TW202238247A - 快速均匀性漂移修正 - Google Patents

Abstract

提供用於調整一微影設備中照明縫隙均匀性的系統、設備及方法。一實例方法可包括由一輻射源藉由輻射輻照一指狀物總成的一部分。該實例方法可進一步包括由一輻射偵測器回應於該指狀物總成之該部分的該輻照而接收該輻射的至少一部分。該實例方法可進一步包括由一處理器基於該所接收輻射來判定該指狀物總成之一形狀的一改變。該實例方法可進一步包括由該處理器產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成之該形狀的該所判定改變來修改該指狀物總成的一位置。隨後，該實例方法可包括由該處理器傳輸該控制信號至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。

Description

快速均匀性漂移修正

本發明係關於用於修正微影設備及系統中之照明不均匀性的系統及方法。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，可互換地被稱作光罩或倍縮光罩之圖案化裝置可用以產生待形成於所形成之IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。傳統的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射射束掃描圖案，同時平行或反平行(相反)於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化裝置轉印至基板。

隨著半導體製造程序持續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已在穩定地增加，此遵循通常稱作「莫耳定律(Moore's law)」的趨勢。為了遵循莫耳定律，半導體行業正追逐能夠產生愈來愈小特徵之技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。

極紫外線(EUV)輻射，例如具有約50奈米(nm)或更小之波長之電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括處於約13.5 nm之波長的光，可用於微影設備中或與微影設備一起使用以在例如矽晶圓之基板中或上產生極小特徵。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有處於4 nm至20 nm之範圍內(例如，6.7 nm或13.5 nm)之波長之EUV輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之發射譜線將具有例如氙(Xe)、鋰(Li)或錫(Sn)之元素的材料轉換成電漿狀態。舉例而言，在被稱為雷射產生電漿(LPP)之一種此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大射束來輻照例如呈材料之小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料來產生電漿，該目標材料在LPP源之內容背景中可互換地被稱作燃料。對於此製程，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監視電漿。

微影設備通常包括照明系統，該照明系統在由輻射源產生之輻射入射於圖案化裝置上之前調節該輻射。舉例而言，照明系統可修改輻射之一或多個特性，諸如偏光及/或照明模式。照明系統可包括均匀性修正系統，該修正系統修正或減小存在於輻射中的不均匀性(例如，強度不均匀性)。均匀性修正裝置可使用經致動之指狀物總成，該等指狀物總成插入至輻射射束的邊緣中以修正強度變化。可由均匀性修正系統調整之照明的空間廣度尤其取決於指狀物總成的大小及用以在均匀性修正系統中移動指狀物總成的致動裝置的大小。自已知工作設計修改指狀物參數並非重要的，此係由於此類修改可導致輻射射束之一或多個特性的非所要更改。

為了達成圖案化裝置及基板上影像品質的容許度，具有經控制均匀性的照明射束為合乎需要的。對於照明射束在反射脫離圖案化裝置或透射通過圖案化裝置之前具有不均匀強度輪廓為常見的。在微影製程的各種階段，需要的是照明射束經控制以達成改良的均匀性。均匀性可指越過照明射束之相干橫截面的恆定強度，但亦可指控制照明以達成所選擇均匀性參數的能力。圖案化裝置將圖案賦予至接著投影於基板上的輻射射束上。此經投影射束之影像品質受射束之均匀性影響。

因此，需要控制照明均匀性，使得微影工具執行微影製程為儘可能有效的從而使製造能力及產率最大化、使製造缺陷最小化且減小每一裝置的成本。

本發明描述用於調整一微影設備中之照明縫隙均匀性的系統、設備及方法的各種態樣。

在一些態樣中，本發明描述一種系統。該系統可包括一輻射源，該輻射源經組態以產生輻射且朝向一指狀物總成透射該所產生輻射。該系統可進一步包括經組態以接收該透射輻射之至少一部分的一輻射偵測器。該系統可進一步包括一處理器，該處理器經組態以基於該所接收輻射來判定該指狀物總成之一形狀的一改變。該處理器可進一步經組態以產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成之形狀的判定之改變來修改該指狀物總成的一位置。該處理器可進一步經組態以傳輸控制信號至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。

在一些態樣中，該指狀物總成之該形狀的該所判定改變可包括該指狀物總成之指尖的一光學邊緣之一位置的一改變，該改變係基於該指尖曝光於深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射時該指尖之一生長。

在一些態樣中，該輻射源可經組態以在一微影設備之一晶圓交換操作期間透射該輻射。在其他態樣中，該輻射源可經組態以在一微影設備之一晶圓曝光操作期間透射該輻射。

在一些態樣中，該所產生輻射可包括一雷射簾幕，且該輻射偵測器可經組態以回應於由該雷射簾幕的一輻照該指狀物總成之一部分而接收該所透射輻射的至少該部分。在一些態樣中，指狀物總成之部分可包括指狀物總成之指尖的機械邊緣，該機械邊緣與指狀物總成之指尖之光學邊緣分開安置。

在一些態樣中，該所接收輻射可包括回應於該指狀物總成之指尖之該表面由該所透射輻射的一輻照自指尖之一表面反射的輻射。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於所接收輻射來量測安置於指狀物總成上之參考標記的位置之改變。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於參考標記之位置的所量測改變來判定指狀物總成的形狀之改變。在一些態樣中，參考標記可應用至安置於指狀物總成之指尖上的多層鏡面材料的區。舉例而言，在此等態樣中，輻射偵測器可經組態以感測在微影設備之晶圓曝光操作期間使用的光化EUV光之反射部分。

在一些態樣中，本發明描述一種設備。該設備可包括一指狀物總成。該指狀物總成可包括一指狀物本體、一指尖、安置於該指尖之一表面上的一多層鏡面材料，及應用至該多層鏡面材料之一區的一組參考標記。在一些態樣中，該組參考標記可包括兩個或更多個參考標記。在一些態樣中，多層鏡面材料可經組態以在微影設備之曝光操作期間反射DUV輻射或EUV輻射朝向輻射偵測器。在一些態樣中，該多層鏡面材料可包括鉬。

在一些態樣中，本發明描述一種用於調整一微影設備中之照明縫隙均匀性的方法。該方法可包括由一輻射源藉由輻射輻照一指狀物總成的一部分。該方法可進一步包括由一輻射偵測器回應於該指狀物總成之該部分的該輻照而接收該輻射的至少一部分。該方法可進一步包括由一處理器基於該所接收輻射來判定該指狀物總成之一形狀的一改變。該方法可進一步包括由該處理器產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成之該形狀的該所判定改變來修改該指狀物總成的一位置。該方法可進一步包括由處理器傳輸控制信號至耦接至指狀物總成的運動控制系統。

在一些態樣中，判定指狀物總成之形狀的改變可包括由處理器判定指狀物總成之指尖的光學邊緣之位置的改變，該改變係基於該指尖曝光於DUV輻射或EUV輻射時該指尖之一生長。

在一些態樣中，輻照指狀物總成之部分可包括在微影設備之晶圓交換操作期間藉由輻射由輻射源輻照指狀物總成的部分。在其他態樣中，輻照指狀物總成之部分可包括在微影設備之晶圓曝光操作期間藉由輻射由輻射源輻照指狀物總成的部分。

在一些態樣中，輻射可包括雷射簾幕，且接收輻射之至少該部分可包括回應於由雷射簾幕輻照指狀物總成之部分由輻射偵測器接收所透射輻射的至少部分。在一些態樣中，指狀物總成之部分可包括指狀物總成之指尖的機械邊緣，該機械邊緣與指狀物總成之指尖之光學邊緣分開安置。

在一些態樣中，接收輻射之至少該部分可包括回應於藉由輻射輻照指尖的表面由輻射偵測器接收自指狀物總成之指尖的表面反射之輻射。

在一些態樣中，判定指狀物總成之形狀的改變可包括基於所接收輻射由處理器量測安置於指狀物總成上之參考標記的位置改變。在一些態樣中，判定指狀物總成之形狀的改變可進一步包括由該處理器基於該參考標記之該位置的該所量測改變來判定該指狀物總成的該形狀之該改變。在一些態樣中，參考標記應用至安置於指狀物總成之指尖上的多層鏡面材料的區。舉例而言，在此等態樣中，方法可包括由輻射偵測器感測在微影設備之晶圓曝光操作期間使用的光化EUV光的反射部分。

下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵以及各種態樣之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定態樣。本文中僅出於說明性目的而呈現此類態樣。基於本文含有之教示，額外態樣對於熟習相關技術者而言將為顯而易見。

本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅描述本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之廣度及範圍由隨附在此之申請專利範圍及其等效物界定。

所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指相同實施例。另外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性在熟習此項技術者之認識範圍內。

為了易於描述，空間相對術語，諸如「在……之下」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「在……之上」、「上部」及其類似者，可在本文中用以描述一個元件或特徵與諸圖中所說明之另一或多個元件或特徵之關係。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。裝置可按其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述詞同樣可相應地進行解譯。

如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在該值之10至30%內(例如，該值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。 概述

被稱作「Unicom」之實例照明均匀性修正系統可調整交叉掃描方向上的縫隙均匀性，從而藉由引入一組指狀物總成或「指狀物」至照明縫隙中來使照明「熱點」衰減。Unicom可經組態而以兩個「模式」中之一者操作：(1)關注每晶圓之均匀性修正以修正照明效應的第一模式；及(2)第二模式，其中縫隙均匀性按晶粒修改以修正晶圓及製程效應，且其中均匀性修正並行於使晶粒步進而改變。隨著入射光(例如，EUV輻射)加熱Unicom指狀物尖端，距Unicom位置量測與指尖的未量測距離可改變，從而引起縫隙均匀性的漂移。舉例而言，隨著電力在微影設備中增大，均匀性漂移的預期臨界尺寸(CD)影響可自約0.06 nm(＜600 W電源功率)增大至大於或等於約0.1 nm (≥600 W電源功率)。CD影響可等於均匀性之百分數的約0.3倍。CD均匀性(CDU)要求可係在約0.7 nm與約1.2 nm之間。在一些實例中，縫隙均匀性漂移可能未經補償。

在一個實例中，縫隙均匀性漂移可每約900秒量測並修正一次，或在另一實例中每晶圓批次量測並修正一次，從而引入不可修正的CD影響。在一些態樣中，CD影響可藉由執行更頻繁的量測來減小。然而，每一均匀性再新(UR)量測可約2秒進行一次，且在晶圓載物台中使用感測器。因此，此等量測值不可並行於晶圓載物台夾盤交換而執行。另外，為了將縫隙均匀性漂移減小一半，至少兩個額外均匀性再新量測值可在第一批次中被需要，從而將25個晶圓的批次時間自約900秒增大至約904秒且因此減小總體機器產率。

對比而言，可提供本發明之一些態樣用於使用靠近於指尖的參考量測值來修正Unicom未修正的熱漂移。藉由週期性地量測指尖中的單一參考表面，實際指尖生長可經週期性地量測而不需要晶圓載物台中的感測器，因此不引入產率影響。為了關於位置感測器，諸如編碼器尺度量測及估計指尖生長，可提供本發明之一些態樣用於量測Unicom指尖中或與Unicom指尖相關聯之一或多個參考點之距離對編碼器索引脈衝的改變。在一些態樣中，自Unicom指尖至編碼器參考標記的原始距離在Unicom建置期間可經週期性地校準或量測一次。

在一些態樣中，本發明可提供越過所有指狀物總成包括單一射束的指尖感測器，此情形使感測器的數目最小化。在此等態樣中，每一指狀物可能必須移動通過其完整行進路徑，直至量測出指尖的位置。舉例而言，每一指狀物可在約200 ms內移動通過其完整行進路徑。因此，量測所有28個指狀物總成可花費約6秒，且因此量測值可平行於晶圓交換執行。

在一些態樣中，演算法可用以使在批次期間量測之指狀物總成的數目最大化，此是因為在可用於Unicom移動之大約0.43秒的「陰影時間」情況下，晶圓夾盤交換時間為約2.5秒。舉例而言，本發明之一些態樣可量測僅最遠地插入的指狀物總成及最近地插入的指狀物總成，且對量測結果進行內插。另外或替代地，本發明之一些態樣可包括在指尖上蝕刻標記(或在指尖中產生新表面以製造出此標記)及隨著指狀物熱生長量測此標記的移位。

在一些態樣中，指尖生長可與指尖總成中所選擇參考點之距離對編碼器索引的改變成比例。在一些態樣中，量測及調整可每晶圓或每晶粒發生一次。在一些態樣中，自指尖至編碼器的「室溫」或參考距離可經週期性地校準或在指尖總成之建置期間校準僅一次。在一些態樣中，可偵測小於或等於約8 μm的指尖生長。

在一些態樣中，提供本發明，從而用於藉由例如以下操作調整微影設備中的照明縫隙均匀性：由一輻射源藉由輻射輻照一指狀物總成的一部分；由一輻射偵測器回應於該指狀物總成之該部分的該輻照而接收該輻射的至少一部分；基於所接收輻射由處理器判定指狀物總成的形狀之改變；由該處理器產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成之形狀的所判定改變來修改該指狀物總成的一位置；及由該處理器將該控制信號傳輸至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。

本文中所揭示之系統、設備、方法及電腦程式產品存在許多例示性態樣。舉例而言，提供本發明的態樣用於將來自Unicom的CD漂移及CDU影響自大於或等於約0.1 nm (例如，對於具有大於約350 W之電源功率的所有數代工具)降低至約0.06 nm以下。由於CDU要求可小於或等於約0.6 nm，CDU影響自約0.1 nm至約0.06 nm的40%之減小可為實質的。在另一實例中，本發明的態樣並不要求晶圓載物台中的感測器，且因此實質上不存在對減小CD漂移的產率影響。在另一實例中，本發明的態樣並不要求Unicom外部的感測器(例如，準確壓力感測器)。在另一實例中，本發明的態樣並不要求指狀物總成插入的先前知識。

然而，在更詳細地描述此等態樣之前，呈現可供實施本發明之態樣的實例環境係具指導性的。 實例微影系統

圖1A及圖1B分別為可供實施本發明之態樣的微影設備100及微影設備100'之示意性說明。如圖1A及圖1B中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側，Z軸指向上方，且Y軸指向遠離觀看者之頁面)之視角(例如，側視圖)說明微影設備100及100'，同時自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側，Y軸指向上方，且Z軸指向朝著觀看者的頁面)之額外視角(例如，俯視圖)呈現圖案化裝置MA及基板W。

在一些態樣中，微影設備100及/或微影設備100'可包括以下結構中之一或多者： 照明系統IL (例如，照明器)，其經組態以調節輻射射束B (例如，深紫外線(DUV)輻射射束或極紫外線(EUV)輻射射束)；支撐結構MT (例如，光罩台)，其經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置)且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板固持器，諸如基板台WT (例如，晶圓台)，其經組態以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈晶圓)且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS (例如，折射投影透鏡系統)，該投影系統經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射射束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒之部分)上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為具反射性的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS係透射式的。

在一些態樣中，在操作中，照明系統IL可自輻射源SO接收輻射射束(例如，經由圖1B中所展示之射束遞送系統BD)。照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學結構，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電及其他類型之光學組件，或其任何組合。在一些態樣中，照明系統IL可經組態以調節輻射射束B以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

在一些態樣中，支撐結構MT可按取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者的設計及諸如圖案化裝置MA是否固持在真空環境中之其他條件的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其根據需要可為固定或可移動的。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。

術語「圖案化裝置」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射射束B之橫截面中向輻射射束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射射束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之裝置中的特定功能層。

在一些態樣中，圖案化裝置MA可為透射的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA可包括各種結構，諸如倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列、可程式化LCD面板、其他合適結構或其組合。光罩包括諸如二元、交替相移或衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。在一個實例中，可程式化鏡面陣列可包括小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射射束在不同方向上反射。傾斜鏡面可在由小鏡面之矩陣反射的輻射射束B中賦予圖案。

術語「投影系統」 PS應被廣泛地解譯且可涵蓋如適於正使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體(例如，在基板W上)之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、合成、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個射束路徑。此外，在一些態樣中，術語「投影透鏡」在本文中之任何使用可解譯為與更一般術語「投影系統」 PS同義。

在一些態樣中，微影設備100及/或微影設備100'可為具有兩個(例如，「雙載物台」)或多於兩個基板台WT及/或兩個或多於兩個光罩台的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，而將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一個實例中，可在位於基板台WT中之一者上的基板W上進行基板W之後續曝光的預備步驟，而位於基板台WT中之另一者上的另一基板W正用於在另一基板W上曝光圖案。在一些態樣中，額外台可能不為基板台WT。

在一些態樣中，除基板台WT以外，微影設備100及/或微影設備100'可包括量測載物台。量測載物台可經配置以固持感測器。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質、輻射射束B之性質或其兩者。在一些態樣中，量測載物台可固持多個感測器。在一些態樣中，量測載物台可在基板台WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。

在一些態樣中，微影設備100及/或微影設備100'亦可為基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋以便填充投影系統PS與基板W之間的空間的類型。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如在圖案化裝置MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。各種浸潤技術描述於2005年10月4日頒佈且標題為「微影設備及裝置製造方法(LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD)」之美國專利第6,952,253號中，該專利以全文引用的方式併入本文中。

參看圖1A及圖1B，照明系統IL自輻射源SO接收輻射射束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影設備100或100'可為分離的物理實體。在此類情況下，不認為輻射源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射射束B藉助於包括例如適合的引導鏡面及/或射束擴展器之射束遞送系統BD (例如，圖1B中所展示)而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，例如當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影設備100或100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同射束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。

在一些態樣中，照明系統IL可包括用於調整輻射射束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。此外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。在一些態樣中，照明系統IL可用以將輻射射束B調節為在其橫截面中具有所要均匀性及強度分佈。

參看圖1A，在操作中，輻射射束B可入射於圖案化裝置MA (例如，光罩、倍縮光罩、可程式化鏡面陣列、可程式化LCD面板、任何其他合適的結構或其組合)上，該圖案化裝置可固持於支撐結構MT (例如，光罩台)上，且可藉由呈現於圖案化裝置MA上的圖案(例如，設計佈局)圖案化。在微影設備100中，輻射射束B可自圖案化裝置MA反射。在已橫穿圖案化裝置MA之情況下(例如，在自圖案化裝置MA反射之後)，輻射射束B可穿過投影系統PS，該投影系統可將輻射射束B聚焦至基板W之目標部分C上或聚焦至配置於載物台處的感測器上。

在一些態樣中，藉助於第二定位器PW及位置感測器IFD2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便在輻射射束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IFD1 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)可用於相對於輻射射束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。

在一些態樣中，可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管圖1A及圖1B將基板對準標記P1及P2說明為佔據專用目標部分，但基板對準標記P1及P2可定位在目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1及P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記被稱為切割道對準標記。基板對準標記P1及P2亦可作為晶粒內標記配置於目標部分C的區域中。此等晶粒內標記亦可用作例如用於疊對量測的度量衡標記。

在一些態樣中，出於說明而非限制性目的，本文中諸圖中之一或多者可利用笛卡爾座標系統。笛卡爾座標系統包括三條軸線：X軸；Y軸；及Z軸。三條軸線中之每一者與其他兩條軸線正交(例如，X軸與Y軸及Z軸正交，Y軸與X軸及Z軸正交，Z軸與X軸及Y軸正交)。圍繞X軸之旋轉被稱作Rx旋轉。圍繞Y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。圍繞Z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。在一些態樣中，X軸及Y軸界定水平平面，而Z軸係在豎直方向上。在一些態樣中，笛卡爾座標系統之定向可不同，例如使得Z軸具有沿著水平平面之分量。在一些態樣中，可使用另一座標系統，諸如圓柱座標系統。

參看圖1B，輻射射束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化裝置MA上，且係由該圖案化裝置MA而圖案化。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射射束B穿過投影系統PS，該投影系統將該射束聚焦至基板W之目標部分C上。在一些態樣中，投影系統PS可具有與照明系統光瞳共軛之光瞳。在一些態樣中，輻射之部分可自照明系統光瞳處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受光罩圖案MP處的繞射影響，且產生照明系統光瞳處之強度分佈的影像。

投影系統PS將光罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之抗蝕劑層上，其中影像MP'係由自光罩圖案MP藉由來自強度分佈之輻射而產生之繞射射束而形成。舉例而言，光罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在該陣列處且不同於零階繞射的輻射之繞射產生轉向繞射射束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。反射光(例如，零階繞射射束)在傳播方向無任何改變的情況下橫穿圖案。零階繞射射束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛物上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物。在光瞳共軛物之平面中且與零階繞射射束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳中之強度分佈的影像。在一些態樣中，孔徑裝置可安置於或大體上處於包括投影系統PS之光瞳共軛物的平面處。

投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組不僅捕捉零階繞射射束，而且捕捉一階或一階及更高階繞射射束(圖中未示)。在一些態樣中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射射束在基板W之位階處干涉對應的零階繞射射束，而以最高可能解析度及製程窗(例如，與可容許曝光劑量偏差結合之可用聚焦深度)產生光罩圖案MP之影像。在一些態樣中，可藉由在照明系統光瞳之相對象限中提供輻射極(圖中未示)來縮減像散像差。另外，在一些態樣中，可藉由阻擋與相對象限中之輻射極相關聯的投影系統PS之光瞳共軛物中之零階射束來縮減像散像差。此情形更詳細描述於2009年3月31日發佈且標題為「微影投影設備及裝置製造方法(LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD)」之美國專利第7,511,799號中，其以全文引用的方式併入本文中。

在一些態樣中，藉助於第二定位器PW及定位量測系統PMS (例如，包括位置感測器，諸如干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位於輻射射束B之路徑中的聚焦且對準之位置處。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)(圖1B中未展示)以相對於輻射射束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA (例如，在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間)。可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化裝置MA及基板W。

一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的長衝程定位器(粗略定位)及短衝程定位器(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程定位器及短衝程定位器來實現基板台WT之移動。在步進器之狀況下(相對於掃描器)，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(例如，切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒設置於圖案化裝置MA上之情形中，光罩對準標記M1及M2可位於該等晶粒之間。

支撐結構MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人可用以將諸如光罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化裝置MA在真空腔室之外部時，與真空內機器人類似，真空外機器人可用於各種輸送操作。在一些情況下，需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於任何有效負載(例如，光罩)平滑地轉移至轉移站之固定運動安裝台。

在一些態樣中，微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：

1. 在步進模式中，在將被賦至輻射射束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(例如，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。

2. 在掃描模式中，支撐結構MT及基板台WT經同步地掃描，同時賦予至輻射射束B之圖案投影於目標部分C上(例如，單一動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT (例如，光罩台)之速度及方向。

3. 在另一模式中，支撐結構MT保持大體上靜止以固持可程式化圖案化裝置MA，且移動或掃描基板台WT，同時將賦予至輻射射束B之圖案投影至目標部分C上。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置MA (諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

在一些態樣中，微影設備100及100'可採用上述使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

在一些態樣中，如圖1A中所展示，微影設備100可包括經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射射束B的EUV源。一般而言，EUV源可經組態於輻射源SO中，且對應照明系統IL可經組態以調節EUV源之EUV輻射射束B。

圖2更詳細地展示微影設備100，其包括輻射源SO (例如，源收集器設備)、照明系統IL及投影系統PS。如圖2中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側且Z軸指向上方)之視點(例如，側視圖)說明微影設備100。

輻射源SO經建構及配置，使得可將真空環境維持於圍封結構220中。輻射源SO包括源腔室211及收集器腔室212，且經組態以產生及透射EUV輻射。EUV輻射可由氣體或蒸氣，例如氙(Xe)氣體、鋰(Li)蒸氣或錫(Sn)蒸氣產生，其中產生EUV輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。至少部分地電離之EUV輻射發射電漿210可藉由例如放電或雷射射束產生。Xe氣體、Li蒸氣、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣之例如約10.0帕斯卡(pa)的分壓可用於高效地產生輻射。在一些態樣中，提供受激錫之電漿以產生EUV輻射。

由EUV輻射發射電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的可選氣體障壁或污染物截留器230 (例如，在一些情況下亦被稱為污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物截留器230至少包括通道結構。

收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側部251及下游輻射收集器側部252。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器設備經配置成使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為EUV輻射發射電漿210之影像。可使用光柵光譜濾光器240抑制紅外線(IR)輻射。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224，該琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224經配置以提供在圖案化裝置MA處輻射射束221之所期望角度分佈，以及在圖案化裝置MA處之輻射強度之所期望均匀性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射射束221後，形成圖案化射束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將圖案化射束226成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。

照明系統IL及投影系統PS中通常可存在比所展示更多之元件。視情況，取決於微影設備之類型，可存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比圖2所展示之鏡面更多的鏡面。舉例而言，在投影系統PS中可存在比圖2中所展示之反射元件多一至六個的額外反射元件。

如圖2中所說明之輻射收集器CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱安置，且此類型之輻射收集器CO較佳地與放電產生電漿(DPP)源結合地使用。 實例微影單元

圖3展示微影單元300，其有時亦稱作微影製造單元(lithocell)或微影製造叢集。如圖3中所展示，自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側且Y軸指向上方)之視角(例如，俯視圖)說明微影單元300。

微影設備100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括一或多個設備以在基板上執行曝光前製程及曝光後製程。舉例而言，此等設備可包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器RO (例如，機器人)自輸入/輸出埠I/O1及I/O2拾取基板，在不同處理設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備100或100'之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產率及處理效率。 實例輻射源

圖4中展示用於實例反射性微影設備(例如，圖1A之微影設備100)的輻射源SO之實例。如圖4中所展示，自垂直於XY平面之視點(例如，俯視圖)說明輻射源SO，如下文所描述。

圖4中所展示之輻射源SO屬於可稱為雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括二氧化碳(CO ₂)雷射的雷射系統401經配置以經由一或多個雷射射束402將能量沈積至燃料目標403' (諸如一或多個離散錫(Sn)小滴)中，該等燃料目標403'由燃料目標產生器403 (例如，實例，燃料發射器、小滴產生器)提供。根據一些態樣，雷射系統401可係脈衝、連續波或準連續波雷射或可以前述各者之方式操作。自燃料目標產生器403發射之燃料目標403' (例如，實例，小滴)之軌跡可平行於X軸。根據一些態樣，一或多個雷射射束402在平行於Y軸之方向上傳播，該Y軸垂直於X軸。Z軸垂直於X軸及Y軸兩者，且通常延伸至頁面之平面中(或之外)，但在其他態樣中，使用其他組態。在一些實施例中，雷射射束402可在除平行於Y軸以外之方向上傳播(例如，在除與燃料目標403'之軌跡之X軸方向正交以外之方向上傳播)。

在一些態樣中，一或多個雷射射束402可包括預脈衝雷射射束及主脈衝雷射射束。在此等態樣中，雷射系統401可經組態以運用預脈衝雷射射束射向燃料目標403'中之每一者，以產生經修改燃料目標。雷射系統401可經進一步組態以用主脈衝雷射射束衝擊經修改燃料目標中之每一者以產生電漿407。

儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適之目標材料。目標材料可例如呈液體形式且可例如為金屬或合金。燃料目標產生器403可包括噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區404之軌跡而例如以燃料目標403'之形式(例如，離散小滴)引導錫。貫穿描述之剩餘部分，提及「燃料」、「燃料目標」或「燃料小滴」應理解為係指由燃料目標產生器403發射之目標材料(例如，小滴)。燃料目標產生器403可包括燃料發射器。一或多個雷射射束402在電漿形成區404處入射於目標材料(例如，錫)上。雷射能量在目標材料中之沈積在電漿形成區404處產生電漿407。在電漿之離子與電子之去激發及再結合期間，自電漿407發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射由輻射收集器405 (例如，輻射收集器CO)收集及聚焦。在一些態樣中，輻射收集器405可包括近正入射輻射收集器(有時更通常地稱為正入射輻射收集器)。輻射收集器405可為經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如約13.5 nm之所要波長的EUV輻射)之多層結構。根據一些態樣，輻射收集器405可具有橢圓形組態，該等橢圓形組態具有兩個焦點。如本文所論述，第一焦點可係在電漿形成區404處，且第二焦點可係在中間焦點406處。

在一些態樣中，雷射系統401可位於距輻射源SO相對長之距離處。在此情況下，一或多個雷射射束402可藉助於包括例如適合的引導鏡面及/或射束擴展器及/或其他光學件之射束遞送系統(圖中未示)自雷射系統401傳遞至輻射源SO。雷射系統401及輻射源SO可一起被視為輻射系統。

由輻射收集器405反射之輻射形成輻射射束B。輻射射束B聚焦在一點(例如，中間焦點406)處以形成電漿形成區404之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射射束B聚焦之點可稱為中間焦點(IF) (例如，中間焦點406)。輻射源SO經配置，使得中間焦點406位於輻射源SO之圍封結構409中之開口408處或附近。

輻射射束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射射束B。輻射射束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA反射且圖案化輻射射束B。在自圖案化裝置MA反射之後，經圖案化輻射射束B進入投影系統PS。投影系統包括經組態以將輻射射束B投影至由基板台WT固持之基板W上之複數個鏡面。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射射束，從而形成特徵小於圖案化裝置MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為四之縮減因數。儘管在圖2中將投影系統PS展示為具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。

輻射源SO亦可包括在圖4中未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源SO中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

輻射源SO (或輻射系統)可進一步包括燃料目標成像系統以獲得電漿形成區404中之燃料目標(例如，小滴)的影像，或者更特定言之，以獲得燃料目標之陰影的影像。燃料目標成像系統可偵測自燃料目標之邊緣繞射的光。下文中對燃料目標之影像的參考亦應被理解為係指燃料目標之陰影的影像或由燃料目標所引起之繞射圖案。

燃料目標成像系統可包括諸如CCD陣列或CMOS感測器之光偵測器，但應瞭解，可使用適合用於獲得燃料目標之影像之任何成像裝置。應瞭解，除了光偵測器以外，燃料目標成像系統亦可包括光學組件，諸如一或多個透鏡。舉例而言，燃料目標成像系統可包括攝影機410，例如光感測器或光探測器與一或多個透鏡的組合。可選擇光學組件，以使得光感測器或攝影機410獲得近場影像及/或遠場影像。攝影機410可定位於輻射源SO內之任何適合的位置處，自該位置，攝影機具有至電漿形成區404之視線及設置於收集器405上之一或多個標記物(圖4中未展示)。在一些態樣中，然而，可能有必要將攝影機410定位成遠離一或多個雷射射束402之傳播路徑及遠離自燃料目標產生器403發射之燃料目標的軌跡，以便避免對攝影機410的損壞。根據一些態樣，攝影機410經組態以經由連接件412向控制器411提供燃料目標之影像。連接件412展示為有線連接，但應瞭解，連接件412 (及本文中所提及之其他連接件)可實施為有線連接或無線連接或其組合。

如圖4中所展示，輻射源SO可包括經組態以產生燃料目標403' (例如，離散Sn小滴)且朝電漿形成區404發射燃料目標403'之燃料目標產生器403。輻射源SO可進一步包括經組態以使用一或多個雷射射束402衝擊燃料目標403'中之一或多者以在電漿形成區404處產生電漿407之雷射系統401。輻射源SO可進一步包括經組態以收集由電漿407發射之輻射的收集器405 (例如，輻射收集器CO)。 實例照明均匀性修正系統

圖5A及圖5B為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統500的示意性說明。

如圖5A中所展示，實例照明均匀性修正系統500可包括一組指狀物總成502 (例如，以約×4 mm之間距的28個指狀物總成)、一組指尖504 (例如，每一指狀物總成包括各別指尖)、框架528、一組撓曲件530及一組撓曲件532。在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統500可個別地控制(例如，使用包括但不限於一或多個磁體總成之運動控制系統)該組指狀物總成502中每一指狀物總成的位置，以修改照明縫隙的強度以便達成目標均匀性。

如圖5B中所展示，實例照明均匀性修正系統500可包括輻射源540及輻射偵測器560。在一些態樣中，輻射源540可經組態以產生輻射542及越過該組指狀物總成502朝向輻射偵測器560透射輻射542。在一些態樣中，輻射542可包括雷射簾幕。在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統500可經組態以在晶圓交換操作期間(例如，在晶圓曝光操作期間)將該組指狀物總成502中之一或多個指狀物總成移動至雷射簾幕中以檢查指尖熱生長。在一些態樣中，輻射偵測器560可經組態以接收輻射542的至少一部分。在一些態樣中，輻射542之所接收部分可包括輻射，該輻射回應於指尖之表面由所透射輻射542的輻照自指狀物總成之指尖的表面(例如，與光學邊緣相對地安置的機械邊緣)反射。

在一些態樣中，該組指尖504中一或多個指尖的光學邊緣在微影設備的晶圓曝光操作期間可曝光至輻射580 (例如，DUV或EUV輻射)，其可使得一或多個指尖由於曝光 (或在多個曝光的過程上)而生長。在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統500可進一步包括處理器(圖中未示)，該處理器經組態以基於所接收輻射542判定該組指狀物總成502中一或多個指狀物總成的形狀之改變。

圖6為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統600的示意性說明。

如圖6中所展示，一組指狀物總成可包括指狀物總成620。指狀物總成620可包括指狀物本體622、指尖624、致動器626 (例如，以調整指狀物總成620的位置)、位置感測器628 (例如，包括但不限於編碼器尺度)、撓曲件630及撓曲件632。指尖624可包括光學邊緣624a及機械邊緣624b。在一些態樣中，指尖624之光學邊緣624a在微影設備之晶圓曝光操作期間可曝光至輻射680 (例如，DUV或EUV輻射)，其可使得指尖624由於曝光(或在多個曝光的過程上)而生長。

在一些態樣中，輻射源可經組態以朝向指狀物總成620透射輻射642(例如，朝向指尖624的機械邊緣624b)。在一些態樣中，輻射源可經組態以在微影設備之晶圓交換操作期間(例如，在晶圓曝光操作之後)透射輻射642，在該晶圓操作期間，指尖624的機械邊緣624b越過輻射642移動。

在一些態樣中，輻射偵測器可經組態以回應於指狀物總成620之一部分由輻射642的輻照來接收輻射642的至少一部分。在一些態樣中，指狀物總成620之部分可包括指狀物總成620之指尖624的機械邊緣624b，該機械邊緣與指狀物總成620之指尖624之光學邊緣624a分開安置。

在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統600可進一步包括處理器(圖中未示)，該處理器經組態以基於所接收輻射642判定該組指狀物總成中一或多個指狀物總成之形狀的改變。舉例而言，處理器可經組態以回應於指尖624至輻射680的曝光來基於指尖624之生長判定指狀物總成620之指尖624之光學邊緣624a的位置之改變。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於所接收輻射來量測安置於指狀物總成620上之參考標記的位置之改變。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於參考標記之位置的所量測改變來判定指狀物總成620之形狀的改變。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該組指狀物總成中一或多個指狀物總成之形狀的所判定改變來修改該組指狀物總成中一或多個指狀物總成之位置。舉例而言，處理器可經組態以基於指狀物總成620之形狀的所判定改變產生一控制信號，該控制信號修改指狀物總成620的位置。

處理器可進一步經組態以傳輸控制信號至運動控制系統(例如，包括但不限於一或多個磁體總成)，該運動控制系統耦接至該組指狀物總成中的一或多個指狀物總成。舉例而言，處理器可經組態以傳輸控制信號至運動控制系統，該運動控制系統包括但不限於耦接至指狀物本體622的致動器626。

圖7為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統700的示意性說明。

如圖7中所展示，實例照明均匀性修正系統700可包括具有指尖724之指狀物總成、輻射源740，及每指狀物總成的輻射偵測器760(例如，28個指狀物總成28個輻射偵測器)。在一些態樣中，輻射源740可經組態以產生輻射且朝向安置於指狀物總成之表面725上(例如，指狀物總成之光學側上)之一組參考標記722 (例如，一或多個參考標記)透射所產生輻射。在一些態樣中，輻射源740可經組態以在微影設備之晶圓交換操作期間(例如，在晶圓曝光操作之後)透射輻射。在一些態樣中，輻射偵測器760可經組態以接收自表面725反射之輻射的至少一部分。

在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統700可進一步包括處理器(圖中未示)，該處理器經組態以基於所接收輻射判定指狀物總成之形狀的改變。舉例而言，處理器可經組態以回應於指尖724至EUV或DUV輻射的曝光來基於指尖724之生長判定指狀物總成之指尖724之光學邊緣的位置之改變。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於所接收輻射來量測安置於指狀物總成之表面725上該組參考標記722的位置之改變。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於該組參考標記722之位置的所量測改變來判定指狀物總成的形狀之改變。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以產生控制信號，該控制信號經組態以基於指狀物總成之所判定的形狀改變來修改指狀物總成的位置。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以傳輸控制信號至耦接至指狀物總成之運動控制系統(例如，包括但不限於諸如磁體總成的致動器)。

圖8為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統800的示意性說明。

如圖8中所展示，實例照明均匀性修正系統800可包括具有指尖824之指狀物總成、輻射源840，及每指狀物總成的輻射偵測器860 (例如，28個指狀物總成28個輻射偵測器)。在一些態樣中，輻射源840可經組態以產生輻射且透射所產生輻射朝向一組參考標記822 (例如，一或多個參考標記)，該組參考標記安置於指狀物總成的表面823上(例如，指狀物總成之機械(非光學)側上)。在一些態樣中，輻射源840可經組態以在微影設備之晶圓交換操作期間(例如，在晶圓曝光操作之後)透射輻射。在一些態樣中，輻射偵測器860可經組態以接收自表面823反射之輻射的至少一部分。

在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統800可進一步包括處理器(圖中未示)，該處理器經組態以基於所接收輻射判定指狀物總成之形狀的改變。舉例而言，處理器可經組態以回應於指尖824至EUV或DUV輻射的曝光來基於指尖824之生長判定指狀物總成之指尖824之光學邊緣的位置之改變。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於所接收輻射來量測安置於指狀物總成之表面823上該組參考標記822的位置之改變。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於該組參考標記822之位置的所量測改變來判定指狀物總成的形狀之改變。

在一些態樣中，處理器可進一步經組態以產生控制信號，該控制信號經組態以基於指狀物總成之所判定的形狀改變來修改指狀物總成的位置。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以傳輸控制信號至耦接至指狀物總成之運動控制系統(例如，包括但不限於致動器)。

圖9為根據本發明之一些態樣的實例參考標記集合900的示意性說明。

如圖9中所展示，實例參考標記集合900可包括安置於指狀物總成之表面上的參考標記902 (例如，在時間t ₀被稱作902a，且在時間t ₁被稱作902b)。在一些態樣中，參考標記902可被稱作指尖參考。實例參考標記集合900可進一步包括安置於指狀物總成之表面上的索引標記904，該表面係例如但不限於安置於指狀物總成上或附接至指狀物總成之位置感測器(例如，編碼器)的表面。在一個說明性及非限制性實例中，索引標記904可被稱作「編碼器索引」。

在一些態樣中，時間t ₀可對應於與在實例照明均匀性修正系統之製造期間執行之校準製程相關聯的時間，且參考標記902a可對應於時間t ₀處量測之指尖上的參考位置，其中值D ₀對應於自參考標記902a至索引標記904的距離。

在一些態樣中，時間t ₁可對應於與在操作(例如，晶圓交換操作、晶圓曝光操作)期間執行之量測相關聯的時間，且參考標記902b可對應於在時間t ₁量測之指尖上的參考位置，其中值D ₁對應於自參考標記902b至索引標記904的距離。在一些態樣中，值D ₁歸因於在微影設備之操作期間的指尖生長可大於值D ₀。在一些態樣中，參考標記902的自時間t ₀至時間t ₁的位置之改變可基於值D ₀與值D ₁之間的差來判定。舉例而言，時間t ₀處之參考標記902a至在時間t ₁處之參考標記902b的位置之改變可與值D ₀與值D ₁之間的差成比例。

圖10為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統1000的示意性說明。

如圖10中所展示，實例照明均匀性修正系統1000可包括具有指尖1024的指狀物總成。在一些態樣中，指尖1024可包括光學邊緣1024a及機械邊緣1024b。在一些態樣中，指尖1024之光學邊緣1024a在微影設備之晶圓曝光操作期間曝光至入射輻射1080 (例如，DUV或EUV輻射，諸如光化EUV光)，其可使得指尖1024由於曝光(或在多個曝光的過程上)而生長。

在一些態樣中，指尖1024可進一步包括安置於指尖1024之表面1025上的多層鏡面材料。在一些態樣中，多層鏡面材料可包括交替的鉬層與矽層。在一些態樣中，最大穩定狀態指尖溫度可經減小以允許多層鏡面材料保持實質上穩定的。在一些態樣中，多層鏡面材料可反射入射輻射的大部分以減小熱影響，同時改良漂移補償能力且減小指尖附接隨著輻射源功率增大的非可存活損失的風險。在一些態樣中，指尖1024可為成角度指尖，且安置於表面1025上之多層鏡面材料可反射入射輻射1080的60%以上朝向輻射偵測器1090 (例如，作為反射輻射1082)。因此，指尖1024上之熱負荷可經減小，且實例照明均匀性修正系統1000的可靠性、生存期及效能可經增大。

在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統1000可進一步包括輻射偵測器1090 (例如，一維或二維感測器陣列、一射束+指尖移動感測器」)。在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統1000可每指狀物總成包括一個輻射偵測器。在一些態樣中，多層鏡面材料可經組態以在微影設備之曝光操作期間反射入射輻射1080朝向輻射偵測器1090。在一些態樣中，輻射偵測器1090可經組態以感測在微影設備之晶圓曝光操作期間使用的入射輻射1080之經反射部分(例如，反射輻射1082)。

在一些態樣中，該組參考標記可應用至多層鏡面材料的區。在一些態樣中，該組參考標記可包括兩個或更多個參考標記。在一些態樣中，標記(例如，由細線構成，該細線具有由吸收器材料形成的特定形狀(例如，數個系列的線)，如對EUV倍縮光罩進行)或一組標記可應用至多層鏡面材料的特定區以加強指尖1024之位置的可偵測性、精確性或者加強可偵測性及精確性兩者。在一些態樣中，來自本文中所描述之其他輻射偵測器的資料可與來自輻射偵測器1090的資料組合以移除照明射束移動的獨立影響。

在一些態樣中，實例照明均匀性修正系統1000可進一步包括處理器(圖中未示)，該處理器經組態以基於所接收輻射判定指尖1024之形狀的改變。舉例而言，處理器可經組態以回應於指尖1024至輻射1080的曝光來基於指尖1024之生長判定指尖1024之光學邊緣1024a的位置之改變。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以基於所接收輻射來量測安置於指尖1024之表面1025上之參考標記的位置之改變。在一些態樣中，處理器可經進一步經組態以基於參考標記之所量測之位置改變判定指尖1024之形狀的改變。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以產生控制信號，該控制信號經組態以基於指尖1024之形狀的所判定改變來修改指尖1024的位置。在一些態樣中，處理器可進一步經組態以傳輸控制信號至耦接至指狀物總成之運動控制系統(例如，包括但不限於致動器)。在一些態樣中，處理器可經組態以比較反射輻射1082與先前獲得且保存的資料集以判定指狀物位置且藉此減小劑量及均匀性誤差。因此，實例照明均匀性修正系統1000的效能可基於此射束移動資料之增大的準確性及可用性來增大。 用於調整照明縫隙均匀性的實例製程

圖11為用於調整根據本發明之一些態樣之微影設備或其部分中照明縫隙均匀性的實例方法1100。參考實例方法1100所描述之操作可藉由本文中所描述之系統、設備、組件、技術或其組合中之任一者執行，或根據該等系統、設備、組件、技術或其組合中之任一者，諸如參考上文圖1至圖10及下文圖12所描述之彼等執行。

在操作1102處，方法可包括移動一或多個指狀物總成以修正縫隙均匀性。在一些態樣中，一或多個指狀物總成之移動可使用合適機械或其他方法來實現，且包括根據參看以上圖1至圖10且以下圖12描述之任何態樣或態樣組合移動一或多個指狀物總成。

在操作1104處，方法可包括與晶圓交換操作(或在一些態樣中，晶圓曝光操作)並行地執行的步驟，包括但不限於在操作1106處量測及估計指尖生長及在操作1108處在需要時修正指狀物總成位置。

在操作1106處，方法可包括量測及估計指尖生長。舉例而言，在操作1106處，方法可包括由輻射源用輻射輻照指狀物總成的部分。在一些態樣中，輻射可包括雷射簾幕，且接收輻射之至少該部分可包括回應於由雷射簾幕輻照指狀物總成之部分由輻射偵測器接收所透射輻射的至少部分。在一些態樣中，指狀物總成之部分可包括指狀物總成之指尖的機械邊緣，該機械邊緣與指狀物總成之指尖之光學邊緣分開安置。在一些態樣中，指狀物總成之部分的輻照可使用合適機械或其他方法來實現，且包括輻照根據參看以上圖1至圖10及以下圖12描述之任何態樣或態樣組合的指狀物總成之部分。

另外，在操作1106處，方法可包括回應於輻照指狀物總成之部分由一輻射偵測器接收輻射的至少一部分。在一些態樣中，輻照指狀物總成之部分可包括在微影設備之晶圓交換操作期間藉由輻射由輻射源輻照指狀物總成的部分。在其他態樣中，輻照指狀物總成之部分可包括在微影設備之晶圓曝光操作期間藉由輻射由輻射源輻照指狀物總成的部分。在一些態樣中，接收輻射之至少該部分可包括回應於藉由輻射輻照指尖的表面由輻射偵測器接收自指狀物總成之指尖的表面反射之輻射。在一些態樣中，接收輻射可使用合適的機械或其他方法實現，且包括根據參考上文圖1至圖10及下文圖12所描述之任何態樣或態樣組合接收輻射。

另外，在操作1106處，方法可包括基於所接收輻射由一處理器判定指狀物總成之一形狀的一改變。在一些態樣中，判定指狀物總成之形狀的改變可包括由處理器判定指狀物總成之指尖的光學邊緣之位置的改變，該改變係基於該指尖曝光於DUV輻射或EUV輻射時該指尖之一生長。在一些態樣中，判定指狀物總成之形狀的改變可包括基於所接收輻射由處理器量測安置於指狀物總成上之參考標記的位置改變。在一些態樣中，判定指狀物總成之形狀的改變可進一步包括由該處理器基於該參考標記之該位置的該所量測改變來判定該指狀物總成的該形狀之該改變。在一些態樣中，參考標記應用至安置於指狀物總成之指尖上的多層鏡面材料的區。舉例而言，在此等態樣中，方法可包括由輻射偵測器感測在微影設備之晶圓曝光操作期間使用的光化EUV光的反射部分。在一些態樣中，判定改變可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖10且以下圖12描述的任何態樣或態樣組合判定改變。

在操作1108處，方法可包括在需要時修正指狀物總成位置。舉例而言，在操作1106處，方法可包括由處理器產生控制信號，該控制信號經組態以基於指狀物總成的所判定之形狀改變來修改指狀物總成的位置。另外，在操作1106處，方法可包括由處理器傳輸控制信號至耦接至指狀物總成的運動控制系統。在一些態樣中，修正指狀物總成位置可使用合適機械或其他方法來實現，且包括根據以上圖1至圖10且以下圖12描述之任何態樣或態樣組合修正指狀物總成位置。

在操作1110處，方法可包括判定晶圓批次是否完成。若否，則方法可行進至操作1102。若是，則方法可行進至操作1112。在操作1112處，方法可包括判定是否執行均匀性再新(UR)。若否，則方法可行進至操作1102。若是，則方法可行進至操作1114。在操作1114處，方法可包括執行UR修正。 實例計算系統

本發明之態樣可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施。本發明之態樣亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之可由一或多個處理器讀取及執行的指令。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令及其組合可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅為方便起見，且此等動作實際上由執行韌體、軟體、常式、指令或其組合之計算裝置、處理器、控制器或其他裝置產生，且藉此使得致動器或其他裝置(例如，伺服器馬達、機器人裝置)與實體世界互動。

可例如使用一或多個計算系統，諸如圖12中所示之實例計算系統1200實施各種態樣。實例計算系統1200可為能夠執行本文中所描述之功能的特定電腦，諸如：圖5A及圖5B中所展示之實例照明均匀性修正系統500；展示於圖6中之實例照明均匀性修正系統600；展示於圖7中之實例照明均匀性修正系統700；展示於圖8中之實例照明均匀性修正系統800；展示於圖10中之實例照明均匀性修正系統1000；參考圖11所描述之任一系統、子系統或組件；任何其他合適的系統、子系統或組件；或其任何組合。實例計算系統1200可包括一或多個處理器(亦被稱作中央處理單元或CPU)，諸如處理器1204。處理器1204連接至通信基礎架構1206 (例如，匯流排)。實例計算系統1200亦可包括經由使用者輸入/輸出介面1202與通信信息基礎設施1206通信的使用者輸入/輸出裝置1203，諸如監視器、鍵盤、指標裝置等。實例計算系統1200亦可包括主記憶體1208 (例如，一或多個主儲存器裝置)，諸如隨機存取記憶體(RAM)。主記憶體1208可包括一或多個層級之快取記憶體。主記憶體1208具有儲存於其中的控制邏輯(例如，電腦軟體)及/或資料。

實例計算系統1200亦可包括次級記憶體1210 (例如，一或多個次級儲存裝置)。舉例而言，次級記憶體1210可包括硬碟機1212及/或抽取式儲存裝置1214。抽取式儲存裝置1214可為軟碟機、磁帶機、緊密光碟機、光學儲存裝置、磁帶備份裝置，及/或任何其他儲存裝置/磁碟機。

抽取式儲存磁碟機1214可與抽取式儲存單元1218互動。抽取式儲存單元1218包括儲存有電腦軟體(控制邏輯)及/或資料的電腦可用或可讀儲存裝置。抽取式儲存單元1218可為軟碟、磁帶、光碟、DVD、光學儲存碟，及/或任何其他電腦資料儲存裝置。抽取式儲存磁碟機1214自抽取式儲存單元1218讀取及/或寫入至抽取式儲存單元。

根據一些態樣，次級記憶體1210可包括用於允許電腦程式及/或其他指令及/或資料待由實例計算系統1200存取的其他構件、工具或其他方法。舉例而言，此類構件、工具或其他方法可包括抽取式儲存單元1222及介面1220。抽取式儲存單元1222及介面1220之實例可包括程式卡匣及卡匣介面(諸如在視訊遊戲裝置中發現的程式卡匣及卡匣介面)、抽取式記憶體晶片(諸如，EPROM或PROM)及關聯插座、記憶棒及USB埠、記憶卡及關聯記憶卡插槽，及/或任何其他抽取式儲存單元及關聯介面。

實例計算系統1200可進一步包括通信介面1224 (例如，一或多個網路介面)。通信介面1224使得實例計算系統1200能夠與遠端裝置、遠端網路、遠端實體等(個別地及統稱為遠端裝置1228)之任何組合通信及互動。舉例而言，通信介面1224可允許實例計算系統1200經由通信路徑1226與遠端裝置1228通信，該通信路徑可為有線及/或無線的且可包括LAN、WAN、網際網路等之任何組合。控制邏輯、資料或其兩者可經由通信路徑1226被傳輸至實例計算系統1200及自實例計算系統傳輸。

本發明之前述態樣中的操作可以廣泛多種組態及架構實施。因此，前述態樣中之操作中的一些或全部可以硬體、以軟體或其兩者來執行。在一些態樣中，有形的非暫時性設備或製品包括上面儲存有控制邏輯(軟體)之有形的非暫時性電腦可用或可讀媒體，在本文中亦被稱作電腦程式產品或程式儲存裝置。此有形裝置或製品包括但不限於：實例計算系統1200、主記憶體1208、次級記憶體1210以及抽取式儲存單元1218及1222，以及體現前述各者之任何組合的有形製品。此控制邏輯在由一或多個資料處理裝置(諸如，實例計算系統1200)執行時使此等資料處理裝置如本文中所描述進行操作。

基於本發明中含有之教示，如何使用除圖12中所展示之資料處理裝置、電腦系統及/或電腦架構之外的資料處理裝置、電腦系統及/或電腦架構來製造及使用本發明之態樣對於熟習相關技術者而言將顯而易見。特定而言，本發明之態樣可運用除本文中所描述之軟體、硬體及/或作業系統實施之外的軟體、硬體及/或作業系統實施來操作。

本發明之實施例可由以下條項進一步描述。 1.    一種系統，其包含： 一輻射源，其經組態以： 產生輻射；及 朝向一指狀物總成透射該所產生輻射； 一輻射偵測器，其經組態以： 接收該所透射輻射的至少一部分；及 一處理器，其經組態以： 基於該所接收輻射判定該指狀物總成的一形狀之一改變； 產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成的該形狀之該所判定改變來修改該指狀物總成的一位置；及 將該控制信號傳輸至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。 2.    如條項1之系統，其中該指狀物總成之該形狀的該所判定改變包含該指狀物總成之一指尖的一光學邊緣之一位置的一改變，該改變係基於該指尖曝光於深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射時該指尖之一生長。 3.    如條項1之系統，其中該輻射源經組態以在一微影設備之一晶圓交換操作期間傳輸該輻射。 4.    如條項1之系統，其中： 該所產生輻射包含一雷射簾幕；及 該輻射偵測器經組態以回應於由該雷射簾幕的一輻照該指狀物總成之一部分而接收該所透射輻射的至少該部分。 5.    如條項4之系統，其中該指狀物總成之該部分包含該指狀物總成之一指尖的一機械邊緣，該機械邊緣與該指狀物總成之該指尖之一光學邊緣分開安置。 6.    如條項1之系統，其中該所接收輻射包含回應於該指狀物總成之一指尖之一表面由該所透射輻射的一輻照自該指尖之該表面反射的輻射。 7.    如條項1之系統，其中該處理器經組態以： 基於該所接收輻射來量測安置於該指狀物總成上之一參考標記的一位置之一改變；及 基於該參考標記之該位置的該所量測改變來判定該指狀物總成的該形狀之該改變。 8.    如條項7之系統，其中該參考標記應用至安置於該指狀物總成之一指尖上的一多層鏡面材料的一區。 9.    一種用於調整一微影設備中照明縫隙均匀性的方法，該方法包含： 由一輻射源藉由輻射輻照一指狀物總成的一部分； 由一輻射偵測器回應於該指狀物總成之該部分的該輻照而接收該輻射的至少一部分； 由一處理器基於該所接收輻射來判定該指狀物總成之一形狀的一改變； 由該處理器產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成的該形狀的該所判定改變來修改該指狀物總成的一位置；及 由該處理器將該控制信號傳輸至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。 10.   如條項9之方法，其中該判定該指狀物總成之該形狀的該改變包含由該處理器判定該指狀物總成之該指尖的一光學邊緣之一位置的一改變，該改變係基於該指尖曝光於深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射時該指尖之一生長。 11.   如條項9之方法，其中該輻照該指狀物總成之該部分包含由該輻射源在該微影設備之一晶圓交換操作期間藉由該輻射輻照該指狀物總成的該部分。 12.   如條項9之方法，其中： 該輻射包含一雷射簾幕；及 該接收該輻射之至少該部分包含由該輻射偵測器回應於藉由該雷射簾幕輻照該指狀物總成的該部分而接收該所透射輻射的至少該部分。 13.   如條項12之方法，其中該指狀物總成之該部分包含該指狀物總成之一指尖的一機械邊緣，該機械邊緣與該指狀物總成之該指尖之一光學邊緣分開安置。 14.   如條項9之方法，其中接收該輻射之至少該部分包含：由該輻射偵測器回應於藉由該輻射輻照該指狀物總成之一指尖的一表面而接收自該指尖的該表面反射之輻射。 15.   如條項9之方法，其中該判定該指狀物總成之該形狀之該改變包含： 由該處理器基於該所接收輻射來量測安置於該指狀物總成上之一參考標記的一位置之一改變；及 由該處理器基於該參考標記之該位置的該所量測改變來判定該指狀物總成的該形狀之該改變。 16.   如條項15之方法，其中該參考標記應用至安置於該指狀物總成之一指尖上的一多層鏡面材料的一區。 17.   一種設備，其包含： 一指狀物總成，其包含： 一指狀物本體； 一指尖； 一多層鏡面材料，其安置於該指尖的一表面上；及 一組參考標記，該組參考標記應用至該多層鏡面材料的一區。 18.   如條項17之設備，其中該組參考標記包含兩個或更多個參考標記。 19.   如條項17之設備，其中該多層鏡面材料經組態以在一微影設備之一曝光操作期間反射深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射朝向一輻射偵測器。 20.   如條項17之設備，其中該多層鏡面材料包含鉬。

儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如整合式光學系統之製造、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代性應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢驗單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。

應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。

如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至其上之材料。在一些態樣中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。

本文中所揭示之實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適係在本發明之精神及範疇內。

雖然上文已描述本發明之特定態樣，但應瞭解，可按與如所描述之方式不同的其他方式來實踐該等態樣。描述不意欲限制本發明之實施例。

應瞭解，實施方式章節而非先前技術、發明內容及發明摘要章節意欲用於解譯申請專利範圍。發明內容及發明摘要章節可闡述如由發明人預期的一或多個但並非所有例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明之一些態樣。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

對本發明之特定態樣之前述描述將如此充分地揭露態樣之一般性質而使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內的知識、針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定態樣，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示態樣之等效者的涵義及範圍內。

本發明之廣度及範圍不應受上文所描述之實例態樣或實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物來界定。

100:微影設備 100' :微影設備 100'' :微影設備 210:EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射射束 222:琢面化場鏡面裝置 224:琢面化光瞳鏡面裝置 226:圖案化射束 228:反射元件 229:反射元件 230:可選氣體障壁或污染物截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側部 252:下游輻射收集器側部 253:掠入射反射器 254掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影單元 401:雷射系統 402:雷射射束 403:燃料目標產生器 403':燃料目標 404:電漿形成區 405:輻射收集器 406:中間焦點 407:電漿 408:開口 409:圍封結構 410:攝影機 411:控制器 412:連接件 500:實例照明均匀性修正系統 502:指狀物總成 504:指尖 528:框架 530:撓曲件 532:撓曲件 540:輻射源 542:輻射 560:輻射偵測器 580:輻射 600:實例照明均匀性修正系統 620:指狀物總成 622:指狀物本體 624:指尖 624a:光學邊緣 624b:機械邊緣 626:致動器 628:位置感測器 630:撓曲件 632:撓曲件 642:輻射 680:輻射 700:實例照明均匀性修正系統 722:參考標記 724:指尖 725:表面 740:輻射源 760輻射偵測器 800::實例照明均匀性修正系統 822:參考標記 823:表面 824:指尖 840:輻射源 860:輻射偵測器 900:實例參考標記集合 902:參考標記 902a:參考標記 902b:參考標記 904:索引標記 1000:實例照明均匀性修正系統 1024:指尖 1024a:光學邊緣 1024b:機械邊緣 1025:表面 1080:入射輻射 1082:反射輻射 1090:輻射偵測器 1100:實例方法 1102操作 1104:操作 1106:操作 1108:操作 1110:操作 1112:操作 1114:操作 1200:實例計算系統 1202:使用者輸入/輸出介面 1203:使用者輸入/輸出裝置 1204:處理器 1206:通信基礎架構 1208:主記憶體 1210:次級記憶體 1212:硬碟機 1214:抽取式儲存裝置 1218:抽取式儲存單元 1220:介面 1222:抽取式儲存單元 1224:通信介面 1226:通信路徑 1228:遠端裝置 AD:調整器 B:輻射射束 BD:射束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:輻射收集器 DE:顯影器 D ₀:值 D ₁:值 IF:虛擬源點 IFD1:位置感測器 IFD2:位置感測器 IN:積光器 IL:照明系統 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 LB:裝載匣 LACU:微影控制單元 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化裝置 MP:光罩圖案 MP' :影像 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PMS:定位量測系統 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:基板處置器 so:脈衝式輻射源 SCS:監督控制系統 SC:旋塗器 t ₀:時間 t ₁:時間 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 W:基板 WT:基板台 |D ₁-D ₀|:差

併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同描述一起進一步用以解釋本發明之態樣的原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明之態樣。

圖1A為根據本發明之一些態樣的實例反射微影設備的示意性說明。

圖1B為根據本發明之一些態樣的實例透射性微影設備的示意性說明。

圖2為根據本發明之一些態樣的圖1A中所展示之反射微影設備之更詳細的示意性說明。

圖3為根據本發明之一些態樣的實例微影製造單元之示意性說明。

圖4為根據本發明之一些態樣的用於實例反射微影設備之實例輻射源的示意性說明。

圖5A及圖5B為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統的示意性說明。

圖6為根據本發明之一些態樣的實例照明均匀性修正系統的示意性說明。

圖7為根據本發明之一些態樣的另一實例照明均匀性修正系統的示意性說明。

圖8為根據本發明之一些態樣的另一實例照明均匀性修正系統的示意性說明。

圖9為根據本發明之一些態樣的實例參考標記集合的示意性說明。

圖10為根據本發明之一些態樣的另一實例照明均匀性修正系統的示意性說明。

圖11為用於調整根據本發明之一些態樣的微影設備或其部分中之照明縫隙均匀性的實例方法。

圖12為用於實施本發明之一些態樣或其部分的實例電腦系統。

根據下文結合圖式所闡述之具體實施方式，本發明之特徵及優勢將變得更顯而易見，在該等圖式中相似參考字符始終標識對應元件。在該等圖式中，除非另外指示，否則相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例繪製。

500:實例照明均勻性修正系統

502:指狀物總成

504:指尖

528:框架

530:撓曲件

532:撓曲件

580:輻射

Claims (20)

1. 一種系統，其包含： 一輻射源，其經組態以： 產生輻射；及 朝向一指狀物總成透射該所產生輻射； 一輻射偵測器，其經組態以： 接收該所透射輻射的至少一部分；及 一處理器，其經組態以： 基於該所接收輻射判定該指狀物總成的一形狀之一改變； 產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成的該形狀之該所判定改變來修改該指狀物總成的一位置；及 將該控制信號傳輸至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。
2. 如請求項1之系統，其中該指狀物總成之該形狀的該所判定改變包含該指狀物總成之一指尖的一光學邊緣之一位置的一改變，該改變係基於該指尖曝光於深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射時該指尖之一生長。
3. 如請求項1之系統，其中該輻射源經組態以在一微影設備之一晶圓交換操作期間透射該輻射。
4. 如請求項1之系統，其中: 該所產生輻射包含一雷射簾幕；及 該輻射偵測器經組態以回應於由該雷射簾幕的一輻照該指狀物總成之一部分而接收該所透射輻射的至少該部分。
5. 如請求項4之系統，其中該指狀物總成之該部分包含該指狀物總成之一指尖的一機械邊緣，該機械邊緣與該指狀物總成之該指尖之一光學邊緣分開安置。
6. 如請求項1之系統，其中該所接收輻射包含回應於該指狀物總成之一指尖之一表面由該所透射輻射的一輻照自該指尖之該表面反射的輻射。
7. 如請求項1之系統，其中該處理器經組態以： 基於該所接收輻射來量測安置於該指狀物總成上之一參考標記的一位置之一改變；及 基於該參考標記之該位置的該所量測改變來判定該指狀物總成的該形狀之該改變。
8. 如請求項7之系統，其中該參考標記應用至安置於該指狀物總成之一指尖上的一多層鏡面材料的一區。
9. 一種用於調整一微影設備中照明縫隙均匀性的方法，該方法包含： 由一輻射源藉由輻射輻照一指狀物總成的一部分； 由一輻射偵測器回應於該指狀物總成之該部分的該輻照而接收該輻射的至少一部分； 由一處理器基於該所接收輻射來判定該指狀物總成之一形狀的一改變； 由該處理器產生一控制信號，該控制信號經組態以基於該指狀物總成的該形狀的該所判定改變來修改該指狀物總成的一位置；及 由該處理器將該控制信號傳輸至耦接至該指狀物總成的一運動控制系統。
10. 如請求項9之方法，其中該判定該指狀物總成之該形狀的該改變包含：由該處理器判定該指狀物總成之一指尖的一光學邊緣之一位置的一改變，該改變係基於該指尖曝光於深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射時該指尖之一生長。
11. 如請求項9之方法，其中該輻照該指狀物總成之該部分包含：由該輻射源在該微影設備之一晶圓交換操作期間藉由該輻射輻照該指狀物總成的該部分。
12. 如請求項9之方法，其中： 該輻射包含一雷射簾幕；及 該接收該輻射之至少該部分包含由該輻射偵測器回應於藉由該雷射簾幕輻照該指狀物總成的該部分而接收該所透射輻射的至少該部分。
13. 如請求項12之方法，其中該指狀物總成之該部分包含該指狀物總成之一指尖的一機械邊緣，該機械邊緣與該指狀物總成之該指尖之一光學邊緣分開安置。
14. 如請求項9之方法，其中該接收該輻射之至少該部分包含：由該輻射偵測器回應於藉由該輻射輻照該指狀物總成之一指尖的一表面而接收自該指尖的該表面反射之輻射。
15. 如請求項9之方法，其中該判定該指狀物總成之該形狀之該改變包含： 由該處理器基於該所接收輻射來量測安置於該指狀物總成上之一參考標記的一位置之一改變；及 由該處理器基於該參考標記之該位置的該所量測改變來判定該指狀物總成的該形狀之該改變。
16. 如請求項15之方法，其中該參考標記應用至安置於該指狀物總成之一指尖上的一多層鏡面材料的一區。
17. 一種設備，其包含： 一指狀物總成，其包含： 一指狀物本體； 一指尖； 一多層鏡面材料，其安置於該指尖的一表面上；及 一組參考標記，該組參考標記應用至該多層鏡面材料的一區。
18. 如請求項17之設備，其中該組參考標記包含兩個或更多個參考標記。
19. 如請求項17之設備，其中該多層鏡面材料經組態以在一微影設備之一曝光操作期間反射深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射朝向一輻射偵測器。
20. 如請求項17之設備，其中該多層鏡面材料包含鉬。

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