KR20230131225A - 빠른 균일성 드리프트 보정 - Google Patents

Abstract

리소그래피 장치 내 조명 슬릿 균일성을 조정하기 위한 시스템, 장치 및 방법이 제공된다. 예시적인 방법은 방사선 소스에 의해 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 단계를 포함할 수 있다. 예시적인 방법은 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것에 응답하여, 방사선 검출기에 의해 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예시적인 방법은 수신된 방사선에 기반하여, 프로세서에 의해 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예시적인 방법은 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화에 기반하여, 프로세서에 의해 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성되는 제어 신호를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 후속적으로, 예시적인 방법은 프로세서에 의해, 제어 신호를 핑거 어셈블리에 커플링된 모션 제어 시스템으로 전송하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

빠른 균일성 드리프트 보정

본 출원은 2021년 1월 28일에 출원된 미국 출원 63/142,581 및 2021년 2월 2일에 출원된 미국 출원 63/144,798의 우선권을 주장하며, 그 전문은 본 명세서에 참조로서 포함된다.

본 발명은 리소그래피 장치 및 시스템에서 조명 불균일성을 보정하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판, 일반적으로 기판의 타겟부에 원하는 패턴을 도포하는 기계이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC) 제조에 사용될 수 있다. 이 경우, 마스크 또는 레티클이라고도 하는 패터닝 디바이스를 사용하여 형성되는 IC의 개별 레이어에 형성될 회로 패턴을 생성할 수 있다. 이 패턴은 기판(예: 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예: 다이의 일부, 하나 또는 여러 개 포함)에 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 일반적으로 기판에 제공되는 방사선 민감성 물질(예: 레지스트)의 층에 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로 단일 기판에는 연속적으로 패터닝된 인접한 타겟부의 네트워크가 포함된다. 일반적인 리소그래피 장치에는 한 번에 전체 패턴을 타겟부에 노광시켜 각 타겟부를 조사하는 소위 스테퍼(steppers)와, 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캔하여 각 타겟부를 조사하는 동시에 상기 스캐닝 방향과 평행 또는 반평행(anti-parallel) 방향(예: 반대 방향)으로 타겟부를 동시에 스캔하는 소위 스캐너가 포함된다. 패턴을 기판에 각인하여 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.

반도체 제조 공정이 지속적으로 발전함에 따라 회로 소자의 크기는 지속적으로 줄어든 반면, 트랜지스터와 같은 기능 소자의 디바이스당 탑재량은 무어의 법칙이라고 불리는 추세에 따라 수십 년 동안 꾸준히 증가해 왔다. 반도체 업계는 무어의 법칙을 따라잡기 위해 점점 더 작은 피처를 구현할 수 있는 기술을 추구하고 있다. 리소그래피 장치는 기판에 패턴을 투영하기 위해 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이 방사선의 파장에 따라 기판에 패터닝되는 피처의 최소 크기가 결정된다. 현재 사용되는 일반적인 파장은 365nm(i-라인), 248nm, 193nm 및 13.5nm이다.

예를 들어, 파장이 약 50 나노미터(nm) 이하인 전자기 방사선(소프트 엑스레이라고도 함), 그리고 약 13.5 nm의 파장을 갖는 광을 포함하는 극자외선(EUV) 방사선은 리소그래피 장치에서 또는 리소그래피 장치와 함께 사용하여 기판, 예를 들어 실리콘 웨이퍼에 매우 작은 피처를 생성하는 데 사용될 수 있다. 4nm ~ 20nm 범위 내의 파장, 예를 들어 6.7nm 또는 13.5nm의 파장을 갖는 EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는 예를 들어 193nm의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 기판 위에 더 작은 피처를 형성하는 데 사용될 수 있다.

EUV 광을 생성하는 방법에는 EUV 범위의 방출선을 가진 제논(Xe), 리튬(Li) 또는 주석(Sn) 등의 원소를 가진 물질을 플라즈마 상태로 변환하는 것이 포함되지만 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 레이저 생산 플라즈마(LPP)라고 하는 한 가지 방법에서 플라즈마는 LPP 소스의 맥락에서 연료라고도 하는 타겟 물질(예: 액적, 플레이트, 테이프, 스트림 또는 물질 클러스터 형태)에 드라이브 레이저라고 할 수 있는 증폭된 광선을 조사하여 생성할 수 있다. 이 프로세스에서 플라즈마는 일반적으로 진공 챔버와 같은 밀폐된 용기에서 생성되며 다양한 유형의 메트롤로지 장비를 사용하여 모니터링된다.

리소그래피 장치는 일반적으로 방사선이 패터닝 디바이스에 입사되기 전에 방사선 소스에 의해 생성된 방사선을 조절하는 조명 시스템을 포함한다. 예를 들어, 조명 시스템은 편광 및/또는 조명 모드와 같은 방사선의 하나 이상의 속성을 수정할 수 있다. 조명 시스템은 방사선에 존재하는 비균일성(예: 강도 비균일성)을 보정하거나 감소시키는 균일성 보정 시스템을 포함할 수 있다. 균일성 보정 장치는 강도 변화를 보정하기 위해 방사선 빔의 가장자리에 삽입되는 작동식 핑거 어셈블리를 사용할 수 있다. 균일성 보정 시스템에 의해 조정될 수 있는 조명의 공간적 폭은 특히 핑거 어셈블리의 크기와 균일성 보정 시스템에서 핑거 어셈블리를 이동시키는 데 사용되는 작동 장치에 따라 달라진다. 알려진 작동 설계에서 핑거 파라미터를 수정하는 것은 방사선 빔의 하나 이상의 속성에 바람직하지 않은 변경을 초래할 수 있으므로 간단하지 않다.

패터닝 디바이스 및 기판에서 이미지 품질의 허용 오차를 달성하기 위해서는 조명 빔의 균일성을 제어하는 것이 바람직하다. 조명 빔은 패터닝 디바이스에서 반사되거나 패터닝 디바이스를 통해 투과되기 전에 불균일한 강도 프로파일을 갖는 것이 일반적이다. 리소그래피 공정의 여러 단계에서 조명 빔을 제어하여 균일성을 향상시키는 것이 바람직하다. 균일성은 조명 빔의 연관된 단면에 걸친 일정한 강도를 의미할 수도 있지만, 선택한 균일성 파라미터를 달성하기 위해 조명을 제어하는 기능을 의미할 수도 있다. 패터닝 디바이스는 방사선 빔에 패턴을 부여한 다음 기판에 투영한다. 이 투영된 빔의 이미지 품질은 빔의 균일성에 의해 영향을 받는다.

따라서, 제조 용량과 수율을 극대화하고 제조 결함을 최소화하며 장치당 비용을 절감하기 위해 리소그래피 툴이 리소그래피 공정을 최대한 효율적으로 수행할 수 있도록 조명 균일성을 제어하는 것이 바람직하다.

본 발명은 리소그래피 장치에서 조명 슬릿 균일성을 조정하기 위한 시스템, 장치 및 방법의 다양한 양태를 설명한다.

일부 양태에서, 본 발명은 시스템을 설명한다. 시스템은 방사선을 생성하고 생성된 방사선을 핑거 어셈블리를 향해 투과시키도록 구성된 방사선 소스를 포함할 수 있다. 시스템은 투과된 방사선의 적어도 일부를 수신하도록 구성된 방사선 검출기를 더 포함할 수 있다. 시스템은 수신된 방사선을 기반으로 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하도록 구성된 프로세서를 더 포함할 수 있다. 프로세서는 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 프로세서는 제어 신호를 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템으로 전송하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 형상의 결정된 변화는 핑거팁이 심자외선(DUV) 방사선 또는 극자외선(EUV) 방사선에 노광된 것에 대한 응답으로서의 핑거팁의 크기 증가에 기반한 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 중에 방사선을 투과시키도록 구성될 수 있다. 다른 양태에서, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 중에 방사선을 투과시키도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 생성된 방사선은 레이저 커튼을 포함할 수 있고, 방사선 검출기는 레이저 커튼에 의한 핑거 어셈블리의 일부의 조사에 응답하여 적어도 투과된 방사선의 일부를 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 일부는 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지와 별도로 배치된 핑거 어셈블리의 핑거팁의 기계적 에지를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 수신된 방사선은 투과된 방사선에 의한 핑거팁의 표면 조사에 응답하여 핑거 어셈블리의 핑거팁의 표면으로부터 반사된 방사선을 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 기준 마크의 위치에서 측정된 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서는, 기준 마크가 핑거 어셈블리의 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용될 수 있다. 예를 들어, 이러한 양태에서, 방사선 검출기는 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 중에 사용되는 액티닉(actinic) EUV 광의 반사된 부분을 감지하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 본 발명은 장치를 설명한다. 장치는 핑거 어셈블리를 포함할 수 있다. 핑거 어셈블리는 핑거 바디, 핑거팁, 핑거팁의 표면에 배치된 다층 미러 재료, 및 다층 미러 재료의 영역에 적용된 기준 마크 세트를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 기준 마크 세트는 둘 이상의 기준 마크를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 다층 미러 재료는 리소그래피 장치의 노광 작동 동안 방사선 검출기를 향해 DUV 방사선 또는 EUV 방사선을 반사하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 다층 미러 재료는 몰리브덴을 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 본 개시는 리소그래피 장치에서 조명 슬릿 균일성을 조정하는 방법을 설명한다. 상기 방법은 방사선 소스에 의해 핑거 어셈블리의 일부에 방사선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 핑거 어셈블리의 일부에 방사선을 조사하는 것에 응답하여 방사선의 적어도 일부를 방사선 검출기에 의해 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 방법은 프로세서에 의해 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 방법은, 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 프로세서에 의해 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 방법은 프로세서에 의해 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템으로 제어 신호를 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화는, 프로세서에 의해, 핑거팁이 심자외선(DUV) 또는 극자외선(EUV) 방사선에 노광된 것에 대한 응답으로서의 핑거팁의 크기 증가에 기반한 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 일 부분을 조사하는 단계는, 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안 방사선에 의해 핑거 어셈블리의 부분을 방사선으로 조사하는 것을 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 핑거 어셈블리의 부분을 조사하는 단계는, 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 동안 방사선에 의해 핑거 어셈블리의 부분을 방사선으로 조사하는 단계를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 방사선은 레이저 커튼을 포함할 수 있고, 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계는, 레이저 커튼으로 핑거 어셈블리의 부분을 조사하는 것에 응답하여, 방사선 검출기에 의해, 적어도 투과된 방사선의 일부를 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 부분은 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지와 별도로 배치된 핑거 어셈블리의 핑거팁의 기계적 에지를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계는, 방사선으로 핑거팁의 표면을 조사하는 단계에 응답하여, 방사선 검출기에 의해 핑거 어셈블리의 핑거팁의 표면으로부터 반사된 방사선을 수신하는 단계를 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 형상의 변화를 결정하는 단계는, 수신된 방사선에 기반하여, 프로세서에 의해, 핑거 어셈블리에 배치된 기준 마크의 위치의 변화를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계는, 기준 마크의 위치에서 측정된 변화에 기반하여, 프로세서에 의해 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것을 더 포함할 수 있다. 일부 양태에서는, 기준 마크가 핑거 어셈블리의 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용된다. 예를 들어, 이러한 양태에서, 이 방법은 방사선 검출기에 의해 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 중에 사용되는 액티닉 EUV 광의 반사된 부분을 감지하는 것을 포함할 수 있다.

다양한 측면의 구조 및 작동뿐만 아니라 추가적인 특징들이 첨부된 도면을 참조하여 아래에 자세히 설명되어 있다. 본 발명은 본 명세서에 기술된 특정 양태에 한정되지 않는다는 점에 유의해야 한다. 이러한 양태는 단지 예시적인 목적으로 본 명세서에 제시된 것이다. 추가적인 양태는 본 명세서에 포함된 교시에 기반하여 관련 기술의 당업자에게 명백할 것이다.

본 명세서에 통합되어 명세서의 일부를 구성하는 첨부된 도면들은 본 발명을 예시하고, 설명과 함께 본 발명의 양태의 원리를 설명하며 관련 기술의 당업자가 본 발명의 양태를 제조하고 사용할 수 있도록 하는 역할을 더한다.
도 1a는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 반사형 리소그래피 장치의 개략도이다.
도 1b는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 투과형 리소그래피 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일부 양태에 따른 도 1a에 도시된 반사형 리소그래피 장치의 보다 상세한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 리소그래피 셀의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 반사형 리소그래피 장치를 위한 예시적인 방사선 소스의 개략도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일부 양태에 따른 다른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템의 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일부 양태에 따른 다른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템의 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 기준 마크 세트의 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일부 양태에 따른 다른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템의 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일부 양태 또는 그 부분(들)에 따라 리소그래피 장치에서 조명 슬릿 균일성을 조정하기 위한 예시적인 방법이다.
도 12는 본 발명의 일부 양태 또는 그 부분(들)을 구현하기 위한 예시적인 컴퓨터 시스템이다.
본 발명의 특징 및 이점은 참조 부호가 전체적으로 해당 요소를 식별하는 도면과 함께 아래의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다. 도면에서, 달리 명시되지 않는 한, 참조 부호는 일반적으로 동일하거나, 기능적으로 유사하거나, 구조적으로 유사한 요소를 나타낸다. 또한, 일반적으로 참조 번호의 가장 왼쪽 숫자는 참조 번호가 처음 나타나는 도면을 식별한다. 달리 명시되지 않는 한, 본 명세서 전반에 걸쳐 제공된 도면은 축척 도면으로 해석되어서는 안 된다.

본 명세서는 본 발명의 특징을 통합하는 하나 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 설명할 뿐이다. 본 발명의 범위는 개시된 실시예(들)에 한정되지 않는다. 본 발명의 폭과 범위는 본 명세서에 첨부된 청구항 및 그 등가물에 의해 정의된다.

설명된 실시예들 및 본 명세서에서 "일 실시예", "실시예", "예시적 실시예" 등에 대한 언급은 설명된 실시예들이 특정 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있음을 나타내지만, 모든 실시예가 반드시 특정 특징, 구조 또는 특성을 포함할 필요는 없다. 또한, 그러한 문구들이 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정 특징, 구조 또는 특성이 실시예와 관련하여 설명되는 경우, 명시적으로 설명되었는지 여부에 관계없이 다른 실시예와 관련하여 그러한 특징, 구조 또는 특성에 영향을 미치는 것이 당업자의 지식 내에 있는 것으로 이해된다.

"아래", "아래쪽", "하부", "위", "위쪽", "상부" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 설명된 바와 같이 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 관계를 설명하기 위해 설명의 용이성을 위해 본 명세서에서 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 방향 외에 사용 또는 작동 중인 장치의 다양한 방향을 포괄하기 위한 것이다. 장치는 다른 방향(90도 회전 또는 다른 방향)으로 배치될 수 있으며, 본 명세서에 사용된 공간 상대적 설명자도 마찬가지로 그에 따라 해석될 수 있다.

여기에서 사용되는 "약"이라는 용어는 특정 기술에 따라 달라질 수 있는 특정 수량의 값을 나타낸다. 특정 기술에 따라 "약"이라는 용어는 예를 들어 값의 10~30%(예: 값의 ±10%, ±20% 또는 ±30%) 범위 내에서 변동하는 특정 수량의 값을 나타낼 수 있다.

개요

"유니콤(Unicom)"이라고 하는 일 예의 조명 균일성 보정 시스템은 크로스 스캔 방향으로 슬릿 균일성을 조정하여 조명 슬릿에 핑거 어셈블리 또는 "핑거" 세트를 도입하여 조명 "핫 스팟(hot spot)"을 감쇠시킬 수 있다. 유니콤은 (1) 조명 효과를 보정하기 위해 웨이퍼별 균일성 보정과 관련된 제1 모드; (2) 웨이퍼 및 공정 효과를 보정하기 위해 다이별로 슬릿 균일성을 수정하고 스테핑 다이와 병렬로 균일성 보정이 변경되는 제2 모드의 두 가지 "모드" 중 하나로 작동하도록 구성될 수 있다. 입사광(예: EUV 방사선)이 유니콤 핑거팁을 가열하면 유니콤 위치 측정과 핑거팁 사이의 측정되지 않은 거리가 변경되어 슬릿 균일성에 드리프트가 발생할 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치의 전력이 증가함에 따라 균일성 드리프트의 예상 임계 치수(CD) 영향은 약 0.06nm(<600W 소스 전력)에서 약 0.1nm(≥600W 소스 전력) 이상으로 증가할 수 있다. CD 영향은 균일성 비율의 약 0.3배에 달할 수 있다. CD 균일성(CDU) 요구 사항은 약 0.7nm에서 약 1.2nm 사이일 수 있다. 일부 예에서는 슬릿 균일성 드리프트가 보정되지 않을 수 있다.

한 예로, 슬릿 균일성 드리프트는 약 900초마다 측정하고 보정할 수 있으며, 다른 예로는 웨이퍼 로트(wafer lot)당 한 번씩 측정하여 보정할 수 없는 CD 영향을 도입할 수 있다. 어떤 양태에서는 측정을 더 자주 수행하여 CD 영향을 줄일 수 있다. 그러나, 각 균일성 새로 고침(UR) 측정에는 약 2초가 소요될 수 있으며 웨이퍼 단계의 센서를 사용한다. 따라서 이러한 측정은 웨이퍼 스테이지 척(chuck) 교환과 병행하여 수행할 수 없다. 또한 슬릿 균일성 드리프트를 절반으로 줄이려면 첫 번째 로트에서 최소 두 번의 균일성 새로 고침 측정이 추가로 필요하므로 25개 웨이퍼의 로트 시간이 약 900초에서 약 904초로 증가하여 전체 장비 처리량이 감소할 수 있다.

대조적으로, 본 발명의 일부 양태는 유니콤의 보정되지 않은 열 드리프트를 보정하기 위해 핑거팁에 가까운 기준 측정을 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 핑거팁의 단일 기준 표면을 주기적으로 측정함으로써, 웨이퍼 단계에서 센서를 필요로 하지 않고도 실제 핑거팁 크기 증가를 주기적으로 측정할 수 있으므로 처리량에 영향을 미치지 않는다. 인코더 스케일과 같은 위치 센서에 대한 핑거팁 크기 증가를 측정하고 추정하기 위해, 본 발명의 일부 양태에서는 유니콤 핑거팁 내 또는 이와 연관된 하나 이상의 기준 마크의 거리 변화를 인코더 인덱스 펄스 대비 측정하는 방법을 제공할 수 있다. 일부 양태에서는, 유니콤 핑거팁으로부터 인코더 기준 마크까지의 원래 거리가 주기적으로 보정되거나 유니콤 빌드 중에 한 번 측정될 수 있다.

일부 양태에서, 본 발명은 모든 핑거 어셈블리에 걸쳐 단일 빔을 포함하는 핑거팁 센서를 제공할 수 있으며, 이는 센서의 수를 최소화한다. 이러한 양태에서, 각 핑거는 핑거팁의 위치가 측정될 때까지 전체 이동 경로를 통해 이동해야 할 수 있다. 예를 들어, 각 핑거는 전체 이동 경로를 약 200밀리초 내에 이동할 수 있다. 따라서 28개의 핑거 어셈블리를 모두 측정하는 데 약 6초가 소요될 수 있으므로 웨이퍼 교환과 동시에 측정을 수행할 수 있다.

일부 양태에서는 웨이퍼 척 교환 시간이 약 2.5초이고 유니콤 이동에 약 0.43초의 "섀도우 시간(shadow time)"을 사용할 수 있기 때문에 알고리즘을 사용하여 로트 중에 측정된 핑거 어셈블리의 수를 최대화할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 양태는 가장 멀리 삽입된 핑거 어셈블리와 가장 적게 삽입된 핑거 어셈블리만을 측정하고 측정 결과를 보간(interpolate)할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명의 일부 양태는 핑거팁에 마크를 에칭(또는 핑거팁에 이 마크를 만들기 위해 새로운 표면을 생성)하고 핑거 열 성장의 함수로서 이 마크의 변위를 측정하는 것을 포함할 수 있다.

일부 양태에서 핑거팁 크기 증가는 핑거팁 어셈블리에서 선택한 기준 마크와 인코더 인덱스의 거리 변화에 비례할 수 있다. 일부 양태에서는 측정 및 조정이 웨이퍼 또는 다이마다 발생할 수 있다. 일부 양태에서는 "실온" 또는 핑거팁에서 인코더까지의 기준 거리를 주기적으로 또는 핑거팁 어셈블리를 제작하는 동안 한 번만 보정할 수 있다. 일부 양태에서는 약 8μm 이하의 핑거팁 크기 증가를 감지할 수 있다.

일부 양태에서, 본 개시는 예를 들어, 리소그래피 장치에서 조명 슬릿 균일성을 조정하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 예를 들어; 방사선 소스에 의해 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 단계; 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것에 응답하여, 방사선 검출기에 의해 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계; 수신된 방사선에 기반하여, 프로세서에 의해 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계; 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화에 기반하여, 프로세서에 의해 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성되는 제어 신호를 생성하는 단계; 및 프로세서에 의해, 제어 신호를 핑거 어셈블리에 커플링된 모션 제어 시스템으로 전송하는 단계를 포함할 수 있다.

본 명세서에 개시된 시스템, 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품에는 많은 예시적인 양태가 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 양태는 유니콤으로부터의 CD 드리프트 및 CDU 영향을 약 0.1nm 이상(예를 들어, 소스 전력이 약 350W보다 큰 모든 공구 세대의 경우)에서 약 0.06nm 이하로 감소시키는 것을 제공한다. CDU 요구 사항이 약 0.6nm 이하일 수 있으므로, 약 0.1nm에서 약 0.06nm로 CDU 영향의 40% 감소는 상당한 것일 수 있다. 또 다른 예에서, 본 발명의 양태는 웨이퍼 스테이지에 센서를 필요로 하지 않으므로, CD 드리프트를 감소시키기 위한 처리량 영향이 실질적으로 존재하지 않는다. 또 다른 예에서, 본 발명의 양태는 유니콤 외부의 센서(예를 들어, 정확한 압력 센서)를 필요로 하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 본 발명의 양태는 핑거 어셈블리 삽입에 대한 사전 지식을 필요로 하지 않는다.

그러나, 이러한 양태를 보다 상세히 설명하기 전에, 본 발명의 양태가 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익할 것이다.

예시적인 리소그래피 시스템

도 1a 및 도 1b는 각각 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')의 개략도이며, 본 발명의 양태가 구현될 수 있다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는 XZ 평면에 수직인 시점(예를 들어, 측면도)에서 도시되고(예를 들어, X축은 오른쪽을 가리키고, Z축은 위쪽을 가리키며, Y축은 관측자로부터 멀리 떨어진 페이지를 가리킴), 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 XY 평면에 수직인 추가적인 시점(예를 들어, 평면도)에서(예를 들어, X축은 오른쪽을 가리키고, Y축은 위쪽을 가리키며, Z축은 관측자를 향해 페이지 바깥쪽을 가리킴) 도시된다.

일부 양태에서, 리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는, 방사선 빔[예를 들어, 심자외선(DUV) 방사선 빔 또는 극자외선(EUV) 방사선 빔]을 조절하도록 구성된 조명 시스템(예를 들어, 일루미네이터); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스)를 지지하도록 구성되고 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 배치하도록 구성된 제1 포지셔너(PM)에 연결되는 지지 구조체(MT)(예를 들어, 마스크 테이블); 및 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)을 홀딩하도록 구성되고 기판(W)을 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 연결되는 기판 테이블(WT)(예를 들어, 웨이퍼 테이블)과 같은 기판 홀더 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는 또한 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는 부분)에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)을 갖는다. 리소그래피 장치(100)에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 반사성이다. 리소그래피 장치(100')에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 투과성이다.

일부 양태에서, 작동 시, 조명 시스템(IL)은 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수신할 수 있다[예를 들어, 도 1b에 도시된 빔 전달 시스템(BD)을 통해]. 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 형성 또는 제어하기 위한 굴절, 반사, 반사굴절(catadioptric), 자기, 전자기, 정전기 및 기타 유형의 광학 구성요소 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 구조물을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 조명 시스템(IL)은 패터닝 디바이스(MA)의 평면에서, 그 단면에서 원하는 공간 및 각도 강도 분포를 갖도록 방사선 빔(B)을 조절하게끔 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 지지 구조체(MT)는 기준 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치(100 및 100')중 적어도 하나의 설계, 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 고정할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 고정하기 위해 기계적, 진공, 정전기 또는 다른 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예를 들어 프레임 또는 테이블일 수 있으며, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있다. 지지 구조체(MT)는 센서를 사용하여 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)과 관련하여 원하는 위치에 있는지 확인할 수 있다.

"패터닝 디바이스"(MA)라는 용어는 기판(W)의 타겟부(C)에 패턴을 생성하는 것과 같이, 단면에 패턴을 갖는 방사선 빔(B)을 부여하는 데 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로를 형성하기 위해 타겟부(C)에 생성되는 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 수 있다.

일부 양태에서, 패터닝 디바이스(MA)는 투과형[도 1b의 리소그래피 장치(100')에서와 같이] 또는 반사형[도 1a의 리소그래피 장치(100)에서와 같이]일 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)는 레티클, 마스크, 프로그래밍 가능한 미러 어레이, 프로그래밍 가능한 LCD 패널, 기타 적절한 구조, 또는 이들의 조합과 같은 다양한 구조를 포함할 수 있다. 마스크는 이진, 교번 위상 편이 또는 감쇠 위상 편이와 같은 마스크 유형뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 유형을 포함할 수 있다. 일 예로, 프로그래밍 가능한 미러 어레이는 입사 방사선 빔을 다른 방향으로 반사하도록 각각 개별적으로 틸팅될 수 있는 작은 미러의 매트릭스 배열을 포함할 수 있다. 틸팅된 미러는 작은 미러의 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔(B)에 패턴을 부여할 수 있다.

"투영 시스템(PS)"이라는 용어는 광범위하게 해석되어야 하며 굴절, 반사, 반사굴절, 자기, 아나모픽(anamorphic), 전자기 및 정전기 광학 시스템 또는 이들의 조합을 포함하여 사용되는 노광 방사선 및/또는 침지액[예: 기판(W) 상] 사용 또는 진공 사용과 같은 기타 요소에 적합한 모든 유형의 투영 시스템을 포함할 수 있다. 다른 가스는 너무 많은 방사선 또는 전자를 흡수할 수 있기 때문에, EUV 또는 전자빔 방사선에 진공 환경이 사용될 수 있다. 따라서 진공 벽과 진공 펌프의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경을 제공할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어는 일부 양태에서 "투영 시스템(PS)"이라는 보다 일반적인 용어와 동의어로 해석될 수 있다.

일부 양태에서, 리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 2개(예를 들어, "이중 스테이지") 이상의 기판 테이블(WT) 및/또는 2개 이상의 마스크 테이블을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기계에서, 추가 기판 테이블(WT)은 병렬로 사용될 수 있거나, 하나 이상의 다른 기판 테이블(WT)이 노광을 위해 사용되는 동안 하나 이상의 테이블에서 준비 단계가 수행될 수 있다. 일 예에서, 기판(W)의 후속 노광을 준비하는 단계는 기판 테이블(WT) 중 하나에 위치한 기판(W)에서 수행될 수 있고, 다른 기판 테이블(WT) 중 하나에 위치한 다른 기판(W)이 다른 기판(W)에 패턴을 노광하기 위해 사용되고 있는 동안 수행될 수 있다. 일부 양태에서는, 추가 테이블이 기판 테이블(WT)이 아닐 수도 있다.

일부 양태에서, 기판 테이블(WT) 이외에, 리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 측정 스테이지를 포함할 수 있다. 측정 스테이지는 센서를 보유하도록 배치될 수 있다. 센서는 투영 시스템(PS)의 특성, 방사선 빔(B)의 특성, 또는 둘 모두를 측정하도록 배치될 수 있다. 일부 양태에서, 측정 단계는 다수의 센서를 보유할 수 있다. 일부 양태에서는, 측정 스테이지가 기판 테이블(WT)이 투영 시스템(PS)으로부터 떨어져 있을 때 투영 시스템(PS) 아래로 이동할 수 있다.

일부 양태에서, 리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 또한 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부가 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 의해 침지될 수 있는 타입일 수 있다. 침지액은 리소그래피 장치의 다른 공간, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)와 투영 시스템(PS) 사이의 공간에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 수치 조리개(numerical aperture)를 증가시킨다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조물이 액체에 잠겨야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 노광 중에 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 위치한다는 의미일 뿐이다. 다양한 침지 기술은 2005년 10월 4일에 공개된 미국 특허 제 6,952,253호 "인쇄 장치 및 장치 제조 방법"에 설명되어 있으며, 그 전문은 본 명세서에 참조로 포함된다.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 조명 시스템(IL)은 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔(B)을 수신한다. 방사선 소스(SO)과 리소그래피 장치(100 또는 100')는, 예를 들어, 방사선 소스(SO)이 엑시머 레이저인 경우, 별도의 물리적 실체일 수 있다. 이러한 경우, 방사선 소스(SO)는 리소그래피 장치(100 또는 100')의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예를 들어, 적절한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(예를 들어, 도 1b에 도시됨)의 도움으로 방사선 소스(SO)로부터 조명 시스템(IL)으로 통과한다. 다른 경우, 방사선 소스(SO)은, 예를 들어 방사선 소스(SO)가 수은 램프인 경우, 리소그래피 장치(100 또는 100') 의 필수적인 부분일 수 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요한 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수 있다.

일부 양태에서, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔의 각도 강도 분포를 조정하기 위한 조절기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면에서 강도 분포의 적어도 외부 및/또는 내부 방사형 범위(일반적으로 각각 "σ-외부" 및 "σ-내부"로 지칭됨)는 조정될 수 있다. 또한, 조명 시스템(IL)은 통합기(IN) 및 방사선 수집기(CO)(예: 집광기 또는 수집기)와 같은 다양한 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 조명 시스템(IL)은 단면에서 원하는 균일성 및 강도 분포를 갖도록 방사선 빔(B)을 조절하는 데 사용될 수 있다.

도 1a를 참조하면, 동작 시, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크, 레티클, 프로그래밍 가능한 미러 어레이, 프로그래밍 가능한 LCD 패널, 임의의 다른 적절한 구조 또는 이들의 조합)에 입사될 수 있고, 이는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)에 고정될 수 있으며, 패터닝 디바이스(MA) 상에 존재하는 패턴(예를 들어, 디자인 레이아웃)에 의해 패터닝될 수 있다. 리소그래피 장치(100)에서, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)로부터 반사될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)를 통과한(예를 들어, 반사된 후) 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과할 수 있고, 투영 시스템(PS)은 방사선 빔(B)을 기판(W)의 타겟부(C) 또는 스테이지에 배치된 센서에 포커싱할 수 있다.

일부 양태에서, 제2 포지셔너(PW) 및 위치 센서(IFD2)(예를 들어, 간섭계 장치, 선형 인코더 또는 정전용량 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부(C)을 위치시키기 위해 정확하게 움직일 수 있다, 유사하게, 제1 포지셔너(PM) 및 다른 위치 센서(예를 들어, 간섭계 장치, 선형 인코더 또는 정전용량 센서)는 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키는 데 사용될 수 있다.

일부 양태에서, 패터닝 디바이스(MA)와 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크(P1 및 P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 도 1a 및 도 1b에서는 기판 정렬 마크(P1 및 P2)가 전용 타겟부를 점유하는 것으로 도시되어 있지만, 기판 정렬 마크(P1 및 P2)는 타겟부 사이의 공간에 위치할 수 있다. 기판 정렬 마크(P1 및 P2)가 타겟부(C) 사이에 위치하면 스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크라고 하며, 기판 정렬 마크(P1 및 P2)는 타겟부(C) 영역에 인-다이(in-die) 마크로서 배치될 수도 있다. 이러한 인-다이 마크는 예를 들어 오버레이 측정을 위한 계측 마크로도 사용할 수 있다.

일부 양태에서, 설명의 목적이며 이에 국한되지 않는 범위에서, 본 문서의 도면 중 하나 이상은 데카르트 좌표계를 사용할 수 있다. 직교 좌표계는 X축, Y축 및 Z축의 세 축을 포함한다. 세 축은 각각 다른 두 축에 직교한다(예: X축은 Y축 및 Z축에 직교, Y축은 X축 및 Z축에 직교, Z축은 X축 및 Y축에 직교함). X축을 중심으로 한 회전을 Rx 회전이라고 한다. Y축을 중심으로 회전하는 것을 Ry 회전이라고 한다. Z축을 중심으로 한 회전을 Rz 회전이라고 한다. 어떤 양태에서는 X축과 Y축이 수평면을 정의하는 반면, Z축은 수직 방향을 정의한다. 일부 양태에서는 직교 좌표계의 방향이 다를 수 있다(예: Z축이 수평면을 따라 구성 요소를 갖도록). 일부 양태에서는 원통 좌표계와 같은 다른 좌표계를 사용할 수 있다.

도 1b를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(MT)에 고정되어 있는 패터닝 디바이스(MA)에 입사되어 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 통과한 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 투영 시스템(PS)은 빔을 기판(W)의 타겟부(C)에 포커싱한다. 일부 양태에서, 투영 시스템(PS)은 조명 시스템 퓨필에 접합되는 퓨필을 가질 수 있다. 일부 양태에서는, 방사선의 일부가 조명 시스템 퓨필에서의 강도 분포에서 방출되어 마스크 패턴(MP)에서의 회절의 영향을 받지 않고 마스크 패턴을 통과하여 조명 시스템 퓨필에서의 강도 분포의 이미지를 생성할 수 있다.

투영 시스템(PS)은 마스크 패턴(MP)의 이미지(MP')를 투영하는데, 이미지(MP')는 강도 분포로부터 방사되어 마스크 패턴(MP)에서 생성된 회절 빔에 의해 기판(W)에 코팅된 레지스트 층에 형성된다. 예를 들어, 마스크 패턴(MP)은 선과 공백의 배열을 포함할 수 있다. 어레이에서 0차 회절과는 다른 방사선의 회절은 선에 수직인 방향으로 방향이 변경된 편향된 회절 빔을 생성한다. 반사된 광(예: 0차 회절 빔)은 전파 방향의 변화 없이 패턴을 통과한다. 0차 회절 빔은 투영 시스템(PS)의 퓨필 접합부의 상류에 있는 투영 시스템(PS)의 상부 렌즈 또는 상부 렌즈 그룹을 통과하여 퓨필 접합부에 도달한다. 퓨필 접합부의 평면에서 0차 회절 빔과 관련된 강도 분포의 부분은 조명 시스템(IL)의 조명 시스템 퓨필에서 강도 분포의 이미지이다. 일부 양태에서, 어퍼처 장치는 투영 시스템(PS)의 퓨필 접합부를 포함하는 평면에 배치되거나 실질적으로 배치될 수 있다.

투영 시스템(PS)은 렌즈 또는 렌즈 그룹을 통해 0차 회절 빔뿐만 아니라 1차 또는 1차 이상의 회절 빔(도시되지 않음)을 포착하도록 배열되어 있다. 일부 양태에서는 선에 수직인 방향으로 연장되는 선 패턴을 이미징하기 위한 다이폴(dipole) 조명을 사용하여 다이폴 조명의 분해능 향상 효과를 활용할 수 있다. 예를 들어, 1차 회절 빔은 기판(W) 레벨에서 대응하는 0차 회절 빔을 간섭하여 가능한 최고 분해능 및 공정 윈도우(예: 허용 가능한 노광 도즈 편차와 함께 사용 가능한 초점 심도)에서 마스크 패턴(MP)의 이미지를 생성한다. 일부 양태에서는 조명 시스템 퓨필의 반대 사분면에 방사선 극(표시되지 않음)을 제공함으로써 비점수차를 줄일 수 있다. 또한, 일부 양태에서, 비점수차는 반대 사분면의 방사선 극과 관련된 투영 시스템(PS)의 퓨필 접합부에서 0차 빔을 차단함으로써 감소될 수 있다. 이는 2009년 3월 31일에 공개된 미국 특허 제 7,511,799호 "리소그래픽 투영 장치 및 장치 제조 방법"에 자세히 설명되어 있으며, 그 전문은 본 명세서에 참조로 포함된다.

일부 양태에서, 제2 포지셔너(PW) 및 위치 측정 시스템(PMS)(예를 들어, 간섭계 장치, 선형 인코더 또는 정전용량 센서와 같은 위치 센서를 포함)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어, 집중되고 정렬된 위치에서 방사선 빔(B)의 경로에 다른 타겟부(C)을 배치하도록 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게, 제1 포지셔너(PM) 및 다른 위치 센서(예를 들어, 간섭계 장치, 선형 인코더 또는 정전용량 센서)(도 1b에 도시되지 않음)는 방사선 빔(B)의 경로와 관련하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키는 데 사용될 수 있다(예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 기계적 검색 후 또는 스캔 중에). 패터닝 디바이스(MA)와 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크(P1 및 P2)를 사용하여 정렬할 수 있다.

일반적으로 지지 구조체(MT)의 움직임은 제1 포지셔너(PM)의 일부를 구성하는 롱 스트로크 포지셔너(거친 포지셔닝)와 숏 스트로크 포지셔너(미세 포지셔닝)의 도움으로 실현할 수 있다. 마찬가지로 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 포지셔너(PW)의 일부를 구성하는 롱 스트로크 포지셔너와 숏 스트로크 포지셔너를 사용하여 실현할 수 있다. 스테퍼(스캐너와 반대)의 경우, 지지 구조체(MT)는 숏 스트로크 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)와 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1 및 M2)와 기판 정렬 마크(P1 및 P2)를 사용하여 정렬할 수 있다. 기판 정렬 마크(도면 참조)는 전용 타겟부를 차지하지만, 타겟부 사이의 공간(예: 스크라이브 레인 정렬 마크)에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 패터닝 디바이스(MA)에 둘 이상의 다이가 제공되는 상황에서 마스크 정렬 마크(M1 및 M2)는 다이들 사이에 위치할 수 있다.

지지 구조체(MT)와 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버(V) 내에 있을 수 있으며, 진공 내 로봇을 사용하여 마스크와 같은 패터닝 디바이스를 진공 챔버 안팎으로 이동시킬 수 있다. 또는, 지지 구조체(MT)과 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버 외부에 있는 경우, 진공 로봇과 유사하게 다양한 이송 작업에 진공 로봇을 사용할 수 있다. 경우에 따라, 페이로드(예: 마스크)를 이송 스테이션의 고정된 운동학적 마운트로 원활하게 이송하기 위해 진공 내 로봇과 진공 외 로봇을 모두 보정해야 할 수도 있다.

일부 양태에서, 리소그래피 장치(100 및 100') 는 다음 모드 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT)과 기판 테이블(WT)은 기본적으로 고정된 상태로 유지되는 반면, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴은 한 번에 타겟부(C)에 투영된다(예: 단일 정적 노광). 이후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 이동된다.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT)과 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C)에 투영되는 동안 동기적으로 스캔된다(예를 들어, 단일 동적 노광). 지지 구조체(예: 마스크 테이블)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 (반)확대 및 이미지 반전 특성에 의해 결정될 수 있다.

3. 기타 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스(MA)를 고정시킨 채로 실질적으로 고정된 상태로 유지되고, 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C)에 투영되는 동안 이동 또는 스캔된다. 펄스 방사선 소스(SO)가 사용될 수 있고, 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 각 이동 후 또는 스캔 중에 연속적인 방사선 펄스 사이에 필요에 따라 업데이트될 수 있다. 이러한 작동 모드는 프로그래밍 가능한 미러 어레이와 같은 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스(MA)를 활용하는 마스크리스(maskless) 리소그래피에 쉽게 적용될 수 있다.

일부 양태에서, 리소그래피 장치(100 및 100')는 전술한 사용 모드의 조합 및/또는 변형 또는 완전히 다른 사용 모드를 이용할 수 있다.

일부 양태에서, 도 1a에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 EUV 리소그래피를 위한 EUV 방사선 빔(B)을 생성하도록 구성되는 EUV 소스를 포함할 수 있다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 소스(SO)에 구성될 수 있고, 대응하는 조명 시스템(IL)은 EUV 소스의 EUV 방사선 빔(B)을 조절하기 위해 구성될 수 있다.

도 2는 리소그래피 장치(100)를 보다 상세하게 도시한 것으로서, 방사선 소스(예를 들어, 소스 수집기 장치), 조명 시스템(IL), 투영 시스템(PS)을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 XZ 평면에 수직인 시점(예를 들어, 측면도)에서 도시되어 있다(예를 들어, X축은 오른쪽을 가리키고 Z축은 위쪽을 가리킴).

방사선 소스(SO)은 인클로징 구조체(enclosing structure)(220) 내에서 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성 및 배치된다. 방사선 소스(SO)은 소스 챔버(211) 및 수집기 챔버(212)를 포함하며, EUV 방사선을 생성 및 투과시키도록 구성된다. EUV 방사선은 기체 또는 증기, 예를 들어 제논(Xe) 기체, 리튬(Li) 증기 또는 주석(Sn) 증기에 의해 생성될 수 있으며, 전자기 스펙트럼의 EUV 범위에서 방사선을 방출하도록 EUV 방사 방출 플라즈마(210)가 생성된다. 적어도 부분적으로 이온화된 EUV 방사선 방출 플라즈마(210)는 예를 들어 전기 방전 또는 레이저 빔에 의해 생성될 수 있다. 방사선의 효율적인 생성을 위해, 예를 들어, 약 10.0 파스칼(Pa)의 Xe 가스, Li 증기, Sn 증기 또는 다른 적합한 가스 또는 증기의 부분 압력이 사용될 수 있다. 일부 양태에서는 여기된 주석 플라즈마가 제공되어 EUV 방사선을 생성한다.

EUV 방사 방출 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은 소스 챔버(211)로부터 소스 챔버(211)의 개구부 내부 또는 뒤에 위치하는 선택적 가스 배리어 또는 오염물 트랩(230)(예를 들어, 일부 경우 오염물 배리어 또는 포일 트랩이라고도 함)을 통해 수집기 챔버(212)로 통과한다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조를 포함할 수 있다. 오염물 트랩(230)은 또한 가스 배리어 또는 가스 배리어와 채널 구조의 조합을 포함할 수 있다. 본 명세서에 추가로 도시된 오염물 트랩(230)은 적어도 채널 구조를 포함한다.

수집기 챔버(212)는 방사선 수집기(예를 들어, 집광기 또는 수집기 광학기)를 포함할 수 있으며, 이는 소위 그레이징 입사(grazing incidence) 수집기일 수 있다. 방사선 수집기(CO)는 상류 방사선 수집기 측(251)과 하류 방사선 수집기 측(252)을 갖는다. 방사선 수집기(CO)를 통과하는 방사선은 격자 스펙트럼 필터(240)에서 반사되어 가상 소스 포인트(IF)에 집중될 수 있다. 가상 소스 포인트(IF)는 일반적으로 중간 초점이라고 하며, 소스 수집기는 가상 소스 포인트(IF)가 인클로징 구조체(220)의 개구부(219) 또는 그 근처에 위치하도록 배열된다. 가상 소스 포인트(IF)는 EUV 방사 방출 플라즈마(210)의 이미지이다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 적외선(IR) 방사선을 억제하는 데 사용될 수 있다.

이어서 방사선은 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(221)의 원하는 각도 분포뿐만 아니라 패터닝 디바이스(MA)에서 원하는 방사선 강도의 균일성을 제공하도록 배치된 패싯 필드 미러 디바이스(faceted field mirror device)(222) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(faceted pupil mirror device)(224)를 포함할 수 있는 조명 시스템(IL)을 통과한다. 지지 구조체(MT)에 의해 홀딩되는 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(221)이 반사되면, 패터닝된 빔(226)이 형성되고, 패터닝된 빔(226)은 반사 요소(228, 229)를 통해 투영 시스템(PS)에 의해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상에 이미징된다.

도시된 것보다 더 많은 요소들이 일반적으로 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)에 존재할 수 있다. 선택적으로, 격자 스펙트럼 필터(240)는 리소그래피 장치의 유형에 따라 존재할 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 미러보다 더 많은 미러가 존재할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 것보다 투영 시스템(PS)에 1 내지 6개의 추가 반사 요소가 존재할 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 방사선 수집기(CO)는 수집기(또는 수집기 미러)의 예와 마찬가지로 그레이징 입사 반사기(253, 254 및 255)을 갖는 중첩된 수집기로 도시되어 있다. 그레이징 입사 반사기(253, 254 및 255)는 광축(O)을 중심으로 축 대칭으로 배치되며, 이러한 유형의 방사선 수집기(CO)는 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스와 함께 사용하는 것이 바람직하다.

예시적인 리소그래피 셀

도 3은 리소그래피 셀(300)을 도시하며, 리소셀 또는 클러스터라고도 한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 리소그래피 셀(300)은 XY 평면에 수직인 시점(예를 들어, 평면도)에서 도시된다(예를 들어, X축은 오른쪽을 가리키고 Y축은 위쪽을 가리킴).

리소그래피 장치(100 또는 100')는 리소그래피 셀(300)의 일부를 형성할 수 있다. 리소그래피 셀(300)은 또한 기판 상에서 노광 전/후 공정을 수행하기 위한 하나 이상의 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 장치들은 레지스트 층을 증착하기 위한 스핀 코터(spin coaters)(SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 현상액(DE), 칠 플레이트(chill plates)(CH) 및 베이크 플레이트(BK)를 포함할 수 있다. 기판 핸들러(예: 로봇)는 입/출력 포트 I/O1 및 I/O2에서 기판을 픽업하고, 서로 다른 공정 장치들 사이에서 기판을 이동하여 리소그래피 장치(100 또는 100')의 로딩 베이(LB)로 전달한다. 트랙으로 통칭되는 이러한 장치는 트랙 제어 장치(TCU)의 제어 하에 있으며, 이 장치는 감독 제어 시스템(SCS)에 의해 제어되고, 이 시스템은 또한 리소그래피 제어 장치(LACU)를 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 따라서 처리량과 처리 효율을 극대화하기 위해 다양한 장치를 작동시킬 수 있다.

예시적인 방사선 소스

예시적인 반사형 리소그래피 장치[예를 들어, 도 1a의 리소그래피 장치(100)]에 대한 방사선 소스(SO)의 예가 도 4에 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 방사선 소스(SO)은 아래에서 설명하는 바와 같이 XY 평면에 수직인 시점(예를 들어, 평면도)에서 도시되어 있다.

도 4에 도시된 방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 지칭될 수 있는 유형이다. 예를 들어, 이산화탄소(CO₂) 레이저를 포함할 수 있는 레이저 시스템(401)은, 하나 이상의 레이저 빔(402)을 통해 에너지를 연료 타겟(403', 예를 들어, 연료 방출기, 액적 발생기)으로부터 제공되는 하나 이상의 개별 주석(Sn) 액적과 같은 연료 타겟에 증착하도록 배치되어 있다. 일부 양태에 따르면, 레이저 시스템(401)은 펄스, 연속파 또는 준연속파 레이저일 수 있거나 그러한 방식으로 작동할 수 있다. 연료 타겟 발생기(403)로부터 방출되는 연료 타겟(403')(예를 들어, 액적)의 궤적은 X축에 평행할 수 있다. 일부 양태에 따르면, 하나 이상의 레이저 빔(402)은 X축에 수직인 Y축에 평행한 방향으로 전파된다. Z축은 X축 및 Y축 모두에 수직이며 일반적으로 페이지 평면 내부(또는 외부)로 연장되지만, 다른 양태에서는 다른 구성이 사용된다. 일부 실시예에서, 레이저 빔(402)은 Y축에 평행하지 않은 방향[예를 들어, 연료 타겟(403')의 궤적의 X축 방향에 직교하지 않는 방향]으로 전파될 수 있다.

일부 양태에서, 하나 이상의 레이저 빔(402)은 프리펄스 레이저 빔 및 메인 펄스 레이저 빔을 포함할 수 있다. 이러한 양태에서, 레이저 시스템(401)은 수정된 연료 타겟을 생성하기 위해 프리펄스 레이저 빔으로 각각의 연료 타겟(403')을 타격하도록 구성될 수 있다. 레이저 시스템(401)은 플라즈마(407)를 생성하기 위해 메인 펄스 레이저 빔으로 각각의 수정된 연료 타겟을 타격하도록 더 구성될 수 있다.

다음 설명에서는 주석을 언급하고 있지만, 모든 적합한 타겟 물질이 사용 가능하다. 타겟 물질은 예를 들어 액체 형태일 수 있으며, 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 타겟 생성기(403)는 예를 들어, 플라즈마 형성 영역(404)을 향한 궤적을 따라 연료 타겟(403')(예를 들어, 분리된 액적들)의 형태로 주석을 향하도록 구성되는 노즐을 포함할 수 있다. 설명의 나머지 부분에서, "연료", "연료 타겟" 또는 "연료 액적"에 대한 참조는 연료 타겟 생성기(403)에 의해 방출되는 타겟 물질(예를 들어, 액적)을 지칭하는 것으로 이해되어야 한다. 연료 타겟 생성기(403)는 연료 방출기를 포함할 수 있다. 하나 이상의 레이저 빔(402)은 플라즈마 형성 영역(404)에서 타겟 물질(예를 들어, 주석)에 입사된다. 레이저 에너지가 타겟 물질에 증착되면 플라즈마 형성 영역(404)에서 플라즈마(407)가 생성된다. 플라즈마의 이온 및 전자의 탈여기(de-excitation) 및 재결합 동안 플라즈마(407)에서 EUV 방사선을 포함한 방사선이 방출된다.

EUV 방사선은 방사선 수집기(405)[예를 들어, 방사선 수집기(CO)]에 의해 수집되고 포커싱된다. 일부 양태에서, 방사선 수집기(405)는 수직 입사에 가까운 방사선 수집기(보다 일반적으로 수직 입사 방사선 수집기로 지칭되기도 함)를 포함할 수 있다. 방사선 수집기(405)는 다층 구조일 수 있으며, 이는 EUV 방사선(예를 들어, 약 13.5 nm와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사하도록 배열될 수 있다. 일부 양태에 따르면, 방사선 수집기(405)는 두 개의 초점을 갖는 타원체 구성을 가질 수 있다. 제1 초점은 플라즈마 형성 영역(404)에 위치할 수 있고, 제2 초점은 본 명세서에서 설명하는 바와 같이 중간 초점(406)에 위치할 수 있다.

일부 양태에서, 레이저 시스템(401)은 방사선 소스(SO)로부터 비교적 먼 거리에 위치할 수 있다. 이러한 경우, 하나 이상의 레이저 빔(402)은 예를 들어, 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기 및/또는 다른 광학 장치를 포함하는 빔 전달 시스템(도시되지 않음)의 도움으로 레이저 시스템(401)으로부터 방사선 소스(SO)로 전달될 수 있다. 레이저 시스템(401)과 방사선 소스(SO)는 함께 하나의 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.

방사선 수집기(405)에 의해 반사되는 방사선은 방사선 빔(B)을 형성한다. 방사선 빔(B)은 한 지점[예를 들어, 중간 초점(406)]에 집중되어 조명 시스템(IL)에 대한 가상 방사선 소스 역할을 하는 플라즈마 형성 영역(404)의 이미지를 형성한다. 방사선 빔(B)이 포커싱되는 지점을 중간 초점(IF)[예를 들어, 중간 초점(406)]이라고 할 수 있다. 방사선 소스(SO)는 중간 초점(406)이 방사선 소스(SO)의 인클로징 구조체(409)의 개구부(408)에 위치하거나 이에 근접하도록 배열된다.

방사선 빔(B)은 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(IL)으로 통과한다. 방사선 빔(B)은 조명 시스템(IL)을 통과하여 지지 구조체(MT)에 의해 유지되는 패터닝 디바이스(MA)에 입사된다. 패터닝 디바이스(MA)는 방사선 빔(B)을 반사하여 패터닝한다. 패터닝 디바이스(MA)에서 반사된 후, 패터닝된 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)으로 입사된다. 투영 시스템은 복수의 미러를 포함하며, 복수의 미러는 방사선 빔(B)을 기판 테이블(WT)에 의해 홀딩되는 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 투영 시스템(PS)은 방사선 빔에 감소 계수(reduction factor)를 적용하여 패터닝 디바이스(MA)의 대응하는 피처보다 작은 피처를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4의 감소 계수가 적용될 수 있다. 도 2에서 투영 시스템(PS)은 2개의 미러를 갖는 것으로 도시되어 있지만, 투영 시스템은 임의의 수의 미러(예를 들어, 6개의 미러)를 포함할 수 있다.

방사선 소스(SO)는 도 4에 표시되지 않은 구성 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 스펙트럼 필터가 방사선 소스(SO)에 제공될 수 있다. 스펙트럼 필터는 EUV 방사선을 실질적으로 투과시킬 수 있지만, 적외선과 같은 다른 파장의 방사선은 실질적으로 차단할 수 있다.

방사선 소스(또는 방사선 시스템)는 플라즈마 형성 영역(404) 내의 연료 타겟(예를 들어, 액적)의 이미지를 획득하거나, 보다 구체적으로 연료 타겟의 그림자 이미지를 획득하기 위한 연료 타겟 이미징 시스템을 더 포함할 수 있다. 연료 타겟 이미징 시스템은 연료 타겟의 가장자리에서 회절된 광을 검출할 수 있다. 다음 설명에서 연료 타겟의 이미지에 대한 참조는 연료 타겟의 그림자 이미지 또는 연료 타겟에 의해 야기된 회절 패턴을 참조하는 것으로 이해되어야 한다.

연료 타겟 이미징 시스템은 CCD 어레이 또는 CMOS 센서와 같은 광 검출기를 포함할 수 있지만, 연료 타겟의 이미지를 획득하는 데 적합한 임의의 이미징 장치를 사용할 수 있을 것이다. 연료 타겟 이미징 시스템은 광 검출기 외에 하나 이상의 렌즈와 같은 광학 구성 요소를 포함할 수 있는 것이 바람직할 것이다. 예를 들어, 연료 타겟 이미징 시스템은 카메라(410), 예를 들어, 광 센서 또는 광 검출기와 하나 이상의 렌즈의 조합을 포함할 수 있다. 광학 구성 요소는 광 센서 또는 카메라(410)가 근거리 이미지 및/또는 원거리 이미지를 획득하도록 선택될 수 있다. 카메라(410)는 카메라가 플라즈마 형성 영역(404) 및 방사선 수집기(405)에 제공된 하나 이상의 마커(도 4에는 도시되지 않음)에 대한 가시선을 갖는 임의의 적절한 위치에서 방사선 소스(SO) 내에 배치될 수 있다. 그러나, 일부 양태에서는, 카메라(410)의 손상을 피하기 위해 카메라(410)를 하나 이상의 레이저 빔(402)의 전파 경로 및 연료 타겟 생성기(403)로부터 방출되는 연료 타겟의 궤적으로부터 멀리 배치하는 것이 필요할 수 있다. 일부 양태에 따르면, 카메라(410)는 연결부(412)를 통해 연료 타겟의 이미지를 제어기(411)에 제공하도록 구성된다. 연결부(412)는 유선 연결로 도시되어 있지만, 연결부(및 본원에 언급되는 다른 연결부)는 유선 연결 또는 무선 연결 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 방사선 소스(SO)는 플라즈마 형성 영역(404)을 향해 연료 타겟(403')(예를 들어, 분리된 주석 액적들)을 생성 및 방출하도록 구성된 연료 타겟 생성기(403)를 포함할 수 있다. 방사선 소스(SO)는 플라즈마 형성 영역(404)에서 플라즈마(407)를 생성하기 위해 하나 이상의 레이저 빔(402)으로 하나 이상의 연료 타겟(403') 중 하나 이상을 타격하도록 구성된 레이저 시스템(401)을 더 포함할 수 있다. 방사선 소스(SO)는 플라즈마(407)에 의해 방출된 방사선을 수집하도록 구성된 방사선 수집기(405)[(예를 들어, 방사선 수집기(CO))를 더 포함할 수 있다.

예시적인 조명 균일성 보정 시스템

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500)의 개략도이다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500)은 핑거 어셈블리(502) 세트(예를 들어, 약 x4mm의 피치에서 28개의 핑거 어셈블리), 핑거팁(504) 세트(예를 들어, 각 핑거 어셈블리는 각각의 핑거팁을 포함함), 프레임(528), 굴곡부(flexures) 세트(530), 및 굴곡부 세트(532)를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500)은 타겟 균일성을 달성하기 위하여 조명 슬릿의 강도를 수정하기 위해 핑거 어셈블리(502) 세트 내의 각 핑거 어셈블리의 위치를 개별적으로 제어(예를 들어, 하나 이상의 자석 어셈블리를 포함하지만 이에 한정되지 않는 모션 제어 시스템 사용)할 수 있다.

도 5b에 도시된 바와 같이, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500)은 방사선 소스(540) 및 방사선 검출기(560)를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 소스(540)는 방사선(542)을 생성하고, 핑거 어셈블리(502) 세트를 가로질러 방사선 검출기(560)를 향해 방사선(542)을 투과시키도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선(542)은 레이저 커튼을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500)은 핑거 어셈블리(502) 세트 내의 하나 이상의 핑거 어셈블리를 웨이퍼 교환 작업 동안(예를 들어, 웨이퍼 노광 작업들 사이에서) 레이저 커튼으로 이동시켜 핑거팁 열 성장을 검사하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 검출기(560)는 적어도 방사선(542)의 일부를 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선(542)의 수신된 부분은 투과된 방사선(542)에 의한 핑거팁의 표면의 조사에 응답하여 핑거 어셈블리의 핑거팁의 표면(예를 들어, 광학 에지에 반대편에 배치된 기계적 에지)에서 반사된 방사선을 포함할 수 있다.

일부 양태에서, 핑거팁(504) 세트 내의 하나 이상의 핑거팁의 광학 에지는 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 동안 방사선(580, 예를 들어, DUV 또는 EUV 방사선)에 노광될 수 있고, 이는 노광의 결과로서(또는 다수의 노광 과정에서) 하나 이상의 핑거팁의 크기를 증가시킬 수 있다. 일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500)은 수신된 방사선(542)에 기반하여 핑거 어셈블리(502)의 세트에서 하나 이상의 핑거 어셈블리의 형상의 변화를 결정하도록 구성된 프로세서(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다.

도 6은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(600)의 개략적인 도면이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 핑거 어셈블리 세트는 핑거 어셈블리(620)를 포함할 수 있다. 핑거 어셈블리(620)는 핑거 바디(622), 핑거팁(624), 액추에이터(626)[예를 들어, 핑거 어셈블리(620)의 위치를 조정하기 위한], 위치 센서(628)(예를 들어, 인코더 스케일을 포함하나 이에 한정되지 않음), 굴곡부(630) 및 굴곡부(632)를 포함할 수 있다. 핑거팁(624)은 광학 에지(624a) 및 기계적 에지(624b)를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거팁(624)의 광학 에지(624a)는 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 동안 방사선(예를 들어, DUV 또는 EUV 방사선)에 노광될 수 있으며, 이는 노광의 결과로서(또는 다수의 노광 과정에서) 핑거팁(624)의 크기를 증가시킬 수 있다.

일부 양태에서, 방사선 소스는 방사선(642)을 핑거 어셈블리(620)를 향해[예를 들어, 핑거팁(624)의 기계적 에지(624b)를 향해] 투과하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안(예를 들어, 웨이퍼 노광 작업에 따른) 방사선(642)을 투과하도록 구성될 수 있고, 그 동안 핑거팁(624)의 기계적 에지(624b)가 방사선(642)을 가로질러 이동한다.

일부 양태에서, 방사선 검출기는 방사선(642)에 의한 핑거 어셈블리(620)의 일부의 조사에 응답하여 적어도 일부의 방사선(642)을 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리(620)의 일부는 핑거 어셈블리(620)의 핑거팁(624)의 기계적 에지(624b)를 핑거 어셈블리(620)의 핑거팁(624)의 광학 에지(624a)와 분리하여 배치될 수 있다.

일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(600)은 수신된 방사선(642)에 기반하여 핑거 어셈블리 세트에서 하나 이상의 핑거 어셈블리의 형상의 변화를 결정하도록 구성되는 프로세서(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 핑거팁(624)이 방사선(680)에 노광되는 것에 대한 핑거팁(624)의 성장에 기반하여 핑거 어셈블리(620)의 핑거팁(624)의 광학 에지(624a) 위치의 변화를 결정하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리(620) 상에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 기준 마크의 위치의 측정된 변화에 기반하여 핑거 어셈블리(620)의 형상의 변화를 결정하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 핑거 어셈블리 세트 내의 하나 이상의 핑거 어셈블리의 형상의 결정된 변화에 기반하여, 핑거 어셈블리 세트 내의 하나 이상의 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 핑거 어셈블리(620)의 결정된 형상 변화에 기반하여 핑거 어셈블리(620)의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하도록 구성될 수 있다.

프로세서는 핑거 어셈블리 세트의 하나 이상의 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템(예를 들어, 하나 이상의 자석 어셈블리를 포함하되 이에 국한되지 않음)으로 제어 신호를 전송하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 핑거 바디(622)에 결합된 액추에이터(626)를 포함하되 이에 국한되지 않는 모션 제어 시스템으로 제어 신호를 전송하도록 구성될 수 있다.

도 7은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(700)의 개략적인 도면이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(700)은 핑거팁(724)을 갖는 핑거 어셈블리, 방사선 소스(740), 및 핑거 어셈블리당 방사선 검출기(760)를 포함할 수 있다(예를 들어, 28개의 핑거 어셈블리에 대한 28개의 방사선 검출기). 일부 양태에서, 방사선 소스(740)는 방사선을 생성하고, 생성된 방사선을 핑거 어셈블리의 표면(예를 들어, 핑거 어셈블리의 광학면)에 배치된 기준 마크(722) 세트(예를 들어, 하나 이상의 기준 마크)를 향해 투과시키도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 소스(740)는 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안(예를 들어, 웨이퍼 노광 작업에 따른) 방사선을 투과시키도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 검출기(760)는 표면(725)으로부터 반사된 방사선의 적어도 일부를 수신하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(700)은 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하도록 구성되는 프로세서(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 핑거팁(724)이 EUV 또는 DUV 방사선에 노광되는 것에 대한 핑거팁(724)의 크기 증가에 기반하여 핑거 어셈블리의 핑거팁(724)의 광학 에지 위치의 변화를 결정하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리의 표면(725) 상에 배치된 기준 마크(722) 세트의 위치 변화를 측정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 기준 마크 세트(722)의 위치에서 측정된 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상의 변화를 결정하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 핑거 어셈블리의 형상의 결정된 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템(예를 들어, 자석 어셈블리와 같은 액추에이터를 포함하되 이에 한정되지 않음)으로 제어 신호를 전송하도록 더 구성될 수 있다.

도 8은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(800)의 개략도이다.

도 8에 도시된 바와 같이, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(800)은 핑거팁(824)을 갖는 핑거 어셈블리, 방사선 소스(840), 및 핑거 어셈블리당 방사선 검출기(860)를 포함할 수 있다(예를 들어, 28 핑거 어셈블리에 대한 28개의 방사선 검출기). 일부 양태에서, 방사선 소스(840)은 방사선을 생성하고, 생성된 방사선을 핑거 어셈블리의 표면[예를 들어, 핑거 어셈블리의 기계적(비광학적) 면]에 배치된 기준 마크(822) 세트(예를 들어, 하나 이상의 기준 마크)를 향해 투과시키도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 소스(840)는 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업(예를 들어, 웨이퍼 노광 작업에 따른) 동안 방사선을 투과시키도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 검출기(860)는 표면(823)으로부터 반사된 방사선의 적어도 일부를 수신하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(800)은 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상의 변화를 결정하도록 구성되는 프로세서(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 핑거팁(824)이 EUV 또는 DUV 방사선에 노광되는 것에 대한 핑거팁(824)의 크기 증가에 기반하여 핑거 어셈블리의 핑거팁(824)의 광학 에지 위치의 변화를 결정하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리의 표면(823)에 배치된 기준 마크(822) 세트의 위치의 변화를 측정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 기준 마크 세트(822)의 위치에서 측정된 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하도록 더 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 프로세서는 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템(예를 들어, 액추에이터를 포함하되 이에 한정되지 않음)으로 제어 신호를 전송하도록 더 구성될 수 있다.

도 9는 본 발명의 일부 양태에 따른 기준 마크(900)의 예시적인 세트의 개략적인 도면이다.

도 9에 도시된 바와 같이, 기준 마크(900)의 예시적인 세트는 핑거 어셈블리의 표면 상에 배치된 기준 마크(902)(예를 들어, 시간 T₀에서 902A, 및 시간 T₁에서 902B로 지칭됨)를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 기준 마크(902)는 핑거팁 기준으로 지칭될 수 있다. 기준 마크(900)의 예시적인 세트는 핑거 어셈블리의 표면에 배치된 인덱스 마크(904)를 더 포함할 수 있는데, 예를 들어, 핑거 어셈블리에 배치되거나 핑거 어셈블리에 부착된 위치 센서(예를 들어, 인코더)의 표면이 포함되나 이에 한정되지는 않는다. 하나의 예시적이고 비제한적인 예에서, 인덱스 마크(904)는 "인코더 인덱스"로 지칭될 수 있다.

일부 양태에서, 시간(t₀)은 예시적인 조명 균일성 보정 시스템의 제조 중에 수행되는 보정 프로세스와 관련된 시간에 대응할 수 있고, 기준 마크(902a)는 시간(t₀)에서 측정된 핑거팁의 기준 위치에 대응할 수 있으며, 여기서 값(D₀)은 기준 마크(902a)에서 인덱스 마크(904)까지의 거리에 대응할 수 있다.

일부 양태에서, 시간(t₁)은 동작 중에 수행된 측정(예를 들어, 웨이퍼 교환 작업, 웨이퍼 노광 작업)과 관련된 시간에 대응할 수 있고, 기준 마크(902b)는 시간(t₁)에 측정된 핑거팁 상의 기준 위치에 대응할 수 있으며, 여기서 값(D₁)은 기준 마크(902b)에서 인덱스 마크(904)까지의 거리에 대응할 수 있다. 일부 양태에서는, 리소그래피 장치의 작동 동안의 핑거팁 크기 증가로 인해 값(D₁)이 값(D₀)보다 클 수 있다. 일부 양태에서는, 시간(t₀)에서 시간(t₁)에 이르는 기준 마크(902)의 위치의 변화는 값(D₀)과 값(D₁) 사이의 차이에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 시간(t₀)에서 기준 마크(902a)의 위치에서 시간(t₁)에서 기준 마크(902b)로의 위치 변화는 값(D₀)과 값(D₁) 사이의 차이에 비례할 수 있다.

도 10은 본 발명의 일부 양태에 따른 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)의 개략도이다.

도 10에 도시된 바와 같이, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)은 핑거팁(1024)을 갖는 핑거 어셈블리를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거팁(1024)은 광학 에지(1024a) 및 기계적 에지(1024b)를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거팁(1024)의 광학 에지(1024a)는 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 동안 입사 방사선(1080)(예를 들어, DUV 또는 EUV 방사선, 예를 들어, 액티닉 EUV 광)에 노광될 수 있으며, 이는 노광의 결과로서(또는 다수의 노광 과정에서) 핑거팁(1024)의 크기를 증가시킬 수 있다.

일부 양태에서, 핑거팁(1024)은 핑거팁(1024)의 표면(1025)에 배치된 다층 미러 물질을 더 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 다층 미러 재료는 몰리브덴 및 실리콘의 교대 층을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 최대 정상 상태(steady-state)의 핑거팁 온도는 다층 미러 재료가 실질적으로 안정적으로 유지되도록 하기 위해 감소될 수 있다. 일부 양태에서, 다층 미러 재료는 입사 방사선의 상당 부분을 반사하여 열적 영향을 감소시키는 동시에 드리프트 보상 기능을 개선하고 방사선 소스 파워가 증가함에 따라 핑거팁 부착물의 비생존적 손실 위험을 감소시킬 수 있다. 일부 양태에서, 핑거팁(1024)은 각진 핑거팁일 수 있고, 표면(1025)에 배치된 다층 미러 재료는 방사선 검출기(1090)를 향해 입사 방사선(1080)의 60% 이상을 반사할 수 있다[예를 들어, 반사된 방사선(1082)으로서]. 결과적으로, 핑거팁(1024)에 대한 열 부하가 감소될 수 있고, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)의 신뢰성, 수명 및 성능이 증가될 수 있다.

일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)은 방사선 검출기(1090)(예를 들어, 1차원 또는 2차원 센서 어레이, "빔+핑거팁 움직임 센서")를 더 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)은 핑거 어셈블리당 하나의 방사선 검출기를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 다층 미러 재료는 리소그래피 장치의 노광 작업 동안, 방사선 검출기(1090)를 향해 입사 방사선(1080)을 반사하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 방사선 검출기(1090)는 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 동안 사용되는 입사 방사선(1080)의 반사된 부분[예를 들어, 반사된 방사선(1082)]을 감지하도록 구성될 수 있다.

일부 양태에서, 기준 마크 세트는 다층 미러 재료의 영역에 적용될 수 있다. 일부 양태에서, 기준 마크 세트는 둘 이상의 기준 마크를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 마크[예를 들어, EUV 레티클에서 수행되는 것처럼, 흡수재에 의해 형성된 특정 형상(예를 들어, 일련의 선들)을 갖는 얇은 선으로 구성된] 또는 마크 세트는 핑거팁(1024)의 위치의 검출 가능성, 정확성 또는 둘 모두를 향상시키기 위해 다층 미러 재료의 특정 영역에 적용될 수 있다. 일부 양태에서는, 본 명세서에 설명된 다른 방사선 검출기의 데이터가 방사선 검출기(1090)의 데이터와 결합되어 조명 빔 이동의 개별적인 영향을 제거할 수 있다.

일부 양태에서, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)은 수신된 방사선에 기반하여 핑거팁(1024)의 형상의 변화를 결정하도록 구성되는 프로세서(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 핑거팁(1024)이 방사선(1080)에 노광되는 것에 대한 핑거팁(1024)의 크기 증가에 기반하여 핑거팁(1024)의 광학 에지(1024a)의 위치의 변화를 결정하도록 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 수신된 방사선에 기반하여 핑거팁(1024)의 표면(1025) 상에 배치된 기준 마크의 위치의 변화를 측정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 기준 마크의 위치의 측정된 변화에 기반하여 핑거팁(1024)의 형상의 변화를 결정하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 핑거팁(1024)의 형상의 결정된 변화에 기반하여 핑거팁(1024)의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템(예를 들어, 액추에이터를 포함하되 이에 한정되지 않는)으로 제어 신호를 전송하도록 더 구성될 수 있다. 일부 양태에서, 프로세서는 반사된 방사선(1082)을 이전에 획득되고 저장된 데이터 세트와 비교하여 핑거 위치를 결정하고, 따라서 도즈 및 균일성 오류를 감소시키도록 구성될 수 있다. 결과적으로, 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000)의 성능은 이러한 빔 이동 데이터의 정확성 및 가용성의 증가에 기반하여 향상될 수 있다.

조명 슬릿 균일성을 조정하기 위한 예시적인 공정들

도 11은 본 발명의 일부 양태 또는 그 일부에 따른 리소그래피 장치에서 조명 슬릿 균일성을 조정하기 위한 예시적인 방법(1100)이다. 예시적인 방법(1100)과 관련하여 설명된 동작들은, 예를 들어, 상기 도 1-10 및 아래 도 12를 참조하여 설명된 것과 같이, 본 명세서에 설명된 시스템, 장치, 구성요소, 기술, 또는 이들의 조합에 의해, 또는 그에 따라 수행될 수 있다.

동작(1102)에서, 방법은 슬릿 균일성을 보정하기 위해 하나 이상의 핑거 어셈블리를 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 하나 이상의 핑거 어셈블리의 이동은 적절한 기계적 또는 다른 방법을 사용하여 달성될 수 있으며, 상기 도 1-10 및 아래 도 12를 참조하여 기술된 양태 또는 양태의 조합에 따라 하나 이상의 핑거 어셈블리를 이동시키는 것을 포함할 수 있다.

동작(1104)에서, 방법은 웨이퍼 교환 작업(또는 일부 양태에서는 웨이퍼 노광 작업)과 병행하여 수행되는 단계를 포함할 수 있는데, 여기에는 동작(1106)에서 핑거팁 크기 증가를 측정 및 추정하고 동작(1108)에서 필요한 경우 핑거 어셈블리 위치를 수정하는 것을 포함하되 이에 국한되지 않는다.

동작(1106)에서, 방법은 핑거팁 크기 증가를 측정 및 추정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 동작(1106)에서, 방법은 방사선에 의해, 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 방사선은 레이저 커튼을 포함할 수 있고, 방사선의 적어도 일부를 수신하는 것은, 레이저 커튼으로 핑거 어셈블리의 일부를 조사하는 것에 대한 응답으로, 방사선 검출기에 의해, 투과된 방사선의 적어도 일부를 수신하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 부분은 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지와 별도로 배치된 핑거 어셈블리의 핑거팁의 기계적 에지를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 부분의 조사는 적절한 기계적 또는 다른 방법을 사용하여 수행될 수 있으며, 상기 도 1-10 및 아래 도 12를 참조하여 설명된 임의의 양태 또는 양태의 조합에 따라 핑거 어셈블리의 부분을 조사하는 것을 포함할 수 있다.

또한, 동작(1106)에서, 방법은 핑거 어셈블리의 부분을 조사하는 것에 응답하여 방사선의 적어도 일부를 방사선 검출기에 의해 수신하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 부분을 조사하는 것은, 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안 방사선에 의해 핑거 어셈블리의 부분을 방사선으로 조사하는 것을 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 핑거 어셈블리의 부분을 조사하는 것은, 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 동안 방사선에 의해 핑거 어셈블리의 부분을 방사선으로 조사하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 방사선의 적어도 일부를 수신하는 것은, 핑거팁의 표면을 방사선으로 조사하는 것에 응답하여, 핑거 어셈블리의 핑거팁의 표면으로부터 반사된 방사선을, 방사선 검출기에 의해 수신하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 방사선의 수신은 적절한 기계적 또는 다른 방법을 사용하여 달성될 수 있으며, 상기 도 1-10 및 아래 도 12를 참조하여 기술된 양태 또는 양태의 조합에 따라 방사선을 수신하는 것을 포함할 수 있다.

또한, 동작(1106)에서, 방법은 프로세서에 의해, 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리의 형상의 변화를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것은 프로세서에 의해, 핑거팁의 DUV 방사선 또는 EUV 방사선 노광에 대한 핑거팁의 크기 증가에 기반하여 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것은 프로세서에 의해, 수신된 방사선에 기반하여 핑거 어셈블리에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것은, 기준 마크의 위치에서 측정된 변화에 기반하여, 프로세서에 의해 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것을 더 포함할 수 있다. 일부 양태에서는, 기준 마크가 핑거 어셈블리의 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용된다. 예를 들어, 이러한 양태에서, 이 방법은 리소그래피 장치의 웨이퍼 노광 작업 중에 사용되는 액티닉 EUV 광의 반사된 부분을 방사선 검출기에 의해 감지하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 변화의 결정은 적절한 기계적 또는 다른 방법을 사용하여 달성될 수 있으며, 상기 도 1-10 및 아래 도 12를 참조하여 기술된 양태 또는 양태의 조합에 따라 변화를 결정하는 것을 포함할 수 있다.

동작(1108)에서, 방법은 필요한 경우 핑거 어셈블리 위치를 수정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 동작(1106)에서, 방법은 프로세서에 의해, 핑거 어셈블리의 결정된 형상 변화에 기반하여 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 또한, 동작(1106)에서, 방법은 프로세서에 의해, 핑거 어셈블리에 결합된 모션 제어 시스템으로 제어 신호를 전송하는 것을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 핑거 어셈블리 위치의 보정은 적절한 기계적 또는 다른 방법을 사용하여 달성될 수 있으며, 상기 도 1-10 및 아래 도 12를 참조하여 설명된 임의의 양태 또는 양태의 조합에 따라 핑거 어셈블리 위치를 보정하는 것을 포함할 수 있다.

동작(1110)에서, 방법은 웨이퍼 로트가 완료되었는지 여부를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 완료되지 않은 경우, 방법은 동작(1102)으로 진행될 수 있다. 완료된 경우, 방법은 동작(1112)로 진행될 수 있다. 동작(1112)에서, 방법은 균일성 리프레시(UR)를 수행할지 여부를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 결정하지 않는 경우, 방법은 동작(1102)으로 진행될 수 있다. 결정하는 경우, 방법은 동작(1114)으로 진행할 수 있다. 동작(1114)에서, 방법은 UR 보정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.

컴퓨팅 시스템 예시

본 발명의 양태는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 양태는 또한 하나 이상의 프로세서에 의해 판독 및 실행될 수 있는 기계 판독 가능 매체에 저장된 명령어로서 구현될 수 있다. 기계 판독 가능 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 장치)가 판독 가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독 가능 매체에는 읽기 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 자기 디스크 저장 매체, 광학 저장 매체, 플래시 메모리 장치, 전기, 광학, 음향 또는 기타 형태의 전파 신호(예: 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 및 기타가 포함될 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 및 이들의 조합은 본 명세서에서 특정 동작을 수행하는 것으로 설명될 수 있다. 그러나, 그러한 설명은 단지 편의를 위한 것이며, 그러한 동작은 실제로 컴퓨팅 장치, 프로세서, 컨트롤러 또는 기타 장치가 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 또는 이들의 조합을 실행하고, 그렇게 함으로써 액추에이터 또는 기타 장치[예: 서보 모터(servo motors), 로봇 장치]가 물리적 세계와 상호 작용하게 하는 것에서 비롯된다는 점을 이해해야 한다.

예를 들어, 도 12에 도시된 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)과 같은 하나 이상의 컴퓨팅 시스템을 사용하여 다양한 양태가 구현될 수 있다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)은, 도 5a 및 도 5b에 도시된 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(500), 도 6에 도시된 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(600), 도 7에 도시된 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(700), 도 8에 도시된 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(800), 도 10에 도시된 예시적인 조명 균일성 보정 시스템(1000), 도 11을 참조하여 설명된 임의의 시스템, 서브시스템 또는 구성요소, 및 임의의 다른 적합한 시스템, 서브시스템 또는 구성요소, 또는 이들의 조합과 같이, 본 명세서에서 기술된 기능들을 수행하는 특수 컴퓨터일 수 있다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)은 프로세서(1204)와 같은 하나 이상의 프로세서(중앙 처리 장치, 또는 CPU라고도 함)를 포함할 수 있다. 프로세서(1204)는 통신 인프라(1206)(예를 들어, 버스)에 연결된다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)은 또한 사용자 입력/출력 인터페이스(1202)를 통해 통신 인프라(1206)와 통신하는 모니터, 키보드, 포인팅 디바이스 등과 같은 사용자 입력/출력 디바이스(1203)를 포함할 수 있다. 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)은 또한 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 같은 메인 메모리(1208)(예를 들어, 하나 이상의 주 저장 장치)를 포함할 수 있다. 메인 메모리(1208)는 하나 이상의 레벨의 캐시를 포함할 수 있다. 메인 메모리(1208)는 제어 로직(예를 들어, 컴퓨터 소프트웨어) 및/또는 데이터를 그 내에 저장한다.

예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)은 또한 보조 메모리(1210)(예를 들어, 하나 이상의 보조 저장 장치)를 포함할 수 있다. 보조 메모리(1210)는, 예를 들어, 하드 디스크 드라이브(1212) 및/또는 이동식 저장 드라이브(1214)를 포함할 수 있다. 이동식 저장 드라이브(1214)는 플로피 디스크 드라이브, 자기 테이프 드라이브, 컴팩트 디스크 드라이브, 광 저장 장치, 테이프 백업 장치 및/또는 임의의 다른 저장 장치/드라이브가 될 수 있다.

이동식 저장 드라이브(1214)는 이동식 저장 유닛(1218)과 상호 작용할 수 있다. 이동식 저장 유닛(1218)은 컴퓨터 소프트웨어(제어 로직) 및/또는 데이터를 저장하는 컴퓨터 사용 가능 또는 판독 가능한 저장 장치를 포함한다. 이동식 저장 유닛(1218)은 플로피 디스크, 자기 테이프, 컴팩트 디스크, DVD, 광 저장 디스크 및/또는 다른 컴퓨터 데이터 저장 장치일 수 있다. 이동식 저장 드라이브(1214)는 이동식 저장 유닛(1218)으로부터 읽기 및/또는 쓰기를 수행한다.

일부 양태에 따르면, 보조 메모리(1210)는 컴퓨터 프로그램 및/또는 다른 명령어 및/또는 데이터가 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)에 의해 액세스될 수 있도록 하기 위한 다른 수단, 방법 또는 다른 접근법을 포함할 수 있다. 그러한 수단, 방법 또는 다른 접근법은, 예를 들어, 이동식 저장 유닛(1222) 및 인터페이스(1220)를 포함할 수 있다. 이동식 저장 유닛(1222) 및 인터페이스(1220)의 예는 프로그램 카트리지 및 카트리지 인터페이스(예를 들어, 비디오 게임 디바이스에서 발견되는 것과 같은), 이동식 메모리 칩(예를 들어, EPROM 또는 PROM) 및 관련 소켓, 메모리 스틱 및 USB 포트, 메모리 카드 및 관련 메모리 카드 슬롯 및/또는 임의의 다른 이동식 저장 유닛 및 관련 인터페이스를 포함할 수 있다.

예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)은 통신 인터페이스(1224)(예를 들어, 하나 이상의 네트워크 인터페이스)를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(1224)는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)이 원격 디바이스, 원격 네트워크, 원격 엔티티 등의 임의의 조합[개별적으로 및 총칭하여 원격 디바이스(1228)로 지칭됨]과 통신 및 상호 작용할 수 있게 한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(1224)는 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)이 통신 경로(1226)를 통해 원격 디바이스(1228)와 통신할 수 있게 할 수 있는데, 통신 경로는 유선 및/또는 무선일 수 있고, LAN, WAN, 인터넷 등의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 제어 로직, 데이터, 또는 둘 모두는 통신 경로(1226)를 통해 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200)으로 전송 및/또는 전달될 수 있다.

본 발명의 전술된 양태에서의 동작은 다양한 구성 및 아키텍처에서 구현될 수 있다. 따라서, 전술한 양태에서의 동작의 일부 또는 전부는 하드웨어, 소프트웨어 또는 양쪽 모두에서 수행될 수 있다. 일부 양태에서, 유형적이고 비영구적인 장치 또는 제조물은 제어 로직(소프트웨어)이 저장된 유형적이고 비영구적인 컴퓨터 사용 가능 또는 판독 가능한 매체를 포함하며, 본 명세서에서는 컴퓨터 프로그램 제품 또는 프로그램 저장 장치라고도 지칭한다. 여기에는 컴퓨팅 시스템(1200), 메인 메모리(1208), 보조 메모리(1210) 및 이동식 저장 유닛(1218 및 1222), 전술한 것들의 임의의 조합을 구현하는 유형적 제조물이 포함되나 이에 한정되지는 않는다. 이러한 제어 로직은 하나 이상의 데이터 처리 디바이스(예를 들어, 예시적인 컴퓨팅 시스템(1200))에 의해 실행될 때, 그러한 데이터 처리 디바이스가 본원에 설명된 바와 같이 동작하도록 한다.

본 개시에 포함된 교시에 기반하여, 관련 기술의 당업자에게는 도 12에 도시된 것 이외의 데이터 처리 장치, 컴퓨터 시스템 및/또는 컴퓨터 아키텍처를 사용하여 본 발명의 양태를 제작하고 사용하는 방법이 명백할 것이다. 특히, 본 발명의 양태는 본 명세서에 기재된 것 이외의 소프트웨어, 하드웨어 및/또는 운영 체제 구현과 함께 작동할 수 있다.

본 발명의 실시예는 다음 항들에 의해 더욱 상세히 설명될 수 있다.

1. 시스템으로서,

방사선을 생성하고 핑거 어셈블리를 향해 상기 생성된 방사선을 투과시키도록 구성된 방사선 소스;

상기 투과된 방사선의 적어도 일부를 수신하도록 구성된 방사선 검출기; 및

프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는:

상기 수신된 방사선에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하고;

상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하고;

상기 핑거 어셈블리에 커플링된 모션 제어 시스템에 상기 제어 신호를 전송하도록 구성되는, 시스템.

2. 제 1 항에 있어서, 상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화는, 핑거팁이 심자외선(DUV) 또는 극자외선(EUV) 방사선에 노광된 것에 대한 응답으로서의 상기 핑거팁의 크기 증가에 기반한 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 포함하는, 시스템.

3. 제 1 항에 있어서, 상기 방사선 소스는 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안 방사선을 투과시키도록 구성되는, 시스템.

4. 제 1 항에 있어서, 상기 생성된 방사선은 레이저 커튼을 포함하고;

상기 방사선 검출기는 상기 레이저 커튼에 의한 상기 핑거 어셈블리의 일부의 조사에 응답하여 상기 투과된 방사선의 적어도 일부를 수용하도록 구성되는, 시스템.

5. 제 4 항에 있어서, 상기 핑거 어셈블리의 일부는 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁의 광학 에지로부터 분리되어 배치된 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁의 기계적 에지를 포함하는, 시스템.

6. 제 1 항에 있어서, 상기 수신된 방사선은 상기 투과된 방사선에 의한 핑거팁 표면의 조사에 응답하여 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁 표면으로부터 반사된 방사선을 포함하는, 시스템.

7. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세서는:

상기 수신된 방사선에 기반하여 상기 핑거 어셈블리 상에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하고;

상기 기준 마크 위치의 상기 측정된 변화에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하도록 구성되는, 시스템.

8. 제 7 항에 있어서, 상기 기준 마크는 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용되는, 시스템.

9. 리소그래피 장치 내 조명 슬릿 균일성을 조정하는 방법으로서, 상기 방법은:

방사선 소스에 의해 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 단계;

상기 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것에 응답하여, 방사선 검출기에 의해 상기 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계;

상기 수신된 방사선에 기반하여, 프로세서에 의해 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계;

상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화에 기반하여, 상기 프로세서에 의해 상기 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성되는 제어 신호를 생성하는 단계; 및

상기 프로세서에 의해, 상기 제어 신호를 상기 핑거 어셈블리에 커플링된 모션 제어 시스템으로 전송하는 단계를 포함하는, 방법.

10. 제 9 항에 있어서, 상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화는, 상기 프로세서에 의해, 핑거팁이 심자외선(DUV) 또는 극자외선(EUV) 방사선에 노광된 것에 대한 응답으로서의 상기 핑거팁의 크기 증가에 기반한 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 결정하는 단계를 포함하는, 시스템.

11. 제 9 항에 있어서, 상기 핑거 어셈블리의 일부를 조사하는 단계는, 상기 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안 상기 방사선 소스에 의해 상기 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것을 포함하는 방법.

12. 제 9 항에 있어서, 상기 방사선은 레이저 커튼을 포함하고,

상기 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계는, 상기 핑거 어셈블리의 일부를 상기 레이저 커튼으로 조사하는 것에 응답하여, 상기 방사선 검출기에 의해 상기 투과된 방사선의 적어도 일부를 수신하는 것을 포함하는, 방법.

13. 제 12 항에 있어서, 상기 핑거 어셈블리의 일부는 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지로부터 분리되어 배치된 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁의 기계적 에지를 포함하는, 방법.

14. 제 9 항에 있어서, 상기 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계는, 핑거팁 표면에 상기 방사선을 조사하는 것에 응답하여, 상기 방사선 검출기에 의해, 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁 표면에서 반사된 방사선을 수신하는 것을 포함하는, 방법.

15. 제 9 항에 있어서, 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계는,

상기 프로세서에 의해, 상기 수신된 방사선에 기반하여 상기 핑거 어셈블리 상에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하는 것; 및

상기 프로세서에 의해, 상기 기준 마크 위치의 상기 측정된 변화에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것을 포함하는, 방법.

16. 제 15 항에 있어서, 상기 기준 마크는 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용되는, 방법.

17. 핑거 바디;

핑거팁;

상기 핑거팁의 표면에 배치된 다층 미러 재료; 및

상기 다층 미러 재료의 영역에 적용되는 기준 마크 세트를 포함하는 핑거 어셈블리를 포함하는, 장치.

18. 제 17 항에 있어서, 상기 기준 마크 세트는 2개 이상의 기준 마크를 포함하는, 장치.

19. 제 17 항에 있어서, 상기 다층 미러 재료는 리소그래피 장치의 노광 작업 동안 심자외선(DUV) 방사선 또는 극자외선(EUV) 방사선을 방사선 검출기를 향해 반사시키도록 구성되는, 장치.

20. 제 17 항에 있어서, 상기 다층 미러 재료는 몰리브덴(molybdenum)을 포함하는, 장치.

본 명세서에서는 IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용에 대해 구체적으로 언급될 수 있지만, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 영역 메모리, 평판 디스플레이, LCD, 박막 자기 헤드 등을 위한 유도 및 검출 패턴의 제조와 같은 다른 응용예를 가질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 당업자는 이러한 대안적인 응용의 맥락에서, 본원에서 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 임의의 사용이 각각 "기판" 또는 "타겟부"이라는 보다 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 인식할 것이다. 본 명세서에 언급된 기판은 예를 들어 트랙 유닛(일반적으로 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 유닛 및/또는 검사 유닛에서 노광 전 또는 후에 처리될 수 있다. 해당되는 경우, 본 발명은 이러한 기판 처리 툴 및 기타 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 기판은 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위해 두 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 개의 처리된 층을 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.

본 명세서의 문구 또는 용어는 설명의 목적이지 제한의 목적이 아니며, 본 명세서의 용어 또는 문구는 본 명세서의 교시에 비추어 관련 기술의 당업자에 의해 해석되어야 한다는 것을 이해해야 한다.

본 명세서에서 사용되는 "기판"이라는 용어는 재료 층이 추가되는 재료를 설명한다. 일부 양태에서는, 기판 자체가 패터닝될 수 있고, 그 위에 추가된 재료도 패터닝될 수 있거나, 패터닝 없이 유지될 수 있다.

본원에 개시된 실시예들은 본 발명의 실시예들을 예시적으로 설명하는 것이지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 현장에서 일반적으로 발생하는 다양한 조건 및 파라미터의 기타 적절한 수정 및 적용은 관련 기술의 당업자에게 명백할 것이며, 이는 본 발명의 사상 및 범위 내에 있다.

본 발명의 특정 양태가 위에서 설명되었지만, 이러한 양태는 설명된 바와 다르게 실시될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 설명은 본 발명의 실시예를 제한하기 위한 것이 아니다.

배경, 간단한 설명 및 요약 섹션이 아닌 상세한 설명 섹션이 청구범위를 해석하는 데 사용되도록 의도되었음을 이해해야 한다. 간단한 설명 및 요약 섹션은 발명가(들)에 의해 고려된 하나 이상의 실시예를 제시할 수 있지만 모든 실시예를 제시하는 것은 아니며, 따라서 본 실시예 및 첨부된 청구항을 어떠한 방식으로든 제한하려는 의도가 아니다.

본 발명의 일부 양태는 특정 기능 및 그 관계의 구현을 예시하는 기능 빌딩 블록의 도움을 받아 위에서 설명되었다. 이러한 기능 빌딩 블록의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의로 정의되었다. 지정된 기능 및 그 관계가 적절하게 수행되는 한, 다른 경계를 정의할 수 있다.

본 발명의 특정 양태에 대한 전술한 설명은 당업자가 본 발명의 일반적인 개념에서 벗어나지 않고, 과도한 실험 없이, 당업 기술 내의 지식을 적용함으로써, 그러한 특정 양태를 다양한 용도에 맞게 쉽게 수정 및/또는 적용시킬 수 있도록 양태의 일반적인 특성을 충분히 드러낼 것이다. 따라서, 그러한 적용 및 수정은 본 명세서에 제시된 교시 및 지침에 기반하여 개시된 양태의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다.

본 발명의 폭과 범위는 전술된 예시적인 양태 또는 실시예들에 의해 제한되어서는 안 되며, 다음의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.

Claims (20)

1. 시스템으로서,
   방사선을 생성하고 핑거 어셈블리(finger assembly)를 향해 상기 생성된 방사선을 투과시키도록 구성된 방사선 소스;
   상기 투과된 방사선의 적어도 일부를 수신하도록 구성된 방사선 검출기; 및
   프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는:
   상기 수신된 방사선에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하고;
   상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성된 제어 신호를 생성하고;
   상기 핑거 어셈블리에 커플링된 모션 제어 시스템에 상기 제어 신호를 전송하도록 구성되는, 시스템.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화는, 핑거팁이 심자외선(DUV) 또는 극자외선(EUV) 방사선에 노광된 것에 대한 응답으로서의 상기 핑거팁의 크기 증가에 기반한 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 포함하는, 시스템.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 방사선 소스는 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안 상기 방사선을 투과시키도록 구성되는, 시스템.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 생성된 방사선은 레이저 커튼을 포함하고,
   상기 방사선 검출기는 상기 레이저 커튼에 의한 상기 핑거 어셈블리의 일부의 조사에 응답하여 상기 투과된 방사선의 적어도 일부를 수용하도록 구성되는, 시스템.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 핑거 어셈블리의 일부는 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁의 광학 에지로부터 분리되어 배치된 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁의 기계적 에지를 포함하는, 시스템.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 수신된 방사선은 상기 투과된 방사선에 의한 핑거팁 표면의 조사에 응답하여 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁 표면으로부터 반사된 방사선을 포함하는, 시스템.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 프로세서는:
   상기 수신된 방사선에 기반하여 상기 핑거 어셈블리 상에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하고,
   상기 기준 마크 위치의 상기 측정된 변화에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하도록 구성되는, 시스템.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 기준 마크는 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용되는, 시스템.
9. 리소그래피 장치 내 조명 슬릿 균일성을 조정하는 방법으로서, 상기 방법은:
   방사선 소스에 의해 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 단계;
   상기 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것에 응답하여, 방사선 검출기에 의해 상기 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계;
   상기 수신된 방사선에 기반하여, 프로세서에 의해 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계;
   상기 핑거 어셈블리의 상기 결정된 형상 변화에 기반하여, 상기 프로세서에 의해 상기 핑거 어셈블리의 위치를 수정하도록 구성되는 제어 신호를 생성하는 단계; 및
   상기 프로세서에 의해, 상기 제어 신호를 상기 핑거 어셈블리에 커플링된 모션 제어 시스템으로 전송하는 단계를 포함하는, 방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계는, 상기 프로세서에 의해, 핑거팁이 심자외선(DUV) 또는 극자외선(EUV) 방사선에 노광된 것에 대한 응답으로서의 상기 핑거팁의 크기 증가에 기반한 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁의 광학 에지 위치의 변화를 결정하는 것을 포함하는, 방법.
11. 제 9 항에 있어서,
    상기 핑거 어셈블리의 일부를 조사하는 단계는, 상기 리소그래피 장치의 웨이퍼 교환 작업 동안 상기 방사선 소스에 의해 상기 핑거 어셈블리의 일부를 방사선으로 조사하는 것을 포함하는, 방법.
12. 제 9 항에 있어서,
    상기 방사선은 레이저 커튼을 포함하고,
    상기 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계는, 상기 핑거 어셈블리의 일부를 상기 레이저 커튼으로 조사하는 것에 응답하여, 상기 방사선 검출기에 의해 상기 투과된 방사선의 적어도 일부를 수신하는 것을 포함하는, 방법.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 핑거 어셈블리의 일부는 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁의 광학 에지로부터 분리되어 배치된 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁의 기계적 에지를 포함하는, 방법.
14. 제 9 항에 있어서,
    상기 방사선의 적어도 일부를 수신하는 단계는, 핑거팁 표면에 상기 방사선을 조사하는 것에 응답하여, 상기 방사선 검출기에 의해, 상기 핑거 어셈블리의 상기 핑거팁 표면으로부터 반사된 방사선을 수신하는 것을 포함하는, 방법.
15. 제 9 항에 있어서,
    상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 단계는:
    상기 프로세서에 의해, 상기 수신된 방사선에 기반하여 상기 핑거 어셈블리 상에 배치된 기준 마크의 위치 변화를 측정하는 것; 및
    상기 프로세서에 의해, 상기 기준 마크 위치의 상기 측정된 변화에 기반하여 상기 핑거 어셈블리의 형상 변화를 결정하는 것을 포함하는, 방법.
16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기준 마크는 상기 핑거 어셈블리의 핑거팁에 배치된 다층 미러 재료의 영역에 적용되는, 방법.
17. 핑거 어셈블리를 포함하는 장치로서, 상기 핑거 어셈블리는:
    핑거 바디;
    핑거팁;
    상기 핑거팁의 표면에 배치된 다층 미러 재료; 및
    상기 다층 미러 재료의 영역에 적용되는 기준 마크 세트를 포함하는, 장치.
18. 제 17 항에 있어서,
    상기 기준 마크 세트는 2개 이상의 기준 마크를 포함하는, 장치.
19. 제 17 항에 있어서,
    상기 다층 미러 재료는 리소그래피 장치의 노광 작업 동안 심자외선(DUV) 방사선 또는 극자외선(EUV) 방사선을 방사선 검출기를 향해 반사시키도록 구성되는, 장치.
20. 제 17 항에 있어서,
    상기 다층 미러 재료는 몰리브덴(molybdenum)을 포함하는, 장치.