TW202340881A

TW202340881A - 用於從單照明源產生多個照明位點之系統及方法

Info

Publication number: TW202340881A
Application number: TW111149342A
Authority: TW
Inventors: 基里爾烏里耶維奇索博列夫; 克里沙努尚蒙
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2021-12-23
Filing date: 2022-12-22
Publication date: 2023-10-16
Also published as: WO2023117611A1

Abstract

本發明描述導引至一目標處之照明位點(spots of illumination)。照明位點係自一單照明源產生。減少或消除在晶圓對準感測器中常常普遍存在的重影反射。描述第一位點鏡面、第二位點鏡面及第三位點鏡面。該第一位點鏡面沿著一第一軸線接收照明，反射該照明之一第一部分遠離該第一軸線，且沿著該第一軸線透射該照明之一第二部分。該第二位點鏡面接收該經反射照明之該第一部分且沿著一第二軸線至少部分地反射該照明之一第三部分。該第三位點鏡面沿著一第三軸線接收且完全反射該照明之一第四部分。該照明之該第二部分、該第三部分及該第四部分係相對於彼此成不同角度而朝向該目標導引，以產生三個不同照明位點。

Description

用於從單照明源產生多個照明位點之系統及方法

本說明書大體上係關於自單照明源產生多個照明位點。

微影投影設備可用於例如積體電路(IC)製造中。圖案化裝置(例如，光罩)可包括或提供對應於IC(「設計佈局」)之個別層之圖案，且可藉由諸如將已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)輻照通過圖案化裝置上之圖案之方法而將此圖案轉印至目標部分上。一般而言，單基板包括複數個鄰近目標部分，圖案藉由微影投影設備依次地轉印至該等目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，在一個操作中將整個圖案化裝置上之圖案轉印至一個目標部分上。此類設備通常被稱作步進器。在通常稱為步進掃描設備之替代設備中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化裝置進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化裝置上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影設備將具有縮減比率M (例如，4)，因此基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化裝置之速度的1/M倍。可例如自以引用方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影裝置的更多資訊。

在將圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經歷其他工序(「曝光後工序」)，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製得裝置(例如，IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、沈積、化學機械研磨等，該等製程皆意欲完成裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對各層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之各目標部分中將存在裝置。接著藉由諸如切割或鋸割之技術來使此等裝置彼此分離，使得可將個別裝置安裝於載體上、連接至銷釘等。

因此，製造裝置(諸如半導體裝置)通常涉及使用數個製作製程來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等裝置之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、沈積、化學機械研磨及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個裝置，且接著將該等裝置分成個別裝置。此裝置製造製程可視為圖案化製程。圖案化製程涉及使用微影設備中之圖案化裝置進行圖案化步驟，諸如光學及/或奈米壓印微影，以將圖案化裝置上之圖案轉印至基板，且圖案化製程通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻設備而使用圖案進行蝕刻、沈積等。

微影(lithography)係在諸如IC之裝置之製造中的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定裝置之功能元件，該等功能元件諸如微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置。

隨著半導體製造製程繼續發展，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每個裝置的諸如電晶體之功能元件之數目已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影設備來製造裝置之層，該等微影投影設備使用來自深紫外照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100 nm (亦即，小於來自照明源(例如，193 nm照明源)之輻射的波長之一半)的個別功能元件。

供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度極限之特徵的此製程係根據解析度公式CD=k ₁×λ/NA通常被稱作低k ₁微影，其中λ為所採用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學件之數值孔徑，CD為「關鍵尺寸(critical dimension)」，通常為所印刷之最小特徵大小，且k ₁為經驗解析度因數。一般而言，k ₁愈小，則在基板上再現類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影投影設備、設計佈局或圖案化裝置。此等步驟包括，例如但不限於NA及光學相干設定之最佳化、自訂照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。

藉由光學元件之配置來產生多個照明位點。多個照明位點可用以同時及/或出於其他目的來照明多個度量衡標記及/或其他目標。光學元件之配置相比於產生多個照明位點之其他方法成本相對較低，且與現有度量衡系統相容。有利地，本系統及方法提供離軸照明位點，此有助於在此類系統中將重影反射與強度通道量測分離。在準直空間中相對於彼此以不同角度產生額外光路徑，由此在目標上形成單獨的照明位點。舉例而言，照明位點可沿著一個軸線配置於目標上或以二維圖案配置。

根據一實施例，提供一種用於產生經組態以導引至目標處之照明位點的系統。該系統包含第一光學元件，其經組態以沿著第一軸線接收來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線且沿著第一軸線透射照明之第二部分。該系統包含第二光學元件，其經組態以接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分。照明之第二部分及第三部分在光瞳平面中相對於彼此成角度而朝向目標導引，以在目標上產生兩個不同照明位點。

在一些實施例中，系統包含第三光學元件，其經組態以沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收且完全反射照明之第四部分。照明之第四部分係由第二光學元件透射。照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生三個不同照明位點。

在一些實施例中，對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。在一些實施例中，離軸位點經組態以減少或消除重影反射。

在一些實施例中，第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件可相對於彼此移動。在一些實施例中，第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件之移動經組態以調整目標上之對應照明位點的位置。在一些實施例中，移動包含使第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件傾斜；及/或改變第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件中之一或多者之間的距離。

在一些實施例中，第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件各自包含位點鏡面。在一些實施例中，第一光學元件為部分反射的，第二光學元件為至少部分反射的，且第三光學元件為完全反射的。

在一些實施例中，系統包含第四光學元件。該第四光學元件經組態以在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射沿著第一軸線接收之照明。在一些實施例中，第四光學元件包含位點鏡面立方體。

在一些實施例中，對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點，且同軸位點及離軸位點可相對於彼此移動。在一些實施例中，導引至目標處之照明位點經組態以基於第一光學元件、第二光學元件、第三光學元件及/或第四光學元件之移動而相對於彼此移動。

在一些實施例中，照明位點係線性地對準。在一些實施例中，照明位點以二維圖案配置。

在一些實施例中，系統包含照明源。照明源包含經組態以沿著第一軸線產生照明的單源。

在一些實施例中，系統包含透鏡，其經組態以接收由光學元件形成之照明光束且將照明位點聚焦於目標上。

在一些實施例中，第一、第二、第三及第四光學元件形成對準感測器之部分，且對準感測器為用於半導體製造製程中之晶圓對準感測器。

在一些實施例中，系統包含額外光學元件，其經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至目標處之額外照明位點。

根據另一實施例，提供一種用於產生經組態以導引至目標處之照明位點的方法。該方法包含：藉由第一光學元件沿著第一軸線接收來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分；及藉由第二光學元件接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分。照明之第二部分及第三部分在光瞳平面中相對於彼此成角度而朝向目標導引，以在目標上產生兩個不同照明位點。

根據另一實施例，提供一種上面具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由電腦執行時使得操作包含：藉由第一光學元件沿著第一軸線接收來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分；及藉由第二光學元件接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分。照明之第二部分及第三部分在光瞳平面中相對於彼此成角度而朝向目標導引，以在目標上產生兩個不同照明位點。

根據另一實施例，提供一種用於產生照明位點之系統，該等照明位點經組態以導引至用於半導體製造製程中之晶圓對準感測器的目標處。該系統經組態以自單照明源產生多個照明位點。該系統經組態以減少或消除在其他晶圓對準感測器中常常普遍存在的重影反射。該系統包含單照明源。該系統包含第一玻璃板中所包括的第一位點鏡面。該第一位點鏡面經組態以沿著第一軸線接收來自單照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分。該系統包含第二玻璃板中所包括的第二位點鏡面。該第二位點鏡面經組態以接收反射照明之第一部分且沿著不同於第一軸線之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分。該系統包含第三玻璃板中所包括的第三位點鏡面。該第三位點鏡面經組態以沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收且完全反射照明之第四部分。照明之第四部分係由第二位點鏡面透射。照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生對應於第一軸線、第二軸線及第三軸線上之照明的三個不同照明位點。

在半導體裝置製造中，判定對準通常包括判定一或多個對準標記及/或半導體裝置結構層中之其他目標的位置。通常藉由用輻射輻照對準標記且比較自對準標記反射之輻射的不同繞射階之特性來判定對準。相似技術用以量測疊對及/或其他參數。當前對準感測器具有投影至基板(例如，晶圓)上之單量測照明位點。該單照明位點係用於多個對準參數、相位及強度偵測之量測。當前感測器連續地量測度量衡標記。因此，給定基板上之所量測標記的數目受到產出量考慮因素限制。此外，標記偵測之準確度受感測器內之重影反射影響。重影反射之效應對於當前感測器，尤其對於強度偵測係重要的，其限制感測器精確量測強度之能力。

需要更準確且高效地量測更多度量衡標記以例如實現高階柵格擬合及/或出於其他原因。高階柵格擬合允許吾人藉由擬合需要較大數目個量測點的高階多項式來更準確地判定晶圓失真。先前提議的解決方案需要感測器硬體之大量重新設計，此係成本高且有風險的，且通常不能向後與現有感測器相容。

有利地，本發明系統及方法產生具有光學元件之配置的多個照明位點。多個照明位點用以同時照明單度量衡標記、多個度量衡標記及/或其他目標之一或多個部分，及/或可用於其他目的。光學元件之配置相比於產生多個照明位點之其他方法成本相對較低，且與現有度量衡系統相容。本系統及方法提供離軸照明位點，此有助於在此類系統中將重影反射與強度通道量測分離。在準直空間中相對於彼此以不同角度產生額外光路徑，由此在目標上形成單獨的照明位點。舉例而言，照明位點可沿著一個軸線配置於目標上或以二維圖案配置。

藉助於簡要介紹，本文中之描述大體上係關於半導體裝置製造及圖案化製程。更特定而言，以下段落描述用於半導體裝置製造之系統及/或方法的若干組件。此等系統及方法可用於例如在半導體裝置製造製程中量測對準，或用於其他操作。

儘管在本文中可特定地參考用於半導體裝置之積體電路(IC)之量測及製造，但應理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、導引及偵測用於磁疇記憶體之圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代應用之內容背景中，應認為在本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用可分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。

如本文所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解釋為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、光圈及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括根據此等設計類型中任一者操作以用於共同地或單一地導引、塑形或控制投影輻射光束之組件。術語「投影光學件」可包括微影投影設備中的任何光學組件，無論光學組件位於微影投影設備之光學路徑中何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影輻射的光學組件。投影光學件通常不包括源及圖案化裝置。

圖1示意性地描繪微影設備LA之實施例。該設備包含：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT(例如，WTa、WTb或兩者)，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且耦接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒且常常被稱作場)上。投影系統支撐於參考框架RF上。如所描繪，設備屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，設備可屬於反射類型(例如，使用可程式化鏡面陣列或使用反射光罩)。

照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影設備之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，在源為汞燈時，源可為設備之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。

照明器IL可更改光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍，以使得在照明器IL之光瞳平面中之環形區內的強度分佈為非零的。此外或可替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈，以使得在光瞳平面中之複數個等間隔區段中的強度分佈為非零的。輻射光束在照明器IL之光瞳平面中的強度分佈可被稱作照明模式。

照明器IL可包含經組態以調整光束之(角度/空間)強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。照明器IL可操作以使光束之角度分佈變化。舉例而言，照明器可操作以更改強度分佈為非零的光瞳平面中之區段的數目及角度範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的徑向及角度範圍，強度分佈可具有多極分佈，例如偶極、四極或六極分佈。可例如藉由將提供所要照明模式之光學件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得彼照明模式。

照明器IL可操作以更改光束之偏振且可操作以使用調整器AD來調整偏振。跨越照明器IL之光瞳平面的輻射光束之偏振狀態可被稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可跨越照明器IL之光瞳平面而變化。輻射之偏振方向在照明器IL之光瞳平面中之不同區域中可不同。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之各極的偏振可大體上垂直於照明器IL之光瞳平面中的彼極之位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在實質上垂直於平分偶極之兩個相對區段之線的方向上線性地偏振。輻射光束可在可稱為X偏振狀態及Y偏振狀態之兩個不同正交方向中之一者上偏振。對於四極照明模式，各極之區段中的輻射可在實質上垂直於平分彼區段之線的方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作XY偏振。相似地，對於六極照明模式，各極之區段中的輻射可在實質上垂直於平分彼區段之線的方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作TE偏振。

此外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明系統可包括用於導引、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

因此，照明器提供在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈之經調節輻射光束B。

支撐結構MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(例如圖案化裝置是否固持於真空環境中)之方式來支撐圖案化裝置。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化裝置例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化裝置」同義。

本文所使用之術語「圖案化裝置」應被廣泛地解釋為係指可用以在基板之目標部分中賦予圖案的任何裝置。在一實施例中，圖案化裝置為可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中形成圖案的任何裝置。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不完全對應於基板之目標部分中之所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於裝置之目標部分中所產生之裝置(諸如積體電路)中之特定功能層。

圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為熟知的，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般的術語「投影系統」同義。

投影系統PS可包含複數個光學(例如，透鏡)元件，且可進一步包含經組態以調整該等光學元件中之一或多者以便校正像差(跨越整個場之光瞳平面的相位變化)的調整機制。為達成此情形，調整機制可操作來以一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如，透鏡)元件。投影系統可具有座標系統，其中其光軸在z方向上延伸。調整機制可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之移位可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常藉由圍繞在x及/或y方向上之軸旋轉而離開垂直於光軸之平面，但圍繞z軸之旋轉可用於非旋轉對稱之非球面光學元件。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如，像散光)及/或高頻形狀(例如，自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側面施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區域來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PS以校正變跡(跨越光瞳平面之透射變化)。可在設計用於微影設備LA之圖案化裝置(例如，光罩) MA時使用投影系統PS之透射映像。使用計算微影技術，圖案化裝置MA可經設計以至少部分地校正變跡。

微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化裝置台、在無專用於例如促進量測及/或清潔等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台實行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可使用對準感測器AS進行對準量測及/或使用位階感測器LS進行位階(高度、傾角等)量測。

微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如圖案化裝置與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中已為吾人所熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

在微影設備之操作中，輻射光束經調節且由照明系統IL提供。輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化裝置而圖案化。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，例如在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器(其未明確地描繪於圖1中)可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒設置於圖案化裝置MA上之情況中，圖案化裝置對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中。在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，從而使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。在掃描模式下，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT，同時將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中的目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之各移動之後或在一掃描期間之連續輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可容易地應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用上述使用模式之組合及/或變型或完全不同的使用模式。

可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用的情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可係指已包括多個經處理層之基板。

本文中相對於微影所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)或深紫外線(DUV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5至20 nm之範圍內的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。

圖案化裝置上或由圖案化裝置提供之各種圖案可具有不同製程窗口，亦即，處理變數之空間，在該空間下圖案將在規格內產生。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併(例如，重疊)各個別圖案之製程窗口來獲得圖案化裝置或其區域上之圖案的製程窗口。一組圖案之製程窗口之邊界包含個別圖案中之一些的製程窗口之邊界。換言之，此等個別圖案限制圖案群組之製程窗口。

如圖2中所展示，微影設備LA可形成一微影製造單元LC (有時亦被稱作一微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，其亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之設備。習知地，此等設備包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。一基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將其在不同製程設備之間移動且將其遞送至微影設備之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，可操作不同設備以最大化產出量及處理效率。

為了正確且一致地曝光由微影設備曝光之基板及/或為了監視圖案化製程(例如，一裝置製造製程)之包括至少一個圖案轉印步驟(例如，一光學微影步驟)的部分，需要檢測基板或其他物件以量測或判定一或多個特性，諸如對準、疊對(其可例如介於上覆於層中之結構之間或已由例如雙重圖案化製程單獨地提供至層的同一層中之結構之間)、線厚度、關鍵尺寸(CD)、焦點偏移、材料特性等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施通常亦包括度量衡系統，該度量衡系統量測已在微影製造單元中處理的基板W (圖1)中之一些或全部或微影製造單元中之其他物件。度量衡系統可為微影製造單元LC之部分，例如，其可為微影設備LA之部分(諸如對準感測器AS(圖1))。

一或多個經量測參數可包括：例如形成於經圖案化基板中或上之連續層之間的對準、疊對、例如形成於經圖案化基板中或上之特徵之關鍵尺寸(CD) (例如，關鍵線寬)、光學微影步驟之焦點或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟之光學像差等。常常對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。可在抗蝕劑顯影之後但在蝕刻之前、在蝕刻之後、在沈積之後及/或在其他時間執行量測。

存在用於對在圖案化製程中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用一掃描電子顯微鏡、以影像為基礎之一量測工具及/或各種特殊化工具。特殊化度量衡工具之一種快速且非侵入形式為輻射光束經導引至基板之表面上之目標上且量測經散射(繞射/反射)光束之屬性的形式。藉由評估由基板散射之輻射之一或多個特性，可判定基板的一或多個特性。傳統地，此可被稱為以繞射為基礎之度量衡。此以繞射為基礎之度量衡的一個此類應用係在對準之量測中。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中之不同繞射階)來量測對準。

因此，在裝置製作製程(例如，圖案化製程或微影製程)中，基板或其他物件可在製程期間或之後經歷各種類型之量測。該量測可判定特定基板是否有缺陷、可建立對製程及用於製程中之設備的調整(例如，將基板上之兩個層對準或將圖案化裝置對準至基板)、可量測製程及設備之效能，或可用於其他目的。量測之實例包括光學成像(例如，光學顯微鏡)、非成像光學量測(例如，基於繞射之量測，諸如ASML YieldStar度量衡工具、ASML SMASH度量衡系統)、機械量測(例如，使用電筆之剖面探測、原子力顯微法(AFM))及/或非光學成像(例如，掃描電子顯微法(SEM))。如全文以引用方式併入本文中之美國專利第6,961,116號中所描述之智慧型對準感測器混合式(SMASH)系統採用自參考干涉計，該自參考干涉計產生對準標記物之兩個重疊且相對旋轉之影像，偵測在使影像之傅立葉變換進行干涉之光瞳平面中之強度，且自兩個影像之繞射階之間的相位差提取位置資訊，該相位差表現為經干涉階中之強度變化。

可將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測使得批次之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)及/或經曝光基板之後續曝光進行調整。此外，已曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對符合規格的彼等目標部分執行進一步曝光。涵蓋其他製造製程調整。

度量衡系統可用以判定基板結構之一或多個屬性，且尤其判定不同基板結構之一或多個屬性如何變化，或同一基板結構之不同層如何在層與層之間變化。度量衡系統可整合至微影設備LA或微影製造單元LC中，或可為獨立裝置。

為了實現度量衡，常常在基板上特定提供一或多個目標。舉例而言，目標可包括對準標記及/或其他目標。通常，目標經專門設計且可包含週期性結構。舉例而言，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性結構(例如，諸如光柵之幾何特徵)，其經印刷使得在顯影之後，週期性結構特徵係由固體抗蝕劑線形成。作為另一實例，目標可包含一或多個2-D週期性結構(例如，光柵)，其經印刷使得在顯影之後，一或多個週期性結構係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。桿體、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中(例如，蝕刻至基板上之一或多個層中)。

圖3描繪可用以偵測對準及/或執行其他度量衡操作之實例檢測系統10。該檢測系統包含輻射或照明源2，該輻射或照明源將輻射投影或以其他方式輻照至基板W(例如，其可通常包括對準標記)上。重定向輻射傳遞至諸如光譜儀偵測器4及/或其他感測器之感測器，該感測器量測鏡面反射及/或繞射輻射之光譜(依據波長而變化的強度)，例如在圖4左邊之曲線圖中所展示。感測器可產生對準信號，該對準信號傳達指示反射輻射之屬性的對準資料。自此資料，產生所偵測光譜之結構或剖面可由一或多個處理器PRO重建構，其一般性實例展示於圖4中或由其他操作展示。

與在圖1中之微影設備LA中一樣，可提供一或多個基板台(圖4中未展示)以在量測操作期間固持基板W。一或多個基板台可在形式上相似於或與圖1之基板台WT(WTa或WTb或兩者)相同。在檢測系統10與微影設備整合之實例中，該一或多個基板台甚至可為同一基板台。粗略定位器及精細定位器可經提供及組態以相對於量測光學系統來準確地定位基板。例如提供各種感測器及致動器以獲取結構之所關注目標部分(例如，對準標記)之位置，且將其帶入至物鏡下方之位置中。通常，將對跨越基板W之不同位置處的結構之目標部分進行許多量測。基板支撐件可在X方向及Y方向上移動以獲取不同目標，且在Z方向上移動以獲得目標部分相對於光學系統之焦點的所要位置。舉例而言，當實務上光學系統可保持實質上靜止(通常在X及Y方向上，但可能亦在Z方向上)且基板移動時，將操作考慮並描述為如同物鏡被帶入至相對於基板之不同位置係方便的。假定基板及光學系統之相對位置正確，則以下情況在原則上並不重要：基板及光學系統中的哪一個在移動，基板及光學系統兩者是否均移動，或光學系統之部分之組合移動(例如，在Z及/或傾斜方向上)，而光學系統之剩餘部分靜止且基板移動(例如，在X方向及Y方向上，但亦視情況在Z及/或傾斜方向上)。

對於典型對準量測，基板W上之目標(部分) 30可為1-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，桿體係由固體抗蝕劑線(例如，其可由沈積層覆蓋)及/或其他材料形成。或目標30可為2-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱及/或其他特徵形成。

桿體、導柱、通孔及/或其他特徵可經蝕刻至基板中或上(例如，蝕刻至基板上之一或多個層中)、沈積於基板上、由沈積層覆蓋及/或具有其他屬性。(例如，桿體、導柱、通孔等之)目標(部分) 30對圖案化製程中之處理的改變(例如，微影投影設備中(諸如投影系統中)之光學像差、焦點改變、劑量改變等)敏感，使得製程變化表現為目標30中之變化。因此，來自目標30之經量測資料可用以判定對製造製程中之一或多者的調整，及/或用作用於進行實際調整之基礎。

舉例而言，來自目標30之經量測資料可指示半導體裝置之層的對準。來自目標30之經量測資料可用於(例如，藉由一或多個處理器PRO及/或其他處理器)判定基於對準之一或多個半導體裝置製造製程參數，且基於該一或多個經判定半導體裝置製造製程參數而判定用於半導體裝置製造設備的調整。在一些實施例中，此可包含例如載物台位置調整，或此可包括判定對光罩設計、度量衡目標(例如，對準標記)設計、半導體裝置設計、輻射之強度、輻射之入射角、輻射之波長、光瞳大小及/或形狀、抗蝕劑材料及/或其他製程參數的調整。

角度解析散射量測係對量測產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性有用。不對稱性量測之特定應用係用於對準之量測。舉例而言，全文併入本文中之美國專利申請公開案US2006-066855中描述了使用圖3之系統10進行之不對稱性量測的基礎概念。簡言之，對於對準量測，藉由目標(例如，對準標記)之週期性來判定目標之繞射光譜中之繞射階的位置。繞射光譜中之不對稱性指示構成目標之個別特徵中之不對稱性。

圖5繪示典型目標(例如，對準標記) 30之平面圖，及圖4之系統中之典型輻射照明位點S的範圍。通常，為了獲得不含來自周圍結構之干涉的繞射光譜，在一實施例中，目標30為大於照明位點S之寬度(例如，直徑)的週期性結構(例如，光柵)。位點S之寬度可小於目標之寬度及長度。換言之，目標係由照明「填充不足」，且繞射信號基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者的任何信號。舉例而言，照明配置可經組態以提供跨越物鏡之背焦平面的均一強度之照明。替代地，藉由例如在照明路徑中包括孔徑，照明可限於同軸方向或離軸方向。

圖6繪示經組態以產生照明位點的系統600，該等照明位點經組態以導引至目標處。照明可包含光及/或其他輻射。舉例而言，目標可包含一或多個度量衡標記。系統600可形成上文關於圖3所描述之系統10之部分。舉例而言，系統600可為系統10之子系統。在一些實施例中，系統600之一或多個組件可與系統10之一或多個組件類似及/或相同。在一些實施例中，系統600之一或多個組件可替換系統10之一或多個組件、與該一或多個組件一起使用及/或以其他方式擴增該一或多個組件。系統600經組態以自單照明源(例如，圖3中所展示之源2)產生多個照明位點。系統600亦經組態以減少或消除在其他晶圓對準感測器中常常普遍存在的重影反射，及/或具有其他優位點。

圖6展示產生多個量測位點之系統600(例如，如下文所論述)。多個位點係由平行(在本例中)光學元件以及部分及完全反射位點鏡面的配置，結合方塊位點鏡面而產生。以不同角度在準直空間中產生額外光路徑，由此在基板上形成單獨位點。除主要同軸位點外，圖6中所展示之實例實施方案亦產生兩個離軸照明位點。額外照明位點可沿著基板之軸線配置或以二維圖案配置(亦如下文所論述)。額外照明位點之數目不限於如所說明之三個。多個光學元件可用以產生額外位點。下文更詳細地描述系統600之此等及其他特徵。

系統600包含第一光學元件602、第二光學元件604、第三光學元件606、第四光學元件608、透鏡610及/或其他組件。在一些實施例中，系統600之第一、第二、第三及第四光學元件602至608；透鏡610；及或其他組件形成用於半導體製造製程中之對準感測器之部分。對準感測器可為例如上文所描述而使用之晶圓對準感測器。在一些實施例中，系統600可具有其他用途，包括例如在一目標上需要自單照明光束產生之多個照明位點的任何度量衡系統中。

在一些實施例中，第一光學元件602、第二光學元件604、第三光學元件606及/或第四光學元件608各自包含局部反射及/或透射表面。舉例而言，光學元件602至608可各自分別包含位點鏡面603、605、607及/或609。位點鏡面包含相對小的反射及/或透射表面。舉例而言，位點鏡面可具有剛好大於或以其他方式對應於來自照明源之照明光束之大小的直徑。位點鏡面603至609可由光學元件602至608之經塗佈部分、插入於光學元件602至608中及/或耦接至光學元件之裝置、其他局部反射及/或透射表面及/或其他組件形成。舉例而言，反射位點鏡面亦可由局部TIR(全內反射)區形成。在一些實施例中，光學元件602至608包含經組態以控制由各光學元件602至608反射及/或透射的照明之波長及/或其他屬性的濾光器。該濾光器可包含耦接至光學元件602至608中之一或多者或包括於該一或多個光學元件中的特定塗層及/或其他組件。

在一些實施例中，光學元件602、604及/或606各自分別包含光學透明板620、622、624，其耦接至及/或包括對應位點鏡面603、605或607。板620、622及/或624包含光學透明材料。板620、622及/或624可由任何透明材料，諸如玻璃、晶體及/或其他光學透明材料形成。板620、622及/或624可具有圓形橫截面形狀、正方形橫截面形狀、矩形橫截面形狀及/或其他橫截面形狀。板620、622及/或624可具有某一厚度及/或其他特性。板620、622及/或624之形狀及/或尺寸可由使用者例如基於：用於板620、622及/或624之材料；使用板620、622及/或624之應用(例如，量測對準)；板620、622及/或624之光學行為要求；板620、622及/或624之操作及/或移動要求，及/或基於其他因素而判定。然而，應注意，在一些實施例中，板620至624為視情況選用的，且僅位點鏡面603至607包括於系統600中。

在一些實施例中，第一光學元件602為或具有部分反射之部分(例如，位點鏡面603)，第二光學元件604為或具有至少部分反射之部分(例如，位點鏡面605)，且第三光學元件606為或具有完全反射之部分(例如，位點鏡面607)。部分反射部分可包含一表面，該表面反射入射於該表面上之至少一些輻射且經由該表面透射不同部分。

舉例而言，包括位點鏡面603之第一光學元件602經組態以在位點鏡面603處沿著第一軸線651接收來自照明源(例如，圖3中所展示之源2)之照明650(例如，定向幅射)，反射照明之第一部分652遠離第一軸線651，且沿著第一軸線651透射照明650之第二部分654。包括位點鏡面605之第二光學元件604經組態以接收反射照明之第一部分652且沿著與第一軸線651成不同角度之第二軸線662至少部分反射照明之第三部分660。包括位點鏡面607之第三光學元件606經組態以沿著與第一軸線651及第二軸線662成不同角度之第三軸線672接收並完全反射照明之第四部分670。如圖6中所示，照明之第四部分670係由第二光學元件604之位點鏡面605透射。

照明之第二部分654、第三部分660及第四部分670在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標30導引680，以在目標30上產生照明650之三個不同位點690、692、694。舉例而言，目標30可為如本文中所描述之半導體晶圓上之一或多個度量衡標記。

第四光學元件608可包括位點鏡面609及/或其他反射或至少部分反射表面。在一些實施例中，第四光學元件608包含透射光學元件。在一些實施例中，第四光學元件608包含例如位點鏡面立方體。位點鏡面立方體可包含由光學接觸或膠(或其他耦接機制)接合以在接合表面處形成具有局部反射區域之立方體或菱形的兩個稜鏡。反射區域可由反射塗層或TIR形成，該反射塗層或TIR為表面之部分，在該表面後面具有空氣袋(或具有較低折射率之其他光學材料)，從而使得光以較高折射率反射於光學材料內部。位點鏡面立方體經組態以反射入射於位點鏡面上(在立方體中)之光以便改變其方向，且透射其他光。此處其目的為以不同於穿過光學元件之其他光束的方式改變一或多個選定光束之方向。包括位點鏡面609之第四光學元件608經組態以在實質上垂直於第一軸線651之柱狀方向680上反射沿著第一軸線651、第二軸線662及第三軸線672接收之照明。

如圖6中所示，透鏡610經組態以接收由光學元件602至608形成之照明光束685，且將照明650之位點690、692及694聚焦687於目標30上。透鏡610可包含經組態以如所描述起作用的任何類型之透鏡。舉例而言，透鏡610可為物鏡。透鏡610可由任何透明材料形成且具有經組態以集中或以其他方式聚焦光束685之彎曲表面。在一些實施例中，對應於來自第一軸線651之照明的照明650之位點690包含同軸位點，且對應於來自第二軸線662及第三軸線672之照明的照明650之位點692及694包含離軸位點。離軸位點(例如，692及/或694)經組態以減少或消除重影反射及/或具有其他優位點。重影反射包含來自一或多個光學表面的非所要反射，該一或多個光學表面垂直於準直空間中之照明軸線或方向。減少及/或消除重影反射，此係因為形成此等位點之照明並非垂直入射於光學元件608之一或多個表面(例如，立方體表面)及/或系統600中之光學元件的其他表面上。

光學元件602至608可定位於任何位置及/或相對於彼此成任何角度，從而允許系統600如本文中所描述而起作用。此可包括定位於元件之間的特定相對距離、元件之間的特定角度等處。在一些實施例中，光學元件602至608中之兩者或多於兩者在系統600中相對於彼此平行定位(例如，如圖6中所展示)。在一些實施例中，光學元件602至608中之一或多者相對於系統600中之其他光學元件中之一或多者以一角度定位。

在一些實施例中，光學元件602至608在系統600中經由結構部件、夾片、夾具、螺釘、螺帽、螺栓、黏著劑及/或其他機械裝置相對於彼此而定位。在一些實施例中，第一光學元件602、第二光學元件604、第三光學元件606及/或第四光學元件608可相對於彼此移動。第一光學元件602、第二光學元件604及/或第三光學元件606之移動經組態以調整目標30上之照明之對應位點690至694的位置。在一些實施例中，例如，移動包含傾斜第一光學元件602、第二光學元件604及/或第三光學元件606。在一些實施例中，移動包含平移或以其他方式改變第一光學元件602、第二光學元件604、第三光學元件606及/或第四光學元件608中之一或多者之間的距離。涵蓋移動之其他實例。

換言之，對應於來自第一軸線651之照明的照明650之位點690包含同軸位點，且分別對應於來自第二軸線662及第三軸線672之照明的照明650之位點692及694包含離軸位點。同軸位點690及離軸位點692及/或694可相對於彼此移動。導引至目標30處之照明650之位點690至694經組態以基於第一、第二、第三及/或第四光學元件(例如元件602至608)之移動而相對於彼此移動。

在一些實施例中，光學元件602至608之移動可由處理器，諸如圖3中所展示(以及下文所論述之圖9中)之處理器PRO以電子方式控制。處理器PRO可包括於計算系統CS中(圖9)且可基於電腦或機器可讀指令MRI(例如，如下文關於圖9所描述)而操作。可藉由在獨立組件之間傳輸電子信號、在系統600之獨立組件之間傳輸資料、在獨立組件之間傳輸值及/或其他通信來發生電子通信。系統600之組件可經由導線通信或經由網路(諸如網際網路，或網際網路結合各種其他網路，如區域網路、蜂巢式網路或個人區域網路、內部組織網路及/或其他網路)無線地通信。

在一些實施例中，一或多個致動器(圖6中未展示)可耦接至且經組態以移動光學元件602至608中之一或多者。致動器可由黏著劑、夾片、夾具、螺絲、套環及/或其他機制耦接至一或多個光學元件602至608之一或多個邊緣。致動器可經組態以電子方式受控制。個別致動器可經組態以將電信號轉換成機械移位。機械移位經組態以移動光學元件602至608。作為一實例，致動器中之一或多者可為壓電的。一或多個處理器PRO可經組態以控制致動器。一或多個處理器PRO可經組態以個別地控制一或多個致動器中之各者。

圖7繪示各種不同照明位點配置702、704、706及708。在一些實施例中，諸如在配置702及704中，照明位點710、712及714線性地對準。在一些實施例中，諸如在配置706及708中，照明位點710、712及714以二維圖案配置。在圖7中，位點710包含同軸位點，且位點712及714包含離軸位點。配置702繪示位點712及714兩者可如何線性地位於位點710之一側上。配置704繪示位點712及714兩者可如何與位點710線性地定位，但在位點710之一側上具有位點714且在位點710之另一側上具有位點712。應注意，配置702及704繪示沿著如所繪示之x軸定位的位點710至714，但此可容易地改變，使得位點710至714沿著y軸或某一其他軸線定位。配置704亦可顛倒以使得位點712及714處於位點710之相對側上。配置706繪示在此實例中位點710至714可如何以彼此成直角配置於二維圖案中。配置708繪示可由位點710至714形成之另一可能二維圖案。涵蓋其他實例。

圖6中所展示之光學元件及圖7中所展示之照明位點之數量並不意欲為限制性的。可擴展本文中所描述之原理，使得在一些實施例中，系統600包含額外光學元件，該等光學元件經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至目標處之額外照明位點。此外，圖6繪示用於相位強度量測之不同繞射階675。可形成相似於及/或與上文所描述之組件(例如，系統600之組件)相同的組件之相似配置以用於度量衡系統(例如，圖3中所展示之系統10)之偵測軸線。該等組件可經組態使得偵測軸線輻射經組態以用多個光學元件分裂。

圖8繪示用於產生經組態以導引至目標處之照明位點的方法800。在一些實施例中，方法800作為例如半導體裝置製造製程中之對準感測操作的部分而執行。在一些實施例中，方法800之一或多個操作可實施於圖6中所繪示之系統600及/或圖3中所繪示之系統10、電腦系統(例如，如圖9中所繪示及下文所描述)及/或其他系統中，或由該等系統實施。在一些實施例中，方法800包含藉由第一光學元件沿著第一軸線接收(操作802)來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分；藉由第二光學元件接收(操作804)反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分；藉由第三光學元件沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收並完全反射(操作806)照明之第四部分，照明之第四部分由第二光學元件透射；藉由第四光學元件在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射(操作808)沿著第一軸線、第二軸線及第三軸線接收之照明；及藉由透鏡接收(操作810)由光學元件形成之照明光束且將照明位點聚焦於目標上。照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生三個不同照明位點。

方法800之操作意欲為說明性的。在一些實施例中，方法800可用未描述之一或多個額外操作及/或不用所論述之一或多個操作來實現。舉例而言，在一些實施例中，方法800可包括額外操作，該額外操作包含判定半導體裝置製造製程之調整。此外，在圖8中繪示且在本文中描述的方法800之操作的次序並不意欲為限制性的。

在一些實施例中，方法800之一或多個部分可實施於一或多個處理裝置(例如，數位處理器、類比處理器、經設計以處理資訊之數位電路、經設計以處理資訊之類比電路、狀態機及/或用於以電子方式處理資訊之其他機制)中及/或由該一或多個處理裝置控制。一或多個處理裝置可包括回應於以電子方式儲存於電子儲存媒體上之指令而執行方法800之操作中之一些或全部的一或多個裝置。一或多個處理裝置可包括一或多個裝置，該一或多個裝置經由經特定設計以用於執行方法800之操作中之一或多者(例如，參見下文關於圖9之論述)的硬體、韌體及/或軟體而組態。

在操作802處，第一光學元件沿著第一軸線接收來自照明源之照明。第一光學元件反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分。在一些實施例中，第一光學元件與圖6中所展示及上文所描述之元件602相同或類似。在一些實施例中，操作802包含提供照明源(例如，圖3中所展示之源2)。照明源包含經組態以沿著第一軸線產生照明的單源。

在操作804處，第二光學元件接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分。在一些實施例中，第二光學元件與圖6中所展示及上文所描述之元件604相同或類似。

在操作806處，第三光學元件沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收且完全反射照明之第四部分。照明之第四部分係由第二光學元件透射。在一些實施例中，第三光學元件與圖6中所展示及上文所描述之元件606相同或類似。

在操作808處，第四光學元件在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射沿著第一軸線、第二軸線及第三軸線接收之照明。在一些實施例中，第四光學元件包含位點鏡面立方體。在一些實施例中，第四光學元件與圖6中所展示及上文所描述之元件608相同或類似。

在操作810處，透鏡接收由光學元件形成之照明光束且將照明位點聚焦於目標上。在一些實施例中，透鏡與圖6中所展示及上文所描述之透鏡610相同或類似。照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生三個不同照明位點。對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。離軸位點經組態以減少或消除重影反射。

在一些實施例中，第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件可相對於彼此移動。第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件之移動經組態以調整目標上之對應照明位點的位置。在一些實施例中，移動包含使第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件傾斜；及/或改變第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件中之一或多者之間的距離。在一些實施例中，對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。同軸位點及離軸位點可相對於彼此移動。導引至目標處之照明位點經組態以基於第一光學元件、第二光學元件、第三光學元件及/或第四光學元件之移動而相對於彼此移動。

在一些實施例中，方法800包括藉由輻射來照明(及/或以其他方式輻照)圖案化基板中之目標(例如，圖3及圖6中所展示之目標30)。輻射包含分離成照明位點之光及/或其他輻射，如上文所描述。目標可包含圖案化基板中能夠提供繞射信號的一或多個結構。舉例而言，目標可包括於半導體裝置結構中之基板層中。在一些實施例中，特徵包含幾何特徵，諸如1D或2D特徵及/或其他幾何特徵。作為若干非限制性實例，特徵可包含光柵、線、邊緣、細節距系列之線及/或邊緣，及/或其他特徵。

輻射可具有目標波長及/或波長範圍、目標強度及/或其他特性。目標波長及/或波長範圍、目標強度等可由使用者鍵入及/或選擇，由系統(例如，圖3中所展示之系統10)基於先前對準量測判定，及/或以其他方式判定。在一些實施例中，輻射包含光及/或其他輻射。在一些實施例中，光包含可見光、紅外光、近紅外光及/或其他光。在一些實施例中，輻射可為適於干涉法之任何輻射。

輻射可由輻射源(例如，圖3中所展示及上文所描述之源2)產生。在一些實施例中，輻射可由輻射源以其他方式導引至目標、目標之子部分(例如，小於整體之某物)、多個目標及/或基板上。在一些實施例中，輻射可由輻射源以時變方式導引至目標上。舉例而言，可(例如，藉由在輻射下移動目標)在目標上光柵化輻射使得在不同時間輻照目標之不同部分。作為另一實例，輻射之特性(例如，波長、強度等)可變化。此可產生時變資料包絡或窗口以供分析。資料包絡可促進目標之個別子部分的分析、目標之一個部分與另一目標及/或其他目標的比較(例如，在其他層中)及/或其他分析。

在一些實施例中，方法800包含偵測來自目標之反射輻射。偵測反射輻射包含偵測來自目標之一或多個幾何特徵之反射輻射的一或多個相位及/或振幅(強度)移位。該一或多個相移及/或振幅移位對應於目標之一或多個維度。舉例而言，來自目標之一側的反射輻射之相位及/或振幅相對於來自目標之另一側的反射輻射之相位及/或振幅為不同的。

偵測來自目標之反射輻射的一或多個相位及/或振幅(強度)移位包含量測對應於目標之不同部分的局部相位移位(例如，局部相位增量)及/或振幅變化。舉例而言，來自目標之特定區域的反射輻射可包含具有某一相位及/或振幅的正弦波形。來自目標(或不同層中之目標)之不同區域的反射輻射亦可包含正弦波形，但具有不同相位及/或振幅。所偵測反射輻射亦包含量測不同繞射階之反射輻射中的相位及/或振幅差異。舉例而言，偵測一或多個局部相位及/或振幅移位可使用希伯特(Hilbert)變換及/或其他技術來執行。干涉量測技術及/或其他操作可用以量測不同繞射階之反射輻射中的相位及/或振幅差異。

在一些實施例中，方法800包含基於偵測到之來自目標的反射輻射而產生度量衡信號。度量衡信號係由感測器(諸如圖3中之偵測器4、攝影機及/或其他感測器)基於由感測器接收之光產生。度量衡信號包含關於目標的量測資訊。舉例而言，度量衡信號可為對準信號，該對準信號包含對準量測資訊及/或其他度量衡信號。可使用干涉量測法之原理及/或其他原理來判定量測資訊(例如，對準值及/或其他資訊)。

度量衡信號包含表示及/或以其他方式對應於自目標反射之輻射的電子信號。度量衡信號可指示與例如目標相關聯之對準值及/或其他資訊。產生度量衡信號包含感測反射輻射及將感測到之反射輻射轉換成電子信號。在一些實施例中，產生度量衡信號包含感測來自目標及/或多個目標之不同區域及/或不同幾何形狀的反射輻射之不同部分，且組合反射輻射之不同部分以形成度量衡信號。此感測及轉換可藉由類似於及/或與圖3中所展示之偵測器4及/或處理器PRO及/或其他組件相同的組件來執行。

在一些實施例中，方法800包含判定半導體裝置製造製程之調整。在一些實施例中，方法800包括判定一或多個半導體裝置製造製程參數。一或多個半導體裝置製造製程參數可基於一或多個偵測到之相位及/或振幅變化、由度量衡信號指示之對準值及/或其他類似系統及/或其他資訊而判定。一或多個參數可包括輻射(用於判定對準之輻射)、對準值、半導體裝置結構之層上的對準檢測位置、跨越目標之輻射光束軌跡的參數，及/或其他參數。在一些實施例中，製程參數可被廣泛地解釋為包括載物台位置、光罩設計、度量衡目標設計、半導體裝置設計、輻射之強度(用於曝光抗蝕劑等)、輻射之入射角(用於曝光抗蝕劑等)、輻射之波長(用於曝光抗蝕劑等)、光瞳大小及/或形狀、抗蝕劑材料及/或其他參數。

在一些實施例中，方法800包括基於一或多個所判定半導體裝置製造製程參數而判定製程調整，基於所判定調整及/或其他操作而調整半導體裝置製造設備。舉例而言，若所判定對準並不在製程容許度內，則超出容許度對準可由一或多個製造製程造成，其製程參數已漂移及/或以其他方式改變，使得製程不再產生可接受裝置(例如，對準量測可能違反可接受性之臨限值)。可基於對準判定而判定一或多個新的或經調整製程參數。該等新的或經調整製程參數可經組態以使得製造製程再次產生可接受裝置。

舉例而言，新的或經調整製程參數可使得先前不可接受對準值被調整回至可接受範圍中。可將該等新的或經調整製程參數與針對給定製程之現有參數進行比較。舉例而言，若存在差異，則彼差異可用於判定用以產生裝置之設備的調整(例如，應增加/減小/改變參數「x」以使得其匹配判定為方法800之部分的參數「x」之新的或經調整版本)。在一些實施例中，方法800可包括(例如，基於所判定製程參數)以電子方式調整設備。以電子方式調整設備可包括將例如造成設備中之一改變的電子信號及/或其他通信發送至該設備。電子調整可包括例如改變設備上之一設定及/或其他調整。

圖9為可用於本文中所描述之操作中之一或多者的實例電腦系統CS之圖。電腦系統CS包括用於傳達資訊之一匯流排BS或其他通信機制，以及與匯流排BS耦接以用於處理資訊之一處理器PRO(或類似於及/或與圖3中所展示之處理器PRO相同的多個處理器)。電腦系統CS亦包括耦接至匯流排BS以用於儲存待由處理器PRO執行之資訊及指令的主記憶體MM，諸如一隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體MM亦可用於在由處理器PRO執行指令期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統CS進一步包括耦接至匯流排BS以用於儲存用於處理器PRO之靜態資訊及指令的一唯讀記憶體(ROM) ROM或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之一儲存裝置SD，且將其耦接至匯流排BS以用於儲存資訊及指令。

電腦系統CS可經由匯流排BS耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之一顯示器DS，諸如一陰極射線管(CRT)，或平板或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之一輸入裝置ID耦接至匯流排BS以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器PRO。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器PRO且用於控制顯示器DS上之游標移動的游標控制件CC，諸如一滑鼠、一軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常具有在兩個軸線(第一軸(例如，x)及第二軸(例如，y))上之兩個自由度，從而允許該裝置指定一平面中之位置。一觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入裝置。

在一些實施例中，本文中所描述的一或多個操作中之全部或一些可由電腦系統CS回應於處理器PRO執行主記憶體MM中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行。可將此等指令自另一電腦可讀媒體，諸如儲存裝置SD讀取至主記憶體MM中。主記憶體MM中所包括之指令序列的執行使處理器PRO執行本文中所描述之製程步驟(操作)。呈多處理佈置之一或多個處理器亦可用於執行主記憶體MM中所含有之指令序列。在一些實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬佈線電路系統。因此，本文之描述不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」或「機器可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器PRO以供執行之任何媒體。此媒體可呈許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置SD。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體MM。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排BS之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體可為非暫時性的，例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣。非暫時性電腦可讀媒體可具有記錄於其上之指令。該等指令可在由電腦執行時實施本文中所描述之操作中之任一者。暫時性電腦可讀媒體可包括例如載波或其他傳播電磁信號。

在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器PRO以供執行時，可涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，可初始地將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線來發送指令。在電腦系統CS本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換為紅外線信號。耦接至匯流排BS之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排BS上。匯流排BS將資料攜載至主記憶體MM，處理器PRO自該主記憶體擷取且執行指令。由主記憶體MM接收到之指令可視情況在由處理器PRO執行之前或之後儲存於儲存裝置SD上。

電腦系統CS亦可包括耦接至匯流排BS之通信介面CI。通信介面CI提供與網路鏈路NDL之雙向資料通信耦接，該網路鏈路連接至區域網路LAN。舉例而言，通信介面CI可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面CI可為提供與相容LAN之資料通信連接的區域網路(LAN)卡。亦可實施無線鏈路。在任何此實施方案中，通信介面CI發送且接收攜載表示各種類型之資訊的數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。

網路鏈路NDL通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料裝置。舉例而言，網路鏈路NDL可經由區域網路LAN將連接提供至主電腦HC。此可包括經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」INT)而提供之資料通信服務。區域網路LAN (網際網路)可使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路資料鏈路NDL上且經由通信介面CI之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統CS且自該電腦系統攜載數位資料。

電腦系統CS可經由網路、網路資料鏈路NDL及通信介面CI發送訊息並接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，主機電腦HC可經由網際網路INT、網路資料鏈路NDL、區域網路LAN及通信介面CI傳輸用於應用程式之所請求程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供本文中所描述之方法中的全部或部分。所接收程式碼可在其被接收時由處理器PRO執行，及/或儲存於儲存裝置SD或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統CS可獲得呈載波形式之應用程式碼。

圖10示意性地描繪可與本文中所描述之技術結合使用的與圖1中所展示之設備相似及/或相同的例示性微影投影設備。設備1000包含：照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含：輻射源SO；第一物件台(例如，圖案化裝置台) MT，其具備用以固持圖案化裝置MA (例如，倍縮光罩)之圖案化裝置固持器且連接至用以準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM (與第一位置感測器PS1相關聯地工作)；第二物件台(基板台) WT，其具備用以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以準確地定位該基板之第二定位器PW (與第二位置感測器PS2相關聯地工作)；投影系統(「透鏡」)PS (例如折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化裝置MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

如本文中所描繪，設備屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化裝置)。然而，一般而言，該設備亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化裝置)。設備可採用與經典光罩種類不同之圖案化裝置；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。

源SO (例如，水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(LPP) EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地抑或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器) IL中。照明器IL可包含調整構件，以用於設定光束中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，其通常將包含各種其他組件，諸如積光器及聚光器。以此方式，照射於圖案化裝置MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

關於圖10應注意到，源SO可係在微影投影設備之外殼內(此常常為源SO為例如汞燈之狀況)，但亦可遠離微影投影設備，其產生之輻射光束導入至設備(例如，憑藉合適導向鏡面)；此後一情境常常為源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F ₂發出雷射)的狀況。

光束B隨後截取被固持於圖案化裝置台MT上之圖案化裝置MA。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，光束B穿過透鏡，該透鏡將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。類似地，例如在自圖案化裝置庫對圖案化裝置MA之機械擷取之後或在掃描期間，第一定位構件可用以相對於光束B之路徑來準確定位圖案化裝置MA。一般而言，將憑藉未明確描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化裝置台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。

所描繪工具(相似於或與圖1中所展示之工具相同)可在兩種不同模式中使用。在步進模式中，將圖案化裝置台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化裝置影像在一個操作中投影(亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。接著使基板台WT在x及/或y方向上移位，使得不同目標部分C可由光束B輻照。在掃描模式中，除單次「閃光」中不曝光給定目標部分C以外，基本上相同之情形適用。取而代之，圖案化裝置台MT可在給定方向(所謂「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得造成投影光束B遍及圖案化裝置影像進行掃描；同時發生地，基板台WT以速度V=Mv在相同或相對方向上同時地移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度之情況下曝光相對較大的目標部分C。

圖11更詳細地展示設備1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構且配置以使得可在源收集器模組SO之圍封結構220中維持真空環境。可藉由放電產生電漿源而形成發射EUV輻射之電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如，Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)產生EUV輻射，其中產生熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿的電子放電來產生電漿210。為了輻射之高效產生，可需要為例如10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。

由電漿210發射之輻射經由位於源腔室211中之開口中或後方的視情況存在之氣體障壁或污染物阱230 (在一些情況下亦稱為污染物障壁或箔阱)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物阱230可包括通道結構。污染物阱230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物阱230至少包括通道結構。

源腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側部251及下游輻射收集器側部252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF係輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，該等裝置經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束21之後，形成圖案化光束26，且由投影系統PS將圖案化光束26經由反射元件28、330而成像至由基板台WT固持之基板W上。

比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，光柵光譜濾光器240可視情況存在。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖11所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

如圖11中所繪示之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學件CO可與通常稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。

替代地，源收集器模組SO可為如圖12所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(xenon/Xe)、錫(tin/Sn)或鋰(lithium/Li)之燃料中，從而產生具有數十eV之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中的開口221上。

可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種用於產生經組態以導引至目標處之照明位點之系統，該系統包含：第一光學元件，其經組態以沿著第一軸線接收來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線且沿著第一軸線透射照明之第二部分；第二光學元件，其經組態以接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分；其中照明之第二部分及第三部分在光瞳平面中相對於彼此成角度而朝向目標導引，以在目標上產生兩個不同照明位點。 2. 如條項1之系統，其進一步包含：第三光學元件，其經組態以沿著第三軸線接收且完全反射照明之第四部分，第三軸線與第一軸線及第二軸線成不同角度，照明之第四部分由第二光學元件透射；其中照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引以在目標上產生三個不同照明位點。 3. 如前述條項中任一項之系統，其中對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。 4. 如前述條項中任一項之系統，其中離軸位點經組態以減少或消除重影反射。 5. 如前述條項中任一項之系統，其中第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件可相對於彼此移動。 6. 如前述條項中任一項之系統，其中第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件之移動經組態以調整目標上之對應照明位點的位置。 7. 如前述條項中任一項之系統，其中移動包含使第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件傾斜；及/或改變第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件中之一或多者之間的距離。 8. 如前述條項中任一項之系統，其中第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件各自包含位點鏡面。 9. 如前述條項中任一項之系統，其中第一光學元件為部分反射的，第二光學元件為至少部分反射的，且第三光學元件為完全反射的。 10. 如前述條項中任一項之系統，其進一步包含第四光學元件。 11. 如前述條項中任一項之系統，其中第四光學元件經組態以在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射沿著第一軸線接收之照明。 12. 如前述條項中任一項之系統，其中第四光學元件包含位點鏡面立方體。 13. 如前述條項中任一項之系統，其中對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點，且其中同軸位點及離軸位點可相對於彼此移動。 14. 如前述條項中任一項之系統，其中導引至目標處之照明位點經組態以基於第一光學元件、第二光學元件、第三光學元件及/或第四光學元件之移動而相對於彼此移動。 15. 如前述條項中任一項之系統，其中照明位點係線性地對準。 16. 如前述條項中任一項之系統，其中照明位點以二維圖案配置。 17. 如前述條項中任一項之系統，其進一步包含照明源，該照明源包含經組態以沿著第一軸線產生照明的單源。 18. 如前述條項中任一項之系統，其進一步包含透鏡，該透鏡經組態以接收由光學元件形成之照明光束且將照明位點聚焦於目標上。 19. 如前述條項中任一項之系統，其中第一、第二、第三及第四光學元件形成對準感測器之部分，且其中對準感測器為用於半導體製造製程中之晶圓對準感測器。 20. 如前述條項中任一項之系統，其進一步包含額外光學元件，該等額外光學元件經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至目標處之額外照明位點。 21. 一種用於產生經組態以導引至目標處之照明位點之方法，該方法包含：藉由第一光學元件沿著第一軸線接收來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分；及藉由第二光學元件接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分；其中照明之第二部分及第三部分在光瞳平面中相對於彼此成角度而朝向目標導引，以在目標上產生兩個不同照明位點。 22. 如條項21之方法，其進一步包含：藉由第三光學元件沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收且完全反射照明之第四部分，照明之第四部分係由第二光學元件透射；其中照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生三個不同照明位點。 23. 如前述條項中任一項之方法，其中對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。 24. 如前述條項中任一項之方法，其中離軸位點經組態以減少或消除重影反射。 25. 如前述條項中任一項之方法，其中第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件可相對於彼此移動。 26. 如前述條項中任一項之方法，其中第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件之移動經組態以調整目標上之對應照明位點的位置。 27. 如前述條項中任一項之方法，其中移動包含：傾斜第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件；及/或改變第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件中之一或多者之間的距離。 28. 如前述條項中任一項之方法，其中第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件各自包含位點鏡面。 29. 如前述條項中任一項之方法，其中第一光學元件為部分反射的，第二光學元件為至少部分反射的，且第三光學元件為完全反射的。 30. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含提供第四光學元件。 31. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含藉由第四光學元件在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射沿著第一軸線接收之照明。 32. 如前述條項中任一項之方法，其中第四光學元件包含位點鏡面立方體。 33. 如前述條項中任一項之方法，其中對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點，且其中同軸位點及離軸位點可相對於彼此移動。 34. 如前述條項中任一項之方法，其中導引至目標處之照明位點經組態以基於第一光學元件、第二光學元件、第三光學元件及/或第四光學元件之移動而相對於彼此移動。 35. 如前述條項中任一項之方法，其中照明位點係線性地對準。 36. 如前述條項中任一項之方法，其中照明位點以二維圖案配置。 37. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含提供照明源，該照明源包含經組態以沿著第一軸線產生照明的單源。 38. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含提供透鏡，該透鏡經組態以接收由光學元件形成之照明光束且將照明位點聚焦於目標上。 39. 如前述條項中任一項之方法，其中第一、第二、第三及第四光學元件形成對準感測器之部分，且其中該對準感測器為用於半導體製造製程中之晶圓對準感測器。 40. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含提供額外光學元件，其經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至目標處之額外照明位點。 41. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其上具有指令，該等指令在由一電腦執行時引起包含以下各者之操作：藉由第一光學元件沿著第一軸線接收來自照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線且沿著第一軸線透射照明之第二部分；藉由第二光學元件接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分；其中照明之第二部分及第三部分在光瞳平面中相對於彼此成角度而朝向目標導引，以在目標上產生兩個不同照明位點。 42. 如條項41之媒體，該等操作進一步包含：藉由第三光學元件沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收且完全反射照明之第四部分，照明之第四部分係由第二光學元件透射；其中照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生三個不同照明位點。 43. 如前述條項中任一項之媒體，其中對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。 44. 如前述條項中任一項之媒體，其中離軸位點經組態以減少或消除重影反射。 45. 如前述條項中任一項之媒體，其中第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件可相對於彼此移動。 46. 如前述條項中任一項之媒體，其中第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件之移動經組態以調整目標上之對應照明位點的位置。 47. 如前述條項中任一項之媒體，其中移動包含傾斜第一光學元件、第二光學元件及/或第三光學元件；及/或改變第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件中之一或多者之間的距離。 48. 如前述條項中任一項之媒體，其中第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件各自包含位點鏡面。 49. 如前述條項中任一項之媒體，其中第一光學元件為部分反射的，第二光學元件為至少部分反射的，且第三光學元件為完全反射的。 50. 如前述條項中任一項之媒體，該等操作進一步包含控制第四光學元件。 51. 如前述條項中任一項之媒體，該等操作進一步包含藉由第四光學元件在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射沿著第一軸線接收之照明。 52. 如前述條項中任一項之媒體，其中第四光學元件包含位點鏡面立方體。 53. 如前述條項中任一項之媒體，其中對應於來自第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點，且對應於來自第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點，且其中同軸位點及離軸位點可相對於彼此移動。 54. 如前述條項中任一項之媒體，其中導引至目標處之照明位點經組態以基於第一光學元件、第二光學元件、第三光學元件及/或第四光學元件之移動而相對於彼此移動。 55. 如前述條項中任一項之媒體，其中照明位點係線性地對準。 56. 如前述條項中任一項之媒體，其中照明位點以二維圖案配置。 57. 如前述條項中任一項之媒體，該等操作進一步包含控制照明源，該照明源包含經組態以沿著第一軸線產生照明的單源。 58. 如前述條項中任一項之媒體，該等操作進一步包含控制透鏡，該透鏡經組態以接收由光學元件形成之照明光束且將照明位點聚焦於目標上。 59. 如前述條項中任一項之媒體，其中第一、第二、第三及第四光學元件形成對準感測器之部分，且其中該對準感測器為用於半導體製造製程中之晶圓對準感測器。 60. 如前述條項中任一項之媒體，該等操作進一步包含控制額外光學元件，該等額外光學元件經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至目標處之額外照明位點。 61. 一種用於產生照明位點之系統，該等照明位點經組態以導引至在用於半導體製造製程中之晶圓對準感測器的目標處，該系統經組態以產生來自單照明源之多個照明位點，該系統經組態以減少或消除在其他晶圓對準感測器中常常普遍存在的重影反射，該系統包含：單照明源；第一位點鏡面，其包括於第一玻璃板中，該第一位點鏡面經組態以沿著第一軸線接收來自單照明源之照明，反射照明之第一部分遠離第一軸線，且沿著第一軸線透射照明之第二部分；第二位點鏡面，其包括於第二玻璃板中，該第二位點鏡面經組態以接收反射照明之第一部分且沿著與第一軸線成不同角度之第二軸線至少部分地反射照明之第三部分；及第三位點鏡面，其包括於第三玻璃板中，該第三位點鏡面經組態以沿著與第一軸線及第二軸線成不同角度之第三軸線接收且完全反射照明之第四部分，照明之第四部分係由第二位點鏡面透射，其中照明之第二部分、第三部分及第四部分在光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向目標導引，以在目標上產生對應於第一軸線、第二軸線及第三軸線上之照明的三個不同照明位點。 62. 如前述條項中任一項之系統，其中第一位點鏡面為部分反射的，第二位點鏡面為至少部分反射的，且第三位點鏡面為完全反射的。 63. 如前述條項中任一項之系統，其中第一玻璃板、第二玻璃板及第三玻璃板可相對於彼此移動；其中該第一玻璃板、該第二玻璃板及/或該第三玻璃板之移動經組態以調整目標上之照明位點的位置；且其中對應於沿著第一軸線之照明的照明位點包含同軸位點且對應於沿著第二軸線及第三軸線之照明的照明位點包含離軸位點。 64. 如前述條項中任一項之系統，其中第三位點鏡面經組態以在實質上垂直於第一軸線之柱狀方向上反射沿著第一軸線及第二軸線接收之照明。 65. 如前述條項中任一項之系統，其進一步包含偵測軸線，其中該偵測軸線經組態以藉由多個光學元件分裂。 66. 如前述條項中任一項之系統，其進一步包含額外光學元件，該等額外光學元件經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至目標處之額外照明位點。

本文中所揭示之概念可與用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統相關聯，且可尤其對能夠產生愈來愈短的波長之新興成像技術有用。已在使用中之新興技術包括極紫外線(EUV)、DUV微影，其能夠藉由使用ArF雷射來產生193 nm之波長，且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157 nm之波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由用高能電子撞擊材料(固體或電漿中任一者)來產生在20 nm至5 nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在不同於矽晶圓的基板上成像的微影成像系統。此外，所揭示元件之組合及子組合可包含單獨實施例。

以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述的那樣進行修改。

2:照明源 4:光譜儀偵測器 10:檢測系統 21:輻射光束 22:琢面化場鏡面裝置 24:琢面化光瞳鏡面裝置 26:圖案化光束 28:反射元件 30:目標(部分) 210:發射EUV輻射之電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 220:圍封結構 221:開口 230:污染物阱 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側部 252:下游輻射收集器側部 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 330:反射元件 600:系統 602:第一光學元件 603:位點鏡面 604:第二光學元件 605:位點鏡面 606:第三光學元件 607:位點鏡面 608:第四光學元件 609:位點鏡面 610:透鏡 620:光學透明板 622:光學透明板 624:光學透明板 650:照明 651:第一軸線 652:照明之第一部分 654:照明之第二部分 660:照明之第三部分 662:第二軸線 670:照明之第四部分 672:第三軸線 675:繞射階 680:導引 685:光束 687:聚焦 690:同軸位點 692:離軸位點 694:離軸位點 702:照明位點配置 704:照明位點配置 706:照明位點配置 708:照明位點配置 710:照明位點 712:照明位點 714:照明位點 800:方法 802:操作 804:操作 806:操作 808:操作 810:操作 1000:設備 AD:調整器 AS:對準感測器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 BS:匯流排 C:目標部分 CC:游標控制件 CH:冷卻板 CI:通信介面 CO:聚光器/輻射收集器/近正入射收集器光學件 CS:計算系統/電腦系統 DS:顯示器 HC:主機電腦 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 ID:輸入裝置 IF:中間焦點/虛擬源點 IL:照明系統(照明器)/照明光學件單元 IN:積光器 INT:網際網路 LA:微影設備/雷射 LACU:微影控制單元 LAN:區域網路 LB:裝載匣 LC:微影製造單元 LS:位階感測器 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MM:主記憶體 MT:支撐結構/第一物件台/圖案化裝置台 NDL:網路資料鏈路 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PRO:處理器 PS:投影系統 PL:透鏡 PS1:第一位置感測器 PS2:第二位置感測器 PW:第二定位器 RF:參考框架 RO:機器人 ROM:唯讀記憶體 S:輻射照明位點 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SD:儲存裝置 SO:輻射源/源收集器模組 TCU:塗佈顯影系統控制單元 W:基板 WT:基板台/物件台 WTa:基板台 WTb:基板台

對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖而檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣以及其他態樣及特徵就將變得顯而易見。

圖1示意性地描繪根據一實施例之微影設備。

圖2示意性地描繪根據一實施例的微影製造單元或叢集之實施例。

圖3示意性地描繪根據一實施例之實例檢測系統。

圖4示意性地描繪根據一實施例之實例度量衡技術。

圖5繪示根據一實施例的檢測系統之輻射照明位點與度量衡目標之間的關係。

圖6繪示根據一實施例的用於產生經組態以導引至目標處之照明位點的系統。

圖7繪示根據實施例之各種不同照明位點配置。

圖8繪示根據一實施例的產生經組態以導引至目標處之照明位點的方法。

圖9為根據一實施例之實例電腦系統的方塊圖。

圖10為根據一實施例之類似於圖1之微影投影設備的示意圖。

圖11為根據一實施例的圖10中之設備的更詳細視圖。

圖12為根據一實施例的圖10及圖11之設備之源收集器模組的更詳細視圖。

2:照明源

4:光譜儀偵測器

10:檢測系統

30:目標(部分)

PRO:處理器

W:基板

Claims

一種用於產生經組態以導引至一目標處之照明位點之系統，該系統包含：一第一光學元件，其經組態以沿著一第一軸線接收來自一照明源之照明，反射該照明之一第一部分遠離該第一軸線且沿著該第一軸線透射該照明之一第二部分；及一第二光學元件，其經組態以接收該反射照明之該第一部分且沿著與該第一軸線成一不同角度之一第二軸線至少部分地反射該照明之一第三部分；其中該照明之該第二部分及該第三部分在一光瞳平面中相對於彼此成一角度而朝向該目標導引，以在該目標上產生兩個不同照明位點。
如請求項1之系統，其進一步包含：一第三光學元件，其經組態以沿著與該第一軸線及該第二軸線成一不同角度之一第三軸線接收且完全反射該照明之一第四部分，該照明之該第四部分係由該第二光學元件透射；其中該照明之該第二部分、該第三部分及該第四部分在該光瞳平面中相對於彼此成不同角度而朝向該目標導引，以在該目標上產生三個不同照明位點。
如請求項2之系統，其中對應於來自該第一軸線之該照明的一照明位點包含一同軸位點，且對應於來自該第二軸線及第三軸線之該照明的一照明位點包含離軸位點。
如請求項3之系統，其中一離軸位點經組態以減少或消除重影反射。
如請求項2至4中任一項之系統，其中該第一光學元件、該第二光學元件及該第三光學元件可相對於彼此移動。
如請求項5之系統，其中該第一光學元件、該第二光學元件及/或該第三光學元件之移動經組態以調整該目標上之對應照明位點的位置。
如請求項5之系統，其中移動包含傾斜該第一光學元件、該第二光學元件及/或該第三光學元件；及/或改變該第一光學元件、該第二光學元件及該第三光學元件中之一或多者之間的一距離。
如請求項1至4中任一項之系統，其中該第一光學元件、該第二光學元件及該第三光學元件各自包含一位點鏡面。
如請求項8之系統，其中該第一光學元件為部分反射的，該第二光學元件為至少部分反射的，且該第三光學元件為完全反射的。
如請求項1至4中任一項之系統，其進一步包含一第四光學元件。
如請求項10之系統，其中該第四光學元件經組態以在實質上垂直於該第一軸線之一柱狀方向上反射沿著該第一軸線接收之該照明。
如請求項10之系統，其中該第四光學元件包含一位點鏡面立方體。
如請求項2至4中任一項之系統，其中對應於來自該第一軸線之該照明的一照明位點包含一同軸位點，且對應於來自該第二軸線及第三軸線之該照明的一照明位點包含離軸位點，且其中該同軸位點及該等離軸位點可相對於彼此移動。
如請求項13之系統，其中導引至該目標處之該等照明位點經組態以基於該第一、第二、第三及/或第四光學元件之移動而相對於彼此移動。
如請求項1至4中任一項之系統，其中該等照明位點係線性地對準。
如請求項1至4中任一項之系統，其中該等照明位點以一二維圖案配置。
如請求項1至4中任一項之系統，其進一步包含該照明源，該照明源包含經組態以沿著該第一軸線產生該照明之一單源。
如請求項1至4中任一項之系統，其進一步包含一透鏡，該透鏡經組態以接收由該等光學元件形成之照明光束且將該等照明位點聚焦於該目標上。
如請求項10之系統，其中該第一、第二、第三及第四光學元件形成一對準感測器之一部分，且其中該對準感測器為用於一半導體製造製程中之一晶圓對準感測器。
如請求項1至4中任一項之系統，其進一步包含額外光學元件，該等額外光學元件經組態以接收由先前光學元件透射之反射照明，且經組態以沿著額外軸線至少部分地反射所接收照明以產生導引至該目標處之額外照明位點。