JP2006309243A - スーパーピクセル形式の可傾ミラーを用いた光パターン形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】個々に制御可能な素子アレイの輝度および位相変調特性を改善する光パターン形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】光パターニング・システムは、一定の波長λを有する放射ビームを供給する照明系を備える。反射ピクセルのアレイがビームをパターン形成し、アレイは、第２可傾ミラーに論理的に結合される第１可傾ミラーを少なくとも有するピクセルを含む。一実施例では、第１及び第２可傾ミラーが、ｉ互いにほぼ隣接し、ｉｉ第１ミラー変位だけ互いに高さが偏位する。パターン形成後ビームを目標に投影する投影系が含まれる。代替実施例では、反射ピクセルのアレイが、互いに論理的に結合される第１から第４の可傾ミラーを有するピクセルを含む。第１から第４の可傾ミラーは、ｉそれぞれ第１から第４のミラー変位だけ基準面から高さが偏位し、ｉｉ実質的に正方形のパターンとしてそれぞれ時計回りに配置される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光パターン形成装置及びそれを使用する方法に関する。

パターン形成装置は、入射光をパターン形成するのに使用される。静的パターン形成装置は、レチクル又はマスクを含むことができる。動的パターン形成装置は、アナログ信号又はデジタル信号の受信によってパターンを生成する、個々に制御可能な素子のアレイを含むことができる。そのような動的パターン形成装置は、マスクレス・システムと呼ばれることがある。パターン形成装置を使用する例示的環境は、限定はしないが、リソグラフィ装置、プロジェクタ、投影表示装置などでありうる。

現在、空間光変調器（ＳＬＭ）とも呼ばれることのある、個々に制御可能な素子のアレイは、様々なタイプのマイクロミラー・アレイを含むことができる。ミラー・タイプには、限定はしないが、平面可傾ミラー、単一位相ステップ可傾ミラー、ピストン・ミラー、又は傾斜動作とピストン動作を組み合わせるハイブリッド・ミラーが含まれる。マイクロミラー・アレイで物体として結像するとき、各ミラーで反射される光の位相及び輝度が、重要なパラメータである。可傾ミラーを有する、個々に制御可能な素子の従来型アレイでは、像平面に到達する陰光（即ち異相光）の最大量が、像平面に到達する陽光（即ち同相光）の最大量よりもずっと少ない。例えば、平面可傾ミラーは、１００％の正相輝度と４．７％の逆相輝度の間の任意の場所で輝度変調又はグレイスケールを達成することができる。逆相輝度が制限されていることは、移相マスクなどのあるタイプの従来型マスクをエミュレートする際の制限であることが示されている。

輝度変調特性又はグレイスケール特性を改善する一方法は、例えばλ／４の高さステップとλ／２の位相ステップを有する単一位相ステップ可傾ミラーを使用することである。ただしλは結像波長である。そのようなミラーは、スウェーデンのＭｉｃｒｏｎｉｃ Ｌａｓｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓによって発明された。このミラーは、＋５０％から−５０％の任意の場所で位相輝度変調を達成することができる。輝度変調特性を改善する別の方法は、参照により本明細書に援用する「Ｐａｔｔｅｒｎ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ ｕｓｉｎｇ ａ ｄｕａｌ ｐｈａｓｅ ｓｔｅｐ ｅｌｅｍｅｎｔ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｕｓｉｎｇ ｓａｍｅ」という名称の２００４年１１月２４日出願の同時係属出願第１０／９９５０９２号（整理番号１８５７．３２９００００）に開示している２重位相ステップ可傾ミラーを使用することである。

しかし、一般的に言えば、可傾ミラーのリソフグラフィ性能は、ミラー間位相／高さ誤差に非常に敏感である。本発明者等によって行われた調査では、６５ｎｍノードでの高さ要件は、統計偏差１シグマ（即ち１標準偏差）で１ｎｍ程度であることが示されている。現在のＳＬＭ技術では、そのようなレベルのミラー高制御は可能ではない。現況技術のＳＬＭは、求められるものよりも少なくとも４倍大きい誤差を示す。

上記及びその他の理由により、可傾ミラーなどの個々に制御可能な素子のアレイに関する輝度及び位相変調特性を改善するためのさらに代替の解決策が求められている。例えば、バイナリ・マスク、減衰移相マスク（ＡｔｔＰＳＭ）、交番移相マスク（ＡｌｔＰＳＭ）、ＣＰＬ、ボルテックス・マスクなどの様々なタイプのリソフグラフィ・マスクを効果的にエミュレートするために、個々に任意のグレイスケール及び位相を模倣することが有益なはずである。

光パターン形成システムは、一定の波長（λ）を有する放射ビームを供給する照明系を備える。反射ピクセルのアレイがビームをパターン形成し、アレイは、第２可傾ミラーに論理的に結合される第１可傾ミラーを少なくとも有するピクセルを含む。一実施例では、第１及び第２可傾ミラーが、（ｉ）互いにほぼ隣接し、（ｉｉ）第１ミラー変位だけ互いに高さが偏位する。最後に、パターン形成後ビームを目標に投影する投影系が含まれる。代替実施例では、反射ピクセルのアレイが、互いに論理的に結合される第１から第４の可傾ミラーを有するピクセルを含む。第１から第４の可傾ミラーは、（ｉ）それぞれ第１から第４のミラー変位だけ基準面から高さが偏位し、（ｉｉ）実質的に正方形のパターンとしてそれぞれ時計回りに配置される。その他の複数のミラーも使用することができる。

放射ビームをパターン形成する方法も開示される。この方法は、反射ピクセルのアレイを使用して、波長（λ）を有する放射ビームをパターン形成することを含む。このアレイは、第２可傾ミラーと論理的に結合される第１可傾ミラーを少なくとも有するスーパーピクセルを含む。第１及び第２可傾ミラーは、（ｉ）第１ミラー変位だけ互いに高さが偏位し、（ｉｉ）互いにほぼ隣接する。次いで、パターン形成後ビームが、物体の目標部分に投影される。４つ以上のミラーに関する同様の方法が開示される。

本発明の別の実施例、特徴、及び利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作を添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。

本明細書に組み込まれ、明細書の一部を形成し、本発明を図示する添付の図面はさらに、この説明と共に本発明の原理を説明する働きをし、関連技術の技術者が本発明を作成及び使用することを可能にする働きをする。図面では、同様の参照番号は、同一の要素又は機能的に類似の要素を示す。さらに、大部分の図面では、参照番号の最上位桁は、その参照番号が最初に現れる図面を特定する。

次に、添付の図面を参照しながら本発明を説明する。

概説
本文では、基板をパターン形成するリソフグラフィ・システムでのパターン形成装置の使用に対して特定の参照を行うことがあるが、本明細書に記載のパターン形成装置は、物体をパターン形成するプロジェクタ又は投影系、或いはディスプレイ装置（例えばプロジェクション・テレビジョン・システムなど）などでの他の応用例を有することができることを理解されたい。したがって、この説明全体にわたるリソフグラフィ・システム及び／又は基板の使用は本発明の例示的実施例を説明しているに過ぎない。

照明系、個々に制御可能な素子のアレイ、及び投影系を使用して光をパターン形成するシステム及び方法が使用される。照明系は放射ビームを供給する。個々に制御可能な素子のアレイ（ＳＬＭ）はビームをパターン形成する。投影系は、物体の目標部分にパターン形成後ビームを投影する。様々な実施例では、以下で詳細に議論するように、物体は、ディスプレイ装置、半導体基板又はウェハ、フラット・パネル・ディスプレイ・ガラス基板などでよい。

個々に制御可能な素子のアレイは、様々なタイプのＳＬＭを含むことができる。ミラー・タイプには、限定はしないが、平面可傾ミラー、単一位相ステップ可傾ミラー、ピストン・ミラー、又は傾斜運動とピストン運動を組み合わせるハイブリッド・ミラーが含まれる。しかし、上述のように、輝度変調の制約（例えば、陽光と陰光の最大振幅が等しくないこと）により、こうしたアレイが様々なタイプのマスク（例えば移相マスク）を効果的にエミュレートすることが妨げられる。さらに、様々なタイプのＳＬＭの不完全性又は誤差を補正する際に、こうしたアレイは往々にして非効率である。

一実施例では、個々に制御可能な素子のアレイは、可傾ミラーＳＬＭを備える。可傾ミラーは、平面可傾ミラー又は移相ステップ式可傾ミラーでよい。個々に制御可能な可傾ミラーは、互いに高さが偏位することができ、２つ以上の論理的に結合したグループとしてプログラム可能に選択され、スーパーピクセルが形成される。高さが偏位した可傾ミラーをスーパーピクセルとして組み合わせることによって輝度変調特性が改善され、任意のグレイスケール及び位相を模倣するアレイの能力が高まることを本発明者等は発見した。そのような特性はまた、様々なタイプのＳＬＭの不完全性又は誤差の補正を可能にする。一実施例では、可傾ミラーのグループ（例えば２×２、又は４×４など）が論理的に結合されて１つの大きなピクセルとして動作するとき、スーパーピクセルが形成される。スーパーピクセルを形成する可傾ミラーの傾斜角をプログラム可能に選択することにより、様々な位相及びグレイスケールの組合せが可能となる。さらに、所望のフィーチャの位置に応じて、スーパーピクセルを形成する可傾ミラーをプログラム可能に選択することができる。

用語
本文では、ＩＣの製造でのリソフグラフィ装置の使用に対して特定の参照を行うが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、例えばＤＮＡチップ、ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導パターン及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、ミクロ及びマクロ純流体デバイスの製造などの他の応用例を有することができることを理解されたい。そのような代替応用例の状況では、本明細書での「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれより一般的な「基板」又は「目標部分」という用語と同義であるとみなせることを当業者は理解されよう。

本明細書で参照される基板は、露光の前又は後に、例えばトラック工具（一般にレジスト層を基板に付着させ、露光したレジストを現像する工具）或いは測定工具又は検査工具で処理することができる。適用可能なら、本明細書での開示は、そのような基板処理工具又はその他の基板処理工具に適用することができる。さらに、基板を、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、したがって、本明細書で使用する基板という用語は、複数回処理した層を既に含む基板も指すことがある。

本明細書で使用する「個々に制御可能な素子のアレイ」という用語は、基板の目標部分内に所望のパターンを作成することができるように、入射ビームにパターン形成された断面を付与するために使用することのできる任意のアレイを指すものとして広く解釈すべきである。「光弁」及び「空間光変調器」（ＳＬＭ）という用語もこの状況で使用することができる。そのようなパターン形成装置の実施例を上記及び以下で論じる。

一実施例では、個々に制御可能な素子のアレイは、例えば適切な局在化電場を印加することにより、又は圧電アクチュエーション手段を利用することによって軸の周りにそれぞれを個々に傾斜させることのできるマイクロミラーのマトリックス構成を使用するプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。典型的なマイクロミラーのサイズは、８μｍ×８μｍ程度である。マイクロミラーは、マトリックス・アドレス指定可能であり、それによってアドレス指定されたミラーが、アドレス指定されないミラーとは異なる仕方で入射ビームを反射する。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに従って反射ビームがパターン形成される。適切な電子手段を使用して、必要なマトリックス・アドレス指定を実施することができる。

一実施例では、ミラーのグループを、単一のピクセルとして動作するスーパーピクセルとして互いに連係させることができる。この実施例では、照明系の光学素子が、各ビームがミラーのそれぞれのグループに向くように光ビームを形成することができる。一実施例では、個々に制御可能な素子のアレイは、１つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。

例えば、フィーチャの事前バイアス、光近接補正機能、位相変化技法、及び複数の露光技法が使用される場合、個々に制御可能な素子のアレイ上に「表示」されるパターンは、基板の層又は基板上の層に最終的に転写されるパターンとはかなり異なる可能性があることを理解されたい。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、ある瞬間に個々に制御可能な素子のアレイ上に形成されるパターンに対応しない可能性がある。これは、基板の各部分の上に形成される最終的なパターンが所与の期間又は所与の回数の露光で構築され、その間に、個々に制御可能な素子のアレイ上のパターン及び／又は基板の相対位置が変化する場合である。

本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば波長３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。

リソグラフィ環境では、本明細書で使用する「投影系」という用語は、例えば使用する露光放射にとって、又は液浸流体の使用や真空の使用などの他の因子にとって適切な屈折光学系、反射光学系、及びカタディオプトリック光学系を含む様々なタイプの投射系を包含するものとして広い意味で解釈すべきである。本明細書での「レンズ」という用語の使用は、より一般的な「投影系」という用語と同義とみなすことができる。

照明系もまた、放射ビームを誘導、成形、又は制御する屈折光学構成部品、反射光学構成部品、及びカタディオプトリック光学構成部品を含む様々なタイプの光学構成部品を包含することができ、以下ではそのような構成部品も、集合的に又は単独で「レンズ」と呼ぶことがある。

リソグラフィ装置は、２つ（例えば２重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプでよい。このような「多重ステージ」マシンでは、追加のテーブルを並行して使用することができ、或いは露光のために１つ又は複数のテーブルを使用中に、１つ又は複数の他のテーブル上で予備工程を実施することができる。

リソグラフィ装置は、基板が比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）中に浸され、それによって投影系の最終素子と基板との間の空間が埋められるタイプでもよい。浸液をリソグラフィ装置内の他の空間、例えば基板と投影系の第１素子との間に適用することもできる。液浸技法は、投影系の開口数を向上させるために使用される。さらに、装置は、流体と基板の放射される部分との間の相互作用を可能にするために流体処理セルを備えることができる。

パターン形成装置のための例示的環境
上記で議論したように、本発明のパターン形成装置を多くの異なる環境で使用することができるが、以下の説明ではリソフグラフィ環境を用いる。これは例示のために過ぎない。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを目標の目標部分に当てる機械である。リソグラフィ装置は、例えば、バイオテクノロジ環境で、ＩＣ、フラット・パネル・ディスプレイ、マイクロ又はナノ純流体デバイス、及び微細構造を含むその他の装置の製造で、目標をパターン形成するのに使用することができる。ＩＣベースのリソフグラフィ環境では、ＩＣ（又はその他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成するのにパターン形成装置が使用され、このパターンを、放射感応材料（例えばレジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ又はガラス板）上の（例えば１つ又は複数のダイの一部を含む）目標部分に結像することができる。上記で議論したように、マスクの代わりに、マスクレスＩＣリソグラフィでは、パターン形成装置は、回路パターンを生成する、個々に制御可能な素子のアレイを備えることができる。

一般には、単一の基板は、次々に露光される、隣接する目標部分のネットワークを含むことになる。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体を目標部分に一度に露光することによって各目標部分を照射するステッパ、及び所与の方向（「走査」方向）にビームを介してパターンを走査すると同時に、基板をこの方向に平行又は逆平行に走査することによって各目標部分を照射するスキャナが含まれる。こうした概念を以下でより詳細に議論する。

図１に、本発明の一実施例によるリソフグラフィ投影装置１００の略図を示す。装置１００は、少なくとも、放射系１０２、パターン形成装置１０４（例えば、静的デバイス又は個々に制御可能な素子のアレイ）、目標テーブル１０６（例えば基板テーブル）、及び投影系（「レンズ」）１０８を含む。

放射系１０２は、放射ビーム１１０を供給するのに使用される。この実施例では、放射系１０２は放射源１１２も含む。上述のように、放射ビームは、ＵＶ及びＥＵＶを含む様々な放射源を含むことができる。

個々に制御可能な素子のアレイ１０４（例えばプログラム可能ミラー・アレイ）は、ビーム１１０をパターン形成するのに使用される。一実施例では、個々に制御可能な素子のアレイ１０４の位置は、投影系１０８に対して固定される。しかし、別の実施例では、個々に制御可能な素子のアレイ１０４は、個々に制御可能な素子のアレイ１０４を投影系１０８に対して位置決めする位置決め装置（図示せず）に接続される。図示する実施例では、個々に制御可能な素子のアレイ１０４内の各素子は、反射型である（例えば、個々に制御可能な素子の反射アレイを有する）。

目標テーブル１０６は、目標１１４（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ、ガラス基板など）を保持する目標ホルダ（具体的には図示せず）を備える。一実施例では、投影系１０８に対して基板１１４を正確に位置決めするために、基板テーブル１０６が位置決め装置１１６に接続される。

投影系１０８（例えば水晶及び／又はＣａＦｓレンズ系、或いはそのような材料から作成されたレンズ素子を備えるカタディオプトリック系、或いはミラー系）が使用され、ビーム・スプリッタ１１８から受け取ったパターン形成後ビームが基板１１４の目標部分１２０（例えば、１つ又は複数のダイ）上に投影される。投影系１０８は、個々に制御可能な素子１０４のアレイの像を基板１１４上に投影することができる。或いは、投影系１０８は、２次放射源のイメージを投影することもできる。２次放射源のイメージに対して、個々に制御可能な素子のアレイ１０４の各素子はシャッタとして働く。投影系１０８はまた、２次放射源を形成し、マイクロスポットを基板１１４上に投射するためのマイクロ・レンズ・アレイ（ＭＬＡ）も備える。

放射源１１２（例えばエキシマ・レーザなど）は放射ビーム１２２を生成することができる。ビーム１２２は、直接的に、又は例えばビーム拡大器などのコンディショニング装置１２６を横切った後に、照明系（照明器）１２４に供給される。照明器１２４は、ビーム１２２中の輝度分布の外径及び／又は内径範囲（一般にそれぞれσ外径及びσ内径と呼ぶ）を設定する調節装置１２８を備えることができる。さらに、照明器１２４は、積分器１３０やコンデンサ１３２などの様々な他の構成部品を含むことができる。このようにして、個々に制御可能な素子のアレイ１０４に入射するビーム１１０は、その断面内で所望の一様性及び輝度分布を有する。

一実施例では、放射源１１２は、（例えば放射源１１２が水銀ランプであるときにそうであるように）リソグラフィ投影装置１００のハウジング内にある。別の実施例では、放射源１１２は、リソグラフィ投影装置１００から離れて位置する。この後者の実施例では、放射ビーム１２２は、（例えば適切な誘導ミラー（図示せず）を用いて）装置１００に誘導される。この後者のシナリオはしばしば、放射源１１２がエキシマ・レーザである場合である。これらのシナリオの両方が本発明の範囲内で企図されることを理解されたい。

その後で、ビーム１１０は、ビーム・スプリッタ１１８を使用して誘導された後、個々に制御可能な素子のアレイ１０４と相互作用する。図示する実施例では、個々に制御可能な素子１０４のアレイによって反射された後、ビーム１１０は投影系１０８を通過し、投影系１０８は、ビーム１１０を基板１１４の目標部分１２０上に集束させる。

位置決め装置１１６と、任意選択で干渉ビーム１３８をビーム・スプリッタ１４０を介して受けるベース・プレート１３６上の干渉測定装置１３４とを用いて、異なる目標部分１２０をビーム１１０の経路内に配置するように基板テーブル１０６が正確に移動される。

一実施例では、個々に制御可能な素子のアレイ１０４用の位置決め装置（図示せず）を使用して、例えば走査中にビーム１１０の経路に対して個々に制御可能な素子のアレイ１０４の位置を正確に補正することができる。

一実施例では、図１には明示的に図示していないロング・ストローク・モジュール（粗い位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて、基板テーブル１０６の移動が実現される。類似のシステムを使用して、個々に制御可能な素子のアレイ１０４を位置決めすることもできる。別法として／さらに、必要な相対運動を実現するために、ビーム１１０を可動にすることができ、一方、基板テーブル１０６及び／又は個々に制御可能な素子のアレイ１０４は固定の位置を有することができることを理解されよう。

別の実施例では、基板テーブル１０６を固定して、基板１１４を基板テーブル１０６上で移動可能にすることができる。これが行われる場合、基板テーブル１０６は、平坦な最上面に多数の開口を備える。その開口を通じてガスが供給され、基板１１４を支持することのできるガス・クッションが得られる。これは空気支承構成と呼ばれる。基板１１４は、基板１１４をビーム１１０の経路に対して正確に位置決めすることのできる１つ又は複数のアクチュエータ（図示せず）を使用して、基板テーブル１０６上を移動する。別の実施例では、開口を通るガスの通路を選択的に開始及び停止することによって基板１１４が基板テーブル１０６上を移動する。

本明細書では本発明によるリソグラフィ装置１００を基板上のレジストを露光するためのものとして説明するが、本発明はこの使用法に限定されず、レジストレス・リソグラフィ及びその他の応用例で使用するために装置１００を使用してパターン形成後ビーム１１０を投影できることを理解されよう。

図示する装置１００は、５つのモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。

１．ステップ・モード：個々に制御可能な素子のアレイ１０４上のパターン全体が、目標部分１２０に単一の露光（即ち単一の「フラッシュ」）中に投影される。次いで、異なる目標部分１２０をパターン形成後ビーム１１０で照射するために、基板テーブル１０６が異なる位置までＸ方向及び／又はＹ方向に移動する。

２．走査モード：所与の目標部分１２０が単一の「フラッシュ」で露光されないことを除いて、本質的にステップ・モードと同一である。その代わりに、個々に制御可能な素子のアレイ１０４が所与の方向（例えば「走査方向」、例えばｙ方向）に速度ｖで可動であり、その結果、パターン形成後ビーム１１０が、個々に制御可能な素子のアレイ１０４の上を走査する。同時に、基板テーブル１０６が速度Ｖ＝Ｍｖで同一方向又は反対方向に同時に移動する。ただしＭは投射系１０８の倍率である。このようにして、解像度を損なうことなく比較的大きな目標部分１２０を露光することができる。

３．パルス・モード：個々に制御可能な素子のアレイ１０４が本質的に静止状態に保たれ、パターン全体が、パルス放射系１０２を使用して基板１１４の目標部分１２０に投影される。基板テーブル１０６が本質的に一定速度で移動し、それによってパターン形成後ビーム１１０が、基板１０６を横切る直線を走査する。個々に制御可能な素子のアレイ１０４上のパターンは、放射系１０２のパルス間で必要に応じて更新され、パルスは、連続する目標部分１２０が基板１１４上の必要な位置で露光されるような時間間隔にされる。その結果、パターン形成後ビーム１１０は、基板１１４のストリップに関する完全なパターンを露光するように基板１１４を走査することができる。完全な基板１１４が線ごとに露光されるまでこの工程が反復される。

４．連続的走査モード：ほぼ一定の放射系１０２が使用され、パターン形成後ビーム１１０が基板１１４を走査し、基板１１４を露光するときに、個々に制御可能な素子のアレイ１０４上のパターンが更新されることを除いて、パルス・モードと本質的に同一である。

５．ピクセル・グリッド結像モード：基板１１４上に形成されたパターンが、アレイ１０４上に向けられる、スポット・ジェネレータ１３０によって形成されたスポットの後続の露光によって実現される。露光される各スポットは、ほぼ同じ形状を有する。基板１１４上で、各スポットは、ほぼグリッド状に印刷される。一実施例では、スポット・サイズは、印刷されるピクセル・グリッドのピッチよりも大きいが、露光スポット・グリッドよりもずっと小さい。印刷されるスポットの輝度を変更することにより、パターンが実現される。露光フラッシュ間に、各スポットにわたる輝度分布が変化する。

上述の使用モードに関する組合せ及び／又は変形例或いはまったく異なる使用モードも使用することができる。

プログラム可能素子のアレイ内の例示的スーパーピクセル
上述のように、本発明の一実施例は、放射ビームを供給する照明系、放射ビームをパターン形成する個々に制御可能な素子のアレイ（例えばＳＬＭチップ）、及びパターン形成後ビームを目標に投影する投影系を含む。好ましくは、個々に制御可能な素子のアレイは、１つ又は複数の「スーパーピクセル」として形成される複数の個々の可傾ミラーを含む。スーパーピクセルは、少なくとも２つのほぼ隣接する可傾ミラーが互いに論理的に結合されて単一ピクセルとして共に働くときに形成される。スーパーピクセルの２つのパラメータが、本発明に特に関係する。第１に、スーパーピクセル内の個々の可傾ミラーの傾斜角をプログラム式に選択して、一定の輝度又はグレイスケールを有する放射ビームを反射することができる。第２に、２つの隣接する可傾ミラーを一定のミラー変位だけ互いに高さを偏位させ、所望の位相偏位を達成することができる。これらの２つのパラメータを調節することにより、本発明によるスーパーピクセルは、バイナリ・マスク、ＡｔｔＰＳＭマスク、ＡｌｔＰＳＭマスク、ＣＰＬマスク、及びボルテックス・マスクを含むすべての周知のタイプのマスクのグレイスケール及び位相を模倣することができる。さらに、本発明によるスーパーピクセルは、可傾ミラー較正プロセスで補正不可能であることが知られている位相誤差及び他のＳＬＭ誤差の補正も可能にする。

図２Ａ及び２Ｂに基本的正方形平面可傾ミラーを示す。可傾ミラー２０５は幅（Ｗ）を有し、その軸２１０に沿って傾斜させることができる。好ましくは、可傾ミラー２０５は「位相型」可傾ミラーである。位相型可傾ミラーは、一般にアナログ・モードで動作し、完全にオン（即ち最大の反射率輝度）であるミラーと完全にオフ（即ちゼロ反射率輝度）であるミラーとの間に多数の状態が存在する。様々な状態は、様々なグレイスケール又は輝度に対応し、傾斜角で制御される。位相型可傾ミラーは、入射ビームが結像レンズの開口を外すように入射ビームを一方の側に偏向する「偏向型」可傾ミラーと対照的である。したがって、偏向型可傾ミラーは、完全にオンであるか、完全にオフであるかのどちらかであるデジタル・モードで動作する。

上述のように、スーパーピクセルを構成する可傾ミラーの１つの重要なパラメータは傾斜角である。位相型ミラーの状態は、その傾斜角で制御される。この関係を図２Ｃに示す。振幅関数を線２３０で示し、輝度関数を線２４０で示す。最大の振幅及び輝度の状態が点２２０で示されており、そこでは傾斜角はゼロである。ゼロ傾斜角は通常、ミラーが静止しているとき、又は傾斜していないとき（例えばＳＬＭアレイ内でアドレス指定されていないとき）に生じる。ミラーが傾斜するとき、振幅及び輝度は、傾斜角２５０で示される、最小輝度及びゼロ振幅の状態まで減少する。傾斜角２５０はゼロ交差傾斜角である。正方形ミラーの場合、最小輝度の点は、傾斜が一方の側のミラーから他方の側のミラーへの入射ビームの波長（λ）の半分である場所で生じる。傾斜角がゼロ交差傾斜角を超えて増加するとき、複素振幅は負号を有することができ、輝度の大きさは正のままである。そのような傾斜角はブラック傾斜角と呼ばれることがある。最大の負の振幅を有するブラック傾斜角が傾斜角２６０で示されている。正方形平面可傾ミラーに関する平均振幅応答は以下によって与えられる。

上式で、αは傾斜角であり、ｗは可傾ミラーの１／２Ｗであり、λは入射ビームの波長であり、Ｍは（発明者から得る必要がある）。スーパーピクセルを構成する各可傾ミラーは、個々に制御可能な（即ちプログラム可能な）傾斜角を有する。

上述のように、スーパーピクセルの第２の重要なパラメータは、スーパーピクセルを構成する個々の可傾ミラー間の高さ偏位である。個々に、高さが偏位している隣接する平面マイクロミラーは、純粋の位相変調効果を有する。高さ偏位（本明細書ではミラー変位とも呼ぶ）は通常、入射ビームの波長の分数によって確立される（例えばｈ＝１／４λ）。しかし、ある実施例では、小さい（例えばｈ＜１／８λ）高さ偏位を故意に課して、一定の既知のＳＬＭ不完全性を補正することができる。

特定の高さ偏位に応じて、隣接する平面マイクロミラーは、１００％の正相輝度から１００％の逆相輝度の間の任意の場所で輝度変調を達成することができる。ミラー高さと位相は以下のように関係付けられる。

上式で、φは位相であり、λは入射ビームの波長である。入射光はミラーによって反射され、したがって光路差は高さの２倍である。したがって、例えば、ミラー変位１／４λは位相変化πと同等である。高さ偏位（又はミラー変位）を予め決定できることに留意されたい。即ち、ＳＬＭアレイの所望の位相特性に応じて、個々に制御可能な可傾ミラーのアレイ内に高さ偏位を製造することができる。

図３Ａ及び３Ｂに、一定のミラー変位だけ互いに高さが偏位している２つの論理的に結合された矩形可傾ミラーの単一のスーパーピクセルを示す。具体的には、図３Ａ及び３Ｂは、２つの矩形可傾ミラー３０２及び３０４がほぼ互いに隣接するように位置するスーパーピクセルを示す。可傾ミラー３０２及び３０４は互いに論理的に結合される。言い換えれば、可傾ミラー３０２及び３０４は、ＳＬＭアレイ内のユニットとして働くように、且つ単一ピクセルの機能を実行するようにプログラム及びアドレス指定される。さらに、可傾ミラー３０２及び３０４は、入射ビームの波長の１／４（１／４λ）だけ互いに高さが偏位する。１／４波長の偏位は例であることに留意されたい。他の例示的偏位には、１／２λ、１／８λ、さらにはより小さい偏位が含まれる。

図４Ａ及び４Ｂに、ミラー変位及び傾斜角が均衡した４つの可傾ミラーを備えるスーパーピクセル４００を示す。スーパーピクセル４００は、４つの論理的に結合された可傾ミラー４０２、４０４、４０６、及び４０８を有する。ミラー４０２〜４０８は、ほぼ正方形のパターンとしてそれぞれ時計回りに配置される。さらに、可傾ミラーは、基準面（図示せず）から高さが偏位する。高さ偏位（又はミラー変位）ゼロは、ミラーが基準面と同一平面上にあることを意味する。具体的には、ミラー４０２及び４０６はミラー変位ゼロを有し、その傾斜角（α_１）が等しいままとなるように論理的に結合される。ミラー４０４及び４０８は、ミラー変位１／４λを有し、その傾斜角（α_２）が等しいままとなるように論理的に結合される。すべての４つの可傾ミラー４０１〜４０８は、ＳＬＭアレイ内の単一ピクセルとして機能するように互いに論理的に結合される。そのようなスーパーピクセルを、本明細書では「均衡した」ミラー変位及び傾斜角を有すると呼び、互いに対角に配置されたミラーは、ほぼ同様の高さ特性及び傾斜特性を有する。実チェッカーボード・スーパーピクセル４００に関する平均振幅反射率応答は以下の通りである。

上式で、ｗは単一の可傾ミラー（例えば可傾ミラー２０６）の幅であり、α_０はゼロ交差傾斜角である。

したがって、等しい最大正振幅と最大負振幅を達成することができる。したがって、実チェッカーボード・スーパーピクセルを使用してＡｌｔＰＳＭマスクを模倣することができる。実チェッカーボード・スーパーピクセルを同等の単一平面可傾ミラー（例えば可傾ミラー２０５）と比較すると、正輝度が１００％から約３７％に低下しているが、負輝度が４．７％からマイナス約３７％に向上する。このことは、単一ミラーでのＡｌｔＰＳＭエミュレーションが、ミラーによって潜在的に反射される可能性のある光の９５％を「放出する」ことを必要とするのに対して、スーパーピクセル４００は光の６７％だけを放出する。したがって、平面可傾ミラーからなるスーパーピクセルを使用してＡｌｔＰＳＭを達成することができる。

複素チェッカーボード・スーパーピクセル４１０を図４Ｃに示す。図４Ａ及び４Ｂに示すスーパーピクセルの場合と同じく、スーパーピクセル４１０のミラー変位及び傾斜角が均衡する。スーパーピクセル４１０もまた、４つの論理的に結合された可傾ミラー４１２、４１４、４１６、及び４１８を有する。ミラー４１２〜４１８は、それぞれほぼ正方形のパターンとしてそれぞれ時計回りに配置される。具体的には、ミラー４１２及び４１６はマイナス１／１６λのミラー変位を有し、それらの傾斜角（α_１）が等しいままとなるように論理的に結合される。ミラー４１４及び４１８は、１／１６λのミラー変位を有し、それらの傾斜角（α_２）が等しいままとなるように論理的に結合される。図４Ｃに示す複素チェッカーボード・スーパーピクセルに関する平均振幅反射率応答は以下の通りである。

上式で、ｗは単一の可傾ミラー（例えば可傾ミラー４１６）の幅であり、α_０はゼロ交差傾斜角である。α_１＝α_２の結果、単一平面可傾ミラー輝度に対して５０％の輝度低下が生じる場合、一定位相（この場合は位相＝０）でのグレイスケーリングを達成することができる。そうでない場合、挙動はスーパーピクセル４００と同じである。

より現実的な状況では、スーパーピクセル内の個々の可傾ミラーは、設計された位相偏位に加えて、スーパーピクセルを形成する個々に制御可能な可傾ミラーＳＬＭのアレイにわたって恐らくはランダムに分布する位相誤差（Δｉ）を有する。そのようなスーパーピクセルを図５に示す。図５は、位相誤差を有する複素チェッカーボード・スーパーピクセルを示す。具体的には、図５は、各ミラー変位が均衡した４つの可傾ミラーを有するスーパーピクセル５００を示す。ミラー５０１、５０２、５０３、及び５０４について位相偏位がそれぞれΔ_１〜Δ_４として示され、傾斜角はそれぞれα_１〜α_４として示されている。図５の複素チェッカーボード・スーパーピクセルの平均振幅反射率応答は以下の通りである。

α_１＝α_２では、ミラーを対（５０１、５０３）及び（５０２、５０４）としてグループ化し、各対についての補償振幅を計算すると、

したがって、位相誤差を補正した結果、反射される振幅が減衰する。この減衰は、約５度の位相誤差であっても１パーセントの数分の１である。より大きな位相誤差では、ラスタ化中にこの反射率の低下を考慮に入れなければならない。

上述の実施例は概して、均衡した高さ偏位（ミラー変位）及び傾斜角を示した。代替実施例では、不均衡なスーパーピクセルを形成することができる。図６に、そのようなスーパーピクセル６００を示す。図６の実施例では、６０２、６０４、６０６、及び６０８と符号が付けられた４つの論理的に結合された可傾ミラーを有するスーパーピクセル６００が示されている。可傾ミラー６０２は傾斜角α１とミラー変位ゼロを有し、可傾ミラー６０４は傾斜角α２とミラー変位１／８λを有し、可傾ミラー６０６は傾斜角α３とミラー変位１／４λを有し、可傾ミラー６０８は傾斜角α４とミラー変位３／８λを有する。言い換えれば、この実施例では、ミラー変位はらせん形状を形成する。そのような不均衡複素らせんスーパーピクセルの平均振幅反射率応答は以下の通りである。

純粋な位相目標挙動を生成するために、固定振幅で位相を変更できる必要がある。さらに、最大振幅はｗ^２＝Ｗ^２／４に比例し、したがって最大輝度は同等の単一幅ピストン・ミラーの１／１６であることに留意されたい。このことは、この実施例では任意の位相を模倣することによって反射率の約９４％が失われることを意味する。

傾斜角が適切にセットアップされたとき、同一の複素らせんスーパーピクセルをグレイスケール装置としても使用することができる。この場合、位相を一定に維持し、スーパーピクセル・グレイスケールを変更することが可能である。この場合、最大の正輝度及び負輝度は、同等の単一幅平面可傾ミラーによって反射される最大輝度の約１８％である。この組合せは、単一幅平面可傾ミラーの場合の９５％の損失と比較して、ＡｌｔＰＳＭを約８２％の損失でエミュレートすることができる。

別の代替実施例では、位相ステップ可傾ミラーを使用してスーパーピクセルを形成することができる。位相ステップ・ミラーは、プラスとマイナスのどちらの傾斜方向でも平面ミラーの振幅反射率のマイナス７０％からプラス７０％を生成できるという利点を有する。平面タイル・ミラーは、マイナス２０％からプラス１００％の範囲の振幅反射率を有する。

図７Ａに単一位相ステップ可傾ミラーを示す。このようなミラーは、スウェーデン、Ｂｏｘ３１４１，１８３ ０３ ＴａｂｙのＭｉｃｒｏｎｉｃ Ｌａｓｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓによって発明された。例示的単一位相ステップ可傾ミラーは、高さステップλ／４及び位相ステップλ／２を有することができる。上述のように、そのようなミラーは、５０％からマイナス５０％の間の任意の場所で輝度変調を達成することができる。図７Ｂに、そのような位相ステップ・ミラーを組み込むスーパーピクセル７００を示す。

図示するように、スーパーピクセル７００は均衡したミラー変位を有し、ミラー７０４及び７０８はミラー変位１／８λを有する。スーパーピクセル７００は、上述の平面可傾ミラーを有するらせんスーパーピクセル（即ちスーパーピクセル６００）よりも高い効率を有するボルテックス・マスクなどの任意の位相マスク・タイプを含むすべてのマスク・タイプをエミュレートすることができる。スーパーピクセル７００の輝度効率は、２つのサブピクセル対のいずれか（例えばミラー７０２、７０４）の自然位相と一致する位相に関する１２．５％から、まさにこれらの位相の間の位相に関する２５％まで及ぶ。これは、純粋ピストン・ミラーに関する１００％の輝度効率とは対照的である。しかし、輝度効率は、均衡した平面ミラー１／８λ変位スーパーピクセルの効率９％よりもなお高い。

代替実施例（図示せず）では、位相ステップ可傾ミラー間に小さいミラー変位（例えばｈ≪１／８λ）を均衡した形で故意に課すことができる。このような高さ偏位方式は、ＳＬＭアレイ内の個々の可傾ミラーの製造中に生じる小さいランダムな高さ変動の位相効果を最小の光損失で補償することを可能にする。そのようなスーパーピクセルの最大効率はなお約５０％である。

結論として、ハード移相が必要であるとき、スーパーピクセル構成での位相ステップ・ミラーにより、輝度効率が向上し、平面可傾ミラーを使用するとき、輝度がスーパーピクセルにわたってより対照的に分散するように生成される。位相ステップ・ミラーでは、らせん構成（例えばスーパーピクセル６００）は、もはやすべての位相角をアドレス指定する必要がない。むしろ、スーパーピクセル７００の均衡したミラー構成は、逆相と正相という意味で位相ステップ式ミラーによって生成される対称的輝度のために十分である。

上述のように、互いに高さが偏位する可傾ミラーをスーパーピクセルとして組み合わせることにより、輝度変調特性が改善され、任意のグレイスケール及び位相を模倣するアレイの能力が高まることを本発明者等は発見した。一実施例では、ＳＬＭチップは、アドレス可能アレイ内に数百万の可傾マイクロミラーを有することができる。ＳＬＭパターン・ジェネレータは、所望の反射率及び位相特性に応じて、且つ結像すべきフィーチャの場所に応じて適切なスーパーピクセル構成を選択する。話を簡単にするために、上述の実施例には２つ又は４つのミラーのスーパーピクセル構成が含まれていた。しかし、ピクセルの所望の特性に応じて、任意の数のミラーを有するスーパーピクセルをＳＬＭパターン・ジェネレータでプログラム式に選択することができる。

図８に、個々に制御可能な平面可傾ミラー（例えば８０１ａ及び８０１ｂ）から構成されるＳＬＭアレイ８００の例示的部分を示す。ＳＬＭアレイ８００のこの例示的部分は、個々の可傾ミラーの高さが互いに偏位するように製造されている。例えば、可傾ミラー８０１ａは、基準面（図示せず）からミラー変位ゼロを有することができ、可傾ミラー８０１ｂは、基準面からミラー変位λ／４を有することができる。４つの隣接するミラーを選択又はアドレス指定することにより、均衡したスーパーピクセル（例えばスーパーピクセル４００）を形成することができるように、例示的可傾ミラーはチェッカーボード・パターンに配置される。このことを、図８では、スーパーピクセル（例えばスーパーピクセル８０５）を構成する４つのミラーの上に重ねられた円で示す。図８は、目標に課すべきフィーチャの位置に応じてどのようにスーパーピクセルを選ぶことができるかをさらに示す。そのようなフィーチャがパターン８０２ａ及び８０２ｂによって示されている。

本発明の様々な実施例を上記で説明した。こうした実施例は、限定的にではなく、単に例として提示したに過ぎないことを理解されたい。特許請求の範囲に定義される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、上述の実施例の形態及び細部の様々な変更を行えることを当業者は理解されよう。したがって、本発明の広さ及び範囲は、上述の例示的実施例のいずれによっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲及びその均等物のみに従って定義されるべきである。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 平面可傾ミラーを示す図である。 平面可傾ミラーを示す図である。 平面可傾ミラーの振幅反射率及び輝度特性を示す図である。 ２つの矩形可傾ミラーを備えるスーパーピクセルを示す図である。 ２つの矩形可傾ミラーを備えるスーパーピクセルを示す図である。 ４つの正方形可傾ミラーを備え、均衡した傾斜角及びミラー変位を有するスーパーピクセルを示す図である。 ４つの正方形可傾ミラーを備え、均衡した傾斜角及びミラー変位を有するスーパーピクセルを示す図である。 複素チェッカーボード・スーパーピクセルを示す図である。 ランダムに分布する位相誤差を有するスーパーピクセルを示す図である。 不均衡な高さ及び傾斜角を有するスーパーピクセルを示す図である。 単一位相ステップ可傾ミラーを示す図である。 ４つの単一位相ステップ傾斜ミラーを含むスーパーピクセルを示す図である。 フィーチャ位置に応じてどのようにスーパーピクセルをＳＬＭ内に形成することができるかを示す図である。

符号の説明

１００ リソフグラフィ投影装置
１０２ 放射系
１０４ パターン形成装置
１０６ 目標テーブル
１０８ 投影系
１１２ 放射源
１１６ 位置決め装置
１１８ ビーム・スプリッタ
１２０ 目標部分
１２２ 放射ビーム
１２４ 照明系
１２８ 調節装置
１３０ 積分器
１３２ コンデンサ
１３４ 干渉測定装置
１３６ ベース・プレート
１４０ ビーム・スプリッタ
２０５ 可傾ミラー
３０２ 矩形可傾ミラー
３０４ 矩形可傾ミラー
４００ スーパーピクセル
４０２ 可傾ミラー
４０４ 可傾ミラー
４０６ 可傾ミラー
４０８ 可傾ミラー
４１２ 可傾ミラー
４１４ 可傾ミラー
４１６ 可傾ミラー
４１８ 可傾ミラー
５００ スーパーピクセル
５０１ ミラー
５０２ ミラー
５０３ ミラー
５０４ ミラー
６００ スーパーピクセル
７００ スーパーピクセル
７０２ ミラー
７０４ ミラー
７０４ ミラー
７０８ ミラー
８００ ＳＬＭアレイ
８０１ａ 可傾ミラー
８０１ｂ 可傾ミラー
８０２ａ パターン
８０２ｂ パターン
８０５ スーパーピクセル

Claims (29)

1. 光パターン形成システムであって、
   一定の波長（λ）を有する放射ビームを供給する照明系と、
   前記ビームをパターン形成する、個々に制御可能な素子のアレイであって、第２可傾ミラーに論理的に結合される第１可傾ミラーを少なくとも有するスーパーピクセルを含み、前記第１及び第２可傾ミラーが、（ｉ）互いにほぼ隣接し、（ｉｉ）第１ミラー変位だけ互いに高さが偏位するアレイと、
   前記パターン形成後ビームを目標に投影する投影系とを備える光パターン形成システム。
2. 前記第１ミラー変位がλの何らかの分数である請求項１に記載のシステム。
3. 前記第１ミラー変位が、０、λ／４、又はλ／８からなるグループから選択される請求項１に記載のシステム。
4. 前記第１及び第２可傾ミラーが、それぞれプログラム可能な第１及び第２傾斜角を有し、それによって、前記第１及び第２可傾ミラーを含むスーパーピクセルが、選択されたグレイスケール及び位相で放射ビームを反射することを可能にする請求項１に記載のシステム。
5. 前記第１及び第２可傾ミラーが静止しているとき、前記第１及び第２可傾ミラーが最大反射率の位置にある請求項４に記載のシステム。
6. 前記可傾ミラーのそれぞれが平面可傾ミラーである請求項１に記載のシステム。
7. 前記可傾ミラーのそれぞれが位相ステップ式ミラーである請求項１に記載のシステム。
8. 前記第１及び第２可傾ミラーが静止しているとき、前記第１及び第２可傾ミラーが最小反射率の位置にある請求項７に記載のシステム。
9. 前記ピクセルを形成する前記第１及び第２可傾ミラーが、前記目標上にパターン形成されるフィーチャの位置に応じて、前記ピクセルを形成する複数のそのような可傾ミラーの中から選ばれる請求項１に記載のシステム。
10. 一定の波長（λ）を有する放射ビームを供給する照明系と、
    前記ビームをパターン形成する反射ピクセルのアレイであって、互いに論理的に結合される第１から第４の可傾ミラーを有し、前記第１から第４の可傾ミラーが、（ｉ）ほぼ正方形のパターンに配置され、（ｉｉ）第１から第４のミラー変位だけ基準面から高さが偏位するアレイと、
    前記パターン形成後ビームを目標に投影する投影系とを備える光パターン形成システム。
11. 前記第１ミラー変位が前記第３ミラー変位とほぼ等しく、前記第２ミラー変位が前記第４ミラー変位とほぼ等しくなるように前記ミラー変位が均衡する請求項１０に記載のシステム。
12. 前記第１及び第３ミラー変位がゼロであり、前記第２及び第４ミラー変位がλ／４である請求項１１に記載のシステム。
13. 前記第１及び第３ミラー変位がゼロであり、前記第２及び第４ミラー変位がλ／８である請求項１１に記載のシステム。
14. 前記第１から第４のミラー変位がゼロである請求項１２に記載のシステム。
15. 前記第１から第４のミラー変位が互いに異なる請求項１０に記載のシステム。
16. 前記第１から第４のミラー変位が１／８λである請求項１５に記載のシステム。
17. 前記第１ミラー変位がゼロであり、前記第２ミラー変位がλ／８であり、前記第３ミラー変位がλ／４であり、前記第４ミラー変位が３λ／８である請求項１５に記載のシステム。
18. 前記第１から第４の可傾ミラーが、それぞれプログラム可能な第１から第４の傾斜角を有し、それによって、前記第１から第４の可傾ミラーを含むスーパーピクセルが、選択されたグレイスケール及び位相で放射ビームを反射することを可能にする請求項１０に記載のシステム。
19. 前記第１傾斜角が前記第３傾斜角とほぼ等しく、前記第２傾斜角が前記第４傾斜角とほぼ等しくなるように前記傾斜角が均衡する請求項１８に記載のシステム。
20. 前記第１から第４の傾斜角が互いに異なる請求項１８に記載のシステム。
21. 前記第１から第４の可傾ミラーが静止しているとき、前記第１から第４の可傾ミラーが最大反射率の位置にある請求項１８に記載のシステム。
22. 前記可傾ミラーのそれぞれが平面可傾ミラーである請求項１０に記載のシステム。
23. 前記可傾ミラーのそれぞれが位相ステップ式ミラーである請求項１０に記載のシステム。
24. 前記第１から第４の可傾ミラーが静止しているとき、前記第１から第４の可傾ミラーが最小反射率の位置にある請求項２３に記載のシステム。
25. 前記第１から第４の可傾ミラーが、前記目標上にパターン形成されるフィーチャの位置に応じて、前記スーパーピクセルを形成する複数のそのような可傾ミラーの中から選ばれる請求項１０に記載のシステム。
26. 放射ビームをパターン形成する方法であって、
    反射ピクセルのアレイを使用して、波長（λ）を有する放射ビームをパターン形成する段階であって、前記アレイが、第２可傾ミラーに論理的に結合される第１可傾ミラーを少なくとも有するスーパーピクセルを含み、前記第１及び第２可傾ミラーが、（ｉ）第１ミラー変位だけ互いに高さが偏位し、（ｉｉ）互いにほぼ隣接する段階と、
    前記パターン形成後ビームをオブジェクトの目標部分に投影する段階と
    を含む方法。
27. 前記第１及び第２可傾ミラーが、それぞれ第１及び第２傾斜角を有し、選択されたグレイスケール及び位相を有する放射ビームを前記ピクセルが反射するように前記第１及び第２傾斜角をプログラム可能に選択する段階をさらに含む請求項２６に記載の方法。
28. 前記スーパーピクセルを使用して、２進マスク、減衰位相マスク、交番位相マスクのうちの少なくとも１つをエミュレートする段階をさらに含む請求項２６に記載の方法。
29. 前記目標上にパターン形成されるフィーチャの位置に応じて、複数のそのような可傾ミラーから前記第１及び第２可傾ミラーを選択する段階をさらに含む請求項２６に記載の方法。

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