JP2009252994A - 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 - Google Patents

露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】補正情報の作成に要する時間的及び資源的なコストを現実的な範囲に抑える。
【解決手段】ステージWSTの位置を計測するために使用されるエンコーダ及び面位置センサの計測値には、様々な計測誤差が含まれる。そこで、補正量Rを加えて、計測値を補正する。ここで、補正量Rを、計測面(スケール)SCに起因する計測誤差Gと、ヘッドEhに起因する計測誤差Hと、に分類(R=G+H)して扱う。ここで、一般に、前者Gは、計測ビームLBの投射点のスケールSC上の位置(x,y)の関数として、後者Hは、ヘッドEhとスケールSC間のクリアランス(z)と傾斜・回転(ψx,ψy,ψz)の関数として、表現することができる。
【選択図】図8

Description

本発明は、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置に係り、さらに詳しくは、半導体素子等を製造するリソグラフィ工程で用いられる露光方法及び該露光方法を利用するデバイス製造方法、並びに前記露光方法を実施するのに好適な露光装置に関する。
従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが、主として用いられている。
この種の露光装置では、近年、半導体素子の高集積化に伴うパターンの微細化により、重ね合わせ精度の要求が厳しくなってきた。このため、ウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、ウエハと総称する)を保持するウエハステージの位置計測に用いられていたレーザ干渉計の空気揺らぎに起因する計測値の短期的な変動が、オーバレイバジェット中の大きなウエイトを占めるようになった。そこで、レーザ干渉計と同程度以上の計測分解能を有し、一般的に干渉計に比べて空気揺らぎの影響を受けにくいエンコーダを、ウエハステージの位置計測装置として採用する露光装置が、提案されている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に開示される露光装置では、エンコーダとともに、該エンコーダ用としてウエハステージ上面に設けられた反射型回折格子に計測ビームを投射し、その反射光を受光することによって、格子面(すなわちウエハステージ上面)の面位置を計測する面位置計測センサも採用されている。
特許文献1に記載のエンコーダ及び面位置計測センサと同様のセンサ類を備えた露光装置では、露光工程に先立って、例えばセンサ類の計測誤差を補正するための補正情報を作成し、露光工程中には、作成した補正情報を用いて、エンコーダと面位置計測センサの計測結果を補正しながら、ウエハステージを駆動制御する。これにより、ウエハステージの駆動制御の精度を保障することが可能になる。
ここで、エンコーダと面位置計測センサの計測誤差は、一般的に、ヘッドと該ヘッドからの計測ビームが照射される計側面との間の6自由度方向の位置関係に依存する。そのため、補正情報は6次元関数として表現される。しかしながら、そのような補正情報を全てのヘッドに対して作成することは、補正情報の計測及び計算に要する時間、並びに補正情報を記憶するメモリの要領などが膨大となり、時間的及び資源的コスト面において非現実的であった。
国際公開第2007/097379号パンフレット
本発明は、上述の事情の下でなされたものであり、第1の観点からすると、所定平面内で移動する移動体に保持された物体をエネルギビームで露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、前記移動体と該移動体外部との一方に設置された前記所定平面に平行な計測面に計測ビームを投射する、前記移動体と該移動体外部との他方に設置された複数のヘッドを備える位置計測系を用いて、前記移動体の位置を計測する工程と;前記位置計測系の計測結果と、前記計測面に起因する計測誤差に対する第1補正情報と、前記ヘッドに起因する計測誤差に対する第2補正情報と、に基づいて、前記移動体を駆動する工程と;を含む露光方法である。
これによれば、位置計測系の計測結果と、計測面に起因する計測誤差に対する第1補正情報と、ヘッドに起因する計測誤差に対する第2補正情報と、に基づいて、移動体を駆動する。計測面に起因する計測誤差とヘッドに起因する計測誤差とのそれぞれは、一般に、全計測誤差が依存するヘッドと計測面との相対位置の自由度(6次元)より小さい自由度(<6次元)に依存するため、第1補正情報と第2補正情報とを個別に扱うことにより、補正情報の作成に要する時間的及び資源的なコスト(例えば補正情報の計測及び計算に要する時間、補正情報を記憶するメモリ量等)を現実的な範囲に抑えることが可能になる。また、第1及び第2補正情報により補正された補正後の移動体の位置情報に基づいて、移動体を精度良く駆動することが可能になり、結果的に物体上に精度良くパターンを形成することが可能になる。
本発明は、第2の観点からすると、請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と;を含むデバイス製造方法である。
本発明は、第3の観点からすると、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成する露光装置であって、所定平面内で移動可能な移動体と;前記移動体と該移動体外部との一方に設置された前記所定平面に平行な計測面に計測ビームを投射する、前記移動体と該移動体外部との他方に設置された複数のヘッドを有し、該複数のヘッドの少なくとも一部を用いて、前記移動体の位置を計測する位置計測系と;前記位置計測系の計測結果と、前記計測面に起因する計測誤差に対する第1補正情報と、前記ヘッドに起因する計測誤差に対する第2補正情報と、に基づいて、前記移動体を駆動する駆動装置と;を備える露光装置である。
これによれば、駆動装置により、位置計測系の計測結果と、計測面に起因する計測誤差に対する第1補正情報と、ヘッドに起因する計測誤差に対する第2補正情報と、に基づいて、移動体が駆動される。計測面に起因する計測誤差とヘッドに起因する計測誤差とのそれぞれは、一般に、全計測誤差が依存するヘッドと計測面との相対位置の自由度(6次元)より小さい自由度(<6次元)に依存するため、第1補正情報と第2補正情報とを個別に扱うことにより、補正情報の作成に要する時間的及び資源的なコスト(例えば補正情報の計測及び計算に要する時間、補正情報を記憶するメモリ量等)を現実的な範囲に抑えることが可能になる。また、第1及び第2補正情報により補正された補正後の移動体の位置情報に基づいて、移動体を精度良く駆動することが可能になり、結果的に、物体上に精度良くパターンを形成することが可能になる。
以下、本発明の一実施形態を、図1〜図10(B)に基づいて説明する。図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。
露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系PLとプライマリアライメント系AL1(図4、図5等参照)が設けられている。以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内で光軸AXとプライマリアライメント系AL1の検出中心を結ぶ直線と平行な方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光装置100は、図1に示されるように、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU、局所液浸装置8、ウエハステージWST及び計測ステージMSTを有するステージ装置50、並びに及びこれらの制御系等を備えている。図1において、ウエハステージWST上には、ウエハWが載置されている。
照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系と、を含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステム)で規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられる。
レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図7参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)116によって、移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、主制御装置20(図1では不図示、図7参照)に送られる。
投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に保持された投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸方向と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられる。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する。このため、照明系10によってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、その第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、レチクルR及び投影光学系PLによってウエハW上にパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
本実施形態の露光装置100には、液浸方式の露光を行うために、前述の如く、局所液浸装置8が設けられている。局所液浸装置8は、液体供給装置5、液体回収装置6(いずれも図1では不図示、図7参照)、液体供給管31A、液体回収管31B、及びノズルユニット32等を含む。ノズルユニット32は、図1に示されるように、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子、ここではレンズ(以下、「先端レンズ」ともいう)191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニットPUを保持する不図示のメインフレームに吊り下げ支持されている。本実施形態では、ノズルユニット32は、図1に示されるように、その下端面が先端レンズ191の下端面とほぼ同一面に設定されている。また、ノズルユニット32は、液体Lqの供給口及び回収口と、ウエハWが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管31A及び液体回収管31Bとそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。液体供給管31Aと液体回収管31Bとは、図4に示されるように、平面視(上方から見て)でX軸方向及びY軸方向に対してほぼ45°傾斜し、投影光学系PLの光軸AXとプライマリアライメント系AL1の検出中心とを結ぶY軸に平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LVに関して対称な配置となっている。図4において、符号UPはウエハステージWST上のウエハのアンロード時にウエハステージWSTの中心が位置するアンローディングポジションを示し、符号LPはウエハステージWST上へのウエハのロード時にウエハステージWSTの中心が位置するローディングポジションを示す。
液体供給管31Aは液体供給装置5(図1では不図示、図7参照)に、液体回収管31Bは液体回収装置6(図1では不図示、図7参照)に接続されている。ここで、液体供給装置5には、液体を貯蔵するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。液体回収装置6には、回収した液体を貯蔵するタンク、吸引ポンプ、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。
主制御装置20は、液体供給装置5(図7参照)を制御して、液体供給管31Aを介して先端レンズ191とウエハWとの間に液体を供給するとともに、液体回収装置6(図7参照)を制御して、液体回収管31Bを介して先端レンズ191とウエハWとの間から液体を回収する。このとき、主制御装置20は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置5と液体回収装置6を制御する。従って、先端レンズ191とウエハWとの間には、一定量の液体Lq(図1参照)が常に入れ替わって保持され、これにより液浸領域14(図4参照)が形成される。なお、投影ユニットPUの下方に後述する計測ステージMSTが位置する場合にも、同様に先端レンズ191と計測テーブルとの間に液浸領域14を形成することができる。
本実施形態では、上記の液体として、ArFエキシマレーザ光(波長193nmの光)が透過する純水(以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する)を用いるものとする。なお、ArFエキシマレーザ光に対する水の屈折率nは、ほぼ1.44であり、水の中では、照明光ILの波長は、193nm×1/n=約134nmに短波長化される。
ステージ装置50は、図1に示されるように、ベース盤12の上方に配置されたウエハステージWST及び計測ステージMST、両ステージWST,MSTの位置情報を計測する計測システム200(図7参照)、及び両ステージWST,MSTを駆動するステージ駆動系124(図7参照)等を備えている。計測システム200は、図7に示されるように、干渉計システム118、エンコーダシステム150、及び面位置計測システム180などを含む。
ウエハステージWST及び計測ステージMSTは、不図示の非接触軸受、例えばエアベアリングなどにより、数μm程度のクリアランスを介して、ベース盤12の上方に支持されている。また、両ステージWST,MSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系124(図7参照)によって、独立して駆動可能である。
ウエハステージWSTは、図1に示されるように、ステージ本体91と、該ステージ本体91上に搭載されたウエハテーブルWTBとを含む。ウエハテーブルWTB及びステージ本体91は、リニアモータ及びZ・レベリング機構(ボイスコイルモータなどを含む)を含む駆動系によって、ベース盤12に対し、6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)に駆動可能に構成されている。
ウエハテーブルWTBの上面の中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ(不図示)が設けられている。ウエハホルダ(ウエハの載置領域)の外側には、図2(A)に示されるように、ウエハW(ウエハホルダ)よりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ矩形状の外形(輪郭)を有するプレート(撥液板)28が設けられている。プレート28の表面は、液体Lqに対して撥液化処理されている(撥液面が形成されている)。なお、プレート28は、その表面の全部(あるいは一部)がウエハWの表面と同一面となるようにウエハテーブルWTB上面に固定されている。
プレート28は、中央に上述の円形の開口が形成された矩形の外形(輪郭)を有する第1撥液領域(第1撥液板)28aと、その周囲に配置された矩形枠状(環状)の第2撥液領域(第2撥液板)28bと、を有する。
第1撥液板28aの+Y側の端部には、計測プレート30が設けられている。この計測プレート30には、中央に基準マークFMが設けられ、基準マークFMのX軸方向の両側に一対の空間像計測スリットパターン(スリット状の計測用パターン)SLが、設けられている。そして、各空間像計測スリットパターンSLに対応して、それらを透過する照明光ILを、ウエハステージWST外部(後述する計測ステージMSTに設けられる受光系)に導く送光系(不図示)が設けられている。
第2撥液板28bには、後述するエンコーダシステムで用いられるスケールが形成されている。詳述すると、第2撥液板28bのX軸方向(図2(A)における紙面内左右方向)の一側と他側の領域には、それぞれYスケール39Y1,39Y2が形成されている。Yスケール39Y1,39Y2は、例えば、X軸方向を長手方向とする格子線38が所定ピッチでY軸方向に配列された、Y軸方向を周期方向とする反射型の格子(例えば回折格子)によって構成されている。
同様に、第2撥液板28bのY軸方向(図2(A)における紙面内上下方向)の一側と他側の領域には、Yスケール39Y1及び39Y2に挟まれた状態で、Xスケール39X1,39X2がそれぞれ形成されている。Xスケール39X1,39X2は、例えば、Y軸方向を長手方向とする格子線37が所定ピッチでX軸方向に配列された、X軸方向を周期方向とする反射型の格子(例えば回折格子)によって構成されている。
なお、格子線37,38のピッチは、例えば1μmと設定される。図2(A)及びその他の図において、図示の便宜のため、格子のピッチを実際のピッチよりも大きく図示している。
また、回折格子を保護するために、撥液性をそなえた低熱膨張率のガラス板でカバーすることも有効である。ここで、ガラス板(カバーガラスとも呼ばれる)としては、厚さがウエハと同程度、例えば厚さ1mmのものを用いることができ、そのガラス板の表面がウエハ面と同じ高さ(同一面)になるよう、ウエハテーブルWST上面に設置される。
また、ウエハテーブルWTBの−Y端面,−X端面には、図2(A)に示されるように、後述する干渉計システムで用いられる反射面17a,反射面17bが形成されている。
計測ステージMSTは、図1に示されるように、不図示のリニアモータ等によってXY平面内で駆動されるステージ本体92と、ステージ本体92上に搭載された計測テーブルMTBとを含んでいる。計測ステージMSTも、不図示の駆動系によりベース盤12に対し、少なくとも3自由度方向(X,Y,θz)に駆動可能に構成されている。
なお、図7では、ウエハステージWSTの駆動系と計測ステージMSTの駆動系とを含んで、ステージ駆動系124として示されている。
計測テーブルMTB(及びステージ本体92)には、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図2(B)に示されるように、照度むらセンサ94、空間像計測器96、波面収差計測器98、照度モニタ(不図示)などが設けられている。また、ステージ本体92には、前述の一対の送光系(不図示)に対向する配置で、一対の受光系(不図示)が設けられている。本実施形態では、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとがY軸方向に関して所定距離以内に近接した状態(接触状態を含む)において、ウエハステージWST上の計測プレート30の各空間像計測スリットパターンSLを透過した照明光ILを各送光系(不図示)で案内し、計測ステージMST内の各受光系(不図示)の受光素子で受光する、空間像計測装置45(図7参照)が構成される。
また、計測テーブルMTBの+Y端面、−X端面には、干渉計用の反射面19a,19bが形成されている。
計測テーブルMTBの−Y側の面には、図2(B)に示されるように、X軸方向に延びるフィデューシャルバー(以下、「FDバー」と略述する)46が取り付けられている。FDバー46の長手方向の一側と他側の端部近傍には、センターラインCLに関して対称な配置で、Y軸方向を周期方向とする基準格子(例えば回折格子)52がそれぞれ形成されている。また、FDバー46の上面には、複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するアライメント系によって検出可能な寸法の2次元マークが用いられている。なお、FDバー46の表面及び計測テーブルMTBの表面も撥液膜で覆われている。
本実施形態の露光装置100では、図4及び図5に示されるように、前述の基準軸LV上で、投影光学系PLの光軸AXから−Y側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系AL1が設けられている。プライマリアライメント系AL1は、不図示のメインフレームの下面に固定されている。図5に示されるように、プライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側には、基準軸LVに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とがそれぞれ設けられている。セカンダリアライメント系AL21〜AL24は、可動式の支持部材を介してメインフレーム(不図示)の下面に固定されており、駆動機構601〜604(図7参照)を用いて、X軸方向に関してそれらの検出領域の相対位置が調整可能となっている。
本実施形態では、アライメント系AL1,AL21〜AL24のそれぞれとして、例えば画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。アライメント系AL1,AL21〜AL24のそれぞれからの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置20に供給される。
干渉計システム118は、図3に示されるように、反射面17a又は17bにそれぞれ干渉計ビーム(測長ビーム)を投射し、その反射光を受光して、ウエハステージWSTの位置を計測するY干渉計16、及び3つのX干渉計126〜128、並びに計測ステージMSTの位置を計測するY干渉計18、及びX干渉計130等を備えている。詳述すると、Y干渉計16は、基準軸LVに関して対称な一対の測長ビームB41,B42を含む少なくとも3つのY軸に平行な測長ビームを反射面17a、及び後述する移動鏡41に投射する。また、X干渉計126は、図3に示されるように、光軸AXと基準軸LVとに直交するX軸に平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LHに関して対称な一対の測長ビームB51,B52を含む少なくとも3つのX軸に平行な測長ビームを反射面17bに投射する。また、X干渉計127は、アライメント系AL1の検出中心にて基準軸LVと直交するX軸に平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LAを測長軸とする測長ビームB6を含む少なくとも2つのY軸に平行な測長ビームを反射面17bに投射する。また、X干渉計128は、Y軸に平行な測長ビームB7を反射面17bに投射する。
干渉計システム118の各干渉計からの位置情報は、主制御装置20に供給される。主制御装置20は、Y干渉計16及びX干渉計126又は127の計測結果に基づいて、ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)のX,Y位置に加え、θx方向の回転情報(すなわちピッチング情報)、θy方向の回転情報(すなわちローリング情報)、及びθz方向の回転情報(すなわちヨーイング情報)も求めることができる。
また、図1に示されるように、ステージ本体91の−Y側の側面に、凹形状の反射面を有する移動鏡41が取り付けられている。移動鏡41は、図2(A)からわかるように、X軸方向の長さがウエハテーブルWTBの反射面17aよりも、長く設計されている。
移動鏡41に対向して、干渉計システム118(図7参照)の一部を構成する一対のZ干渉計43A,43Bが設けられている(図1及び図3参照)。Z干渉計43A,43Bは、移動鏡41を介して、例えば投影ユニットPUを支持するフレーム(不図示)に固定された固定鏡47A,47Bにそれぞれ2つの測長ビームB1,B2を投射する。そして、Z干渉計43A,43Bは、それぞれの反射光を受光して、測長ビームB1,B2の光路長を計測する。その結果より、主制御装置20は、ウエハステージWSTの4自由度(Y,Z,θy,θz)方向の位置を算出する。
本実施形態では、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、主として、後述するエンコーダシステム150を用いて計測される。干渉計システム118は、ウエハステージWSTがエンコーダシステム150の計測領域外(例えば、アンローディングポジション又はローディングポジション付近)に位置する際に、使用される。また、干渉計システム118はエンコーダシステム150の計測結果の長期的変動(例えばスケールの経時的な変形などによる)を補正(較正)する場合などに補助的に使用される。勿論、干渉計システム118とエンコーダシステム150とを併用して、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)の全位置情報を計測することとしても良い。
干渉計システム118のY干渉計18、及びX干渉計130は、図3に示されるように、反射面19a,19bに、干渉計ビーム(測長ビーム)を投射して、それぞれの反射光を受光することにより、計測ステージMSTの位置情報(例えば、少なくともX軸及びY軸方向の位置情報とθz方向の回転情報とを含む)を計測し、その計測結果を、主制御装置20に供給する。
本実施形態の露光装置100には、干渉計システム118とは独立に、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を計測するためのエンコーダシステム150を構成する複数のヘッドユニットが設けられている。
図4に示されるように、ノズルユニット32の+X側、+Y側、−X側、及びプライマリアライメント系AL1の−Y側に、4つのヘッドユニット62A、62B、62C、及び62Dが、それぞれ配置されている。また、図5に示されるように、アライメント系AL1、AL21〜AL24のX軸方向の両外側にヘッドユニット62E、62Fが、それぞれ配置されている。これらのヘッドユニット62A〜62Fは、支持部材を介して、投影ユニットPUを保持するメインフレーム(不図示)に吊り下げ状態で固定されている。
ヘッドユニット62A及び62Cは、図5に示されるように、それぞれ複数(ここでは5個)のYヘッド651〜655及びYヘッド641〜645を備えている。ここで、Yヘッド652〜655及びYヘッド641〜644は、基準軸LH上に間隔WDで配置されている。Yヘッド651及びYヘッド645は、基準軸LHから−Y方向に所定距離離れたノズルユニット32の−Y側の位置に配置されている。Yヘッド651,652間、及びYヘッド644,645間のX軸方向の間隔もWDに設定されている。なお、Yヘッド651〜655とYヘッド645〜641は、基準軸LVに関して対称に配置されている。以下では、必要に応じて、Yヘッド651〜655及びYヘッド641〜645を、それぞれ、Yヘッド65及びYヘッド64とも記述する。
ヘッドユニット62Aは、Yスケール39Y1を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のY軸方向の位置(Y位置)を計測する多眼(ここでは5眼)のYリニアエンコーダ70A(図7参照)を構成する。同様に、ヘッドユニット62Cは、Yスケール39Y2を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のY位置を計測する多眼(ここでは5眼)のYリニアエンコーダ70C(図7参照)を構成する。なお、以下では、Yリニアエンコーダを、適宜、「Yエンコーダ」又は「エンコーダ」と略述する。
ここで、ヘッドユニット62A,62Cがそれぞれ備える5個のYヘッド65,64(より正確には、Yヘッド65,64が発する計測ビームのスケール上の投射点)のX軸方向の間隔WDは、Yスケール39Y1,39Y2のX軸方向の幅(より正確には、格子線38の長さ)より僅かに狭く設定されている。従って、例えば、露光の際などにはそれぞれ5個のYヘッド65,64のうち、少なくとも1つのヘッドが、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する(計測ビームを投射する)。
ヘッドユニット62Bは、図5に示されるように、基準軸LV上に間隔WDで配置された複数(ここでは4個)のXヘッド665〜668を備えている。また、ヘッドユニット62Dは、基準軸LV上に間隔WDで配置された複数(ここでは4個)のXヘッド661〜664を備えている。以下では、必要に応じて、Xヘッド665〜668及びXヘッド661〜664をXヘッド66とも記述する。
ヘッドユニット62Bは、Xスケール39X1を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX軸方向の位置(X位置)を計測する、多眼(ここでは4眼)のXリニアエンコーダ70B(図7参照)を構成する。また、ヘッドユニット62Dは、Xスケール39X2を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX位置を計測する多眼(ここでは4眼)のXリニアエンコーダ70D(図7参照)を構成する。なお、以下では、Xリニアエンコーダを、適宜、「エンコーダ」と略述する。
ここで、ヘッドユニット62B,62Dがそれぞれ備える隣接するXヘッド66(より正確には、Xヘッド66が発する計測ビームのスケール上の投射点)のY軸方向の間隔WDは、Xスケール39X1,39X2のY軸方向の幅(より正確には、格子線37の長さ)よりも狭く設定されている。また、ヘッドユニット62Bの最も−Y側のXヘッド665とヘッドユニット62Dの最も+Y側のXヘッド664との間隔は、ウエハステージWSTのY軸方向の移動により、その2つのXヘッド間で切り換え(つなぎ)が可能となるように、ウエハテーブルWTBのY軸方向の幅よりも狭く設定されている。従って、例えば、露光の際などには、ヘッドユニット62B,62Dが備えるXヘッド66のうち少なくとも1つが、常に、対応するXスケール(39X1又は39X2)に対向する(計測ビームを投射する)。
ヘッドユニット62Eは、図5に示されるように、複数(ここでは4個)のYヘッド671〜674を備えている。ここで、3個のYヘッド671〜673は、セカンダリアライメント系AL21の−X側に、基準軸LA上に間隔WDとほぼ同一間隔で配置されている。Yヘッド674は、基準軸LAから+Y方向に所定距離離れたセカンダリアライメント系AL21の+Y側に配置されている。なお、Yヘッド673,674間のX軸方向の間隔もWDと設定されている。
ヘッドユニット62Fは、複数(ここでは4個)のYヘッド681〜684を備えている。これらのYヘッド681〜684は、基準軸LVに関して、Yヘッド674〜671と対称な位置に配置されている。以下では、必要に応じて、Yヘッド671〜674及びYヘッド681〜684を、それぞれYヘッド67及びYヘッド68とも記述する。
アライメント計測の際には、少なくとも各1つのYヘッド67,68が、それぞれYスケール39Y2,39Y1に対向する。このYヘッド67,68(すなわち、これらYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダ70E,70F)によってウエハステージWSTのY位置(及びθz回転)が計測される。
また、本実施形態では、セカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、セカンダリアライメント系AL21,AL24にX軸方向で隣接するYヘッド673,682が、FDバー46の一対の基準格子52とそれぞれ対向し、その一対の基準格子52と対向するYヘッド673,682によって、FDバー46のY位置が、それぞれの基準格子52の位置で計測される。以下では、一対の基準格子52にそれぞれ対向するYヘッド673,682によって構成されるエンコーダをYリニアエンコーダ(適宜、「Yエンコーダ」又は「エンコーダ」とも略述する)70E2,70F2(図7参照)と呼ぶ。また、識別のため、Yスケール39Y2,39Y1に対向するYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダを、Yエンコーダ70E1、70F1と呼ぶ。
上述した6つのリニアエンコーダ70A〜70Fの計測値は、主制御装置20に供給され、主制御装置20は、リニアエンコーダ70A〜70Dのうちの3つ、又はリニアエンコーダ70E1,7F1,70B及び70Dのうちの3つの計測値に基づいて、ウエハテーブルWTBのXY平面内の位置を制御するとともに、リニアエンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46(計測ステージMST)のθz方向の回転を制御する。
本実施形態の露光装置100には、図4及び図6に示されるように、ウエハステージWSTに載置されるウエハWの全面の面位置を計測するための、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系(90a,90b)が設けられている。
多点AF系(90a,90b)の複数の検出点は、被検面上でX軸方向に沿って所定間隔で配置される。図4及び図6では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点が、個別に図示されず、照射系90a及び受光系90bの間でX軸方向に延びる細長い検出領域(ビーム領域)AFとして示されている。
図6に示されるように、多点AF系(90a,90b)の検出領域AFの両端部近傍に、基準軸LVに関して対称な配置で、各一対のZ位置計測用の面位置センサのヘッド(以下、「Zヘッド」と略述する)72a,72b、及び72c,72dが設けられている。これらのZヘッド72a〜72dは、不図示のメインフレームの下面に固定されている。
さらに、前述のヘッドユニット62A,62Cは、図6に示されるように、それぞれが備える5つのYヘッド65j,64i(i,j=1〜5)と同じX位置に、ただしY位置をずらして、それぞれ5つのZヘッド76j,74i(i,j=1〜5)を備えている。ここで、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する外側の3つのZヘッド763〜765,741〜743は、基準軸LHから+Y方向に所定距離隔てて、基準軸LHと平行に配置されている。また、ヘッドユニット62Aと62Cのそれぞれに属する最も内側のZヘッド761と745は投影ユニットPUの+Y側に、残りのZヘッド762と744はそれぞれYヘッド652と644の−Y側に、配置されている。そして、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する5つのZヘッド76j,74iは、互いに基準軸LVに関して対称に配置されている。
ヘッドユニット62A,62Cがそれぞれ備える5つのZヘッド76j,74i(より正確には、Zヘッドが発する計測ビームのスケール上の投射点)のX軸方向の間隔は、Yヘッドの65,64のX軸方向の間隔WDと等しく設定されている。従って、Yヘッド65,64と同様に、例えば露光時などには、それぞれ5個のZヘッド76j,74iのうち、少なくとも1つのヘッドが、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する。
Zヘッド72a〜72d、76j,74iとしては、例えば、CDドライブ装置などで用いられる光ピックアップと同様の光学式変位センサのヘッドが用いられる。Zヘッド72a〜72d、76j,74iは、ウエハテーブルWTBに対し上方から計測ビームを投射し、その反射光を受光して、投射点におけるウエハテーブルWTBの面位置を計測する。なお、本実施形態では、Zヘッドの計測ビームは、前述のYスケール39Y1,39Y2を構成する反射型回折格子によって反射される構成を採用している。
上述したZヘッド72a〜72d,741〜745,761〜765は、図7に示されるように、信号処理・選択装置170を介して主制御装置20に接続されている。主制御装置20は、信号処理・選択装置170を介してZヘッド72a〜72d,741〜745,761〜765の中から任意のZヘッドを選択して作動状態とし、その作動状態としたZヘッドで検出した面位置情報を信号処理・選択装置170を介して受け取る。本実施形態では、Zヘッド72a〜72d,741〜745,761〜765と、信号処理・選択装置170とを含んでウエハステージWSTのZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向の位置情報を計測する面位置計測システム180が構成されている。
主制御装置20は、面位置計測システム180を用いて、ウエハステージWSTの有効ストローク領域、すなわちアライメント計測及び露光動作のためにウエハステージWSTが移動する領域において、その2自由度方向(Z,θy)の位置座標を計測する。
図7には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ(又はワークステーション)から成る主制御装置20を中心として構成されている。なお、図7においては、前述した照度むらセンサ94、空間像計測器96、及び波面収差計測器98など、計測ステージMSTに設けられた各種センサが、纏めてセンサ群99として示されている。
本実施形態では、主制御装置20は、エンコーダシステム150(図7参照)を用いることにより、ウエハステージWSTの有効ストローク領域、すなわちアライメント及び露光動作のためにウエハステージWSTが移動する領域において、少なくともその3自由度(X,Y,θz)方向の位置座標を計測することができる。
ここで、本実施形態における、エンコーダシステム150の各エンコーダヘッド、及びその計測誤差の補正方法の原理などについてさらに説明する。
エンコーダシステム150の一部を構成する各エンコーダのヘッドとして、例えば、国際公開第2007/097379号パンフレットに開示されている、照射系、光学系、及び受光系の3部分から構成された干渉型のエンコーダヘッドを用いることができる。このエンコーダヘッドでは、光源(例えば半導体レーザ)から射出されるレーザビームが、光学系内の偏光ビームスプリッタで偏光分離され、分離された2つのビームが、折り曲げミラーを介してスケール(反射型回折格子)のほぼ同一領域に照射され、それらのビームの照射によって回折格子から発生する所定次数(例えば1次)の回折ビームが、それぞれλ/4板を介して反射ミラーに照射される。そして、反射ミラーでそれぞれ反射された2つの回折ビームは、往路と同じ光路を逆方向に辿って偏光ビームスプリッタに達し、該偏光ビームスプリッタで同軸に合成され、受光系に入射する。そして、受光系の内部で、2つの回折ビームは、検光子によって偏光方向が揃えられ、相互に干渉して干渉光となり、この干渉光が光検出器によって検出され、干渉光の強度に応じた電気信号に変換される。
上記の説明からわかるように、本実施形態で用いられる干渉型のエンコーダでは、干渉させる2つのビームの光路長が極短くかつほぼ等しいため、空気揺らぎの影響がほとんど無視できる。そして、スケール(すなわちウエハステージWST)が計測方向(回折格子の周期方向)に移動すると、2つのビームそれぞれの位相が変化して干渉光の強度が変化する。この干渉光の強度の変化が、受光系によって検出され、その強度変化に応じた位置情報がエンコーダの計測値として出力される。
本実施形態では、前述のようなエンコーダヘッドの配置を採用したことにより、常時、Xスケール39X1又は39X2に少なくとも1つのXヘッド66が、Yスケール39Y1に少なくとも1つのYヘッド65(又は68)が、Yスケール39Y2に少なくとも1つのYヘッド64(又は67)が、それぞれ対向する。スケールに対向しているエンコーダヘッドは、ヘッドの位置(より正確には計測ビームの投射点の位置)を基準とする、それぞれの計測方向についてのウエハステージWSTの位置(より正確には計測ビームを投射するスケールの位置)を計測する。その計測結果は、上述のエンコーダ70A、70C及び70B又は70D(又はエンコーダ70E1,70F1及び70B又は70D)の計測結果として、主制御装置20に供給される。
主制御装置20は、エンコーダ70A、70C及び70B又は70D(又はエンコーダ70E1,70F1及び70B又は70D)の計測結果に基づいて、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。ここで、Xヘッド66,Yヘッド65,64(又は68,67)の計測値(それぞれC,CY1,CY2と表記する)は、ウエハステージWSTの位置(X,Y,θz)に対して、次式(1)〜(3)のように依存する。
= (p−X)cosθz+(q−Y)sinθz …(1)
Y1=−(pY1−X)sinθz+(qY1−Y)cosθz …(2)
Y2=−(pY2−X)sinθz+(qY2−Y)cosθz …(3)
ただし、(p,q),(pY1,qY1),(pY2,qY2)は、それぞれXヘッド66,Yヘッド65(又は68),Yヘッド64(又は67)のX,Y設置位置(より正確には計測ビームの投射点のX,Y位置)である。そこで、主制御装置20は、3つのヘッドの計測値C,CY1,CY2を連立方程式(1)〜(3)に代入し、それらを解くことにより、ウエハステージWSTのXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。この算出結果に従って、ウエハステージWSTを駆動制御する。
また、主制御装置20は、リニアエンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46(計測ステージMST)のθz方向の回転を制御する。ここで、リニアエンコーダ70E2,70F2の計測値(それぞれCY1,CY2と表記する)は、FDバー46の(X,Y,θz)位置に対し、式(2),(3)のように依存する。従って、FDバー46のθz位置は、計測値CY1,CY2より、次式(4)のように求められる。
sinθz=−(CY1−CY2)/(pY1−pY2) …(4)
ただし、簡単のため、qY1=qY2を仮定した。
実際のエンコーダの計測値(生値)Crawには、様々な計測誤差が含まれる。そこで、主制御装置20は、次式(5)のように、生値Crawに補正量Rを加えて、理想状態における計測値Cideal、すなわち、所定の位置に所定の姿勢で設置された、光軸の角度及び計側面(回折格子面)とのクリアランスに対して感度を持たない理想的なエンコーダヘッドが、表面の凹凸や歪みを含め全く計測の際の誤差要因がない理想的なスケールを走査する状態において提示される計測値Cidealに補正する。
corr=Cideal=Craw+R …(5)
そして、補正済みの計測値Ccorr=Cidealを、エンコーダヘッドの計測値として、ウエハステージWSTの位置計測に使用する。
補正量Rは、一般に、スケールとヘッドの相対位置(x,y,z,ψx,ψy,ψz)の6次元関数として与えられるが、補正量Rを、全てのエンコーダヘッド(本実施形態では26個)に対して作成することは、前述した通り、非現実である。そこで、次式(6)のように、スケールに起因する誤差を補正する成分G(x,y)と、ヘッドに起因する誤差を補正する成分H(z,ψx,ψy,ψz)と、に分離する。
R(x,y,z,ψx,ψy,ψz)
=G(x,y)+H(z,ψx,ψy,ψz) …(6)
スケール起因誤差の補正量Gは、一般に、2次元(x,y)の関数として表現することができる。これは、図8(A)に示されるように、エンコーダヘッドEhから射出される計測ビームLB(図8(B)参照)のスケールSC上の投射点の位置座標(x,y)のみで、補正量Gが定まることを意味する。ヘッド起因誤差の補正量Hは、一般に、4次元(z,ψx,ψy,ψz)の関数として表現することができる。これは、図8(B)に示されるように、エンコーダヘッドEhとスケールSC間の相対角度とクリアランスのみで、補正量Hが定まることを意味する。なお、図8(B)において、符号RGは、回折格子の表面を示す。
上述の取り扱いにより、6次元関数としての補正量Rを、次数の小さい2つの関数G,Hの和で表現するので、補正量Rの作成にかかるコストを現実的な範囲に軽減することが可能になる。ここで、スケール起因誤差として、ヘッドの設置位置(すなわち計測ビームの投射点)の設計位置からのずれに起因する誤差(対応する補正量をG1Eとする)、スケール表面の凹凸に起因する誤差(対応する補正量をG2Eとする)、及びスケールに形成される回折格子のピッチのずれ及び回折格子の変形に起因する誤差(対応する補正量をG3Eとする)などがある。ヘッド起因誤差として、ヘッドの傾斜に起因する誤差(対応する補正量をH1Eとする)、及びヘッドの非計測方向へのステージの移動に伴う誤差(対応する補正量をH2Eとする)などがある。
主制御装置20は、露光に先立って、予め定められた手順に従い、各エンコーダを用いて種々の計測を行い、その計測結果に基づいて、上述の補正量G1E,G2E,G3E,H1E,H2Eを、個別に作成しておく。なお、スケールとヘッドの相対位置(x,y,z,ψx,ψy,ψz)は、ウエハステージWSTの位置座標(X,Y,Z,θx,θy,θz)の計測結果から求められる。
次に、面位置計測システム180の各Zヘッド及びその計測誤差の補正の原理になどについて説明する。
本実施形態では、主制御装置20は、露光時にはヘッドユニット62C,62Aに属する各1つのZヘッド74i,76j(i,jは1〜5のいずれか)を用いて、ウエハステージWSTの高さZと傾斜(ローリング)θyを計測する。また、主制御装置20は、後述するフォーカスマッピング時には4つのZヘッド72a〜72dを用いて、ウエハステージWSTの高さZと傾斜(ローリング)θyを計測する。
Zヘッド72a〜72d,741〜745,761〜765のそれぞれとしては、計測面、すなわち対応するYスケール39Y1又は39Y2に形成された反射型回折格子の面に計測ビームを投射し、その反射光を受光して、計測面がヘッド本体内部のフォーカスセンサのべストフォーカス位置に保たれるように、ヘッド本体を計測方向に追従駆動する構成のセンサヘッドが用いられている。このセンサヘッドからは、ヘッド本体の計測方向の変位量の読取り値が、計測面の面位置(Z位置)として出力される構成となっている。
ここで、Zヘッド72a〜72d,741〜745,761〜765の構成等について、図9に示されるZヘッド72aを代表的に採り上げて、さらに詳述する。図9では、Zヘッド72aからYスケール39Y2に検出光(計測ビーム)LBが照射されている。図9において、符号CGは、カバーガラスを示す。
Zヘッド72aは、図9に示されるように、フォーカスセンサFS、フォーカスセンサFSを収納したセンサ本体ZH、及びセンサ本体ZHをZ軸方向に駆動する駆動部(不図示)、並びにセンサ本体ZHのZ軸方向の変位を計測する計測部ZE等を備えている。
フォーカスセンサFSとしては、計測ビームLBを計測対象面に投射し、その反射光を受光することで、計測対象面の変位を光学的に読み取るピックアップ方式のフォーカスセンサが用いられている。フォーカスセンサFSの出力信号は、不図示の駆動部に送られる。
駆動部(不図示)は、アクチュエータ、例えばボイスコイルモータを含み、ボイスコイルモータの可動子及び固定子の一方は、センサ本体ZHに、他方はセンサ本体ZH及び計測部ZE等を収容する不図示の筐体の一部に、それぞれ固定されている。この駆動部は、フォーカスセンサFSからの出力信号に従って、センサ本体ZHと計測対象面との距離を一定に保つように(より正確には、計測対象面SをフォーカスセンサFSの受光光学系のベストフォーカス位置に保つように)、センサ本体ZHをZ軸方向に駆動する。これにより、センサ本体ZHは計測対象面のZ軸方向の変位に追従し、フォーカスロック状態が保たれる。
計測部ZEとしては、本実施形態では、一例として、エンコーダ70A〜70Fと同様の回折干渉方式のエンコーダが用いられている。計測部ZEは、センサ本体ZHの上面に固定されたZ軸方向に延びる支持部材SMの側面に設けられたZ軸方向を周期方向とする反射型の回折格子EGと、回折格子EGに対向して不図示の筐体に取付けられたエンコーダヘッドEHとを含む。エンコーダヘッドEHは、計測ビームELを回折格子EGに投射し、回折格子EGからの反射・回折光を受光素子で受光して計測ビームELの照射点の原点からの変位を読み取ることで、センサ本体ZHのZ軸方向の変位、すなわち計測対象面のZ軸方向の位置を計測する。このエンコーダヘッドEHの計測値が、Zヘッド72aの計測値として前述の信号処理・選択装置170を介して主制御装置20に供給される。
主制御装置20は、露光時には、少なくとも各1つのZヘッド74i,76j(i,jは1〜5のいずれか)の計測値に基づいて、テーブル面上の基準点(テーブル面と光軸AXとの交点)における、ウエハステージWSTの高さZとローリング量(角)θyを算出する。ここで、Zヘッド74i,76j(i,jは1〜5のいずれか)の計測値(それぞれZL,ZRと表記する)は、ウエハステージWSTの(Z0,θx,θy)位置に対して、次式(7),(8)のように依存する。
L=−tanθy・pL+tanθx・qL+Z0, …(7)
R=−tanθy・pR+tanθx・qR+Z0 …(8)
ただし、計側面を含めウエハテーブルWTBの上面は、理想的な平面だとする。なお、(pL,qL),(pR,qR)は、それぞれZヘッド74i,76jのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの投射点のX,Y位置)である。式(7),(8)より、次式(9)(10)が導かれる。
0=〔ZL+ZR−tanθx・(qL+qR)〕/2, …(9)
tanθy=〔ZL−ZR−tanθx・(qL−qR)〕/(pR−pL) …(10)
従って、主制御装置20は、Zヘッド74i,76jの計測値ZL,ZRを用いて、式(9)、(10)より、ウエハステージWSTの高さZとローリング量θyを算出する。ただし、ピッチング量(角)θxは、別のセンサシステム(本実施形態では干渉計システム118)の計測結果を用いる。
主制御装置20は、後述するフォーカスマッピング時などには、4つのZヘッド72a〜72dの計測値(それぞれZa,Zb,Zc,Zdと表記する)に基づいて、多点AF系(90a,90b)の複数の検出点の中心(X,Y)=(Ox’,Oy’)におけるウエハテーブルWTBの高さZとローリング量θyを、次式(11)、(12)より、算出する。
=(Za+Zb+Zc+Zd)/4, …(11)
tanθy=−(Za+Zb−Zc−Zd)/(pa+pb−pc−pd) …(12)
ここで、(p,q),(p,q),(p,q),(p,q)はそれぞれZヘッド72a〜72dのX,Y設置位置(より正確には計測ビームの投射点のX,Y位置)である。ただし、pa=pb,pc=pd,qa=qc,qb=qd,(pa+pc)/2=(pb+pd)/2=Ox’,(qa+qb)/2=(qc+qd)/2=Oy’とする。なお、先と同様に、ピッチング量θxは、別のセンサシステム(本実施形態では干渉計システム118)の計測結果を用いる。
実際のZヘッドの計測値(生値)Zrawには、様々な計測誤差が含まれる。そこで、主制御装置20は、次式(13)のように、生値Zrawに補正量Rを加えて、理想状態における計測値Zideal、すなわち、所定の位置に所定の姿勢で設置された、光軸の角度に対して感度を持たない理想的なZヘッドが、表面の凹凸や歪みを含め全く計測の際の誤差要因がない理想的な計側面(スケール)を走査する状態において提示される計測値Zidealに補正する。
corr=Zideal=Zraw+R …(13)
そして、補正済みの計測値Zcorr=Zidealを、Zヘッドの計測値として、ウエハステージWSTの位置計測に使用する。
補正量Rは、前述のエンコーダの場合と同様に、一般に、スケールとヘッドの相対位置(x,y,z,ψx,ψy,ψz)の6次元関数として与えられる。従って、その補正量Rを、全てのヘッド(本実施形態では14個)に対して作成することは、非現実的である。そこで、前述の式(6)のように、スケールに起因する誤差を補正する成分G(x,y)と、ヘッドに起因する誤差を補正する成分H(z,ψx,ψy,ψz)と、に分離する。
エンコーダヘッドと同様にZヘッドに対しても、スケール起因誤差の補正量Gは、一般に、2次元(x,y)の関数として表現することができる。これは、図10(A)に示されるように、ヘッドZhから射出される計測ビームLBのスケールSC上の投射点の(x,y)位置のみで、補正量Gが定まることを意味する。ヘッド起因誤差の補正量Hは、一般に、4次元(z,ψx,ψy,ψz)の関数として表現することができる。これは、図10(B)に示されるように、ヘッドZhとスケールSC間の相対角度とクリアランスのみで、補正量Hが定まることを意味する。
上述の取り扱いにより、6次元関数としての補正量Rを、次数の小さい2つの関数G,Hの和で表現するので、補正量Rの作成に要するコストを現実的な範囲に軽減することが可能になる。ここで、スケール起因誤差として、ヘッドの設置位置(すなわち計測ビームの投射点)の設計位置からのずれに起因する誤差(対応する補正量をG1Zとする)、スケール表面の凹凸に起因する誤差(対応する補正量をG2Zとする)、などがある。ヘッド起因誤差として、ヘッドの傾斜に起因する誤差(対応する補正量をH1Zとする)、ヘッドの非計測方向へのステージの移動に伴う誤差(対応する補正量をH2Zとする)、などがある。
主制御装置20は、露光に先立って、予め定められた手順に従い、各Zヘッドを用いて種々の計測を行い、その計測結果に基づいて、上述の補正量G1Z,G2Z,H1Z,H2Zを、個別に作成しておく。なお、スケールとヘッドの相対位置(x,y,z,ψx,ψy,ψz)は、ウエハステージWSTの位置座標(X,Y,Z,θx,θy,θz)の計測結果から求められる。
本実施形態の露光装置100では、前述の国際公開第2007/097379号パンフレットの実施形態中に開示されている手順と同様の手順に従って、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた以下のような一連の処理動作が行われる。すなわち、
a) 図4に示されるアンローディングポジションUPにウエハステージWSTがあるときに、ウエハWがアンロードされ、図4に示されるローディングポジションLPに移動したときに、新たなウエハWがウエハテーブルWTB上にロードされる。アンローディングポジションUP、ローディングポジションLP近傍では、ウエハステージWSTの6自由度の位置は、干渉計システム118の計測値に基づいて制御されている。このとき、X干渉計128が用いられる。
上述のウエハ交換が行われるのと並行して、セカンダリアライメント系AL21〜AL24のベースライン計測が行われる。このベースライン計測は、上記国際公開パンフレットに開示される方法と同様に、前述のエンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46(計測ステージMST)のθz回転を調整した状態で、アライメント系AL1、AL21〜AL24を用いて、それぞれの視野内にあるFDバー46上の基準マークMを同時に計測することで行われる。
b) ウエハ交換及びセカンダリアライメント系AL21〜AL24のベースライン計測終了後、ウエハステージWSTを移動して、計測プレート30の基準マークFMをプライマリアライメント系AL1で検出するプライメリアライメント系AL1のベースラインチェック前半の処理が行われる。これと前後して、エンコーダシステム150及び干渉計システム118の原点の再設定(リセット)が行われる。
c) その後、エンコーダシステム118及びZヘッド72a〜72dを用いてウエハステージWSTの6自由度方向の位置を計測しつつ、アライメント系AL1、AL21〜AL24を用いて、ウエハW上の複数のサンプルショット領域のアライメントマークを検出するアライメント計測が実行され、これと並行して多点AF系(90a、90b)を用いてフォーカスマッピング(Zヘッド72a〜72dの計測値を基準とする、ウエハWの面位置(Z位置)情報の計測)が行われる。ここで、アライメント計測開始後、フォーカスマッピングが開始される前に、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとがスクラム状態となり、これらアライメント計測及びフォーカスマッピングのためのウエハステージWSTの+Y方向への移動により、液浸領域14が計測ステージMST上からウエハステージWST上へ受け渡される。そして、計測プレート30が投影光学系PLの直下に達したとき、空間像計測装置45を用いてレチクルR上の一対のアライメントマークをスリットスキャン方式で計測する、プライマリアライメント系AL1のベースラインチェック後半の処理が行われる。
d) その後、アライメント計測及びフォーカスマッピングが続行される。
e) そして、アライメント計測及びフォーカスマッピングが終了すると、アライメント計測の結果求められるウエハ上の各ショット領域の位置情報と、最新のアライメント系のベースラインとに基づいて、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の複数のショット領域が露光され、レチクルのパターンが転写される。露光動作中、フォーカスマッピングにより得られた情報に基づいて、ウエハWのフォーカスレベリング制御が行われる。なお、露光中のウエハのZ、θyは、Zヘッド74,76の計測値に基づいて制御されるが、θxは、Y干渉計16の計測値に基づいて制御される。
本実施形態では、上述の一連の動作に際し、主制御装置20は、エンコーダシステムの前述した3つのエンコーダの計測値に基づいて、ウエハステージWSTを駆動する際に、前述した補正量G1E,G2E,G3E,H1E,H2Eを用いて、個々のエンコーダヘッドの計測値(生値)Crawを、式(5)及び式(6)のように補正し、理想状態における計測値Cidealに等しい補正後の計測値Ccorrを用いて、ウエハステージWSTを駆動制御する。なお、式(6)において、G=G1E+G2E+G3E,H=H1E+H2E、と与えれば良い。勿論、その他の計測誤差の補正量を加味する場合にも、スケール起因誤差G又はヘッド起因誤差Hに分類して、扱えば良い。なお、スケール起因誤差G1E,G2E,G3Eは、スケール毎に独立で、全てのエンコーダヘッドに対して共通の補正量として与えられ、ヘッド起因誤差H1E,H2Eは、エンコーダヘッド毎に独立で、全てのスケールに対して共通の補正量として与えられる。
また、主制御装置20は、上述のフォーカスマッピング時又は露光時などに、2つ又は4つのZヘッドの計測値に基づいて、ウエハステージWSTをZ、θy方向に駆動する際に、個々のZヘッドの計測値(生値)Zrawを、式(6)及び式(13)のように補正し、理想状態における計測値Zidealに等しい補正後の計測値Zcorrを用いて、ウエハステージWSTを駆動制御する。なお、式(6)において、G=G1Z+G2Z,H=H1Z+H2Z、と与えれば良い。勿論、その他の計測誤差の補正量を加味する場合にも、スケール起因誤差G又はヘッド起因誤差Hに分類して、扱えば良い。なお、スケール起因誤差G1,G2は、スケール毎に独立で、全てのZヘッドに対して共通の補正量として与えられ、ヘッド起因誤差H1,H2は、Zヘッド毎に独立で、全てのスケールに対して共通の補正量として与えられる。
以上説明したように、本実施形態の露光装置100によると、主制御装置20により、エンコーダシステム150のエンコーダヘッドの計測結果と、計測面(スケール)に起因する計測誤差に対する補正情報Gと、エンコーダヘッドに起因する計測誤差に対する補正情報Hと、に基づいて、ステージ駆動系124を介してウエハステージWSTが駆動される。また、主制御装置20により、面位置計測システム180のZヘッドの計測結果と、計測面(スケール)に起因する計測誤差に対する補正情報Gと、Zヘッドに起因する計測誤差に対する補正情報Hと、に基づいて、ステージ駆動系124を介してウエハステージWSTがZ、θy方向に駆動される。
ここで、計測面(スケール)に起因する計測誤差は、全計測誤差が依存するヘッド(エンコーダヘッド又はZヘッド)とスケールとの相対位置の自由度(x,y,z,ψx,ψy,ψz)より小さい自由度(x,y)に依存する、すなわち計測ビームの投射点のスケール上の位置(x,y)の関数として表現することができる。また、ヘッドに起因する計測誤差は、ヘッドとスケール間のクリアランスと傾斜・回転(z,ψx,ψy,ψz)の関数として表現することができる。従って、補正情報Gと補正情報Hとを、個別に扱うことにより、補正情報の作成に要する時間的及び資源的なコスト(例えば補正情報の計測及び計算に要する時間、補正情報を記憶するメモリ量等)を現実的な範囲に抑えることが可能になる。
また、主制御装置20は、補正情報R=G+Hにより補正された補正後のエンコーダヘッドの計測結果、すなわちウエハステージWSTの位置情報(X,Y,θz)と、補正情報R=G+Hにより補正された補正後のZヘッドの計測結果、すなわちウエハステージWSTの位置情報(Z,θy)とに基づいて、ウエハステージWSTを少なくとも5自由度方向に関しては精度良く駆動することが可能になる。残りのθx方向に関しては、主制御装置20は、Y干渉計16の計測値に基づいて、ウエハステージWSTの位置を管理する。
また、本実施形態によると、ウエハW上にレチクルRのパターンを形成するために、主制御装置20により、前述の走査露光が行われ、この際に、前述の如く、ステージ駆動系124を介してウエハWを保持するウエハステージWSTが高精度に駆動される。このため、ウエハW上の複数のショット領域に精度良くパターンを形成することが可能になる。
本実施形態において、主制御装置20は、上述の補正情報を、露光装置100の起動時、アイドル中、あるいはロット先頭時など、適宜、更新し、常に最新の補正情報を用いることとしている。
なお、上記実施形態で説明したエンコーダシステムなどの各計測装置の構成は一例に過ぎず、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、上記実施形態では、ウエハテーブル(ウエハステージ)上に格子部(Yスケール、Xスケール)を設け、これに対向してXヘッド、Yヘッドをウエハステージの外部に配置する構成のエンコーダシステムを採用した場合について例示したが、これに限らず、例えば米国特許出願公開第2006/0227309号明細書などに開示されているように、ウエハステージにエンコーダヘッドを設け、これに対向してウエハステージの外部に格子部(例えば2次元格子又は2次元に配置された1次元の格子部)を配置する構成のエンコーダシステムを採用しても良い。この場合において、Zヘッドもウエハステージに設け、その格子部の面を、Zヘッドの計測ビームが照射される反射面としても良い。
また、上述の実施形態では、本発明が、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置に適用された場合について説明したが、非液浸タイプの露光装置にも本発明を適用することができる。
また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。ステッパなどであっても、露光対象の物体が搭載されたステージの位置を上記実施形態と同様に、エンコーダを用いて計測することができるので、同様の効果を得ることができる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明は適用することができる。また、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも本発明を適用できる。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ(出力波長248nm)、F2レーザ(出力波長157nm)、Ar2レーザ(出力波長126nm)、Kr2レーザ(出力波長146nm)などのパルスレーザ光源、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を露光光とし、オール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。
また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
また、物体上にパターンを形成する装置は、前述の露光装置(リソグラフィシステム)に限られず、例えばインクジェット方式にて物体上にパターンを形成する装置にも本発明を適用することができる。
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置(パターン形成装置)によりマスク(レチクル)のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
本発明の露光方法及び装置は、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、半導体素子又は液晶表示素子などの電子デバイスを製造するのに適している。
一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図2(A)はウエハステージを示す平面図、図2(B)は計測ステージを示す平面図である。 図1の露光装置が備えるステージ装置及び干渉計の配置を示す平面図である。 図1の露光装置が備えるステージ装置及び計測装置類の配置を示す平面図である。 エンコーダヘッド(Xヘッド、Yヘッド)とアライメント系の配置を示す平面図である。 Zヘッドと多点AF系の配置を示す平面図である。 一実施形態に係る露光装置の制御系の主要な構成を示すブロック図である。 図8(A)及び図8(B)は、エンコーダヘッドの計測値のヘッド起因誤差とスケール起因誤差の分離を説明するための図である。 Zヘッドの構成の一例を概略的に示す図である。 図10(A)及び図10(B)は、Zヘッドの計測値のヘッド起因誤差とスケール起因誤差の分離を説明するための図である。
符号の説明
10…照明系、20…主制御装置、39X1,39X2…Xスケール、39Y1,39Y2…Yスケール、50…ステージ装置、62A〜62F…ヘッドユニット、64,65…Yヘッド、66…Xヘッド、67,68…Yヘッド、70A,70C…Yエンコーダ、70B,70D…Xエンコーダ、72a〜72d,74,76…Zヘッド、100…露光装置、124…ステージ駆動系、150…エンコーダシステム、1180…面位置計測システム、200…計測システム、PL…投影光学系、PU…投影ユニット、W…ウエハ、WST…ウエハステージ、WTB…ウエハテーブル。

Claims (16)

  1. 所定平面内で移動する移動体に保持された物体をエネルギビームで露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、
    前記移動体と該移動体外部との一方に設置された前記所定平面に平行な計測面に計測ビームを投射する、前記移動体と該移動体外部との他方に設置された複数のヘッドを備える位置計測系を用いて、前記移動体の位置を計測する工程と;
    前記位置計測系の計測結果と、前記計測面に起因する計測誤差に対する第1補正情報と、前記ヘッドに起因する計測誤差に対する第2補正情報と、に基づいて、前記移動体を駆動する工程と;
    を含む露光方法。
  2. 前記第1補正情報は、前記計測ビームの投射点の前記所定平面に平行な方向に関する位置の関数として表される、請求項1に記載の露光方法。
  3. 前記第2補正情報は、前記ヘッドと前記計測面との間の、前記所定平面に直交する軸に平行な方向に関する距離と、前記直交する軸に関する回転角と傾斜角と、の関数として表される、請求項1又は2に記載の露光方法。
  4. 前記計測面は、複数の領域を含み、
    前記第1補正情報は、前記領域毎に作成される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光方法。
  5. 前記第2補正情報は、前記ヘッド毎に作成される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光方法。
  6. 前記エネルギビームが、光学系と液体とを介して前記物体に照射される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;
    前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と;
    を含むデバイス製造方法。
  8. エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成する露光装置であって、
    所定平面内で移動可能な移動体と;
    前記移動体と該移動体外部との一方に設置された前記所定平面に平行な計測面に計測ビームを投射する、前記移動体と該移動体外部との他方に設置された複数のヘッドを有し、該複数のヘッドの少なくとも一部を用いて、前記移動体の位置を計測する位置計測系と;
    前記位置計測系の計測結果と、前記計測面に起因する計測誤差に対する第1補正情報と、前記ヘッドに起因する計測誤差に対する第2補正情報と、に基づいて、前記移動体を駆動する駆動装置と;
    を備える露光装置。
  9. 前記計測面には、前記所定平面内の第1軸と平行な方向を周期方向とする回折格子が形成され、
    前記位置計測系は、前記計測面と該計測面に計測ビームを投射する前記ヘッドとの前記第1軸に平行な方向に関する相対位置を計測するエンコーダシステムを含む、請求項8に記載の露光装置。
  10. 前記計測面には、さらに、前記所定平面内で前記第1軸と直交する第2軸に平行な方向を周期方向とする別の回折格子が形成され、
    前記エンコーダシステムは、さらに、前記計測面と前記ヘッドとの前記第2軸に平行な方向に関する相対位置を計測する、請求項9に記載の露光装置。
  11. 前記計測面に起因する前記計測誤差には、前記計測ビームの投射点のずれに起因する誤差と、前記計測面の表面の凹凸に起因する誤差と、前記回折格子の変形に起因する誤差と、前記回折格子の格子ピッチのずれに起因する誤差と、の少なくとも1つが含まれる、請求項9又は10に記載の露光装置。
  12. 前記ヘッドに起因する前記計測誤差には、前記ヘッドの傾斜に起因する誤差と、前記ヘッドの非計測方向への前記移動体の移動に伴う誤差と、の少なくとも1つが含まれる、請求項9〜11のいずれか一項に記載の露光装置。
  13. 前記位置計測系は、前記計測ビームの投射点における、前記所定平面と直交する方向に関する前記計測面の位置を計測する面位置計測システムを含む、請求項8〜12のいずれか一項に記載の露光装置。
  14. 前記計測面に起因する前記計測誤差には、前記計測ビームの投射点のずれに起因する誤差と、前記計測面の表面の凹凸に起因する誤差と、前記計測面の歪みに起因する誤差と、の少なくとも1つが含まれる、請求項13に記載の露光装置。
  15. 前記ヘッドに起因する前記計測誤差には、前記ヘッドの傾斜に起因する誤差と、前記ヘッドの非計測方向への前記移動体の移動に伴う誤差と、の少なくとも1つが含まれる、請求項13又は14に記載の露光装置。
  16. 前記エネルギビームが経由する光学系と;
    前記光学系と前記物体の間に、液体を供給する液体供給装置と;をさらに備える、請求項8〜15のいずれか一項に記載の露光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010074075A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nikon Corp 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011151161A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Nikon Corp 計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2017057539A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010074075A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nikon Corp 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011151161A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Nikon Corp 計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2017057539A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法
JPWO2017057539A1 (ja) * 2015-09-30 2018-07-19 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法
JP2021103316A (ja) * 2015-09-30 2021-07-15 株式会社ニコン 露光装置及びフラットパネルディスプレイ製造方法
JP7140219B2 (ja) 2015-09-30 2022-09-21 株式会社ニコン 露光装置及びフラットパネルディスプレイ製造方法

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