TW202343150A - 機械控制之應力工程光學系統及方法 - Google Patents

Abstract

本發明描述一種快速且動態的波板。本發明之系統及方法利用應力雙折射，當將力施加於一板之側面上時，該應力雙折射在該板內部產生。使用沿著該板之該(等)側面對稱分佈的一組壓電致動器來施加該力。可使用一控制單元來控制該力之量值。一所產生之應力雙折射在該板上為空間變化的。藉由謹慎地調整該力，該板可轉換為其中由該力判定任意延遲值的一波板。由於判定該雙折射之參數為力，因此一控制單元可用於以一亞毫秒速度施加力值之不同組合，以達成對該板中之該雙折射之值以及一定向的快速控制。

Description

機械控制之應力工程光學系統及方法

本說明書大體上係關於機械控制之應力工程光學系統及方法。

微影投影設備可用於例如積體電路(IC)製造中。圖案化裝置(例如，光罩)可包括或提供對應於IC之個別層的圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化裝置上之圖案輻照已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法而將此圖案轉印至目標部分上。一般而言，單個基板包括複數個鄰近目標部分，圖案藉由微影投影設備順次地轉印至該等目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，在一個操作中將整個圖案化裝置上之圖案轉印至一個目標部分上。此類設備通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描設備之替代設備中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化裝置進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化裝置上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影設備將具有縮減比率M (例如，4)，因此基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化裝置之速度的1/M倍。可例如自以引用之方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影裝置的更多資訊。

在將圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序(「曝光後工序」)，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製得裝置(例如，IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、沈積、化學機械研磨等，該等製程皆意欲完成裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對各層重複整個工序或其變體。最終，在基板上之各目標部分中將存在裝置。接著藉由諸如切割或鋸割之技術來使此等裝置彼此分離，使得可將個別裝置安裝於載體上、連接至銷釘等。

因此，製造裝置(諸如，半導體裝置)通常涉及使用數個製造製程來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等裝置之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、沈積、化學機械研磨及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製造多個裝置，且接著將該等裝置分成個別裝置。此裝置製造製程可被視為圖案化製程。圖案化製程涉及使用微影設備中之圖案化裝置進行圖案化步驟，諸如光學及/或奈米壓印微影，以將圖案化裝置上之圖案轉印至基板，且圖案化製程通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻設備而使用圖案進行蝕刻、沈積等。

微影係在諸如IC之裝置之製造中的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定裝置之功能元件，該等功能元件諸如為微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置。

隨著半導體製造製程繼續發展，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每個裝置的諸如電晶體之功能元件之數目已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影設備來製造裝置之層，該等微影投影設備使用來自深紫外線照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100 nm (亦即，小於來自照明源(例如，193 nm照明源)之輻射的波長之一半)的個別功能元件。

供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度極限之特徵的此製程係根據解析度公式CD=k ₁×λ/NA通常被稱作低k ₁微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學件的數值孔徑，CD為「關鍵尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k ₁為經驗解析度因數。一般而言，k ₁愈小，則在基板上再現類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影投影設備、設計佈局或圖案化裝置。此等步驟包括例如但不限於NA及光學相干設定之最佳化、自訂照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。

本發明系統及方法利用應力雙折射，當力施加於板之側面上時，該應力雙折射在(例如，玻璃或晶體)板內部產生。使用沿著板之側面對稱分佈的一組壓電致動器來施加力。致動器係以電子方式控制。藉由謹慎地調整所施加力，板可轉換為其中由該力判定任意延遲值的波板。由於力判定雙折射，因此可以亞毫秒速度而以電子方式施加力值之不同組合，以達成對板中之雙折射值以及快軸及/或慢軸定向(板自身保持靜止)的快速控制，從而產生快速及動態的波板。

根據一實施例，提供一種經組態以調節光以用於度量衡之系統。該系統包含：光學透明板；一或多個致動器，其經組態以將力施加至板以在該板中產生應力圖案；及一或多個處理器，其經組態以控制該一或多個致動器施加力以產生應力圖案，從而根據所要度量衡功能向穿過該板的光賦予特定偏振。

在一些實施例中，回應於施加至板的力，該板包含波板。

在一些實施例中，該板包含透明材料，且回應於施加至該板以產生應力圖案的力，該板經組態以將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。

在一些實施例中，所施加力在板中誘發定向及延遲。所誘發之延遲及定向並不為均一的。延遲及定向各自在板上變化。板之中心區為所關注的區域，其中延遲及快軸定向為大致均一的。

在一些實施例中，定向係由藉由一或多個致動器施加至板的力之位置及/或分佈來控制。

在一些實施例中，延遲係由藉由一或多個致動器施加至板的力之量值來控制。

在一些實施例中，板包含玻璃或晶體。

在一些實施例中，一或多個致動器為壓電的。

在一些實施例中，應力圖案包含雙折射。

在一些實施例中，一或多個處理器經組態以個別地控制一或多個致動器中之各者，使得板內部之應力圖案在光穿過該板之前、期間及/或之後動態地可調整。

在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射。

在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之定向。

在一些實施例中，一或多個致動器配置於板之一或多個邊緣上。

在一些實施例中，一或多個致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。

在一些實施例中，板、一或多個致動器及一或多個處理器經組態以使得穿過該板之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長。

在一些實施例中，向光賦予特定偏振包含調節穿過板的光以用於度量衡。

在一些實施例中，系統進一步包含偏振器及感測器，其中該感測器經組態以基於在光穿過偏振器及板之後由感測器接收的光而產生度量衡信號。

在一些實施例中，感測器包括於攝影機中。

在一些實施例中，系統進一步包含定位於板與感測器之間的成像透鏡。

在一些實施例中，度量衡信號包含與半導體製造製程相關聯的疊對信號。

根據另一實施例，提供一種用於調節光以用於度量衡之方法。該方法包含藉由一或多個致動器將力施加至光學透明板以在該板中產生應力圖案；及藉由一或多個處理器控制該一或多個致動器以施加力來產生應力圖案，從而根據所要度量衡功能向穿過該板的光賦予特定偏振。

根據另一實施例，提供一種非暫時性電腦可讀媒體，其上具有指令，該等指令在由電腦執行時引起操作，該等操作包含：藉由一或多個致動器將力施加至光學透明板以在該板中產生應力圖案；及藉由一或多個處理器控制該一或多個致動器以施加力來產生應力圖案，從而根據所要度量衡功能向穿過該板的光賦予特定偏振。

根據另一實施例，提供一種經組態以調節光以用於作為半導體製造製程之部分的疊對量測之系統。該系統經組態以在光穿過板之前、期間及/或之後動態地調整光學板中之雙折射及/或定向。動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射及/或定向。該系統包含板。該板包含透明材料，且經組態以回應於藉由不同致動器施加至該板的力而將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。該系統包含不同致動器。該等不同致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個壓電致動器。複數個壓電致動器經組態以將力施加至板來產生雙折射及/或定向。該系統包含一或多個處理器，該一或多個處理器經組態以個別地控制複數個致動器中之各者以施加力來產生雙折射及/或定向，使得向穿過板的光賦予特定偏振，該板將該光改變至第二偏振狀態。

應力工程光學件(SEO)作為固定波板存在，該等固定波板在(通常為玻璃)板之側面上具有固定力點。尚未在此類板上實施主動控制方法。現有偏振控制系統通常包括液晶且可由於其電子可控性而經快速調整。然而，由於晶體之緩慢定向，此等系統中之回應時間可大於幾毫秒。又，此類系統中之偏振狀態常常隨時間推移而漂移。習知旋轉偏振器/波板系統在達成例如偏振角度之控制方面為緩慢的。

有利地，本發明系統及方法利用應力雙折射，當將力施加於板之側面上時在(玻璃或晶體)板內部產生該應力雙折射。使用沿著板之側面對稱分佈的一組致動器來施加力。可以電子方式控制力之量值。所產生之應力雙折射在板上為空間變化的。藉由謹慎地調整力，板可轉換為其中由該力判定任意延遲值的波板。由於力判定雙折射，因此可以亞毫秒速度而以電子方式施加力值之不同組合，以達成對板中之雙折射值以及快軸及/或慢軸定向(其中板自身保持靜止)的快速控制，從而產生快速且動態的波板。

作為簡要介紹，本文中之描述大體上係關於半導體裝置製造及圖案化製程。更特定而言，以下段落描述半導體製造系統及/或相關系統的若干組件。如本文中所描述，此等系統及方法可用於例如量測半導體裝置製造製程中之疊對，或用於其他操作。

儘管在本文中可特定地參考半導體裝置的疊對之量測及積體電路(IC)之製造，但應理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於對準及/或其他參數之量測中。其可用於製造整合式光學系統、導向及偵測用於磁疇記憶體之圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代應用之內容背景中，應認為在本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用可分別與更一般術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。

如本文中所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解釋為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、光圈及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括根據此等設計類型中之任一者操作以用於共同地或單一地導向、塑形或控制輻射之投影光束的組件。術語「投影光學件」可包括微影投影設備中的任何光學組件，無論光學組件位於微影投影設備之光學路徑中何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影輻射的光學組件。投影光學件通常不包括源及圖案化裝置。

圖1示意性地描繪微影設備LA之實施例。該設備包含：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT (例如WTa、WTb或此兩者)，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且耦接至經組態以根據某些參數準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒且常常被稱作場)上。該投影系統支撐於參考框架RF上。如所描繪，設備屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，設備可屬於反射類型(例如，使用可程式化鏡面陣列或使用反射光罩)。

照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影設備可為單獨實體。在此等狀況下，不認為源形成微影設備之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，在源為汞燈時，源可為設備之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。

照明器IL可更改光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍，使得在照明器IL之光瞳平面中之環形區內的強度分佈為非零的。另外或替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈，使得在光瞳平面中之複數個等間隔區段中的強度分佈為非零的。輻射光束在照明器IL之光瞳平面中的強度分佈可被稱作照明模式。

照明器IL可包含經組態以調整光束之(角度/空間)強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。照明器IL可操作以使光束之角度分佈變化。舉例而言，照明器可操作以更改強度分佈為非零的光瞳平面中之區段的數目及角度範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的徑向及角度範圍，強度分佈可具有多極分佈，諸如偶極、四極或六極分佈。可例如藉由將提供所要照明模式之光學件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得彼照明模式。

照明器IL可操作以更改光束之偏振且可操作以使用調整器AD來調整偏振。在照明器IL之光瞳平面上的輻射光束之偏振狀態可被稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可在照明器IL之光瞳平面上變化。輻射之偏振方向在照明器IL之光瞳平面中的不同區中可為不同的。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之各極的偏振可大體上垂直於照明器IL之光瞳平面中的彼極之位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在實質上垂直於平分偶極之兩個相對區段之線的方向上線性偏振。輻射光束可在可被稱作X偏振狀態及Y偏振狀態之兩個不同正交方向中之一者上偏振。對於四極照明模式，各極之區段中的輻射可在實質上垂直於平分彼區段之線的方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作XY偏振。類似地，對於六極照明模式，各極之區段中的輻射可在實質上垂直於平分彼區段之線的方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作TE偏振。

此外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

因此，照明器提供經調節輻射光束B，該輻射光束在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

支撐結構MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置是否固持於真空環境中)之方式來支撐圖案化裝置。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化裝置例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化裝置」同義。

本文中所使用之術語「圖案化裝置」應被廣泛地解釋為係指可用以在基板之目標部分中賦予圖案的任何裝置。在一實施例中，圖案化裝置為可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中產生圖案的任何裝置。應注意，例如若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於裝置之目標部分中所產生的裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為熟知的，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜之鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般的術語「投影系統」同義。

投影系統PS可包含複數個光學(例如，透鏡)元件，且可進一步包含經組態以調整該等光學元件中之一或多者以便校正像差(在整個場中光瞳平面上的相位變化)的調整機構。為達成此校正，調整機構可操作來以一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如，透鏡)元件。投影系統可具有座標系統，其中其光軸在z方向上延伸。調整機構可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件移位；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之移位可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常藉由圍繞在x及/或y方向上之軸線旋轉而在垂直於光軸之平面外部進行，但圍繞z軸之旋轉可用於非旋轉對稱之非球面光學元件。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如，像散)及/或高頻形狀(例如，自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側面施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件的一或多個選定區來執行光學元件之變形。一般而言，不可能調整投影系統PS以校正變跡(在光瞳平面上之透射變化)。當設計用於微影設備LA之圖案化裝置(例如，光罩) MA時，可使用投影系統PS之透射映圖。使用計算微影技術，圖案化裝置MA可經設計以至少部分地校正變跡。

微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化裝置台、在無專用於例如促進量測及/或清潔等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角等)量測。

微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如圖案化裝置與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中已為吾人所熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

在微影設備之操作中，輻射光束由照明系統IL調節及提供。輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化裝置而圖案化。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，例如在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器(其未明確地描繪於圖1中)可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於圖案化裝置MA上之情形中，圖案化裝置對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中。在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(即，單次動態曝光)時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之各移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用上述使用模式之組合及/或變型或完全不同的使用模式。

可在曝光之前或之後在例如一塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或一度量衡或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用的情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生一多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可係指已包括多個經處理層之基板。

本文中關於微影所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)或深紫外線(DUV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5至20 nm之範圍內的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。

圖案化裝置上或由圖案化裝置提供之各種圖案可具有不同製程窗口，亦即，將在規格內產生圖案所根據之處理變數的空間。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線窄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併(例如，重疊)各個別圖案之製程窗口來獲得圖案化裝置或其區域上之圖案的製程窗口。圖案群組的製程窗口之邊界包含個別圖案中之一些的製程窗口之邊界。換言之，此等個別圖案限制圖案群組之製程窗口。

如圖2中所展示，微影設備LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，其亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程的設備。習知地，此等設備包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將其在不同製程設備之間移動且將其遞送至微影設備之裝載匣LB。常常被統稱為塗佈顯影系統之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出量及處理效率。

為了正確且一致地曝光由微影設備曝光之基板及/或為了監測圖案化製程(例如，裝置製造製程)之包括至少一個圖案轉印步驟(例如，光學微影步驟)的一部分，需要檢測基板或其他物件以量測或判定一或多個屬性，諸如對準、疊對(其可例如介於上覆層中之結構之間或已由例如雙重圖案化製程單獨地提供至層的同一層中之結構之間)、線厚度、關鍵尺寸(CD)、焦點偏移、材料屬性等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施通常亦包括度量衡系統，該度量衡系統量測已在該微影製造單元中處理的基板W (圖1)中之一些或全部或微影製造單元中之其他物件。度量衡系統可為微影製造單元LC之部分，例如，其可為微影設備LA之部分(諸如，對準感測器AS (圖1))。

一或多個經量測參數可包括例如：形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的對準、疊對、例如形成於經圖案化基板中或上之特徵之關鍵尺寸(CD) (例如，關鍵線寬)、光學微影步驟之聚焦或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟之光學像差等。常常對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。可在抗蝕劑顯影之後但在蝕刻之前、在蝕刻之後、在沈積之後及/或在其他時間執行量測。

存在用於對在圖案化製程中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、基於影像之量測工具及/或各種特殊化工具。如上文所論述，特殊化度量衡工具之快速且非侵入形式為輻射光束經導向至基板之表面上的目標上且量測散射(繞射/反射)光束之屬性的形式。藉由評估由基板散射之輻射的一或多個屬性，可判定基板的一或多個屬性。傳統地，此可被稱作基於繞射之度量衡。此基於繞射之度量衡的一個此類應用係在疊對之量測中。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中的不同繞射階)來量測對準。

因此，在裝置製作製程(例如，圖案化製程或微影製程)中，基板或其他物件可在製程期間或之後經受各種類型之量測。該量測可判定特定基板是否有缺陷、可建立對製程及用於製程中之設備的調整(例如，將基板上之兩個層對準或將圖案化裝置對準至基板)、可量測製程及設備之效能或可用於其他目的。量測之實例包括光學成像(例如，光學顯微鏡)、非成像光學量測(例如，基於繞射之量測，諸如ASML YieldStar度量衡工具、ASML SMASH度量衡系統)、機械量測(例如，使用觸控筆之剖面探測、原子力顯微法(AFM))及/或非光學成像(例如，掃描電子顯微法(SEM))。全文以引用之方式併入本文中之美國專利第6,961,116號中所描述之智慧型對準感測器混合式(SMASH)系統採用自參考干涉計，該自參考干涉計產生對準標記物之兩個重疊且相對旋轉之影像、偵測在使影像之傅立葉變換進行干涉之光瞳平面中的強度，且自兩個影像之繞射階之間的相位差提取位置資訊，該相位差表現為經干涉階中之強度變化。

可將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測使得該批次之一或多個其他基板仍待曝光的情況下)及/或經曝光之基板的後續曝光進行調整。此外，已曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有瑕疵之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有瑕疵的狀況下，可僅對符合規格之彼等部分執行進一步曝光。預期其他製造製程調整。

度量衡系統可用以判定基板結構之一或多個屬性，且尤其判定不同基板結構之一或多個屬性如何變化，或同一基板結構之不同層如何在層與層之間變化。度量衡系統可整合至微影設備LA或微影製造單元LC中，或可為單機裝置。

為了實現度量衡，常常在基板上特定地提供一或多個目標。舉例而言，目標可包括對準標記及/或其他目標。通常，目標經專門設計且可包含週期性結構。舉例而言，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性結構(例如，諸如光柵之幾何特徵)，其經印刷使得在顯影之後，週期性結構特徵係由固體抗蝕劑線形成。作為另一實例，目標可包含一或多個2-D週期性結構(例如，光柵)，其經印刷使得在顯影之後，一或多個週期性結構係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中(例如，經蝕刻至基板上之一或多個層中)。

在一些實施例中，圖案化製程之所關注參數中之一者為疊對。可使用暗場散射量測來量測疊對，其中阻擋零繞射階(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中發現暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文特此以引用之方式併入。美國專利申請公開案US2011-0027704、US2011-0043791及US2012-0242970中已描述該技術之進一步開發，該等專利申請公開案之全文特此以引用之方式併入。使用繞射階之暗場偵測的基於繞射之疊對實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之裝置產品結構圍繞。在一實施例中，可在一次輻射捕獲中量測多個目標。

圖3描繪可用以判定疊對及/或執行其他度量衡操作之示範性檢測系統10。該檢測系統包含輻射源2，該輻射源將輻射投影或以其他方式輻照至基板W (例如，其可通常包括疊對目標)上。重導向輻射傳遞至諸如光譜儀偵測器4及/或其他感測器之感測器，該感測器量測鏡面反射及/或繞射輻射之光譜(依據波長而變化的強度)，例如，在圖3左方之曲線圖中所展示。舉例而言，感測器可產生疊對信號，該疊對信號傳達指示反射輻射之屬性的疊對資料。自此資料，產生所偵測光譜之結構或剖面可由一或多個處理器PRO重建構，其一般性實例展示於圖3中，或由其他操作重建構。

圖4繪示圖3中所展示之檢測系統10的額外可能細節。如圖4中所示，由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12而準直且透射穿過干涉濾光器13及偏振器17、由部分反射表面16反射且經由接物鏡15而聚焦至基板W上之光點S中，該接物鏡具有高數值孔徑(NA) (例如，至少0.9或至少0.95)。浸潤檢測設備(使用折射率相對較高之流體，諸如水)可具有大於1之數值孔徑。

如在圖1中之微影設備LA中，可提供一或多個基板台(圖4中未示)以在量測操作期間固持基板W。一或多個基板台可在形式上與圖1之基板台WT (WTa或WTb)類似或相同。在檢測系統10與微影設備整合之實例中，該一或多個基板台可為同一基板台。粗略定位器及精細定位器可經提供及組態以相對於量測光學系統來準確地定位基板。提供各種感測器及致動器例如以獲取結構之所關注目標部分(例如，疊對目標)的位置，且將該所關注目標部分帶入至接物鏡下方的位置中。通常，將對在基板W上之不同位置處的結構之目標部分進行許多量測。基板支撐件可在X方向及Y方向上移動以獲取不同目標，且在Z方向上移動以獲得目標部分相對於光學系統之焦點的所要位置。舉例而言，當實務上光學系統可保持實質上靜止(通常在X及Y方向上，但可能亦在Z方向上)且基板移動時，將操作考慮並描述為如同接物鏡被帶入至相對於基板的不同位置為便利的。假定基板及光學系統之相對位置正確，則以下情況在原則上並不重要：基板及光學系統中之哪一個正在移動，或基板及光學系統兩者是否均移動，或光學系統之一部分正在移動(例如，在Z方向及/或傾斜方向上)與光學系統之剩餘部分靜止且基板正在移動(例如，在X方向及Y方向上，但亦視情況在Z方向及/或傾斜方向上)的組合。

由基板W重導向之輻射接著穿過部分反射表面16至偵測器18中以便使光譜被偵測到。偵測器18可位於背向投影式焦平面11處(亦即，位於透鏡15之焦距處)，或平面11可藉由輔助光學件(圖中未示)而再成像至偵測器18上。偵測器可為二維偵測器，從而使得可量測基板目標30之二維角度散射光譜。偵測器18可為例如CCD或CMOS感測器陣列，且可使用例如每圖框40毫秒之積分時間。舉例而言，圖4中所展示之偵測器18可與圖3中所展示之偵測器4類似及/或相同。

參考光束可用以例如量測入射輻射之強度。為進行此量測，在輻射光束入射於部分反射表面16上時，使輻射光束之部分朝向參考鏡面14透射穿過部分反射表面16作為參考光束。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上或替代地投影至不同偵測器(圖中未示)上。

一或多個干涉濾光器13可用以選擇所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包含一組不同的濾光器。可使用光柵代替干涉濾光器。孔徑光闌或空間光調變器(圖中未示)可提供於照明路徑中以控制輻射入射於目標上之角度範圍。

偵測器18可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之經重導向輻射的強度、分離地在多個波長下之經重導向輻射的強度，或遍及一波長範圍而積分之經重導向輻射的強度，及/或可以其他方式進行量測。偵測器18可分離地量測橫向磁偏振輻射及橫向電偏振輻射之強度，及/或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。

基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，光柵由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可經蝕刻至基板中或基板上(例如，經蝕刻至基板上之一或多個層中)。(例如，長條、導柱或通孔之)圖案對圖案化製程中之處理的改變(例如，微影投影設備(尤其投影系統PS)中的光學像差、聚焦改變、劑量改變等)敏感，且可表現為經印刷光柵之變化。因此，經印刷光柵之所量測資料可用於重建構光柵。根據印刷步驟及/或其他檢測製程之知識，可將1-D光柵之一或多個參數(諸如，線寬及/或形狀)或2-D光柵之一或多個參數(諸如，導柱或通孔寬度或長度或形狀)輸入至由處理器PRO執行之重建構製程。

除了藉由重建構進行參數之量測以外，角度解析散射量測亦適用於產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性的量測。不對稱性量測之特定應用係用於疊對之量測，其中目標30包含疊置於另一組週期性特徵上的一組週期性特徵。使用圖3或圖4之儀器的不對稱性量測之概念描述於例如美國專利申請公開案US2006-066855中，該美國專利申請公開案之全文併入本文中。雖然藉由目標之週期性判定目標之繞射光譜中之繞射階的位置，但繞射光譜中之不對稱性指示構成目標之個別特徵中的不對稱性。在圖4之系統中，其中偵測器18可為影像感測器，繞射階之此不對稱性直接呈現為由偵測器18記錄之光瞳影像中的不對稱性。舉例而言，此不對稱性可藉由運用處理器PRO之數位影像處理進行量測，且對照已知疊對值進行校準。

圖5繪示典型目標30之平面圖，及圖4之設備中的照明光點S之範圍。為了獲得免於來自周圍結構之干涉的繞射光譜，在一些實施例中，目標30可為大於照明光點S之寬度(例如，直徑)的週期性結構(例如，光柵)。光點S之寬度可小於目標之寬度及長度。目標可由照明「填充不足」，且繞射信號可基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者的信號。照明配置2、12、13、17 (圖4)可經組態以在透鏡15之後焦平面上提供均一強度之照明。替代地，藉由例如在照明路徑中包括孔徑，照明可限於軸上方向或離軸方向。

圖6示意性地描繪用於基於使用度量衡而獲得之量測資料來判定目標30之一或多個所關注變數之值的示範性程序。由偵測器18偵測到之輻射提供目標30之經量測輻射分佈608。對於給定目標30，可使用例如數值馬克士威求解程序(numerical Maxwell solver) 610根據參數化模型606來計算/模擬輻射分佈612。參數化模型606展示構成目標30及與該目標相關聯的各種材料之示範性層。參數化模型606可包括用於在考慮中的目標之部分的特徵及層的變數中之一或多者，其可變化且經導出。如圖6中所展示，該等變數中之一或多者可包括一或多個層之厚度t、一或多個特徵之寬度w (例如，CD)、一或多個特徵之高度h及/或一或多個特徵之側壁角α。儘管未示出，但變數中之一或多者可進一步包括但不限於：層中之一或多者之折射率(例如，真折射率或複折射率、折射率張量等)、一或多個層之消光係數、一或多個層之吸收率、顯影期間之抗蝕劑損耗、一或多個特徵之基腳，及/或一或多個特徵之線邊緣粗糙度。該等變數之初始值可為針對經量測之目標所預期的值。接著在612處比較經量測輻射分佈608與經計算輻射分佈612以判定兩者之間的差異。若存在差異，則可使參數化模型606之變數中之一或多者的值變化，計算新的經計算輻射分佈612且將其對照經量測輻射分佈608進行比較，直至在經量測輻射分佈608與經計算輻射分佈612之間存在充分匹配。彼時，參數化模型606之變數的值提供實際目標30的幾何形狀之良好或最佳匹配。在一實施例中，當經量測輻射分佈608與經計算輻射分佈612之間的差異在容限臨限值內時存在充分匹配。

圖7繪示經組態以調節諸如光之輻射以用於度量衡的系統700。舉例而言，系統700可形成上文關於圖3及圖4所描述之系統10之部分。舉例而言，系統700可為系統10之子系統。在一些實施例中，系統700之一或多個組件可與系統10之一或多個組件類似及/或相同。在一些實施例中，系統700之一或多個組件可替換系統10之一或多個組件、與該一或多個組件一起使用及/或以其他方式擴增該一或多個組件。

系統700包含光學透明板702、一或多個致動器704、一或多個處理器PRO及/或其他組件。如本文中所描述，板702、致動器704、處理器PRO及/或其他組件一起形成機械控制之應力工程光學波板以用於快速且主動的偏振控制。當力施加於板702之側面上時，系統700利用在(例如，玻璃或晶體及/或其他透明)板702內部產生的應力雙折射。使用沿著板702之側面分佈的致動器704來施加力。可使用處理器PRO來控制力之量值。所描述的(例如，快速且動態的)偏振控制藉由最小化對經圖案化基板中之有害不對稱性(例如，側壁角、地板傾角等之改變)的敏感度且最大化對與疊對度量衡相關聯之特徵的敏感度來實現疊對量測的較佳準確度及/或穩固性(作為一個實例)。在一些實施例中，系統700可經組態以替換習知旋轉波板及/或其他裝置，且可增加偏振定向改變至小於毫秒的系統(例如，圖4中所展示之系統10)之速度。

處理器PRO可包括於計算系統CS中且可基於電腦或機器可讀指令MRI而操作(例如，如下文關於圖13所描述)。系統700之一或多個組件可彼此雙向通信，如圖7中所展示，及/或與圖3及圖4中所展示之系統10的一或多個組件雙向通信。可藉由在單獨組件之間傳輸電子信號、在單獨組件之間傳輸資料、在單獨組件之間傳輸值及/或其他通信而發生通信。系統700之組件可經由導線通信或經由網路(諸如，網際網路，或網際網路結合各種其他網路，如區域網路、蜂巢式網路或個人區域網路、內部組織網路及/或其他網路)無線地通信。

在一些實施例中，如圖8中所示，系統700亦包括偏振器800、成像透鏡802、感測器804及/或其他組件。感測器804經組態以在光808穿過偏振器800及板702之後基於由感測器804接收之光808而產生度量衡信號。在一些實施例中，感測器804包括於攝影機及/或其他裝置中。在一些實施例中，感測器804與圖3中所展示之偵測器4及/或圖4中所展示之偵測器18相同或類似。如圖8中所示，成像透鏡802可定位於板702與感測器804之間。在一些實施例中，成像透鏡802與圖4中所展示且在上文所描述的透鏡或透鏡系統中之一者相同或類似(但可為其額外例項)。在一些實施例中，偏振器800與圖4中所展示之偏振器17相同或類似(但可為其額外例項)。

返回至圖7，板702包含光學透明材料。板702可由具有應力光學係數的任何透明材料形成。應力光學係數係由板702中之應力與雙折射的比率來定義。雙折射為材料之光學屬性。材料具有取決於光之偏振及傳播方向的折射率。如本文所描述，雙折射可為應力誘發的(例如，藉由致動器704)。在一些實施例中，板702包含展現此等特性之玻璃、晶體及/或其他光學透明材料。

板702可具有圓形橫截面形狀(例如，如圖7中所示)、正方形、矩形及/或其他橫截面形狀。板702可具有某一厚度及/或其他特性。可由使用者例如基於用於板702之材料、使用板702的應用(例如，量測疊對)、板702之光學行為要求、板702之處置要求及/或基於其他因素來判定板702之形狀及/或尺寸。

當將一或多個力施加至板702時，在板702中可產生應力圖案。應力圖案包含雙折射及/或以其他方式與雙折射相關聯(例如，如上文所描述)。回應於施加一或多個應力，板702經組態以將穿過板702之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。在一些實施例中，板702連同一或多個致動器704及一或多個處理器PRO經組態以使得穿過板702之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長，且板702經組態以將此光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。舉例而言，第一偏振狀態可為豎直的。第二偏振狀態可為水平的。穿過板702之光的透射波長範圍相較於先前系統較大，此係因為該範圍取決於用於板702之材料以及能夠由雙折射產生且接著在板702中動態控制的大孔徑。舉例而言，孔徑可大於10 mm。較大波長範圍引起更靈活的儀器設計及在許多波長下進行量測的能力，從而增加最終準確度。

一或多個致動器704經組態以將力施加至板702來在板702中產生應力圖案及/或引起雙折射。致動器704配置於板702之一或多個邊緣上。致動器可藉由黏著劑、夾片、夾具、螺釘、套環及/或其他機構耦接至板702之一或多個邊緣。在一些實施例中，致動器耦接至板702，但實際上並不附接至板702。實情為，藉由約束力(「預負載」)使致動器704與板702保持接觸，該等約束力使致動器與板702之邊緣保持接觸。在一些實施例中，致動器704包含圍繞板702之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。八個不同致動器704圍繞圖7中之板702的邊緣(例如，圖7中板702僅具有一個邊緣)對稱分佈。此並不意欲為限制性的。預期致動器704之其他數量及配置。

致動器704經組態為以電子方式受控制。個別致動器704經組態以將電信號轉換為機械移位或應力。機械移位經組態以將力施加至板702，其在板702中誘發應力。致動器704各自包含高精度力施加機構。個別致動器704可以高速(例如，亞毫秒)控制小機械移位。

在一些實施例中，致動器704中之一或多者為壓電的。壓電致動器基於壓電效應而操作。該壓電效應為一些材料回應於電荷而產生機械應力之能力。壓電致動器704經組態以將電信號(或通常為電能)轉換為機械移位。舉例而言，電信號可藉由處理器PRO或電腦系統CS發送。致動器704之實例可為Thorlabs模型PA4HKW或PA系列中之其他者。

舉例而言，回應於施加至板702的力，板702包含波板。波板經組態以改變穿過波板之光的偏振狀態。舉例而言，偏振狀態可自第一狀態改變至第二狀態，如上文所描述。由致動器704施加之力在板702中誘發定向及延遲。定向係由藉由致動器704施加至板702的力之位置及/或分佈來控制。延遲係由藉由致動器704施加至板702的力之量值來控制。舉例而言，延遲包含穿過板702之光的兩個偏振方向之間的光學相移之差異。所誘發之延遲及定向並不為均一的。延遲及定向各自在板上變化。板之中心區為所關注的區域，其中延遲及快軸定向為大致均一的。

一或多個處理器PRO經組態以控制致動器704。處理器PRO經組態以控制致動器704以施加力來產生應力圖案，從而向穿過板702的光賦予特定偏振。此可根據所要度量衡功能而進行。舉例而言，所要度量衡功能可為疊對及/或其他參數之量測。該等力經組態以產生應力圖案以根據所要度量衡功能向穿過板之光賦予特定偏振。向光賦予特定偏振包含調節穿過板的光以用於度量衡。

一或多個處理器PRO經組態以個別地控制一或多個致動器704中之各者，使得板702內部之應力圖案在光穿過板702之前、期間及/或之後動態地可調整。在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板702之不同致動器704處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板702中之雙折射。在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板702之不同致動器704處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板702中之定向。

所產生之應力雙折射在板702上為空間變化的。藉由精確地控制並調整由致動器704施加之力，可將板702之中心區及/或其他區轉換為其中由該力判定任意延遲值的波板。由於判定雙折射之參數為力，因此處理器PRO可用於以亞毫秒速度施加力值之不同組合，以達成對雙折射值以及定向的快速控制。系統700以亞毫秒速度提供對延遲及定向的任意控制。因此，板702充當快速且動態的波板。

舉例而言，定向可為快軸定向。上文所描述之應力分佈使得板702之玻璃材料充當雙折射材料，其中其針對不同偏振狀態產生不同折射率。慢/快軸為看到較高/較低折射率的偏振狀態之振盪方向。

圖9至圖11繪示上文所描述之系統700的不同態樣。

圖9繪示由藉由耦接至板904之致動器(例如，諸如致動器704)施加的力引起的板904中之映射應力圖案900及定向902。板904可與上文所描述之板702類似及/或相同。在此實例中，致動器為不可見的。然而，自應力圖案900，致動器之大致位置906為顯而易見的。應力圖案900展示等差應力的等值線908。應力圖案900包含雙折射及/或與雙折射相關聯(例如，如上文所描述)，該雙折射由藉由致動器施加之力引起。所產生之應力雙折射在板904上為空間變化的。回應於藉由致動器施加一或多個應力，板904經組態以將穿過板904之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。在一些實施例中，穿過板904之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長，且板904經組態以將此光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。亦展示由應力圖案900形成之孔徑910 (其展示於圖9中之位置係近似的且並不意欲為限制性的)。舉例而言，孔徑可大於10 mm。孔徑910之區域對應於雙折射緩慢變化之區域(例如，如由朝向板904之中心的應力圖案900所指示)。

定向902為慢軸定向。如上文所描述，一旦藉由致動器將力施加至板904，板904形成波板。波板經組態以在穿過板904之光波的兩個垂直偏振分量之間移動相位，使得在不同分量穿過板904之後在該等分量之間存在相位差。對於進入板904的光，沿著板904之光軸行進之分量以一個速度行進，而沿著垂直軸線行進之分量以不同的速度行進。板904之慢軸垂直於板904之光軸。定向902展示由雙折射引起的圍繞板904之慢軸的個別部分912的定向。應注意，板904之雙折射在橫截面上隨點改變，慢軸/快軸定向亦如此。充當均一波板之所關注區為中心區(如本文中所展示及描述)。

圖10繪示在藉由致動器(例如，上文所描述之致動器704)將力施加至板1003時兩個正交偏振器之間的板1003 (例如，與分別在圖7及圖9中所展示之板702或904類似及/或相同)之影像1001。圖10中之影像1001中的色彩變化對應於板1003中由來自致動器之力所引起的應力變化。在此實例中，致動器亦不可見。然而，對應於致動器之位置的位置1005係顯而易見的。應注意，在影像中心處形成如由暗的、不變化色彩所指示的孔徑。亦應注意，如本文中所描述，圖10 (及圖9)中所示之圖案動態地可調整，使得圖案可以亞毫秒時間間隔改變。

圖11繪示根據一實施例之在光已穿過應力工程光學板(例如，諸如其他圖中所展示之板702、904、1003等)之中心部分(例如，孔徑)之後的偏振狀態。在此實例中，光具有特定定向、波長、功率、橢圓率及/或由板賦予之其他特性。如上文所描述，在一些實施例中，施加至板之力的動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射。在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之定向。此控制可經組態使得穿過板之光具有如圖11中所繪示之特定屬性。應注意，圖11展示偏振之橢圓形狀態。但其可替代地為完全圓形或完全線性狀態，該狀態為橢圓形狀態之特殊狀態。

圖12繪示用於調節光以用於度量衡之方法1200。在一些實施例中，調節光以用於度量衡係作為半導體裝置製造製程之部分而執行。在一些實施例中，例如，方法1200之一或多個操作可實施於以下各者中或由以下各者實施：圖7中所繪示之系統700及/或圖3及圖4中所繪示之系統10、電腦系統(例如，如圖7及圖13中所繪示及下文所描述)及/或其他系統。在一些實施例中，方法1200包含向光學透明板施加(操作1202)力，控制(操作1204)力之施加以產生應力圖案來根據所要度量衡功能向穿過板之光賦予特定偏振。在疊對量測之情境中描述方法1200，但此並不意欲為限制性的。方法1200通常可應用於數個不同製程。

下文所呈現之方法1200的操作意欲為說明性的。在一些實施例中，方法1200可使用未描述之一或多個額外操作及/或不使用所論述之一或多個操作來實現。舉例而言，在一些實施例中，方法1200可包括額外操作，該額外操作包含判定對半導體裝置製造製程之調整。此外，在圖12中繪示及在下文描述方法1200之操作的次序並不意欲為限制性的。

在一些實施例中，方法1200之一或多個部分可實施於一或多個處理裝置(例如，數位處理器、類比處理器、經設計以處理資訊之數位電路、經設計以處理資訊之類比電路、狀態機及/或用於以電子方式處理資訊之其他機構)中及/或由該一或多個處理裝置控制。一或多個處理裝置可包括回應於以電子方式儲存於電子儲存媒體上之指令而執行方法1200之操作中之一些或全部的一或多個裝置。該一或多個處理裝置可包括一或多個裝置，該一或多個裝置經由經特定設計以用於執行方法1200之操作中之一或多者的硬體、韌體及/或軟體而組態(例如，參見下文關於圖13之論述)。

在操作1202處，藉由一或多個致動器將力施加至光學透明板以在板中產生應力圖案。應力圖案包含雙折射。該板包含透明材料。舉例而言，該板可包含玻璃或晶體。回應於施加至板以產生應力圖案的力，該板經組態以將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。在一些實施例中，該板連同一或多個致動器及一或多個處理器經組態以使得穿過該板之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長。該板可與上文所描述之板702類似及/或相同。

一或多個致動器配置於板之一或多個邊緣上。在一些實施例中，一或多個致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。在一些實施例中，該一或多個致動器為壓電的。舉例而言，該等致動器可與亦在上文所描述之致動器704相同及/或類似。

在一些實施例中，回應於施加至板的力，該板包含例如波板。由致動器施加之力在板中誘發定向及延遲。定向係由藉由一或多個致動器施加至板的力之位置及/或分佈來控制。延遲係由藉由一或多個致動器施加至板的力之量值來控制。所誘發之延遲及定向並不為均一的。各自在板上變化。板之中心區為所關注的區域，其中延遲及快軸定向為大致均一的。

在操作1204處，與上文所描述之處理器PRO類似及/或相同的一或多個處理器可用於控制一或多個致動器來施加力。該等力經組態以產生應力圖案以根據所要度量衡功能向穿過板之光賦予特定偏振。向光賦予特定偏振包含調節穿過板的光以用於度量衡。舉例而言，所要度量衡功能可為疊對量測。一或多個處理器經組態以個別地控制一或多個致動器中之各者，使得板內部之應力圖案在光穿過該板之前、期間及/或之後動態地可調整。在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射。在一些實施例中，動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之定向。

在一些實施例中，方法1200亦包括藉由輻射來輻照經圖案化基板中之一目標(例如，圖3及圖4中所展示之目標30)。輻射包含光及/或其他輻射。目標可包含經圖案化基板中能夠提供繞射信號的一或多個結構。舉例而言，目標可包括於半導體裝置結構中之基板的層中。在一些實施例中，特徵包含幾何特徵，諸如1D或2D特徵及/或其他幾何特徵。作為若干非限制性實例，特徵可包含一光柵、一線、一邊緣、一系列細節距之線及/或邊緣，及/或其他特徵。

輻射可具有一目標波長及/或波長範圍、一目標強度及/或其他特性。目標波長及/或波長範圍、目標強度等可由使用者鍵入及/或選擇，由系統(例如，圖3及圖4中所展示之系統10及/或圖7中所展示之系統700)基於先前疊對量測判定，及/或以其他方式判定。在一些實施例中，輻射包含光及/或其他輻射。在一些實施例中，光包含可見光、紅外光、近紅外光及/或其他光。在一些實施例中，輻射可為適於干涉量測之任何輻射。

該輻射可由輻射源(例如，圖3及圖4中所展示且在上文所描述之投影儀2)產生。在一些實施例中，輻射可由輻射源以其他方式導向至目標、目標之子部分(例如，小於整體之某物)、多個目標及/或基板上。在一些實施例中，輻射可由輻射源以時變方式導向至目標上。舉例而言，可在目標上光柵化輻射(例如，藉由在輻射下移動目標)使得在不同時間輻照目標之不同部分。作為另一實例，輻射之特性(例如，波長、強度等)可變化。此可產生時變資料包絡或窗口以供分析。資料包絡可促進目標之個別子部分的分析、目標之一個部分與另一部分及/或其他目標(例如，在其他層中)的比較及/或其他分析。

在一些實施例中，方法1200包含偵測來自目標之反射輻射。偵測反射輻射包含偵測來自目標之一或多個幾何特徵之反射輻射中的一或多個相位及/或振幅(強度)移位。該一或多個相位及/或振幅移位對應於目標之一或多個維度。舉例而言，來自目標之一側的反射輻射之相位及/或振幅相對於來自目標之另一側的反射輻射之相位及/或振幅為不同的。

偵測來自目標之反射輻射中的一或多個相位及/或振幅(強度)移位包含量測對應於目標之不同部分的局部相移(例如，局部相位增量)及/或振幅變化。舉例而言，來自目標之特定區域的反射輻射可包含具有某一相位及/或振幅的正弦波形。來自目標(或不同層中之目標)之不同區域的反射輻射亦可包含正弦波形，但具有不同相位及/或振幅。所偵測反射輻射亦包含量測不同繞射階之反射輻射中的相位及/或振幅差。偵測一或多個局部相位及/或振幅移位可使用例如希爾伯特(Hilbert)變換及/或其他技術來執行。干涉量測技術及/或其他操作可用以量測不同繞射階之反射輻射中的相位及/或振幅差。

在一些實施例中，方法1200包含基於偵測到之來自目標的反射輻射而產生度量衡信號。度量衡信號係由感測器(諸如，圖14中之偵測器18、圖8中之攝影機及/或其他感測器)基於在光穿過偏振器(例如，參見圖4及圖8)及板之後由感測器接收之光而產生。度量衡信號包含關於目標的量測資訊。舉例而言，度量衡信號可為包含疊對量測資訊之疊對信號及/或其他度量衡信號。可使用干涉量測法之原理及/或其他原理來判定量測資訊(例如，疊對值及/或其他資訊)。

度量衡信號包含表示及/或以其他方式對應於自目標反射之輻射的電子信號。度量衡信號可指示例如與目標相關聯之疊對值，及/或其他資訊。產生度量衡信號包含感測反射輻射及將感測到之反射輻射轉換為電子信號。在一些實施例中，產生度量衡信號包含感測來自目標之不同區域及/或不同幾何形狀及/或多個目標的反射輻射之不同部分，且組合反射輻射之不同部分以形成度量衡信號。此感測及轉換可藉由與圖3、圖4及圖7中所展示之偵測器4、偵測器18及/或處理器PRO、圖8中所展示之攝影機及/或其他組件類似及/或相同的組件來執行。

在一些實施例中，產生度量衡信號可包含直接量測目標之尺寸及/或位置。舉例而言，可藉由散射計及/或其他系統來進行目標之直接尺寸及/或位置量測。在一些實施例中，可結合及/或替代本文中所描述之局部相位及/或振幅移位來使用直接尺寸及/或位置量測，以判定疊對及/或其他參數。舉例而言，可將散射計系統之針對不同目標的輸出(例如，相對)尺寸及/或位置量測提供至處理器PRO (圖3、圖4、圖7)及/或其他系統組件，該處理器及/或其他系統組件可至少部分地基於來自散射計系統之輸出尺寸量測而產生度量衡信號。

在一些實施例中，方法1200包含判定對半導體裝置製造製程之調整。在一些實施例中，方法1200包括判定一或多個半導體裝置製造製程參數。可基於一或多個偵測到之相位及/或振幅變化、由度量衡信號指示之疊對值、由散射計系統及/或其他類似系統判定之尺寸及/或其他資訊而判定一或多個半導體裝置製造製程參數。該一或多個參數可包括輻射(用於判定疊對之輻射)之參數、疊對值、半導體裝置結構之層上的對準檢測位置、在目標上之輻射光束軌跡，及/或其他參數。在一些實施例中，製程參數可被廣泛地解釋為包括載物台位置、光罩設計、度量衡目標設計、半導體裝置設計、輻射之強度(用於曝光抗蝕劑等)、輻射之入射角(用於曝光抗蝕劑等)、輻射之波長(用於曝光抗蝕劑等)、光瞳大小及/或形狀、抗蝕劑材料及/或其他參數。

在一些實施例中，方法1200包括基於一或多個所判定之半導體裝置製造製程參數而判定製程調整，基於所判定調整而調整半導體裝置製造設備及/或其他操作。舉例而言，若所判定疊對不在製程容限內，則超出容限疊對可由一或多個製造製程引起，該一或多個製造製程的製程參數已漂移及/或以其他方式改變，使得製程不再產生可接受裝置(例如，疊對量測可突破可接受之臨限值)。可基於疊對判定而判定一或多個新的或經調整的製程參數。該等新的或經調整的製程參數可經組態以使得製造製程再次產生可接受裝置。舉例而言，新的或經調整的製程參數可使得先前不可接受的疊對值經調整回可接受範圍中。可將該等新的或經調整的製程參數與用於給定製程之現有參數進行比較。舉例而言，若存在差異，則彼差異可用於判定對用以產生裝置之設備的調整(例如，應增加/減小/改變參數「x」以使得其匹配作為方法1200之部分判定的參數「x」之新的或經調整的版本)。在一些實施例中，方法1200可包括以電子方式調整設備(例如，基於所判定製程參數)。以電子方式調整設備可包括將例如造成設備中之改變的電子信號及/或其他通信發送至該設備。電子調整可包括例如改變設備上之設定及/或其他調整。

圖13為可用於本文中所描述之操作中之一或多者的示範性電腦系統CS之圖。電腦系統CS可與圖7中所展示且在上文所描述之電腦系統相同或類似。電腦系統CS包括用於傳達資訊之匯流排BS或其他通信機制，以及與匯流排BS耦接以用於處理資訊之與圖7中所展示且在上文所描述之處理器類似及/或相同的處理器PRO (或多個處理器)。電腦系統CS亦包括耦接至匯流排BS以用於儲存待由處理器PRO執行之資訊及指令的主記憶體MM，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體MM亦可用於在由處理器PRO執行指令期間儲存臨時變數或其他中間資訊。電腦系統CS進一步包括耦接至匯流排BS以用於儲存用於處理器PRO之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) ROM或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之儲存裝置SD，且將其耦接至匯流排BS以用於儲存資訊及指令。

電腦系統CS可經由匯流排BS耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器DS，諸如陰極射線管(CRT)，或平板或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之輸入裝置ID耦接至匯流排BS以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器PRO。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器PRO且用於控制顯示器DS上之游標移動的游標控制件CC，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，從而允許該裝置指定平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入裝置。

在一些實施例中，本文中所描述之一或多個操作之部分可由電腦系統CS回應於處理器PRO執行主記憶體MM中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如，儲存裝置SD)讀取至主記憶體MM中。主記憶體MM中所包括之指令序列的執行使處理器PRO執行本文中所描述之程序步驟(操作)。呈多處理佈置之一或多個處理器亦可用於執行主記憶體MM中所含有之指令序列。在一些實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」或「機器可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器PRO以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置SD。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體MM。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排BS之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體可為非暫時性的，例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣。非暫時性電腦可讀媒體可具有記錄於其上之指令。該等指令在由電腦執行時可實施本文中所描述之操作中之任一者。暫時性電腦可讀媒體可包括例如載波或其他傳播電磁信號。

可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器PRO以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，可初始地將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線來發送指令。在電腦系統CS本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換為紅外線信號。耦接至匯流排BS之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排BS上。匯流排BS將資料攜載至主記憶體MM，處理器PRO自該主記憶體擷取且執行指令。由主記憶體MM接收到之指令可視情況在由處理器PRO執行之前或之後儲存於儲存裝置SD上。

電腦系統CS亦可包括耦接至匯流排BS之通信介面CI。通信介面CI提供與網路鏈路NDL之雙向資料通信耦接，該網路鏈路連接至區域網路LAN。舉例而言，通信介面CI可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面CI可為提供與相容LAN之資料通信連接的區域網路(LAN)卡。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施方案中，通信介面CI發送且接收攜載表示各種類型之資訊的數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。

網路鏈路NDL通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料裝置。舉例而言，網路鏈路NDL可經由區域網路LAN提供至主機電腦HC之連接。此可包括經由全球封包資料通信網路(現通常被稱作「網際網路」 INT)而提供之資料通信服務。區域網路LAN (網際網路)可使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路資料鏈路NDL上且經由通信介面CI之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統CS且自該電腦系統攜載數位資料。

電腦系統CS可經由網路、網路資料鏈路NDL及通信介面CI發送訊息並接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，主機電腦HC可經由網際網路INT、網路資料鏈路NDL、區域網路LAN及通信介面CI傳輸用於應用程式之所請求程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供本文中所描述之方法中的全部或部分。所接收程式碼可在其被接收時由處理器PRO執行，及/或儲存於儲存裝置SD或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統CS可獲得呈載波形式之應用程式碼。

圖14示意性地描繪可與本文中所描述之技術結合使用的與圖1中所展示之設備類似及/或相同的例示性微影投影設備。設備1000包含：照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含：輻射源SO；第一物件台(例如，圖案化裝置台) MT，其具備用以固持圖案化裝置MA (例如，倍縮光罩)之圖案化裝置固持器且連接至用以準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM (與第一位置感測器PS1相關聯地工作)；第二物件台(基板台) WT，其具備用以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器且連接至用以準確地定位該基板之第二定位器PW (與第二位置感測器PS2相關聯地工作)；投影系統(「透鏡」) PS (例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化裝置MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

如本文中所描繪，設備屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化裝置)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化裝置)。設備可採用與經典光罩不同種類之圖案化裝置；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。

源SO (例如，水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(LPP) EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器) IL中。照明器IL可包含調整構件，以用於設定光束中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，其通常將包含各種其他組件，諸如積光器及聚光器。以此方式，照射於圖案化裝置MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

關於圖14應注意，源SO可在微影投影設備之外殼內(此常常為當源SO為例如水銀燈時之狀況)，但其亦可在微影投影設備之遠端，其所產生之輻射光束被引導至該設備中(例如，憑藉合適導向鏡面)；此後一情境常常為當源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F ₂雷射作用)時之狀況。

光束B隨後截取被固持於圖案化裝置台MT上之圖案化裝置MA。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，光束B穿過透鏡，該透鏡將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。類似地，例如在自圖案化裝置庫機械擷取圖案化裝置MA之後或在掃描期間，第一定位構件可用以相對於光束B之路徑來準確定位圖案化裝置MA。一般而言，將憑藉未明確描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化裝置台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。

所描繪工具(與圖1中所展示之工具類似或相同)可在兩種不同模式中使用。在步進模式中，將圖案化裝置台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化裝置影像在一個操作(亦即，單次「閃光」)中投影至目標部分C上。接著使基板台WT在x及/或y方向上移位，使得不同目標部分C可由光束B輻照。在掃描模式中，除單次「閃光」中不曝光給定目標部分C以外，基本上相同之情境適用。實情為，圖案化裝置台MT可在給定方向(所謂的「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得引起投影光束B在圖案化裝置影像上掃描；同時，基板台WT以速度V=Mv在相同或相反方向上同時地移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度之情況下曝光相對較大的目標部分C。

圖15更詳細地展示設備1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構且配置以使得可在源收集器模組SO之圍封結構220中維持真空環境。可藉由放電產生電漿源而形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中產生熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生電漿210。為了輻射之高效產生，可能需要分壓為例如10 Pa之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適的氣體或蒸汽。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)之電漿以產生EUV輻射。

由電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的可選氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下亦被稱作污染物障壁或箔截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文中進一步所指示之污染物截留器230至少包括通道結構。

源腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF係輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，該等裝置經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束21之後，形成圖案化光束26，且由投影系統PS將圖案化光束26經由反射元件28、330而成像至由基板台WT固持之基板W上。

比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，光柵光譜濾光器240可視情況存在。此外，可存在比諸圖中所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖15所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

如圖15中所繪示之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學件CO可與通常稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。

替代地，源收集器模組SO可為如圖16所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十eV之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中的開口221上。

本發明系統及方法之各種實施例揭示於經編號條項之後續清單中： 1.  一種經組態以調節光以用於度量衡之系統，該系統包含：光學透明板；一或多個致動器，其經組態以將力施加至該板以在該板中產生應力圖案；及一或多個處理器，其經組態以控制該一或多個致動器以施加力來產生應力圖案，從而根據所要度量衡功能向穿過該板之光賦予特定偏振。 2.  如條項1之系統，其中回應於施加至板的力，該板包含波板。 3.  如前述條項中任一項之系統，其中板包含透明材料，且其中回應於施加至該板以產生應力圖案的力，該板經組態以將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。 4.  如前述條項中任一項之系統，其中所施加力在板中誘發定向及延遲。 5.  如前述條項中任一項之系統，其中定向係由藉由一或多個致動器施加至板的力之位置及/或分佈來控制。 6.  如前述條項中任一項之系統，其中延遲係由藉由一或多個致動器施加至板的力之量值來控制。 7.  如前述條項中任一項之系統，其中板包含玻璃或晶體。 8.  如前述條項中任一項之系統，其中一或多個致動器為壓電的。 9.  如前述條項中任一項之系統，其中應力圖案包含雙折射。 10.  如前述條項中任一項之系統，其中一或多個處理器經組態以個別地控制一或多個致動器中之各者，使得板內部之應力圖案在光穿過該板之前、期間及/或之後動態地可調整。 11.  如前述條項中任一項之系統，其中動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射。 12.  如前述條項中任一項之系統，其中動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之定向。 13.  如前述條項中任一項之系統，其中一或多個致動器配置於板之一或多個邊緣上。 14.  如前述條項中任一項之系統，其中一或多個致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。 15.  如前述條項中任一項之系統，其中板、一或多個致動器及一或多個處理器經組態以使得穿過該板之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長。 16.  如前述條項中任一項之系統，其中向光賦予特定偏振包含調節穿過板的光以用於度量衡。 17.  如前述條項中任一項之系統，其中系統進一步包含偏振器及感測器，其中該感測器經組態以基於在光穿過偏振器及板之後由感測器接收的光而產生度量衡信號。 18.  如前述條項中任一項之系統，其中感測器包括於攝影機中。 19.  如前述條項中任一項之系統，其進一步包含定位於板與感測器之間的成像透鏡。 20.  如前述條項中任一項之系統，其中度量衡信號包含與半導體製造製程相關聯的疊對信號。 21.  一種用於調節光以用於度量衡之方法，該方法包含：藉由一或多個致動器將力施加至光學透明板以在該板中產生應力圖案；及藉由一或多個處理器控制該一或多個致動器以施加力來產生應力圖案，從而根據所要度量衡功能向穿過該板的光賦予特定偏振。 22.  如條項21之方法，其中回應於施加至板的力，該板包含波板。 23.  如前述條項中任一項之方法，其中板包含透明材料，且其中回應於施加至該板以產生應力圖案的力，該板經組態以將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。 24.  如前述條項中任一項之方法，其中所施加力在板中誘發定向及延遲。 25.  如前述條項中任一項之方法，其中定向係由藉由一或多個致動器施加至板的力之位置及/或分佈來控制。 26.  如前述條項中任一項之方法，其中延遲係由藉由一或多個致動器施加至板的力之量值來控制。 27.  如前述條項中任一項之方法，其中板包含玻璃或晶體。 28.  如前述條項中任一項之方法，其中一或多個致動器為壓電的。 29.  如前述條項中任一項之方法，其中應力圖案包含雙折射。 30.  如前述條項中任一項之方法，其中一或多個處理器經組態以個別地控制一或多個致動器中之各者，使得板內部之應力圖案在光穿過該板之前、期間及/或之後動態地可調整。 31.  如前述條項中任一項之方法，其中動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射。 32.  如前述條項中任一項之方法，其中動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之定向。 33.  如前述條項中任一項之方法，其中一或多個致動器配置於板之一或多個邊緣上。 34.  如前述條項中任一項之方法，其中一或多個致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。 35.  如前述條項中任一項之方法，其中板、一或多個致動器及一或多個處理器經組態以使得穿過該板之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長。 36.  如前述條項中任一項之方法，其中向光賦予特定偏振包含調節穿過板的光以用於度量衡。 37.  如前述條項中任一項之方法，其中該方法進一步包含藉由感測器基於在光穿過偏振器及板之後由感測器接收的光而產生度量衡信號。 38.  如前述條項中任一項之方法，其中感測器包括於攝影機中。 39.  如前述條項中任一項之方法，其進一步包含使光穿過定位於板與感測器之間的成像透鏡。 40.  如前述條項中任一項之方法，其中度量衡信號包含與半導體製造製程相關聯的疊對信號。 41.  一種非暫時性電腦可讀媒體，其上具有指令，該等指令在由電腦執行時引起操作，該等操作包含：藉由一或多個致動器將力施加至光學透明板以在該板中產生應力圖案；及藉由一或多個處理器控制該一或多個致動器以施加力來產生應力圖案，從而根據所要度量衡功能向穿過該板的光賦予特定偏振。 42.  如條項41之媒體，其中回應於施加至板的力，該板包含波板。 43.  如前述條項中任一項之媒體，其中板包含透明材料，且其中回應於施加至該板以產生應力圖案的力，該板經組態以將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態。 44.  如前述條項中任一項之媒體，其中所施加力在板中誘發定向及延遲。 45.  如前述條項中任一項之媒體，其中定向係由藉由一或多個致動器施加至板的力之位置及/或分佈來控制。 46.  如前述條項中任一項之媒體，其中延遲係由藉由一或多個致動器施加至板的力之量值來控制。 47.  如前述條項中任一項之媒體，其中板包含玻璃或晶體。 48.  如前述條項中任一項之媒體，其中一或多個致動器為壓電的。 49.  如前述條項中任一項之媒體，其中應力圖案包含雙折射。 50.  如前述條項中任一項之媒體，其中一或多個處理器由指令組態以個別地控制一或多個致動器中之各者，使得板內部之應力圖案在光穿過該板之前、期間及/或之後動態地可調整。 51.  如前述條項中任一項之媒體，其中動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射。 52.  如前述條項中任一項之媒體，其中動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之定向。 53.  如前述條項中任一項之媒體，其中一或多個致動器配置於板之一或多個邊緣上。 54.  如前述條項中任一項之媒體，其中一或多個致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。 55.  如前述條項中任一項之媒體，其中板、一或多個致動器及一或多個處理器經組態以使得穿過該板之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長。 56.  如前述條項中任一項之媒體，其中向光賦予特定偏振包含調節穿過板的光以用於度量衡。 57.  如前述條項中任一項之媒體，其中指令進一步引起操作，該等操作包含藉由感測器基於在光穿過偏振器及板之後由感測器接收的光而產生度量衡信號。 58.  如前述條項中任一項之媒體，其中感測器包括於攝影機中。 59.  如前述條項中任一項之媒體，其中光亦穿過定位於板與感測器之間的成像透鏡。 60.  如前述條項中任一項之媒體，其中度量衡信號包含與半導體製造製程相關聯的疊對信號。 61.  一種經組態以調節光以用於作為半導體製造製程之部分的疊對量測之系統，該系統經組態以在光穿過板之前、期間及/或之後動態地調整光學板中之雙折射及/或定向，動態調整包含在圍繞板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變板中之雙折射及/或定向，該系統包含：板，其中該板包含透明材料，且經組態以回應於藉由不同致動器施加至該板的力而將穿過該板之光自第一偏振狀態改變至第二偏振狀態；不同致動器，該等不同致動器包含圍繞板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個壓電致動器，該複數個壓電致動器經組態以將力施加至板來產生雙折射及/或定向；及一或多個處理器，其經組態以個別地控制複數個致動器中之各者以施加力來產生雙折射及/或定向，使得向穿過板的光賦予特定偏振，該板將該光改變至第二偏振狀態。 62.  如前述條項中任一項之系統，其中回應於施加至板的力，該板之特徵在於定向及延遲。 63.  如前述條項中任一項之系統，其中定向係由藉由複數個致動器施加至波板的力之位置及/或分佈來控制；且其中延遲係由藉由複數個致動器施加至波板的力之量值來控制。 64.  如前述條項中任一項之系統，其中板、複數個致動器及一或多個處理器經組態以使得穿過該板之光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的波長。 65.  如前述條項中任一項之系統，其中系統進一步包含偏振器及感測器，其中該感測器經組態以基於在光穿過偏振器及板之後由感測器接收的光而產生度量衡信號；且其中該度量衡信號包含與半導體製造製程相關聯的疊對信號。

本文中所揭示之概念可與用於對子波長特徵成像之任何通用成像系統相關聯，且可尤其對能夠產生愈來愈短的波長之新興成像技術有用。已在使用中之新興技術包括極紫外線(EUV)、DUV微影，其能夠藉由使用ArF雷射來產生193 nm之波長，且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157 nm之波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由用高能電子撞擊材料(固體或電漿中任一者)來產生在20 nm至5 nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統，例如用於在不同於矽晶圓的基板上之成像的微影成像系統一起使用。此外，所揭示元件之組合及子組合可包含單獨實施例。

以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範圍的情況下如所描述進行修改。

2:輻射源/照明配置/投影儀 4:光譜儀偵測器 10:檢測系統 11:背向投影式焦平面 12:透鏡系統/照明配置 13:干涉濾光器/照明配置 14:參考鏡面 15:接物鏡 16:部分反射表面 17:偏振器/照明配置 18:偵測器 21:輻射光束 22:琢面化場鏡面裝置 24:琢面化光瞳鏡面裝置 26:圖案化光束 28:反射元件 30:基板目標 210: EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 220:圍封結構 221:開口 230:污染物截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 330:反射元件 606:參數化模型 608:經量測輻射分佈 610:數值馬克士威求解程序 612:經計算輻射分佈 700:系統 702:光學透明板 704:致動器 800:偏振器 802:成像透鏡 804:感測器 808:光 900:映射應力圖案 902:定向 904:板 906:大致位置 908:等值線 910:孔徑 912:個別部分 1000:設備 1001:影像 1003:光學板 1005:位置 1200:方法 1202:操作 1204:操作 AD:調整器 AS:對準感測器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 BS:匯流排 C:目標部分 CC:游標控制件 CH:冷卻板 CI:通信介面 CO:聚光器/輻射收集器/近正入射收集器光學件 CS:計算系統/電腦系統 DS:顯示器 F:速度 h:高度 HC:主機電腦 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 ID:輸入裝置 IF:虛擬源點/位置感測器 IL:照明系統(照明器)/照明光學件單元 IN:積光器 INT:網際網路 LA:微影設備 LACU:微影控制單元 LAN:區域網路 LB:裝載匣 LC:微影製造單元 LS:位階感測器 M:縮減比率 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MM:主記憶體 MRI:電腦或機器可讀指令 MT:支撐結構/第一物件台/圖案化裝置台 NDL:網路資料鏈路 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PRO:處理器 PS:投影系統 PS1:第一位置感測器 PS2:第二位置感測器 PW:第二定位器 PL:透鏡 RF:參考框架 RO:機器人 ROM:唯讀記憶體(ROM) S:照明光點 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SD:儲存裝置 SO:輻射源/源收集器模組 t:厚度 TCU:塗佈顯影系統控制單元 w:寬度 W:基板 WT:基板台/第二物件台 WTa:基板台 WTb:基板台 α:側壁角 Ex:光束擴展器 λ:波長

對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖而審閱特定實施例之以下描述後，以上態樣以及其他態樣及特徵將變得顯而易見。

圖1示意性地描繪根據一實施例之微影設備。

圖2示意性地描繪根據一實施例的微影製造單元或叢集之一實施例。

圖3示意性地描繪根據一實施例之示範性檢測系統。

圖4示意性地描繪根據一實施例之示範性檢測系統的額外細節。

圖5繪示根據一實施例的檢測系統之輻射照明點與度量衡目標之間的關係。

圖6繪示根據一實施例的基於量測資料導出複數個所關注變數之製程。

圖7繪示根據一實施例的經組態以調節光以用於度量衡之系統，其可形成圖3及圖4中所展示的系統之一部分。

圖8繪示根據一實施例的圖7中所展示之系統的另一實施例。

圖9繪示根據一實施例之由藉由耦接至板之致動器施加的力引起的(應力工程光學)板中之映射應力分佈及定向。

圖10繪示根據一實施例之在由致動器將力施加至板時兩個正交偏振器之間的另一(應力工程光學)板之影像。

圖11繪示根據一實施例之在光已穿過應力工程光學板之中心部分(例如，孔徑)之後的偏振狀態。

圖12繪示根據一實施例的用於調節光以用於度量衡之方法。

圖13為根據一實施例之示範性電腦系統的方塊圖。

圖14為根據一實施例之類似於圖1之微影投影設備的示意圖。

圖15為根據一實施例的圖14中之設備的更詳細視圖。

圖16為根據一實施例的圖14及圖15之設備之源收集器模組的更詳細視圖。

2:輻射源/照明配置/投影儀

10:檢測系統

11:背向投影式聚焦平面

12:透鏡系統/照明配置

13:干涉濾光器/照明配置

14:參考鏡面

15:接物鏡

16:部分反射表面

17:偏振器/照明配置

18:偵測器

30:基板目標

F:速度

PRO:處理器

S:照明光點

W:基板

Claims (20)

1. 一種經組態以調節光以用於度量衡之系統，該系統包含： 一光學透明板； 一或多個致動器，其經組態以將力施加至該板以在該板中產生一應力圖案；及 一或多個處理器，其經組態以控制該一或多個致動器以施加該等力來產生該應力圖案，從而根據一所要度量衡功能向穿過該板之光賦予一特定偏振。
2. 如請求項1之系統，其中回應於施加至該板的該等力，該板包含一波板。
3. 如請求項1或2之系統，其中該板包含一透明材料，且其中回應於施加至該板以產生該應力圖案的該等力，該板經組態以將穿過該板之該光自一第一偏振狀態改變至一第二偏振狀態。
4. 如請求項1至2中任一項之系統，其中所施加力在該板中誘發一定向及一延遲。
5. 如請求項4之系統，其中該定向係由藉由該一或多個致動器施加至該板的力之位置及/或一分佈來控制。
6. 如請求項4之系統，其中該延遲係由藉由該一或多個致動器施加至該板的力之量值來控制。
7. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該板包含玻璃或晶體。
8. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該一或多個致動器為壓電的。
9. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該應力圖案包含雙折射。
10. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該一或多個處理器經組態以個別地控制該一或多個致動器中之各者，使得該板內部之該應力圖案在該光穿過該板之前、期間及/或之後動態地可調整。
11. 如請求項10之系統，其中動態調整包含在圍繞該板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變該板中之雙折射。
12. 如請求項10之系統，其中動態調整包含在圍繞該板之不同致動器處施加力量值之不同組合，從而以亞毫秒控制速度來改變該板中之一定向。
13. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該一或多個致動器配置於該板之一或多個邊緣上。
14. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該一或多個致動器包含圍繞該板之一或多個邊緣對稱分佈的複數個致動器。
15. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該板、該一或多個致動器及該一或多個處理器經組態以使得穿過該板之該光可具有在約300奈米至約1.5微米範圍內的一波長。
16. 如請求項1至2中任一項之系統，其中向該光賦予一特定偏振包含調節穿過該板的該光以用於度量衡。
17. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該系統進一步包含一偏振器及一感測器，其中該感測器經組態以基於在該光穿過該偏振器及該板之後由該感測器接收的光而產生一度量衡信號。
18. 如請求項17之系統，其中該感測器包括於一攝影機中。
19. 如請求項17之系統，其進一步包含定位於該板與該感測器之間的一成像透鏡。
20. 如請求項17之系統，其中該度量衡信號包含與一半導體製造製程相關聯的一疊對信號。