TW202349141A - 檢測設備、線性可移動之光束位移器及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種檢測設備，其包括一輻射源、一光學系統及一偵測器。該輻射源經組態以產生一輻射光束。該光學系統經組態以沿著一光軸接收該光束且朝向一目標引導該光束以便自該目標產生散射輻射。該光學系統包括一光束位移器。該光束位移器包括兩個或更多個反射表面。該光束位移器經組態以沿著該光軸接收該光束，執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移，在至少一第一維度上線性地移動以移位該位移的光軸，及保留該光束之一光學屬性使得該光學屬性對該線性移動為不變的。該偵測器經組態以接收該散射輻射且基於該散射輻射產生一量測信號。

Description

檢測設備、線性可移動之光束位移器及方法
本發明係關於引導輻射光束，例如用於調整光束的光軸同時維持光束之光學屬性以結合檢測工具及微影工具使用之裝置。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱為遮罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照各目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時同步地掃描與此掃描方向平行或反平行之目標部分來輻照各目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化裝置轉印至基板。
在微影操作期間，不同處理步驟可要求不同層依序地形成於基板上。因此，可有必要以高準確度相對於形成於基板上之先前圖案來定位該基板。一般而言，將對準標記置放於待對準之基板上且參考第二物件來定位對準標記。微影設備可使用對準設備以用於偵測對準標記之位置且用於使用對準標記對準基板從而確保自遮罩之準確曝光。將兩個不同層處之對準標記之間的未對準量測為疊對誤差。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在微影程序中形成之顯微結構之量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。快速且非侵入性形式之特殊化檢測工具為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上的目標上，且量測散射光束或反射光束之屬性。藉由將光束在其已由基板反射或散射之前與之後的屬性進行比較，可判定基板之屬性。舉例而言，可藉由將反射光束與儲存於與已知基板屬性相關聯之已知量測庫中的資料進行比較來進行此判定。
此類光學散射計可用於量測參數，諸如經顯影感光性抗蝕劑之關鍵尺寸或在形成於經圖案化基板中或上之兩個層之間的疊對誤差(OV)。可藉由將照明光束在已由基板反射或散射之前及之後的屬性進行比較來判定基板之屬性。
因此，需要改良允許多個檢測目標之並行量測之設計改良型光學系統。
在一些實施例中，一種檢測設備包含一輻射源、一光學系統及一偵測器。該輻射源經組態以產生一輻射光束。該光學系統經組態以沿著一光軸接收該光束且朝向一目標引導該光束以便自該目標產生散射輻射。該光學系統包含一光束位移器。該光束位移器包含兩個或更多個反射表面。該光束位移器經組態以沿著該光軸接收該光束，執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移，在至少一第一維度上線性地移動以移位該位移的光軸，及保留該光束之一光學屬性使得該光學屬性對該線性移動為不變的。該偵測器經組態以接收該散射輻射且基於該散射輻射產生一量測信號。
在一些實施例中，一光學元件包含至少兩個反射表面。該等反射表面相對於彼此經組態以沿著一光軸接收一輻射光束。執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移。該光學元件在至少一第一維度上線性地移動以移位該位移的光軸。該光束之一光學屬性經保留使得該光學屬性對該線性移動為不變的。
在一些實施例中，執行包含以下操作中之一或多者的方法。在一光束位移器處沿著一光軸接收一輻射光束。使用該光束位移器之兩個或更多個反射表面執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移。在至少一維度上使該光束位移器線性地移動以移位該位移的光軸。保留該光束之一光學屬性使得該光束沿著經偏轉光軸之該光學屬性對該線性移動為不變的。沿著該經偏轉光軸朝向一目標引導該光束以便自該目標產生散射輻射。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例提供為實例。本發明之範疇不限於所揭示之實施例。所主張之特徵由此處隨附之申請專利範圍界定。
所描述實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此類片語未必係指相同實施例。此外，當結合一實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，結合無論是否予以明確描述之其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆在熟習此項技術者之知識範圍內。
為易於描述，本文中可使用諸如「在...之下」、「在...下方」、「下部」、「在...上方」、「在上」、「上部」及類似者的空間相對術語描述如諸圖中所說明的一個元件或特徵相對於另一元件或特徵的關係。除了圖式中所描繪的定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解釋。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定量的值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定量之值。
本發明之實施例可實施於硬體、韌體、軟體或其任何組合中。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於以可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式儲存或傳輸資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅係出於方便起見，且此類動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。
然而，在更詳細地描述此類實施例之前，有指導性的係呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別展示其中可實施本發明之實施例的微影設備100及微影設備100'之示意性說明。微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外或極紫外輻射)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，遮罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒) C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射性的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS為透射性的。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置MA是否固持在真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可視需要為固定的或可移動的。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
應將術語「圖案化裝置」廣泛地解釋為係指可用於在輻射光束B之橫截面中賦予輻射光束B圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案之任何裝置。賦予至輻射光束B之圖案可對應於在目標部分C中形成以形成積體電路之裝置中的特定功能層。
術語「檢測設備」、「度量衡系統」或類似者可在本文中用以指例如用於量測結構之屬性(例如，疊對誤差、關鍵尺寸參數)或用於微影設備中以檢測晶圓之對準的裝置或系統(例如，對準設備)。
圖案化裝置MA可為透射性的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射性的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、遮罩、可程式化鏡面陣列或可程式化LCD面板。遮罩在微影中為熟知的，且包括諸如二元、交替相移或衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。真空環境可用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個基板台WT (及/或兩個或更多個遮罩台)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情況下，額外台可不為基板台WT。
微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如遮罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中已為吾人所熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射器時，源SO及微影設備100、100'可為單獨的物理實體。在此類情況下，不認為源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B藉助於包括例如合適之引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖1B中)自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當源SO為汞燈時，源SO可為微影設備100、100'之整體部分。源SO及照明器IL以及光束遞送系統BD (在需要時)可稱為輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD (在圖1B中)。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱為「σ外部」及「σ內部」)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用於調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均勻性及強度分佈。
參考圖1A，輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且由圖案化裝置MA圖案化。在微影設備100中，輻射光束B自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，其將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用於相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA與基板W。
參考圖1B，輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，遮罩台MT)上之圖案化裝置(例如，遮罩MA)上，且由圖案化裝置圖案化。在已橫穿遮罩MA的情況下，輻射光束B穿過將該光束聚焦至基板W之目標部分C上的投影系統PS。投影系統具有至照明系統光瞳IPU之光瞳共軛PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受到遮罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。
投影系統PS將遮罩圖案MP之影像投影至塗佈於基板W上之光阻層上，其中影像係由來自強度分佈之輻射自標記圖案MP產生之繞射光束形成。舉例而言，遮罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在陣列處且不同於零階繞射之輻射繞射產生轉向之繞射光束，其在垂直於線的方向上具有方向改變。非繞射光束(亦即，所謂零階繞射光束)橫穿圖案，而不具有傳播方向之任何變化。零階繞射光束橫穿在投影系統PS之光瞳共軛PPU上游的投影系統PS之上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛PPU。在光瞳共軛PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之影像。孔徑裝置PD例如安置在包括投影系統PS之光瞳共軛PPU之平面處或實質上在該平面處。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組L不僅捕捉零階繞射光束，且亦捕捉一階或一階及更高階繞射光束(未展示)。在一些實施例中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在晶圓W之層級處干涉對應的零階繞射光束，以在最高可能解析度及製程窗(亦即，與容許曝光劑量偏差組合之可用聚焦深度)處產生線圖案MP之影像。在一些實施例中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(未展示)來減小散光像差。另外，在一些實施例中，可藉由阻擋投影系統之光瞳共軛PPU中之與相對象限中之輻射極相關聯的零階光束來減小散光像差。以全文引用之方式併入本文中的於2009年3月31日發佈之US 7,511,799 B2中更詳細地描述此情形。
藉助於第二定位器PW及位置感測器IFD (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用於相對於輻射光束B之路徑來準確地定位遮罩MA (例如，在自遮罩庫機械擷取之後或在掃描期間)。
一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現遮罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，遮罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準遮罩MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒設置於遮罩MA上之情況中，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。
遮罩台MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用於將諸如遮罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。替代地，當遮罩台MT及圖案化裝置MA在真空腔室外時，類似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。需要校準真空內及真空外機器人以用於將任何有效負載(例如，遮罩)平滑地轉移至轉移站之固定運動安裝台。
微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式中，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。隨後使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式中，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台) MT之速度及方向。
3. 在另一模式中，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，支撐結構(例如，遮罩台) MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。可採用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，一可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
亦可採用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在另一實施例中，微影設備100包括一極紫外線(EUV)源，其經組態以產生用於EUV微影之一EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於一輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影設備100，其包括源收集器設備SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器設備SO經建構且經配置以使得可將真空環境維持於源收集器設備SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成一EUV輻射發射電漿210。可藉由一氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由例如造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為有效產生輻射，可能需要例如10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適合的氣體或蒸汽。在一些實施例中，提供經激發錫(Sn)之一電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射經由位於一源腔室211中之一開口中或後方之視情況存在之氣體障壁或污染物截留器230 (在一些情況下，亦稱為污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至一收集器腔室212中。污染物截留器230可包括一通道結構。污染物截留器230亦可包括一氣體障壁或一氣體障壁與一通道結構之一組合。本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括一通道結構。
收集器腔室212可包括輻射收集器CO，其可為所謂掠入射收集器。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵濾光片240反射以聚焦於虛擬源點INTF中。虛擬源點INTF通常稱為中間焦點，且源收集器設備經配置以使得中間焦點INTF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點INTF為輻射發射電漿210之影像。光柵濾光片240尤其用於抑制紅外(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，其可包括琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224，該琢面化場鏡面裝置222及該琢面化光瞳鏡面裝置224經配置以在圖案化裝置MA處提供輻射光束221之所要角分佈，以及在圖案化裝置MA處提供輻射強度之所要均勻性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束221後，形成經圖案化光束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將經圖案化光束226成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件多的元件通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，可視情況存在光柵濾光片240。另外，可存在比圖2中所展示之鏡面更多之鏡面，例如在投影系統PS中可存在比圖2中所展示之反射元件多一至六個額外反射元件。
如圖2中所說明之收集器光學器件CO描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之一實例。掠入射反射器253、254及255安置為圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學器件CO較佳地與放電產生電漿源(常常稱為DPP源)組合使用。
例示性微影單元
圖3展示根據一些實施例之微影單元300，其有時亦稱為微影單元(lithocell)或叢集。微影設備100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括用於在基板上執行曝光前製程及曝光後製程之一或多個設備。習知地，此等設備包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備100或100'之裝載區LB。此等裝置(常常統稱為塗佈顯影系統)係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元TCU自身由監督控制系統SCS控制，該監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出量及處理效率。
例示性檢測設備
為了控制微影程序將裝置特徵準確地置放於基板上，通常在基板上提供對準標記，且微影設備包括用於將標記準確地定位於基板上之一或多個檢測設備。此等對準設備實際上為位置量測設備。不同類型之標記及不同類型之對準設備及/或系統係自不同時間及不同製造商為吾人所知。廣泛用於當前微影設備中的系統之類型係基於如美國專利第6,961,116號(den Boef等人)中所描述之自參考干涉計。通常，分別量測標記以獲得X位置及Y位置。然而，可使用美國公開案第2009/195768 A號(Bijnen等人)中所描述之技術來執行組合之X量測及Y量測。此等揭示案兩者之全部內容係以引用方式併入本文中。
圖4A展示根據一些實施例之可實施為微影設備100或100'的一部分之檢測設備400之橫截面圖的示意圖。在一些實施例中，檢測設備400可經組態以相對於圖案化裝置(例如，圖案化裝置MA)對準基板(例如，基板W)。檢測設備400可進一步經組態以偵測基板上之對準標記的位置，且使用對準標記之所偵測位置相對於圖案化裝置或微影設備100或100'之其他組件對準基板。基板之此對準可確保基板上之一或多個圖案的精確曝光。
在一些實施例中，檢測設備400可包括照明系統412、光束分光器414、干涉計426、偵測器428、光束分析器430及疊對計算處理器432。照明系統412可經組態以提供具有一或多個通帶之電磁窄帶輻射光束413。在實例中，一或多個通帶可在約500 nm至約900 nm之間的波長之光譜內。在另一實例中，一或多個通帶可為在約500 nm至約900 nm之間的波長之光譜內的離散窄通帶。照明系統412可進一步經組態以提供在長時間段內(例如，在照明系統412之壽命內)具有實質上恆定的中心波長(CWL)值之一或多個通帶。照明系統412之此組態可有助於防止實際CWL值在當前對準系統中自所要CWL值移位，如上文所論述。且因此，恆定CWL值之使用可相較於當前對準設備改良對準系統(例如，檢測設備400)之長期穩定性及準確度。
在一些實施例中，光束分光器414可經組態以接收輻射光束413，且將輻射光束413分裂成至少兩個輻射子光束。舉例而言，輻射光束413可分裂成輻射子光束415及417，如圖4A中所展示。光束分光器414可進一步經組態以將輻射子光束415引導至置放於載物台422上之基板420上。在一個實例中，載物台422可沿著方向424移動。輻射子光束415可經組態以照明位於基板420上之對準標記或目標418。對準標記或目標418可塗佈有輻射敏感膜。在一些實施例中，對準標記或目標418可具有一百八十度(亦即，180°)對稱性。亦即，當使對準標記或目標418圍繞垂直於對準標記或目標418之平面的對稱軸旋轉180°時，經旋轉對準標記或目標418可實質上等同於未經旋轉對準標記或目標418。基板420上之目標418可為：(a)包含由固體抗蝕劑線形成之條狀物的抗蝕劑層光柵，或(b)產品層光柵，或(c)包含疊對或交錯於產品層光柵上之抗蝕劑光柵的疊對目標結構中之複合光柵堆疊。條狀物可替代地經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影設備(特別是投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。用於裝置製造中以量測線寬、間距及關鍵尺寸的一種沿線方法利用稱為「散射量測」之技術。散射量測之方法描述於Raymond等人之「Multiparameter Grating Metrology Using Optical Scatterometry」(J. Vac. Sci. Tech. B，第15卷，第2期，第361至368頁(1997年))及Niu等人之「Specular Spectroscopic Scatterometry in DUV Lithography」(SPIE，第3677卷(1999年))中，該兩者以引用方式併入本文中。在散射量測中，光由目標中之週期性結構反射，且偵測處於給定角度之所得反射光譜。例如使用嚴密耦合波分析(RCWA)或藉由與藉由模擬導出之圖案庫進行比較來重建構產生反射光譜之結構。因此，經印刷光柵之散射量測資料用於重建構光柵。根據對印刷步驟及/或其他散射量測程序之知識，可將光柵之參數(諸如，線寬及形狀)輸入至由處理單元PU執行之重建構程序。
在一些實施例中，根據實施例，光束分光器414可進一步經組態以接收繞射輻射光束419且將繞射輻射光束419分裂成至少兩個輻射子光束。繞射輻射光束419可分裂成繞射輻射子光束429及439，如圖4A中所展示。
應注意，儘管光束分光器414展示為朝向對準標記或目標418引導輻射子光束415且朝向干涉計426引導繞射輻射子光束429，但本發明不限於此。熟習相關技術者將顯而易見，可使用其他光學配置來獲得照明基板420上之對準標記或目標418以及偵測對準標記或目標418之影像的類似結果。
如圖4A中所說明，干涉計426可經組態以經由光束分光器414接收輻射子光束417及繞射輻射子光束429。在實例實施例中，繞射輻射子光束429可為可自對準標記或目標418反射之輻射子光束415的至少一部分。在此實施例之一實例中，干涉計426包含任何適當的光學元件集合，例如可經組態以基於所接收之繞射輻射子光束429形成對準標記或目標418之兩個影像的稜鏡之組合。應瞭解，不必形成良好品質影像，但應解析對準標記418之特徵。干涉計426可進一步經組態以將兩個影像中之一者相對於兩個影像中之另一者旋轉180°且干涉地重組旋轉影像及未旋轉影像。
在一些實施例中，偵測器428可經組態以經由干涉計信號427接收經重組影像，且當檢測設備400之對準軸421穿過對準標記或目標418之對稱中心(未展示)時偵測由經重組影像引起的干涉。根據實例實施例，此干涉可歸因於對準標記或目標418成180°對稱，且經重組影像建設性地或破壞性地進行干涉。基於偵測到的干涉，偵測器428可進一步經組態以判定對準標記或目標418之對稱中心的位置，且因此偵測基板420之位置。根據實例，對準軸421可與垂直於基板420之光學光束對準且穿過影像旋轉干涉計426之中心。偵測器428可進一步經組態以藉由實施感測器特性且與晶圓標記程序變化相互作用而估計對準標記或目標418之位置。
在另一實施例中，偵測器428藉由執行以下量測中之一或多者判定對準標記或目標418之對稱中心的位置： 1.量測針對各種波長之位置變化(多個顏色之間的位置移位)； 2.量測針對各個階之位置變化(繞射階之間的位置移位)；及 3.量測針對各種偏振之位置變化(多個偏振之間的位置移位)。
可例如藉由任何類型之對準感測器來獲得此資料，例如如美國專利第6,961,116號中所描述之智慧型對準感測器混合式(SMASH)感測器，其採用具有單一偵測器及四個不同波長之自參考干涉計，且在軟體中提取對準信號，或如美國專利第6,297,876號中所描述之使用對準之高階增強之先進技術(Athena)，其將七個繞射階中之各者引導至專用偵測器，該等專利皆以引用之方式併入本文中。
在一些實施例中，光束分析器430可經組態以接收繞射輻射子光束439，且判定繞射輻射子光束439之光學狀態。光學狀態可為光束波長、偏振或光束輪廓之量度。光束分析器430可進一步經組態以判定載物台422之位置且使載物台422之位置與對準標記或目標418之對稱中心之位置相關。因此，可參考載物台422準確地知曉對準標記或目標418之位置及(因此)基板420之位置。替代地，光束分析器430可經組態以判定檢測設備400或任何其他參考元件之位置，以使得可參考檢測設備400或任何其他參考元件來知曉對準標記或目標418之對稱中心。光束分析器430可為具有某種形式之波長頻帶選擇性的點或成像偏振計。在一些實施例中，根據其他實施例，光束分析器430可直接整合至檢測設備400中，或經由若干類型之光纖連接：偏振保持(polarization preserving)單模、多模或成像。
在一些實施例中，光束分析器430可進一步經組態以判定基板420上之兩個圖案之間的疊對資料。此等圖案中之一者可為參考層上之參考圖案。另一圖案可為經曝光層上之經曝光圖案。參考層可為已存在於基板420上之經蝕刻層。參考層可由藉由微影設備100及/或100'在基板上曝光的參考圖案產生。經曝光層可為鄰近於參考層而曝光的抗蝕劑層。經曝光層可由藉由微影設備100或100'在基板420上曝光的曝光圖案產生。基板420上之經曝光圖案可對應於由載物台422進行之基板420之移動。在一些實施例中，量測疊對資料亦可指示參考圖案與曝光圖案之間的偏移。量測疊對資料可用作校準資料以校準由微影設備100或100'曝光之曝光圖案，使得在校準之後，經曝光層與參考層之間的偏移可得以最小化。
在一些實施例中，光束分析器430可進一步經組態以判定基板420之產品堆疊輪廓的模型，且可經組態以在單次量測中量測目標418之疊對、關鍵尺寸及焦點。產品堆疊輪廓含有關於諸如對準標記、目標418或基板420之堆疊產品之資訊，且可包括隨照射變化而變化的標記程序變化誘發之光學訊跡度量衡。產品堆疊輪廓亦可包括產品光柵輪廓、標記堆疊輪廓及標記不對稱性資訊。光束分析器430之實例為如美國專利第8,706,442號中所描述的由ASML, Veldhoven, The Netherlands製造之Yieldstar TM，該美國專利以全文引用的方式併入本文中。光束分析器430可經進一步組態以處理與彼層中之經曝光圖案之特定屬性相關的資訊。舉例而言，光束分析器430可處理層中之所描繪影像的疊對參數(該層相對於基板上之前一層的定位準確度或第一層相對於基板上之標記的定位準確度之指示)、焦點參數及/或關鍵尺寸參數(例如，線寬及其變化)。其他參數為與經曝光圖案之所描繪影像之品質相關的影像參數。
在一些實施例中，偵測器(未展示)陣列可連接至光束分析器430，且允許存在準確的堆疊輪廓偵測之可能性，如下文所論述。舉例而言，偵測器428可為偵測器陣列。對於偵測器陣列，多個選項係可能的：多模光纖束；每通道之離散接腳偵測器；或CCD或CMOS (線性)陣列。多模光纖束之使用使得能夠出於穩定性原因而遠端地定位任何耗散元件。離散PIN偵測器提供大動態範圍，但需要個別前置放大器。元件數目因此受限。CCD線性陣列提供可經高速地讀出且尤其在使用相位步進偵測的情況下尤其受到關注的許多元件。
在一些實施例中，第二光束分析器430'可經組態以接收繞射輻射子光束429且判定繞射輻射子光束429之光學狀態，如圖4B中所展示。光學狀態可為光束波長、偏振或光束輪廓之量度。第二光束分析器430'可與光束分析器430等同。替代地，第二光束分析器430'可經組態以至少執行光束分析器430之所有功能，諸如判定載物台422之位置，及使載物台422之位置與對準標記或目標418之對稱中心的位置相關。因此，可參考載物台422準確地知曉對準標記或目標418之位置及(因此)基板420之位置。第二光束分析器430'可經組態以判定檢測設備400或任何其他參考元件之位置，以使得可參考檢測設備400或任何其他參考元件來知曉對準標記或目標418之對稱中心。第二光束分析器430'可進一步經組態以判定兩個圖案之間的疊對資料及基板420之產品堆疊輪廓之模型。第二光束分析器430'亦可經組態以在單次測量中測量目標418之疊對、關鍵尺寸及焦點。
在一些實施例中，根據其他實施例，第二光束分析器430'可直接整合至檢測設備400中，或經由若干類型之光纖連接：偏振保持單模、多模或成像。替代地，第二光束分析器430'及光束分析器430可組合以形成經組態以接收繞射輻射子光束429及439兩者且判定該等繞射輻射子光束之光學狀態的單一分析器(未展示)。
在一些實施例中，處理器432自偵測器428及光束分析器430接收資訊。舉例而言，處理器432可為疊對計算處理器。資訊可包含由光束分析器430建構之產品堆疊輪廓之模型。替代地，處理器432可使用關於產品標記之所接收資訊來建構產品標記輪廓之模型。在任一情況下，處理器432使用或結合產品標記輪廓之模型來建構堆疊產品及疊對標記輪廓之模型。隨後使用堆疊模型以判定疊對偏移且最小化對疊對偏移量測之光譜效應。處理器432可基於自偵測器428及光束分析器430接收到之資訊產生基本校正演算法，該資訊包括但不限於照明光束之光學狀態、對準信號、關聯位置估計值以及光瞳平面、影像平面及額外平面中之光學狀態。光瞳平面為輻射之徑向位置界定入射角且角位置界定輻射之方位角的平面。處理器432可利用基本校正演算法以參考晶圓標記及/或對準標記418特性化檢測設備400。
在一些實施例中，處理器432可進一步經組態以基於自偵測器428及光束分析器430接收到之資訊判定相對於各標記之感測器估計值的經印刷圖案位置偏移誤差。該資訊包括但不限於：產品堆疊輪廓、基板420上之各對準標記或目標418之疊對、關鍵尺寸及焦點的量測值。處理器432可利用叢集演算法以將標記分組成類似恆定偏移誤差集合，且基於資訊而產生對準誤差偏移校正表。叢集演算法可基於疊對量測、位置估計值，及與各偏移誤差集合相關聯的額外光學堆疊程序資訊。針對數個不同標記來計算疊對，該等標記例如圍繞程式化疊對偏移具有正偏置及負偏置之疊對目標。將量測最小疊對之目標視為參考(此係由於其以最佳準確度量測)。自此經量測小疊對及其對應目標之已知程式化疊對，可推導出疊對誤差。表1說明可如何執行此推導。所展示實例中之最小量測疊對為-1 nm。然而，此與具有-30 nm之程式化疊對的目標相關。該程序可引入29 nm之疊對誤差。
表1
程式化疊對 -70 -50 -30 -10 10 30 50
量測疊對 -38 -19 -1 21 43 66 90
量測疊對與程式化疊對之間的差 32 31 29 31 33 36 40
疊對誤差 3 2 - 2 4 7 11
最小值可視為參考點，且相對於此最小值，可計算量測疊對與歸因於程式化疊對而預期之疊對之間的偏移。此偏移判定各標記或具有類似偏移之標記集合的疊對誤差。因此，在表1實例中，在具有為30 nm之程式化疊對之目標位置處，最小量測疊對為-1 nm。將其他目標處之預期疊對與量測疊對之間的差與此參考值進行比較。亦可在不同照明設定下自標記及目標418獲得諸如表1之表。可自該表判定及選擇引起最小疊對誤差之照明設定及其對應校準因數。可使用選定照明設定。在此之後，處理器432可將標記分組為類似疊對誤差集合。用於將標記分組之準則可基於不同程序控制，例如用於不同程序之不同誤差容許度予以調整。
在一些實施例中，處理器432可確認群組之所有或大部分成員具有類似的偏移誤差，且基於各標記之額外光學堆疊度量衡將來自叢集演算法之個別偏移校正應用於各標記。處理器432可判定對各標記之校正，且例如藉由將校正饋送至檢測設備400中而將校正回饋至微影設備100或100'以用於校正疊對之誤差。
用於增加檢測輸送量之例示性光束位移器
在一些實施例中，檢測工具可以緊湊且高效方式(亦即，在不複製檢測設備之光學元件的情況下)並行地檢測多個目標來增加製造輸送量。在一些態樣中，檢測設備可根據單獨晶圓上之多個目標進行量測。
再次參考圖4A及圖4B，在一些實施例中，檢測設備400 (圖4A及/或圖4B)可經修改以便分裂來自照明系統412之輻射(除了圖4中已展示之光束分裂以外)以及具有用於檢測多個目標418之多個偵測器428。儘管未在圖4A及圖4B中明確地說明多個偵測器及目標組態，但將參看圖5、圖6、圖7及圖8描述其結構及功能以用於允許此組態。術語「收集光學器件」、「物鏡」等可用於指代參與自目標418及/或其他目標收集散射輻射的一或多個光學元件。舉例而言，圖4A及/或圖4B中之物鏡可包括干涉計426及/或未明確地展示之任何透鏡、鏡面或其他光學元件。在用於使用多個偵測器量測多個目標之組態中，應瞭解，亦可實施對應的多個物鏡。
在一些實施例中，檢測設備400可包括經組態以自兩個單獨晶圓上之兩個目標收集散射輻射之兩個或更多個物鏡。各物鏡可具有對應的光軸。
在一些情況下，修改檢測設備之內部光學器件以用於並行量測可呈現光學挑戰。舉例而言，必須相對於第二物鏡調整第一物鏡之位置以適應兩個單獨晶圓之間的至少橫向維度(例如，x維度)之移位。相對於光程移動物鏡可降低檢測設備之光學效能。用於經微影印刷之特徵之檢測的照明依賴於特定照明屬性(例如，偏振、繞射階、調變或類似者)。為了避免光學效能減低，應在調整物鏡時維持照明屬性。舉例而言，反射光束之偏振平行於或垂直於入射光束之偏振。因此，應使物鏡相對於檢測設備之其他組件移動，同時維持光束之居中及光束之所有其他光學屬性。
如先前所建議，在一些實施例中，可執行檢測設備400之光學硬體之縮放，同時瞭解對照明屬性的任何影響。在一些實施例中，可使用可移動光束位移器。在一些態樣中，光學位移器在物鏡(諸如，光軸)移動之前在光路中移動而不影響光束之光學屬性。保留光束之光學屬性，此係因為唯有包括平坦表面(亦即，非供電)之光學元件相對於光束移動。
圖5展示根據一些實施例的用於將輻射引導至一目標之一光學系統500。在一些實施例中，光學系統500可包含一光學元件502、一光束位移器508、一物鏡506及一摺疊鏡面510。光束位移器508可包含反射表面508-1及508-2。作為非限制性實例，揭示兩個反射表面(例如，可使用更多反射表面)。在一些實施例中，光束位移器508可為一稜鏡或類似者。反射表面508-1及508-2可為該稜鏡之琢面。在一些實施例中，該稜鏡可為一波羅(Porro)稜鏡(例如，具有直角三角形面之直角幾何稜鏡)。在一些實施例中，光束位移器508可圍繞一第一側向方向(例如，x方向)旋轉90°。
在一些實施例中，光學系統500可接收一輻射光束504 (例如，自照明系統412 (圖4))。可在光學元件502處接收輻射光束504。光學元件502可為一光束分光器系統(一或多個光束分光器)。光學元件502可分裂輻射光束504以產生輻射光束512、516 (例如，一第一輻射光束及一第二輻射光束)。輻射光束512及516可由光學系統500引導至各別目標以用於檢測。若光學系統500之光學元件相對於彼此固定，則會出現挑戰。若輻射光束512與516之間的一間隔固定為例如1 cm，則對相距大致不是1 cm之目標執行檢測變得困難或不可能。因此，光學系統500可包含可移動元件以便控制一個輻射光束之光軸相對於另一輻射光束之位移。
在一些實施例中，可基於控制位移的光軸518之一位置(例如，藉由移動光束位移器508)而控制輻射光束512。基於由光束位移器508引入之能力，一檢測系統可輻照兩個目標(或更多使用額外光束位移器/分光器)，甚至在目標之間的間隔距離允許變化的情況下。光束位移器508可調整輻射光束512與514之間的間距以便對應於目標之間的間距。
在一些實施例中，光學系統500可朝向一目標(例如，目標418(圖4))引導輻射光束512以便自目標產生散射輻射。一偵測器(例如，偵測器428(圖4))可接收該散射輻射。光學系統500可以朝向一第二目標(未具體展示)引導輻射光束516以便自第二目標產生第二散射輻射。一第二偵測器(未具體展示)可接收第二散射輻射。在適當時，光束位移器508可移動以便移位輻射光束512，使得有可能使用輻射光束512及516兩者來並行地輻照目標及第二目標(例如，與循序輻照相對)。偵測器及第二偵測器可基於散射輻射及第二散射輻射產生各別量測信號。檢測設備可分別使用偵測器及第二偵測器來執行目標及第二目標之並行量測。
在一些實施例中，光束位移器508在側向x-y方向上相對於例如旋轉移動線性地移動。舉例而言，在涉及旋轉稜鏡之一些方法中，光束位移器必須旋轉而其他光學元件可採用允許線性移動的平移機構而非旋轉移動。此可增加設計的複雜度。另外，光束位移器508可在不穿過電力元件或非平坦光學元件(例如，透鏡)的情況下位移/移動光束。舉例而言，在涉及貓眼透鏡之一些方法中，光束可遭受位置相關像差。另外，涉及中繼系統之方法可將光聚焦於鏡面上。不希望使鏡面在焦點中，此係因為光學系統對彼鏡面處之污染或刮痕變得敏感。
在一些實施例中，可在光束位移器508處接收輻射光束512。反射表面508-1及508-2可執行輻射光束512之反射以便更改光軸。光束位移器508可在至少兩個維度中移動。舉例而言，光束位移器508可在側向方向x及y (亦即，x方向及y方向)上移動。光束位移器508允許物鏡506以光束位移器508的兩倍量移動。
如本文中先前所描述，光束位移器508可包含稜鏡。稜鏡可包括第一表面508-3、第二表面及第三表面。第二表面及第三表面可對應於反射表面508-1及508-2。在一些態樣中，輻射光束512首先與第一表面508-3相互作用。可在實質上垂直於第一表面508-3之方向上接收輻射光束512。輻射光束512可由反射表面508-1朝向反射表面508-2反射。輻射光束512可在實質上垂直於第一表面508-3之方向上在第一表面508-3處離開光束位移器508。輻射光束512可由摺疊鏡面510朝向物鏡506反射。摺疊鏡面510經組態以將x移位摺疊至y移位。在一些態樣中，摺疊鏡面510可與物鏡506一起在側向方向x及y上移動但不在z方向上移動。在一些態樣中，光束位移器508之一個運動單元可對應於摺疊鏡面510之兩個運動單元，同時允許所收集散射輻射保持在物鏡506之光學中心處對準。
在一些實施例中，光學系統500可包括一或多個反射元件(例如，鏡面) (未具體展示)，該一或多個反射元件經組態以將輻射光束512自光學元件502引導至光束位移器508之第一表面508-3。
圖6為根據一些實施例的展示光束位移器的示意圖。在一些實施例中，光束位移器608在x方向上之一單位的移動可對應於輻射光束612在x方向上之兩個單位的移動。如由A所說明，若光束位移器608在x方向上移動x個單位，則輻射光束移動x的兩倍。此外，光束位移器608在y方向上之一單位的移動可對應於輻射光束608在y方向上的兩個單位的移動。如由B所說明，若光束位移器608在y方向上移動y個單位，則輻射光束612移動y的兩倍。因此，檢測設備(例如，圖4A之檢測設備400)之物鏡可隨著光束位移器608之雙倍移動而移動。
在一些實施例中，為了維持光束以物鏡為中心，光束位移器608之光學元件(例如，稜鏡組合件)移動至物鏡之一半遠。若物鏡移動兩倍遠，則光束相對於物鏡保持居中且維持效能。
在一些實施例中，光束位移器(例如，圖5之光束位移器508)在側向x及/或y方向上以第一速度移動。其他光學元件(例如，圖5之摺疊鏡面510)可在側向x及/或y方向上以第二速度移動，而圖5之物鏡506可在側向x及/或y方向上以第二速度及在z方向上以第三速度移動。自機電整合視角，具有以不同方式(亦即，方向及/或速度)移動之三個組件(物鏡、摺疊鏡面及光束位移器)有可能產生複雜系統。因此，可能需要限制需要不同控制機構之光學元件。
圖7展示根據一些實施例的用於將輻射引導至目標之光學系統700。在一些實施例中，光學系統700可包含光學元件702、光束位移器708、物鏡706及反射元件720。光束位移器708可包含反射表面708-1、708-2、708-3及708-4。作為非限制性實例，揭示四個反射表面(例如，可使用更多反射表面)。在一些實施例中，光束位移器708可為雙稜鏡或類似者。反射表面708-1、708-2、708-3及708-4可為雙稜鏡之琢面。在一些實施例中，雙稜鏡可為雙波羅稜鏡。
在一些實施例中，光學系統700可接收輻射光束704 (例如，自照明系統412 (圖4))。可在光學元件702處接收輻射光束704。光學元件702可為光束分光器。光學元件702可分裂輻射光束704以產生輻射光束712、716 (例如，第一輻射光束及第二輻射光束)。輻射光束712及716可由光學系統700引導至各別目標以用於檢測。如上文所描述，光學系統700可包含可移動元件以便控制一個輻射光束之光軸相對於另一輻射光束之位移。
在一些實施例中，可基於控制位移的光軸718之位置(例如，藉由移動光束位移器708)而控制輻射光束712。基於由光束位移器708引入之能力，檢測系統可輻照兩個目標(或更多使用額外光束位移器/分光器)，甚至允許目標之間的間隔距離變化。光束位移器708可調整輻射光束712與716之間的間距以便對應於目標之間的間距。
在一些實施例中，光學系統700可朝向目標(例如，目標418(圖4))引導輻射光束712以便自目標產生散射輻射。偵測器(例如，偵測器428(圖4))可接收散射輻射。光學系統700可朝向第二目標(未具體展示)引導輻射光束716以便自第二目標產生第二散射輻射。第二偵測器(未具體展示)可接收第二散射輻射。在適當時，光束位移器708可移動以便移位輻射光束712，使得有可能使用輻射光束712及716兩者來並行地輻照目標及第二目標(例如，與序列相對)。偵測器及第二偵測器可基於散射輻射及第二散射輻射產生各別量測信號。檢測設備可分別使用偵測器及第二偵測器來執行目標及第二目標之並行量測。
在一些實施例中，可在光束位移器708處接收輻射光束712。在一些態樣中，反射元件720 (例如，鏡面或反射系統)可朝向光束位移器708引導輻射光束712。光束位移器708可在至少兩個維度中移動。舉例而言，光束位移708可在側向方向x及y上移動。在一些實施例中，光束位移器708可以物鏡706之x/y移動的一半移動。在一些態樣中，光束位移器708與物鏡706之間的z距離可在不影響光束712之光學屬性的情況下改變。
如本文中先前所描述，光束位移器708可包含雙稜鏡(第一稜鏡708a及第二稜鏡708b)。第一稜鏡708a可包括第一表面708-5、第二表面及第三表面。第二表面及第三表面可對應於反射表面708-1及708-2。第二稜鏡708b可包括第一表面708-6、第二表面及第三表面。第二稜鏡708b之第二表面及第三表面可對應於反射表面708-3及708-4。反射表面708-1、708-2、708-3及708-4可執行輻射光束712之反射以便更改光軸(說明為位移的光軸718)。反射表面708-1、708-2、708-3及708-4處之反射可為例如稜鏡內之全內反射、部分反射、由金屬表面進行之反射或類似者。
在一些態樣中，輻射光束712首先與第一表面708-5相互作用。可在實質上垂直於第一表面708-5之方向上接收輻射光束712。輻射光束712可由反射表面708-1朝向反射表面708-2反射。輻射光束712可在實質上垂直於第一表面708-3之方向上在第一表面708-5處離開光束位移器708。輻射光束712可在實質上垂直於第一表面708-6之方向上在第一表面708-6處進入第二稜鏡708b。輻射光束712可由反射表面708-3及708-4反射且在實質上垂直於第二稜鏡708b之第一表面708-6之方向上經由第一表面708-6離開第二稜鏡708b。在一些態樣中，第二稜鏡708b之第一表面708-6及第一稜鏡708a之第一表面708-5可以雙波羅配置膠結在一起，如一般熟習此項技術者將理解。
圖8展示根據一些實施例之用於光束位移器的安裝配置。在一些實施例中，在光束位移器808 (例如，圖5之光束位移器508、圖7之光束位移器708)及物鏡806之間的所要一比二比率可使用z載物台800達成。在一些實施例中，物鏡806及光束位移器808 (例如，雙波羅稜鏡)經由三個或更多個撓曲件(例如，XY撓曲件826a、826b、826c)連接至z載物台800。在一些態樣中，各撓曲件在至少兩個自由度中為可撓性的。
在一些態樣中，反射元件820可朝向光束位移器808引導輻射光束812。物鏡806可朝向置放於載物台816上之基板818引導光束812。
在一些實施例中，致動器828可控制物鏡806及光束位移器808在側向方向x及y上之移動。光束位移器808可在撓曲件826a、826b及826c之中間處連接，其產生光束位移器808與物鏡806之間的所要1:2運動比率。
在一些實施例中，致動器822可控制物鏡806在z方向上之移動。在一些實施例中，z載物台800亦可包括z撓曲件824。致動器822可與z撓曲件824耦接。
在一些實施例中，第一載物台可用於控制光束位移器之移動且第二載物台用於控制物鏡之移動。第一載物台可經組態以在第二載物台之一半速度下移動。
圖9展示根據一些實施例的用於執行如至少參考圖4A、圖4B、圖5、圖6、圖7及/或圖8所描述之功能的方法步驟之流程圖900。
在步驟902處，可在光束位移器處沿著光軸接收輻射光束。在步驟904處，可使用光束位移器之至少兩個反射表面執行光束之反射以便使光束之光軸位移。在步驟906處，可以線性方式移動光束位移器以移位移位的光軸。在步驟908處，可保留光束之光學屬性使得光束沿著經偏轉光軸之光學屬性對光束位移器之線性移動為不變的。在步驟910處，可沿著光軸朝向目標引導光束以便自目標產生散射輻射。
可以任何可設想次序執行圖9之方法步驟且並不需要執行所有步驟。此外，以上所描述之圖9之方法步驟僅僅反映步驟之實例且並不為限制性的。亦即，基於參考圖1至圖8所描述之實施例，可設想其他方法步驟及功能。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1.   一種檢測設備，其包含： 輻射源，其經組態以產生輻射光束； 光學系統，其經組態以沿著光軸接收光束且朝向目標引導光束以便自目標產生散射輻射，光學系統包含： 光束位移器，其包含兩個或更多個反射表面，其中光束位移器經組態以： 沿著光軸接收光束； 執行光束之反射以便使光束之光軸位移； 在至少第一維度上線性地移動以移位位移的光軸；及 保留光束之光學屬性使得光學屬性對線性移動為不變的；及 偵測器，其經組態以接收散射輻射且基於散射輻射產生量測信號。 2.   如條項1之檢測設備，其中 光束位移器包含第一稜鏡及第二稜鏡，其中： 第一稜鏡及第二稜鏡中之各者具有至少一各別第一表面、第二表面及第三表面； 第一稜鏡之第二表面及第三表面及第二稜鏡之第二表面及第三表面總計為四個反射表面； 第一稜鏡之第一表面經組態以在實質上垂直於第一稜鏡之第一表面的方向上接收光束； 第一稜鏡之第二表面及第三表面經組態以朝向第二稜鏡之第一表面反射光束；且 第二稜鏡之第一表面經組態以在實質上垂直於第二稜鏡之第一表面的方向上朝向光學系統之物鏡引導光束。 3.   如條項2之檢測設備，其中光學系統進一步包含經組態以朝向第一稜鏡之第一表面引導光束的反射元件。 4.   如條項1之檢測設備，其中： 光束位移器包含稜鏡； 光學系統進一步包含經組態以朝向光學系統之物鏡反射光束之摺疊鏡面；且 物鏡之兩個單位的運動使光束位移器移動一個單位的運動，使得光束可與光學系統之物鏡的光學中心對準。 5.   如條項4之檢測設備，其中光學系統進一步包含： 反射元件，其經組態以沿著光軸且朝向稜鏡之第一表面引導光束。 6.   如條項1之檢測設備，其中光學系統包含具有光學中心之物鏡，且光學系統經組態以收集散射輻射且將其朝向偵測器引導；且 物鏡之兩個單位的運動使光束位移器移動一個單位的運動以允許散射輻射與光學中心對準。 7.   如條項6之檢測設備，其進一步包含： 安裝裝置，其包含三個或更多個撓曲件元件且經組態以安裝光束位移器及物鏡，且其中三個或更多個撓曲件元件中之各者在至少兩個自由度上為可撓性的。 8.   如條項7之檢測設備，其中光束位移器及物鏡定位於安裝裝置上，使得物鏡之一個單位的運動產生光束位移器之半個單位的運動。 9.   如條項1之檢測設備，其中光學系統進一步包含經組態以分裂光束以產生第二輻射光束的光束分光器。 10.      如條項9之檢測設備，其進一步包含第二偵測器，其中： 光學系統經組態以朝向第二目標引導第二光束以便自第二目標產生第二散射輻射； 第二偵測器經組態以接收第二散射輻射且基於第二散射輻射產生第二量測信號；且 光束位移器經組態以調整光束與第二光束之間的間隔以便對應於目標與第二目標之間的間隔。 11.      一種光學元件，其包含： 至少兩個反射表面，其相對於彼此組態以： 沿著光軸接收輻射光束； 執行光束之反射以便使光束之光軸位移； 在至少第一維度上線性地移動以移位位移的光軸；及 保留光束之光學屬性使得光學屬性對線性移動為不變的。 12.      如條項11之光學元件，其中至少兩個反射表面包含四個反射表面，且光學元件進一步包含第一稜鏡及第二稜鏡，其中： 第一稜鏡及第二稜鏡具有至少一第一表面、第二表面及第三表面； 第一稜鏡及第二稜鏡之第二表面及第三表面對應於四個反射表面； 第一稜鏡之第一表面經組態以在實質上垂直於第一稜鏡之第一表面的方向上接收光束，第一稜鏡之第二表面及第三表面經組態以朝向第二稜鏡之第一表面反射光束；且 第二稜鏡之第一表面經組態以在實質上垂直於第二稜鏡之第一表面的方向上朝向物鏡引導光束。 13.      一種方法，其包含： 在光束位移器處沿著光軸接收輻射光束； 使用光束位移器之兩個或更多個反射表面執行光束之反射以便使光束之光軸位移； 在至少一維度上使光束位移器線性地移動以移位位移的光軸； 保留光束之光學屬性使得光束沿著經偏轉光軸之光學屬性對線性移動為不變的：及 沿著經偏轉光軸朝向目標引導光束以便自目標產生散射輻射。 14.      如條項13之方法，其進一步包含： 使檢測設備之物鏡移動兩個單位的運動使得光束位移器移動一個單位的運動，使得光束可與檢測設備之物鏡的光學中心對準。 15.      如條項13之方法，其進一步包含： 自光束位移器接收光束； 自光束位移器朝向摺疊鏡面反射光束；及 使摺疊鏡面移動兩個單位的運動，因此使得光束位移器僅移動一個單位的運動。 16.      如條項13之方法，其進一步包含： 在檢測設備之偵測器處接收散射輻射；及 使用偵測器基於散射輻射產生量測信號。 17.      如條項13之方法，其進一步包含使用光束分光器分裂光束以產生第二輻射光束。 18.      如條項17之方法，其進一步包含： 朝向第二目標引導第二光束以便自第二目標產生第二散射輻射； 在檢測設備之第二偵測器處接收第二散射輻射；及 使用第二偵測器基於第二散射輻射產生第二量測信號。 19.      如條項18之方法，其進一步包含使用光束位移器調整光束與第二光束之間的間隔以便對應於目標與第二目標之間的間隔。 20.      如條項13之方法，其進一步包含： 使用具有光學中心之物鏡收集散射輻射； 使用物鏡朝向偵測器引導所收集之散射輻射，其中 用於光束位移器之一個單位的運動的物鏡之兩個單位的運動允許散射輻射與光學中心對準。
舉例而言，在一些實施例中，可在檢測設備之偵測器處接收散射輻射。可使用偵測器基於散射輻射產生量測信號。可使用光束分光器分裂光束以產生第二輻射光束。第二光束可經導向朝向第二目標以便自第二目標產生第二散射輻射。可在檢測設備之第二偵測器處接收第二散射輻射。可使用第二偵測器基於第二散射輻射產生第二量測信號。可分別使用偵測器及第二偵測器來執行目標及第二目標之並行量測。可使用光束位移器調整光束與第二光束之間的間隔以便對應於目標與第二目標之間的間隔。可使用具有光學中心之物鏡來收集散射輻射。所收集之散射輻射可使用物鏡引導朝向偵測器，其中用於光束位移器之半個單位的運動的物鏡之一個單位的運動允許散射輻射與光學中心對準。
儘管在本文中可特定參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合光學系統，用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用可分別被視為更一般術語「基板」或「目標部分之」特定實例。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)及/或度量衡單元中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，以使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至經供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱量、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本發明之術語或措詞將由熟習相關技術者按照本文中之教示進行解釋。
如本文中所使用之術語「輻射」、「輻射光束」或類似者可涵蓋所有類型之電磁輻射，例如紫外線(UV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5-20 nm之範圍內之波長，諸如13.5 nm)或硬X射線，其在小於5 nm之情況下工作，以及物質光束，諸如離子束或電子束。術語「光」、「照明」或類似者可係指非週期性輻射(例如，光子、UV、X射線或類似者)。一般而言，具有為約400至約700 nm之間的波長之輻射被視為可見輻射；具有為約780-3000 nm (或更大)之間的波長之輻射被視為IR輻射。UV係指具有大致100-400 nm之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436 nm；H線405 nm；及/或I線365 nm。真空UV或VUV (亦即，由氣體吸收之UV)係指具有大致100-200 nm之波長的輻射。深UV (DUV)通常係指具有在126 nm至428 nm範圍內之波長的輻射，且在一些實施例中，準分子雷射可在微影設備內產生所使用的DUV輻射。應瞭解，具有在例如5-20 nm之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶的至少部分係在5-20 nm之範圍內。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及摘要章節意欲用以解釋申請專利範圍。發明內容及摘要章節可闡述如由本發明人所考慮的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及所附申請專利範圍。
上文已藉助於說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可定義替代邊界。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，本發明之實施例可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐。描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭示本發明之一般性質使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適該等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效物的含義及範圍內。
受保護主題之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者予以界定。
100:微影設備 100':微影設備 210:EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡面裝置 224:琢面化光瞳鏡面裝置 226:經圖案化光束 228:反射元件 229:反射元件 230:污染物截留器 240:光柵濾光片 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影單元 400:檢測設備 412:照明系統 413:電磁窄帶輻射光束 414:光束分光器 415:輻射子光束 417:輻射子光束 418:目標 419:繞射輻射光束 420:基板 421:對準軸 422:載物台 424:方向 426:干涉計 427:干涉計信號 428:偵測器 429:繞射輻射子光束 430:光束分析器 430':第二光束分析器 432:疊對計算處理器 439:繞射輻射子光束 500:光學系統 502:光學元件 504:輻射光束 506:物鏡 508:光束位移器 508-1:反射表面 508-2:反射表面 508-3:第一表面 510:摺疊鏡面 512:輻射光束 516:輻射光束 518:光軸 608:光束位移器 612:輻射光束 700:光學系統 702:光學元件 704:輻射光束 706:物鏡 708:光束位移器 708a:第一稜鏡 708b:第二稜鏡 708-1:反射表面 708-2:反射表面 708-3:反射表面 708-4:反射表面 708-5:第一表面 708-6:第一表面 712:輻射光束 716:輻射光束 718:光軸 720:反射元件 800:z載物台 806:物鏡 808:光束位移器 812:輻射光束 816:載物台 818:基板 820:反射元件 822:致動器 824:z撓曲件 826a:XY撓曲件 826b:XY撓曲件 826c:XY撓曲件 828:致動器 900:流程圖 902:步驟 904:步驟 906:步驟 908:步驟 910:步驟 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:聚光器/輻射收集器 DE:顯影器 IF1:另一位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統 IN:積光器 INTF:虛擬源點/中間焦點 I/O1:輸入埠 I/O2:輸出埠 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 L:透鏡群組 LACU:微影控制單元 LB:裝載區 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置 MP:遮罩圖案 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑裝置 PM:第一定位器 PPU:光瞳共軛 PS:投影系統 PU:處理單元 PW:第二定位器 RO:機器人 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:輻射源/源收集器設備 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 W:基板 WT:基板台 x:方向 y:方向 z:方向
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同描述進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本文中所描述之實施例。
圖1A展示根據一些實施例之反射微影設備之示意圖。
圖1B展示根據一些實施例之透射微影設備的示意圖。
圖2展示根據一些實施例之反射微影設備之更詳細示意圖。
圖3展示根據一些實施例之微影單元之示意圖。
圖4A及圖4B展示根據一些實施例之檢測設備之示意圖。
圖5展示根據一些實施例之光學系統之示意圖。
圖6展示根據一些實施例之光束位移器的示意圖。
圖7展示根據一些實施例之光學系統的示意圖。
圖8展示根據一些實施例之用於光學系統之安裝配置的示意圖。
圖9展示根據一些實施例之方法的流程圖。
本發明之特徵將自結合圖式在下文闡述之詳細描述變得更顯而易見，在圖式中，類似參考標號貫穿全文識別對應元件。在該等圖式中，類似參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。此外，通常，參考標號之最左側數字識別首次出現該參考標號之圖式。除非另外指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解釋為按比例圖式。
400:檢測設備
412:照明系統
413:電磁窄帶輻射光束
414:光束分光器
415:輻射子光束
417:輻射子光束
418:目標
419:繞射輻射光束
420:基板
421:對準軸
422:載物台
424:方向
426:干涉計
427:干涉計信號
428:偵測器
429:繞射輻射子光束
430:光束分析器
432:疊對計算處理器
439:繞射輻射子光束

Claims (20)

  1. 一種檢測設備，其包含： 一輻射源，其經組態以產生一輻射光束； 一光學系統，其經組態以沿著一光軸接收該光束且朝向一目標引導該光束以便自該目標產生散射輻射，該光學系統包含： 一光束位移器，其包含兩個或更多個反射表面，其中該光束位移器經組態以： 沿著該光軸接收該光束； 執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移； 在至少一第一維度上線性地移動以移位該位移的光軸；及 保留該光束之一光學屬性使得該光學屬性對該線性移動為不變的；及 一偵測器，其經組態以接收該散射輻射且基於該散射輻射產生一量測信號。
  2. 如請求項1之檢測設備，其中 該光束位移器包含一第一稜鏡及一第二稜鏡，其中： 該第一稜鏡及該第二稜鏡中之各者具有至少一各別第一表面、第二表面及第三表面； 該第一稜鏡之該第二表面及該第三表面及該第二稜鏡之該第二表面及該第三表面總計為四個反射表面； 該第一稜鏡之該第一表面經組態以在實質上垂直於該第一稜鏡之該第一表面的一方向上接收該光束； 該第一稜鏡之該第二表面及該第三表面經組態以朝向該第二稜鏡之該第一表面反射該光束；且 第二稜鏡之該第一表面經組態以在實質上垂直於該第二稜鏡之該第一表面的一方向上朝向該光學系統之一物鏡引導該光束。
  3. 如請求項2之檢測設備，其中該光學系統進一步包含經組態以朝向該第一稜鏡之該第一表面引導該光束的一反射元件。
  4. 如請求項1之檢測設備，其中： 該光束位移器包含一稜鏡； 該光學系統進一步包含經組態以朝向該光學系統之一物鏡反射該光束之一摺疊鏡面；且 該物鏡之兩個單位的運動使該光束位移器移動一個單位的運動，使得該光束可與該光學系統之該物鏡的一光學中心對準。
  5. 如請求項4之檢測設備，其中該光學系統進一步包含： 一反射元件，其經組態以沿著該光軸且朝向該稜鏡之一第一表面引導該光束。
  6. 如請求項1之檢測設備，其中該光學系統包含具有一光學中心之一物鏡，且該光學系統經組態以收集該散射輻射且將其朝向該偵測器引導；且 該物鏡之兩個單位的運動使該光束位移器移動一個單位的運動以允許該散射輻射與該光學中心對準。
  7. 如請求項6之檢測設備，其進一步包含： 一安裝裝置，其包含三個或更多個撓曲件元件且經組態以安裝該光束位移器及該物鏡，且其中該三個或更多個撓曲件元件中之各者在至少兩個自由度上為可撓性的。
  8. 如請求項7之檢測設備，其中該光束位移器及該物鏡定位於該安裝裝置上，使得該物鏡之一個單位的運動導致該光束位移器之半個單位的運動。
  9. 如請求項1之檢測設備，其中該光學系統進一步包含經組態以分裂該光束以產生一第二輻射光束的一光束分光器。
  10. 如請求項9之檢測設備，其進一步包含一第二偵測器，其中： 該光學系統經組態以朝向一第二目標引導該第二光束以便自該第二目標產生第二散射輻射； 該第二偵測器經組態以接收該第二散射輻射且基於該第二散射輻射產生一第二量測信號；且 該光束位移器經組態以調整該光束與該第二光束之間的一間隔以便對應於該目標與該第二目標之間的一間隔。
  11. 一種光學元件，其包含： 至少兩個反射表面，其相對於彼此組態以： 沿著一光軸接收一輻射光束； 執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移； 在至少一第一維度上線性地移動以移位該位移的光軸；及 保留該光束之一光學屬性使得該光學屬性對該線性移動為不變的。
  12. 如請求項11之光學元件，其中該至少兩個反射表面包含四個反射表面，且該光學元件進一步包含一第一稜鏡及一第二稜鏡，其中： 該第一稜鏡及該第二稜鏡具有至少一第一表面、一第二表面及一第三表面； 該第一稜鏡及該第二稜鏡之該第二表面及該第三表面對應於四個反射表面； 該第一稜鏡之該第一表面經組態以在實質上垂直於該第一稜鏡之該第一表面的一方向上接收該光束，該第一稜鏡之該第二表面及該第三表面經組態以朝向該第二稜鏡之該第一表面反射該光束；且 第二稜鏡之該第一表面經組態以在實質上垂直於該第二稜鏡之該第一表面的一方向上朝向一物鏡引導該光束。
  13. 一種方法，其包含： 在一光束位移器處沿著一光軸接收一輻射光束； 使用該光束位移器之兩個或更多個反射表面執行該光束之反射以便使該光束之該光軸位移； 在至少一維度上使該光束位移器線性地移動以移位該位移的光軸； 保留該光束之一光學屬性使得該光束沿著經偏轉光軸之該光學屬性對該線性移動為不變的：及 沿著該經偏轉光軸朝向一目標引導該光束以便自該目標產生散射輻射。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包含： 使一檢測設備之一物鏡移動兩個單位的運動使得該光束位移器移動一個單位的運動，使得該光束可與該檢測設備之該物鏡的一光學中心對準。
  15. 如請求項13之方法，其進一步包含： 自該光束位移器接收該光束； 自該光束位移器朝向一摺疊鏡面反射該光束；及 使該摺疊鏡面移動兩個單位的運動，因此使得該光束位移器僅移動一個單位的運動。
  16. 如請求項13之方法，其進一步包含： 在一檢測設備之一偵測器處接收該散射輻射；及 使用該偵測器基於該散射輻射產生一量測信號。
  17. 如請求項13之方法，其進一步包含使用一光束分光器分裂該光束以產生一第二輻射光束。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含： 朝向一第二目標引導該第二光束以便自該第二目標產生第二散射輻射； 在該檢測設備之一第二偵測器處接收該第二散射輻射；及 使用該第二偵測器基於該第二散射輻射產生一第二量測信號。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包含使用該光束位移器調整該光束與該第二光束之間的一間隔以便對應於該目標與該第二目標之間的一間隔。
  20. 如請求項13之方法，其進一步包含： 使用具有一光學中心之一物鏡收集該散射輻射； 使用該物鏡朝向該偵測器引導該所收集之散射輻射，其中 用於該光束位移器之一個單位的運動的該物鏡之兩個單位的運動允許該散射輻射與該光學中心對準。
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