CN114585973A - 在光刻设备中使用的光学部件和夹具 - Google Patents

在光刻设备中使用的光学部件和夹具 Download PDF

Info

Publication number
CN114585973A
CN114585973A CN202080074258.XA CN202080074258A CN114585973A CN 114585973 A CN114585973 A CN 114585973A CN 202080074258 A CN202080074258 A CN 202080074258A CN 114585973 A CN114585973 A CN 114585973A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical element
curved
heat transfer
fluid
curved optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080074258.XA
Other languages
English (en)
Inventor
V·A·佩雷斯-福尔肯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN114585973A publication Critical patent/CN114585973A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G02B7/1815—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation with cooling or heating systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本文描述了一种光学元件和包括光学元件的光刻设备。所述光学元件包括：第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及第二构件包括至少一个凹槽，至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件和第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过，对所述弯曲光学表面进行热调节。在实施例中，传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。

Description

在光刻设备中使用的光学部件和夹具
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月7日提交的美国临时专利申请号62/931,906的优先权，其通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开涉及一种光刻机器的光学系统。具体地，用于保持光刻设备的物体的光学元件、卡盘和夹具以及用于控制由光刻设备的夹具保持的物体的温度的方法。
背景技术
光刻投影设备可以例如在集成电路(IC)的制造中使用。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与IC的单个层相对应的电路图案(“设计布局”)，并且通过诸如通过图案形成装置上的电路图案照射目标部分等方法，该电路图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上，该目标部分已经被涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，电路图案由光刻投影设备连续地转印到该目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的电路图案被一次转印到一个目标部分上；这种设备一般被称为晶片步进器。在一般称为步进扫描设备的替代设备中，投影束沿着给定参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置上进行扫描，同时平行于或反平行于该参考方向同步移动衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分被逐渐转印到一个目标部分。通常，由于光刻投影设备将具有放大因子M(通常<1)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的因子M倍。关于本文描述的光刻装置的更多信息可以例如从US 6,046,792中收集，其通过引用并入本文。
如所提到的，显微光刻是IC的制造中的中心步骤，其中在衬底上形成的图案限定了诸如微处理器、存储器芯片等IC的功能元件。类似的光刻技术也被用于平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他装置的形成中。
随着半导体制造过程的不断发展，遵循一般称为“摩尔定律”的趋势，功能元件的尺寸被不断减小，而几十年来每个装置的功能元件(诸如晶体管)的数量却稳定增加。在当前的技术水平下，装置的各层是使用光刻投影设备制造的，该光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而创建尺寸远低于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源)的辐射波长的一半)的单个功能元件。
根据分辨率公式CD＝k1×λ/NA，尺寸小于光刻投影设备的经典分辨率极限的特征被印刷的该过程一般被称为低k1光刻，其中λ是所采用的辐射的波长(当前大多数情况下为248nm或193nm)，NA是光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”，通常是最小的印刷特征大小，并且k1是经验分辨率因子。从CD等式推断出，特征的最小可印刷大小的减小可以通过三种方式获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷大小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5至20nm范围内，例如在13至14nm范围内，例如在5至10nm范围内(诸如6.7nm或6.8nm)的电磁辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。
然而，由这种源生成的辐射将不仅仅是EUV辐射，并且该源还可以以其他波长发射，包括红外(IR)辐射和深紫外紫外线(DUV)辐射。DUV辐射可能对光刻系统有害，因为它可能会导致对比度损失。此外，不需要的IR辐射可能会对系统内的部件造成热损害。因此，已知使用光谱纯度滤波器来增加EUV在透射辐射中的比例，并且减少甚或消除不需要的非EUV辐射，诸如DUV和IR辐射。
使用EUV辐射的光刻设备可能需要在光刻操作期间必须将EUV辐射束路径或其至少重要部分保持在真空中。在光刻设备的这种真空区域中，夹具可以被用于分别将物体(诸如图案形成装置和/或衬底)夹持到光刻设备的结构(诸如图案形成装置台和/或衬底台的卡盘)。
另外，使用EUV辐射的光刻设备可能需要例如图案形成装置和/或衬底的温度调控。由于由图案形成装置和/或衬底吸收的热量，由EUV辐射或不需要的非EUV辐射产生的热量可能在光刻操作期间导致例如图案形成装置和/或衬底变形。为了减少变形，冷却流体可以通过夹具循环。
发明内容
在实施例中，提供了一种光学元件，包括：第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及第二构件包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件和第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面。在实施例中，传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
此外，提供了一种热调节在光刻设备中使用的弯曲光学元件的方法，弯曲光学元件包括至少一个封闭通道，其中光学元件的传热表面处被暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位，该方法包括：经由泵将流体作为传热介质递送到弯曲光学元件的至少一个封闭通道中；经由温度传感器接收弯曲光学元件上的温度值，或者经由模型接收弯曲光学元件上的热分布；以及基于温度值或者热分布，控制流体的性质以在使用光刻设备对图案进行成像期间维持弯曲光学元件上的均匀温度分布。
此外，提供了一种包括指令的非瞬态计算机可读介质，在由一个或多个处理器执行时，该指令实现本文讨论的方法的操作。
此外，提供了一种包括光学元件的光刻设备。光学元件包括：第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及第二构件包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件和第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面。在实施例中，传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
附图说明
实施例现在将仅通过示例的方式参照附图来描述，其中：
图1是根据实施例的反射光刻设备的示意图；
图2是根据实施例的图1中的设备的更详细视图；
图3是根据实施例的图2和3的设备的源收集器模块SO的更详细视图；
图4图示了根据实施例的沿着弯曲光学元件的温度梯度；
图5图示了根据实施例的包括遵循光学表面的弯曲轮廓的封闭通道的光学元件；
图6图示了根据实施例的包括遵循光学表面的弯曲轮廓的封闭通道的另一光学元件；
图7是根据实施例的用于图5和6的弯曲光学元件的热调节的示例方法的流程图；
图8是计算机系统的框图。
实施例现在将参照附图详细描述，附图作为说明性示例提供，以使本领域技术人员能够实践实施例。值得注意的是，下面的附图和示例并不意在将范围限制于单个实施例，而是通过交换一些或全部描述或图示的元件的方式，其他实施例是可能的。在方便的情况下，相同的附图标记将在附图中使用，以指代相同或相似的部分。在这些实施例的某些元件可以使用已知部件部分或完全实施的情况下，仅这种已知部件中对于理解实施例所必需的那些部分将被描述，并且这种已知部件的其他部分的详细描述将被省略，以免混淆实施例的描述。在本说明书中，示出单数部件的实施例不应被视为限制；相反，该范围旨在涵盖包括多个相同部件的其他实施例，反之亦然，除非本文另有明确规定。而且，申请人不打算向说明书或权利要求中的任何术语赋予不常见的或特殊的含义，除非明确地这样陈述。进一步地，该范围涵盖本文通过说明的方式引用的部件的当前和未来已知的等效物。
具体实施方式
尽管在本文中可以具体引用IC的制造，但应该明确理解的是，本文的描述还有许多其他可能的应用。例如，它可以被用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的指导和检测图案。本领域技术人员将了解，在这种替代应用的上下文中，术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用应该被认为分别与更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”可互换。
在本文档中，术语“辐射”和“光束”被用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如波长为365、248、193、157或126nm)和EUV(极紫外辐射，例如波长在5至20nm范围内)。
进一步地，光刻投影设备可以是具有两个或多个衬底台(和/或两个或多个图案形成装置台)的类型。在这种“多工作台”装置中，附加工作台可以被并行地使用，或者在一个或多个其他工作台正被用于曝光的同时，预备步骤可以在一个或多个工作台上执行。双工作台光刻投影设备例如在US 5,969,441中描述，其通过引用并入本文。
本文中采用的术语“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为是指通用图案形成装置，其可以被用于向传入的辐射束赋予图案化的横截面，对应于要在衬底的目标部分中创建的图案；在该上下文中，术语“光阀”也可以被使用。除了经典的掩模(透射或反射掩模；二进制、相移、混合掩模等)以外，其他这种图案形成装置的示例包括：
-可编程反射镜阵列。这种装置的示例是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种设备背后的基础原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射辐射反射为衍射辐射，而未寻址区域将入射辐射反射为未衍射辐射。使用适当的滤波器，所述未衍射辐射可以从反射束中滤出，仅留下衍射辐射；通过这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而被图案化。所需的矩阵寻址可以使用合适的电子部件来执行。例如，关于这种反射镜阵列的更多信息可以从美国专利号5,296,891和5,523,193中收集，这些专利通过引用并入本文。
-可编程LCD阵列。这种构造的示例是在美国专利号5,229,872中给出的，其通过引用并入本文。
图1示意性地描绘了示例性光刻投影设备LA。光刻投影设备LA包括：源收集器模块SO；照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并且连接至第一定位器PM(被配置为准确地定位图案形成装置)；衬底台(例如晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如抗蚀剂涂覆的晶片)W并且连接至第二定位器PW(被配置为准确地定位衬底)；以及投影系统(例如折射投影系统)PS，被配置为将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合，以用于引导、整形或控制辐射。
支撑结构MT以取决于图案形成装置的定向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否被保持在真空环境中等其他条件的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构可以使用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或工作台，例如这可以根据需要固定或移动。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统位于期望位置处。
术语“图案形成装置”应该被广义地解释为指代任何装置，其可以被用于在其横截面中赋予辐射束图案，诸如以在衬底的目标部分中创建图案。赋予辐射束的图案可以与在目标部分中创建的装置(诸如集成电路)中的特定功能层相对应。
图案形成装置可以是反射的(与图1的光刻设备LA一样)或透射的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制掩模类型、交替相移掩模类型和衰减相移掩模类型以及各种混合掩模类型等掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜都可以被单独地倾斜，以便在不同方向上反射传入辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜阵列反射的辐射束中赋予图案。
与照射系统一样，投影系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合，如针对所使用的曝光辐射或其他因素(诸如真空的使用)适当的。可能期望使用真空进行EUV辐射，因为其他气体可能会吸收过多的辐射。因此，借助于真空壁和真空泵，真空环境可以被提供给整个光路。
如此处描绘的，设备LA是反射型的(例如采用反射掩模)。要注意的是，因为大多数材料在EUV波长范围内是吸收性的，所以掩模可以具有多层反射器，该多层反射器包括例如钼和硅的多叠层。在一个示例中，多叠层反射器具有钼和硅的40层对，其中每层的厚度为四分之一波长。甚至更小的波长可以用X射线光刻产生。由于大多数材料在EUV和x射线波长处都是吸收性的，因此在图案形成装置形貌上的图案化吸收材料的薄片(例如多层反射器顶部的TaN吸收剂)定义了特征将在何处印刷(正性抗蚀剂)或不印刷(负性抗蚀剂)。
参照图1，照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换为具有至少一种元素(例如氙、锂或锡)的等离子态，其在EUV范围内具有一个或多个发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，等离子体可以通过用激光束照射燃料(诸如具有线发射元素的材料微滴、束流或集群)来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，该EUV辐射系统包括未在图1中示出的激光器，以用于提供激发燃料的激光束。所得的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用设置在源收集器模块中的辐射收集器来收集。激光器和源收集器模块可以是单独的实体，例如当CO2激光器被用于提供激光束以进行燃料激发时。
在这种情况下，激光器不被认为形成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的导向镜和/或扩束器的光束递送系统，辐射束从激光器传递到源收集器模块。在其他情况下，源可能是源收集器模块的集成部分，例如当源是放电产生的等离子体EUV生成器时，通常称为DPP源。
照射器IL可以包括调整器，以用于调整辐射束的角强度分布。通常，照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ外部和σ内部)可以被调整。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如琢面场和光瞳反射镜装置。照射器可以被用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束B入射到图案形成装置(例如掩模)MA上，并且由图案形成装置图案化，该图案形成装置MA被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上。在从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如干涉装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被准确地移动，例如以在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以被用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。
所描绘的设备LA可以被用于以下模式中的至少一种：
1.在步进模式下，在赋予辐射束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)时，支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上偏移，使得不同的目标部分C可以被曝光。
2.在扫描模式下，在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)时，支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT被同步地扫描。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特点来确定。
3.在另一模式下，在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上的同时，支撑结构(例如掩模台)MT基本上保持静止，从而保持可编程图案形成装置，并且衬底台WT被移动或扫描。在这种模式下，通常脉冲式辐射源被采用，并且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，可编程图案形成装置根据需要来更新。这种操作模式可以容易地被应用于无掩模光刻，其利用可编程图案形成装置(诸如上面引用类型的可编程反射镜阵列)。
图2更详细地示出了设备LA，其包括源收集器模块SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器模块SO被构造和布置为使得可以在源收集器模块SO的封闭结构220中维持真空环境。EUV辐射发射等离子体210可以由放电产生的等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中非常热的等离子体210被创建，以发射电磁谱的EUV范围内的辐射。非常热的等离子体210是由例如放电创建的，该放电引起至少部分地电离的等离子体。为了有效地生成辐射，可能需要例如10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽的分压。在实施例中，激发锡(Sn)的等离子体被提供，以产生EUV辐射。
经由被定位在源室211中的开口中或后面的可选气体阻挡部或污染物陷阱230(在一些情况下也称为污染物阻挡部或翼片阱)，由热等离子体210发射的辐射从源室211传递到收集器室212中。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体阻挡部或者气体阻挡部和通道结构的组合。如本领域已知的，本文进一步指示的污染物陷阱或污染物阻挡部230至少包括通道结构。
收集器室211可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。遍历收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤光片240反射出来，以沿着由点虚线‘O’指示的光轴聚焦在虚拟源点IF中。虚拟源点IF一般被称为中间焦点，并且源收集器模块被布置为使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口221处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。
随后，辐射遍历照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，其被布置为在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望角分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望均匀性。在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束21时，图案化光束26被形成，并且图案化光束26由投影系统PS经由反射元件28、30成像到由衬底台WT保持的衬底W上。
通常在照射光学器件单元IL和投影系统PS中可以存在比所示更多的元件。取决于光刻设备的类型，光栅光谱滤光片240可以可选地存在。进一步地，可能存在比附图中所示的更多的反射镜，例如与图2所示的相比，投影系统PS中可能存在1至6个附加反射元件。
如图2所图示的，收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称地设置，并且优选地，这种类型的收集器光学器件CO可以与通常称为DPP源的放电产生的等离子体源组合使用。
备选地，源收集器模块SO可以是图3所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LAS被布置为将激光能量沉积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)等燃料中，从而创建电子温度为数十eV的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激发和重组期间生成的带能辐射从等离子体发射，由近法向入射的收集器光学器件CO收集并且聚焦到封闭结构220中的开口221上。
本文公开的概念可以模拟或数学建模任何通用成像系统，以用于对亚波长特征进行成像，并且对于能够产生越来越短的波长的新兴成像技术可能尤其有用。已经使用的新兴技术包括EUV(极紫外)、DUV光刻，该技术能够使用ArF激光器产生193nm的波长，甚至使用氟激光器产生157nm的波长。而且，通过使用同步加速器或通过用高能电子撞击材料(固体或等离子体)以产生在该范围内的光子，EUV光刻能够产生在20至5nm范围内的波长。
物体支撑件的示例性实施例
在一些实施例中，光刻设备的支撑件被配置为保持物体并且控制物体的温度。支撑件可以是被配置为保持衬底W的衬底台WT或被配置为保持图案形成装置MA的支撑结构MT，如上面在图1和2中描述的。物体可以是例如图案形成装置，诸如上述掩模或掩模版，或者物体可以是例如衬底，诸如上述晶片。在物体是图案形成装置的一些实施例中，图案形成装置将图案赋予到入射在图案形成装置的表面上的辐射束上。当物体被夹持到夹具时，物体的表面接收辐射束。当物体入射辐射束曝光时，物体可能会从辐射束中吸收能量并且升温。当物体被加热时，物体的某些部分可能会膨胀和变形。在一些实施例中，为了防止或减少物体的变形，根据各种实施例，支撑件可以被配置为调节物体以保持在基本上室温(例如大约22℃)或任何其他限定的操作温度。夹具被配置为充当散热器，并且夹具可以被配置为维持在低于物体的目标平均温度的温度，以完成对物体的这种温度控制。在一些实施例中，通过使被调节至目标温度的流体流过由夹具限定的至少一个通道，夹具被维持在低于物体的目标温度的温度。但随着时间的推移，穿过至少一个通道的流体的冷却力也会冷却卡盘，导致卡盘变形，进而导致夹具和物体变形。在物体是具有反射表面的图案形成装置的实施例中，反射表面的部分可以变形，从而在衬底晶片处引起不需要的图像失真。附加地，物体的变形可能会导致卡盘和物体之间的滑动。而且，卡盘变形本身也可能会导致卡盘计量的变化，从而导致卡盘定位误差，因此导致衬底晶片处的图像叠加误差。
为了消除或减少被夹持物体的这种变形以及由于卡盘变形引起的卡盘定位误差，被配置为保持光刻装置的物体的支撑件可以包括夹具，其具有(1)至少一个通道，被配置为使流体通过以将卡盘调节到目标温度，以及(2)在实施例中至少一个单独的通道，被配置为使流体通过以将物体调节到目标温度。用于保持光刻这种的物体的卡盘和夹具以及用于控制由光刻设备的夹具保持的物体温度的方法的附加讨论在于2018年3月29日提交的美国专利申请号15/764,594中描述，该专利申请通过引用全部并入本文。
图4图示了由光刻设备的夹具保持的示例光学部件(或元件)400。例如，光学元件400是例如图1至3的光刻设备的例如照射系统和/或投影系统中所包括的任何光学部件。在实施例中，光学元件400包括具有反射表面(例如411)的第一构件410(例如反射镜)。在实施例中，第一构件410具有弯曲轮廓。第一构件410可以被附接至第二构件420。在实施例中，第二构件420可以是用于保持物体的夹具的一部分，如图1至3所讨论的。在实施例中，第二构件可以是反射镜的背衬构件。
当辐射入射到第一构件410的弯曲光学表面411上时，由于入射辐射引起的不均匀加热而形成不均匀的热梯度。例如，热梯度使得光学表面的中心部分412相对较冷，并且温度朝着光学表面的末端逐渐增加。因此，冷中心部分412和热末端部分414可以被形成。在实施例中，光学表面上的这种热梯度可能会导致光学表面变形(例如反射镜变形)。因此，需要光学表面上的均匀热梯度或均匀温度，使得温度被维持在温度阈值以下。
为了解决不均匀的热梯度问题，一个或多个冷却通道(例如425a至425e)可以被形成在例如EUV掩模版和晶片夹具中。在实施例中，冷却通道被加工为玻璃或陶瓷板。在玻璃或陶瓷位置的顶部，另一板或第一构件被附接以密封在冷却通道中。冷却通道允许冷却流体(例如水)以受控方式穿过通道。通常，掩模版和晶片夹具具有基本平坦的表面，因此这提供了均匀的冷却。
然而，如图4所示，在光刻设备中使用的一些光学部件(例如反射镜)是弯曲的。因此，采用由平坦表面封闭的通道(例如在410和420的两个平坦表面之间的结合线415)可能不会提高温度梯度的均匀性。
冷却光刻设备中使用的光学部件的替代现有方式包括用于跨光学表面411上的均匀热负载的主动加热。例如，EUV引起的加热可以通过主动加热光学表面(例如411)的剩余部分来补偿，使得在光学表面(例如411)上维持均匀的温度。然而，这种主动加热也会导致光学元件变形。由于材料变化和安装变形，这种变形是不期望的。
本公开提供了一种改进温度梯度的均匀性的光学元件。例如，与沿着结合线415的通道相比，创建弯曲通道将带来进一步的冷却和均匀性改进。在示例中，本公开提供了在第一构件(例如图5中的510)和第二构件(例如图5中的520)两者中以不同深度加工一个或多个通道，从而均匀的通道距离可以被实现。本公开的优点包括但不限于第一元件(例如510)的光学表面上的均匀热梯度，导致弯曲表面中的热变形均匀性。
参照图5和6，示出了在光刻设备中使用的物体(例如光学元件)的截面图。在实施例中，光学元件(例如图5中的500或者图6中的600)包括：第一构件(例如510或610)，具有弯曲光学表面(例如502或602)和传热表面(例如515或615)；以及，第二构件(例如520或620)包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件和第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面。在实施例中，传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域(例如R51至R55或者R61至R65)沿着类似于弯曲光学表面(例如502或602)的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
在实施例中，第一构件可以是具有弯曲光学表面(例如502或602)的光学部件，该弯曲光学表面可以是反射表面(例如反射镜)。第二构件可以是反射表面的背面处的背衬或支撑件。在实施例中，第二构件可以是用于保持光学部件的夹具的一部分。在实施例中，第一构件和第二构件使用熔融结合或者阳极结合抵靠彼此密封。
在实施例中，弯曲光学表面位于入射光束(或反射光束)被接收的第一侧。在实施例中，传热表面位于与弯曲光学表面的第一侧相对的第二侧。在传热表面处，流体可以穿过封闭通道以冷却第一构件的弯曲光学表面。
在实施例中，传热表面(例如在图5中的515中)包括第一组凹槽(例如第一构件510中的525a至525e中的一部分)，其中第一组凹槽中的每个凹槽具有与弯曲光学表面502的弯曲轮廓相距恒定距离(例如D1)的区域(例如R51、R52、R53、R54或R55)。例如，从凹槽的中心到弯曲光学表面502的弯曲轮廓的距离D1被确定。在实施例中，当曲线通过凹槽中的每个凹槽的中心(例如第一构件510中的525a至525e中的一部分的中心)拟合时，拟合曲线遵循弯曲表面(例如502)的弯曲轮廓。在实施例中，弯曲轮廓和拟合曲线的曲率半径近似相同。在实施例中，弯曲轮廓具有有限的给定曲率半径，不同于平坦表面。
在实施例中，第二构件(例如520或620)包括第二组凹槽。例如，图5图示了第二组凹槽，例如在第一构件520中形成的525a至525e中的部分。在另一示例中，凹槽625a至625e在图6中形成在第二构件620中。
在实施例中，当第二构件520抵靠传热表面密封时(例如在515中)，第一组凹槽(例如510中的525a至525e的部分)与第二组凹槽(例如520中的525a至525e的部分)对准以形成封闭通道组(例如525a至525e)。封闭通道组(例如525a至525e)允许流体穿过以进行光学表面(例如502)的热调节。在实施例中，穿过至少一个封闭通道或封闭通道组的流体的性质(例如流量、压力、温度等)被控制，使得弯曲光学表面被维持在均匀的热梯度。在实施例中，流体是冷却流体，诸如水。
在实施例中，传热表面的第一组凹槽和第二构件的第二组凹槽沿着与弯曲光学表面的弯曲轮廓相切的方向形成。
在实施例中，传热表面是平坦表面。例如，参照图5，平坦表面是结合线515处的表面。在实施例中，传热表面是具有弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲表面。例如，参照图6，传热表面615是弯曲表面。在实施例中，传热表面和第二构件使用熔融结合或者阳极结合抵靠彼此密封。
参照图5，光学元件500包括第一构件510和第二构件520中的凹槽。在实施例中，第一构件510和第二构件520具有平坦结合线515，其光学接触并且熔融构件510和520。
在实施例中，凹槽被加工为第一构件510和第二构件520的两个表面。进一步地，在维持两个加工表面的光学接触完整性时，凹槽被对准。进一步地，构件510和520被熔融。在实施例中，遵循封闭通道525a至525e的布置的弯曲轮廓受到可以在构件510和520中加工的通道深度的限制。在实施例中，通道几何形状可以通过改变通道宽度、通道深度和/或通道间距来改变，同时遵循弯曲光学表面502的弯曲轮廓。
如图5所示，光学元件500包括第一构件510和第二构件520。第一构件510具有光学表面502和第一传热表面515，其中光学表面502具有弯曲轮廓，并且第一传热表面包括第一组凹槽，每个凹槽相对于光学表面502的弯曲轮廓位于恒定距离D1处。例如，区域R51、R52、R53、R54和R55被形成，使得区域R51至R55的中心与光学表面502的弯曲轮廓相距恒定距离D1。因此，当流体与这些区域R51至R55接触时，热量是从光学表面502均匀地传递到流体的，从而在光学表面502上维持基本恒定的温度。
第二构件520包括第二传热表面，其中第二传热表面包括第二组凹槽。第二传热表面在平坦结合线515处附接至第一传热表面，使得第一组凹槽和第二组凹槽形成封闭通道组525a至525e，以允许流体穿过封闭通道组以进行光学表面的热调节。
在实施例中，穿过封闭通道组525a至525e的流体的性质(例如流量、压力、温度)被控制，使得光学表面502被维持在均匀的热梯度。
参照图6，光学元件600包括仅在第二构件620(例如图1至3中讨论的夹具)中的凹槽。在实施例中，第一构件610和第二构件620具有弯曲结合线615，其光学接触并且熔融构件610和620。在实施例中，弯曲结合线615与弯曲光学表面502的凹面或凸面轮廓紧密匹配。由于凹槽仅被包括在第二构件502中，因此对准更简单，例如仅结合线615处的弯曲表面应该被匹配并且熔融以形成光学元件600。
在实施例中，通道几何形状可以通过改变结合线615处的结合表面的曲率来改变。在实施例中，通道几何形状可以通过改变通道宽度、通道深度和/或通道间距来改变，同时遵循弯曲光学表面602的弯曲轮廓。
如图6所示，在615中，光学元件600包括第一构件610，具有光学表面602和第一传热表面。结合线615处的光学表面602和第一传热表面具有弯曲轮廓。在实施例中，结合线615处的弯曲轮廓是指在被暴露于通道组525a至625e的区域R61、R62、R63、R64和R65处拟合的曲线。
区域R61至R65与光学表面602的弯曲轮廓相距恒定距离。因此，当流体与这些区域R61至R65接触时，热量是从光学表面602均匀地传递到流体的，从而在光学表面602上维持基本恒定的温度。
第二构件620包括结合线615处的第二传热表面。第二传热表面具有弯曲轮廓，并且包括凹槽组，其中第二传热表面被附接至第一传热表面，使得凹槽组形成封闭通道组625a至625e，以允许流体穿过封闭通道组以进行光学表面的热调节。
在实施例中，穿过封闭通道组625a至625e的流体的性质(例如流量、压力、温度)被控制，使得光学表面502被维持在均匀的热梯度。
在实施例中，光刻设备可以包括光学元件(例如500和/或600)。光学元件包括：第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及，第二构件包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件和第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面。在实施例中，传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
图7是用于热调节在光刻设备中使用的弯曲光学元件(例如本文讨论图5或图6的光学元件500或600)的示例方法的流程图。如早前讨论的，弯曲光学元件包括至少一个封闭通道(例如图5或6中的通道525a至525e或者625a至625e中的一个通道)，其中光学元件的传热表面处被暴露于至少一个封闭通道的区域(例如R51至R55或者R61至R65)沿着类似于弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。在实施例中，该方法包括遵循示例步骤。
步骤P702包括经由泵(未示出)将流体作为传热介质递送到弯曲光学元件(例如500和600)的至少一个封闭通道中。在实施例中，泵可以是在光刻设备中使用的冷却系统中使用的任何泵。
步骤P704包括经由温度传感器(未示出)接收跨弯曲光学元件(例如500和600)上的温度值。在实施例中，温度值可以经由模型估计。模型被配置为跨弯曲光学元件生成热分布。例如，热分布的建模基于弯曲光学元件的照射图案和照射强度。基于模型，温度值可以在光刻设备的操作期间在透镜上的任何位置处估计。然后，基于所估计的温度，通过通道的流量可以被相应地调整。在这种情况下，不存在温度反馈，而是开环控制以基于模型的估计为基础。因此，温度的主动监测可能未被使用。
步骤P706包括基于温度值控制流体的性质以在使用光刻设备对图案进行成像期间维持弯曲光学元件上的均匀温度分布。例如，流体的特性包括但不限于以下一项或多项：温度、压力和/或流量。
在实施例中，流体的性质的控制包括：确定具有相对较高的温度值的弯曲光学元件的位置；标识封闭通道组中最接近确定位置的一个或多个封闭通道；以及调整一个或多个封闭通道内的流体的性质，使得在确定位置处的温度被维持在期望的温度范围内。在实施例中，期望的温度范围是基于弯曲光学元件上的温度值的均值和方差确定的。
在实施例中，方法700的一个或多个步骤可以被实施为计算机系统的处理器中的指令(例如程序代码)(例如计算机系统100的过程104)。在实施例中，步骤可以被分布到多个处理器上(例如并行计算)以提高计算效率。在实施例中，计算机程序产品包括在其上记录有指令的非瞬态计算机可读介质，在由计算机执行时，该指令实施方法700。
在实施例中，以上方法可以在处理器上实施或者在非瞬态计算机可读介质上提供。例如，非瞬态计算机可读介质(例如存储器)包括指令，在由一个或多个处理器执行时，该指令实现操作，包括：经由泵将流体作为传热介质递送到弯曲光学元件的至少一个封闭通道中；经由温度传感器接收弯曲光学元件上的温度值，或者经由模型接收弯曲光学元件上的热分布；以及基于温度值或者热分布，控制流体的性质以在使用光刻设备对图案进行成像期间在弯曲光学元件上维持均匀的温度分布。如本文讨论的，弯曲光学元件的传热表面处被暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
根据本公开，所公开元件的组合和子组合构成单独的实施例。例如，第一组合包括在第一构件(例如510)和第二构件(例如520)中具有凹槽的光学元件。第二组合可以包括仅在第二构件(例如620)中具有凹槽并且结合线(例如615)是弯曲的光学元件。在另一组合中，光刻设备包括光学元件。光学元件包括：第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及第二构件包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件和第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面。在实施例中，传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
图8是图示了可以辅助实施本文公开的优选方法和流程的计算机系统100的框图。计算机系统100包括总线102或用于传递信息的其他通信机制以及与总线102耦合以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100还包括主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储装置，其被耦合至总线102，以用于存储信息和要由处理器104执行的指令。主存储器106也可以被用于在要由处理器104执行的指令执行期间存储临时变量或其他中间信息。计算机系统100还包括只读存储器(ROM)108或其他静态存储装置，其被耦合至总线102，以用于存储针对处理器104的静态信息和指令。诸如磁盘或光盘等存储装置110被提供，并且被耦合至总线102以用于存储信息和指令。
计算机系统100可以经由总线102耦合至显示器112，诸如阴极射线管(CRT)或者平板或触摸板显示器，以用于向计算机用户显示信息。包括字母数字键和其他键的输入装置114被耦合至总线102，以用于将信息和命令选择传递给处理器104。另一类型的用户输入装置是光标控件116，诸如鼠标、轨迹球或光标方向键，以用于将方向信息和命令选择传递给处理器104，并且控制显示器112上的光标移动。该输入装置通常在两个轴(第一轴(例如x)和第二轴(例如y))上具有两个自由度，其允许装置指定平面中的位置。触摸板(屏幕)显示器也可以被用作输入装置。
根据一个实施例，响应于处理器104执行主存储器106中所包含的一个或多个指令的一个或多个序列，优化过程的部分可以由计算机系统100执行。这种指令可以从诸如存储装置110等另一计算机可读介质读取到主存储器106中。主存储器106中所包含的指令序列的执行使处理器104执行本文描述的过程步骤。多处理布置中的一个或多个处理器也可以被采用，以执行主存储器106中所包含的指令序列。在替代实施例中，硬连线电路系统可以代替软件指令使用或与软件指令组合使用。因此，本文的描述不被限于硬件电路系统和软件的任何具体组合。
本文使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器104提供指令以供执行的任何介质。这种介质可以采取许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括构成总线102的电线。传输介质也可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间生成的那些声波或光波。计算机可读介质的常见形式包括例如软盘、可折叠磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、穿孔卡片、纸带、具有孔洞图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、闪存EPROM、任何其他存储器芯片或者存储器匣、下文描述的载波或者计算机可以从中读取的任何其他介质。
各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或多个指令的一个或多个序列携带到处理器104以供执行。例如，指令最初可能被承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统100本地的调制解调器可以在电话线上接收数据，并且使用红外发送器将数据转换为红外信号。耦合至总线102的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据，并且将数据放置在总线102上。总线102将数据携带到主存储器106，处理器104从主存储器106取回并执行指令。在由处理器104执行之前或之后，由主存储器106接收的指令可以可选地被存储在存储装置110上。
优选地，计算机系统100还包括耦合至总线102的通信接口118。通信接口118提供耦合至网络链路120的双向数据通信，该网络链路120被连接至本地网络122。例如，通信接口118可以是集成服务数字网络(ISDN)卡或调制解调器，以提供与对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一示例，通信接口118可以是局域网(LAN)卡，以提供与兼容LAN的数据通信连接。无线链路也可以被实施。在任何这种实施方式中，通信接口118发送和接收电信号、电磁信号或光学信号，其携带表示各种类型的信息的数字数据流。
网络链路120通常通过一个或多个网络向其他数据装置提供数据通信。例如，网络链路120可以通过本地网络122向主机计算机124或由互联网服务提供方(ISP)126操作的数据装置提供连接。ISP 126又通过全球分组数据通信网络(现在一般称为“互联网”128)提供数据通信服务。本地网络122和互联网128都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光学信号。通过各种网络的信号以及在网络链路120上并且通过通信接口118的信号(将数字数据携带到计算机系统100并且从计算机系统100携带数字数据)是输送信息的载波的示例性形式。
计算机系统100可以通过(多个)网络、网络链路120和通信接口118发送消息并且接收数据，包括程序代码。在互联网示例中，服务器130可以通过互联网128、ISP 126、本地网络122和通信接口118传输针对应用程序的请求代码。例如，一个这种下载应用可以提供实施例的照射优化。接收到的代码可以在被接收到时由处理器104执行，和/或被存储在存储装置110或其他非易失性存储设备中，以供稍后执行。通过这种方式，计算机系统100可以获得载波形式的应用代码。
本发明的其他方面在以下带编号的条款中陈述：
1.一种光学元件，包括：
第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及
第二构件包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件与第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面，
其中传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
2.根据条款1的光学元件，其中弯曲光学表面位于接收入射光束的第一侧。
3.根据条款2的光学元件，其中传热表面位于与弯曲光学表面的第一侧相对的第二侧。
4.根据条款1至3中任一项的光学元件，其中传热表面是平坦表面。
5.根据条款1至3中任一项的光学元件，其中传热表面是具有弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲表面。
6.根据条款1至5中任一项的光学元件，其中传热表面和第二构件使用熔融结合或阳极结合抵靠彼此密封。
7.根据条款1至6中任一项的光学元件，其中传热表面包括第一组凹槽，该第一组凹槽中的每个凹槽具有位于距弯曲光学表面的弯曲轮廓恒定距离处的区域。
8.根据条款1至7中任一项的光学元件，其中第二构件包括第二组凹槽。
9.根据条款7至8中任一项的光学元件，其中当第二构件抵靠传热表面密封时，第一组凹槽与第二组凹槽对准以形成封闭通道组，该封闭通道组允许流体穿过以进行光学表面的热调节。
10.根据条款7至9中任一项的光学元件，其中传热表面的第一组凹槽和第二构件的第二组凹槽沿着与弯曲光学表面的弯曲轮廓相切的方向形成。
11.根据条款1至10中任一项的光学元件，其中穿过至少一个封闭通道或者封闭通道组的流体的性质被控制，使得弯曲光学表面被维持在均匀的热梯度。
12.根据条款1至11中任一项的光学元件，其中流体是冷却流体。
13.根据条款1至12中任一项的光学元件，其中弯曲轮廓具有有限的给定曲率半径。
14.一种热调节在光刻设备中使用的弯曲光学元件的方法，弯曲光学元件包括至少一个封闭通道，其中光学元件的传热表面处被暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位，该方法包括：
经由泵将流体作为传热介质递送到弯曲光学元件的至少一个封闭通道中；
经由温度传感器接收跨弯曲光学元件上的温度值，或者经由模型接收跨弯曲光学元件的热分布；以及
基于温度值或者热分布，控制流体的性质以在使用光刻设备对图案进行成像期间维持跨弯曲光学元件的均匀温度分布。
15.根据条款14的方法，其中弯曲光学元件包括封闭通道组。
16.根据条款15的方法，其中流体性质的控制包括：
确定跨弯曲光学元件具有相对较高的温度值的位置；
标识封闭通道组中最接近确定位置的一个或多个封闭通道；以及
调整一个或多个封闭通道内的流体的性质，使得确定位置处的温度被维持在期望温度范围内。
17.根据条款14至16中任一项的方法，其中期望温度范围是基于跨弯曲光学元件的温度值的均值和方差确定的。
18.根据条款14至17中任一项的方法，其中流体的性质包括：温度、压力和/或流量。
19.根据条款14至18中任一项的方法，其中模型被配置为基于弯曲光学元件处的照射图案和/或照射强度来生成热分布。
20.一种包括指令的非瞬态计算机可读介质，在由一个或多个处理器执行时，该指令实现操作，包括：
经由泵将流体作为传热介质递送到弯曲光学元件的至少一个封闭通道中；
经由温度传感器接收跨弯曲光学元件的温度值，或者经由模型接收跨弯曲光学元件的热分布；以及
基于温度值或者热分布，控制流体的性质以在使用光刻设备对图案进行成像期间维持跨弯曲光学元件的均匀温度分布，
其中弯曲光学元件的传热表面处被暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
21.一种光刻设备，包括：
光学元件，包括：
第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及
第二构件包括至少一个凹槽，该至少一个凹槽抵靠传热表面密封以在第一构件与第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以热调节弯曲光学表面，
其中传热表面的暴露于至少一个封闭通道的区域沿着类似于弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
22.根据条款21的光刻设备，其中弯曲光学表面位于接收入射光束的第一侧。
23.根据条款22的光刻设备，其中传热表面位于与弯曲光学表面的第一侧相对的第二侧。
24.根据条款21至23中任一项的光刻设备，其中传热表面是平坦表面。
25.根据条款21至23中任一项的光刻设备，其中传热表面是具有弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲表面。
26.根据条款21至25中任一项的光刻设备，其中传热表面和第二构件使用熔融结合或阳极结合抵靠彼此密封。
27.根据条款21至26中任一项的光刻设备，其中传热表面包括第一组凹槽，该第一组凹槽中的每个凹槽具有位于距弯曲光学表面的弯曲轮廓恒定距离处的区域。
28.根据条款21至27中任一项的光刻设备，其中第二构件包括第二组凹槽。
29.根据条款27至28中任一项的光刻设备，其中当第二构件抵靠传热表面密封时，第一组凹槽与第二组凹槽对准以形成封闭通道组，该封闭通道组允许流体穿过以进行光学表面的热调节。
30.根据条款27至29中任一项的光刻设备，其中传热表面的第一组凹槽和第二构件的第二组凹槽沿着与弯曲光学表面的弯曲轮廓相切的方向形成。
31.根据条款21至30中任一项的光刻设备，其中穿过至少一个封闭通道或者封闭通道组的流体的性质被控制，使得弯曲光学表面被维持在均匀的热梯度。
32.根据条款21至31中任一项的光刻设备，其中流体是冷却流体。
33.根据条款21至32中任一项的光刻设备，其中弯曲轮廓具有有限的给定曲率半径。
尽管本文公开的概念可以被用于在诸如硅晶片等衬底上成像，但是应该理解的是，所公开的概念可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在除硅晶片之外的衬底上成像的那些光刻成像系统。
以上描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，在不偏离下面陈述的权利要求的范围的情况下，修改可以如所描述的那样进行。

Claims (20)

1.一种光学元件，包括：
第一构件，具有弯曲光学表面和传热表面；以及
第二构件包括至少一个凹槽，所述至少一个凹槽抵靠所述传热表面密封以在所述第一构件与所述第二构件之间形成至少一个封闭通道，以允许流体流过以对所述弯曲光学表面进行热调节，
其中所述传热表面的暴露于所述至少一个封闭通道的区域沿着类似于所述弯曲光学表面的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位。
2.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述弯曲光学表面位于接收入射光束的第一侧。
3.根据权利要求2所述的光学元件，其中所述传热表面位于与所述弯曲光学表面的所述第一侧相对的第二侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学元件，其中所述传热表面是平坦表面。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光学元件，其中所述传热表面是具有所述弯曲光学表面的所述弯曲轮廓的弯曲表面。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学元件，其中所述传热表面和所述第二构件使用熔融结合或阳极结合抵靠彼此密封。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学元件，其中所述传热表面包括第一组凹槽，所述第一组凹槽中的每个凹槽具有位于距所述弯曲光学表面的所述弯曲轮廓恒定距离处的区域。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光学元件，其中所述第二构件包括第二组凹槽。
9.根据权利要求7至8中任一项所述的光学元件，其中当所述第二构件抵靠所述传热表面密封时，所述第一组凹槽与所述第二组凹槽对准以形成封闭通道组，所述封闭通道组允许流体穿过以进行所述光学表面的热调节。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的光学元件，其中所述传热表面的所述第一组凹槽和所述第二构件的所述第二组凹槽沿着与所述弯曲光学表面的所述弯曲轮廓相切的方向形成。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的光学元件，其中穿过所述至少一个封闭通道或者所述封闭通道组的所述流体的性质被控制，使得所述弯曲光学表面被维持在均匀的热梯度。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的光学元件，其中所述流体是冷却流体。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的光学元件，其中所述弯曲轮廓具有有限的给定曲率半径。
14.一种对在光刻设备中使用的弯曲光学元件进行热调节的方法，所述弯曲光学元件包括至少一个封闭通道，其中所述光学元件的传热表面处被暴露于所述至少一个封闭通道的区域沿着类似于所述弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓被定位，所述方法包括：
经由泵将流体作为传热介质递送到所述弯曲光学元件的所述至少一个封闭通道中；
经由温度传感器接收跨所述弯曲光学元件的温度值，或者经由模型接收跨所述弯曲光学元件的热分布；以及
基于所述温度值或者所述热分布，控制所述流体的性质以在使用所述光刻设备对图案进行成像期间维持跨所述弯曲光学元件的均匀温度分布。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述弯曲光学元件包括封闭通道组。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述流体的所述性质的所述控制包括：
确定跨所述弯曲光学元件具有相对较高的温度值的位置；
标识所述封闭通道组中最接近所述确定位置的一个或多个封闭通道；以及
调整所述一个或多个封闭通道内的所述流体的所述性质，使得所述确定位置处的温度被维持在期望温度范围内。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中所述期望温度范围是基于跨所述弯曲光学元件的所述温度值的均值和方差确定的。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中所述流体的所述性质包括：温度、压力和/或流量。
19.根据权利要求14至18中任一项所述的方法，其中所述模型被配置为基于所述弯曲光学元件处的照射图案和/或照射强度来生成所述热分布。
20.一种包括指令的非瞬态计算机可读介质，在由一个或多个处理器执行时，所述指令引起操作，所述操作包括：
经由泵将流体作为传热介质递送到弯曲光学元件的至少一个封闭通道中；
经由温度传感器接收弯曲光学元件上的温度值，或者经由模型接收跨所述弯曲光学元件的热分布；以及
基于所述温度值或者所述热分布，控制所述流体的性质以在使用所述光刻设备对图案进行成像期间维持跨所述弯曲光学元件的均匀温度分布，
其中所述弯曲光学元件的传热表面处被暴露于所述至少一个封闭通道的区域沿着类似于所述弯曲光学元件的弯曲轮廓的弯曲轮廓定位。
CN202080074258.XA 2019-11-07 2020-10-21 在光刻设备中使用的光学部件和夹具 Pending CN114585973A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962931906P 2019-11-07 2019-11-07
US62/931,906 2019-11-07
PCT/EP2020/079650 WO2021089329A1 (en) 2019-11-07 2020-10-21 Optical component and clamp used in lithographic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114585973A true CN114585973A (zh) 2022-06-03

Family

ID=73013414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080074258.XA Pending CN114585973A (zh) 2019-11-07 2020-10-21 在光刻设备中使用的光学部件和夹具

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11892779B2 (zh)
EP (1) EP4055445A1 (zh)
CN (1) CN114585973A (zh)
WO (1) WO2021089329A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021208664A1 (de) * 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
DE102022210246A1 (de) * 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelvorrichtung, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, und Verfahren zum Messen der Temperatur eines Spiegels

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
AU2003235124A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Nikon Corporation Exposure system and device manufacturing method
EP2181357A1 (en) * 2007-08-24 2010-05-05 Carl Zeiss SMT AG Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
US8425060B2 (en) 2007-11-09 2013-04-23 Nikon Corporation Self-correcting optical elements for high-thermal-load optical systems
US9176398B2 (en) 2008-06-10 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Method and system for thermally conditioning an optical element
DE102015100918A1 (de) * 2015-01-22 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements, reflektives optisches Element und Verwendung eines reflektiven optischen Elements
KR20190126450A (ko) 2015-10-06 2019-11-11 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 리소그래피 장치의 물체를 유지하는 척과 클램프 및 리소그래피 장치의 클램프에 의해 유지되는 물체의 온도를 제어하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11892779B2 (en) 2024-02-06
US20220404720A1 (en) 2022-12-22
WO2021089329A1 (en) 2021-05-14
EP4055445A1 (en) 2022-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7852460B2 (en) Lithographic projection apparatus, reflector assembly for use therein, and device manufacturing method
KR101652361B1 (ko) 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US7145132B2 (en) Lithographic apparatus, illumination system and debris trapping system
US9523921B2 (en) EUV radiation system and lithographic apparatus
JP5732525B2 (ja) コレクタミラーアセンブリおよび極端紫外線放射の生成方法
JP6487519B2 (ja) リソグラフィ装置用の汚染トラップ
TWI420251B (zh) 微影裝置，電漿源及反射方法
JP2004214656A (ja) 伸張可能な薄膜を備える汚染バリヤ
NL2017576A (en) Chucks and clamps for holding objects of a lithographic apparatus and methods for controlling a temperature of an object held by a clamp of a lithographic apparatus
EP2283388A1 (en) Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for a radiation system and method of forming a spectral purity filter
KR20110083609A (ko) 스펙트럼 퓨리티 필터 및 리소그래피 장치
JP5732257B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータ読取可能媒体
US20070125963A1 (en) Radiation system and lithographic apparatus
TWI539242B (zh) 微影裝置及元件製造方法
US8018576B2 (en) Contamination prevention system, a lithographic apparatus, a radiation source and a method for manufacturing a device
TW201321905A (zh) 微影裝置及元件製造方法
NL2003430A (en) Collector assembly, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
US11892779B2 (en) Optical component and clamp used in lithographic apparatus
NL1035746A1 (nl) Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2014324A (en) Housing for an array of densely spaced components and associated manufacturing method.
JP2011129908A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP6055614B2 (ja) クランプデバイス、アセンブリ、およびリソグラフィ投影装置
TW201337470A (zh) 輻射源與用於微影裝置及元件製造之方法
NL2005692A (en) Method of cooling an optical element, lithographic apparatus and method for manufacturing a device.
NL2004635A (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer readable medium.

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination