JP2008091907A - 測定装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィ動作を妨害せずに、リソグラフィ動作中にリアルタイムでイルミネータの個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素の傾き角を決定できる測定装置を提供する。
【解決手段】測定放射ビームを供給する放射源であって、放射ビームを変調することができる個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素が前記測定ビームにより照明され、かつ前記測定ビームを再誘導する、放射源と、前記再誘導された測定ビームを受光し、かつ前記再誘導された測定ビームが入射する位置を決定するディテクタであって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、ディテクタとを有する。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明は測定装置および方法に関する。特に、しかし排他的にではなく、本発明は、それぞれリソグラフィ装置およびデバイス製造方法にて用いる測定装置および方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。この状況においては、パターニングデバイス（例えばマスク）を、ＩＣの個々の層に相当する回路パターンを生成するために使用することができ、このパターンは放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分にイメージングすることができる。マスクの代わりに、パターニングデバイスは、個別制御可能要素アレイを含むパターニングアレイとすることができる。マスクに基づくシステムと比較して、パターニングアレイを使用したシステムの長所は、パターンをより迅速かつより低費用で変更できることである。

[0003] 一般に、単一の基板は連続して露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、一回の工程実施でターゲット部分にパターン全体を露光することにより各ターゲット部分が照射される所謂ステッパ、および、特定の方向（「スキャン」方向）においてビームを介してパターンをスキャンする一方、これと同期して、この方向と平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分が照射される所謂スキャナを含む。

[0004] リソグラフィ装置は、通常、調節された照明放射ビームを供給するように構成されたイルミネータを含んでいる。整形された照明ビームを供給するために、１つまたは複数のマスクを、照明ビームの各部を遮蔽するためにイルミネータ内に設けることができ、それにより、照明ビームの瞳形状を変化させる。代案として、または、加えて、照明ビームの各部を選択的に反射するプログラマブルミラーアレイなどの個別制御可能要素アレイも、制御可能な整形された照明ビームを作成するために設けることができ、したがって、１つの断面パターンから別の同パターンに直ちに変更することができる。しかし、照明ビームは、通常、例えば個別制御可能要素アレイが加熱されてしまうほどに、比較的大きな強度で動作する。このような加熱は、例えば、照明ビームが選択的に反射されるビーム経路の正確さに影響を及ぼし、したがって、整形された照明ビームを予想形状から外れさせてしまう。

[0005] 本発明の一態様によれば、
測定放射ビームを供給する放射源であって、放射ビームを変調することができる個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素が前記測定ビームにより照明され、かつ前記測定ビームを再誘導する、放射源、および
前記再誘導された測定ビームを受光し、かつ前記再誘導された測定ビームが入射する位置を決定するディテクタであって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置が前記個別制御可能要素の特性を示す、ディテクタ、
を含む、測定装置が提供される。

[0006] 本発明のさらなる態様によれば、
個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素を測定放射ビームで照明する工程であって、前記アレイは放射ビームを変調することができ、前記照明は、前記個別制御可能要素が前記測定放射ビームを再誘導するようになっている、工程、
前記再誘導された測定ビームをディテクタにて受光する工程、および
前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定する工程であって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する前記位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、工程
を含む、測定方法が提供される。

[0007] 本発明の一態様によれば、
照明放射ビームを供給する照明システム、
測定装置であって、
測定放射ビームを供給する放射源であって、放射ビームを変調することができる個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素が前記測定放射ビームにより照明され、かつ前記測定ビームを再誘導する、放射源と、
前記再誘導された測定ビームを受光し、かつ前記再誘導された測定ビームが入射する位置を決定するディテクタであって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、ディテクタと、を含む測定装置、
パターニングデバイスを保持するサポート構造であって、前記パターニングデバイスは前記照明放射ビームの断面にパターンを与える、サポート構造、および
前記パターン付与された照明放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム
を含む、リソグラフィ装置が提供される。

[0008] 本発明の一態様によれば、
照明システムを使用して照明放射ビームを供給する工程と、
個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素を測定放射ビームで照明する工程であって、前記アレイは放射ビームを変調することができ、前記照明は、前記個別制御可能要素が前記測定放射ビームを再誘導するようになっている、工程、
前記再誘導された測定ビームをディテクタにて受光する工程、
前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定する工程であって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する前記位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、工程、
前記照明ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスを使用する工程と、
前記パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する工程と、を含むデバイス製造方法が提供される。

[0009] 本発明の実施形態が、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、一例としてのみ説明される。

[0018] 図１は、本発明の特定の実施形態による測定装置を組み込んだリソグラフィ装置の概略を示している。このリソグラフィ装置は、

[0019] 放射（例えば紫外放射）のビームＰＢを供給するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、

[0020] パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスをアイテムＰＬに関して正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、

[0021] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板をアイテムＰＬに関して正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、

[0022] パターニングデバイスＭＡによりビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに結像するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬを含む。

[0023] ここに示したように、この装置は（例えば透過マスクを採用した）透過型の装置である。代案として、この装置は（例えば上述したタイプのプログラマブルミラーアレイを採用した）反射型の装置とすることもできる。

[0024] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境において保持されているか否かなどの他の条件に依存する方法でパターニングデバイスを保持する。このサポートは、真空の条件下で機械式クランプ、真空、または他のクランプ技術、例えば静電クランプを使用することができる。サポート構造は、必要に応じて固定または可動とすることができ、かつパターニングデバイスが、例えば投影システムに関して、所望の位置にあることを確実にできる、例えばフレームまたはテーブルとすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいずれの使用も、より全般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。

[0025] イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受光する。例えば放射源がエキシマレーザであると、放射源およびリソグラフィ装置は別々の実体とすることができる。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成しているとは考えられず、かつ放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに通過される。他の場合、放射源は、例えば放射源が水銀ランプであると、リソグラフィ装置の一体化された一部とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼ぶことができる。

[0026] イルミネータＩＬはビームの角度強度分布を調整するための調整手段ＡＭを含むことができる。全般的に、イルミネータの瞳面での強度分布の少なくとも（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）外側および／または内側半径範囲が調整可能である。加えて、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、放射ビームの断面において所望の均一度および強度分布を有する調節済み放射ビームＰＢを供給する。

[0027] 照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、または、制御するための屈折、反射、および、屈折反射の光コンポーネントを含めた様々なタイプの光コンポーネントも含むことができ、そのようなコンポーネントは、以下、まとめて、または、単独で「レンズ」と呼ぶこともできる。

[0028] 本発明の一実施形態によれば、イルミネータＩＬは、以下にさらに詳細に説明されるように、ビームＰＢを変調するように配置されたプログラマブルミラーアレイ１をさらに含む。図１は、放射源ＳＯから一方の端部において入るビームおよび他方の端部において出るビームＰＢを伴う線形構造としてのイルミネータＩＬの概略を示している。しかし、これが必ずしも通常の場合である必要はない。確かに、イルミネータＩＬ内に反射プログラマブルミラーアレイ１を組み込んだ本発明の実施形態において、ビームＰＢは、放射源ＳＯからのビームのビーム経路を横切るビーム経路に沿ってイルミネータを出ることができる。

[0029] ビームＰＢは、サポート構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターンデバイスＭＡを通過すると、ビームＰＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームをフォーカスする投影システムＰＬを通過する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内に異なったターゲット部分Ｃを位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび（図１には明示的に示されていない）他の位置センサは、例えばマスクライブラリからの機械式取出しの後、または、スキャン中に、ビームＰＢの経路に関してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。全般に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭおよびＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。しかし、（スキャナとは異なり）ステッパの場合、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続することができるか、または、固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントすることができる。

[0030] 示された装置は以下の好ましいモードで使用することができる。

[0031] １．ステップモードにおいて、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれる一方、ビームに与えられたパターン全体が一回の工程実施においてターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静止露光）。続いて、基板テーブルＷＴは、異なったターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズが単一静止露光において結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限している。

[0032] ２．スキャンモードにおいて、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期してスキャンされる一方、ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴを基準とした基板テーブルＷＴの速度および方向は投影システムＰＬの拡大（縮小）倍率およびイメージ反転特性により決定される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を制限し、これに対し、スキャン移動の長さはターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定している。

[0033] ３．他のモードにおいて、サポート構造ＭＴは基本的にプログラマブルパターニングデバイスを保持しながら静止状態に保たれ、かつ、基板テーブルＷＴは移動されるかまたはスキャンされる一方、ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される。このモードにおいて、一般に、パルス放射源が採用され、かつプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、または、スキャン中の連続した放射パルス同士の間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用したマスクレスリソグラフィに直ちに適用することができる。

[0034] 上記に説明した使用のモードまたは完全に異なった使用のモードの組合せおよび／またはそれらへの変形も採用することができる。

[0035] 上述したように、基板のターゲット部分にパターンを作成するためにビームＰＢを変調するパターニングデバイスＭＡ（例えば個別制御可能要素アレイ）を提供することができる。一般に、基板のターゲット部分に作成されたパターンは、集積回路またはフラットパネルディスプレイなどのターゲット部分に作成されているデバイス内の特定の機能層（例えばフラットパネルディスプレイ内のカラーフィルタ層またはフラットパネルディスプレイ内の薄膜トランジスタ層）に対応する。パターニングデバイスの例は、例えば、マスク、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、発光ダイオードアレイ、格子光弁、および、ＬＣＤアレイを含む。放射ビームの隣接した各部を基準として放射ビームの一部の位相を変調することにより放射ビームにパターンを与える複数のプログラマブル要素を有する電子的にプログラム可能なパターニングデバイスを含めて、（例えば、マスクを除いて上記の文面において触れられた全てのデバイスなどの）放射ビームの一部の強度を各々が変調できる複数のプログラマブル要素を含むパターニングデバイスなど、パターンが電子回路（例えばコンピュータ）のの助けによりプログラム可能であるパターニングデバイスは、本明細書において、まとめて「コントラストデバイス」と呼ばれる。一実施形態において、このようなパターニングデバイスは少なくとも１０個のプログラマブル要素、例えば、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または、１０，０００，０００個のプログラマブル要素を含んでいる。

[0036] これらのデバイスのいくつかの実施形態は、以下により詳細に検討される。

[0037] プログラマブルミラーアレイ。これは、粘弾性制御層および反射性表面を有するマトリクスアドレス指定可能表面を含むことができる。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射性表面のアドレス指定された領域が入射放射を回折された放射として反射し、これに対して、アドレス指定されない領域は入射放射を回折されない放射として反射するというものである。適切な空間フィルタを使用して、非回折放射は反射ビームから濾過して除くことができ、基板に到達するための回折放射のみを残すことができる。このようにして、ビームは、マトリクスアドレス指定された表面のアドレス指定パターンによりパターニングされる。代案として、フィルタが回折放射を濾過して除くことができ、基板に到達するための非回折放射を残せる。回折光学ＭＥＭＳデバイスアレイも、相当する形で使用することができる。回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射放射を回折放射として反射する格子を形成するために互いを基準として変形することができる複数の反射性リボンを含む。プログラマブルミラーアレイのさらなる代案実施形態は小さなミラーのマトリクス配列を採用し、このミラーの各々は、適切な局所化電場を印加することにより、または、圧電アクチュエータを採用することにより、軸について個々に傾けることができる。再び、ミラーは、アドレス指定ミラーが入来放射ビームを非アドレス指定ミラーへの異なった方向に反射するように、マトリクスアドレス指定可能となっている。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンによりパターニングすることができる。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子回路を使用して行なうことができる。ここに言及されたミラーアレイについてのより多くの情報は、例えば、全体が参照により本明細書に組み込まれている米国特許第ＵＳ５２９６８９１号明細書および同第ＵＳ５５２３１９３号明細書ならびにＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号明細書およびＷＯ９８／３３０９６号明細書から収集することができる。

[0038] プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構造の例は、全体が参照により本明細書に組み込まれている米国特許第ＵＳ５２２９８７２号明細書に与えられている。

[0039] リソグラフィ装置は１つまたは複数のパターニングデバイス、例えば、１つまたは複数のコントラストデバイスを含むことができる。例えば、同装置は、各々が互いとは独立に制御される個別制御可能要素の複数のアレイを有することができる。このような装置において、個別制御可能要素アレイのいくつか、または、全ては、共通の照明システム（もしくは照明システムの一部）、個別制御可能要素アレイのための共通のサポート構造、および／または、共通の投影システム（もしくは投影システムの一部）を有することができる。

[0040] 本発明の一実施形態によれば、イルミネータＩＬは、照明ビームを変調するように配置されたプログラマブルミラーアレイなどの個別制御可能要素アレイ１をさらに含んでいる。個別制御可能要素アレイは、制御可能であり、かつそのため、１つの断面パターンから他のパターンに変更できる整形済み照明を供給するために、照明ビームの各部を選択的に誘導する。すなわち、個別制御可能要素アレイは照明ビームの瞳形状を変調するように配置されている。

[0041] 一実施形態において、個別制御可能要素アレイ１は、イルミネータ内に個別制御可能ミラー要素のプログラマブルミラーアレイを含んでいる。このようなプログラマブルミラーアレイは、図１のリソグラフィ装置について上述したように、基板のターゲット部分に投影されるビームにパターンを与えるためのパターニングデバイスとして使用されるプログラマブルミラーアレイと同様とすることができる。当業者は、リソグラフィ装置内での使用のために知られている代案パターニングデバイスがイルミネータ内での使用にも適することを理解されよう。しかし、イルミネータ内の個別制御可能要素の数は、通常より少ない。例えば、イルミネータ内の個別制御可能要素アレイは約６０×６０個の個別制御可能要素を含むことができる。さらに、イルミネータ内の各個別制御可能要素は、それが２つの直交する方向に傾けられるように通常配置されているのに対して、パターニングデバイス内では、各個別制御可能要素は通常単一の方向にのみ傾く。

[0042] プログラマブルミラーアレイの一実施形態において、各ミラー要素に対する傾き角の制御は各ミラー要素の背後に位置決めされた荷電プレートの制御により達成される。各ミラー要素は荷電プレートに静電的に吸引されるか、または、同プレートにより反発される。各ミラー要素は通常０．８ｍｍ×０．８ｍｍのオーダのものであり、かつ自身の中心位置から約プラスまたはマイナス５度だけ傾けることができる。個々のミラー要素の傾きに対する必要な正確さは、動き全体の約１／１，０００（または、１０度の動き全体に対して０．０１度）である。ミラーの位置が変更される毎に、整定時間は約１０ｍｓである。

[0043] 個別制御可能要素アレイに入射した照明ビームを変調可能であることは、照明ビームの異なった断面間で迅速に切換えができることが望ましいリソグラフィ装置の実施形態にとって望ましい。加えて、または、代案として、このような制御可能アレイは、同アレイが、いかなる所望の照明設定を提供するうえで、比較的安価かつ柔軟であることにおいて有利である。例えば、基板の異なった区画にパターンを投影するために、異なったリソグラフィパターニングデバイス間で切換えができることが必要である。各パターニングデバイスは、それ自体が異なった照明モード（すなわち角度分布）を持つ照明ビームを必要とする。上述したように、リソグラフィ装置は、基板の露光同士の間に変更できるイルミネータ内のマスクを提供することにより、照明ビームのために、このような様々なモードを提供できる。しかし、例えばパターニングデバイスが切り替えられた時などに、イルミネータマスクを変更することは時間がかかる。したがって、個別制御可能要素アレイを制御することにより照明ビームの断面を迅速かつ制御可能に変更する能力は、有利である。

[0044] しかし、個別制御可能要素アレイに入射した未変調の照明ビームは、通常、個別制御可能要素アレイが加熱されてしまうほどに、比較的大きな強度である。このような加熱は、照明ビームが選択的に誘導される正確さに影響を及ぼし、そのため、整形済み照明ビームをその予想形状から外れさせてしまう。

[0045] プログラマブルミラーアレイを含むパターニングデバイスの場合、パターニングデバイスに到達する前にビームが通過した光学要素の数のために、ビームの強度が低下される。このことは、個々のミラーがさほど加熱されず、したがって、ミラーアレイの正確さはより高いことを意味している。その結果、パターニングデバイスに対しては、リソグラフィ露光動作中に各ミラー要素の傾き角を測定することは通常必要ではない。許容レベルの正確さは、リソグラフィ動作同士の間に基板テーブル上に位置決めされた測定システムを使用して、達成可能とすることができる。

[0046] しかし、イルミネータ内の個別制御可能要素アレイの許容レベルの正確さを達成するために、リソグラフィ動作中に個々の要素の傾き角を測定することが必要である。これは、要素の傾き角を予測不能な傾きとさせる熱負荷の結果として生じる個々の要素の材料特性の変化に起因する。個別制御可能要素アレイが搭載されている基板も加熱され、要素を予測不能なほど傾かせる。要素および基板の加熱の影響に加えて、または、それの代わりに、他の要因が個々の要素の傾きを時間とともに変化させ、要素の傾きの正確さを低下させる。例えば、要素の作動による反作用力により引き起こされた基板の機械的変形は、傾きを変化させる。

[0047] 一実施形態において、個別制御可能要素アレイは、各ミラー要素の傾きを制御するように配置された制御電子回路上に搭載されたミラー要素を含んでいる。各ミラー要素の背後の利用可能な空間は限られており、したがって、ミラー要素の背後には１つまたは複数の傾きセンサをも所在させないことが望ましい。さらに、ミラー要素の周囲の直接的な領域の温度は重大な変化を受け、この変化は１つまたは複数の傾きセンサに影響を及ぼしやすい。さらに、各要素のミラー側に１つまたは複数の傾きセンサを搭載することは望ましくない。なぜなら、これが利用可能な反射領域を減少させるからである。

[0048] 本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ動作を妨害せずに、リソグラフィ動作中にリアルタイムでイルミネータの個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素の傾き角を決定できる光学的測定の方法および装置が提供される。このような光学的手法は、この手法が個別制御可能要素アレイから比較的大きな距離に定置でき、したがって、これ自体がアレイの温度不安定性によっては悪影響を受けないことにおいて有利である。加えて、この光学系がアレイに接触していないため、この光学系は要素の傾きに直接には影響を及ぼさない。

[0049] この光学系はリアルタイムで使用できるため、個々の要素の傾きの測定値は、予想された傾き角から外れてしまったことが判明した個々の要素の傾きを補正するために、リソグラフィ装置にフィードバックすることができ、かつイルミネータ内のプログラマブルアレイに供給されている制御信号を変更するために使用することができる。

[0050] 図２を参照すると、本発明の一実施形態に従った図１のリソグラフィ装置のイルミネータＩＬの一部である測定システムの概略が示されている。プログラマブルミラーアレイ１は、線２により概略示されている放射源ＳＯからパターニングデバイスＭＡにビームを反射しているように描かれている。イルミネータＩＬの他のコンポーネントは、明確さの理由のために図２には示されていない。

[0051] 個々のミラー要素の傾きを測定するために、複数の別々の放射源３が設けられ、その各々は、別々の測定放射ビーム４を供給する。放射源３は、（以下に示された）ディテクタ５の感度または飽和レベルによっては、ＬＥＤまたはレーザとすることができる。代案として、放射ビームを生成する放射源も使用することができ、この放射ビームは多数のファイバを使用して複数の測定ビームに分割される。各測定ビームは、測定ビーム４が各々の開口７を通過するように、各々のレンズ６（または、適切なマイクロレンズアレイ）により合焦される。一実施形態において、単一の放射源４は各測定ビーム４を供給することができる。

[0052] 続いて、開口７からの出現ビームは、各測定ビーム４がプログラマブルミラーアレイ１内の個々のミラー要素に入射するように、レンズ８により合焦される。すなわち、各ミラー要素は、別々の測定ビーム４からのスポットにより照明される。プログラマブルミラーアレイ１の個々のミラー要素との各放射源３および／または放射ビーム４の位置合わせは、各ミラー要素におけるスポットサイズが、同ミラー要素の反射領域に比較して小さい限り、重要ではない。各ミラー要素は、測定ビーム４を反射測定ビーム９として反射する。プログラマブルミラーアレイ１への測定ビーム４の入射角は、反射測定ビーム９が放射源３からディテクタ５に向かって反射されるように選択されている。反射測定ビーム９はレンズ１０によりディテクタ５に向けて合焦される。一実施形態において、多数のディテクタ５を設けることができる。

[0053] ディテクタ５はイメージセンサを含んでいる。イメージセンサは、個別の放射ディテクタまたは画素のアレイを含む電荷結合デバイス（ＣＣＤ）などのディテクタアレイを含むことができる。各ビームがディテクタアレイ５に入射する位置が測定される。反射測定ビーム９の相対移動がディテクタアレイ５により検出される。ミラー要素の傾き角の変化は、反射測定ビーム９がディテクタアレイ５に入射する位置の移動を引き起こす。そのため、ディテクタアレイ上の測定ビーム９の位置の測定は、ミラー要素の傾き角の決定をもたらす。

[0054] この測定システムは、照明ビームを発生および合焦させるように構成されたイルミネータ内の光学要素からは分かれている。確かに、図２からは、測定ビーム４および反射測定ビーム９が、パターニングデバイスＭＡによりパターン付与されるビームの経路２から分かれているビーム経路に沿って進行していることがわかる。さらに、そのビームとの干渉を防止するために、測定装置は、例えば可視スペクトルの緑から赤の部分内などのそのビームの波長とは異なった波長の放射を発する１つまたは複数の放射源３を利用している。

[0055] 図３を参照すると、点線円１１により示された図２の一部を拡大した概略が示されている。図３は、２つの反射測定ビーム９およびディテクタアレイ５の位置を示している。ディテクタ５が反射測定ビームの焦点面１２の外にあることがわかる。これは、ディテクタにわたる反射測定ビーム９の移動を検出するためである。ディテクタアレイ５が焦点面内にある場合、ミラーアレイのイメージが受光され、かつ測定ビームの移動は検出されない。ディテクタアレイ５は（図３に示されたように）焦点面１２の前または焦点面１２の背後のいずれかに位置決めすることができる。さらに、ディテクタアレイ５を焦点面１２の外に位置決めすることにより、各反射測定ビーム９は、点よりもむしろ大きなスポットでディテクタアレイ５を照明する。（図４Ａから４Ｄを参照して以下により詳細に説明されるように）反射測定ビーム９の位置の移動がより高いレベルの正確さで検出されるために、各反射測定ビーム９がディテクタアレイ５の２つ以上のセルを照明することが望ましい。

[0056] 市販の二次元ディテクタアレイを使用すると、最大５ｋＨｚの測定速度で各ミラー要素の傾き全体の１／１，０００の正確さまで、２つの傾き方向において個々のミラー要素の傾きを測定することができる。このことは、高速傾き誤差補正を可能にする。各ミラー要素を制御する制御電子回路の更新速度が市販のミラーアレイについては約２００〜４００Ｈｚであるため、次の制御信号がミラー要素に送られる前に応答するために測定装置が十分に高速であることは明らかである。単一のミラー要素の傾き角を測定することができる。代案として、または、加えて、ミラー要素のグループまたはミラーアレイの全体の傾き角を測定することができる。

[0057] 各ミラー要素について、ミラー要素がデフォルト（例えば傾きがない）位置にある時に反射測定ビーム９がディテクタアレイ５を横切る位置が決定される。このことは、例えばリソグラフィ装置が基板上に投影していない時に基板テーブル上に位置決めされたものなどの独立した測定システムを使用して図２の光学系をキャリブレーションすることにより、確立することができる。独立した測定システムは各ミラー要素を傾きのない位置に操作するために使用され、ディテクタアレイ内の反射測定ビームの位置が測定される。続いて、傾き角が変えられ、ディテクタアレイにおけるスポット位置の対応した変化が記録される。システムがこのようにしてキャリブレーションされた後、各ミラー要素の傾きの変化が測定される一方、リソグラフィ装置は基板上に投影し、かつ必要であれば、傾き角を補正するためにミラー要素に供給される制御信号を変更するために使用される。このキャリブレーション工程は、時間の経過にわたり測定システムの正確さを確保するために周期的に繰り返すことができる。

[0058] ディテクタアレイ５は、ＣＣＤなどの二次元イメージングシステムを含むことができる。適切な市販のイメージングシステムは、１０２４×１０２４画素の解像度を提供し、各画素は約１２μｍ×１２μｍである。利用可能な画素の数は、ディテクタアレイ上に投影された反射測定ビームの数よりはるかに多いことがわかる。

[0059] ＣＣＤからの出力の数を低減するために、本発明の一実施形態によれば、画素のグループは、グループからの組み合わされた信号が単一の出力として供給されるように組み合わされる。図４Ａは、単一のディテクタグループ２１を形成するために組み合わされた４つの画素２０のグループの概略を示している。各画素２０は１２μｍ×１２μｍの寸法があり、そのため、ディテクタグループ２１は２４μｍ×２４μｍの寸法がある。このようにして画素のグループを組み合わせることは、ＣＣＤからのデータ出力を高速化する長所を有する。

[0060] 上述されたように、反射測定ビーム９が単一の画素２０（または、上述のように組み合わされていれば、画素のグループ２１）より大きくなるように、ディテクタアレイ５が位置決めされることが望ましい。このことは、投影されたスポットがディテクタアレイ５を横切って移動する際の測定の正確さを高める。スポットの移動は、各グループ２１により検出された放射の比率が変化される際に検出される。図４Ｂは、単一の反射測定ビーム９からのスポット２２により照明された画素の４つのグループ２１Ａ〜２１Ｂを示している。スポット２２が全ての４つのグループ２１Ａ〜２１Ｄに等しく入射することがわかる。その結果、画素の各グループにより検出された入射放射の比率は同じとなる。画素の各グループにより検出された放射の比率がいずれの傾き位置に対しても知られていない限り、この知られている検出パターンからのいかなる逸脱も検出され、かつ傾き角における対応する変化が決定される。

[0061] 図４Ｃは、第１の軸について傾いているミラー要素により第１の方向にスポット２２が移動した状況を示している。画素グループ２１Ｂおよび２１Ｄにより検出された入射放射の比率が上昇したのに対して、画素グループ２１Ａおよび２１Ｃにより検出された入射放射の比率は低下したことがわかる。各画素グループにより検出された放射の比率の変化から、反射測定ビームの強度プロファイルの知識が与えられれば、スポットが移動した距離が決定でき、かつその結果、関連するミラー要素の傾き角の変化が決定できる。同様に、図４Ｄは、ミラー要素の傾き角が異なった軸について変化した状況を示している。傾き角が双方の軸について変化した場合は、このことも同じく検出可能となることを理解されよう。

[0062] ビームスポットのサイズは、例えば反射測定ビームの焦点面１２を基準としてディテクタアレイ５の位置を変更することにより、またはレンズ６、８、１０のいずれか１つまたは複数を調整することにより、変化できる。その結果、各ビームにより照明される画素または画素のグループの数を変更することができる。図４Ｂから４Ｄの例示的実施形態において、（４つの画素の４つのグループ２１における）１６個の画素２０は単一の反射測定ビーム９の位置を検出するために留保されている。スポットのサイズは、関連するミラー要素が完全に傾いた時に単一の反射測定ビームを検出するために留保されたＣＣＤの領域の外にスポットがさまよわないように選択されている。このことは、単一の反射キャリブレーションビームからのいずれの放射も、他の反射測定ビームを検出するために留保されたディテクタアレイの領域には入射しないことを確実にするためである。代案として、測定ビームよりも少ないディテクタアレイが設けられ、かつ複数の測定ビームが多重方式を使用してディテクタアレイにより測定される。この構成において、複数のビームダンプを設けることができ、同ダンプ上では、１つの時間間隔においては測定されない測定ビームが、これらの測定ビームが上記の時間間隔において測定される少なくとも１つの測定ビームの検出に影響を及ぼさないように、誘導される。

[0063] ビームにわたる強度プロファイルは、スポットの位置の移動の検出を最適化するように選択される。ミラーの傾きがディテクタアレイ上のスポットの変位に関連しているため、ミラーの傾きを決定するために、例えばガウス分布状の強度分布などのビームの中心から強度が連続的に低下するビーム強度プロファイルを有することが望ましい。図５は、ディテクタアレイ５において検出された反射測定ビーム９の適した強度プロファイル３０を示している。強度プロファイル３０はプロファイルの両極値においてゼロに急速に減少していることがわかり、これは、上述されたように、ディテクタアレイの異なった部分にわたり放射の反射測定ビーム間の干渉を防止するために望ましい。ビーム強度プロファイルはレンズ６、８、１０、の１つまたは複数の特性、および、これらのレンズの分離により決定される。

[0064] 上述したように、ディテクタアレイ５からデータが出力できる速度を上昇させるためには、画素のグループ２１の出力を組み合わせることが望ましい。単一の軸に沿って移動するスポットの中心の位置を決定するために必要な画素２０または画素のグループ２１の最小の数は２つである。図５を参照すると、最上部の線３１は、放射強度プロファイル３０を有するビームにより投影されたスポットを検出するために使用される画素の２つのグループ３２を示している。スポットが軸３３に沿って移動すると、画素グループ３２により検出される（影付きにより示され、より暗いと比率がより高い）放射の比率が変化することが直ちに見てわかる。画素グループ３２からの出力の信号比は、軸３３に沿ったスポットの位置の目安を与えている。代案として、より多くの画素グループを、（スポットのサイズを増加すること、または、グループ当りの画素の数を減少させることのいずれかにより）単一のスポットにより照明することができる。線３４は画素の１６個のグループ３５を示しており、これらは、放射強度プロファイル３０を有するビームにより投影されたスポットを検出するように配置されており、各画素グループ３５により検出された放射の比率は、線３４の影付きにより示され、より暗いと比率がより大きくなる。

[0065] 図６を参照すると、本発明の実施形態による測定システムを組み込んだリソグラフィ装置のためのイルミネータの概略が示されている。このイルミネータは、ビームソースからパターニングデバイスへのビーム経路４０に沿ってビームを通過させるように配置されている。ビーム経路４０は、ビームの各部を選択的に反射するプログラマブルミラーアレイ１を横切る。測定放射源３は、単一の放射源４１としてまとめて示されている。ディテクタアレイ５は、カメラ４２として、ビーム４および９により概略が示されているソース４１およびカメラ４２の間で反射された放射とともに、概略が示されている。図６は、測定ビーム４および反射測定ビーム９がビームのビーム経路４０と干渉しないことを示している。図６のイルミネータの他の部分は従来のものであり、したがって、ここでは詳細には説明されない。

[0066] 図７は上記に説明された測定システムの実施形態を示し、同図において、全ての放射源３はプログラマブルミラーアレイ１の表面に垂直な平面５０の第１の側に配置され、ディテクタ５は平面５０の第２の側に所在している。図８は複数のディテクタ５ａ、５ｂを含む測定システムの実施形態を示し、同図において、第１ディテクタセット５ａは平面５０の第１の側に配置され、第２ディテクタセット５ｂは平面５０の第２の側に配置されている。この構成において、第１放射源セット３ａは平面５０の第１の側に配置され、第２放射源セット３ｂは平面５０の第２の側に配置されており、ここで、第１放射源セット３ａにより生成された測定ビームは第２ディテクタセット５ｂにより検出され、かつ第２放射源セット３ｂにより生成された測定ビームは第１ディテクタセット５ａにより検出される。この構成は、放射源およびディテクタがサイズにおいて比較的大きな差を有し、かつプログラマブルミラーアレイの表面に垂直な１つの側に全ての放射源または全てのディテクタを割り当てるために必要な空間の大きさがイルミネータ内に収容するには大きすぎる時に有利である。代案として、測定システムは４つの放射源セット３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄならびに４つのディテクタセット５ａ、５ｂ、５ｃ、および、５ｄを含むことができ、ここで、２つの放射源セット３ｃ、３ｄおよび２つのディテクタセット５ｃ、５ｄは平面５０内に配置される。

[0067] イルミネータ内の個別制御可能要素アレイのための上述の測定システムが、反射型および透過型のリソグラフィ装置の双方に適用できることを理解されよう。

[0068] 本発明の１つまたは複数の実施形態を、イルミネータ内のプログラマブルミラーアレイを形成するミラー要素の傾き角を測定するように配置されているとして主に説明したが、同実施形態はこれに限定されないことを理解されよう。確かに、本発明の実施形態による傾き角測定装置は、例えばリソグラフィ装置のためのパターニングデバイスを形成するマイクロミラーアレイ、または、個別制御可能要素アレイを形成する格子光弁などの個別制御可能要素のいかなるアレイにも適用することができる。

[0069] 本明細書において使用されているように、用語「再誘導された」または「再誘導する」は、それぞれ「反射された」または「反射する」、「屈折された」または「屈折する」、「回折された」または「回折する」などを広く含む。

[0070] 本文書においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対する特定の言及が行われているかもしれないが、本明細書に説明された測定装置およびリソグラフィ装置が、集積光学系の製造、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の実用例を有することができることを理解されたい。当業者は、そのような代案実用例の状況において、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えられることを理解されよう。本明細書において言及された基板は、例えば、トラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、または、メトロロジツールもしくはインスペクションツールにおいて、露光の前または後にプロセスすることができる。適用される場合、本明細書における開示はこのような、および、他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために、２回以上プロセスすることができ、そのため、本明細書において使用されている用語「基板」はプロセス済みの多数の層を既に含む基板を指すこともできる。

[0071] 本明細書において使用されている用語「放射」および「ビーム」は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または、１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射および（例えば、５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。

[0072] 本明細書において使用されている用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作成するなどのために、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるいずれのデバイスも指すと広く解釈されたい。ビームに与えられたパターンが基板のターゲット部分において所望のパターンに正確に対応しない可能性があることも注意されたい。一般に、ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されつつあるデバイスにおける特定の機能層に対応している。

[0073] パターニングデバイスは透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、および、プログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、および、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに、様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小型ミラーのマトリクス配列を採用しており、同ミラーの各々は、入来する放射ビームを異なった方向に反射するように個別に傾けることができる。このようにして、反射されたビームはパターニングされる。

[0074] 本明細書において使用されている用語「投影システム」は、例えば使用されている露光用放射に対して、または、液浸用液体の使用もしくは真空の使用などの他の要因に対して適切である屈折、反射、および、反射屈折を含む様々なタイプの投影システムを包含するとして広く解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいずれの使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。

[0075] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはこれより多くの基板テーブル（および／または、２つ以上のサポート構造）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」機においては、追加のテーブル（および／または、サポート構造）を並行して使用することができ、または、１つまたは複数の他のテーブル（および／または、サポート構造）が露光のために使用されている間に、予備工程を１つまたは複数の他のテーブル（および／または、サポート構造）上で実行することができる。

[0076] リソグラフィ装置は、投影システムの最終的な要素と基板との間の空間を満たすために、基板が比較的大きな屈折率を有する液体、例えば水により浸漬されているタイプのものとすることもできる。液浸液体は、例えばマスクと投影システムの最初の要素との間などのリソグラフィ装置における他の空間にも適用することができる。液浸技術は投影システムの開口数を大きくするために当技術分野ではよく知られている。

[0077] 本発明の特定の実施形態が上記に説明された一方、本発明は説明された以外でも実施できることを理解されよう。同説明は本発明を限定することは意図されていない。

[0010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0011]図１のリソグラフィ装置の一部を含むイルミネータのための測定装置を示す図である。 [0012]図２の測定装置の拡大された一部を示す図である。 [0013]（Ａ）−（Ｄ）は図２の測定装置の一部であるディテクタアレイの一部を示す図である。 [0014]反射測定放射ビームのパワー強度、および、ディテクタアレイにおける反射測定放射ビームの検出パターンを表す図である。 [0015]本発明の実施形態を組み込んだ照明システムの概略図である。 [0016]放射源およびディテクタの第１の配列を有する測定装置のさらなる実施形態を示す図である。 [0017]放射源およびディテクタの第２の配列を有する測定装置のさらなる実施形態を示す図である。

Claims (34)

1. 測定放射ビームを供給する放射源であって、放射ビームを変調することができる個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素が前記測定ビームにより照明され、かつ前記測定ビームを再誘導する、放射源、および
   前記再誘導された測定ビームを受光し、かつ前記再誘導された測定ビームが入射する位置を決定するディテクタであって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、ディテクタ
   を含む、測定装置。
2. 前記ディテクタは前記再誘導された測定ビームの焦点面の外に位置決めされている、請求項１に記載の測定装置。
3. 前記ディテクタはイメージセンサを含む、請求項１に記載の測定装置。
4. 前記イメージセンサは、受光された放射を示す出力信号を各々が供給する画素要素のアレイを含む、請求項３に記載の測定装置。
5. 画素要素のグループの前記出力は、出力信号の総数が低減されるようにグループ化されている、請求項４に記載の測定装置。
6. 前記再誘導された測定ビームは少なくとも２つの画素要素または画素要素のグループを照明する、請求項５に記載の測定装置。
7. 前記ディテクタは、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定するために、前記再誘導された測定ビームから各画素要素または各画素要素グループにより受光された放射の比率を測定する、請求項６に記載の測定装置。
8. 前記個別制御可能要素アレイは、前記放射ビームおよび前記測定ビームを反射させる方向を変更するために、各々が傾く複数のミラー要素を含む、プログラマブルミラーアレイを含む請求項７に記載の測定装置。
9. 前記ディテクタは、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置から、前記個別制御可能要素の特性であるミラー要素の傾き角をさらに決定する、請求項８に記載の測定装置。
10. 前記ディテクタによるミラー要素の前記傾き角の前記決定をキャリブレーションするために、前記放射ビームを受光し、かつ前記ミラー要素の前記傾き角を決定する別々の測定システムをさらに含む、請求項９に記載の測定装置。
11. 前記傾き角を補正するために、前記決定された傾き角を使用して前記ミラー要素に供給される制御信号を変更する、請求項９に記載の測定装置。
12. 複数の測定放射ビームを供給し、ならびに、複数の個別制御可能要素が個別の測定ビームで照明され、かつ複数のそれぞれの再誘導された測定ビームを再誘導する複数の放射源をさらに含み、前記ディテクタは、前記再誘導された測定ビームを受光し、かつ各再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定する、請求項１に記載の測定装置。
13. 第１放射源セットは、前記複数の個別制御可能要素に垂直な平面の第１の側に配置され、第２放射源セットは、前記平面の第２の側に配置されている、請求項１２に記載の測定装置。
14. 少なくとも１つのビームダンプをさらに含む、請求項１２に記載の測定装置。
15. 前記測定ビームおよび前記再誘導された測定ビームは、前記放射ビームのビーム経路とは一致しないビーム経路に沿って進行する、請求項１に記載の測定装置。
16. 照明放射ビームを供給する照明システム、
    測定装置であって、
    測定放射ビームを供給する放射源であって、放射ビームを変調することができる個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素が前記測定ビームにより照明され、かつ前記測定ビームを再誘導する、放射源と、
    前記再誘導された測定ビームを受光し、かつ前記再誘導された測定ビームが入射する位置を決定するディテクタであって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、ディテクタと、を含む測定装置、
    パターニングデバイスを保持するサポート構造であって、前記パターニングデバイスは前記照明ビームの断面にパターンを与える、サポート構造、および
    前記パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム
    を含む、リソグラフィ装置。
17. 前記個別制御可能要素アレイは、前記照明システム内の前記照明ビームの断面を変調し、前記放射ビームは前記照明ビームを含む、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記パターニングデバイスは前記個別制御可能要素アレイを含み、前記放射ビームは前記照明ビームを含む、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
19. 個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素を測定放射ビームで照明する工程であって、前記アレイは放射ビームを変調することができ、前記照明は、前記個別制御可能要素が前記測定放射ビームを再誘導するようになっている、工程、
    前記再誘導された測定ビームをディテクタにて受光する工程、および
    前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定する工程であって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する前記位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、工程
    を含む、測定方法。
20. 前記ディテクタは、前記再誘導された測定ビームの焦点面の外に位置決めされている、請求項１９に記載の測定方法。
21. 前記ディテクタはイメージセンサを含む、請求項１９に記載の測定方法。
22. 前記イメージセンサは、受光された放射を示す出力信号を各々が供給する画素要素のアレイを含む、請求項２１に記載の測定方法。
23. 出力信号の総数が低減されるように、画素要素のグループの前記出力を組み合わせる工程をさらに含む、請求項２２記載の測定方法。
24. 前記再誘導された測定ビームは少なくとも２つの画素要素または画素要素のグループを照明する、請求項２３に記載の測定方法。
25. 再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定する前記工程は、前記再誘導された測定ビームから各画素要素または各画素要素グループにより受光された放射の比率を測定する工程を含む、請求項２４に記載の測定方法。
26. 前記個別制御可能要素アレイは、前記放射ビームおよび前記測定ビームを反射させる方向を変更するために、各々が傾く複数のミラー要素を含むプログラマブルミラーアレイを含む、請求項２５に記載の測定方法。
27. 再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置から、個別制御可能要素の特性であるミラー要素の傾き角を決定する工程をさらに含む、請求項２６に記載の測定方法。
28. 前記放射ビームを受光し、かつ前記ミラー要素の前記傾き角を決定する別々の測定システムを使用して、前記ディテクタによるミラー要素の前記傾き角の前記決定をキャリブレーションする工程をさらに含む、請求項２７に記載の測定方法。
29. 前記傾き角を補正するために、前記決定された傾き角を使用して前記ミラー要素に供給される制御信号を変更する工程をさらに含む、請求項２７に記載の測定方法。
30. 複数の個別制御可能要素を個別の測定ビームで照明し、かつ複数の再誘導された測定ビームの各々が前記ディテクタに入射する位置を決定する工程をさらに含み、各再誘導された測定ビームはそれぞれの個別制御可能要素により再誘導される、請求項１９に記載の測定方法。
31. 前記測定ビームおよび前記再誘導された測定ビームは、前記放射ビームのビーム経路とは一致しないビーム経路に沿って進行する、請求項１９に記載の測定方法。
32. 照明システムを使用して照明放射ビームを供給する工程と、
    個別制御可能要素アレイの個別制御可能要素を測定放射ビームで照明する工程であって、前記アレイは放射ビームを変調することができ、前記照明は、前記個別制御可能要素が前記測定放射ビームを再誘導するようになっている、工程、
    前記再誘導された測定ビームをディテクタにて受光する工程、
    前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する位置を決定する工程であって、前記再誘導された測定ビームが前記ディテクタに入射する前記位置は前記個別制御可能要素の特性を示す、工程、
    前記照明ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスを使用する工程と、
    前記パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する工程と、を含むデバイス製造方法。
33. 前記個別制御可能要素アレイは、前記照明システム内の前記照明放射ビームの断面を変調し、前記放射ビームは前記照明ビームを含む、請求項３２に記載のデバイス製造方法。
34. 前記パターニングデバイスは前記個別制御可能要素アレイを含み、前記放射ビームは前記照明ビームを含む、請求項３２に記載のデバイス製造方法。