JP2012533871A - マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 - Google Patents

Abstract

マイクロリソグラフィ投影露光装置は、光学面（４６；Ｍ６）と、光学面上の複数の別々の区域において光学面に関連するパラメータを測定する測定デバイス（９０）とを含む。測定デバイスは、個々の測定光ビーム（９４）を光学面上の区域に向けて誘導する照明ユニット（９２）を含む。各測定光ビームは、区域のうちの測定光ビームに関連付けられた少なくとも一部分と、隣接区域のうちの測定光ビームに関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する。検出器ユニット（９６）は、各測定光ビームが光学面と相互作用した後に各測定光ビームに関する特性を測定する。評価ユニット（１０２）は、選択された区域に関連付けられた測定光ビームと、選択された区域に隣接する区域に関連付けられた少なくとも１つの測定光ビームとに対して検出器ユニット（９６）によって判断された特性に基づいて選択された区域に関する面関連パラメータを判断する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、一般的に、マスクを感光面上に結像するマイクロリソグラフィ露光装置に関し、特に、光学面、例えば、ミラー又はミラーアレイと、光学面に関連するパラメータを複数の位置で測定するように構成された測定デバイスとを含むそのような装置に関する。更に、本発明は、そのようなパラメータを測定する方法に関する。

マイクロリソグラフィ（フォトリソグラフィ又は単純にリソグラフィとも呼ばれる）は、集積回路、液晶ディスプレイ、及び他の微細構造デバイスの製作のための技術である。マイクロリソグラフィ処理は、エッチング処理と併せて基板、例えば、シリコンウェーハ上に形成された薄膜積層体内に特徴部をパターン形成するのに使用される。製作の各層では、ウェーハは、最初に深紫外（ＤＵＶ）光又は極紫外（ＥＵＶ）光のような放射線に敏感な材料であるフォトレジストで被覆される。次に、フォトレジストを上に有するウェーハは、投影露光装置において投影光に露光される。装置は、パターンを含むマスクをフォトレジスト上にフォトレジストがマスクパターンによって判断されるある一定の位置においてのみ露光されるように投影する。露光の後にフォトレジストは現像され、マスクパターンに対応する像が生成される。次に、エッチング処理が、このパターンをウェーハ上の薄膜積層体内に転写する。最後に、フォトレジストが除去される。異なるマスクを使用するこの工程の繰返しにより、多層微細構造化構成要素がもたらされる。

一般的に、投影露光装置は、マスクを照明するための照明系と、マスクを整列させるためのマスク台と、投影対物系と、フォトレジストで被覆されたウェーハを整列させるためのウェーハ整列台とを含む。照明系は、マスク上に例えば矩形スリット又は湾曲スリットの形状を有することができる視野を照明する。

理想的には、照明系は、マスク上の照明視野の各点を明確に定められた放射照度及び角度分布を有する投影光で照明する。角度分布という用語は、マスク平面内の特定の点に向けて収束する光束の全光エネルギが、光束を構成する光線の様々な方向の間で如何に配分されるかを表す。

マスク上に入射する投影光の角度分布は、通常はフォトレジスト上に投影されるパターンの種類に適合される。例えば、比較的大きいサイズの特徴部は、小さいサイズの特徴部とは異なる角度分布を必要とする可能性がある。最も一般的に使用される投影光角度分布は、従来照明設定、環状照明設定、二重極照明設定、及び四重極照明設定と呼ばれる。これらの用語は、照明系の系瞳面内の放射照度分布を意味する。例えば、環状照明設定では、系瞳面内で環状領域のみが照明される。この場合、投影光の角度分布において小さい角度範囲しか存在せず、従って、全ての光線は、マスク上に類似の角度で斜めに入射する。

望ましい照明設定を得るために、マスク平面内の投影光の角度分布を修正するための異なる手段が公知である。マスク平面に異なる角度分布を生成するのに最大の柔軟性を得るために、瞳面を照明するミラーアレイを使用することが提案されている。

ＥＰ １ ２６２ ８３６ Ａ１では、ミラーアレイは、１０００個を超える微小ミラーを含むマイクロ電気機械系（ＭＥＭＳ）として達成される。ミラーの各々は、２つの直交傾斜軸の回りに傾斜させることができる。従って、そのようなミラーデバイス上に入射する放射線は、ほぼいずれかの望ましい半球方向に反射することができる。ミラーアレイと瞳面の間に配置されたコンデンサーレンズは、ミラーによって生成された反射角を瞳面内の位置に変換する。この公知の照明系は、瞳面を各々が１つの特定の微小ミラーに関連付けられ、このミラーを傾斜させることによって瞳面にわたって自由に移動することができる複数のスポットで照明することを可能にする。

類似の照明系は、ＵＳ ２００６／００８７６３４ Ａ１、ＵＳ ７，０６１，５８２ Ｂ２、及びＷＯ ２００５／０２６８４３ Ａ２から公知である。類似の傾斜可能ミラーアレイは、ＥＵＶ照明系においても提案されている。

そのようなアレイでは、個々のミラーの向きを高い精度で高速に制御すべきである。この目的のために、閉ループ制御を使用することが提案されている。そのような制御機構は、各ミラーの向きを高い繰返し頻度でモニタすることを必要とする。

国際特許出願ＷＯ ２００８／０９５６９５ Ａ１は、各個々のミラーの向きを測定することを可能にする測定デバイスを開示している。この目的のために、各ミラーに対して個々の測定光ビームを生成する照明ユニットが設けられる。検出器ユニットが、ミラーから反射された後の光ビームの角度を測定する。ミラー上に入射する光ビームの方向が既知である場合には、評価ユニットにより、測定された反射光ビームの方向に基づいてミラーの向きを判断することができる。時間多重化又は周波数多重化を使用することによって測定光ビームを区別することができ、それによって複数のミラーの向きを連続して又は更には１回で判断することができる。

従来技術の照明ユニットは、ミラー上に向けられる測定光ビームを生成する光源としてレーザダイオードアレイ、例えば、垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を使用する。各レーザダイオードに対して、レーザダイオードの前面に配置され、ダイオードの光射出ファセットをミラーのうちの１つの上に結像する結像レンズが設けられる。好ましくは、結像レンズは、レーザダイオードと同じピッチを有するマイクロレンズアレイを形成する。

しかし、そのような測定デバイスの最も好ましい寸法の下でも、多くの場合に精度が十分ではないことが見出されている。

マイクロリソグラフィ投影露光装置の視野内での類似の測定においても同じ問題に遭遇する。例えば、そのような装置の投影対物系では、収差を補正するために変形させることができる光学面を有するレンズ又はミラーが場合によって存在する。光学面の変形は、例えば、機械力を作用するアクチュエータを用いて又は光学面上のある一定の区域上に放射線を誘導することによって達成することができる。変形工程を制御するために、光学面に関連するパラメータを複数の区域で測定するように構成された測定デバイスを用いて、光学面の形状を測定することができる。光学面が連続又は不連続のいずれであるかはそれ程問題ではないことから（ミラーアレイの場合と同様に）、そのような測定デバイスを用いて得ることができる測定精度は、同じく、時に満足できないものである。

ＥＰ １ ２６２ ８３６ Ａ１ ＵＳ ２００６／００８７６３４ Ａ１ ＵＳ ７，０６１，５８２ Ｂ２ ＷＯ ２００５／０２６８４３ Ａ２ ＷＯ ２００８／０９５６９５ Ａ１ ＷＯ ２００５／０７８５２２ Ａ ＵＳ ２００４／００３６９７７ Ａ１ ＵＳ ２００５／００１８２９４ Ａ１ ＷＯ ２００９／０８０３１０ Ａ１ ＷＯ ２００８／０９５６９５ Ａ ＰＣＴ／ＥＰ２００９／００１８０２７

本発明の目的は、光学面と、光学面上の複数の区域において面関連パラメータを測定するように構成され、改良された測定精度を有する測定デバイスとを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置を提供することである。本発明の更に別の目的は、改良された測定精度でそのようなパラメータを測定する方法を提供することである。

その装置に関しては、この目的は、光学面と、光学面上の複数の別々の区域において光学面に関連するパラメータを測定する測定デバイスとを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置によって解決される。測定デバイスは、個々の測定光ビームを光学面上の区域に向けて誘導するように構成された照明ユニットを含む。各測定光ビームは、区域のうちの測定光ビームに関連付けられた少なくとも一部分と、隣接区域のうちの測定光ビームに関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する。各測定光ビームが光学面と相互作用した後に各測定光ビームに関する特性を測定するように構成された検出器ユニットが設けられる。評価ユニットは、選択された区域に関連付けられた測定光ビームと、選択された区域に隣接する区域に関連付けられた少なくとも１つの測定光ビームとに対して検出器ユニットによって判断された特性に基づいて選択された区域に関する面関連パラメータを判断するように構成される。

本発明は、測定光ビームが、この特定の測定光ビームに関連付けられた区域だけではなく、別の測定光ビームに関連付けられた少なくとも１つの区域も照明する場合に測定精度が重度に低下するという認識に基づいている。しかし、測定光ビームによって照明されるスポットが隣接区域に延びないようにこれらのスポットのサイズを縮小するという試みの代わりに、本発明は、選択された区域に対して測定された特性だけではなく、少なくとも１つの他の区域に対して測定された特性も考慮することによってこの悪影響を補償する。これらの他の区域は、隣接区域とすることができ、又は一層良好な測定精度を求めるには１つ置いて隣の区域をそれに加えたものとすることができる。他の実施形態では、選択された区域に関する面関連パラメータが評価ユニットによって判断される際に、測定光ビームがもたらされる全ての区域が考慮される。

一実施形態では、光学面に関連し、かつ複数の区域で測定されるパラメータは、光学面の形状を定める。これは、光学面の形状を非接触方式で高精度に測定することを可能にするので特に有用である。しかし、光学面に関連するパラメータは、例えば、光学面の透過率又は反射率とすることもできる。パラメータは、光学面を形成する界面を有する光学材料の屈折率とすることもできる。従って、本発明は、面形状測定デバイスに限定されない。

光学面の形状測定は、装置が、光学面を変形するように構成された面変形ユニットを含む場合に特に有用である。そのような変形は、光学系、特に、投影露光装置の投影対物系内で波面誤差を低減するために生成することができる。面変形ユニットは、例えば、光学面を含む光学要素を湾曲させるために、光学面に対して作用する力を生成するように構成されたアクチュエータを含むことができる。面変形ユニットは、光を光学面上の選択された区域に向けて誘導する加熱光源を含むことができる。この場合、加熱光の吸収は、光学面の変形をもたらす。この場合、測定デバイスは、閉ループ制御の一部を形成し、面変形ユニットによって生成される面変形をモニタすることができる。

一実施形態では、光学面は、測定光のうちの少なくとも実質的な部分を反射するように構成される。例えば、光学面は、投影露光装置において収差を補正するのに使用される適応ミラーで形成することができる。しかし、光学面は、レンズのような屈折光学要素上に形成することができる。この場合、光学面から反射される光の一部分は（僅かであったとしても）、面関連パラメータを測定するのに十分とすることができる。好ましい実施形態では、光学面は、１０％よりも多く、好ましくは、５０％よりも多い測定光を反射するように構成される。

別の実施形態では、光学面は、制御信号に応答して可変である反射角で入射光を反射するようになったミラーアレイで形成される。この形成は、ミラー面を変形することにより、又はより簡単には少なくとも１つの傾斜軸で傾斜するように構成されたミラーを設けることによって達成することができる。多くの場合に、各区域は、ミラー面で形成されることになる。ミラーが十分に大きい場合には、各ミラー面上に１つよりも多い区域を配置することもできる。一般的に、少なくとも１つの区域が各ミラー面に関連付けられる。

そのようなミラーアレイは、装置の照明系に配置することができる。この場合、ミラーは、投影光を照明系の系瞳面に向けて誘導する。それによって照明設定、すなわち、マスク上に入射する光の角度光分布を柔軟に変更することが可能になる。

一実施形態では、各測定光ビームは、関連付けられた区域上に最大強度点を生成する。これらの最大強度点は、ミラーの中心に対して僅かにかつ不規則に変位される。この不規則性は、面関連パラメータの数値計算の安定性を改善する。変位が規則的な場合には、多くの場合にそうなるように、この規則的変位は、有害又は有利のいずれの効果も持たない。最大強度点の変位は、１つよりも多い測定光ビームが各区域に関連付けられるように冗長性を設けるものとする場合にも発生させることができる。

測定光ビームは、隣接区域も照明することが許されるので、それによって一般的に光学面上で照明されるスポットの部分重ね合わせがもたらされることになる。しかし、最大強度点が偏心される場合には、いかなるスポット重ね合わせも発生しない場合が起こる可能性もある。

評価ユニットは、照明ユニットによって生成される全ての測定光ビームに対して検出器ユニットによって判断された特性に基づいて、選択された区域に関する面関連パラメータを判断するように構成することができる。従って、選択された区域に関する面関連パラメータは、全ての区域に関する特性が測定された後にのみ把握される。

検出器ユニットにおける少なくとも近似的に線形の応答を仮定すると、この把握は、次の連立線形方程式を解くことによって達成することができる。

ここで、選択された区域ｋに関する面関連パラメータは、ｘ_kで与えられ、ｙ_kは、区域ｋに向けて誘導された測定光ビームに対して検出器ユニットによって測定された特性であり、Ａ_klは、実数係数である。これらの実数係数は、例えば、較正により又はシミュレーションによって判断することができる。

別の実施形態により、評価ユニットは、選択された区域の隣及び１つ置いて隣のものである区域に向けて誘導される測定光ビームに対して検出器ユニットによって判断された特性だけに基づいて、選択された区域に関する面関連パラメータを判断するように構成される。この構成は、照明区域における放射照度が、通常は照明区域の外周に向けて大きく低下するということを利用する。その結果、実質的な測定誤差を過度に招くことなく、選択された区域から遠く離れた区域上に入射する測定光のうちの僅かな部分を無視することができる。

光学面上の区域は、平行な光ビーム又は若干発散する光ビームによって照明することができる。区域は重なることが許されるので、本発明は、従来技術方式の場合のような区域を極めて小さくすべきであるという要件を課さない。しかし、それにも関わらず、区域の重ね合わせが小さい場合には、この重ね合わせは、測定精度に対してプラスの効果を有する。これは、測定光を放出するように構成された光射出ファセットを各々が有する複数の照明部材を含む照明ユニットによって達成することができ、光射出ファセットは、光学面上に結像される。

光射出ファセットを光学面上に結像する段階では、各々が１つの光射出ファセットに関連付けられた複数の結像系を使用することができる。有害な回折効果を低減するために、少なくとも２つ又はそれよりも多くの光射出ファセットに関連付けられた、すなわち、１つよりも多い光射出ファセットを光学面上に共通して結像する結像系を使用することを好ましいとすることができる。

その方法に関しては、上述の目的は、マイクロリソグラフィ投影露光装置に収容される光学面に関連するパラメータを光学面上の複数の別々の区域で測定する方法によって達成される。本方法は、ａ）個々の測定光ビームを光学面上の区域に向けて誘導し、各測定光ビームが、区域のうちの測定光ビームに関連付けられた少なくとも一部分と、隣接区域のうちの測定光ビームに関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する段階と、ｂ）各測定光ビームが光学面と相互作用した後に各測定光ビームに関する特性を測定する段階と、ｃ）ｉ）選択された区域に関連付けられた測定光ビームと、ｉｉ）選択された区域に隣接する区域に関連付けられた少なくとも１つの測定光ビームとに対して、選択された区域に関する面関連パラメータを段階ｂ）で判断された特性に基づいて判断する段階とを含む。

本発明の様々な特徴及び利点は、添付図面に関連して以下の詳細説明を参照することによってより容易に理解することができるであろう。

本発明による投影露光装置の大きく簡略化した斜視図である。 図１に示している投影露光装置に収容された照明系を通る子午断面図である。 図２の照明系に収容されたミラーアレイの斜視図である。 測定ユニットを示す図２の拡大抜粋図である。 図４に示す測定デバイスに対して使用することができる照明ユニットを通る子午断面図である。 測定光ビームによって照明されるスポットが近接ミラーに延びないミラーアレイの抜粋図上の上面図である。 近接ミラーに延びない２つのより小さいスポットがミラー上に照明される図６と同様の上面図である。 照明スポットが近接ミラーに確実に延びる第１の実施形態による図６と類似の上面図である。 ２つの照明スポットが近接ミラーに確実に延びる第１の実施形態による図７と類似の上面図である。 選択されたミラーの中心に対して偏心された照明スポットを有する図８と同様の上面図である。 選択されたミラーのコーナの近くに照明スポットが配置された図１０と類似の上面図である。 第２の実施形態により計算において考慮される項の次数に依存する測定誤差を示すグラフである。 第３の実施形態によるＥＵＶ投影露光装置の概略図である。 図１３のより詳細な拡大抜粋図である。

Ｉ．投影露光装置の一般的な構造
図１は、投影光ビームを生成するための照明系１２を含むＶＵＶ投影露光装置１０の非常に簡略化した斜視図である。投影光ビームは、微細構造１８を含むマスク１６上の視野１４を照明する。この実施形態では、照明視野１４は、ほぼリングセグメントの形状を有する。しかし、照明視野１４の他の形状、例えば、矩形形状も考えられている。

投影対物系２０は、照明視野１４内の構造１８を基板２４上に堆積させた感光層２２、例えば、フォトレジスト上に結像する。シリコンウェーハで形成することができる基板２４は、感光層２２の上面が、投影対物系２０の像平面に厳密に位置するようにウェーハ台（図示せず）上に配置される。マスク１６は、マスク台（図示せず）を用いて投影対物系２０の物体平面に位置決めされる。投影対物系２０は、１よりも小さい拡大率を有するので、照明視野１４内の構造１８の縮小像１４が、感光層２２上に投影される。

投影中に、マスク１６と基板２４は、Ｙ方向と一致する走査方向に沿って移動される。従って、照明視野１４は、照明視野１４よりも大きい構造化区域を連続的に投影することができるようにマスク１６上を走査する。そのような種類の投影露光装置は、多くの場合に「ステップアンドスキャン装置」又は単純に「スキャナ」と呼ばれる。マスク１６の速度と基板２４の速度の間の比は、投影対物系２０の拡大率に等しい。投影対物系２０が像を反転させる場合には、図１に矢印Ａ１及びＡ２によって示しているように、マスク１６と基板２４とは反対方向に移動する。一方、本発明は、マスク１６及び基板２４がマスクの投影中に移動しないステッパツールに対して使用することもできる。

図示の実施形態では、照明視野１４は、投影対物系２０の光軸２６に中心が位置しない。そのような軸外照明視野１４は、ある一定の種類の投影対物系２０において必要な場合がある。他の実施形態では、照明視野１４は、光軸２６に中心が位置する。

ＥＵＶ投影露光装置は、同じ基本構造を有する。しかし、ＥＵＶ放射線に対して透過性を有するいかなる光学材料も存在しないので、光学要素としてミラーだけが使用され、同様にマスクも反射型のものである。

ＩＩ．照明系の一般的な構造
図２は、図１に示しているＶＵＶ照明系１２を通るより詳細な子午断面図である。明瞭化の目的で、図２の図はかなり簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。これは、特に、異なる光学ユニットを非常に少数の光学要素のみで表すことを意味する。実際には、これらのユニットは、有意により多くのレンズ及び他の光学要素を含むことができる。

照明系１２は、ハウジング２８、及び図示の実施形態ではエキシマレーザ３０として達成される光源を含む。エキシマレーザ３０は、約１９３ｎｍの波長を有する投影光を放出する。他の種類の光源及び他の波長、例えば、２４８ｎｍ又は１５７ｎｍも考えられている。

図示の実施形態では、エキシマレーザ３０によって放出された投影光は、ビーム拡大ユニット３２に入射し、光ビームは、ビーム拡大ユニット３２内で幾何学的光学流束を変化させることなく拡大される。ビーム拡大ユニット３２は、図２に示しているようにいくつかのレンズを含むことができ、又は例えばミラー配列として達成することができる。投影光は、ビーム拡大ユニット３２から実質的に平行化されたビーム３４として射出する。他の実施形態では、このビームは、有意な発散を有することができる。平行化されたビーム３４は、照明系１２の全体寸法を縮小するために設けられた平面折り返しミラー３６上に入射する。

折り返しミラー３６からの反射の後に、ビーム３４は、マイクロレンズ４０から構成されるアレイ３８上に入射する。マイクロレンズ４０の後焦点面内又はその近くには、ミラーアレイ４６が配置される。以下により詳細に説明するが、ミラーアレイ４６は、互いに垂直に整列した２つの傾斜軸によって互いに独立して傾斜させることができる複数の小さい個々のミラーＭ_ijを含む。ミラーＭ_ijの全数は、１００個又は更に数千個を超えるとすることができる。ミラーＭ_ijの反射面は平面とすることができるが、付加的な反射力が望ましい場合は曲面とすることができる。それとは別に、ミラー面は、回折構造に対応することができる。この実施形態では、ミラーＭ_ijの数は、ビーム３４によって照明されるマイクロレンズアレイ３８のマイクロレンズ４０の数に等しい。従って、各マイクロレンズ４０は、収束光ビームをミラーアレイ４６の１つのミラーＭ_ij上に誘導する。

個々のミラーＭ_ijの傾斜移動は、照明系１２の全体系制御器５２に接続したミラー制御ユニット５０によって制御される。ミラーＭ_ijの望ましい傾斜角を設定するのに使用されるアクチュエータは、各個々のミラーＭ_ijが、制御信号に応答して可変である反射角によって入射光線を反射することができるような制御信号をミラー制御ユニット５０から受信する。図示の実施形態では、個々のミラーＭ_ijを配置することができる連続的な傾斜角度範囲が存在する。他の実施形態では、アクチュエータは、限られた数の個別傾斜角しか設定することができないように構成される。

図３は、簡略化の目的で８・８＝６４個のミラーＭ_ijのみを含むミラーアレイ４６の斜視図である。アレイ４６上に入射する光ビーム５４ａは、ミラーＭ_ijの傾斜角に依存して異なる方向に反射される。この概略図では、特定のミラーＭ３５が、別のミラーＭ７７に対して２つの傾斜軸５６ｘ、５６ｙの回りに傾斜され、それによってミラーＭ３５及びＭ７７それぞれによって反射される光ビーム５４ｂ、５４ｂ’が、異なる方向に反射されるようにことを仮定している。

再度図２を参照すると、ミラーＭ_ijから反射された光ビームは、第１のコンデンサー５８上に入射し、第１のコンデンサー５８は、若干発散する光ビームが光学インテグレーター７２上にこの時点で少なくとも実質的に平行な光ビームとして入射することを保証し、光学インテグレーター７２は、複数の２次光源を生成する。光学インテグレーター７２は、光線と照明系１２の光軸ＯＡの間に形成される角度の範囲を拡大する。他の実施形態では、光学インテグレーター７２上に入射する反射光ビームが大きい発散を有するように第１のコンデンサー５８は省かれる。

光学インテグレーター７２は、図示の実施形態では、平行な円柱マイクロレンズから構成される２つの直交アレイを各々が含む２つの基板７４、７６を含むフライアイレンズとして達成される。光学インテグレーターの他の構成、例えば、回転対称な面を有するが、矩形の境界を有するマイクロレンズから構成されるアレイを含むインテグレーターも考えられている。照明系１２に適する様々な種類の光学インテグレーターを説明しているＷＯ ２００５／０７８５２２ Ａ、ＵＳ ２００４／００３６９７７ Ａ１、及びＵＳ ２００５／００１８２９４ Ａ１を参照されたい。

参照番号７０は、マスク１４上に入射する光の角度分布を実質的に定める照明系１２の系瞳面を表す。系瞳面７０は、通常は平面又はいくらかの曲面であり、光学インテグレーター７２内又はその直近に配置される。系瞳面７０内の角度光分布は、その後の視野平面内の強度分布に直接変換されるので、光学インテグレーター７２は、マスク１６上の照明視野１４の基本的幾何学形状を実質的に決める。光学インテグレーター７２は、走査方向ＹよりもＸ方向に有意に大きく角度範囲を拡大するので、照明視野１４は、走査方向ＹよりもＸ方向に沿って大きい寸法を有する。

光学インテグレーター７２によって生成される２次光源から射出した投影光は、図２では簡略化の目的で単一のレンズのみで表す第２のコンデンサー７８に入射する。第２のコンデンサー７８は、系瞳面７０と、視野絞り８２が配置されたその後の中間視野平面８０との間のフーリエ関係を保証する。第２のコンデンサー７８は、第２の光源によって生成された光束を中間視野平面８０内で重ねて、それによって中間視野平面８０の非常に均一な照明を提供する。視野絞り８２は、複数の可動ブレードを含むことができ、マスク１６上の照明視野１４の鮮明な（望ましい程度に）縁部を保証する。

視野絞り対物系８４は、中間視野平面８０とマスク１６が配置されたマスク平面８６との間に光学的共役性を与える。従って、視野絞り８２は、視野絞り対物系８４によってマスク１６上に鮮明に結像される。

ＩＩＩ．測定デバイス
ミラーの向き、すなわち、傾斜軸５６ｘ、５６ｙ（図３を参照されたい）に関する傾斜角は、非常に正確に制御すべきである。この正確な制御の必要性は、感光面２２上に生成されるパターンが、ミラーＭ_ijの向きに依存する系瞳平面７０内の強度分布の変化に非常に影響され易いことによる。

ミラーＭ_ijの向きは、ミラーＭ_ijの向きを個別に測定することができる場合にのみ正確に制御することができる。この目的のために、照明系１２は、測定光ビームを各ミラーＭ_ij上に誘導し、そこから反射される測定光ビームの方向を測定するように構成された測定デバイス９０を含む。

他の実施形態では、測定デバイス９０は、ミラーＭ_ijの向きだけではなく、ミラーＭ_ijの反射面の形状も測定するように構成される。これらの形状は、投影露光装置１０の作動中に、高エネルギ投影光の吸収によってもたらされる熱の結果として変化する可能性がある。ＥＵＶ照明系では、ＤＵＶ照明系と比較して投影光のより大きい部分がミラーによって吸収されるので、熱誘起の変形の問題は特別な懸念事項である。個々のミラーＭ_ijの形状を測定するには、各ミラーＭ_ij上の１つの位置だけではなく、複数の位置に対して面関連パラメータ（表面法線又は距離のような）を取得すべきである。

いずれの場合にも、複数のミラーＭ_ijの面が、共同で大きい光学面を形成するものと考えることができる。この場合、測定デバイス９０は、この光学面に関連するある一定のパラメータを複数の区域、すなわち、光学面上の複数のミラーＭ_ijの面上で測定する。各ミラーＭ_ij上には、２つ又はそれよりも多くのそのような区域が存在することができる。パラメータは、例えば、表面法線又は距離とすることができる。この実施形態では、パラメータは、複数のミラーＭ_ijの向き、従って、複数のミラーＭ_ijによって共同で形成される光学面の形状を表すのに適している。

測定デバイス９０は、測定されたパラメータを制御ユニット５０に供給する。次に、制御ユニット５０は、測定されたミラーの向きとターゲットの向きとの間のずれが所定の閾値を超えた場合に、一部又は全てのミラーＭ_ijを再調節することができる。ミラーＭ_ijの制御に関するより詳細な内容は、ＷＯ ２００９／０８０３１０ Ａ１から収集することができる。

次に、測定デバイス９０の一般的な構造を図２及び同じく図２からのより詳細な拡大抜粋図である図４を参照して以下に説明する。

測定デバイス９０は、個々の測定光ビーム９４を各ミラーＭ_ijに誘導する照明ユニット９２を含む。ミラーＭ_ijからの反射の後に、測定光ビーム９４は、検出器光学系９８と位置分解センサ１００とを含む検出器ユニット９６に入射する。検出器光学系９８は、測定光ビーム９４の方向を位置分解センサ１００上の位置に転換するコンデンサーを含むことができる。センサ１００によって得られた位置データは、検出器ユニット９６によって測定された反射測定光ビーム９４の方向に基づいてミラーＭ_ijの向きを判断するように構成された評価ユニット１０２に供給される。次に、これらのデータは、上述のように制御ユニット５０に供給される。検出器ユニット９６に関するより詳細な内容は、上述のＷＯ ２００８／０９５６９５ Ａ１に説明されている。

各ミラーＭ_ijの向きを個別に測定することができるためには、測定デバイス９０は、検出された測定光ビーム９４がどのミラーＭ_ijから反射されたかを識別することができなければならない。この点に関しての１つの手法は、複数の個別照明部材１０３を含む照明ユニット９２を使用することである。各部材１０３は、ミラーＭ_ijのうちの１つに向けられる測定光ビーム９４を生成する。照明部材１０３は、個別に制御することができるので、センサ１００によって検出される測定光ビーム９４を区別するのに、例えば、時間領域又は周波数領域における光学的多重化を使用することができる。

最も単純な場合には、照明部材は、図４に例示しているように、平行な又は若干発散する測定光ビーム９４を生成する。各測定光ビーム９４は、ミラーＭ_ijのうちの１つの上のある一定のスポットを照明する。しかし、照明ユニット９２は、平行な投影光３４の光路を遮蔽してはならず、従って、ミラーアレイ４６からある程度の距離を離して配列すべきである。測定光ビーム９４が照明ユニット９２からミラーアレイ４６までの道筋で発散することが許された場合、ミラーＭ_ij上で照明されるスポットは大きくなり過ぎて、これらのスポットを個々のミラーＭ_ijに制限することができない。

従って、上述のＷＯ ２００８／０９５６９５ Ａは、各照明部材に対して個別の光学結像構成要素を使用することを提案している。各結像構成要素は、照明部材の光射出ファセットを関連付けられたミラーＭ_ij上に結像する。各結像構成要素は、正のレンズで形成され、レンズは、マイクロレンズアレイを形成する。それによって各照明部材によってミラーアレイ４６上に照明されるスポットのサイズを大きく縮小することが可能になる。特に、照明部材の光射出ファセットよりも小さいスポットをミラーアレイ上に照明することさえも可能である。しかし、最も好ましい幾何学的条件（照明部材のピッチ、ミラーのピッチ、及び照明部材とミラーの間の距離）の下では、回折が、光射出ファセットの像を大きくぼかす。

回折によってもたらされる制限は、２つ又はそれよりも多い、好ましくは、全ての光射出ファセットが共通してより大きい結像系によって結像される場合は緩和される。これをミラーアレイ４６上の区域を照明する照明ユニット９２を通る子午断面図である図５の概略図に例示している。２つのレンズ１１４、１１６は、照明部材１０３の光射出ファセット１０６が配置された物体平面１０８と、ミラーアレイ４６のミラーＭ_ijが配置された像平面１１２との間に光学的共役性を与える。この実施形態では、物体平面１０８と像平面１１２は、シャインプルーフ条件に従って傾斜して配置される。この条件の充足は、物体平面１０８と像平面１１２との傾斜構成にも関わらず、照明部材１０３の光射出ファセット１０６がミラーＭ_ij上に鮮明に照明されることを保証する。この手法に関するより詳細な内容は、２００９年３月１３日に本出願人によって出願された「マイクロリソグラフィ投影露光装置（Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）」という名称の国際特許出願ＰＣＴ／ＥＰ２００９／００１８０２７から得ることができる。

図５に示している照明ユニット９２を使用すると、測定光ビーム９４によって照明されるスポットをこれらのスポットが近接ミラーＭ_ij上に延びないように制限することができる。

これをミラーアレイ４６のミラーＭ_ijのうちの一部の上の上面図である図６に例示している。この場合、選択されたミラーＭ_s上に測定光ビーム９４によってスポットを照明するものとすることを仮定している。図６の円は、そのようなスポットの放射照度分布１１８を示している。図６の曲線１１８’は、放射照度分布を放射照度対半径の関数として略示している。図６から分るように、放射照度分布１１８は、ミラーＭ_sを完全に覆うが、近接ミラーＭ_ijのいずれの上にも延びない。

それによって測定光が近接ミラーＭ_ij上に入射し、様々な方向に反射されるこが防止される。そのような誤誘導光も検出器ユニット９６によって検出されることになるので、以下に説明するような対策を講じないと、選択されたミラーＭ_sの向きの測定に対して利用可能な精度を重度に低下させることになる。例えば、測定光ビーム９４の強度のうちの僅かに０．０４％が近接ミラーＭ_ij上に入射する場合には、選択されたミラーＭ_sの傾斜角を測定するのに利用可能な精度は、０．０４％を超えることができない。誤誘導光のうちの僅か０．０４％は、０．８ｍｍ×０．８ｍｍの例示的ミラー幾何学形状では、選択されたミラーＭ_s上に照明されるスポットが、一般的な放射照度分布１１８において０．１ｍｍ程度の１／ｅ半径を有するべきであることを意味する。この半径は、図５に示している光学レイアウトにおいてさえも得ることが困難である。

図７は、１つではなく２つの照明部材１０３が各ミラーＭ_ijを照明することがきるものとする場合の条件を示している。そのような冗長性は、照明部材１０３のうちの一部が、装置１０の寿命の間に故障することになる場合に必要である可能性がある。１つよりも多い照明部材１０３が、測定光ビーム９４を単一のミラーＭ_ijに向けて誘導することができる場合には、故障の場合にこれらの照明部材１０３のうちの１つが代行することができる。

通常は、これらの２つの照明部材１０３の光射出ファセットの像をミラーＭ_ij上の同じ位置に生成することは可能にはならない。従って、これらの照明部材１０３によって生成される放射照度分布１１８ａ、１１８ｂは、図７に示しているように一般的に若干変位される。ここで、いかなる測定光も近接ミラーＭ_ij上に入射することが許されない場合には、照明区域の最大サイズに関する制約はより一層厳しい。

図６及び図７に例示している条件を保証するには、図５にレンズ１１４、１１６で表す結像系を特にテレセントリック性誤差に関して十分に補正することが必要である。この補正の必要性は、測定光ビーム９４がミラーＭ_ij上に入射する際の方向を非常に正確に把握すべきであることによる。測定誤差を回避するために、例えば、熱効果の結果としてのこれらの結像特性の変化は、防止又は補償すべきである。

以下では、照明ユニット９２に対して課せられる要件、特に、照明部材１０３の光射出ファセット１０６をミラーアレイ４６上に結像する結像光学系に対して課せられる要件を大きく緩和することを可能にする新しい手法を説明する。

１．第１の実施形態群
新しい手法により、照明部材１０３によって照明されるスポットは、近接ミラーＭ_ijに延びることが許される。言い換えれば、放射照度分布１１８は、少なくとも１つの他のミラーＭ_ijに延びている。図８に図示の実施形態では、照明スポットは、全ての隣接ミラーＭ_ijに延びている。図９は、図７で仮定したように２つの照明部材が各ミラーＭ_ijに関連付けられる場合に関するこの手法を示している。図９で明らかなように、放射照度分布１１８ａ、１１８ｂは、隣のミラー要素Ｍ_ijのうちの少なくとも１つに延びている。

ａ）計算方式
測定精度の劣化は、ミラーＭ_ijの向きを個別に、すなわち、各ミラーＭ_ijに対して離間してではなく、隣のミラーＭ_ijのうちの少なくとも１つに対して得られた測定値に基づいて判断することによって防止される。

以下では、このより高度な計算方式を１次元ミラーアレイ、すなわち、ｋ＝１，２，．．．，Ｎの時にＮ×１個のミラーＭ_kを含むアレイという簡略化した事例に対してより詳細に説明する。この１次元への低減は、以下に続く説明を簡略化するだけのものとし、当然ながら、この概念は、インデックスｋ＝１，２，．．．，ｎ・ｍをｎ×ｍ個のミラーＭ_ijに割り当てるか、又は各インデックスｋにタプル（ｉ，ｊ）を割り当てることによって２次元ミラーアレイ４６に容易に拡張することができる。

ｘ_kを選択されたミラーＭ_kの傾斜角であると仮定する。この選択されたミラーＭ_kに関連付けられた照明部材１０３が作動された場合には、ミラーＭ_kは、１であると仮定する放射照度で照明される。

しかし、更に、相対強度Ａ_klを有する光が、同じく別のミラーＭ₁上に入射する。従って、検出器ユニット９６は、選択されたミラーＭ_kに対して、傾斜角ｘ_kだけでなく、他のミラーのうちの１つ又はそれよりも多くが有する傾斜角にも依存する値ｙ_kを有する特性を測定する。検出器ユニット９６が線形応答を有する（少なくとも近似的に）場合には、この依存性を式（１）で表すことができる。

検出器９６の応答を線形であると仮定することができない場合には、式（１）及びその結果としてそれ以降続く式がより複雑になる。しかし、これは、以下に概説する一般的な原理の正当性に影響を与えない。

式（１）は、式（２）とも書くことができる連立線形方程式を表す。

ここで、

＝（ｙ₁，ｙ₂，．．．，ｙ_N）は、ミラーＭ₁からＭ_Nに対して得られた測定値であり、

＝（ｘ₁，ｘ₂，．．．，Ｘ_N）は、ミラーＭ₁からＭ_Nの傾斜角であり、

は、相対強度Ａ_klを含む行列である。

例えば、ＬＵ分解及びその後の後退代入を用いて線形方程式の系（２）を解くことにより、測定値ｙ_kに基づいて傾斜角ｘ_kにおける望ましい値を計算することができる。上述のように、ミラーＭ_kにおける傾斜角ｘ_kは、常に、測定値ｙ_kだけではなく、ｌ≠ｋである時に少なくとも１つの他の測定値ｙ_lにも依存する。

測定値：

は、完全に正確になることは決してなく、ある程度の欠陥を有する。従って、傾斜角：

は、欠陥を有する測定値に基づいて計算されることになり、それによって計算傾斜角：

は、一般的に実際の傾斜角とは若干異なることになる。当然ながら、傾斜角：

は、測定値：

に対して利用可能な精度よりも高い精度で判断することができない。むしろ測定傾斜角：

の精度が、測定値：

の精度よりも数桁分悪い危険性さえも存在する。しかし、シミュレーションにより、式（２）では、計算傾斜角：

の最大測定誤差が、測定値：

の測定誤差よりも若干しか大きくない（１．２倍よりも小さい）ことが示されている。計算傾斜角：

の平均測定誤差の場合には、いくつかの測定値が全ての計算値：

内に入ることから統計誤差が低減することに起因して、この平均測定誤差は、単一のミラーＭ_kが照明されたかのように一層小さい。

ｂ）変位
ミラーＭ_ij上に照明されるスポットの最大強度点が、何故完全にミラーＭ_ijの面の中心に位置すべきであるかといういかなる確固たる理由も存在しない。むしろこれらの点のミラー面に対する若干ではあるが不規則な変位は、上述の計算方式の数値的安定性に対してプラスの効果を有することになる。それによってこの方式の関連におけるある一定の許容範囲を緩和することができる。放射照度分布１１８の中心１２０が、選択されたミラーＭ_sの中心に位置しない例を図１０に示している。

冗長性を与えるものとする場合には、一般的に、図９に示しているように、最大強度点１２０を偏心させることが必要になる。図１１は、冗長度ＤＲ＝４が与えられた実施形態を示している。この冗長度は、照明部材１０３の数が、ミラーＭ_ijの数の４倍であることを意味する。最大強度点１２０は、縁部又はその近くに配置され、この実施形態では、ミラーＭ_ijのコーナに近い。その結果、図１１に太線に示している選択されたミラーＭ_sを４つの異なる照明部材１０３のいずれかによって照明することができる。これらの４つの照明部材１０３のうちの１つが故障した場合には、別の照明部材１０３が代行することができる。図１１に例示している偏心パターンは、検出器ユニット９６の精度に対して、図８に示している中心位置パターンの場合に課せられる要件よりも若干しか上回らない要件を課すことが示されている。

ｃ）較正
式（１）における係数Ａ_klを判断するために、以下の較正法を適用することができる。

最初の段階では、選択されたミラーＭ_sを除く全てのミラーＭ_ijは、これらのミラーが検出器ユニット９６に向けて光を反射することができないような位置に傾斜される。次に、系瞳平面７０内の光点の位置が、当業技術で公知の測定機器を用いて測定されることになる。

第２の段階では、選択されたミラーと他のミラーのうちの１つとを除く全てのミラーは、これらのミラーが検出器ユニット９６に向けて光を反射することができないような位置に傾斜される。次に、系瞳平面７０内の両方の光点の位置が、この測定機器を用いて測定されることになる。

このようにして、全ての係数Ａ_klを判断することができる。

２．第２の実施形態群
線形方程式の系（２）を解くことができるためには、全てのミラーに対して測定値：

を把握すべきである。言い換えれば、特定のミラーＭ_kの傾斜角：

は、ミラーアレイ４６の全てのミラーに関する測定値：

が得られた後にのみ判断することができる。

しかし、隣のミラーの測定値しか得られなかった場合にも、特定のミラーＭ_kに関する傾斜角ｘ_kを判断することができる。これは、特定の測定光ビーム９４によって照明されるスポットが、通常は選択されたミラーＭ_sの直近に配置されたミラーにしか延びないということを利用する。

特定の測定光ビーム９４によって生成される放射照度分布のこの低下は、行列Ａ_ij＝ε^|i-j|によって表すことができる。これは、測定光ビーム９４の強度の一部分εが、隣接ミラーのうちのいずれかの上に入射することになり、一部分ε²が、１つ置いて隣のミラー上に入射し、以降同様に続くことを意味する。以下の考察が妥当であるためには、これらの仮定が必ずしも満たされなくてもよいことを理解すべきである。

この仮定の下で、測定値ｙ_kは、次式のように書くことができる。

この式は、以下のようにしてｘ_kに対して解くことができる。

最初の段階では、式（４）による項ｘ_k-1及びｘ_k+1を式（４）に再度代入し直して、以下をもたらす。

このようにして、望ましい次数に至るまで全てのεⁿｘを再帰的に排除することができる。その後に、この計算において、高次のεが無視されることになる。

図１２のグラフは、式（５）における高次の項を無視することによってもたらされる誤差ＥＲＲの依然として考慮される次数ＯＲＤに依存する依存性を示している。明らかなように、３次ＯＲＤ＝３に至るまでの全ての次数が考慮され、それよりも高い全ての次数が無視される場合は、誤差ＥＲＲは非常に小さい。ε＝１／３０であると仮定した。ε＞１／８では、ミラーが図６から図１１に示しているように規則的な格子状に配置された場合に、上述の級数は良好に収束する。この良好な収束は、各ミラーが、こうして８つの隣接ミラーを有し、かつε＝１／８の場合に、選択されたミラーＭ_s上の放射照度が、全ての隣接ミラー上の放射照度と同じであることによる。

３．第３の実施形態群
図１３は、ＥＵＶ放射線源３０を有する照明系１２と、反射マスク１６と、投影対物系２０とを含むＥＵＶ投影露光装置の概略図である。対物系２０は、支持体２４上に付加された感光面２２上にマスク１６の縮小像を形成する６つのミラーＭ１からＭ６を含む。

図示の実施形態では、最後のミラーＭ６は適応ミラーである。この目的のために、ミラーＭ６の反射面を変形するように構成されたアクチュエータユニット１３０が設けられる。変形は、収差が低減されると判断される。この変形は、収差が時間変化する場合に特に有用である。多くの場合に、そのような時間変化収差は、マスク１６又は照明系１２によって生成される照明設定が変更された後にミラーＭ１からＭ６の温度分布の変化が発生する可能性があるから、これらの変化によってもたらされる。

図１４は、ミラーＭ６及びアクチュエータユニット１３０を通したより詳細な略断面図である。アクチュエータユニット１３０は、共通の支持構造１３３に固定された複数のアクチュエータ１３２を含み、これらのアクチュエータ１３２は、ミラーＭ６に対して図１６に双方向矢印に示している力を作用するように構成される。アクチュエータ１３２は、望ましい面変形が提供されるようにアクチュエータ１３２を制御するアクチュエータ制御ユニット１３４によって制御される。

この目的のために、投影対物系２０は、図４を参照して上述したものと実質的に同じ測定デバイス９０を含む。照明ユニット９２は、ミラーＭ６の光学面上の選択された別々の区域に向けて測定光ビーム９４を誘導する複数の照明部材１０３を含む。同じくこの実施形態では、ミラーＭ６上に照明されるスポットが非常に大きいので、少なくとも１つの測定光ビーム９４は、上記区域のうちの測定光ビーム９４に関連付けられた少なくとも一部分だけではなく、隣接区域のうちの測定光ビーム９４に関連付けられていない少なくとも一部分も照明する。

反射測定光ビームは、検出器ユニット９６の検出器光学系９８に入射し、その後にセンサ１００によって検出される。照明ユニット９２及び検出器ユニット９６の配列は、この配列が、ＥＵＶ投影光１３８と干渉しないように判断される。

センサ１００に接続した評価ユニット１０２は、検出器ユニット９６によって測定される光ビームの方向に基づいてミラーＭ６の形状を判断する。測定デバイス９０によって得られる面形状情報は、閉ループ制御機構においてアクチュエータ１３２を制御するのに使用される。

好ましい実施形態の以上の説明は、例示的に提供したものである。提供した開示内容から、当業者は、本発明及びそれに伴う利点を理解するだけでなく、開示した構造及び方法に対する様々な明らかな変形及び修正も見出すであろう。従って、本出願人は、全てのそのような変形及び修正が特許請求の範囲及びその均等物によって定められる本発明の精神及び範囲に収まるとして網羅するように求めている。

４６ ミラーアレイ
１１８ 放射照度分布
１２０ 最大強度点
Ｍ_ji ミラー
Ｍ_s 選択されたミラー

Claims (15)

1. マイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
   光学面（４６；Ｍ６）と、
   前記光学面（４６；Ｍ６）上の複数の別々の区域（Ｍ_ij）で該光学面に関連するパラメータを測定するように構成された測定デバイス（９０）と、
   を含み、
   前記測定デバイス（９０）は、
   ａ）個々の測定光ビーム（９４）を前記光学面上の前記区域（Ｍ_ij）に向けて誘導するように構成された照明ユニット（９２）であって、各測定光ビーム（９４）が、区域（Ｍ_ij）のうちの該測定光ビーム（９４）に関連付けられた少なくとも一部分と、隣接区域（Ｍ_ij）のうちの該測定光ビーム（９４）に関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する前記照明ユニット（９２）と、
   ｂ）各測定光ビーム（９４）に関する特性をそれが前記光学面（４６；Ｍ６）と相互作用した後に測定するように構成された検出器ユニット（９６）と、
   ｃ）選択された区域（Ｍ_s）に関する前記面に関連のパラメータを、
   ｉ）前記選択された区域（Ｍ_s）に関連付けられた前記測定光ビーム（９４）と、
   ｉｉ）前記選択された区域（Ｍ_s）に隣接する区域（Ｍ_ij）に関連付けられた少なくとも１つの測定光ビーム（９４）と、
   に対して前記検出器ユニット（９６）によって判断された前記特性に基づいて判断するように構成された評価ユニット（１０２）と、
   を含む、
   ことを特徴とする装置。
2. 前記光学面（４６；Ｍ６）に関連し、かつ前記複数の区域で測定される前記パラメータは、該光学面の形状を定めることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記光学面（４６；Ｍ６）を変形するように構成された面変形ユニット（１３０）を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の装置。
4. 前記光学面（４６；Ｍ６）は、それが前記測定光ビームの少なくとも実質的な部分を反射するように構成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の装置。
5. 前記光学面は、制御信号に応答して可変である反射角によって入射光線を反射するようになったミラー（Ｍ_ij）のアレイ（４６）で形成され、
   少なくとも１つの区域が、各ミラー面に関連付けられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
6. ミラー（Ｍ_ij）の前記アレイ（４６）は、装置の照明系（１２）に配置され、
   前記ミラー（Ｍ_ij）は、投影光を前記照明系（１２）の系瞳面（７０）に向けて誘導する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
7. 各測定光ビーム（９４）が、前記関連付けられた区域（Ｍ_ij）上に最大強度の点（１２０）を生成し、
   前記最大強度の点（１２０）は、前記ミラー（Ｍ_ij）の中心に関して僅かにかつ不規則に変位される、
   ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の装置。
8. 前記光学面上に前記測定光ビーム（９４）によって照明されるスポットが、少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の装置。
9. 前記評価ユニット（１０２）は、前記照明ユニット（９２）によって生成された全ての測定光ビーム（９４）に対して前記検出器ユニット（９６）によって判断された前記特性に基づいて、前記選択された区域（Ｍ_s）に関する前記面関連パラメータを判断するように構成されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の装置。
10. 選択された区域ｋに関する前記面関連パラメータは、ｙ_kを区域ｋに向けて誘導された前記測定光ビームに対して前記検出器ユニットによって測定された前記特性とし、かつＡ_klを実数係数として、以下の連立線形方程式：
    

    

    によって判断されるｘ_kであることを特徴とする請求項９に記載の装置。
11. 前記係数Ａ_klは、較正によって判断されることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
12. 前記評価ユニット（１０２）は、前記選択された区域（Ｍ_s）に関する前記面関連パラメータを該選択された区域（Ｍ_s）の隣及び１つ置いて隣のものである区域（Ｍ_ij）に向けて誘導された前記測定光ビーム（９４）に対して前記検出器ユニット（９６）によって判断された前記特性だけに基づいて判断するように構成されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の装置。
13. 前記照明ユニット（９２）は、前記測定光ビーム（９４）のうちの１つを放出するように構成された光射出ファセット（１０６）を各々が有する複数の照明部材（１０３）を含み、
    前記光学面上で照明される前記区域（Ｍ_ij）は、前記光射出ファセット（１０６）の像である、
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の装置。
14. 前記光学面（４６）上に１つよりも多い光射出ファセット（１０６）を共通して結像する結像系（１１４，１１６）を含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
15. マイクロリソグラフィ投影露光装置に収容された光学面に関連するパラメータを該光学面上の複数の別々の区域で測定する方法であって、
    ａ）個々の測定光ビームを光学面上の区域に向けて誘導し、各測定光ビームが、該区域のうちの該測定光ビームに関連付けられた少なくとも一部分と隣接区域のうちの該測定光ビームに関連付けられていない少なくとも一部分とを照明する段階と、
    ｂ）各測定光ビームに関する特性をそれが前記光学面と相互作用した後に測定する段階と、
    ｃ）選択された区域に関する前記面に関連のパラメータを、
    ｉ）前記選択された区域に関連付けられた前記測定光ビームと、
    ｉｉ）前記選択された区域に隣接する区域に関連付けられた少なくとも１つの測定光ビームと、
    に対して段階ｂ）で判断された前記特性に基づいて判断する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。

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