JP2005136387A - リトグラフ装置、および、デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターン形成アレーの作用面の平坦度を制御することができるように高さ調整可能な取付け構造を介して、一つ以上のプログラム可能なパターン形成アレーを配設板に取付ける。高さ調整可能な構造は、一連の圧電アクチュエータまたはスクリューを含む。代替的に、パターン形成アレーの背面が光学的に平坦に研磨され、剛性装架体の光学的に平坦な表面に結晶接合によって接合される。
【選択図】図9
Description
[数1]
TE=2・M・U
従って、パターン形成アレーにとって代表的な全体非平坦度40μradは、レンズおよびその他の機械的な関与を含めて、標準仕様10mrad(合計)と対比して、テレセントリック性に関する誤差16〜32mradを与えることになる。
放射投影ビームを供給する照射系と、
この放射投影ビームに横断面内パターンを与えるように働く個別に制御可能な素子から成るパターン形成アレーと、
前記パターン形成アレーが配設される配設板と、
前記パターン形成アレーの作用面の高さを局部的に調整する高さ調整構造と、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投影するための投影系とを含むリトグラフ装置。
放射投影ビームを供給する照射系と、
この放射投影ビームに横断面内パターンを与えるように働く個別に制御可能な素子から成るパターン形成アレーと、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影系とを含むリトグラフ装置であり、
前記パターン形成アレーが、基板の第一表面に配置された複数の能動部材を含み、前記第一表面とは反対側の前記基板の第二表面が光学的に平坦であり、
また、前記パターン形成アレーが、光学的に平坦な表面を有する剛性装架体を含み、前記基板の第二表面が前記剛性装架体の光学的に平坦な表面に接合されている。
放射線感応材料から成る層で少なくとも部分的に被覆された基板を用意する段階と、
放射系を用いて放射投影ビームを用意する段階と、
前記第一の放射投影ビームに、その横断面内パターンを与えるためにパターン形成アレーを用いる段階と、
パターン化された前記放射投影ビームを放射線感応材料から成る層の目標部分に投影する段階と、
前記パターン形成アレーの作用面が平坦であることを保証する態様で、配設板または剛性装架体に前記パターン形成アレーを配設する段階とを含むデバイス製造方法。
放射光(例えばUV放射光)の投影ビームPBを形成する照射システム(照射装置)ILと、
投影ビームにパターンを与えるための個別に制御可能な素子から成るアレーPPM(例えばプログラム可能なミラー配列)であって、一般に個々に制御可能な素子から成るアレーの位置は装置PLに対して固定されるが、これに代えて装置PLに対して正確に位置決めする位置決め手段に連結することのできるアレーと、
基板(例えばレジスト被覆ウェーハ)Wを支持するための、また装置PLに対して基板を正確に位置決めするために位置決め手段PWに連結された基板テーブル(例えばウェーハ・テーブル)WTと、
個別に制御可能な素子から成るアレーPPMによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば一つ以上のダイを含む)に像形成するための投影系(「レンズ」)PLであって、個別に制御可能な素子から成るアレーを基板に投影するか、これに代えて個別に制御可能な素子から成るアレーの部材がシャッターとして作用する二次光源を像形成し、例えば二次光源を形成するため、およびマイクロスポットを基板上に像形成するためにマイクロ・レンズ配列(MLAとして周知である)またはフレネル・レンズ配列のような集光部材の配列を含む投影系PLとを含む。
Claims (38)
- 放射投影ビームを供給する照射系と、
この放射投影ビームに横断面内パターンを与えるように働く個別に制御可能な素子から成るパターン形成アレーと、
前記パターン形成アレーが配設される配設板と、
前記パターン形成アレーの作用面の高さを局部的に調整する高さ調整構造と、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投影するための投影系とを含むリトグラフ装置。 - 前記高さ調整構造が、プログラム可能なパターン形成手段の非平坦度を検出するためのレベル・センサーと、前記パターン形成アレーに加える調整を制御するためのフィードバック・ループとを含む請求項1に記載されたリトグラフ装置。
- 前記高さ調整構造が圧電部材アレーを含む請求項1に記載されたリトグラフ装置。
- 前記高さ調整構造が前記配設部材のねじ穴を貫通し、前記パターン形成アレーを支持する一連のスクリューまたはボルトを含む請求項1に記載されたリトグラフ装置。
- 共通の配設部材に設けた複数のパターン形成アレーと、各高さ調整構造とを含み、前記高さ調整構造が、複数の前記パターン形成アレーの手動によるレベル調整を可能にしている請求項1に記載されたリトグラフ装置。
- 放射投影ビームを供給する照射系と、
この放射投影ビームに横断面内パターンを与えるように働く個別に制御可能な素子から成るパターン形成アレーと、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影系とを含み、
前記パターン形成アレーが、基板の第一表面に配置された複数の能動部材を含み、前記第一表面とは反対側の前記基板の第二表面が光学的に平坦であり、
また、前記パターン形成アレーが、光学的に平坦な表面を有する剛性装架体を含み、前記基板の第二表面が前記剛性装架体の光学的に平坦な表面に接合されているリトグラフ装置。 - 固定取付け関係によって、または、前記パターン形成アレーの全体的な傾きを修正することのできる能動的な取付け関係によって、前記剛性装架体が配設板に取付けられている請求項6に記載されたリトグラフ装置。
- 前記剛性装架体の熱膨張や熱収縮が生じた場合でも前記パターン形成アレーが歪まないように、前記剛性装架体が、その中立線に沿って取付けられている請求項7に記載されたリトグラフ装置。
- 前記基板の前記第二表面が直接結晶接合(ansprengen)によって前記剛性装架体の前記平坦面に接合されている請求項6に記載されたリトグラフ装置。
- 放射線感応材料から成る層で少なくとも部分的に被覆された基板を用意する段階と、
放射系を用いて放射投影ビームを用意する段階と、
前記第一の放射投影ビームに、その横断面内パターンを与えるためにパターン形成アレーを用いる段階と、
パターン化された前記放射投影ビームを放射線感応材料から成る層の目標部分に投影する段階と、
前記パターン形成アレーの作用面が平坦であることを保証する態様で、配設板または剛性装架体に前記パターン形成アレーを配設する段階とを含むデバイス製造方法。 - マスクなしリトグラフ装置を用いたデバイス製造方法において、
複数のパターン形成アレーを有し、第一の平面を規定するパターン形成アレー組立体を照射する段階と、
第一の平面から第二の配向へ前記パターン形成アレー組立体における少なくとも一つのパターン形成アレーの位置を調整する段階と、
前記パターン形成アレー組立体から出る光で対象物を露光する段階とを含むデバイス製造方法。 - 前記第一の平面が前記パターン形成アレー組立体における少なくとも一つの別のパターン形成アレーと同一平面にあり、前記第二の配向が少なくとも一つの別のパターン形成アレーと同一平面にない請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 前記第二の配向が第二の平面である請求項12に記載されたデバイス製造方法。
- 前記第二の配向が前記第一の平面と平行である請求項13に記載されたデバイス製造方法。
- 前記第二の配向が前記第一の平面に対して或る角度で傾斜している請求項13に記載されたデバイス製造方法。
- 前記第二の配向が前記第一の平面に対して湾曲している請求項12に記載されたデバイス製造方法。
- 前記少なくとも一つのパターン形成アレーの位置が、前記対象物における光の焦点偏倚を補正するために調整される請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 前記少なくとも一つのパターン形成アレーの位置が能動的に調整される請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 前記少なくとも一つのパターン形成アレーの位置がピストンを用いて調整される請求項18に記載されたデバイス製造方法。
- 前記少なくとも一つのパターン形成アレーの位置が手動調整される請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 前記少なくとも一つのパターン形成アレーの位置がスクリューを用いて調整される請求項20に記載されたデバイス製造方法。
- 前記マスクなしリトグラフ装置の初期設定が行なわれる間にのみ、前記方法が実行される請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- 前記マスクなしリトグラフ装置の保守のために、定期的に前記方法が実行される請求項11に記載されたデバイス製造方法。
- マスクなしリトグラフ装置を用いたデバイス製造方法において、
複数のパターン形成アレーを有するパターン形成アレー組立体を照射する段階であり、前記パターン形成アレー組立体におけるパターン形成アレーの各々が第一位置を有している前記照射段階と、
前記第一位置から第二位置へ少なくとも一つのパターン形成アレーを調整する段階と、
光学装置を通して前記パターン形成アレー組立体から光を伝達する段階と、
伝達された前記光で対象物を露光する段階とを含み、
前記第一位置が前記パターン形成アレー組立体における複数の前記パターン形成アレーと同一平面であり、前記第二位置が前記パターン形成アレー組立体と同一平面ではないデバイス製造方法。 - 前記第二位置が前記第一位置と平行である請求項24に記載されたデバイス製造方法。
- 前記調整段階が、少なくとも一つのパターン形成アレーを傾斜させることを含む請求項24に記載されたデバイス製造方法。
- 前記調整段階が、少なくとも一つのパターン形成アレーを曲げることを含む請求項24に記載されたデバイス製造方法。
- パターン形成アレー組立体に複数のパターン形成アレーを有し、前記パターン形成アレー組立体が反射表面を有するマスクなしリトグラフ装置を用いたデバイス製造方法において、
収差に基づいて複数の前記パターン形成アレーの少なくとも一つの位置を調整する段階と、
前記パターン形成アレー組立体を照射する段階と、
光学装置を通して前記パターン形成アレー組立体で反射された光を伝達する段階と、
前記光で対象物を露光する段階とを含み、
前記調整段階が、前記パターン形成アレー組立体の反射表面を平坦面から偏倚させる段階であるデバイス製造方法。 - 前記調整段階が、
前記対象物の平面で、露光データを受取る段階と、
複数の前記パターン形成アレーの少なくとも一つに必要な修正調整であって、前記露光データに基づく前記修正調整を決定する段階と、
前記収差を小さくするために必要な時に、複数の前記パターン形成アレーのうちの前記少なくとも一つを調整する段階とを含む請求項28に記載されたデバイス製造方法。 - 光を発生するように構成された照射光源と、
複数のパターン形成アレーを有し、それらの各パターン形成アレーが各調整器に取付けられているパターン形成アレー組立体と、
光を調節するように構成された光学装置と、
光を受取るように構成された画像平面とを、光路に沿って有し、
各調整器が、必要な時にパターン形成アレーを動かして、対象物の受取る光の光学的収差を修正し、もって、前記パターン形成アレーの表面が平坦面から偏倚するマスクなしリトグラフ装置。 - 前記収差が合計焦点偏倚である請求項30に記載されたリトグラフ装置。
- 前記調整器が一組の調整器である請求項30に記載されたリトグラフ装置。
- 前記一組の調整器が、各パターン形成アレーを傾斜させる請求項32に記載されたリトグラフ装置。
- 前記一組の調整器が、各パターン形成アレーを曲げる請求項32に記載されたリトグラフ装置。
- 前記一組の調整器が、各パターン形成アレーの高さを変化させる請求項32に記載されたリトグラフ装置。
- 前記調整器を制御するように構成された制御装置を更に含む請求項32に記載されたリトグラフ装置。
- 前記調整器がピストンである請求項36に記載されたリトグラフ装置。
- 前記調整器がスクリューである請求項32に記載されたリトグラフ装置。
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Cited By (9)
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JP2006309243A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Asml Holdings Nv | スーパーピクセル形式の可傾ミラーを用いた光パターン形成装置 |
JP2007184575A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-19 | Asml Netherlands Bv | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008047873A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
WO2009078223A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nikon Corporation | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2009164284A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nikon Corp | パターン形成基板、露光方法およびデバイスの製造方法 |
JP2009194204A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光システムおよびデバイス製造方法 |
JP2010518595A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置 |
US7773287B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation |
JP2013535115A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-09-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学系及びマルチファセットミラー |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7414701B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems |
SG110196A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7270942B2 (en) * | 2003-10-22 | 2007-09-18 | Lsi Corporation | Optimized mirror design for optical direct write |
US7189498B2 (en) * | 2004-01-08 | 2007-03-13 | Lsi Logic Corporation | Process and apparatus for generating a strong phase shift optical pattern for use in an optical direct write lithography process |
US8264667B2 (en) * | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
DE502006005949D1 (de) * | 2006-08-21 | 2010-03-04 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren zum korrigieren der oberflächenform eines elements |
JP4644686B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2011-03-02 | 富士通株式会社 | 超伝導フィルタデバイスおよびその調整方法 |
DE102008037387A1 (de) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Aixtron Ag | Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske |
DE102008052100B4 (de) * | 2008-10-08 | 2015-10-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Flexibel verformbares Halteelement für Substrate |
NL2003673A (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods for compensating substrate unflatness, determining the effect of patterning device unflatness, and determing the effect of thermal loads on a patterning device. |
EP2454636B1 (en) * | 2009-07-17 | 2013-06-05 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithographic projection exposure apparatus and method of measuring a parameter related to an optical surface contained therein |
JP2011077142A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011081317A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | San Ei Giken Inc | 露光装置および露光方法 |
FR2959025B1 (fr) * | 2010-04-20 | 2013-11-15 | St Microelectronics Rousset | Procede et dispositif de photolithographie |
EP2938752A4 (en) * | 2012-12-28 | 2016-05-25 | Sputtering Components Inc | PLASMA ACTIVATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SOURCE (PECVD) |
US9773298B2 (en) * | 2013-10-11 | 2017-09-26 | Raytheon Company | Oscillatory motion compensation in frequency domain in image motion sensing systems |
US10156793B2 (en) | 2014-01-28 | 2018-12-18 | Prismlab China Ltd. | Light-curing type 3D printing device and image exposure system thereof |
NL2016691A (en) | 2015-06-22 | 2016-12-29 | Asml Netherlands Bv | Substrate support, method of compensating unflatness of an upper surface of a substrate, lithogrpahic apparatus and device manufacturing method. |
NL2019503B1 (en) * | 2016-09-08 | 2018-08-31 | Mapper Lithography Ip Bv | Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system |
CN108333879B (zh) * | 2017-01-17 | 2020-07-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种投影物镜像差校正机构及方法 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
US4737824A (en) * | 1984-10-16 | 1988-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface shape controlling device |
KR900001241B1 (ko) * | 1985-04-17 | 1990-03-05 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 광 노출 장치 |
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5296891A (en) | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5292891A (en) * | 1991-02-21 | 1994-03-08 | Chisso Corporation | Optically active 2,2-dimethyl-1,3-dioxin-4-ones and method for preparing same and method for preparing optically active compound for synthesis of physiologically active substance and optically active intermediate compound |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
US5883703A (en) * | 1996-02-08 | 1999-03-16 | Megapanel Corporation | Methods and apparatus for detecting and compensating for focus errors in a photolithography tool |
JP2001500628A (ja) | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6356340B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Piezo programmable reticle for EUV lithography |
US6229871B1 (en) | 1999-07-20 | 2001-05-08 | Euv Llc | Projection lithography with distortion compensation using reticle chuck contouring |
US6379867B1 (en) | 2000-01-10 | 2002-04-30 | Ball Semiconductor, Inc. | Moving exposure system and method for maskless lithography system |
TW508653B (en) | 2000-03-24 | 2002-11-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method |
EP1139176B1 (en) | 2000-03-24 | 2006-05-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and mask table |
KR100827874B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
US6509955B2 (en) | 2000-05-25 | 2003-01-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Lens system for maskless photolithography |
US6696008B2 (en) * | 2000-05-25 | 2004-02-24 | Westar Photonics Inc. | Maskless laser beam patterning ablation of multilayered structures with continuous monitoring of ablation |
US6416908B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-07-09 | Anvik Corporation | Projection lithography on curved substrates |
CN1474954A (zh) | 2000-11-22 | 2004-02-11 | 鲍尔半导体公司 | 光调制装置及系统 |
US6433917B1 (en) | 2000-11-22 | 2002-08-13 | Ball Semiconductor, Inc. | Light modulation device and system |
US6500955B1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-12-31 | National Institute Of Pharmaceutical Education And Research | One pot synthesis of [2,8-Bis (trifluoromethyl)-4-quinolinyl]-2-pyridinylmethanone, a mefloquine intermediate |
JP4401060B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2010-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 |
EP1271247A1 (en) | 2001-06-20 | 2003-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a mask for use in the method |
US6617082B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-09-09 | Intel Corporation | Microelectromechanical system mask |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
US6618185B2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-09-09 | Micronic Laser Systems Ab | Defective pixel compensation method |
US6707534B2 (en) | 2002-05-10 | 2004-03-16 | Anvik Corporation | Maskless conformable lithography |
EP1372036A1 (en) | 2002-06-12 | 2003-12-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7385750B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-06-10 | Asml Holding N.V. | Spatial light modulator using an integrated circuit actuator |
US7414701B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems |
SG110196A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7542197B2 (en) * | 2003-11-01 | 2009-06-02 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Spatial light modulator featured with an anti-reflective structure |
US7796321B2 (en) * | 2003-11-01 | 2010-09-14 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Mirror device |
-
2004
- 2004-09-16 SG SG200405762A patent/SG110196A1/en unknown
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-
2008
- 2008-07-09 US US12/170,120 patent/US8159647B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309243A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Asml Holdings Nv | スーパーピクセル形式の可傾ミラーを用いた光パターン形成装置 |
US7773287B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation |
JP2007184575A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-19 | Asml Netherlands Bv | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4705008B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-06-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008047873A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
US9013684B2 (en) | 2007-02-06 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2010518595A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置 |
US8339577B2 (en) | 2007-02-06 | 2012-12-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9001309B2 (en) | 2007-02-06 | 2015-04-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9019475B2 (en) | 2007-02-06 | 2015-04-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9239229B2 (en) | 2007-02-06 | 2016-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9897925B2 (en) | 2007-02-06 | 2018-02-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2009078223A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nikon Corporation | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2009164284A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nikon Corp | パターン形成基板、露光方法およびデバイスの製造方法 |
JP2009194204A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光システムおよびデバイス製造方法 |
JP2013535115A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-09-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学系及びマルチファセットミラー |
US9213245B2 (en) | 2010-07-01 | 2015-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system and multi facet mirror of a microlithographic projection exposure apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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