JP2014504448A

JP2014504448A - Ｅｕｖリソグラフィ系

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Publication number: JP2014504448A
Application number: JP2013542413A
Authority: JP
Inventors: ウドディンガー; ラルスヴィシュマイアー; マルクスハウフ; シュテファンケルナー; イゴルグレヴィッヒ; マルクスデギュンター
Original assignee: カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date: 2010-12-09
Filing date: 2011-12-09
Publication date: 2014-02-20
Anticipated expiration: 2031-12-09
Also published as: WO2012076188A8; DE102010062720A1; TW201241574A; TWI551952B; JP6214042B2; US9448490B2; US20130265560A1; DE102010062720B4; WO2012076188A1

Abstract

ＥＵＶリソグラフィ系１は、ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路５１とを含む。ＥＵＶビーム経路は、基部と、凹ミラー面を有し、基部に対するこれらのミラー面の向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素１７とを有するミラー系１３を含む。観察ビーム経路５１は、少なくとも１つの観察放射線源５３と、スクリーン７１と、観察放射線源５３とスクリーン７１の間の観察ビーム経路５１に配置されたミラー系１３と、空間分解検出器７７とを含む。この場合、複数のミラー要素の各々は、それぞれのミラー要素に割り当てられた像平面に観察放射線源の像を生成し、ミラー要素に割り当てられた像平面とスクリーンの間の距離Ｂは最大距離を有し、複数のミラー要素の各々とそれに割り当てられた像平面との間の距離Ａは、最小距離を有し、最大距離Ｂは、最小距離Ａの半分よりも小さい。
【選択図】図４

Description

本発明は、マスク又はレチクルとも呼ぶ結像される構造をレジストとも呼ぶ感放射線構造上にＥＵＶ放射線を用いて結像することにより、小型化された構成要素を生成するために使用することができるＥＵＶリソグラフィ系に関する。ＥＵＶ放射線は、特に、例えば、５ｎｍから３０ｎｍの範囲からの波長を有するもののような極紫外（ＥＵＶ）範囲からの波長を有する紫外放射線である。

ＥＰ１２０２１０１Ａ２から公知のＥＵＶリソグラフィ系は、結像される構造を配置することができる物体平面を感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源と物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、かつ基部と基部に固定された複数のミラー要素とを含み、これらのミラー要素のミラー面が凹面状を有し、結像される構造上に入射するＥＵＶ放射線の角度分布の異なる設定を可能にするためにこれらのミラー要素の基部に対する向きが調節可能である第１のミラー系とを含む。

角度分布の望ましい設定を提供し、更にこの角度分布をＥＵＶリソグラフィ系の作動中に維持するようにミラー系の複数のミラー要素をミラー系の基部に対して調節する際に問題が存在する。

ＥＰ１２０２１０１Ａ２ＤＥ１０２００９０５４５４０．９

従って、本発明の目的は、ＥＵＶ放射線源と結像される構造の間のＥＵＶビーム経路に配置されたミラー系の少なくとも一部のミラー要素のミラー系の基部に対する向きを検出する可能性をもたらす上述の種類のリソグラフィ系を提案することである。

ＥＵＶリソグラフィ系の実施形態は、ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路とを含み、ＥＵＶリソグラフィ系は、ＥＵＶビーム経路に、結像される構造を配置することができる物体平面を感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源と物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、基部と基部に対するミラー面の向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系とを含む。

本明細書の実施形態により、更にＥＵＶリソグラフィ系は、観察ビーム経路に、少なくとも１つの観察放射線源と、スクリーンと、観察放射線源とスクリーンの間の観察ビーム経路に配置された第１のミラー系と、スクリーン上に入射する放射線強度を空間分解方式で検出するように構成された検出器とを含み、観察放射線源と、第１のミラー系と、スクリーンとは、複数のミラー要素の各々が、それぞれのミラー要素に割り当てられた像平面に観察放射線源の像を生成し、ミラー要素に割り当てられた像平面とスクリーンの間の距離が最大距離を有し、複数のミラー要素の各々とそれに割り当てられた像平面との間の距離が最小距離を有し、最大距離が最小距離の半分よりも小さいことが成り立つように互いに対して配置される。

複数のミラー要素は、観察放射線源の像をそれぞれ生成し、この目的のために観察ビーム経路に観察光線を相応に成形するためのレンズ要素を設けることができ、及び／又はミラー面は、凹面状を有することができる。観察放射線源は、実質的に点状の放射線源だけでなく、拡張放射線源とすることができる。それぞれのミラー要素を用いた観察放射線源の結像品質に基づいて、ミラー要素によって生成される観察放射線源の像は、実質的に点状とすることができ、すなわち、小さい側方広がりを有することができ、又は例えば１ミリメートル又は複数ミリメートルの有意な側方広がりを有することができる。ミラー要素によって生成される少なくとも１つの観察放射線源の像の像平面は、共通の平面に位置しなくてもよい。ミラー要素に割り当てられた像平面とスクリーンの間の最大距離は、像平面とそれぞれのミラー要素の間の最小距離の半分よりも小さいので、スクリーンは、観察放射線源の像を生成する光線の方向に見て像の近くに配置される。従って、ミラー要素を用いて少なくとも１つの観察放射線源を結像する光線は、各場合に、スクリーンの直径と比較して小さく、例えば、１ミリメートル又は複数ミリメートルよりも小さい広がりを有することができる光点をスクリーン上に生成する。ミラー要素のうちの１つの向きの変化は、このミラー要素によってスクリーン上に生成される光点の変化をもたらすので、このようにしてスクリーン上に生成される光点の位置は、ミラー要素の向きの特性である。光点は、検出器によって空間分解方式で検出することができ、従って、第１のミラー系の基部に対するミラー要素の向きを検出器の検出信号から決定することができる。

ＥＵＶリソグラフィ系の更に別の実施形態は、ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路とを含み、ＥＵＶリソグラフィ系は、ＥＵＶビーム経路に、結像される構造を配置することができる物体平面を感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源と物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、基部と基部に固定されて基部に対するミラー面の向きが調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系とを含み、ＥＵＶリソグラフィ系は、観察ビーム経路に、１つ又は複数の観察放射線源と、検出器と、１つ又は複数の観察放射線源と検出器の間の観察ビーム経路に配置された第１のミラー系とを含み、検出器は、プレノプティックカメラである。

光強度の２次元検出を可能にするカメラとは対照的に、プレノプティックカメラは、４次元光場の光強度を検出することができ、入射光の２つの空間次元（例えば、ｘ座標及びｙ座標）と共に、２つの角度次元（例えば、θ座標及びφ座標）を検出することができる。その結果、プレノプティックカメラは、少なくとも１つの観察放射線源によって放出された光線がカメラ上に入射する場所を決定することだけでなく、少なくとも１つの観察放射線源によって放出された光線がカメラ上に入射する角度を検出することも可能にする。その結果、光線をプレノプティックカメラに向けて反射した第１のミラー系のそれぞれのミラー要素に対する検出光の割り当てが可能である。

一部の実施形態により、プレノプティックカメラは、少なくとも１つの感放射線層と、互いに横並びに配置されたレンズ要素のアレイとを含むことができ、このアレイは、感放射線層からある一定の距離をおいて配置される。

例示的な実施形態により、１つ又は複数の観察放射線源と、第１のミラー系と、プレノプティックカメラとは、１つ又は複数の観察放射線源がレンズ要素のアレイ上に結像されるか、又は１つ又は複数の観察放射線源の像がアレイのレンズ要素の近くにもたらされるように互いに対して配置される。特に、この場合に以下の条件、すなわち、複数のミラー要素が、それぞれのミラー要素に対応する像平面に観察放射線源の像を生成し、ミラー要素に対応する像平面とプレノプティックカメラのレンズ要素アレイが配置された平面との間の距離が最大距離を有し、複数のミラー要素の各々と対応する像平面との間の距離が最小距離を有し、かつ最大距離が最小距離の半分よりも小さいという条件を達成することができる。

特定の観察放射線源の像が、プレノプティックカメラのレンズ要素アレイの近くの特定のミラー要素の反射に引き続いて生成される場合には、検出器によって生成される検出信号を評価することにより、第１に、観察放射線源の像を生成する光が、感放射線層上に入射する前に複数のレンズ要素のうちのどれを通過するかを求めることができる。観察ビーム経路の残りの構成要素に対するアレイのレンズ要素の既知の配列の場合には、そこから最初にミラー要素の傾斜角を大雑把に決定することができる。検出器によって生成される検出信号を評価することにより、検出器の感放射線層のどの場所に、観察放射線源の像を生成する光によって光点が生成されるかを更に見出すことができる。この光が通過するアレイのレンズ要素に対するこの場所の位置から、最初にミラー要素の傾斜角をかなり正確に決定することができる。

例示的な実施形態により、プレノプティックカメラは、第１のミラー系と互いに横並びに配置されたレンズ要素のアレイとの間の観察ビーム経路に配置されてアレイのレンズ要素上に入射する光が通過するレンズを含む。

更に別の実施形態により、ＥＵＶリソグラフィ系は、ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路とを含み、ＥＵＶリソグラフィ系は、ＥＵＶビーム経路に、結像される構造を配置することができる物体平面を感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源と物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、基部と、基部に固定されて基部に対するミラー面の向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系と、ＥＵＶ放射線源と第１のミラー系との間、又は第１のミラー系と物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、基部と基部に固定された複数のミラー要素とを含む第２のミラー系とを含み、ＥＵＶリソグラフィ系は、観察ビーム経路に、各場合に第２のミラー系の互いに隣接するミラー要素の間に配置された複数の観察放射線源と、第１のミラー系のミラー要素において反射された観察放射線を検出するための検出器と、観察放射線源と検出器の間の観察ビーム経路に配置された第１のミラー系とを有する。

第２のミラー系の互いに隣接するミラー要素の間の観察放射線源の配列は、観察ビーム経路をＥＵＶビーム経路に空間節約方式で統合することを可能にする。

一部の実施形態により、第１のミラー系は、基部に対するミラー面の少なくとも一部の向きを変更するために、少なくとも１つのアクチュエータを含む。本明細書の例示的な実施形態により、ＥＵＶリソグラフィ系は、検出器の出力信号に基づいて少なくとも１つのアクチュエータを駆動するように構成されたコントローラを含む。その結果、基部に対するミラー要素の望ましい向きを自動方式で設定することができる。

ＥＵＶリソグラフィ系の例示的な実施形態により、ＥＵＶビーム経路の作動中、すなわち、結像される構造の感放射線構造上への結像中にもミラー要素の向きを検出して適宜補正することができるように、ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路を互いに独立して作動させることができる。

一部の実施形態により、スクリーンは、検出器の感放射線層によって与えられる。従って、ミラーによって生成された光点をスクリーン上で直接に、すなわち、スクリーンと検出器の間の更に別の光学系の追加なしに検出することができる。

他の実施形態により、スクリーンは、光散乱層を含み、ＥＵＶリソグラフィ系は、光散乱層を検出器の感放射線層上に結像するための結像光学系を更に含む。この場合、結像光学系及び検出器の感放射線層は、スクリーンの光散乱層を通過した光が検出器上に結像されるように、スクリーンの背後に配置することができ、更に、光散乱層において反射された光が検出器上に結像されるように、スクリーンの前に配置することができる。

本明細書の例示的な実施形態により、結像光学系によって与えられる検出器の感放射線層上へのスクリーンの結像は、ミラー要素によって生成された光点が入射し、検出器上に結像されるスクリーン領域を検出器の感放射線層の広がりよりも有意に大きくすることができるように縮小結像である。

一部の実施形態により、ミラー要素は、平面図で細長の形状を有する反射面を有する。一例として、平面図での反射面の長さは、その幅の５倍よりも大きく、又は１０倍よりも大きいとすることができる。

本明細書の例示的な実施形態により、ミラー要素は、互いに横並びの列に配置することができ、列内のミラー面の中心は、ミラー面の長さよりも小さい互いからの距離をおいて配置され、ミラー要素の列の中心は、ミラー面の長さよりも大きいか又はそれに等しい互いからの距離をおいて配置することができる。利用可能な区域内に可能な最大個数のミラー要素を設けることに関して、ミラー要素を列内で互いの近くに、すなわち、互いから可能な最も小さい距離をおいて配置し、更にミラー要素の列の少なくとも一部を互いの近くに、すなわち、互いから可能な最も小さい距離をおいて配置することが可能にされる。

例示的な実施形態により、観察放射線源は、放射線ビームの各々が、ミラー系の１つ又は複数のミラー要素上に入射し、放射線ビームが入射するミラー要素の縦方向に見た場合の放射線ビームの側方広がりが、ミラー要素の長さよりも小さいような互いからある一定の距離をおいてミラー系上に入射する複数の個別の放射線ビームを生成するように構成される。その結果、ミラー要素の反射面の全区域の一部しか、ミラー要素の反射を用いて生成される観察放射線源の像への観察放射線源の結像に寄与しない。結像の開口のこの制限により、結像の結像収差を低減することができ、それによってスクリーン上にサイズが縮小された光点がもたらされる。更に、それによってスクリーン上に生成される多数の光点を互いに重ね合わせないことが可能になり、従って、光点の位置をより明確に及び／又はより正確に決定することができる。

一部の実施形態により、少なくとも１つの観察放射線源は、互いに横並びに配置された複数の放射線源を含む。互いに横並びに配置されたこれらの複数の放射線源は、ミラー要素を用いて結像することができ、スクリーン上に光点を生成することができる。それによって各個々のミラー要素は、スクリーン上に放射線源の個数に対応する個数の光点を生成するので、最初に拡張スクリーン上に増大した個数の光点がもたらされる。

この場合、拡張スクリーンの小さい部分内であっても、各ミラー要素によって少なくとも１つの光点が生成されるが、その場合、これらの光点は、異なる光源から射出する光線によって生成される。従って、スクリーンのこの比較的小さい部分は、ミラー要素の向きを決定するのに必要な全ての情報を十分に含み、その結果、スクリーンの比較的小さい部分の上に入射する放射線強度を検出器を用いて空間分解方式で検出するだけで十分である。それによってスクリーンの広がりを大きく低減することができ、特に、比較的小さい空間分解検出器をスクリーンとして直接使用することができる。

例示的な実施形態により、ミラー要素の個数、従って、スクリーン上に生成される光点の個数は多く、一方、全ての作動状況においてスクリーン上の２つ又はそれよりも多くの光点の重ね合わせを回避するように、スクリーン上に生成される光点の広がりはそれ程小さくはない。スクリーン上で１つ又は複数の光点が重なる場合には、空間分解方式で検出されるスクリーン上の光点の位置を特定のミラー要素に明確に割り当てることは容易ではない。

従って、特定的な実施形態により、複数の観察放射線源が、各場合に予め決定された波長範囲からの放射線を放出し、少なくとも２つの放射線源の波長範囲は、互いに異なるものとする。一例として、波長範囲は、１００ｎｍよりも小さい又は５０ｎｍよりも小さい幅を有することができ、２つの異なる放射線源によって放出される放射線の波長範囲の中心は、２０ｎｍよりも大きく、５０ｎｍよりも大きく、又は１００ｎｍよりも大きく異なるとすることができる。この場合、光点の空間分解検出において、例えば、カラーカメラのような波長感知検出器を使用することができる。この場合、２つの異なる放射線源からの光から２つの異なるミラー要素によって生成された２つの光点が、スクリーン上で部分的に重なる場合であっても、個別光点の検出色を考慮すると、スクリーン上の光点の位置を明確に決定することができる。

他の実施形態により、複数の放射線源は、各場合に予め決定された時間的強度変調を有する放射線を放出し、少なくとも２つの放射線源の時間的強度変調は互いに異なるものとする。一例として、互いに異なる強度変調は、各放射線源が、例えば、１０００Ｈｚ、１００Ｈｚ、又は１０Ｈｚの予め決定された周波数を伴って強度変調方式で放出を行うことによって達成することができる。この場合、全ての放射線源は、変調が同期して行われずに位相シフト方式で行われる場合、放射線の強度を等しい周波数で変調することができる。更に、各放射線源は、放出する放射線の強度を変調するのに異なる周波数を使用することができる。

更に別の実施形態により、放射線源によって放出される放射線の強度の変調は、複数の放射線源の少なくとも一部において、これらの放射線源によって放出される放射線の異なる波長範囲を与える可能性と組み合わされるものとする。

更に別の実施形態により、観察放射線源は、１つ又は複数の放射線源を用いて、各場合にミラー系の複数又は全てのミラー要素上に入射してこれらのミラー要素によって反射される放射線ビームを生成し、これらのミラー要素によって反射された観察放射線は、プレノプティックカメラを用いて検出される。この実施形態においても、上述したように、複数の観察放射線源は、各場合に予め決定された波長範囲からの放射線を放出し、少なくとも２つの放射線源の波長範囲は、互いに異なり、又は／及び複数の観察放射線源は、各場合に予め決定された時間的強度変調を有する放射線を放出し、少なくとも２つの放射線源の時間的強度変調は互いに異なることができる。

ＥＵＶビーム経路を提供して定めることができるＥＵＶリソグラフィ系の構成要素、すなわち、ＥＵＶ放射線源、結像される構造、感放射線構造、結像光学系、第１のミラー系、及び適宜の更に別のミラーは、各場合に共通の担体上に保持され、これらの構成要素の望ましい位置及び／又は向きを設定するために担体に対して調節可能である。そのような共通の担体に対する第１のミラー系の位置及び／又は向きを決定するために、更に別の実施形態によるＥＵＶリソグラフィ系は、結像される構造を配置することができる物体平面を感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源と物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、基部と、基部に固定されて基部に対する向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系と、測定アームを有する干渉計と、第１のミラー系の基部に固定された観察ミラーと、ミラーと干渉計の間の測定アームのビーム経路に配置されたホログラムとを含む。この場合、干渉計及びホログラムの構成要素は、共通の担体に固定することができる。干渉計内では、第１のミラー系の基部に固定されたホログラム及びミラーが配置された測定アームを通過した放射線は、干渉計の基準アームを通過した放射線と重ね合わされる。重ね合わされた放射線は、干渉計の検出器によって検出及び解析することができる干渉パターンをもたらす。干渉パターンの解析から、共通の担体に対するミラーの位置及び向き、従って、第１のミラー系の基部の位置及び向きを決定することができる。こうして決定された位置及び向きに基づいて、共通の担体に対するか又は結像光学系の物体平面に対する第１のミラー系の基部の位置及び向きを変更するアクチュエータを確立することができる。その結果、ＥＵＶリソグラフィ系の残りの構成要素に対する第１のミラー系の位置及び向きの調節は、特に高い精度を伴って可能である。

一部の実施形態により、上述の第１のミラー系とは異なるＥＵＶビーム経路の他のミラーの基部に対しても、干渉計、ホログラム、及びＥＵＶビーム経路を偏向するミラーの基部に固定されたミラーを設けることが可能にされる。

本発明の以上の並びに他の有利な特徴は、添付図面を参照して以下に続く例示的な実施形態の詳細説明から明らかになるであろう。全ての可能な実施形態が、本明細書に示す利点の各々かつ全て又はいずれかを必ずしも示すわけではないことに注意されたい。

一実施形態によるＥＵＶリソグラフィ系のＥＵＶビーム経路の概略図である。図１のＥＵＶリソグラフィ系の複数のミラー要素を有するミラー系の概略平面図である。図１のＥＵＶリソグラフィ系の複数のミラー要素を有する更に別のミラー系の概略平面図である。図１に示すＥＵＶリソグラフィ系の観察ビーム経路の概略図である。図１に示すＥＵＶリソグラフィ系の観察ビーム経路の略斜視図である。図１に示すＥＵＶリソグラフィ系の観察ビーム経路の特質の概略図である。図１に示すＥＵＶリソグラフィ系の観察ビーム経路の更に別の概略図である。更に別の実施形態によるＥＵＶリソグラフィ系の観察ビーム経路の図７ａに対応する図である。図１に示すＥＵＶリソグラフィ系の観察ビーム経路の更に別の実施形態の概略図である。更に別の実施形態によるＥＵＶリソグラフィ系の詳細の概略図である。図９に示すＥＵＶリソグラフィ系のホログラムの平面図である。図１０に記載の線Ｘ−Ｘに沿う断面における図１０に示すホログラムを通るビーム経路の概略図である。図１０に記載の線−に沿う断面における図１０に示すホログラムを通るビーム経路の概略図である。

以下に説明する例示的な実施形態において、機能及び構造において類似の構成要素を可能な限り類似の参照番号で表している。従って、特定的な実施形態の個々の構成要素の特徴を理解するには、他の実施形態の説明及び本発明の要約を参照されたい。

図１は、ＥＵＶリソグラフィ系１を概略図に示しており、ＥＵＶリソグラフィ系のＥＵＶビーム経路３を解説するためなどに役立つものである。リソグラフィ系１のＥＵＶビーム経路３は、リソグラフィ系１の物体平面７に配置された面を有する結像される構造５を結像するためなどに機能する。この目的のために、結像される構造５は、ＥＵＶ放射線源９によって生成されるＥＵＶ放射線で照明される。ＥＵＶ放射線源９は、例えば、５ｎｍから１５ｎｍの波長範囲のＥＵＶ放射線を放出する例えばプラズマ放射線源とすることができる。ＥＵＶ放射線源によって放出される放射線の一部は、コレクターミラー１１において平行化されるように反射され、その結果、基部１５と、基部１５に固定された複数のミラー要素１７とを含む第１のミラー系１３上に入射する。ミラー要素１７において反射されたＥＵＶ放射線は、基部２１と、基部２１に固定された複数のミラー要素２３とを含む第２のミラー系１９上に入射する。ミラー要素２３において反射されたＥＵＶ放射線は、直接的に、又は１つ又は複数の更に別のミラーにおける反射の後に間接的に、結像される構造５上に誘導することができる。図示の例示的な実施形態において、ミラー要素２３において反射されたＥＵＶ放射線は、ＥＵＶビーム経路に互いに前後に配置された３つのミラー２５、２６、及び２７における反射の後に、結像される構造５上にもたらされる。

図２の平面図に、第１のミラー系１３を略示している。ミラー要素１７のミラー面は、平面図において細長い湾曲形状を有し、これらのミラー面の幅ｂは、ミラー要素１７のミラー面の長さｌの５分の１よりも小さく、特に１０分の１よりも小さい。図示の例では、ミラー要素１７は、ミラー要素１７のミラー面が、ミラー要素によって占有される区域を可能な限り埋め尽くすように、互いに横並びに近接して４つの列１４で配置される。ミラー面の中心は、各列１４内で、ミラー面の長さｌよりも有意に小さく、ミラー面の幅ｂに等しいか又はそれよりも幾分大きい互いからの距離をおいて配置される。列１４の中心は、ミラー面の長さｌに等しいか又はそれよりも幾分大きい互いからの距離をおいて配置される。

ＥＵＶビーム経路３は、ＥＵＶ放射線が、各場合に全てのミラー要素１７のミラー面全体を照明し、全てのミラー要素１７において反射されたＥＵＶ放射線が、物体平面７内で、物体平面７上へのミラー要素１７の光学結像に起因して単一のミラー要素１７の形状に対応する形状を有する単一の視野内に重ね合わされ、その結果、全てのミラー要素１７が、物体平面７内で、幅よりも大きい長さを有する湾曲形状を有する単一の視野を照明することに寄与し、照明視野が、ミラー要素１７のミラー面よりも有意に小さいように構成される。

ミラー系１３は、ミラー要素１７のうちの複数又は全てのものミラー面の基部１５に対する向きを変更するために、図２には例示的に２つしか示していない複数のアクチュエータ３１を有する。アクチュエータ３１は、コントローラ３３によって制御線３４を通じて制御される。物体平面７上に入射するＥＵＶ放射線の望ましい角度分布を設定するために、アクチュエータ３１はコントローラ３３によって作動される。角度分布のそのような設定に関する背景情報は、ＥＰ１２０２１０１Ａ２及びＤＥ１０２００９０５４５４０．９から得ることができ、これらの開示内容は、その全範囲が本出願に組み込まれている。

図示の例示的な実施形態の第２のミラー系１９のミラー要素２３は、図３から分るように、正方形の形状を有するミラー面を有する。他の形状のミラー面も同じく可能である。ミラー要素２３は、ミラー系１９の基部２１に対する向きに関して、アクチュエータ（図３には例示していない）を用いて調節可能にすることができ、その結果、第１のミラー系１５のミラー要素１７において反射されたＥＵＶ放射線は、第２のミラー系１９のミラー要素２３における反射の後に、物体平面７内で照明される視野上に入射する。

更に、ＥＵＶリソグラフィ系１は、物体平面７と像平面３９の間のＥＵＶビーム経路３に配置された結像光学系３７を含み、この像平面３９内部には感放射線構造４１の面を配置することができ、その上部には結像される構造５が結像光学系３７によって結像される。この目的のために、結像光学系３７は、複数のミラー４３、４４、４５、４６、４７、及び４８を含み、ＥＵＶ放射線は、結像される構造５における反射の後に、次に、これらのミラーにおいて反射される。図示の例示的な実施形態の結像光学系３７は、結像光学系３７の光学軸４９に沿って配置された６つのミラー４３から４８を有するが、結像光学系の他の例は、物体平面７の像平面３９への結像を得るために、より多数又はより少数のミラーを含むことができる。

図４は、ＥＵＶリソグラフィ系１の観察ビーム経路５１を概略図に示している。観察ビーム経路５１は、第１のミラー系１３のミラー要素１７のミラー面の第１のミラー系１３の基部１５に対する向きを決定するためなどに機能する。この目的のために、ＥＵＶリソグラフィ系１は、観察放射線の複数の放射線ビーム５５をミラー系１３のミラー要素１７上に誘導するように構成された観察放射線源５３を含む。図示の例では、観察放射線は固体レーザ５７又は発光ダイオードによって生成され、光ファイバ５９内に結合され、光ファイバ５９の端部６０において光ファイバ５９から射出する。

光ファイバ５９から射出する観察放射線は、レンズ要素６１を用いて平行化され、回折光学要素６３によって複数の放射線ビームに分割され、これらの放射線ビームは、レンズ要素系６５によってミラー系１３のミラー要素１７上にもたらされる。複数の放射線ビーム５５への観察放射線の分割に起因して、観察放射線は、ミラー要素１７のミラー面上の全区域にわたって入射するわけではない。図２では、ハッチングされた矩形６９は、ミラー要素１７のミラー面１８上での放射線ビーム５５の断面を表している。放射線ビームの幅ｃは、ミラー要素１７のミラー面１８の長さｌよりも小さいことを見ることができる。

ミラー要素１７のミラー面は、入射する観察放射線を反射し、それを集束して、スクリーン７１上にもたらされる個別光点を形成する。スクリーンは、光を散乱させるように設計され、例えば、乳白ガラスから構成される。ミラー要素１７の各々は、スクリーン７１上に、観察放射線で照明される光点を生成し、スクリーン７１上のこの光点の位置は、関係するミラー要素１７のミラー系１３の基部１５に対する向きに依存する。スクリーン７１の後部には結像光学系７３が配置され、結像光学系７３は、スクリーン７１をＣＣＤカメラチップ７７の感放射線層７５上に結像する。この結像は縮小することができ、その結果、複数センチメートルの直径を有することができるスクリーン７１を１センチメートルよりも小さい直径を有することができる市販のカメラチップ７７上に完全に結像することができる。

カメラチップ７７によって検出される像は、コントローラ３３に出力される。コントローラ３３は、各像を像内の放射線強度の分布に関して解析し、それによってスクリーン上に生成される観察放射線のスポットの位置を決定することができる。次に、これらの位置から、コントローラ３３は、ミラー系１３の基部１５に対するミラー要素１７の向きを決定することができる。これらの向きが望ましい向きに対応しない場合には、コントローラ３３は、ミラー要素の望ましい向きを生成するために、アクチュエータ３１（図２）を駆動することができる。

図５は、観察放射線のビーム進路を表す略斜視図であり、それぞれの観察放射線のビーム経路をミラー系１３の各ミラー要素１７に対する線として表している。

図６は、観察放射線源５３と、ミラー要素１７と、スクリーン７１との間の幾何学関係を解説するための概略図である。図６では、観察放射線源５３は、一例として示す３つのミラー要素１７₁、１７₂、７１₃上に観察放射線の放射線ビームを誘導する点放射線源として示している。ミラー要素１７₁、１７₂、７１₃の各々は、ミラー面に割り当てられた平面８１₁、８１₂、８１₃内に観察放射線源５３の像をそれぞれ生成する凹湾曲ミラー面１８を有する。像平面８１₁、８１₂、８１₃は、必ずしも共通の平面に位置しない。しかし、ミラー要素１７₁、１７₂、７１₃と、それぞれのミラー要素１７₁、１７₂、７１₃によって生成される像平面８１₁、８１₂、８１₃の間の距離は、互いに異なるとすることができるという特質が満たされるので、スクリーン７１は、像平面８１₁、８１₂、８１₃の近くに配置され、図６には、これらの距離をそれぞれＡ₁、Ａ₂、及びＡ₃で表している。これらの距離は最小値を有し、図６の図では、この最小値は距離Ａ₂である。更に、像平面８１は、スクリーン７１からの異なる距離を有し、図６にはこれらの距離をそれぞれＢ₁、Ｂ₂、及びＢ₃で表している。これらの距離は最大値を有し、図６の図では、この最大値は距離Ｂ₁である。この最大距離Ｂ₁は、最小距離Ａ₂の半分よりも小さく、特に４分の１よりも小さい。実際には、像平面８１が、全てスクリーンの直近に位置し、時にスクリーンの面に対応することができる。この場合、スクリーン７１上に観察放射線によって生成される光点は特に小さく、従って、２つの光点が互いに重なる確率は特に低い。ミラー要素１７上にもたらされる観察放射線の断面６９（図２）がミラー要素の長さｌよりも小さいことも、この低い重ね合わせ確率に寄与する。その結果、スクリーン上への理想的には点状の観察放射線源５３の結像中の結像収差は低減し、スクリーン上に生成される光点の広がりも同じく低減する。

それにも関わらず、スクリーン７１上に生成される光点は有限の直径を有し、多数のミラー要素１７の場合には、２つ又はそれよりも多くの光点がスクリーン上で重なる確率は確かに存在する。それにも関わらず、スクリーン７１上で重なる光点の位置を可能な限り正確に決定し、次に、これらの位置を関係するミラー要素に割り当て、最後にこれらのミラー要素の向きを決定するという問題が存在する。

図４の例では、カメラ７７上へのスクリーンの縮小結像を示すが、例えば、カメラチップの感放射線層を図４に示すスクリーン７１の位置に配置し、感放射線層が、このスクリーンの機能を実行するようにカメラチップを位置決めすることにより、そのような結像を不要にし、スクリーン上に観察放射線によって生成される光点を直接決定することが望ましい。しかし、実際には、スクリーンの位置における光点７１は、対応するサイズのカメラチップが非常に高価であり、又は市販で入手することができない程大きい区域にわたって配分される。この問題を解決する１つの可能性を図７ａ及び図７ｂを参照して以下に説明する。

図７ａは、観察ビーム経路５１の図をミラー要素１３のミラー要素の平面図に略示している。実質的に点状の観察放射線源５３は、ミラー要素における反射の後にスクリーン７１上に複数の光点９１を生成し、図７ａには、一例として、生成された光点９１のうちの一部及びそれに関する光線のみを示している。光点９１は、直径Ｄ１を有するスクリーン７１にわたって配分される方式で配置される。各ミラー要素１７の向きを決定することができるためには、スクリーン７１上の全ての光点９１の位置を検出しなければならず、その目的のためには、スクリーン７１の直径Ｄ１全体を検出器上に結像するか又はスクリーン７１の位置に大きい直径Ｄ１を有する検出器を配列すべきである。

図７ｂは、複数の観察放射線源５３を有するＥＵＶリソグラフィ系の更に別の実施形態を示している。観察放射線源５３は、互いに横並びに互いからある側方距離をおいて配置され、各場合にその光を適宜にミラー要素の場所においてミラー要素の長さよりも小さいビーム直径を有する放射線ビームとしてミラー要素上に誘導し、スクリーン７１上に光点９１を生成する。図７ａの例と比較すると、図７ｂのスクリーン７１上の光点の個数は、放射線源５３の個数を乗じたものである。各ミラー要素は、スクリーン７１上に、光源５３の個数に対応する個数の光点９１を生成する。しかし、更に、複数の光源５３は互いに横並びにある一定の距離をおいて配置されるので、ミラー要素によって生成される光点は、互いに対して側方にオフセットされる。図７ｂの円７１’は、単一の放射線源５３から全てのミラー要素における反射を通じてもたらされる全ての光点９１が内部に配置される区域を表している。更に、放射線源５３は互いからある一定の距離をおいて配置されるので、これらの円７１’は、互いに対してオフセットされる。図２の円７２は、ミラー要素において反射され、異なる光源５３から射出する観察放射線によって生成される全てのミラー要素１７からのスポット９１が内部に配置されるスクリーンの直径と比較して小さいスクリーン領域を表している。円７２の内部には、各ミラー要素１７が光点９１を生成するので、全てのミラー要素の向きを決定するには、スクリーンの直径７１と比較して小さい領域７２のみを検出器上に結像するか又はスクリーン７１の位置に円７２の直径に対応する直径を有する検出器を配置するだけで十分である。

図７ｂの例におけるスクリーン７１上の増大した個数の光点９１に起因して、２つ又はそれよりも多くの光点がスクリーン上で重なる同じく高い確率が存在し、この場合、スクリーン上の光点の位置を決定して、これらの位置を特定のミラー要素に割り当てるのは困難である。この問題を解決するために、複数の放射線源５３は、異なる波長範囲の観察放射線を放出するものとする。それによって放射線源が放出する波長範囲は、互いに対で異なるとすることができ、従って、観察放射線は、全体として放射線源の個数に対応する個数の波長範囲で放出される。同じく波長範囲が互いに対で異なる観察放射線源群を形成することができる。この場合、スポットを生成する観察放射線が射出する放射線源に基づいて、異なる色のスポットがスクリーン上にもたらされる。この場合、検出器は好ましくは波長感度を有するように設計されるか、又は任意的に図４に示す結像光学系７７のビーム経路内のスクリーンと検出器の間に特定の観察放射線源によって生成された観察放射線しか透過させない異なる障壁フィルタが配置される。その結果、異なる観察放射線源によって生成されるスクリーン上で互いに重なるスポットでさえも、その関係するミラー要素に明確に割り当てることができる。

上記に対して付加的又は代替的に、放射線源５３の各々は、時間的強度変調を有する観察放射線を放出することができる。この場合、全ての放射線源の強度変調を互いに対で異なるとすることができ、又は各群の内部の強度変調は等しいが、群毎には互いに対で異なる放射線源群を形成することができる。各観察放射線源の既知の時間的強度変調の場合には、検出される像の時間分解解析を用いて、検出される光点を関係する観察放射線源又は観察放射線源群に割り当てることができる。

図８は、図１から図３を参照して説明したＥＵＶリソグラフィ系内で達成することができる観察ビーム経路５１の更に別の実施形態の概略図を示している。図８に示す観察ビーム経路５１内には、観察放射線源５３によって生成され、ミラー要素１７において反射された観察放射線を検出するためのプレノプティックカメラ８５が配置される。

この目的のために、プレノプティックカメラ８５は、個々のレンズ要素か、又は複数のレンズ要素から構成されるレンズ要素系を含むことができるカメラレンズ８７と、感放射線層８６を有するカメラチップ７７と、カメラチップ７７とレンズ８７の間に配置されたマイクロレンズ要素８９の平面７１に配置されたアレイとを含む。マイクロレンズ要素８９と感放射線層８６の間の距離は、マイクロレンズ要素８９の焦点距離に対応することができるが、より大きく又はより小さく選択することができる。更に、プレノプティックカメラが個別のレンズ８７を持たず、ミラー要素１７において反射された光線が、マイクロレンズ要素８９のアレイ上に直接入射することができる。アレイのマイクロレンズ要素８９の個数は、１００よりも大きく、１０００よりも大きく、又は１００００よりも大きいとすることができる。カメラチップ７７は空間分解のものであり、例えば、アレイのマイクロレンズ要素８９の数よりも大きい個数のピクセルを有するＣＣＤチップとすることができる。一例として、ピクセルの個数は、マイクロレンズ要素８９の個数の１０倍よりも大きく、１００倍よりも大きく、又は１０００倍よりも大きいとすることができる。図８の線９１は、マイクロレンズ要素８９を通過し、感放射線層８６上に入射する放射線の角度範囲を制限するか、又はそれぞれマイクロレンズ要素８９に割り当てられた感放射線層８６の領域９３の間のクロストークを低減するために、部分的にマイクロレンズ要素８９と感放射線層８６との間で拡がる筒状の管を表している。しかし、そのような分割し９１は、必ずしも設ける必要はない。

観察ビーム経路５１の構成要素は、観察放射線源５３の像が平面７１又は平面７１の近くにもたらされるように構成するか又は互いに対して向きを定めることができる。これは、例えば、図６を参照して上述した幾何学関係が満たされ、図６の参照符号７１がスクリーンを表すのではなく、プレノプティックカメラのマイクロレンズ要素８９のアレイが配置される平面の位置を表す場合である。

図８は、２つの放射線源５３から射出する例示的な光線９３が、複数のミラー要素１７のうちの２つにおいて反射され、プレノプティックカメラ８５のマイクロレンズ要素８９のアレイ上に入射することを示している。この場合、マイクロレンズ要素８９のアレイ上に、垂直に対して過度に大きい角度で入射し、壁９１によって吸収され、従って、検出されない光線を破線に示しており、それに対してマイクロレンズ要素８９によって感放射線層８６上にもたらされる光線９３を実線によって示している。

マイクロレンズ要素８９のうちの１つによって感放射線層８６上にもたらされる光線は、光点を感放射線層８６上に生成し、その領域９３内の位置は、その位置又はその近くに対応する観察放射線源５３の像が生成される関係するマイクロレンズ要素８９に対する位置に依存する。従って、検出される光点の位置から、平面７１内の観察放射線源５３の像の位置を推定し、更にそこから関係するミラー要素の傾斜角を推定することができる。平面７１内の観察放射線源５３の像の位置の小さい変化は、マイクロレンズ要素に起因して感放射線層上の検出光点の位置の比較的大きい変化をもたらし、このようにしてミラー要素の傾斜角を比較的高い精度で検出することができる。

図８には２つの光源５３しか示していない。しかし、観察ビーム経路５１内には、有意に多くの放射線源を配置することができる。この場合、これらの複数の放射線源５３は、異なる波長及び／又は異なる時間的強度変調を有する観察放射線を放出することができ、それによって上述したように個々の放射線源５３及びミラー要素１７への検出観察放射線の割り当てが容易になる。

更に、図８は、観察ビーム経路がＥＵＶビーム経路に対して比較的僅かな付加的な構造空間しか占有しないような観察ビーム経路５１とＥＵＶビーム経路との可能な統合を示している。特に、観察放射線源５３は、ＥＵＶビーム経路の更に別のミラー系１９の隣接するミラー要素の間に配置される。この場合、放射線源５３は、例えば、隣接するミラー要素２３の間にいずれにせよ存在する間隙の間に配置することができ、又はそれに加えてミラー要素２３の間に十分に大きい間隙が存在しない場合には、個々のミラー要素を省き、これらのミラー要素を観察放射線源５３によって置換することができる。

観察放射線源５３は、例えば、遠隔に配置された放射線源からミラー要素２３間の場所に光を案内する光学導波管のファイバ端部によって達成することができ、その結果、ファイバ端部から、測定されるミラー要素１７に向けて光が放出され、従って、ファイバ端部は、観察放射線源の個別光源として機能する。

図９は、図１を参照して説明したリソグラフィ系と類似の構造を有することができ、共通の基部１５に固定された複数のミラー要素１７を有するミラー系１３を含むＥＵＶリソグラフィ系１の更に別の実施形態の詳細を概略図に示している。更に、ミラー系１３は、ＥＵＶリソグラフィ系内の共通の担体１０１に固定され、図９の矢印１０３に示すように位置及び向きに関してこの共通の担体に対して調節可能である。更に、この担体１０１には、例えば、結像される構造に対するマウント、感放射線構造に対するマウント、結像光学系及びＥＵＶ放射線源の構成要素のようなＥＵＶリソグラフィ系１の更に別の構成要素が固定される。担体１０１に対する、従って、ＥＵＶリソグラフィ系１の残りの構成要素に対するミラー系１３の位置及び向きは、非常に高い精度に具現化されることが意図される。

ミラー系の基部に対するミラー系のミラー要素の向きを調節するための例示的な実施形態を図１から図８を参照して説明したが、担体１０１に対してミラー系１３全体、すなわち、ミラー系の基部１５を位置決めすることを可能にするＥＵＶリソグラフィ系の実施形態を図９から図１２を参照して以下に説明する。この目的のために、ＥＵＶリソグラフィ系１は、測定ビームを生成するためのコヒーレント光源を含む干渉計１０５と、測定ビームを基準アームと測定アームに分割するためのビームスプリッタと、基準アームを通過した放射線と測定アームを通過した放射線との重ね合わせによって生成される干渉パターンを検出するための検出器とを含む。干渉計１０５は、担体１０１に固定される。担体１０１にはホログラム１０７が同じく固定され、干渉計１０５の測定アーム内に出力される測定放射線１０９が、このホログラムを通過する。ホログラムは、例えば、コンピュータ上での計算と、例えば、電子ビームデバイスを用いた製造とによって製造することができる回折光学要素である。ホログラム１０７は、ミラー系１３の基部１５に固定されたミラー１１１と協働する。干渉計１０５の測定アームの放射線１０９は、ミラー１１１において反射され、ホログラム１０７を再度通過し、次に、干渉計１０５内で基準アームの放射線と重ね合わされる。ホログラム１０７に対するミラー１１１の僅かな変位は、干渉計１０５の検出器によって検出される干渉パターンの測定可能な変化をもたらし、その結果、担体１０１に対するミラー系１３の基部１５の僅かな変位又は位置誤差でさえも、干渉計１０５を用いて検出することができる。

図１０は、複数の機能領域１１５及び１１７を有するホログラム１０７の平面図を示している。機能領域内では、ホログラムの回折構造は、入射する測定放射線を特定の方式で回折するように形成される。これは、図１１及び図１２の断面から理解することができる。

図１１は、ミラー１１１が、２つの機能領域１１１₁及び１１１₂を有し、ミラー面が、領域１１１₁内で球面形状を有し、領域１１１₂内で非球面形状を有することを示している。ホログラム１０７の機能領域１１５は、個別光線が、球面ミラー面１１１上に実質的に直交して入射し、入射個別光線自体に重なるように反射して戻されるように、平行な入射測定放射線１０９を回折する。ホログラム１０７の機能領域１１７は、非球面ミラー面上に点焦点がもたらされ、それによって測定放射線が同じくそれ自体に重なるように反射して戻されるように放射線１０９を回折する。ホログラム１０７に対するミラー１１１の僅かな変位の場合には、測定放射線が、球面ミラー面１１１₁上に直交入射した後、又は非球面ミラー面１１１₂上での点焦点の形成の後に入射測定放射線自体に重なるように反射して戻されるという上述の条件はもはや満たされず、これは、干渉計１０５によって検出される干渉図形内の対応する変化から検出される。次に、担体１０１に対する基部１５の位置及び／又は向きは、上述の条件が満たされ、得られる干渉図形が望ましい形状を有するまで、アクチュエータを用いて変更することができる。

本発明を本発明のある一定の例示的な実施形態に関して説明したが、当業者には、多くの変形、修正、及び変形が明らかになることは明白である。従って、本明細書に公開した本発明の例示的な実施形態は、いずれの場合であっても例示的であり、限定的ではないように意図したものである。以下に続く特許請求において定める本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な変更を加えることができる。

１３第１のミラー系
１７ミラー要素
３３コントローラ
５１観察ビーム経路
７１スクリーン
７３結像光学系

Claims

ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路とを含むＥＵＶリソグラフィ系であって、
前記ＥＵＶビーム経路において、
結像される構造を配置することができる物体平面を、感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、
ＥＵＶ放射線源と、
前記ＥＵＶ放射線源と前記物体平面の間の前記ＥＵＶビーム経路に配置され、かつ基部と、該基部に固定されて該基部に対するミラー面の向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系と、
前記ＥＵＶ放射線源と前記第１のミラー系との間又は該第１のミラー系と前記物体平面の間の前記ＥＵＶビーム経路に配置され、かつ基部と該基部に固定された複数のミラー要素とを含む第２のミラー系と、
を含み、
前記観察ビーム経路において、
前記第２のミラー系の互いに隣接するミラー要素の間にそれぞれ配置された複数の観察放射線源と、
前記第１のミラー系のミラー要素において反射された観察放射線を検出するための検出器と、
前記観察放射線源と前記検出器の間の前記観察ビーム経路に配置された前記第１のミラー系と、
を含む、
ことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ系。
ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路とを含み、特に請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ系と組み合わされるＥＵＶリソグラフィ系であって、
前記ＥＵＶビーム経路において、
結像される構造を配置することができる物体平面を、感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、
ＥＵＶ放射線源と、
前記ＥＵＶ放射線源と前記物体平面の間の前記ＥＵＶビーム経路に配置され、かつ基部と、該基部に固定されて該基部に対するミラー面の向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系と、
を含み、
前記観察ビーム経路において、
少なくとも１つの観察放射線源と、
スクリーンと、
前記観察放射線源と前記スクリーンの間の前記観察ビーム経路に配置された前記第１のミラー系と、
前記スクリーン上に入射する放射線強度を空間分解方式で検出するように構成された検出器と、
を含み、
前記観察放射線源、前記第１のミラー系、及び前記スクリーンは、
複数の前記ミラー要素の各々が、それぞれのミラー要素に対応する像平面に前記観察放射線源の像を生成し、
前記ミラー要素に対応する前記像平面と前記スクリーンとの間の距離が、最大距離を有し、
前記複数のミラー要素の各々と前記対応する像平面との間の距離が、最小距離を有し、かつ
前記最大距離は、前記最小距離の半分よりも小さい、
ことが真であるように互いに対して配置される、
ことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ系。
前記検出器は、前記スクリーンをもたらす感放射線層を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記スクリーンは、光散乱層を含み、ＥＵＶリソグラフィ系が、該光散乱層を前記検出器の感放射線層上に結像するように構成された結像光学系を更に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記スクリーンは、複数のレンズ要素を含み、該複数のレンズ要素は、互いに隣接して配置され、かつ該レンズ要素上に入射する前記観察放射線源からの光が、該レンズ要素を横切って前記検出器の感放射線層上に入射することができるように該感放射線層から距離をおいて配置されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
ＥＵＶビーム経路と観察ビーム経路とを含み、特に請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系と組み合わされるＥＵＶリソグラフィ系であって、
前記ＥＵＶビーム経路において、
結像される構造を配置することができる物体平面を、感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、
ＥＵＶ放射線源と、
前記ＥＵＶ放射線源と前記物体平面の間の前記ＥＵＶビーム経路に配置され、かつ基部と、該基部に固定されて該基部に対するミラー面の向きが調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系と、
を含み、
前記観察ビーム経路において、
少なくとも１つの観察放射線源と、
検出器と、
前記観察放射線源と前記検出器の間の前記観察ビーム経路に配置された前記第１のミラー系と、
を含み、
前記検出器は、プレノプティックカメラである、
ことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ系。
前記プレノプティックカメラは、少なくとも１つの感放射線層と、該感放射線層から距離をおいて互いに隣接して配置された複数のレンズ要素のアレイとを有することを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記少なくとも１つの観察放射線源、前記第１のミラー系、及び前記プレノプティックカメラは、
複数の前記ミラー要素の各々が、それぞれの該ミラー要素に割り当てられた像平面に前記観察放射線源の像を生成し、
前記ミラー要素に対応する前記像平面と前記プレノプティックカメラの前記レンズ要素アレイが配置された平面との間の距離が、最大距離を有し、
前記複数のミラー要素の各々と該ミラー要素に対応する前記像平面との間の距離が、最小距離を有し、かつ
前記最大距離は、前記最小距離の半分よりも小さい、
ことが真であるように互いに対して配置されることを特徴とする請求項７に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記プレノプティックカメラは、前記第１のミラー系と互いに横並びに配置された前記レンズ要素の前記アレイとの間の前記観察ビーム経路に配置されたレンズを含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記第１のミラー系は、前記基部に対する前記ミラー面の少なくとも一部の向きを変更するための複数のアクチュエータを更に含むことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記検出器の出力信号に基づいて前記アクチュエータを制御するように構成されたコントローラを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記ミラー要素は、平面図で見た時に細長い形状を有して該ミラー要素の幅の少なくとも５倍よりも大きい長さを有するミラー面を含み、
前記観察放射線源は、前記第１のミラー系上に互いから距離をおいて入射する複数の個別の放射線ビームを生成するように構成され、
前記放射線ビームの各々が、前記ミラー系の１つ又は複数のミラー要素上に入射し、
放射線ビームが入射する前記ミラー要素の縦方向の各放射線ビームの側方広がりが、該ミラー要素の長さよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記ミラー要素は、それらのミラー面が、互いに隣接して配置された複数の列に配置されるようにアレイに配置され、
前記列内の前記ミラー面の中心が、該ミラー面の長さよりも小さい互いからの距離をおいて配置され、
前記列の中心が、前記ミラー面の前記長さよりも大きいか又はそれに等しい互いからの距離をおいて配置される、
ことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記少なくとも１つの観察放射線源は、互いに隣接して配置された複数の放射線源を含むことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記放射線源は、予め決定された波長範囲からの放射線をそれぞれ放出し、
少なくとも２つの放射線源の前記波長範囲は、互いに異なる、
ことを特徴とする請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記放射線源は、予め決定された時間的強度変調の放射線をそれぞれ放出し、
少なくとも２つの放射線源の前記時間的強度変調は、互いに異なる、
ことを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
前記第１のミラー系と前記物体平面の間の前記ＥＵＶビーム経路に配置され、かつ共通の基部に固定されて該基部に対する向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素を有する第２のミラー系を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系。
特に請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ系と組み合わされるＥＵＶリソグラフィ系であって、
結像される構造を配置することができる物体平面を、感放射線構造を配置することができる像平面に結像するように構成された結像光学系と、
ＥＵＶ放射線源と、
前記ＥＵＶ放射線源と前記物体平面の間のＥＵＶビーム経路に配置され、かつ基部と、該基部に固定されて該基部に対する向きがそれぞれ調節可能である複数のミラー要素とを含む第１のミラー系と、
測定アームを有する干渉計と、
前記第１のミラー系の前記基部に固定された観察ミラーと、
前記ミラーと前記干渉計の間の前記測定アームのビーム経路に配置されたホログラムと、
を含むことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ系。
前記結像光学系の前記物体平面に対する前記第１のミラー系の前記基部の位置及び／又は向きを変更するように構成されたアクチュエータを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のＥＵＶリソグラフィ系。