JP2012054500A - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置は、照明光ILiの状態を空間的に個別に変調する複数のマイクロミラー素子21を有し、マイクロミラー素子21を照明光ILiの入射位置に2次元的に配置して照明光ILiを変調する可変成形マスク20と、所定の走査方向に移動する基板ステージ10と、可変成形マスク20によって変調された照明光ILiを基板ステージ10に載置された基板へ導いて、基板上に光パターンを投影する投影光学系PLと、基板ステージ10の位置を検出する第1レーザー干渉計31の少なくとも一部が設けられて、基板ステージ10の位置の基準となるメトロロジーフレームと、メトロロジーフレームに設けられて、可変成形マスク20との相対位置を検出するマスク位置計測部33とを備える。
【選択図】図4
Description
る問題がある。
本発明の態様は、光源から射出された光で基板を露光する露光装置であって、照明光)の状態を空間的に個別に変調する複数の変調素子を有し、該変調素子を前記照明光の入射位置に2次元的に配置して前記照明光を変調する可変成形マスクと、前記基板を保持して所定の走査方向に移動する移動体と、前記可変成形マスクによって変調された照明光を前記移動体に載置された前記基板へ導いて、前記基板上に光パターンを投影する光学系と、前記移動体の位置を検出する移動体位置計測部の少なくとも一部が設けられて、前記移動体の位置の基準となる基準構造物と、前記基準構造物に設けられて、前記可変成形マスクとの相対位置を検出するマスク位置計測部とを備えることを要旨とする。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1〜図6にしたがって説明する。図1は、本実施形態の露光装置1の要部を示す概略図である。
光源装置3は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、固体レーザー光源(YAGレーザ又は半導体レーザ)等のレーザー光源を有する。レーザー光源から出射された照明光ILiは、オプティカルインテグレータ等の照度均一化部材、ビームスプリッタ、ミラー、リレーレンズ等から構成される照明系5に導かれる。
数のマイクロミラー素子21を有している。
光検出器を有している。この第1レーザー干渉計31は、測定光を投影光学系PLの下部に設けられた参照鏡35に照射してその反射波を受光するとともに、基板ステージ10に固定された移動鏡36にも測定光を照射してその反射光を受光する。そして、光路の違いから生じた干渉縞を光検出器で測定し、投影光学系PLに対する基板ステージ10の相対位置を計測するようになっている。尚、参照鏡35、移動鏡36及び第1レーザー干渉計31は移動体位置計測部を構成する。
算出する。
そして、可変成形マスク20が基準となる位置からずれている場合であって、露光前である場合には、可変成形マスク20の位置が調整され、露光中である場合には、そのずれを相殺するように基板ステージ10の位置を調整する。そして、主制御装置25は、任意のマスクパターンに基づいて駆動系26を駆動して、マイクロミラーアレイALをマスクパターンに従った配置にする。また、照明系5を駆動して、光源装置3から照明光ILiを射出させ、可変成形マスク20に入射させる。照明光ILiはマイクロミラーMの反射面Maに反射して反射光ILrとなり、反射光ILrは投影光学系PLを介して基板上に結像して所望のパターンが投影される。
(1)上記実施形態では、露光装置1は、照明光ILiの状態を空間的に個別に変調する複数のマイクロミラー素子21を有し、マイクロミラー素子21を照明光ILiの入射位置に2次元的に配置して照明光ILiを変調する可変成形マスク20を備えた。また、基板Wを保持して所定の走査方向に移動する基板ステージ10と、可変成形マスク20を介した照明光ILiを基板ステージ10上の基板Wへ導いて、基板上に光パターンを投影する投影光学系PLを備えた。さらに基板ステージ10の位置を検出する第1レーザー干渉計31の少なくとも一部が設けられて、基板ステージ10の位置の基準となるメトロロジーフレーム18と、メトロロジーフレーム18に設けられて、可変成形マスク20との相対位置を検出するマスク位置計測部33とを備えた。即ち、第1レーザー干渉計31及びマスク位置計測部33がメトロロジーフレーム18に固定されることにより、基板ステージ10に対する可変成形マスク20の相対位置を高精度に計測することができる。また、マスク位置計測部33から可変成形マスク20に対し、ミラー等の光学的要素を介さずに測定光ILmを直接照射するので、基板ステージ10から投影光学系PLを介して可変成形マスク20に光を照射するよりも光路を短くすることができるとともに、計測誤差を抑制することができる。
ベの原理を満たすので、計測誤差を抑制することができる。
次に、本発明を具体化した第2実施形態を図7にしたがって説明する。尚、第2実施形態は、第1実施形態の上部フレーム15を変更したのみの構成であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
(5)第2実施形態では、可変成形マスク20と基板ステージ10との間に設けられた長尺状の支持部42のうち、該可変成形マスク側にマスク位置計測部33を備え、基板ステージ側に第1レーザー干渉計31を備えた。このため、可変成形マスク20とマスク位置計測部33との間の光路を短くし、可変成形マスク20をマスク位置計測部33とを確実に同軸上に配置することができるので、計測誤差をより確実に抑制することができる。また、基板ステージ10とマスク位置計測部33との間の光路も短くすることができるので、計測誤差を抑制することができる。
・上記実施形態では、移動体位置計測部としてレーザー干渉計を用いたが、例えば米国特許公開第2007/0288121号公報に開示されるようにエンコーダを併用してもよい。また、移動体位置計測部としてレーザー干渉計の代わりに、例えば米国特許公開第2008/0106722号公報や第2009/0027640号公報に開示されるよう
なエンコーダを用いてもよい。
・光源装置3に搭載される光源には、放電型プラズマ光源を採用することもできる。
クの形成するパターンが目標パターンに基づいて決定される。一方、基板製造工程では、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等、マイクロデバイスの基材である基板が準備される(ステップS103)。
まず、酸化工程では、加熱されたシリコン基板の表面が酸素の雰囲気下で熱酸化され、これにより、ゲート絶縁膜が形成される(ステップS111)。CVD工程では、ゲート酸化膜上にポリシリコン膜等のゲート電極膜がCVD法によって形成される(ステップS112)。電極形成工程では、基板上に電極を蒸着によって形成する(ステップS113)。イオン打込工程では、レジストマスクで覆われていないシリコン基板の領域にイオンが注入される(ステップ114)。以上の各工程S111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
Claims (11)
- 光源から射出された照明光で基板を露光する露光装置であって、
照明光の状態を空間的に個別に変調する複数の変調素子を有し、該変調素子を前記照明光の入射位置に2次元的に配置して前記照明光を変調する可変成形マスクと、
前記基板を保持して所定の走査方向に移動する移動体と、
前記可変成形マスクによって変調された照明光を前記移動体に載置された前記基板へ導いて、前記基板上に光パターンを投影する光学系と、
前記移動体の位置を検出する移動体位置計測部の少なくとも一部が設けられて、前記移動体の位置の基準となる基準構造物と、
前記基準構造物に設けられて、前記可変成形マスクとの相対位置を検出するマスク位置計測部とを備えることを特徴とする露光装置。 - 前記可変成形マスクの前記複数の変調素子は、作用位置及び非作用位置に配置されることで前記照明光の入射角度及び反射角度を個別に変更可能な複数のミラーを有し、前記マスク位置計測部は、前記各ミラーのうち一部の前記ミラーの位置を選択的に変更し、位置変更前後の前記可変成形マスクからの反射波の差異に基づき前記可変成形マスクの相対位置を計測することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記マスク位置計測部は、前記基準構造物のうち前記可変成形マスクと同軸上になる位置に設けられることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記基準構造物は前記光学系と一体に設けられているとともに、該光学系は、前記可変成形マスクの前記複数の変調素子が配列される面と前記基板とを光学的に共役にすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記基準構造物は、前記可変成形マスクと前記移動体との間に設けられた長尺状の部材であって、前記可変成形マスク側に前記マスク位置計測部を備え、前記移動体側に前記移動体位置計測部を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 光源から射出された光で基板を露光する露光方法であって、
照明光の状態を空間的に個別に変調する複数の変調素子を有し、該変調素子を前記照明光の入射位置に2次元的に配置して前記照明光を変調する可変成形マスクを用いて前記照明光を空間的に変調させ、
前記可変成形マスクによって変調された照明光を、光学系を介して、所定の走査方向に移動する移動体に載置された前記基板へ導いて該基板上に光パターンを投影し、
基準構造物を基準として移動体位置計測部により移動体の相対位置を計測するとともに、
前記基準構造物を基準としてマスク位置計測部により前記可変成形マスクの相対位置を計測することを特徴とする露光方法。 - 前記可変成形マスクの前記複数の変調素子は、作用位置及び非作用位置に配置されることで前記照明光の入射角度及び反射角度を個別に変更可能な複数のミラーを有し、
前記各ミラーのうち一部の前記ミラーの位置を選択的に変更し、前記マスク位置計測部により位置変更前後の前記可変成形マスクからの反射波の差異に基づき前記可変成形マスクの相対位置を計測することを特徴とする請求項6に記載の露光方法。 - 前記マスク位置計測部を前記基準構造物のうち前記可変成形マスクと同軸上になる位置に設けて、前記可変成形マスクの相対位置を計測することを特徴とする請求項6又は7に
記載の露光方法。 - 前記基準構造物は前記光学系と一体に設けられているとともに、該光学系は、前記可変成形マスクの前記複数の変調素子が配列される面と前記基板とを光学的に共役にすることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記基準構造物は、前記可変成形マスクと前記移動体との間に設けられた長尺状の部材であって、前記可変成形マスク側に前記マスク位置計測部を配置し、前記移動体側に前記移動体位置計測部を配置することを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の露光方法。
- 請求項6〜10のいずれか1項に記載の露光方法を用いて物体を露光する工程と、前記露光された物体を現像する工程とを含むデバイス製造方法。
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