TWI539242B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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TWI539242B
TWI539242B TW101100375A TW101100375A TWI539242B TW I539242 B TWI539242 B TW I539242B TW 101100375 A TW101100375 A TW 101100375A TW 101100375 A TW101100375 A TW 101100375A TW I539242 B TWI539242 B TW I539242B
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大衛 克里斯多夫 歐克威爾
諾德 詹 吉列森
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他元件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他元件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷限度之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示： 其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱作瑞立常 數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內(諸如，6.7奈米或6.8奈米))之波長的EUV輻射。此輻射被稱作極紫外線輻射或軟x射線輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之液流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱作雷射產生電漿(LPP)源。
在微影裝置中，為了將圖案化元件之影像提供於基板之不同目標部分上及使用投影系統來掃描基板，移動基板。此移動係藉由包含被稱為夾盤(其可包含鏡面區塊)且攜載基板台(亦被稱作晶圓台)之配置的配置而進行。夾盤係藉由定位系統可移動。夾盤將其移動經由基板台而轉移至基板。
基板台係藉由真空而夾持至夾盤(亦被稱作編碼器區塊)或經由瘤節(burl)而靜電地夾持至夾盤(亦被稱作編碼器區塊)。微影投影裝置之較高產出率可藉由在投影系統下方基板之較快移動而達成。較快移動將藉由可造成在夾盤與基板台之間的(局域)滑動之較高加速而達成。在夾盤與基板台之間的滑動可導致基板處於不同於先前經判定位置之位置且因此導致經錯誤曝光基板。
需要避免在鏡面區塊與基板台之間的(局域)滑動。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一微影裝置之基板支撐件，該基板支撐件包含經建構以固持一基板之一基板台，及用於該基板台之一支撐區塊。在操作中，該基板台係藉由該支撐區塊支撐且夾持至該支撐區塊。一第一瘤節集合提供於該支撐區塊之一表面上以用於在該夾持期間緊靠該基板台。一第二瘤節集合提供於該基板台之一表面上以用於在該夾持期間緊靠該支撐區塊。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用來解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
根據上文在結合該等圖式時所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之器件。一器件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位指示。
本說明書揭示併入本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可藉由機器(例如，計算元件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體元件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算元件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他元件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；夾盤，其可為鏡面區塊MB(亦被稱作編碼器區塊)且具備基板台(例如，晶圓台)WT，該基板台經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定的或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料之小滴、液流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)的EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(通常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面元件及琢面化光瞳鏡面元件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器PS1以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中創製極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由(例如)造成至少部分離子化電漿之放電創製極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可能需要(例如)10Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
藉由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方之選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可被反射離開光柵光譜濾光器240以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面元件22及琢面化光瞳鏡面元件24，琢面化場鏡面元件22及琢面化光瞳鏡面元件24經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且藉由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射器件28、30而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所示器件多之器件通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射器件多1至6個的額外反射器件。
如圖2所說明之收集器光學器件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學器件CO係較佳地結合放電產生電漿源(通常被稱作DPP源)予以使用。
或者，源收集器模組SO可為圖3所示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生的高能輻射係自電漿發射、藉由近正入射收集器光學器件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
應注意，如上文所敍述，鏡面區塊MB包含基板台WT。然而，當關於鏡面區塊之主要部件(鏡面區塊之主要部件為無基板台之鏡面區塊)來論述基板台時，且當不存在混淆風險時，則術語「鏡面區塊」係用以僅指代主要部件。所描述實施例之鏡面區塊亦可一般化至任何類型之夾盤或晶圓台支撐件。
一類型之已知晶圓台夾具配置為真空夾具，其中晶圓台係使用真空而夾持至其支撐夾盤且晶圓係使用真空而夾持至晶圓台。此等夾具具備在晶圓台表面之下側上之長瘤節(或許為1毫米或更長)，以便在晶圓台與夾盤之間提供某一橫向彈性及/或可撓性。此情形之原因在於：晶圓台在微影程序期間經受大橫向加速力，該等力係藉由第二定位元件而施加於夾盤上。此等加速力可造成夾盤相對於基板台之局域變形，從而引起在夾盤與基板台之間的滑動。因此，可將具有增加可撓性之長瘤節提供於夾盤與基板台之間以縮減此滑動。第二定位元件連接至基板台所在的夾盤之區域可遭受由第二定位元件造成之最大變形。增加可撓性使瘤節有可能吸收變形之部分而無滑動，此情形在夾盤與基板台之間的滑動縮減方面提供顯著益處及優良屬性。
另一類型之夾具為靜電夾具。此等夾具不趨向於經受此等大加速且因此不會趨向於具備長瘤節。
圖4a展示能夠耐受真空夾具所經受之大橫向加速的可能靜電夾具配置。其展示靜電夾具400之下部部件及鏡面區塊410之上部部件。靜電夾具400包含第一玻璃層405及第二玻璃層415(其中核心材料層425係在此第二玻璃層上方)，且形成基板台之部件。在第一接合層與第二接合層之間的接合層450形成夾持電極。夾具具備形成於其下側上之長瘤節430。此等長瘤節430自身具有在其下側上之短瘤節420以進一步縮減在靜電夾具400之表面與鏡面區塊410之表面之間的總接觸面積，此等長瘤節430係藉由通道435之蝕刻/鑽孔而形成。此等短瘤節420用以縮減可達到該兩個表面之間的任何污染物之影響。
此等長瘤節430之提供係出於上文關於真空夾具所描述之相同原因。
此配置之缺點在於：需要鑽通玻璃層405、415，從而引起製造複雜性。此複雜性係藉由如下事實而加劇：經製造以形成瘤節之鑽孔通道435意謂電極接合層450曝光至局域地圍繞每一瘤節之微影腔室之真空。通常用於EUV微影之真空意謂非想要發弧(arcing)可為一問題。因此，在圍繞每一鑽孔通道435之高電壓電極接合層450中形成間隙440，藉此使金屬電極接合層450之經曝光區段與高電壓隔離。另外，亦需要使接合層之隔離型經曝光區段個別地接地。圖4b上更清楚地展示此情形，圖4b展示通過接合層450之單一瘤節430之橫截面。
圖5a及圖5b展示根據本發明之一實施例的晶圓載物台配置。圖5a展示靜電夾具500及鏡面區塊510之上部部件。靜電夾具500包含在其下側上之短瘤節520以縮減在靜電夾具500之表面與鏡面區塊510之表面之間的總接觸面積，以便縮減可達到該兩個表面之間的任何污染物之影響，如同圖4之實例一樣。鏡面區塊510之頂部表面包含長瘤節530以縮減如上文所論述之在該鏡面區塊與基板台之間的滑動，且可經覆蓋有在各瘤節之間的金屬導電層。長瘤節可為1毫米或更高，而短瘤節可小於100微米高。
如上文，在第一玻璃層505與第二玻璃層515之間的接合層550形成夾持電極。然而，此次，該接合層為未間斷連續層，此係因為：由於電極現在不再曝光至每一瘤節530處之真空，故無需圍繞每一瘤節530之個別接地。此情形使夾具500製造起來簡單得多。在晶圓台上短瘤節(圖中未繪示)之高度與第一玻璃層505一起設定靜電間隙，且連同所施加之電壓設定夾持力。
自展示通過圖5a之線AA之橫截面的圖5b可較好地看出，可藉由自鏡面區塊510之表面移除圓柱形插塞來製造長瘤節530中每一者。此情形形成圓柱形通道535且使瘤節530頂部齊平，其中原始鏡面區塊510之表面留存於瘤節530之間。此情形具有利用鏡面區塊製造商之常見機械加工能力之優點。
此外，可使用晶圓台製造商之現有處理能力(蝕刻)來製造在靜電夾具上之短瘤節520。無需如同圖4之元件一樣來鑽通多個經接合玻璃層。瘤節高度連同下層玻璃厚度設定夾持力。此夾持力可藉由台供應商測試。因此，在鏡面區塊上之長瘤節及在台上之短瘤節的提供意謂：在兩種狀況下，可使用「機械加工」操作而非深蝕刻來製造該等瘤節，此等程序已經為在鏡面區塊及晶圓台製造商處之標準。
儘管特別關於靜電夾具而描述以上實施例，但所描述概念同樣地適用於諸如真空夾具的其他類型之夾具，且鏡面區塊可包含任何其他類型之夾盤。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質以使得：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效物之意義及範圍內。應理解，本文之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。
21．．．輻射光束
22．．．琢面化場鏡面元件
24．．．琢面化光瞳鏡面元件
26．．．經圖案化光束
28．．．反射器件
30．．．反射器件
100．．．微影裝置
210．．．EUV輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211．．．源腔室
212．．．收集器腔室
220．．．圍封結構
221．．．開口
230．．．氣體障壁/污染物截留器/污染物障壁
240．．．光柵光譜濾光器
251．．．上游輻射收集器側
252．．．下游輻射收集器側
253．．．掠入射反射器
254．．．掠入射反射器
255．．．掠入射反射器
400．．．靜電夾具
405．．．第一玻璃層
410．．．鏡面區塊
415．．．第二玻璃層
420．．．短瘤節
425．．．核心材料層
430．．．長瘤節
435．．．鑽孔通道
440．．．間隙
450．．．接合層
500．．．靜電夾具
505．．．第一玻璃層
510．．．鏡面區塊
515．．．第二玻璃層
520．．．短瘤節
530．．．長瘤節
535．．．圓柱形通道
550．．．接合層
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
CO．．．輻射收集器/收集器光學器件
IF．．．虛擬源點/中間焦點
IL．．．照明系統/照明器/照明光學器件單元
LA．．．雷射
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件
MB．．．鏡面區塊
MT．．．支撐結構
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PS1．．．位置感測器
PS2．．．位置感測器
PW．．．第二定位器
SO．．．源收集器模組
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
圖2為圖1中之裝置的更詳細視圖。
圖3為圖1及圖2之裝置之源收集器模組的更詳細視圖。
圖4a及圖4b展示鏡面區塊配置之實施例。
圖5a及圖5b展示根據本發明之一實施例的鏡面區塊配置。
21．．．輻射光束
22．．．琢面化場鏡面元件
24．．．琢面化光瞳鏡面元件
26．．．經圖案化光束
28．．．反射器件
30．．．反射器件
100．．．微影裝置
210．．．EUV輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211．．．源腔室
212．．．收集器腔室
220．．．圍封結構
221．．．開口
230．．．氣體障壁/污染物截留器/污染物障壁
240．．．光柵光譜濾光器
251．．．上游輻射收集器側
252．．．下游輻射收集器側
253．．．掠入射反射器
254．．．掠入射反射器
255．．．掠入射反射器
CO．．．輻射收集器/收集器光學器件
IF．．．虛擬源點/中間焦點
IL．．．照明系統/照明器/照明光學器件單元
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
O．．．光軸
PS．．．投影系統
SO．．．源收集器模組
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (18)

  1. 一種用於一微影裝置之基板支撐件，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一支撐區塊，其係用於該基板台；其中在操作中，該基板台係藉由該支撐區塊支撐且被夾持至該支撐區塊；長條型器件之一陣列，其在該支撐區塊之一表面上以用於在該夾持期間緊靠(abutting)該基板台；且一瘤節集合係提供於該基板台之一表面上以用於在該夾持期間緊靠該支撐區塊，其中該基板台包含一靜電夾具，且靜電地執行該基板台至該支撐區塊之該夾持，且其中該支撐區塊之一頂面包含在長條型器件之間的一金屬導電層，以使得靜電間隙係由該瘤節集合之高度以及該夾持電極和該瘤節集合之間之一第一玻璃層之高度的總和所界定，該瘤節集合之高度係量測自該等瘤節所延伸出之表面。
  2. 如請求項1之基板支撐件，其中該靜電夾具之一電極包含一單一連續導電層。
  3. 如請求項1之基板支撐件，其中當自供長條型器件之該陣列及該瘤節集合延伸之該表面進行量測時，長條型器件之該陣列比該瘤節集合高10倍或10倍以上。
  4. 如請求項1之基板支撐件，其中長條型器件之該陣列比該瘤節集合高100倍或100倍以上。
  5. 如請求項1之基板支撐件，其中長條型器件之該陣列係 各自超過0.5毫米高以在該基板支撐區塊之橫向(lateral)加速期間最小化該基板台與該支撐區塊之間的滑動。
  6. 如請求項1之基板支撐件，其中該瘤節集合各自低於100微米高。
  7. 如請求項1之基板支撐件，其中該支撐區塊包含一鏡面區塊。
  8. 如請求項1之基板支撐件，其中該瘤節集合經組態以在夾持期間最小化在基板台與支撐區塊之間的接觸面積。
  9. 如請求項1之基板支撐件，其中長條型器件之該陣列包含該支撐區塊之一經加工表面。
  10. 一種微影裝置，其包含：經組態以調節一輻射光束之一照明系統；經建構以支撐一圖案化元件之一支撐件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；經組態以將該經圖案化輻射光束投影至基板之一目標部分上之一投影系統，及一基板支撐件，其中該基板支撐件包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一支撐區塊，其係用於該基板台；其中在操作中，該基板台係藉由該支撐區塊支撐且被夾持至該支撐區塊；長條型器件之一陣列，其在該支撐區塊之一表面上以用於在該夾持期間緊靠該基板台；且 一瘤節集合係提供於該基板台之一表面上以用於在該夾持期間緊靠該支撐區塊，其中該基板台包含一靜電夾具，且靜電地執行該基板台至該支撐區塊之該夾持，且其中該支撐區塊之一頂面包含在長條型器件之間的一金屬導電層，以使得靜電間隙係由該瘤節集合之高度以及該夾持電極和該瘤節集合之間之一第一玻璃層之高度的總和所界定，該瘤節集合之高度係量測自該等瘤節所延伸出之表面。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該靜電夾具之一電極包含一單一連續導電層。
  12. 如請求項10之微影裝置，其中當自供長條型器件之該陣列及該瘤節集合延伸之該表面進行量測時，長條型器件之該陣列比該瘤節集合高10倍或10倍以上。
  13. 如請求項10之微影裝置，其中長條型器件之該陣列比該瘤節集合高100倍或100倍以上。
  14. 如請求項10之微影裝置，其中長條型器件之該陣列係各自超過0.5毫米高以在該基板支撐區塊之橫向加速期間最小化該基板台與該支撐區塊之間的滑動。
  15. 如請求項10之微影裝置，其中該瘤節集合各自低於100微米高。
  16. 如請求項10之微影裝置，其中該支撐區塊包含一鏡面區塊。
  17. 如請求項10之微影裝置，其中該瘤節集合經組態以在夾 持期間最小化在基板台與支撐區塊之間的接觸面積。
  18. 如請求項10之微影裝置，其中長條型器件之該陣列包含該支撐區塊之一經加工表面。
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