JP2014048192A - 物体検出装置および情報取得装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】目標領域が比較的近距離に設定される使用形態において、撮像素子の撮像範囲に、適正かつ所望の分解能にてドットを含めることが可能な情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供する。
【解決手段】情報取得装置は、目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系11と、投射光学系11に対して所定の距離だけ離れて並ぶように配置され、目標領域を撮像する受光光学系12と、を備える。投射光学系11は、投射光学系11と受光光学系12の並び方向から受光光学系12に近づく方向に傾けられるように配置される。投射光学系11は、所定波長の光を出射するレーザ光源111と、レーザ光源111から出射されたレーザ光を平行光よりも収束させるコリメータレンズ112と、を有する。
【選択図】図5
【解決手段】情報取得装置は、目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系11と、投射光学系11に対して所定の距離だけ離れて並ぶように配置され、目標領域を撮像する受光光学系12と、を備える。投射光学系11は、投射光学系11と受光光学系12の並び方向から受光光学系12に近づく方向に傾けられるように配置される。投射光学系11は、所定波長の光を出射するレーザ光源111と、レーザ光源111から出射されたレーザ光を平行光よりも収束させるコリメータレンズ112と、を有する。
【選択図】図5
Description
本発明は、目標領域に光を投射したときの反射光の状態に基づいて目標領域内の物体を検出する物体検出装置およびこれに用いて好適な情報取得装置に関する。
従来、光を用いた物体検出装置が種々の分野で開発されている。いわゆる距離画像センサを情報取得装置として用いた物体検出装置では、2次元平面上の平面的な画像のみならず、検出対象物体の奥行き方向の形状や動きを検出することができる。かかる物体検出装置では、レーザ光源やLED(Light Emitting Diode)から、予め決められた波長帯域の光が目標領域に投射され、その反射光がCMOSイメージセンサ等の受光素子により受光(撮像)される。情報取得装置として、種々のタイプのものが知られている。
所定のドットパターンを持つ光を目標領域に照射するタイプの情報取得装置では、ドットパターンを持つ光の目標領域からの反射光が、受光素子によって受光される。そして、ドットの受光素子上の受光位置に基づいて、三角測量法を用いて、検出対象物体の各部(検出対象物体上の各ドットの照射位置)までの距離が検出される(たとえば、非特許文献1)。
第19回日本ロボット学会学術講演会(2001年9月18−20日)予稿集、P1279−1280
上記情報取得装置では、目標領域が比較的近距離に設定される場合が想定され得る。たとえば、ハウジング等の被対象物に所定の部品を実装する実装装置において、当該部品の実装状態をモニタするために、上記情報取得装置が用いられる。このような場合、情報取得装置から目標領域までの距離は、たとえば、100mm以内に設定される。
しかしながら、情報取得装置では、投射光学系と受光光学系が、光の投射方向に垂直な方向に所定距離だけに互いに離れるように設置されるため、目標領域が近距離に設定されると、投射光学系から所定の広がりを持って投射された光が、目標領域において、受光光学系の視野範囲(撮像範囲)に適正に含まれなくなってしまう。
また、上記のような使用形態では、目標領域の範囲がかなり小さくなるため、目標領域の広さに対するドットの大きさが相対的に大きくなり、目標領域内に分解能良くドットを含めにくくなる。このため、上記のような使用形態では、目標領域中に適正な分解能にてドットを含めるための手段が必要となる。
本発明は、このような問題を解消するためになされたものであり、目標領域が比較的近距離に設定される使用形態において、撮像素子の撮像範囲内に、適正かつ所望の分解能にてドットを含めることが可能な情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様は、光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置に関する。
本態様に係る情報取得装置は、前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備える。前記投射光学系は、前記投射光学系と前記受光光学系の並び方向から前記受光光学系に近づく方向に傾けられるように配置される。また、前記投射光学系は、所定波長の光を出射する光源と、前記光源から出射された光を平行光よりも収束させるレンズと、を有する。
本態様に係る情報取得装置は、前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備える。前記投射光学系は、前記投射光学系と前記受光光学系の並び方向から前記受光光学系に近づく方向に傾けられるように配置される。また、前記投射光学系は、所定波長の光を出射する光源と、前記光源から出射された光を平行光よりも収束させるレンズと、を有する。
本発明の第2の態様は、物体検出装置に関する。この態様に係る物体検出装置は、上記第1の態様に係る情報取得装置を有する。
本発明によれば、目標領域が比較的近距離に設定される使用形態において、撮像素子の撮像範囲に、適正かつ所望の分解能にてドットを含めることが可能な情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供することができる。
本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。
以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態には、所定のドットパターンを持つレーザ光を目標領域に照射するタイプの情報取得装置が例示されている。
本実施の形態において、レーザ光源111は、特許請求の範囲に記載の「光源」に相当する。コリメータレンズ112は、特許請求の範囲に記載の「レンズ」に相当する。DOE114は、特許請求の範囲に記載の「回折光学素子」に相当する。ベースプレート300は、特許請求の範囲に記載の「ベース部材」に相当する。ただし、これらの対応関係は、あくまでも一例であって、特許請求の範囲を実施の形態に限定するものではない。
図1に本実施の形態に係る物体検出装置の概略構成を示す。図示の如く、物体検出装置は、情報取得装置1と、情報処理装置2とを備えている。図1には、便宜上、投射光学系11と受光光学系12に関する方向を示すために、互いに直交するX−Y−Z軸が付されている。
情報取得装置1は、光学部の構成として、投射光学系11と受光光学系12とを備えて
いる。投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に並ぶように、情報取得装置1に配置される。
いる。投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に並ぶように、情報取得装置1に配置される。
投射光学系11は、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、反射ミラー113と、回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element)114とを備えている。
また、受光光学系12は、フィルタ121と、アパーチャ122と、撮像レンズ123と、CMOSイメージセンサ124とを備えている。この他、情報取得装置1は、回路部の構成として、CPU(Central Processing Unit)21と、レーザ駆動回路22と、撮像
信号処理回路23と、入出力回路24と、メモリ25を備えている。
また、受光光学系12は、フィルタ121と、アパーチャ122と、撮像レンズ123と、CMOSイメージセンサ124とを備えている。この他、情報取得装置1は、回路部の構成として、CPU(Central Processing Unit)21と、レーザ駆動回路22と、撮像
信号処理回路23と、入出力回路24と、メモリ25を備えている。
レーザ光源111は、いわゆるCANタイプの半導体レーザであり、受光光学系12から離れる方向に波長405nm程度の狭波長帯域のレーザ光を出力する。コリメータレンズ112は、レーザ光源111から出射されたレーザ光を平行光よりもさらに収束させる。
反射ミラー113は、コリメータレンズ112側から入射されたレーザ光をDOE114に向かう方向(Z軸方向)に反射する。
DOE114は、板状の部材より構成され、出射面が目標領域に向くように設置されている。DOE114には、入射面に回折パターンが形成されている。この回折パターンによる回折作用により、DOE114に入射したレーザ光は、ドットパターンのレーザ光に変換されて、目標領域に照射される。回折パターンは、たとえば、ステップ型の回折格子が所定のパターンで形成された構造とされる。回折格子は、コリメータレンズ112を透過したレーザ光をドットパターンのレーザ光に変換するよう、パターンとピッチが調整されている。ドットパターン中の各ドットは、DOE114に入射したレーザ光が、回折格子によって分離されたものである。
DOE114は、反射ミラー113から入射したレーザ光を、放射状に広がるドットパターンのレーザ光として、目標領域に照射する。目標領域における各ドットの大きさは、コリメータレンズ112による収束作用に応じた大きさとなる。DOE114にて回折されないレーザ光(0次光)は、DOE114を透過してそのまま直進する。目標領域における0次光のスポットの大きさも、他のドットと同様、コリメータレンズ112による収束作用に応じた大きさとなる。
目標領域から反射されたレーザ光は、フィルタ121とアパーチャ122を介して撮像レンズ123に入射する。
フィルタ121は、レーザ光源111の出射波長(405nm程度)を含む波長帯域の光を透過し、可視光の波長帯域をカットするバンドパスフィルタである。アパーチャ122は、撮像レンズ123のFナンバーに合うように、外部から入射する光の外周部を遮光する。撮像レンズ123は、アパーチャ122を介して入射された光をCMOSイメージセンサ124上に集光する。撮像レンズ123は、複数枚のレンズからなっている。
CMOSイメージセンサ124は、撮像レンズ123にて集光された光を受光して、画素毎に、受光量に応じた信号(電荷)を撮像信号処理回路23に出力する。ここで、CMOSイメージセンサ124は、各画素における受光から高レスポンスでその画素の信号(電荷)を撮像信号処理回路23に出力できるよう、信号の出力速度が高速化されている。
CPU21は、メモリ25に格納された制御プログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU21には、レーザ光源111を制御するためのレーザ
制御部21aと、3次元距離情報を生成するための距離演算部21bの機能が付与される。
制御部21aと、3次元距離情報を生成するための距離演算部21bの機能が付与される。
レーザ駆動回路22は、CPU21(レーザ制御部21a)からの制御信号に応じてレーザ光源111を駆動する。
撮像信号処理回路23は、CMOSイメージセンサ124を制御して、CMOSイメージセンサ124で生成された各画素の信号(電荷)をライン毎に順次取り込む。そして、取り込んだ信号を順次CPU21に出力する。CPU21は、撮像信号処理回路23から供給される信号(撮像信号)をもとに、情報取得装置1から検出対象物の各部までの距離を、距離演算部21bによる処理によって算出する。入出力回路24は、情報処理装置2とのデータ通信を制御する。
情報処理装置2は、CPU31と、入出力回路32と、メモリ33を備えている。
CPU31は、メモリ33に格納された制御プログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU31には、画像中の物体を検出するための物体検出部31aの機能が付与される。
たとえば、情報処理装置2が、光学部品をハウジングに実装する部品実装システムに搭載され、光学部品の実装状態をモニタするために、情報取得装置1が用いられるような場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から光学部品のXYZ軸方向の位置を検出する。そして、CPU31は、検出された光学部品の位置に応じて、光学部品が所定の位置に適正に実装されるよう、光学部品をハウジングに設置するロボットを制御する。この場合、CPU31は、物体検出部31aにより検出された光学部品のXYZ軸方向の位置に基づいて、ロボットを駆動する駆動部に、制御信号を出力する。
入出力回路32は、情報取得装置1とのデータ通信を制御する。
図2(a)は、目標領域に対するレーザ光の照射状態を模式的に示す図、図2(b)は、CMOSイメージセンサ124におけるレーザ光の受光状態を模式的に示す図である。なお、図2(b)には、便宜上、目標領域に平坦な面(スクリーン)が存在するときの受光状態が示されている。
投射光学系11からは、ドットパターンを持ったレーザ光(以下、このパターンを持つレーザ光の全体を「DP光」という)が、目標領域に照射される。図2(a)には、DP光の光束領域が実線の枠によって示されている。DP光の光束中には、DOE114による回折作用によって生成されたドット領域(以下、単に「ドット」という)が、DOE114による回折作用によるドットパターンに従って点在している。上記のように、ドットパターン中の各ドットは、DOE114に入射したレーザ光が、回折格子によって分離されたものである。
なお、図2(a)において、DP光の光束は、距離検出のために、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分される。各セグメント領域は、ドットの点在パターンをもって、他のセグメント領域から区別可能となっている。すなわち、各セグメント領域には、複数のドットが含まれており、セグメント領域内におけるドットの分布が、他のセグメント領域と異なっている。
目標領域に平坦な面(スクリーン)が存在すると、これにより反射されたDP光の各セ
グメント領域は、図2(b)のように、CMOSイメージセンサ124上においてマトリックス状に分布する。図2(b)には、CMOSイメージセンサ124上のDP光の全受光領域が破線の枠によって示され、CMOSイメージセンサ124の撮像有効領域に入射するDP光の受光領域が実線の枠によって示されている。
グメント領域は、図2(b)のように、CMOSイメージセンサ124上においてマトリックス状に分布する。図2(b)には、CMOSイメージセンサ124上のDP光の全受光領域が破線の枠によって示され、CMOSイメージセンサ124の撮像有効領域に入射するDP光の受光領域が実線の枠によって示されている。
図3は、本実施の形態に係る距離検出手法を説明する図である。
図3に示すように、投射光学系11から所定の距離Lsの位置に、Z軸方向に垂直な平坦な反射平面RSが配置される。出射されたDP光は、反射平面RSによって反射され、受光光学系12のCMOSイメージセンサ124に入射する。
以下、反射平面RSからの反射によって得られた全画素値からなる画像を、「基準画像」、反射平面RSを「基準面」と称する。
たとえば、図3に示すように距離Lsよりも近い位置に物体がある場合、基準画像上のセグメント領域Snに対応するDP光(DPn)は、物体によって反射され、セグメント領域Snとは異なる領域Sn’に入射する。投射光学系11と受光光学系12はX軸方向に隣り合っているため、セグメント領域Snに対する領域Sn’の変位方向はX軸に平行となる。図3の場合、物体が距離Lsよりも近い位置にあるため、領域Sn’は、セグメント領域Snに対してX軸正方向に変位する。物体が距離Lsよりも遠い位置にあれば、領域Sn’は、セグメント領域Snに対してX軸負方向に変位する。
セグメント領域Snに対する領域Sn’の変位方向と変位量をもとに、投射光学系11からDP光が照射された物体の部分(セグメント領域Snに対応する部分)までの距離Lrが、距離Lsを用いて、三角測量法に基づき算出される。同様にして、他のセグメント領域に対応する物体の部分について、投射光学系11からの距離が算出される。かかる算出手法の詳細は、たとえば、上記非特許文献1(第19回日本ロボット学会学術講演会(2001年9月18−20日)予稿集、P1279−1280)に示されている。
図4は、投射光学系11と受光光学系12の設置状態を示す斜視図である。
投射光学系11と受光光学系12は、熱伝導性の高いベースプレート300上に設置される。投射光学系11を構成する光学部材(レーザ光源111、コリメータレンズ112、反射ミラー113、DOE114)は、シャーシ11aに設置され、このシャーシ11aがベースプレート300の設置面P1に設置される。これにより、投射光学系11がベースプレート300上の設置面P1に設置される。
受光光学系12は、ベースプレート300上の2つの台座300aの上面(設置面P2)と、2つの台座300aの間のベースプレート300の上面(設置面P2)に設置される。2つの台座300aの間のベースプレート300の上面(設置面P2)には、CMOSイメージセンサ124が設置され、台座300aの上面(設置面P2)には、フィルタ121、アパーチャ122および撮像レンズ123を保持する保持板12aが設置される。撮像レンズ123およびアパーチャ122は、保持板12aに装着されたレンズホルダ12bに保持され、レンズホルダ12bの前部にフィルタ121が装着される。
投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に所定の距離をもって並んでいる。また、図4に示すように、ベースプレート300は、投射光学系11が設置される設置面P1が、受光光学系12が設置される設置面P2(XY平面に平行な平面)に対して、Z軸正方向に傾いている。このため、投射光学系11は、ベースプレート300上の設置面P1の傾きに伴って、XY平面に対してZ軸正方向に傾くように配置されている。
なお、このように、ベースプレート300の設置面P1が設置面P2に対して傾く構成は、請求項3に記載の構成の一例である。
図5(a)は、本実施の形態に係る投射光学系11と受光光学系12の構成を模式的に示す図である。投射光学系11は、ベースプレート300の傾きに伴って、XY平面に対してZ軸正方向に傾くように配置されている。投射光学系11は、投射光学系11と受光光学系12の並び方向から受光光学系12に近づく方向に傾けられるように配置される。すなわち、投射光学系11は、反射ミラー113によって折り曲げられたレーザ光源111の光軸Aoが、撮像レンズ123の光軸Aiに平行な状態から、光軸Aiに近づく方向に傾くよう、配置されている。このため、図5(a)に示すとおり、DP光は、Z軸正方向からX軸負方向に傾いた方向に投射される。
図5(a)に示すように、本実施の形態では、レーザ光源111、コリメータレンズ112および反射ミラー113が直線状に並び、DOE114が目標領域を向くように、レーザ光源111、コリメータレンズ112、反射ミラー113およびDOE114が、ベースプレート300に設置される。
なお、このように投射光学系11を構成する光学部品がベースプレート300に設置される構成は、請求項4に記載の構成の一例である。
図5(b)は、DOE114におけるレーザ光の出射状態を模式的に示す図である。図5(b)に示すように、レーザ光は、DOE114の回折パターンにより回折された回折光(回折次数が0以外の回折光)と、回折パターンでは回折を受けない0次光に分離される。本実施の形態では、投射光学系11がXY平面に対して傾いているため、DOE114を透過した0次光は、X軸正方向からX軸負方向に傾いた方向に進む。
図5(c)は、目標領域にX−Y平面に平行な仮想平面Paを設定したときのDP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域R1との関係を模式的に示す図である。
本実施の形態において、DP光は、DOE114から出射された後、0次光を中心として、放射状に広がるように進む。よって、図5(c)に示すように、DP光のX軸方向の照射領域E1は、仮想平面Pa上において、0次光を中心にX軸方向に均等に広がる。他方、受光光学系12では、撮像レンズ123の光軸とCMOSイメージセンサ124の受光領域の中心とが一致し、且つ、撮像レンズ123の光軸がZ軸に平行となっているため、CMOSイメージセンサ124により撮像可能な撮像領域R1は、撮像レンズ123の光軸を中心としてX軸方向およびY軸方向に均等に広がる。よって、図5(c)に示すように、撮像領域R1は、仮想平面Pa上において、撮像レンズ123の光軸を中心にX軸方向に均等に広がる。
ここで、投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に所定の距離だけ離れて配置されている。本実施の形態では、投射光学系11がXY平面に対して傾いているため、図5(c)に示すように、仮想平面Pa上において、照射領域E1と撮像領域R1が互いに重なり合っている。つまり、本実施の形態では、仮想平面Pa上において、照射領域E1と撮像領域R1が互いに重なり合うように、投射光学系11が設置されるベースプレート300の設置面P1の傾き角が設定されている。
図6(a)、(b)は、投射光学系11が傾けられていない場合(比較例)の、DP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域R1との関係を模式的に示す図である。
図6(a)の比較例では、投射光学系11が傾けられておらず、投射光学系11のDOE114を透過した0次光は、Z軸正方向に進む。上記のように、DP光のX軸方向の照射領域E1は、仮想平面Pa上において、0次光を中心にX軸方向に均等に広がる。このため、図6(a)に示すように、仮想平面Pa上において、照射領域E1と撮像領域R1は、領域A1においてのみ重なり、照射領域E1の領域A2と、撮像領域R1の領域A3は、物体検出に用いられない不使用領域となる。
撮像領域R1の全てにDP光を含める場合には、たとえば、図6(b)のように、照射領域E1の右端(X軸負方向の端)を撮像領域R1の右端まで延ばすように、DOE114の回折パターンを調整する方法が用いられ得る。こうすると、撮像領域R1の撮像可能領域R1の全てに、DP光を投射できる。しかし、この場合、照射領域E1の不使用領域A6が図6(a)の場合よりも顕著に広がり、DP光の照射に無駄が生じる。
このように、比較例では、照射領域E1と撮像領域R1が有効に利用されておらず、物体検出に用いられない不使用領域A2、A3、A6が生じる。このため、物体の検出効率が低下するとの問題がある。
これに対し、本実施の形態では、図5(c)に示すように、投射光学系11がXY平面に対して傾くよう配置されているため、仮想平面Pa上において、照射領域E1と撮像領域R1が互いに重なり合っている。これにより、本実施の形態では、DP光を有効利用することができ、物体の検出効率を高めることができる。
図7(a)は、本実施の形態における投射光学系11と受光光学系12の具体的設計例を示す図である。
図7(a)において、EXPは、投射光学系11の射出瞳、ENPは、受光光学系12の入射瞳、Paは、図5(c)、図6(a)、(b)と同様、目標領域に設定された仮想平面である。本設計例では、仮想平面Paから、当該仮想平面Paの手前に設定された仮想平面Pbまでの範囲(4mm)が、Z軸方向における距離検出の範囲に設定されている。また、入射瞳ENPの中心軸はZ軸に平行となっており、この中心軸からX軸正負の方向に9.3°の角度範囲が、受光光学系12のX軸方向の撮像範囲に設定されている。
射出瞳EXPと入射瞳ENPは、X軸方向に並んでおり、両瞳の間隔は45mmである。また、射出瞳EXPおよび入射瞳ENPから仮想平面Paまでの距離は46mmである。
仮想平面Pa上において、受光光学系12の撮像範囲のX軸方向の幅は、入射瞳ENPの中心軸からX軸正負の方向に7.5mmの幅となっている。また、仮想平面Pb上において、受光光学系12の撮像範囲のX軸方向の幅は、入射瞳ENPの中心軸からX軸正負の方向に6.85mmの幅となっている。
図7(a)に示すように、仮想平面Pa上において、撮像範囲のX軸方向の端縁を通る光線をLa1、La2、仮想平面Pb上において、撮像範囲のX軸方向の端縁を通る光線をLb1、Lb2とすると、射出瞳の中心を通るZ軸に平行な直線に対する光線La1、La2、Lb1、Lb2の傾き角は、それぞれ、39.2°、48.8°、42.2°、51.0°である。また、射出瞳EXPから仮想平面Paと光線La1の接点までの距離は59.4mm、射出瞳EXPから仮想平面Paと光線La2の接点までの距離は69.8mm、射出瞳EXPから仮想平面Pbと光線Lb1の接点までの距離は56.7mm、射出瞳EXPから仮想平面Pbと光線Lb2の接点までの距離は66.7mmである。
この設計例において、DP光は、XZ平面の面内方向に、光線La1から光線Lb2までの幅を持っていれば良い。この場合、DOE114を透過した0次光の進行方向は、Z軸方向に対して、XZ平面の面内方向に45°程度傾くこととなる。したがって、ベースプレート300は、投射光学系11が設置される設置面P1が、XY平面に対してZ軸正方向に45°程度傾くよう形成される。
なお、図7(a)の設計例において、対象物体を検出する領域(目標領域)は、撮像範囲と仮想平面Pa、Pbとで囲まれた領域となる。したがって、上記のように、情報処理装置2が、光学部品をハウジングに実装する部品実装システムに搭載され、光学部品の実装状態をモニタするために、情報取得装置1が用いられるような場合には、光学部品の実装位置が、撮像範囲と仮想範囲Pa、Pbとで囲まれた領域に含まれるよう、投射光学系11および受光光学系12の位置と、光学部品の実装位置との関係が調整される。
なお、図7(a)の設計例では、射出瞳EXPおよび入射瞳ENPから目標領域までの距離が46mmに設定されたが、この距離は46mmに限定されない。上記のように、情報取得装置1が、光学部品や電子部品等の部品を所定の部材に実装する部品実装システムに搭載される場合、射出瞳EXPおよび入射瞳ENPから仮想平面PaまでのZ軸方向の距離は、通常、100mm以内となる。
なお、このように、射出瞳EXPおよび入射瞳ENPから仮想平面PaまでのZ軸方向の距離が、100mm以内(図7(a)の設計例では46mm)に設定される構成は、請求項6に記載の構成の一例である。
また、投射光学系11の傾き角は、仮想平面Paまでの距離が短くなるほど、大きくなっていく。投射光学系11の傾き角が大きくなると、それに伴い、目標領域におけるドットの形状が、次第に、X軸方向に長くなっていく。このため、仮想平面Paまでの距離が短か過ぎると、目標領域において、ドットの形状がX軸方向に幅広となり、目標領域におけるドットの分解能が低下する。このため、ドットの形状がX軸方向に幅広になり過ぎると、距離の検出精度が十分に確保されないことが起こり得る。したがって、射出瞳EXPおよび入射瞳ENPから仮想平面Paまでの距離の下限値は、ドットの分解能が著しく低下せず、距離の検出精度を十分に確保できる範囲に設定されるのが望ましい。通常、射出瞳EXPおよび入射瞳ENPから仮想平面Paまでの距離の下限値は、30mm程度となることが想定され得る。
図7(b)は、コリメータレンズ112によるレーザ光の収束状態を模式的に示す図である。なお、図7(b)では、便宜上、反射ミラー113によって光軸が折り曲げられていない状態の光学系が示されており、また、DOE114の図示も省略されている。図7(b)において、APは、コリメータレンズ112の入射面に配置されたアパーチャである。アパーチャAPは、円形の光束断面でレーザ光がコリメータレンズ112に入射するよう、レーザ光源111から出射されたレーザ光の外周部分を遮光する。
図7(b)に示すように、コリメータレンズ112には、有限系で、レーザ光が入射する。コリメータレンズ112は、このように入射するレーザ光を収束させ、収束されたレーザ光は、仮想平面Pa上に合焦する。すなわち、コリメータレンズ112は、有限系で入射したレーザ光が、仮想平面Pa上において合焦するよう、配置位置と焦点距離が調整されている。図7(b)では、有限系でレーザ光がコリメータレンズ112に入射するため、コリメータレンズ112と仮想平面Paとの距離fは、コリメータレンズ112の焦点距離よりも長くなる。
このように、コリメータレンズ112の配置位置と焦点距離を調整することにより、目標領域において、ドットの大きさを小さくすることができる。
さらに、本実施の形態では、レーザ光源111の出射波長が405nmに設定されているため、目標領域におけるドットの大きさを、一層小さくすることができる。一般に、レーザ光の収束スポットの径φは、次式で求められる。
φ=1.22×(λ/NA) …(1)
ここで、λは、レーザ光の波長、NAは、コリメータレンズ112によって収束されるレーザ光の開口数である。
ここで、λは、レーザ光の波長、NAは、コリメータレンズ112によって収束されるレーザ光の開口数である。
式(1)に示すとおり、レーザ光のスポット径φは、レーザ光の波長が小さい程、小さくなる。したがって、本実施の形態のように、出射波長が405nmのレーザ光源111を用いることにより、目標領域におけるドットの大きさを、小さくすることができる。
なお、このように、レーザ光を仮想平面Pa(目標領域)に合焦させる構成は、請求項2に記載の構成の一例である。
図8(a)は、レーザ光源111として、出射波長が800nm程度のレーザ光源を用いた場合の、CMOSイメージセンサ124上におけるドットの撮像状態を模式的に示す図である。図8(b)は、本実施の形態のように、レーザ光源111として、出射波長が405nm程度のレーザ光源を用いた場合の、CMOSイメージセンサ124上におけるドットの撮像状態を模式的に示す図である。
レーザ光源111として、出射波長が800nm程度のレーザ光源を用いた場合、上記式(1)より、目標領域における各ドットのサイズが大きくなる。このため、図8(a)に示すように、CMOSイメージセンサ124上におけるドットのサイズも大きくなり、一つのドットが複数の画素に跨ることが起こり得る。このような場合、ドット間の分解能が低下するため、CMOSイメージセンサ124の出力に基づいて、各ドットの分布状態を適正に検出することが難しくなる。このため、図2に示す各セグメント領域の検出精度が低下し、結果、距離の検出精度が十分に確保されなくなるとの問題が生じる。
これに対し、本実施の形態では、レーザ光源111として、出射波長が405nm程度のレーザ光源が用いられるため、上記式(1)より、目標領域におけるドットのサイズを、出射波長が800nmである場合の半分程度に縮めることができる。このため、図8(b)に示すように、CMOSイメージセンサ124上におけるドットのサイズを縮小でき、一つのドットが複数の画素に同時に跨りにくくなる。
このように、本実施の形態では、レーザ光源111の出射波長を短く設定することにより、ドット間の分解能が高められる。これにより、CMOSイメージセンサ124の出力に基づいて、各ドットの分布状態を適正に検出することができ、結果、距離の検出精度を十分に確保することが可能となる。
なお、本実施の形態に係る情報取得装置および物体検出装置は、上記のように、被対象物に部品を実装する実装装置に用いられることが想定されている。このため、レーザ光源111として、このように短波長の出射波長を持つレーザ光源が用いられても、レーザ光が人に照射されることは通常起こり得ず、人体に対する影響は無いものと想定され得る。このように、本実施の形態は、レーザ光が人に照射されない使用形態を前提としており、この前提のもと、短波長のレーザ光源111を用いて、上記図8(a)、(b)を参照して説明した特有の効果を実現しようとするものである。
なお、本実施の形態では、レーザ光源111の出射波長が405nmとされたが、レーザ光源111の出射波長は、必ずしも405nmに限られるものではなく、波長が405nm近傍の、いわゆる、青紫レーザ光と称されている光の波長の範囲内(400nm前後から410nm前後)であれば、図8(a)、(b)を参照して説明したと同様の作用効果が奏され得る。また、出射波長が450nm程度の、いわゆる青色波長帯のレーザ光を出射するレーザ光源を用いても、図8(a)、(b)を参照して説明したとほぼ同様の作用効果が奏され得る。レーザ光源111としては、市場に広く流通しているブルーレイディスクの記録/再生用の半導体レーザを用いるのが好適である。これにより、レーザ光源111に要するコストを抑制することができる。
なお、本実施の形態のように、レーザ光源111の出射波長が、400nm程度〜450nm程度の範囲に含まれる405nmに設定される構成は、請求項5に記載の構成の一例である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施形態も、上記の他に種々の変更が可能である。
たとえば、上記実施の形態では、レーザ光源111の出射波長が、いわゆる青紫レーザ光と称されている光の波長帯の範囲内に設定され、一例として、405nmが用いられた。しかしながら、レーザ光源111の出射波長はこれに限定されるものではなく、CMOSイメージセンサ124上におけるドットの分解能が確保され、且つ、セグメント領域内に十分な数のドットを含めることができるのであれば、たとえば、緑色の波長帯等、他の波長帯のレーザ光を出射するレーザ光源が、レーザ光源111として用いられても良い。
また、上記実施の形態では、受光素子として、CMOSイメージセンサ124を用いたが、これに替えて、CCDイメージセンサを用いることもできる。
また、上記実施の形態では、レーザ光源111の光軸を、反射ミラー113で折り曲げるよう構成されたが、反射ミラー113を省略し、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、DOE114を直線状に並べて配置するよう、投射光学系11を構成しても良い。この場合、反射ミラー113を省略できるが、投射光学系11の寸法がDP光の出射方向に大きくなる。さらに、受光光学系12の構成も、適宜変更可能である。
また、上記実施の形態では、レーザ光を収束させるための手段としてコリメータレンズ112を用いたが、他のレンズを用いてレーザ光を収束させても良い。また、上記実施の形態では、コリメータレンズ112によるレーザ光の合焦位置が、目標領域(仮想平面Pa)に一致するよう、コリメータレンズ112が位置調整されたが、コリメータレンズ112によるレーザ光の合焦位置は、目標領域(仮想平面Pa)からZ軸方向にややずれていても良い。
請求項2に記載の「前記レンズは、前記光を前記目標領域に合焦させる」とは、このように、コリメータレンズ112によるレーザ光の合焦位置が目標領域(仮想平面Pa)からZ軸方向にややずれることをも含むものである。また、上記実施の形態では、レーザ光が仮想平面Paに合焦されたが、レーザ光が仮想平面Pbに合焦されても良く、仮想平面Paと仮想平面Pbとの間の任意の仮想平面に、レーザ光が合焦されても良い。
この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。
1 … 情報取得装置
2 … 情報処理装置
11 … 投射光学系
12 … 受光光学系
111 … レーザ光源(光源)
112 … コリメータレンズ(レンズ)
113 … ミラー
114 … DOE(回折光学素子)
300 … ベースプレート(ベース部材)
P1、P2 … 設置面
EXP … 射出瞳
ENP … 入射瞳
2 … 情報処理装置
11 … 投射光学系
12 … 受光光学系
111 … レーザ光源(光源)
112 … コリメータレンズ(レンズ)
113 … ミラー
114 … DOE(回折光学素子)
300 … ベースプレート(ベース部材)
P1、P2 … 設置面
EXP … 射出瞳
ENP … 入射瞳
Claims (7)
- 光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置において、
前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、
前記投射光学系に対して所定の距離だけ離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備え、
前記投射光学系は、前記投射光学系と前記受光光学系の並び方向から前記受光光学系に近づく方向に傾けられるように配置され、
前記投射光学系は、所定波長の光を出射する光源と、前記光源から出射された光を平行光よりも収束させるレンズと、を有する、
ことを特徴とする情報取得装置。 - 請求項1に記載の情報取得装置において、
前記レンズは、前記光を前記目標領域に合焦させる、
ことを特徴とする情報取得装置。 - 請求項1または2に記載の情報取得装置において、
前記投射光学系と前記受光光学系が設置されるベース部材を備え、
前記投射光学系が設置される前記ベース部材の設置面が、前記受光光学系が設置される前記ベース部材の設置面に対して傾いている、
ことを特徴とする情報取得装置。 - 請求項1ないし3の何れか一項に記載の情報取得装置において、
前記投射光学系は、前記コリメータレンズを透過した光を反射するミラーと、前記ミラーによって反射された光を前記ドットパターンの光に変換する回折光学素子とを備え、前記光源、前記レンズおよび前記ミラーが直線状に並び、前記回折光学素子が前記目標領域を向くように、前記光源、前記レンズ、前記ミラーおよび前記回折光学素子が配置される、
ことを特徴とする情報取得装置。 - 請求項1ないし4の何れか一項に記載の情報取得装置において、
前記光源の出射波長は、400nm〜450nmの範囲に含まれる、
ことを特徴とする情報取得装置。 - 請求項1ないし5の何れか一項に記載の情報取得装置において、
前記受光光学系の入射瞳から前記目標領域までの、前記受光光学系の光軸方向の距離が、100mm以内に設定されている、
ことを特徴とする情報取得装置。 - 請求項1ないし6の何れか一項に記載の情報取得装置を有する物体検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012192169A JP2014048192A (ja) | 2012-08-31 | 2012-08-31 | 物体検出装置および情報取得装置 |
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JP2012192169A Pending JP2014048192A (ja) | 2012-08-31 | 2012-08-31 | 物体検出装置および情報取得装置 |
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JP (1) | JP2014048192A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016080572A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 朝日航洋株式会社 | レーザ計測システム |
CN112911358A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-04 | 海信视像科技股份有限公司 | 一种激光电视及基于激光电视的人眼保护方法 |
-
2012
- 2012-08-31 JP JP2012192169A patent/JP2014048192A/ja active Pending
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