DE102009028773A1

DE102009028773A1 - Verfahren zur Qualifizierung eines EUV (Extreme Ultra Violet)- Lithographiesystems, Simulationsbeleuchtungseinrichtung, und Testaufbau

Info

Publication number: DE102009028773A1
Application number: DE102009028773A
Authority: DE
Inventors: Dieter Bader; Berndt Warm; Markus Zenzinger
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2008-12-22
Filing date: 2009-08-21
Publication date: 2010-07-01

Abstract

Ein Testaufbau 40 zur Simulation des Einsatzes der Beleuchtungsoptik 33 eines EUV-Lithographiesystems umfasst eine Beleuchtungseinrichtung 41, die die EUV-Beleuchtungseinrichtung des Lithographiesystems ersetzt. Die Beleuchtungseinrichtung 41 weist eine Halbleiterlichtquelle 411, insbesondere eine Hochleistungsdiode, ein optisches System 412 und eine Maske 413 auf. Die Halbleiterlichtquelle 411 strahlt Licht in einem Wellenlängenbereich ab, der unter Reinraumbedingungen handhabbar ist, beispielsweise zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultra-Violett (DUV). Das optische System 412 und die Maske 413 dienen zur Simulation eines Kollektors des EUV-Beleuchtungssystems. Die von der Halbleiterlichtquelle 411 erzeugte Strahlung wird im Zwischenfokus mit der Blende 35 fokussiert. Nach dem Durchtritt durch die Beleuchtungsoptik 33 wird die Lichtverteilung 36 mittels eines für die von der Halbleiterlichtquelle 41 ausgesandten Lichtwellenlänge geeigneten Sensors, beispielsweise einer Kamera 44, erfasst. Die Simulations-Beleuchtungseinrichtung 41 weist einen wesentlich einfacheren Aufbau auf als eine EUV-Lichtquelle. Außerdem kann die von der Halbleiterlichtquelle 411 erzeugte Strahlung einfach und kostengünstig mittels Standardsensoren bzw. -kameras 44 detektiert werden.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Qualifizierung eines EUV(Extreme Ultra Violet)-Lithographiesystems umfassend den Schritt des Bereitstellens eines Lithographiesystems umfassend wenigstens eine EUV-Beleuchtungseinrichtung mit wenigstens einer EUV-Lichtquelle. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf eine Simulationsbeleuchtungseinrichtung, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens, und einen Testaufbau, umfassend die genannte Simulationsbeleuchtungseinrichtung.
STAND DER TECHNIK
Da mittels Lithographieverfahren, beispielsweise in der Halbindustrie, immer kleinere Strukturen hergestellt werden sollen, müssen Belichtungsquellen verwendet werden, die Strahlung mit ausreichend kleiner Wellenlänge erzeugen. Unter anderem wird Belichtungsstrahlung im EUV-Bereich (Extreme Ultra Violet; weiche Röntgenstrahlung mit Wellenlängen von ca. 10 nm bis 15 nm) eingesetzt. Zur Erzeugung der Strahlung wird innerhalb der Lichtquelle ein Plasma generiert, beispielsweise durch Entladung oder durch Lasereinstrahlung. Bei laserinduzierten Plasmaquellen kann ein gasförmiges, flüssiges oder festes Target, beispielsweise Xenon, Lithium, Gold und/oder Zinn verwendet werden.
Zur Erzeugung des Plasmas muss innerhalb der Lichtquelle ein Vakuum hergestellt und aufrecht erhalten werden. Während der langen Pumpzeiten kann das EUV-Lithographiesystem nicht betrieben werden. Außerdem haben Lichtquellen für EUV-Systeme den Nachteil einer kurzen Lebensdauer. Herkömmliche EUV-Lichtquellen geben zudem im Betrieb Teilchen ab, die die im Lithographiesystem verwendete Optik belasten und verschmutzen.
Ein weiterer Nachteil tritt bei der Inbetriebnahme und Wartung eines Systems auf. Vor dem Einsatz des Lithographiesystems müssen verschiedene Parameter getestet werden, um das System zu qualifizieren. Beim Einsatz der EUV-Lichtquelle sind dazu spezielle, aufwendige Testapparaturen erforderlich. Aus diesen Gründen ist die Qualifikation von Lithographiesystemen mit EUV-Lichtquellen mit hohem Aufwand und hohen Kosten verbunden.
AUFGABE DER ERFINDUNG
Ausgehend davon besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine einfache und kostengünstige Möglichkeit bereitzustellen, Lithographiesysteme mit EUV-Lichtquellen zu qualifizieren.
TECHNISCHE LÖSUNG
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Qualifizierung eines EUV(Extreme Ultra Violet)-Lithographiesystems nach Anspruch 1, eine Simulationsbeleuchtungseinrichtung nach Anspruch 12, und einen Testaufbau nach Anspruch 18. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Merkmalen der abhängigen Ansprüche.
Ein Verfahren zur Qualifizierung eines EUV(Extreme Ultra Violet)-Lithographiesystems, umfasst die Schritte: a) Bereitstellen eines Lithographiesystems umfassend wenigstens eine EUV-Beleuchtungseinrichtung mit wenigstens einer EUV-Lichtquelle; b) Einsetzen einer Simulationsbeleuchtungseinrichtung in das Lithographiesystem; und c) Detektion der von der Simulationsbeleuchtungseinrichtung emittierten elektromagnetischen Strahlung in wenigstens einer Betrachtungsebene des Lithographiesystems.
Durch einen Einsatz von Simulationslichtquellen zur Simulation einer EUV-Lichtquelle eines EUV-Lithographiesystems in den unterschiedlichsten Betrachtungsebenen, beispielsweise Feldebenen, Pupillenebene oder Zwischenebenen, wird eine wenig aufwendige und kostengünstige Qualifizierung des Lithographiesystems möglich. Die Simulationslichtquelle kann anstelle oder zusätzlich zur EUV-Beleuchtungseinrichtung bzw. EUV-Lichtquelle im Testaufbau angeordnet werden. Hinsichtlich der Art der verwendeten Lichtquelle ist der Benutzer nicht beschränkt, d. h. er muss keine EUV-Lichtquelle verwenden, sondern kann auf jede beliebige geeignete Lichtquelle zurückgreifen. Simulationslichtquellen sind vorteilhafterweise hinsichtlich ihres Aufbaus einfacher und zudem preisgünstiger als EUV-Lichtquellen.
Die Simulationsbeleuchtungseinrichtung weist vorzugsweise wenigstens eine Simulationslichtquelle auf, die im Verfahrensschritt c) wenigstens Strahlung einer Wellenlänge emittiert, die unter Reinraumbedingungen handhabbar ist, und die beispielsweise im Bereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultraviolett (DUV) emittiert.
sDabei können unterschiedliche Lichtquellen eingesetzt werden, die Strahlung mit Wellenlängen von Infrarot (IR) bis Deep Ultraviolett (DUV) erzeugen können. Die Qualifizierung kann somit mit kostengünstigen Lichtquellen und Sensoren (wie Standardkameras) durchgeführt werden. Die Lichtquellen können Glühlampen, Kaltlichtquellen, insbesondere aber auch Halbleiterlichtquellen wie LEDs oder Laserdioden sein. Ein Betrieb dieser Lichtquellen im Vakuum ist nicht erforderlich.
Die Wellenlänge kann beispielsweise in Abhängigkeit von den verwendeten Detektoren, Fluoreszenzschirmen, etc., ausgewählt werden, um die Messtechnik für die EUV-Lichtquelle mit einer Halbleiterquelle zu qualifizieren.
Insbesondere weist die Simulationsbeleuchtungseinrichtung wenigstens eine Simulationslichtquelle auf, die im Verfahrensschritt c) wenigstens Strahlung einer Wellenlänge im sichtbaren Bereich emittiert. In diesem Fall ist die Justage des optischen Systems auf einfachste Weise möglich, da die Strahlführung im sichtbaren Bereich visuell besonders gut nachvollziehbar ist.
Insbesondere wird die Simulationsbeleuchtungseinrichtung im Verfahrensschritt b) anstelle der EUV-Beleuchtungseinrichtung eingesetzt. Dies bedeutet, dass zwischen den Schritten a) und b) ein weiterer Verfahrensschritt erfolgt, nämlich: Ausbauen der EUV-Beleuchtungseinrichtung bzw. der EUV-Lichtquelle aus dem EUV-Lithographiesystem.
Der Verfahrensschritt c) umfasst vorzugsweise eine Detektion der Strahlführung der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung.
Das Einsetzen der Simulationsbeleuchtungseinrichtung im Verfahrensschritt b) kann zur Simulation des Hot Spots des EUV-Lithographiesystems erfolgen.
Die Detektion der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung im Verfahrensschritt c) kann in verschiedenen Betrachtungsebenen des EUV-Lithographiesystems erfolgen.
Die Detektion der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung kann eine visuelle Erfassung der Strahlführung der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung umfassen, und das Verfahren kann einen weiteren Verfahrensschritt umfassen: d) Justage wenigstens eines optischen Elements des EUV-Lithographiesystems. Diese Methode ist besonders beim Einsatz einer Simulationslichtquelle, die im sichtbaren Bereich abstrahlt, anwendbar.
Der Verfahrensschritt c) umfasst vorzugsweise die Detektion der Lichtverteilung der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung in wenigstens einer vorgegebenen Betrachtungsebene.
Der Verfahrensschritt c) kann die Detektion der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung hinter einer Beleuchtungsoptik des EUV-Lithographiesystems umfassen.
Die Detektion der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung im Verfahrensschritt c) kann mittels eines Sensors zur Detektion von Licht im Wellenlängenbereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultraviolett (DUV) erfolgen.
Ein erfindungsgemäße Simulationsbeleuchtungseinrichtung, insbesondere zur Durchführung eines Verfahrens wie oben beschrieben, weist wenigstens eine Lichtquelle auf, die elektromagnetische Strahlung wenigstens in einem Wellenlängenbereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultraviolett (DUV) emittiert.
Die Lichtquelle emittiert vorzugsweise elektromagnetische Strahlung wenigstens im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts.
Die Lichtquelle kann eine Glühlampe, eine Kaltlichtquelle und/oder eine Halbleiterlichtquelle, insbesondere eine Licht emittierende Diode (LED) oder eine Laserdiode, umfassen. Die Diode kann beispielsweise eine Hochleistungsdiode sein, die im Zwischenfokus der Beleuchtung zur Feldqualifizierung eingesetzt wird.
Die Simulationsbeleuchtungseinrichtung umfasst insbesondere wenigstens einen Lichtleiter, an dessen erstes Ende die Lichtquelle angeschlossen ist, und von dessen zweitem Ende die von der Lichtquelle emittierte Strahlung abgestrahlt wird. Der Lichtleiter kann eine optische Faser, z. B. eine Glasfaser oder ein Faserbündel sein. Zunächst wird das von der Simulationslichtquelle abgestrahlte Licht in den Lichtleiter eingekoppelt, um am zweiten Ende des Lichtleiters definiert abgegeben zu werden.
Das zweite Ende des Lichtleiters ist vorzugsweise derart geformt, dass die Geometrie der Abstrahlung der von der Lichtquelle emittierten Strahlung der Geometrie der Abstrahlung der in einem EUV-Lithographiesystem verwendeten EUV-Lichtquelle entspricht.
Die Lichtquelle kann wenigstens ein optisches System und/oder wenigstens eine optische Maske zur Simulation des EUV-Beleuchtungssystems aufweisen. Das optische System und die optische Maske sind dabei zur Simulation des Kollektors mit einer Haltestruktur des Kollektors vorgesehen. Die Maske bildet die Haltestruktur des Kollektors in der Feldebene, in der die Lichtverteilung gemessen wird, ab.
Ein erfindungsgemäßer Testaufbau umfasst ein EUV-Lithographiesystem, und eine Simulationsbeleuchtungseinrichtung wie oben beschrieben. Die Simulationsbeleuchtungseinrichtung kann anstelle oder zusätzlich zur EUV-Beleuchtungseinrichtung des EUV-Lithographiesystems vorgesehen sein. D. h. das EUV-Lithographiesystem kann für den Testaufbau mit oder ohne EUV-Beleuchtungseinrichtung bereitgestellt werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Simulationsbeleuchtungseinrichtung anstelle einer bestimmungsgemäßen EUV-Beleuchtungseinrichtung im Testaufbau angeordnet.
Der Testaufbau kann wenigstens ein optisches System und/oder eine optische Maske umfassen, die anstelle oder zusätzlich zur bestimmungsgemäßen EUV-Beleuchtungseinrichtung angeordnet sind.
Der Testaufbau kann wenigstens einen Sensor zur Detektion der von der Simulationsbeleuchtungseinrichtung emittierten Strahlung wenigstens in einem Wellenlängenbereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultraviolett (DUV) umfassen. Die dazu einsetzbaren Sensoren, beispielsweise für die Pupillen- oder Feldqualifikation, sind kostengünstiger und langlebiger als entsprechende Messeinrichtungen für EUV-Strahlung.
Der Testaufbau umfasstvorzugsweise wenigstens einen Sensor zur Detektion der von der Simulationsbeleuchtungseinrichtung emittierten Strahlung wenigstens im sichtbaren Wellenlängenbereich.
Der Sensor ist insbesondere zur Messung der Lichtverteilung in wenigstens einer vorgegebenen Betrachtungsebene des EUV-Lithographiesystems, insbesondere hinter einer Beleuchtungsoptik des EUV-Lithographiesystems, angeordnet.
Der Sensor kann beispielsweise eine Kamera, einen Film, einen Fotolack, einen Fluoreszenzschirm und/oder ein Fotoelement umfassen.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele anhand der Figuren deutlich. Es zeigen:
1a eine herkömmliche EUV-Plasma-Lichtquelle;
1b eine erfindungsgemäße Simulation des Hot Spots einer EUV-Plasma-Lichtquelle;
2a ein herkömmlichen Aufbau eines EUV-Lithographiesystems; und
2b einen erfindungsgemäßen Testaufbau zur Qualifizierung eines EUV-Lithographiesystems.
BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
In der 1a ist die Beleuchtungseinrichtung 10 eines EUV-Lithographiesystems dargestellt. Die Beleuchtungseinrichtung 10 umfasst eine EUV-Plasma-Lichtquelle 11, die beispielsweise auf Basis eines Xenon-Plasmas unter Vakuumbedingungen betrieben wird und EUV-Strahlung von ca. 13 nm erzeugt. Die Strahlung, angedeutet durch Pfeile, wird in einem Kollektor 12 gesammelt und in einem Zwischenfokus (nicht dargestellt) fokussiert.
In der 1b ist die Beleuchtungseinrichtung 20 in einem Testaufbau zur Simulation der EUV-Lichtquelle dargestellt. Die Beleuchtungseinrichtung 20 besteht in diesem Fall aus einem Kollektor 12 des Lithographiesystems und einem Beleuchtungssystem 21, das eine LED/Laserdiode 210 als Lichtquelle, eine optische Faser 211 als Lichtleiter und ein entmanteltes, geformtes Faserende 212 aufweist. Mittels des Beleuchtungssystems 21 kann der Hot Spot der EUV-Plasma-Lichtquelle 11 so nachgebildet werden, dass die Leuchtverteilung der Original-Lichtquelle entspricht, allerdings mit Lichtwellenlängen zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultraviolett (DUV), die wesentlich leichter zu detektieren sind. Ist beispielsweise die reguläre EUV-Plasmalichtquelle 11 4 × 0,5 mm² oder 1,0 × 1,3 mm² groß, so kann diese Größe durch optische Fasern 211 und entsprechend geformte Faserenden 212 nachgebildet werden. Die Form des Faserendstücks 212 kann beispielsweise durch Schleifen, Polieren, Aufrauen, etc., der Form der EUV-Lichtquelle 11 angepasst werden. Durch den Einsatz der LED 210 wird eine hohe Lichtintensität von den Faserenden 212 abgestrahlt.
In der 2a ist schematisch ein EUV-Lithographiesystem 30 skizziert. Es umfasst eine EUV-Beleuchtungseinrichtung 31 mit einer Lichtquelle 311 und einem Kollektor 312, eine Beleuchtungsoptik 33 sowie eine lithographische Maske 34.
Die durch Pfeile angedeuteten EUV-Strahlen werden, ausgehend von der EUV-Lichtquelle 311, in dem Kollektor 312 umgelenkt und in einem Zwischenfokus mit einer Blende 35 gebündelt.
Nach dem Austritt aus der Beleuchtungsoptik 33 weist die Strahlung eine bestimmte Lichtverteilung 36 auf. Diese Strahlung trifft auf die lithographische Maske 34 auf.
In der 2b ist ein Testaufbau 40 zur Simulation des Einsatzes der Beleuchtungsoptik 33 skizziert. In diesem Testaufbau 40 ist die gesamte Beleuchtungseinrichtung 31 aus der 2a durch eine Beleuchtungseinrichtung 41 ersetzt, die eine Halbleiterlichtquelle 411, insbesondere eine Hochleistungsdiode, ein optisches System 412 und eine Maske 413 umfasst.
Der Kollektor 312 aus der 2a weist herkömmlicherweise optisch wirksame Elemente auf, die an einer Haltestruktur befestigt sind. Die in der 2b dargestellte Maske 413 dient zur Simulation der Haltestruktur des Kollektors 312. Das optische System 412 wird eingesetzt, um die von der Halbleiterlichtquelle 411 erzeugte Strahlung im Zwischenfokus mit der Blende 35 zu fokussieren.
Nach dem Durchtritt durch die Beleuchtungsoptik 33 wird die Lichtverteilung 36 mittels eines für die von der Halbleiterlichtquelle 41 ausgesandten Lichtwellenlänge geeigneten Sensors, beispielsweise eine Kamera 44, erfasst. Die Simulations-Beleuchtungseinrichtung 41 weist einen wesentlich einfacheren Aufbau auf als die EUV-Lichtquelle 311. So kann eine einfache Halbleiterlichtquelle 411 verwendet werden, die, anders als die EUV-Lichtquelle 311, kein Vakuum erfordert. Pumpzeiten können so vermieden werden, ebenso eine Verschmutzung des Systems beim Testen. Außerdem kann die von der Halbleiterlichtquelle 411 erzeugte Strahlung (z. B. im sichtbaren Bereich) in der Beleuchtungsoptik 33 verfolgt und einfach und kostengünstig mittels Standardsensoren bzw. -kameras 44 detektiert werden. EUV-Lichtquelle 311, d. h. die Lichtverteilung 36, wesentlich einfacherer möglich als bei Einsatz einer EUV-Lichtquelle 31. Dies erlaubt eine einfache Justage sowie Feldqualifizierung durch Erfassung der Lichtverteilung 36 hinter der Beleuchtungsoptik 33.

Claims

Verfahren zur Qualifizierung eines EUV(Extreme Ultra Violet)- Lithographiesystems, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen eines Lithographiesystems umfassend wenigstens eine EUV-Beleuchtungseinrichtung (10, 31) mit wenigstens einer EUV-Lichtquelle (11, 311); b) Einsetzen einer Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) in das Lithographiesystem; und c) Detektion der von der Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) emittierten elektromagnetischen Strahlung in wenigstens einer Betrachtungsebene des Lithographiesystems.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) wenigstens eine Simulationslichtquelle (210, 411) aufweist, die im Verfahrensschritt c) wenigstens Strahlung einer Wellenlänge in einem Bereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultra-Violett (DUV) emittiert.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) wenigstens eine Simulationslichtquelle (210, 411) aufweist, die im Verfahrensschritt c) wenigstens Strahlung einer Wellenlänge im sichtbaren Bereich emittiert.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) im Verfahrensschritt b) anstelle der EUV-Beleuchtungseinrichtung (11, 31) eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt c) eine Detektion der Strahlführung der von der Simulationslichtquelle (210) emittierten Strahlung umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Einsetzen der Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) im Verfahrensschritt b) zur Simulation des Hot Spots des EUV-Lithographiesystems erfolgt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektion der von der Simulationslichtquelle (21, 41) emittierten Strahlung im Verfahrensschritt c) in verschiedenen Betrachtungsebenen des EUV-Lithographiesystems (40) erfolgt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektion der von der Simulationslichtquelle emittierten Strahlung eine visuelle Erfassung der Strahlführung der von der Simulationslichtquelle (210, 411) emittierten Strahlung umfasst und das Verfahren einen weiteren Verfahrensschritt umfasst: d) Justage wenigstens eines optischen Elements des EIN-Lithographiesystems.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt c) die Detektion der Lichtverteilung der von der Simulationslichtquelle (210, 411) emittierten Strahlung in wenigstens einer vorgegebenen Betrachtungsebene umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt c) die Detektion der von der Simulationslichtquelle (210, 411) emittierten Strahlung hinter einer Beleuchtungsoptik (33) des EUV-Lithographiesystems umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektion der von der Simulationslichtquelle (210, 411) emittierten Strahlung im Verfahrensschritt c) mittels eines Sensors zur Detektion von Licht im Wellenlängenbereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultra-Violett (DUV) erfolgt.
Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41), insbesondere zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) wenigstens eine Lichtquelle (210, 412) aufweist, die elektromagnetische Strahlung wenigstens in einem Wellenlängenbereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultra-Violett (DUV) emittiert.
Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (210, 412) elektromagnetische Strahlung wenigstens im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts emittiert.
Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (210, 412) eine Glühlampe, eine Kaltlichtquelle und/oder eine Halbleiterlichtquelle, insbesondere eine Licht emittierende Diode (LED) oder eine Laserdiode, umfasst.
Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) wenigstens einen Lichtleiter (211) umfasst, an dessen erstes Ende die Lichtquelle (210) angeschlossen ist, und von dessen zweitem Ende die von der Lichtquelle (210) emittierte Strahlung abgestrahlt wird.
Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Ende des Lichtleiters (211) derart geformt ist, dass die Geometrie der Abstrahlung der von der Lichtquelle emittierten Strahlung der Geometrie der Abstrahlung der in einem EUV-Lithographiesystem verwendeten EUV-Lichtquelle entspricht.
Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (210, 412) wenigstens ein optisches System (412) und/oder wenigstens eine optische Maske (413) zur Simulation des EUV-Beleuchtungssystems aufweist.
Testaufbau (20, 40), umfassend ein EUV-Lithographiesystem (30), und eine Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 17.
Testaufbau (20, 40) nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) anstelle einer bestimmungsgemäßen EUV-Beleuchtungseinrichtung (10) angeordnet ist.
Testaufbau (20, 40) nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Testaufbau (20, 40) wenigstens ein optisches System (412) und/oder eine optische Maske (413) umfasst, die anstelle der bestimmungsgemäßen EUV-Beleuchtungseinrichtung (31, 32) angeordnet sind.
Testaufbau nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Testaufbau (20, 40) wenigstens einen Sensor (44) zur Detektion der von der Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) emittierten Strahlung wenigstens in einem Wellenlängenbereich zwischen Infrarot (IR) und Deep Ultra-Violett (DUV) umfasst.
Testaufbau (20, 40) nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Testaufbau (20, 40) wenigstens einen Sensor (44) zur Detektion der von der Simulationsbeleuchtungseinrichtung (21, 41) emittierten Strahlung wenigstens im sichtbaren Wellenlängenbereich umfasst.
Testaufbau (20, 40) nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (44) zur Messung der Lichtverteilung (36) in wenigstens einer vorgegebenen Betrachtungsebene des EUV-Lithographiesystems (30), insbesondere hinter einer Beleuchtungsoptik (33) des EUV-Lithographiesystems (30), angeordnet ist.
Testaufbau (20, 40) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 18 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (44) eine Kamera, einen Film, einen Fotolack, einen Fluoreszenzschirm und/oder ein Fotoelement umfasst.