JPH09283415A

JPH09283415A - 投影露光装置

Info

Publication number: JPH09283415A
Application number: JP8097085A
Authority: JP
Inventors: Akimitsu Ebihara; 明光蛯原
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-04-18
Filing date: 1996-04-18
Publication date: 1997-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】投影光学系の回転及び並進変位に起因する結
像位置のずれを高精度に補償する。【解決手段】マスク１２に描かれたパターンを感光基
板１６上に所定の倍率で投影する投影光学系１４を回転
低感度点Ｃを含む平面で架台３１に支持する。回転低感
度点Ｃは、投影光学系１４の物側節点及び像側節点間を
投影倍率比に内分する点、もしくはマスク１２と感光基
板１６の間を投影倍率比に内分する点である。又は、レ
ーザ干渉計等により回転低感度点の並進変位を計測し、
その変位をマスクステージ１３及び基板ステージ１７の
位置制御のオフセットとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子の製造に使用される投影露光装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘ
ッド、ＣＣＤ素子等、微細パターンを有するデバイスの
製造に投影露光装置が用いられている。投影露光装置
は、デバイス製造のフォトリソグラフィ工程おいて、照
明光によって均一に照明されたフォトマスク又はレチク
ル（以下、単にマスクという）に描画されたパターンの
像をフォトレジスト等の感光剤が塗布されたウエハ又は
ガラスプレート等の感光基板上に投影露光するためのも
ので、ステップ・アンド・リピート方式のもの、ステッ
プ・アンド・スキャン方式のもの、スリット・スキャン
方式のもの等が用いられている。

【０００３】図５は、従来の投影露光装置の概略側面図
である。投影露光装置は、マスク１２を保持するマスク
ステージ１３、感光基板１６を保持して２次元方向に移
動可能な基板ステージ１７、マスク１２を均一に照明す
る照明系１１、感光基板１６上にマスク１２のパターン
像を形成する投影光学系１４、マスクステージ１３を駆
動するマスクステージ駆動モータ２１、基板ステージ１
７を２次元方向に駆動する基板ステージ駆動モータ２
２、基板ステージ１７の位置を計測する基板ステージレ
ーザ干渉計２４、マスクステージ１３の位置を計測する
マスクステージレーザ干渉計２３、投影光学系１４の下
端部の変位を計測する投影光学系レーザ干渉計２５、基
板ステージ駆動モータ２２やマスクステージ駆動モータ
２１を制御する駆動制御系２６などを備える。

【０００４】基板ステージ干渉計２４は、基板ステージ
１７に固定された移動鏡２４ａにレーザビームを照射
し、移動鏡２４ａで反射されて戻ってきたレーザビーム
と基準レーザビームとを干渉させることによって基板ス
テージ１７の変位を計測する。マスクステージレーザ干
渉計２３や投影光学系レーザ干渉計２５は、マスクステ
ージに固定された移動鏡２３ａ又は投影光学系１４の下
端部に固定された移動鏡２５ａにレーザビームを照射し
て得られる反射ビームを利用することでマスクステージ
１３や投影光学系下端部の変位を計測する。駆動制御系
２６は、基板ステージレーザ干渉計２４やマスクステー
ジレーザ干渉計２３の出力を参照し、各ステージ１３，
１７が所望の位置となるように基板ステージ駆動モータ
２２やマスクステージ駆動モータ２１を駆動する。

【０００５】投影露光装置の各部は、架台に支持されて
いる。図の例では、架台は第１架台３１とその上に配置
された第２架台３３の２つの部分からなる。投影光学系
１４は、投影光学系の鏡筒に設けられたフランジ１５に
よってほぼその重心位置を第１架台３１上に支持されて
いる。基板ステージ１７は第１架台３１のベース３２上
に支持され、マスクステージ１３は第２架台３３のベー
ス３４上に支持されている。

【０００６】投影露光装置の投影光学系１４は、一般に
数百ｋｇの重量を有し、架台３１に対して強固に固定さ
れてはいるが、基板ステージ１７が移動することによる
反力、温度等の環境変化、又は経時変化等により架台３
１に対して極微小量ではあるが並進もしくは回転変位す
ることがある。この投影光学系１４の変位は、感光基板
１６上に投影されるマスクパターンの位置ずれとなって
現れる。投影パターンが位置ずれを起こすと製造される
デバイスの性能が劣化するため、パターンの位置ずれは
極力抑制する必要がある。従来は、投影光学系レーザ干
渉計２５によって架台３１に対する投影光学系下端部の
変位を計測し、その変位量を基板ステージ１７の位置決
めのオフセットとして使用することで投影光学系１４の
変位による投影パターンの位置ずれを軽減することが行
われていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の投影光学系下端
部の変位量を基板ステージ位置決めの際のオフセットと
する補正方法は、比較的大きなデザインルールを有する
パターンに対しては十分なパターン位置ずれ抑制効果を
もたらすことができた。すなわち、もともと投影光学系
の変位は１μｍもしくはサブμｍ程度と微小であり、そ
れに対して前記の簡便な補正を行うことによりパターン
の位置ずれを更に小さくして許容範囲内に納めることが
できたのである。ところが近年、露光波長としてＸｅ−
Ｈｇランプのｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレー
ザの２４８ｎｍ、ＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍ
等、遠紫外領域の短波長光が用いられるようになり、デ
ザインルールの狭小化が進んでくると、このような補正
方法によるパターン結像位置のずれ補正では不十分な場
合が生じてきた。

【０００８】図６及び図７を用いて、従来の結像位置ず
れ補正方法の限界について説明する。説明を簡単にする
ために、投影光学系１４の投影倍率は４分の１であると
する。また、投影光学系１４の重心は感光基板１６平面
とマスク平面１２間を２対３に内分する位置にあり、投
影光学系１４はフランジ１５によってその重心を含む平
面で架台に支持されているとする。投影光学系レーザ干
渉計２５の移動ミラー２５ａは投影光学系１４の下端部
に固定されており、投影光学系下端部は結像平面（感光
基板平面）とほぼ同じ高さにある。マスク１２上の点Ｑ
は、投影光学系１４によって感光基板１６上の点Ｒに結
像されている。

【０００９】この状態で、図６に仮想線で示すように、
投影光学系１４の光軸ＡＸがフランジ１５による支持平
面と光軸との交点を中心としてＡＸ’のように微小な角
度θだけ傾斜し、投影光学系１４の下端部が微小量ｄだ
け変位したとする。感光基板１６平面上の結像位置は
Ｒ’になる。このとき駆動制御系２６は、投影光学系レ
ーザ干渉計２５の出力から投影光学系１４下端部の変位
を検出し、基板ステージ駆動モータ２２に指令して基板
ステージ１７を相対変位分ｄだけ移動させることで結像
位置のずれを補正しようとする。しかし、以下に説明す
るように、この基板ステージ１７の移動によっても結像
位置は完全に一致せず、マイナス８分の３ｄだけずれて
いる。

【００１０】投影光学系１４が傾斜していないとき、マ
スク１２上の点Ｑと感光基板１６平面上の像点Ｒを結ぶ
直線が投影光学系１４の光軸ＡＸと交差する点をＣとす
る。投影光学系１４が支持点を中心に微小角度θだけ傾
斜し、投影光学系１４の下端部が微小量ｄだけ変位した
ことにより、点Ｃはｄ／２だけ離れたＣ’に変位する。
このとき点Ｑの結像点は、点Ｑと点Ｃ’を結ぶ直線の延
長上の点Ｒ’となる。すなわち、感光基板１６平面上で
結像点は位置Ｒから位置Ｒ’まで５ｄ／８だけ変位す
る。したがって、このとき基板ステージ１７の位置をｄ
だけ補正すると、（５ｄ／８−ｄ）、すなわちマイナス
３ｄ／８だけ未補正分が残ることになる。

【００１１】また、図７に仮想線で示すように、投影光
学系１４が支持部平面内で微小量ｄだけ並進変位し、投
影光学系１４の下端部が同じくｄだけ変位したとする。
このとき光軸ＡＸはＡＸ’の位置まで変位し、前記Ｃ点
もＣ’に距離ｄだけ変位する。したがって、マスク１２
上の点Ｑの結像点は、位置Ｒから位置Ｒ’まで５／４ｄ
だけずれることになり、基板ステージ１７を計測された
変位分ｄだけ移動して結像位置のずれを補正しようとし
ても（５／４ｄ−ｄ）、すなわちｄ／４だけ未補正分が
残ることになる。このように、従来の簡便な補正方法で
は結像位置のずれを完全に補正することはできない。本
発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされたも
ので、投影光学系の回転変位又は並進変位に起因する結
像位置のずれをより高精度に補償することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】投影光学系の光軸上でマ
スクと感光基板の間を投影光学系の投影倍率比に内分す
る点、換言すると投影光学系の物側節点及び像側節点間
を投影倍率比に内分する点を、本明細書では回転低感度
点という。本発明は、投影光学系がこの回転低感度点の
回りに微小量回転しても結像位置がずれないことに着目
し、投影光学系をこの回転低感度点を含む平面で支持す
ること、又は前記回転低感度点の並進変位を計測しその
変位分だけマスク及び感光基板を変位させることにより
前記目的を達成するものである。

【００１３】投影光学系が回転低感度点の回りに微小量
回転しても結像位置がずれないことについて図１を参照
して説明する。図１に示すように、横倍率βの倍率を持
つ光学系１の物側節点Ｎ₁及び像側節点Ｎ₂、物体点Ｑ、
結像点Ｒ、そして光軸ＡＸと直線ＱＲとの交点Ｃとの関
係を求める。図示するように、物体点Ｑを含み光軸ＡＸ
に垂直な平面と物側節点Ｎ₁との距離をＳ₁、物側節点Ｎ
₁と像側節点Ｎ₂の間の距離をＴ、像側節点Ｎ₂と結像面
の間の距離をＳ₂、物側節点Ｎ₁と交点Ｃの間の距離をＴ
ｓ₁、像側節点Ｎ₂と交点Ｃとの間の距離をＴｓ₂とする
と、次式（１）、（２）が成立する。また、直線ＱＮ₁
と直線Ｎ₂Ｒは平行だから次式（３）が成立する。

【００１４】（Ｓ₂＋Ｔｓ₂）／（Ｓ₁＋Ｔｓ₁）＝β （１）Ｔｓ₁＋Ｔｓ₂＝Ｔ（２）Ｓ₁＝Ｓ₂／β （３）式（１）、（２）、（３）から次の（４）、（５）、
（６）が成立する。

【００１５】Ｔｓ₁＝Ｔ／（１＋β）（４）Ｔｓ₂＝βＴ／（１＋β）（５）Ｔｓ₂／Ｔｓ₁＝β （６）物体点Ｑ及び結像点Ｒの光軸ＡＸへの射影点をＯ及びＩ
とすると、上式（６）から、「物側節点Ｎ₁と像側節点
Ｎ₂を倍率比βに内分する点Ｃは、ＯＩを倍率比に内分
する点と一致する」という原理が成立する。そして、次
の式（７）が成り立つことから、この原理は両テレセン
トリックな光学系に対しても成り立つことが分かる。

【００１６】

【数１】

【００１７】この結果から、投影露光装置に使用される
両テレセントリックな投影光学系で節点Ｎ₁，Ｎ₂がそれ
ぞれ無限遠にある場合でも、物体点Ｑと結像点Ｒを結ぶ
直線ＱＲは必ず点Ｃを通るので、投影光学系が点Ｃの回
りに微小量回転しても結像点Ｒの位置は変化しない。つ
まり、両テレセントリックな投影光学系の回転に対する
回転低感度点Ｃは、投影光学系の物体点位置Ｏ及び結像
点位置Ｉ間を投影倍率比βに内分する平面と光軸ＡＸと
の交点となっていて、投影光学系をこの平面で架台に支
持すれば、投影光学系が架台に対して微小量傾いても結
像位置はずれることがない。

【００１８】また、投影光学系を前記位置で支持しなく
とも、回転低感度点Ｃの相対並進変位を計測すれば、投
影光学系が回転、並進変位しても、図１の関係からこの
並進ずれのみをオフセットとしてマスクおよび感光基板
の位置制御を行えば結像点がずれることがない。回転低
感度点における投影光学系の回転量と並進量は、投影光
学系の光軸方向に互いに異なる少なくとも２箇所の相対
並進変位を計測すれば幾何学的関係に基づいて算出する
ことができる。

【００１９】本発明はこのような考察に基づいてなされ
たもので、マスクに描かれたパターンを感光基板上に所
定の倍率で投影する投影光学系と、投影光学系を支持す
る架台とを備える投影露光装置において、前記架台は、
投影光学系の物側節点及び像側節点間を前記倍率比に内
分する回転低感度点を含む平面又は該平面の近傍におい
て投影光学系を支持することを特徴とするものである。
前記回転低感度点を含む平面は、マスクと感光基板の間
を前記倍率比に内分する平面と等価である。

【００２０】投影光学系の支持平面を回転低感度点を含
む平面又はその平面の近傍とすることで、投影光学系の
回転変位に起因する結像位置のずれはなくなる。しか
し、投影光学系の光軸が横方向に平行移動するタイプの
変位、すなわち並進変位があると結像位置はずれる。投
影光学系の並進変位による結像位置のずれを補償するた
めには、投影光学系の光軸の直交面内における回転低感
度点の変位を計測し、マスク及び感光基板の位置をその
変位分だけ補正する必要がある。マスクの位置補正はマ
スクを保持しているマスクステージによって行われ、感
光基板の位置補正は感光基板を保持している基板ステー
ジによって行われる。

【００２１】前述のように、投影光学系の変位に基づく
結像位置のずれを補償するに当たって、投影光学系を回
転低感度点を含む平面で支持することは必ずしも必要で
はない。任意の位置で投影光学系を支持した場合であっ
ても、回転低感度点の並進変位を計測することができれ
ば、その変位分だけマスク及び感光基板の位置を補正す
ることで結像位置のずれを補償することができるからで
ある。このような観点に基づく本発明の投影露光装置
は、投影光学系の光軸の直交面内における回転低感度点
の変位を計測する計測手段と、マスク及び感光基板の位
置を回転低感度点の変位に基づいて補正する位置補正手
段を備えることを特徴とする。

【００２２】計測手段は、光軸方向に異なる複数箇所に
配置されて各々投影光学系の変位を計測する複数のレー
ザ干渉計と、レーザ干渉計によって計測された投影光学
系の複数箇所の変位から回転低感度点の変位量を算出す
る変位算出手段で構成することができ、位置補正手段は
マスク及び感光基板の位置を回転低感度点の変位分だけ
補正するものとすることができる。計測手段のレーザ干
渉計は、投影光学系の回転低感度点の変位を直接計測す
る位置に配置することもできる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００２４】〔実施の形態１〕図２は、投影光学系を回
転低感度点の近くで架台に支持した本発明の第１の実施
の形態を説明する略図である。図２において、従来例を
示す図５と同じ構成部分には図５と同じ番号を付し、そ
の詳細な説明を省略する。投影光学系１４は、回転低感
度点Ｃ、すなわち投影光学系１４の光軸ＡＸ上でマスク
１２と感光基板１６の間を投影光学系１４の投影倍率比
に内分する点、換言すると投影光学系１４の物側節点及
び像側節点間を投影倍率比に内分する点に近い所にフラ
ンジ１５が設けられ、このフランジ１５によって第１架
台３１に支持されている。図では第１架台３１の下面側
でフランジ１５を支持しているが、フランジ１５は第１
架台３１の上面側に固定してももちろん構わない。

【００２５】第１架台３１のベース３２上には感光基板
１６を保持した基板ステージ１７が載置されており、基
板ステージ１７は基板ステージ駆動モータ２２によって
２次元方向に移動される。第２架台３３のベース３４上
にはマスク１２を保持したマスクステージ１３が載置さ
れており、マスクステージ１３はマスクステージ駆動モ
ータ２１によって移動される。マスクステージ１３と基
板ステージ１７は、ステップ・アンド・リピート方式の
投影露光装置では露光時に静止している。一方、スリッ
ト・スキャン方式又はステップ・アンド・スキャン方式
の投影露光装置では、マスクステージ１３と基板ステー
ジ１７は走査露光時に両ステージの移動量の比が投影倍
率比に等しくなるようにして駆動制御される。

【００２６】第１及び第２架台３１，３３とベース３
２，３４が高剛性の構造体で結合されているとき、一般
に投影光学系１４と第１及び第２架台３１，３３及びベ
ース３２，３４は逆位相で振動しているが、第１架台３
１に対する投影光学系フランジ１５の相対並進変位は極
めて小さく、相対回転変位θが主なので、投影光学系１
４の支持位置が回転低感度点Ｃの極近傍であればマスク
１２上の物体点Ｑに対応する感光基板１６上の結像点Ｒ
の位置ずれは極めて小さくなる。したがって、駆動制御
系２６は、投影光学系１４の変位による結像位置のずれ
について特別な配慮をすることなく、第１架台３１に対
する基板ステージ１７の相対変位又は第２架台３３に対
するマスクステージ１３の相対位置をレーザ干渉計２４
又は２３の出力に基づいて通常の方法で制御すればよ
い。

【００２７】なお、後述するように、投影光学系１４の
変位を計測するレーザ干渉計を付設して回転低感度点Ｃ
の並進変位を計測し、その変位分をオフセットとして基
板ステージ１７とマスクステージ１３の位置を制御する
ようにすれば、投影光学系１４の並進変位による極微小
な結像位置のずれも高精度に補償することが可能であ
る。

【００２８】〔実施の形態２〕図３は、回転低感度点の
変位を計測して結像位置のずれを補償するように基板ス
テージ及びマスクステージを駆動する本発明の第２の実
施の形態を説明する略図である。図３において、従来例
を示す図５と同じ構成部分には図５と同じ番号を付し、
その詳細な説明を省略する。

【００２９】投影投影光学系１４は振動を励起しにくい
場所、例えばその重心位置に設けられたフランジ１５に
よって第１架台３１に支持されている。第１架台３１及
び第２架台３３には投影光学系レーザ干渉計２５及び４
３が付設され、これらのレーザ干渉計は投影光学系１４
の下端部及び上端部に固定された移動鏡２５ａ及び４３
ａにレーザ光を照射し、移動鏡から反射されてきたレー
ザビームを利用して投影光学系１４の下端部及び上端部
の変位を計測する。投影光学系レーザ干渉計２５，４３
の出力は変位算出手段４１に入力される。変位算出手段
４１は、各レーザ干渉計２５，４３の出力及び投影光学
系１４の変位計測位置と回転低感度点Ｃについての既知
の位置関係から回転低感度点Ｃの並進変位を計算する。

【００３０】例えば、投影光学系１４の投影倍率が４分
の１であり、簡単のためにレーザ干渉計２５による投影
光学系１４の変位計測位置が感光基板１６の位置に極め
て近く、投影光学系レーザ干渉計４３による投影光学系
１４の変位計測位置がマスク１２の位置に極めて近いと
する。いま、レーザ干渉計４３によって計測された投影
光学系１４の上端部の変位ΔＭが７５ｎｍで、レーザ干
渉計２５によって計測された投影光学系１４の下端部の
変位ΔＷがマイナス２５ｎｍであったとする。このと
き、変位算出手段４１は、下式（８）により回転低感度
点Ｃの並進変位ΔＬをマイナス５ｎｍと計算する。

【００３１】ΔＬ＝（ΔＭ＋４ΔＷ）／５（８）変位算出手段４１の出力を受けて、駆動制御手段４２は
基板ステージ１７及びマスクステージ１３の位置制御の
オフセットとしてマイナス５ｎｍを加えて位置補正を行
う。この場合、第１架台３１及び第２架台３３は高剛性
である必要はなく、第１架台３１及び第２架台３３に対
する投影光学系１４の相対位置関係を計測することがで
きれば、回転低感度点Ｃの並進変位を求めて結像位置の
ずれを補償することができる。

【００３２】なお、投影光学系レーザ干渉計２５，４３
は、変位量が大きい投影光学系１４の上下端部に設ける
のが有利ではあるが、必ずしも投影光学系の上下の端部
に設ける必要はない。また、ここでは簡単のため図３の
紙面内における投影光学系１４の変位についてのみ考え
たが、図３の紙面垂直方向に投影光学系１４が変位する
ことによる結像位置のずれも、同様の方法で計測し、そ
の変位量を基板ステージ及びマスクステージの位置に関
するオフセットとして制御することにより補償すること
ができる。

【００３３】ところで、この場合、基板ステージ１７側
及びマスクステージ１３側で計測された投影光学系１４
の相対ずれΔＷ，ΔＭをそれぞれのステージ１７，１３
で位置ずれ補正する方法も考えられる。しかし前記の例
でいうと、マスクステージ１３では７５ｎｍ、基板ステ
ージ１７ではマイナス２５ｎｍも位置ずれ補正しなけれ
ばならない。ところが、回転低感度点Ｃの並進変位ΔＬ
の絶対値は投影光学系１４が相対回転する場合、幾何学
的関係から容易に分かるように、常にΔＭ，ΔＷの絶対
値よりも小さいので、回転低感度点Ｃの並進変位に基づ
いて基板ステージ１７及びマスクステージ１３の位置を
補正する方が有利である。何故なら、マスクステージ１
３及び基板ステージ１７を時々刻々変化する大きな値Δ
Ｍ，ΔＷに追従させて駆動するよりも、それより小さな
値のΔＬに追従させて駆動することの方が容易だからで
ある。

【００３４】〔実施の形態３〕図４は、本発明の第３の
実施の形態を説明する略図である。図４において、従来
例を示す図５と同じ構成部分には図５と同じ番号を付
し、その詳細な説明を省略する。投影光学系１４はフラ
ンジ１５によって従来通り重心に近いところを第１架台
３１に支持されている。第１架台３１に投影光学系１４
の変位を計測する投影光学系レーザ干渉計４５が１つ設
けられ、回転低感度点Ｃに近いところで投影光学系１４
の並進変位を計測している。この例では、１個の投影光
学系レーザ干渉計４５によって回転低感度点Ｃの並進変
位を直接計測することができるため、前記第２の実施の
形態で用いたような変位算出手段を省略することができ
る。例えば、この投影光学系レーザ干渉計４５で計測さ
れた投影光学系１４の並進変位が５ｎｍのとき、駆動制
御装置４７はこの並進変位５ｎｍをオフセットとして基
板ステージ１７及びマスクステージ１３の位置を制御す
ることで、結像位置のずれを補償することができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、回転低感度点に着目し
て投影光学系を支持し、また基板ステージ及びマスクス
テージの位置補正を行うことにより、投影光学系の変位
に基づく結像点の位置ずれをなくすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】回転低感度点の説明図。

【図２】本発明の第１の実施の形態を説明する図。

【図３】本発明の第２の実施の形態を説明する図。

【図４】本発明の第３の実施の形態を説明する図。

【図５】従来の投影露光装置の説明図。

【図６】投影光学系が回転変位を生じた場合の結像点の
ずれを説明する図。

【図７】投影光学系が並進変位を生じた場合の結像点の
ずれを説明する図。

【符号の説明】

１１…照明系、１２…マスク、１３…マスクステージ、
１４…投影光学系、１５…フランジ、１６…感光基板、
１７…基板ステージ、２１…マスクステージ駆動モー
タ、２２…基板ステージ駆動モータ、２３…マスクステ
ージレーザ干渉計、２４…基板ステージレーザ干渉計、
２５…投影光学系レーザ干渉計、２６…駆動制御系、３
１…第１架台、３２…ベース、３３…第２架台、３４…
ベース、４１…変位算出手段、４２…駆動制御系、４
３，４５…投影光学系レーザ干渉計、Ｃ…回転低感度
点、Ｑ…物体点、Ｒ…結像点、Ｎ1…物側節点、Ｎ2…像
側節点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに描かれたパターンを感光基板上
に所定の倍率で投影する投影光学系と、前記投影光学系
を支持する架台とを備える投影露光装置において、前記架台は、前記投影光学系の物側節点及び像側節点間
を前記倍率比に内分する回転低感度点を含む平面又は該
平面の近傍において前記投影光学系を支持することを特
徴とする投影露光装置。
【請求項２】前記投影光学系の光軸の直交面内におけ
る前記回転低感度点の変位を計測する計測手段と、前記
マスク及び前記感光基板の位置を前記計測された変位分
だけ補正する位置補正手段を備えることを特徴とする請
求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】マスクに描かれたパターンを感光基板上
に所定の倍率で投影する投影光学系と、前記投影光学系
を支持する架台とを備える投影露光装置において、前記架台は、前記マスクと前記感光基板の間を前記倍率
比に内分する平面又は該平面の近傍において前記投影光
学系を支持することを特徴とする投影露光装置。
【請求項４】マスクに描かれたパターンを感光基板上
に所定の倍率で投影する投影光学系と、前記投影光学系
を支持する架台とを備える投影露光装置において、前記投影光学系の物側節点及び像側節点間を前記倍率比
に内分する回転低感度点の前記投影光学系の光軸の直交
面内における変位を計測する計測手段と、前記マスク及
び前記感光基板の位置を前記回転低感度点の変位に基づ
いて補正する位置補正手段を備えることを特徴とする投
影露光装置。
【請求項５】前記計測手段は複数のレーザ干渉計と変
位算出手段を含み、前記複数のレーザ干渉計は光軸方向
に異なる複数箇所で前記投影光学系の変位を計測する位
置に配置され、前記変位算出手段は前記レーザ干渉計に
よって計測された前記投影光学系の複数箇所の変位から
前記回転低感度点の変位量を算出し、前記位置補正手段
は前記マスク及び前記感光基板の位置を前記回転低感度
点の変位分だけ補正することを特徴とする請求項４記載
の投影露光装置。
【請求項６】前記計測手段は前記投影光学系の回転低
感度点の変位を計測する位置に配置されたレーザ干渉計
を含み、前記位置補正手段は前記マスク及び前記感光基
板の位置を前記回転低感度点の変位分だけ補正すること
を特徴とする請求項４記載の投影露光装置。