シフト膜２、中間膜３、透過率調整膜４、遮光膜５、ハードマスク膜６およびレジスト膜７が積層した構造を備えるマスクブランク１０を製造した。

［位相シフトマスクの製造］
　次に、この実施例１のマスクブランク１０を用い、実施形態１で述べた位相シフトマスクの製造方法の手順に従って、実施例１の位相シフトマスク１００を作製した。

　作製した実施例１のハーフトーン型位相シフトマスク１００を、ＡｒＦエキシマレーザーを露光光とする露光装置のマスクステージにセットし、位相シフトマスク１００の透光性基板１側からＡｒＦ露光光を照射し、半導体デバイス上のレジスト膜にパターンを露光転写した。この転写パターンは、比較的微細なパターンと、比較的疎なパターンとを含むものであった。
　露光転写後のレジスト膜に対して所定の処理を行ってレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察した。その結果、いずれのパターンについても、所望の転写パターンが形成されていることが判明した。この結果から、このレジストパターンをマスクとして半導体デバイス上に回路パターンを高精度に形成することができるといえる。

（実施例２）
［マスクブランクの製造］
　この実施例２のマスクブランク２０は、位相シフト膜１５を、第１層１２、第２層１３、第３層１４を積層した３層構造で構成し、この位相シフト膜１５の上に透過率調整膜１６を備えている構成を除いて、実施例１のマスクブランク１０と同様にして製造した。具体的には、この実施例２のマスクブランク２０では、位相シフト膜１５の第１層１２ａに、ケイ素および窒素からなり、波長１９３ｎｍの光における屈折率ｎが２．６１、消衰係数ｋが０．３６である材料を用い、４１ｎｍの膜厚で形成し、第２層１３ａに、ケイ素、酸素および窒素からなり、波長１９３ｎｍの光における屈折率ｎが２．１８、消衰係数ｋが０．１２である材料を用い、２４ｎｍの膜厚で形成し、第３層１４ａに、ケイ素および酸素からなり、波長１９３ｎｍの光における屈折率ｎが１．５６、消衰係数ｋが０．００である材料を用い、４ｎｍの膜厚で形成した。そして、透過率調整膜１６に、ケイ素および窒素からなり、波長１９３ｎｍの光における屈折率ｎ_Ｕが１．５２、消衰係数ｋ_Ｕが２．０９である材料を用い、１１．７ｎｍの膜厚ｄ_Ｕで成膜した。したがって、遮光膜５、ハードマスク膜６、レジスト膜７の材料や製法は実施例１と同じものである。
　これらの透過率調整膜１６の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、屈折率ｎ_Ｕと、消衰係数ｋ_Ｕの値も、式（１）、式（２）、式（３）のいずれの関係も満たすものである。

　位相シフト量測定装置（レーザーテック社製　ＭＰＭ１９３）を用いて、別の透光性基板上に位相シフト膜を同様に形成し、波長１９３ｎｍの光に対する透過率と位相差を測定したところ、透過率が２８．０％、位相差が１８０．０度（ｄｅｇ）であった。また、別の透光性基板上に位相シフト膜と透過率調整膜とを同様に形成し、波長１９３ｎｍの光に対する透過率と位相差を測定したところ、透過率が６．０％、位相差が１７８．０度（ｄｅｇ）であった。

［位相シフトマスクの製造］
　次に、この実施例２のマスクブランク２０を用い、実施形態２で述べた位相シフトマスクの製造方法の手順に従って、実施例２の位相シフトマスク２００を作製した。

　作製した実施例２のハーフトーン型位相シフトマスク２００を、ＡｒＦエキシマレーザーを露光光とする露光装置のマスクステージにセットし、位相シフトマスク２００の透光性基板１側からＡｒＦ露光光を照射し、半導体デバイス上のレジスト膜にパターンを露光転写した。この転写パターンは、比較的微細なパターンと、比較的疎なパターンとを含むものであった。
　露光転写後のレジスト膜に対して所定の処理を行ってレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察した。その結果、いずれのパターンについても、所望の転写パターンが形成されていることが判明した。この結果から、このレジストパターンをマスクとして半導体デバイス上に回路パターンを高精度に形成することができるといえる。

（実施例３）
［マスクブランクの製造］
　主表面の寸法が約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍで、厚さが約６．３５ｍｍの合成石英ガラスからなる透光性基板１を準備した。この透光性基板１は、端面及び主表面を所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものである。この透光性基板１の光学特性を測定したところ、ＡｒＦ露光光の波長における屈折率ｎが１．５５６、消衰係数ｋが０．００であった。

　次に、成膜スパッタ装置内に透光性基板１を設置し、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガスおよび窒素（Ｎ_２）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、透光性基板１の表面に接してケイ素および窒素からなる位相シフト膜２（ＳｉＮ膜　Ｓｉ：Ｎ＝３４．８原子％：６５．２原子％）を６０ｎｍの厚さで形成した。続いて、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、位相シフト膜２の上にＣｒＯＣからなる透過率調整膜４１を１１ｎｍの厚さで形成した。続いて、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ_２）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、透過率調整膜４１上に、ケイ素および酸素からなるエッチングストッパー膜３１（ＳｉＯ_２膜）を３．０ｎｍの厚さで形成した。

　位相シフト量測定装置（レーザーテック社製　ＭＰＭ１９３）を用いて、別の透光性基板上に位相シフト膜を同様に形成し、波長１９３ｎｍの光に対する透過率と位相差を測定したところ、透過率が１８．６％、位相差が１８０．０度（ｄｅｇ）であった。また、別の透光性基板上に位相シフト膜と透過率調整膜を同様に形成し、波長１９３ｎｍの光に対する透過率と位相差を測定したところ、透過率が６．０％、位相差が１９１．０度（ｄｅｇ）であった。なお、エッチングストッパー膜３１は、膜厚が３ｎｍと薄く、透光性基板と同様に高い透過率を有するものであるため、エッチングストッパー膜３１の有無による透過率と位相差への影響は無視できるものである。

　さらに、この位相シフト膜２、透過率調整膜４１、エッチングストッパー膜３１の光学特性を測定したところ、位相シフト膜２は屈折率ｎが２．６１、消衰係数ｋが０．３６であり、透過率調整膜４１は屈折率ｎ_Ｕが１．８２、消衰係数ｋ_Ｕが１．８３であり、エッチングストッパー膜３１は屈折率ｎが１．５６、消衰係数ｋが０．００であった。
　この透過率調整膜４１の膜厚ｄ_Ｕ［ｎｍ］と、屈折率ｎ_Ｕと、消衰係数ｋ_Ｕの値は、式（１）、式（２）、式（３）のいずれの関係も満たすものである。

　次に、エッチングストッパー膜３１の上に３層構造の遮光膜５を７８ｎｍの厚さで形成した。具体的には、成膜スパッタ装置内に位相シフト膜２、透過率調整膜４１、エッチングストッパー膜３１が形成された透光性基板１を設置し、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）、二酸化炭素（ＣＯ_２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、ＣｒＯＣＮからなる第１層を３１ｎｍの厚さで形成した。続いて、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）、二酸化炭素（ＣＯ_２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、ＣｒＯＣＮからなる第２層を４１ｎｍの厚さで形成した。さらに、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、ＣｒＮからなる第３層を６ｎｍの厚さで形成した。

　この位相シフト膜２、透過率調整膜４１、エッチングストッパー膜３１および遮光膜５の積層構造における波長１９３ｎｍの光に対する光学濃度（ＯＤ）を測定したところ、３．２以上であった。そして、スピン塗布法によって、遮光膜５の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜７を膜厚８０ｎｍで形成した。
　以上の手順により、透光性基板１上に、位相シフト膜２、透過率調整膜４１、エッチングストッパー膜３１、遮光膜５およびレジスト膜７が積層した構造を備えるマスクブランク３０を製造した。

［位相シフトマスクの製造］
　次に、この実施例３のマスクブランク３０を用い、実施形態３で述べた位相シフトマスクの製造方法の手順に従って、実施例３の位相シフトマスク３００を作製した。

　作製した実施例３のハーフトーン型位相シフトマスク３００を、ＡｒＦエキシマレーザーを露光光とする露光装置のマスクステージにセットし、位相シフトマスク３００の透光性基板１側からＡｒＦ露光光を照射し、半導体デバイス上のレジスト膜にパターンを露光転写した。この転写パターンは、比較的微細なパターンと、比較的疎なパターンとを含むものであった。
　露光転写後のレジスト膜に対して所定の処理を行ってレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察した。その結果、いずれのパターンについても、所望の転写パターンが形成されていることが判明した。この結果から、このレジストパターンをマスクとして半導体デバイス上に回路パターンを高精度に形成することができるといえる。

１　透光性基板、２　位相シフト膜
２ａ　第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）
２ａ’　第１のパターンを部分的に有する位相シフト膜（位相シフトパターン）
３　中間膜
３ａ　第１のパターンを有する中間膜（中間パターン）
３ｂ　第２のパターンを有する中間膜（中間パターン）
４　透過率調整膜
４ａ　第１のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）
４ｂ　第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）
５　遮光膜
５ａ　第１のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）
５ｂ　第２のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）
５ｃ　第３のパターンを有する遮光膜（遮光パターン）
６　ハードマスク膜
６ａ　第１のパターンを有するハードマスク膜（ハードマスクパターン）
７　レジスト膜
７ａ　第１のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）
８ｂ　第２のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）
９ｃ　第３のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）
１０　マスクブランク
１２　第１層
１２ａ　第１のパターンを有する第１層
１２ａ’　第１のパターンを部分的に有する第１層
１３　第２層
１３ａ　第１のパターンを有する第２層
１４　第３層
１４ａ　第１のパターンを有する第３層
１５　位相シフト膜
１５ａ　第１のパターンを有する位相シフト膜（位相シフトパターン）
１６　透過率調整膜
１６ａ　第１のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）
１６ｂ　第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）
２０　マスクブランク
３０　マスクブランク
３１　エッチングストッパー膜
３１ａ　第１のパターンを有するエッチングストッパー膜（エッチングストッパーパターン）
３１ｂ　第２のパターンを有するエッチングストッパー膜（エッチングストッパーパターン）
４１　透過率調整膜
４１ａ　第１のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）
４１ｂ　第２のパターンを有する透過率調整膜（透過率調整パターン）
１００　位相シフトマスク
２００　位相シフトマスク
３００　位相シフトマスク

Claims

　透光性基板上に、位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
　前記位相シフト膜上に透過率調整膜を有し、
　前記位相シフト膜は、前記位相シフト膜を透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、
　前記透過率調整膜の前記露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、前記露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とするマスクブランク。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　前記透過率調整膜の前記屈折率ｎ_Ｕは、１．２以上であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕは、１．５以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク。
　前記位相シフト膜は、前記露光光を１２％以上の透過率で透過することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク。
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕと前記厚さｄ_Ｕ［ｎｍ］は、下記の式（３）の関係を満たすことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク。
式（３）　ｄ_Ｕ≦８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９
　前記透過率調整膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク。
　前記位相シフト膜と前記透過率調整膜との間に、ケイ素と酸素を含有する中間膜を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のマスクブランク。
　前記位相シフト膜は、前記透光性基板側とは反対の表面側に、ケイ素と酸素を含有する最上層を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のマスクブランク。
　前記透過率調整膜の上に、遮光膜を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のマスクブランク。
　透光性基板上に、第１のパターンを有する位相シフト膜を備えた位相シフトマスクであって、
　前記位相シフト膜上に、第２のパターンを有する透過率調整膜を有し、
　前記位相シフト膜は、前記位相シフト膜を透過したＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２１０度以下の位相差を生じさせ、
　前記透過率調整膜の前記露光光の波長における屈折率をｎ_Ｕ、前記露光光の波長における消衰係数をｋ_Ｕ、厚さをｄ_Ｕ［ｎｍ］としたとき、下記の式（１）および式（２）の関係をともに満たすことを特徴とする位相シフトマスク。
式（１）　ｄ_Ｕ≦－１７．６３×ｎ_Ｕ ^３＋１４２．０×ｎ_Ｕ ^２－３６４．９×ｎ_Ｕ＋３１５．８
式（２）　ｄ_Ｕ≧－２．８０５×ｋ_Ｕ ^３＋１９．４８×ｋ_Ｕ ^２－４３．５８×ｋ_Ｕ＋３８．１１
　前記透過率調整膜の前記屈折率ｎ_Ｕは、１．２以上であることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスク。
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕは、１．５以上であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の位相シフトマスク。
　前記位相シフト膜は、前記露光光を１２％以上の透過率で透過することを特徴とする請求項１０から１２のいずれかに記載の位相シフトマスク。
　前記透過率調整膜の前記消衰係数ｋ_Ｕと前記厚さｄ_Ｕ［ｎｍ］は、下記の式（３）の関係を満たすことを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載の位相シフトマスク。
式（３）　ｄ_Ｕ≦８．６４６×ｋ_Ｕ ^２－３８．４２×ｋ_Ｕ＋６１．８９
　前記透過率調整膜は、ケイ素と窒素を含有することを特徴とする請求項１０から１４のいずれかに記載の位相シフトマスク。
　前記位相シフト膜と前記透過率調整膜との間に、前記第２のパターンを有する中間膜を備え、前記中間膜はケイ素と酸素を含有することを特徴とする請求項１０から１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
　前記位相シフト膜は、前記透光性基板側とは反対の表面側に、ケイ素と酸素を含有する最上層を備えることを特徴とする請求項１０から１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
　前記透過率調整膜の上に、第３のパターンを有する遮光膜を備えることを特徴とする請求項１０から１７のいずれかに記載の位相シフトマスク。
　請求項９記載のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法であって、
　ドライエッチングにより前記遮光膜に第１のパターンを形成する工程と、
　前記第１のパターンを有する遮光膜をマスクとするドライエッチングにより前記透過率調整膜および前記位相シフト膜のそれぞれに第１のパターンを形成する工程と、
　ドライエッチングにより前記遮光膜に第２のパターンを形成する工程と、
　前記第２のパターンを有する遮光膜をマスクとするドライエッチングにより前記透過率調整膜に第２のパターンを形成する工程と、
　ドライエッチングにより前記遮光膜に第３のパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　請求項１８記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。