JP2007273693A - 基板保持部材及び基板保持方法、基板保持装置、並びに露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】装置の複雑化を回避しつつ、基板の平坦度を良好に維持した状態で保持する。
【解決手段】
ウエハホルダ70のホルダ本体71の上面に、同心かつ上面が同じ高さの環状凸部73,74を複数設け、ウエハホルダ70にウエハWが保持された際には、ウエハWの裏面と円環状凸部73,74の上面それぞれとの間に所定のクリアランスが形成されるように、ウエハWを保持する。これにより、ウエハWとホルダ本体71とで規定される空間は、環状凸部により同心の複数の空間S1〜S3に区分される。そして、最も内側にある空間S1から排気機構により気体を吸引することで、ウエハホルダ70よるウエハWの吸着はウエハWの中心部から外周に向かって時間差をもって吸着される。
【選択図】図3
【解決手段】
ウエハホルダ70のホルダ本体71の上面に、同心かつ上面が同じ高さの環状凸部73,74を複数設け、ウエハホルダ70にウエハWが保持された際には、ウエハWの裏面と円環状凸部73,74の上面それぞれとの間に所定のクリアランスが形成されるように、ウエハWを保持する。これにより、ウエハWとホルダ本体71とで規定される空間は、環状凸部により同心の複数の空間S1〜S3に区分される。そして、最も内側にある空間S1から排気機構により気体を吸引することで、ウエハホルダ70よるウエハWの吸着はウエハWの中心部から外周に向かって時間差をもって吸着される。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板保持部材及び基板保持方法、基板保持装置、並びに露光装置及び露光方法に係り、更に詳しくは、基板を保持するのに好適な基板保持部材及び基板保持方法、前記基板保持部材を含む基板保持装置、並びに該基板保持装置を含む露光装置及び前記基板保持方法を利用した露光方法に関する。
半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)に形成されたパターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板(以下「ウエハ」と総称する)上に転写する投影露光装置、例えばステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光装置(いわゆるステッパ)や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)等の逐次移動型の投影露光装置が比較的多く用いられている。
このような露光装置では、基板を保持して2次元面内を移動可能なウエハステージを備え、ウエハステージに設けられたウエハホルダにより、ウエハが例えば真空吸着等により保持されている。ウエハホルダとしては、種々のタイプが存在するが、近年ではピンチャック式のウエハホルダが比較的多く用いられるようになってきた。このピンチャック式のウエハホルダでは、その上面の外周縁部に所定高さの環状凸部(リム部とも呼ばれる)が設けられ、該リム部の内側の所定面積の領域内にピン状の支持部材がほぼ均等に配置されている。そして、ピン部(及びリム部)によってウエハホルダ上に載置されたウエハを支持し、そのウエハとウエハホルダとの間に形成されるほぼ気密空間(ウエハとリム部とウエハホルダのピン部が配置された内部底面との間のほぼ気密空間)を、真空排気することで、その空間内が外部に対して負圧となり、その負圧とウエハホルダの周辺の雰囲気の圧力(大気圧)との差を利用して、そのウエハをウエハホルダで吸着保持している。
しかしながら、上記空間を一度に真空吸引すると、特にプロセス等に起因して反りなどが既に生じているウエハの場合、大気開放部(例えば、リム部の外側)の近傍にウエハを吸着しようとしても吸着することができない非吸着部分が存在し、プロセス等に起因して既に生じているウエハの反りなどによる影響が前記非吸着部分に集中するおそれがあった。
そこで、本件出願人は、かかる不都合を改善するものとして、ウエハを吸着する際に、吸着機構が、保持装置本体(ホルダ本体)に基板(ウエハ)が吸着されない非吸着部分近傍の特定部分領域の吸着を、その他の部分の吸着に先立って行う基板保持装置を先に提案した(特許文献1参照)。
しかるに、特許文献1などに記載の基板保持装置では、吸着機構は、基板と保持装置本体によって形成されるリム部の内側の空間内の気体を吸引する複数の吸引口を有し、前記複数の吸引口のうちの前記特定部分領域内に配置される特定吸引口からの吸引を、その他の吸引口からの吸引に先立って行う。又は、吸着機構は、前記特定吸引口からの吸引動作開始時と、その他の吸引口からの吸引動作開始時との間に時間差を設ける絞り機構を有する、あるいは前記特定吸引口に至るまでの気体の流路の流動抵抗が、その他の吸引口に至るまでの気体の流路の流動抵抗よりも小さく設定されるなどの構成を採用することで、上記の吸着の時間差を生じさせていた。このため、特定部分領域とその他の領域のそれぞれに、吸引口を設ける必要があったことから、保持装置本体に複雑な真空排気のための経路を形成する(あるいは設ける)必要があった。
本発明は、上述の事情の下になされたもので、第1の観点からすると、基板を保持する基板保持部材であって、保持部材本体と;前記保持部材本体の上面に形成された第1の環状凸部と;前記保持部材本体の上面の前記第1の環状凸部の内側に形成された少なくとも1つの第2の環状凸部と;前記保持部材本体の上面の少なくとも前記第1の環状凸部の内側の領域内に所定間隔で配置され、かつ前記第2の環状凸部の上端から所定のクリアランスを介して前記基板を支持する複数のピン状の支持部と;を備え、前記保持部材本体の、最も内側の第2の環状凸部の内側領域に少なくとも1つの排気口が形成されていることを特徴とする基板保持部材である。
これによれば、保持部材本体の上に基板が載置されると、該基板は、複数のピン状の支持部(及び第1の環状凸部)によって、第2の環状凸部の上端から所定のクリアランスを介して支持され、第1の環状凸部と基板と保持部材本体上面との間に、少なくとも1つの第2の環状凸部によって複数(第2の環状凸部の数より1つ多い数)に区画されたほぼ閉じた空間が形成される。このとき複数の空間同士は、基板の裏面と各第2の環状凸部先端との間のクリアランスを介して連通している。従って、この状態で、保持部材本体の、最も内側の第2の環状凸部の内側領域に少なくとも1つ形成された排気口を介して第1の環状凸部と基板と保持部材本体上面との間の空間の気体を排気すると、排気口に直接連通する中央の空間から圧力の低下が開始され、その後徐々に隣接する外側の空間の圧力の低下が生じする。すなわち、基板の中心部から外周に向かって時間差を持ってその基板が基板保持部材によって吸着される。これにより、吸着する基板に反り等がある場合にも、基板の裏面全体を同時に吸着する場合と異なり、その基板を、その平坦度をほぼ全面に渡ってほぼ同程度に良好に維持した状態で保持することが可能となる。また、給気口は、保持部材本体の少なくとも中央の空間に対応する部分に形成すれば良いので、排気口を外部に連通させる排気経路も保持部材本体の外周面から中央に向かって1径路のみ設ければ良く、保持部材の構造、特に排気経路などを簡素化できる。
本発明は、第2の観点からすると、本発明の基板保持部材と;前記排気口を介して前記保持部材本体と前記基板との間の空間を真空排気する真空排気機構と;を備える基板保持装置である。
これによれば、保持部材本体の上に基板が載置され、保持部材本体と基板との間の空間、すなわち上述の少なくとも1つの第2の環状凸部によって複数(第2の環状凸部の数より1つ多い数)に区画された第1の環状凸部と基板と保持部材本体上面との間に形成されたほぼ閉じた空間が真空排気機構により排気口を介して真空排気されると、その基板は該基板の中心部から外周に向かって時間差を持って基板保持部材によって吸着される。これにより、吸着する基板に反り等がある場合にも、その基板の平坦度をほぼ全面に渡ってほぼ同程度に良好に維持した状態で保持することが可能となる。
本発明は、第3の観点からすると、エネルギビームにより基板を露光して前記基板上にパターンを形成する露光装置であって、前記基板を保持する本発明の基板保持装置と;前記基板に前記エネルギビームを照射するビーム源と;を備える露光装置である。
これによれば、本発明の基板保持装置により、基板は、局所的な平坦度(フラットネス)の悪化が抑制され、平坦度が全体的に同程度に良好に維持された状態で保持されていることから、基板の局所的なフラットネスの悪化に起因する基板上での部分的なパターンの形成精度の劣化を抑制することができる。
本発明は、第4の観点からすると、基板を保持する基板保持方法であって、第1の環状凸部と、該第1の環状凸部の内側に位置する少なくとも一つの第2の環状凸部と、少なくとも第1の環状凸部の内側の領域内に所定間隔で配置されるとともに前記第2の環状凸部の上端よりその先端が幾分上方に位置する複数のピン状の支持部とが、その上面にそれぞれ形成され、かつ最も内側の前記第2の環状凸部の内側領域に少なくとも1つの排気口が形成された保持部材本体を有する基板保持部材を用意し、該基板保持部材に前記基板を載置する工程と;前記保持部材本体と前記基板との間の空間を、前記排気口を介して外部に真空排気する工程と;を含む基板保持方法である。
これによれば、基板保持部材に基板が載置されると、該基板は、複数のピン状の支持部(及び第1の環状凸部)によって、第2の環状凸部の上端から所定のクリアランスを介して支持され、第1の環状凸部と基板と保持部材本体上面との間に、少なくとも1つの第2の環状凸部によって複数(第2の環状凸部の数より1つ多い数)に区画されたほぼ閉じた空間が形成される。このとき複数の空間同士は、基板の裏面と少なくとも1つの第2の環状凸部先端それぞれとの間のクリアランスを介して連通している。この状態で、保持部材本体の最内周の第2の環状凸部の内側領域に少なくとも1つ形成された排気口から前記空間内の気体が排気される。これにより、排気口に直接連通する中央の空間から圧力の低下が開始され、その後徐々に隣接する外側の空間の圧力の低下が生じする。すなわち、基板の中心部から外周に向かって時間差を持ってその基板が基板保持部材によって吸着される。したがって、吸着する基板に反り等がある場合にも、基板の裏面全体を同時に吸着する場合と異なり、その基板を、その平坦度をほぼ全面に渡ってほぼ同程度に良好に維持した状態で保持することが可能となる。
本発明は、第5の観点からすると、エネルギビームにより基板を露光する露光方法であって、本発明の基板保持方法を用いて前記基板を保持する工程と;前記エネルギビームを照射して前記基板上にパターンを形成する工程と;を含む露光方法である。
これによれば、本発明の基板保持方法により、基板は、局所的な平坦度(フラットネス)の悪化が抑制され、平坦度が全体的に同程度に良好に維持された状態で保持部材上に保持される。そして、この平坦度が全体的に同程度に良好に維持された状態で保持部材上に保持された基板にエネルギビームが照射され、パターンが形成されるので、基板の局所的なフラットネスの悪化に起因する感応物体上での部分的なパターンの形成精度の劣化を抑制することができる。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図4に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)である。この露光装置100は、照明系10、レチクルRを保持するレチクルステージRST、投影光学系PL、ウエハWが搭載されるステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。
前記照明系10は、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞り(マスキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる)で規定される矩形又は円弧状の照明領域に照明光ILを照射し、レチクルR上の所定の照明領域を均一な照度で照明する。照明系10と同様の照明系は、例えば特開平6−349701号公報などに開示されている。ここで、照明光ILとしては、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの遠紫外光、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、あるいはF2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光などが用いられる。照明光ILとして、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)を用いることも可能である。
前記レチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ及びボイスコイルモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動系によって、照明系10の光軸(後述する投影光学系PLの光軸AXに一致)に垂直なXY平面内で微少駆動可能(Z軸回りの回転(θz回転)を含む)であるとともに、所定の走査方向(ここではY軸方向とする)に指定された走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY面内の位置情報(θz回転情報を含む)は、その一部に形成され、あるいは設けられた反射面にレーザビームを照射するレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)16によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出される。
レチクル干渉計16からのレチクルステージRSTの位置情報は主制御装置20に供給される。主制御装置20は、レチクルステージRSTの位置情報に基づいて不図示のレチクルステージ駆動系を介してレチクルステージRSTを制御する。
前記投影光学系PLは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置され、本実施形態ではその光軸AXと平行な方向がZ軸方向とされている。投影光学系PLとしては、例えば両側テレセントリックで所定の縮小倍率(例えば1/5又は1/4)を有する屈折光学系が使用されている。このため、照明系10からの照明光ILによって照明領域が照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域内のレチクルの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、その第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域に共役な領域(露光領域)に形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明光IL(照明領域)に対してレチクルを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、照明光IL(照明領域)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルのパターンが転写される。即ち、本実施形態では照明系10、レチクルR及び投影光学系PLによってウエハW上にパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
前記ステージ装置50は、ウエハステージWST、該ウエハステージWSTを駆動するウエハ駆動系24等を備えている。前記ウエハステージWSTは、投影光学系PLの図1における下方(像面側)で不図示のベースの上方に配置され、リニアモータ等を含むウエハ駆動系24によって、XY面内(θz回転を含む)で自在に駆動される。また、ウエハステージWSTは、ウエハ駆動系24の一部を構成するアクチュエータによって、Z軸方向、及びXY面に対する傾斜方向(X軸回りの回転方向(θx方向)及びY軸回りの回転方向(θy方向))へ微小駆動される。なお、ウエハ駆動系24はZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向に加えて、ウエハステージWSTをXY面内で微小駆動するアクチュエータを備えていても良い。
ウエハステージWSTのXY平面内での位置、及び回転(ヨーイング(Z軸回りの回転であるθz回転)、ピッチング(X軸回りの回転であるθx回転)、ローリング(Y軸回りの回転であるθy回転))は、その一部に形成された、あるいは設けられた反射面を介して、ウエハレーザ干渉計システム18によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。このウエハレーザ干渉計システムは、X軸方向、Y軸方向の測長軸をそれぞれ複数有する複数の多軸干渉計を含んで構成することができる。
ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)は主制御装置20に供給される。主制御装置20は、ウエハステージWSTの上記位置情報(又は速度情報)に基づき、ウエハ駆動系24を介してウエハステージWSTを制御する。
前記ウエハステージWST上にはウエハホルダ70が、例えば、真空吸着などによって固定され、該ウエハホルダ70上にウエハWが吸着保持されている。
前記ウエハホルダ70は、低熱膨張率の材料、例えばセラミックス(一例としてはショット社のゼロデュア(商品名)、Al2O3又はTiC)等によって構成されている。このウエハホルダ70は、図2の平面図に示されるように、その外観が所定肉厚の円形板状のホルダ本体71、該ホルダ本体71の上面(図2における紙面手前側の面)の外周縁近傍に設けられた円環状の凸部(以下、「リム部」と称する)72、リム部72の内周側に、リム部72と同心に設けられた2つの円環絞り73,74、及びリム部72に囲まれた領域の内部底面(ホルダ本体71の上面)のほぼ全域に渡って所定間隔でほぼ均等な配置で設けられた複数のピン状の支持部(以下、単に「ピン部」と略述する)75等を備えている。
前記リム部72は、図2及び図2のA−A線に沿った断面図である図3を総合するとわかるように、断面が凸形状の円環状の凸部から成り、例えばその外径がウエハWの外径よりも僅かに小さく、本実施形態では1〜2mm程度小さく設定され、その上面は、ウエハWが載置された際に、ウエハWの裏面との間に隙間が生じないよう、水平且つ平坦に加工されている。リム部72のホルダ本体71上面からの高さ寸法は、例えば0.2mm程度とされている。なお、本実施形態では、このリム部72は、その断面が、凸状に限らず、矩形であっても勿論良い。
前記円環絞り73,74は、図2及び図3を総合するとわかるように、断面が矩形(長方形)状の環状凸部である。これらの円環絞り73,74は、それぞれの半径がリム部72の半径の1/3倍,2/3倍に設定されており、その上端面の高さが上述したリム部72の上端の高さより、幾分低く、例えば50μm低く設定されている。
前記ピン部75は、それぞれの先端部分がリム部72の上端面とほぼ同一面上に位置するようにされた突起状の形状を有している。これらピン部75は、ホルダ本体71上面でY軸方向に対して±30°を成す2軸方向に沿って一定間隔(例えば3mm)でほぼ均等に配置されている。すなわち、ピン部75は、近接する3本が、正三角形の頂点にそれぞれ位置する配置となっている。この場合のピン部75の配置間隔は真空吸着した際のウエハWの変形量が許容範囲に収まるように設定されている。
本実施形態では、複数のピン部75と、円環絞り73及び円環絞り74と、リム部72との、高さ関係が上述の如くなっていることから、ウエハWがウエハホルダ70に載置された際には、ウエハWの裏面と円環絞り73,74の上面との間に例えば50μmの隙間G1,G2が形成されるようになっている(図3参照)。なお、上述の説明では、円環絞り73と円環絞り74の上面には、ピンが設けられていないものとしたが、これに限らず、ピンを設けても良く、その場合、そのピンの先端がリム部72の上端面とほぼ同一面になるようにピンの高さを設定しても良い。
前記ホルダ本体71上面の中央部近傍には、図2及び図3を総合するとわかるように、ほぼ正三角形の各頂点の位置に上下方向(図2おける紙面直交方向)の3つの貫通孔71c(図3参照)がそれぞれ形成され、これらの貫通孔71cそれぞれに対応して、ホルダ本体71上面には、ピン部75及びリム部72とほぼ同一の高さを有する筒状部分71aがそれぞれ形成されている。これら筒状部分71a及び貫通孔71cには、3本の棒状の上下動ピン(センタアップ)34がそれぞれ挿入されている。これら3本のセンタアップ34は、ウエハ駆動系24の一部を構成する上下動機構を介して、上下方向(Z軸方向)に同時に同一量だけ、昇降自在となっている。このように、ウエハ駆動系24は、前述の如く、ウエハステージWSTを駆動するリニアモータその他のアクチュエータの他、3本のセンタアップ34の上下動機構なども含まれるが、図1では、作図の便宜上から単一のブロックとして示されているものである。従って、以下では、ウエハ駆動系24によって、ウエハステージWSTのみならず、3本のセンタアップ34も駆動されるものとする。
例えば、後述するウエハロード、ウエハアンロード時には、3本のセンタアップ34がウエハ駆動系(上下動機構)24により駆動されることで、3本のセンタアップ34によってウエハWを下方から支持したり、ウエハWを支持した状態で上下動させたりすることができるようになっている。
上述のようにして構成されたホルダ本体71では、その製造段階において、リム部72、円環絞り73,74、ピン部75、及び筒状部分71aを一体成形した後に、最終的にウエハWとの接触面となる、複数のピン部75の上端面、筒状部分71aの上面、及びリム部72の上面に、研磨装置、砥粒等を用いて、研磨加工が施されている。この結果、それらの複数のピン部75の上端面、筒状部分81の上面、及びリム部28の上面は、ほぼ同一平面上に位置している。
また、ホルダ本体71の上面には、図2に示されるように、例えば6つの排気口71bがホルダ本体71上面の中心を中心とする中心部近傍の円周上にピン部75と干渉しないように配置されている。これらの排気口71bそれぞれは、ホルダ本体71の内部に配置された環状排気路42と、環状排気路42に一端(+Y側端)が連結された排気管41と、該排気管41の他端部近傍に設けられた電磁弁Vとを介して排気機構40に連通されている。
排気機構40は、例えば、真空ポンプ、真空室及び気圧計などを備えている。気圧計による計測値は図1の主制御装置20に供給され、主制御装置20は、気圧計による計測値とウエハのロードの制御情報とに基づいて、電磁弁Vの開閉と、真空ポンプの動作とを制御することにより、ウエハホルダ70のホルダ本体71とウエハホルダ70に載置されたウエハWとの間に形成される空間、より正確には、リム部72,ホルダ本体71,筒状部分71a及びウエハによって区画される空間(この空間は、円環絞り73,74によって3つの空間S1,S2,S3(図3、図4参照)に区分される)内部の気体を排気口71bを介して外部に真空排気するようになっている。
図1に戻り、本実施形態の露光装置100では主制御装置20によってオンオフが制御される光源を有し、投影光学系PLの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を、光軸AXに対して斜め方向より照射する照射系60aと、それらの結像光束のウエハW表面での反射光束を受光する受光系60bとから成る斜入射方式の多点焦点位置検出系から成る焦点位置検出系が設けられている。なお、本実施形態の焦点位置検出系(60a、60b)と同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例えば特開平6−283403号公報等に開示されている。
主制御装置20は、走査露光時等に、受光系60bからの焦点ずれ信号(デフォーカス信号)、例えばSカーブ信号に基づいて焦点ずれが零となるように、ウエハ駆動系24を介してウエハステージWST(ウエハホルダ70)のZ軸方向への移動、及び2次元方向の傾斜(すなわち、θx,θy方向の回転)を制御することにより、各ショット領域の走査露光中に、照明光ILの照射領域(照明領域と共役な前述の露光領域)内で投影光学系PLの結像面とウエハW(ショット領域)の表面とを極力合致させる(換言すれば、露光領域内でショット領域の表面を投影光学系PLの焦点深度内に設定する)オートフォーカス(自動焦点合わせ)及びオートレベリングを実行する。
次に、本実施形態の露光装置100におけるウエハホルダ70に対するウエハWのロード時及びアンロード時における動作について説明する。
ウエハWのロードに際しては、図2の電磁弁Vは閉じられており、排気機構40による排気動作はオフされている。
不図示のウエハローダにより、ウエハWがウエハホルダ70上方に搬送されると、主制御装置20がウエハ駆動系24(上下動機構)を介して3本のセンタアップ34を上昇する。ここで3本のセンタアップ34の上昇量が筒状部分71aの上面を超えて所定量に達すると、ウエハローダ上のウエハWが3本のセンタアップ34に受け渡され、ウエハローダがウエハホルダ70上方から待避する。その後、主制御装置20が3本のセンタアップ34を下降することにより、ウエハホルダ70上にウエハWが載置される。
ウエハホルダ70上にウエハWが載置されると、ウエハW、ホルダ本体71、及びリム部72との間には、図3に示されるように、円環絞り73,74によりほぼ仕切られた、空間S1、空間S2、空間S3の3つの空間が内側から外側に向かって順次形成された状態となる。この3つの空間S1〜S2は円環絞り73,74の上面とウエハWの裏面との間に形成された隙間G1,G2により相互に連通した状態となっている。
上記のようにしてウエハホルダ70上にウエハWが載置されると、主制御装置20は排気機構40に通じる電磁弁Vを開いて、6つの排気口71bを介してウエハWとホルダ本体71とリム部72との間に形成された空間内の気体を吸引(真空排気)する。このとき、本実施形態では、スループットの向上を図るため、真空室を使用することによって吸引圧力を、例えば−800hPa程度と高く(高度の真空状態に)設定している。
この吸引動作の際には、隙間G1,G2は例えば50μmと小さいので、まず空間S1内の気体が吸引され、空間S1内の圧力が所定の圧力以下に低下すると、次に空間S2内の気体の吸引が開始され空間S2内の圧力が低下し始める。そして、空間S2内の圧力が所定の圧力以下に低下すると、次に空間S3内の気体の吸引が開始され空間S3内の圧力が低下し始める。すなわち、図4に示されるように、ウエハWは排気口71bが設けられた空間S1に対応した部分から吸引が開始され、次に空間S2対応した部分、その次に空間S3に対応した部分というように、ウエハWの内周側から外周側に向かって時間差吸引が行なわれる。そして、所定時間が経過すると空間S1〜S3の気圧が均一になり、複数のピン部75及びリム部72で支持されるウエハWの裏面全体がウエハホルダ70に吸着される。
ウエハWをウエハホルダ70上で吸着保持してから、ウエハWを取り出すまでの間は、ウエハステージWSTの移動等によりウエハWが横ずれしてアライメント精度等に悪影響を与えない程度にウエハWの吸引を維持すればよい。従って、真空吸着によるウエハWの変形を最小限に抑えるように、上述の高度の真空状態から、例えば−266.5hPa〜−333.2hPa程度の圧力でウエハWが吸引されるように、ウエハWをホルダ本体70上に載置する場合とそれ以外の動作を行う場合とで吸引圧力を異ならせても良い。このためには、真空ポンプを2種類設け、それぞれを電磁弁を介して排気管41に接続する構成を採用すれば良い。勿論、前述のウエハWをウエハホルダ70上で吸着保持した後も、前述の高真空状態を維持しても良い。
一方、ウエハWをアンロードするに際しては、主制御装置20は、まず、図2の電磁弁Vを閉じ、吸着動作をオフする。これにより、空間S1〜S3は順次真空状態が解除され、ウエハWが開放される。次いで、主制御装置20は、センタアップ34を所定量上昇する。なお、上記の吸着動作のオフと同時に、ウエハ裏面に対して気体を吹きつけるようにしても良い。このためには、給気装置を設け、この給気装置を電磁弁を介して排気管41に接続し、排気管41及び排気口71b等を給排気兼用として用いることとすれば良い。
次に、この状態からセンタアップ34が所定量上昇すると、リム部72、ピン部75、及び筒状部分71aにより支持されているウエハWが3本のセンタアップ34に受け渡されるので、不図示のウエハアンローダがウエハWの下側に入り込むとともに、3本のセンタアップ34が下降することで、3本のセンタアップ34からウエハアンローダにウエハWが受け渡される。そして、ウエハアンローダがウエハホルダ70上から退避することにより、ウエハアンロードが終了する。
本実施形態の露光装置100によると、通常のスキャニング・ステッパと同様に、レチクルアライメント、不図示のアライメント系のベースライン計測、並びにEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)等のウエハアライメント等の所定の準備作業の後、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれ、ウエハW上の複数のショット領域にレチクルRの回路パターンが転写される。
ここで、ウエハW上の各ショット領域に対する走査露光中には、照明光ILの照明領域(露光領域)内でウエハWの表面が投影光学系PLの結像面に実質的に一致した状態で露光が行われる必要があるため、前述した焦点位置検出系(60a、60b)の出力に基づくオートフォーカス、オートレベリングが主制御装置20により実行されている。
以上説明したように、本実施形態に係るウエハホルダ70によると、ホルダ本体71の上にウエハWが載置されると、該ウエハWは、複数のピン部75及びリム部72によって、円環絞り73,74の上端から所定のクリアランス(例えば500μmの隙間G1,G2)を介して支持され、リム部72とウエハWとホルダ本体71上面との間に、円環絞り73,74によって3つに区画されたほぼ閉じた空間S1,S2,S3が形成される。このとき空間S1,S2,S3同士は、ウエハWの裏面と円環絞り73,74先端それぞれとの間のクリアランス、すなわち隙間G1,G2を介して連通している。従って、この状態で、ホルダ本体71の、最も内側の円環絞り73の内側領域に形成された6つの排気口71bを介してリム部72とウエハWとホルダ本体71との間の空間の気体を排気すると、排気口71bに直接連通する中央の空間S1から圧力の低下が開始され、その後徐々に空間S2,S3の圧力の低下が生じする。すなわち、ウエハWの中心部から外周に向かって時間差を持ってそのウエハWがウエハホルダ70によって吸着される。したがって、吸着するウエハWに反り等がある場合にも、ウエハWの裏面全体を同時に吸着する場合と異なり、そのウエハWを、その平坦度をほぼ全面に渡ってほぼ同程度に良好に維持した状態で保持することが可能となる。また、排気口71bは、ホルダ本体71の少なくとも中央の空間S1に対応する部分に形成すれば良いので、排気口71bを外部に連通させる排気経路もホルダ本体71の外周面から中央に向かって1径路(排気路41)のみ設ければ良く、ウエハホルダの構造、特に排気経路などを簡素化できる。
また、ウエハホルダ70とこれに接続された排気機構40とを含む本実施形態の基板保持装置によると、ホルダ本体71の上にウエハWが載置され、ホルダ本体71とウエハWとの間の空間、すなわち上述の円環絞り73,74によって3つに区画されたほぼ閉じた空間S1,S2,S3が排気機構40より排気口71bを介して真空排気されると、そのウエハWは該ウエハWの中心部から外周に向かって時間差を持ってウエハホルダ70によって吸着される。これにより、吸着するウエハWに反り等がある場合にも、そのウエハWの平坦度をほぼ全面に渡ってほぼ同程度に良好に維持した状態で保持することが可能となる。
また、本実施形態に係る露光装置100によると、上記の基板保持装置(70,40)により、ウエハWは、局所的な平坦度(フラットネス)の悪化が抑制され、平坦度が全体的に同程度に良好に維持された状態で保持されていることから、ウエハWの局所的なフラットネスの悪化に起因するウエハW上での部分的なパターンの形成精度の劣化を抑制することができる。
また、本実施形態の露光装置に100によると、各ショット領域の走査露光中に、焦点位置検出系(60a、60b)によりパターンが投影される照明光ILの照射領域(露光領域)内における複数点でウエハW表面の投影光学系PLの光軸方向(Z軸方向)に関する位置情報が検出され、その検出結果に基づいて、ウエハステージWST(及びウエハホルダ70)に保持されたウエハWの表面をその露光領域内で投影光学系PLの結像面と極力合致させるオートフォーカス及びオートレベリングが、主制御装置20によりウエハ駆動系24を介して実行される。これにより、デフォーカスに起因するパターン像の転写精度劣化が抑制された、高精度な露光が可能となる。
なお、上記実施形態では第2の環状凸部として2つの円環絞り73,74を設けたが、これに限らず、円環絞り(第2の環状凸部)は1つ、あるいは3つ以上設けてもよい。要は、円環絞り(第2の環状凸部)によりウエハWとホルダ本体71とによって形成される空間が複数空間に区分され、ウエハWの中心に対応する空間から、外周に形成された空間へ順次所定の時間差で圧力を低下させて、ウエハWの中心から外周に向かって時間差吸着を行なうことができればよい。
また、上記実施形態ではホルダ本体71に円環状の円環絞り73,74を形成した場合について説明したが、これに限らず、例えば第2の環状凸部として多角形の環状凸部を設けてもよい。また、上記実施形態では、リム部75(第1の環状凸部)と円環絞り73,74(第2の環状凸部)とが、同心状(同心円状)に配置されるものとしたが、第1の環状凸部と第2の環状凸部とは、その中心がずれていても構わない。
また、上記実施形態では排気路41を1つのみ設けるものとしたが、これに限らず、複数の排気路を設けてもよい。さらに、円環絞り73,74の半径や高さ、排気口71bの数や配置なども上述の構成に限定されるものではない。
また、上記実施形態では、ウエハWがウエハホルダ70に載置された際に、ホルダ本体71の外周に沿って、上面がウエハWの底面に当接するリム部72を設けたがこれに限らず、全体として円環状の領域に例えば高密度でピン部75配置し、これによってホルダ本体71とウエハWとで形成される空間の機密性を維持することとしてもよい。
また、上記実施形態では3本の上下動ピン(センタアップ)を用いるものとしたが、例えば特開2000−100895号公報(対応米国特許第6,184,972号)に開示されている1本の上下動ピンを採用しても良い。更に、上記実施形態では上下動ピン(センタアップ)を駆動してウエハのロード及びアンロードを行うものとしたが、センタアップを駆動する代わりに、例えばウエハホルダ70を駆動してセンタアップとの位置関係を調整してウエハのロード及びアンロードを行っても良い。
また、上記各実施形態では、ホルダ本体71のリム部72はその外径がウエハWの外径よりも僅かに小さいものとしたが、リム部の外径をウエハWの外径と同程度以上としても良いし、あるいはリム部の外径をウエハWの外径より大きくしても良い。但し、後者では、リム部の内周はウエハWの外形より小さくする必要がある。また、ホルダ本体のリム部の上端面を、多数のピン部75によって規定される平面とほぼ同一の高さとしても良いし、あるいは多数のピン部75によって規定される平面よりも僅かに低くしても良い。さらに、リム部の上端面に、多数のピン部75によって規定される平面と上端面がほぼ一致する複数の突起部(ピン)を設けても良い。このとき、リム部72の上端面に設けられる複数の突起部によって規定される平面を、多数のピン部75によって規定される平面より僅かに低くしても良い。また、筒状部分71aについても、リム部72と同様に、複数のピン部75によって規定される平面よりも僅かに低くしてもよいし、その上端面に突起部(ピン)を設けるなどしてもよい。
また、上記実施形態では、ウエハホルダ70を、例えば真空吸着にてウエハステージWSTに固定するものとしたが、ウエハホルダをウエハステージWSTの少なくとも一部と同一部材で構成する、すなわちウエハステージWSTの少なくとも一部を加工して前述したピン部やリム部などを形成しても良い。
また、上記実施形態では、本発明の基板保持部材が、ウエハホルダ70に採用された場合について説明したが、本発明の基板保持部材はこれに限られるものではなく、例えば反射型レチクルではその裏面側をレチクルホルダにて保持するので、このようなレチクルホルダに対して本発明を適用することとしても良い。
なお、上記実施形態では、スキャニング・ステッパに本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置にも本発明は適用することができる。さらに、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
また、照明光ILは、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの遠紫外光、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、あるいはF2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光や、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)などに限らず、例えば国際公開第1999/46835号パンフレットに開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、70nm以下のパターンを形成するために、SORやプラズマレーザを光源として、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を発生させるとともに、その露光波長(例えば13.5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。
さらに、例えば国際公開WO99/49504号パンフレット、国際公開第2004/019128号パンフレットなどに開示される、投影光学系PLとウエハとの間に液体(例えば純水など)が満たされる液浸露光装置などにも本発明を適用することができる。
また、例えば特開平10−214783号公報(対応米国特許第6,590,634号)、特表2000−505958号公報(対応米国特許第5,969,441号)又は米国特許第6,208,407号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも本発明を適用できる。さらに、例えば特開平11−135400号公報(対応国際公開第1999/23692号パンフレット)、特開2000−164504号公報(対応米国特許第6,897,963号)などに開示されているように、露光処理に関する計測に用いられる計測装置及び/又は基準マークなどを有し、ウエハステージWSTとは独立して移動可能な計測ステージを備えた露光装置にも本発明を適用できる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。
また、例えば特表2004−519850号公報(対応米国特許6,611,316号)などに開示されているように、2つの干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
さらに、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき基板(エネルギビームが照射される露光対象の基板)はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、あるいはマスクブランクスなど他の物体でもよい。また、その基板は円形に限られるものではなく、矩形など他の形状でもよい。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン、MEMS及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
さらに、上記実施形態では、本発明の基板保持装置が露光装置に適用された場合について説明したが、基板を保持しその基板の平坦度を全面に渡って同程度に良好に維持して保持する必要があるのであれば、露光装置以外の検査装置、加工装置などの装置であっても、本発明の基板保持装置は、好適に適用できるものである。
なお、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した調整方法によりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置が用いられるので、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。
以上説明したように、本発明の基板保持部材、基板保持方法及び基板保持装置は、基板を保持するのに適しており、本発明の露光装置及び露光方法は、基板上にパターンを形成するのに適している。
20…主制御装置、24…ウエハ駆動系、34…センタアップ、40…排気機構、41…排気路、42…環状排気路、70…ウエハホルダ、71…ホルダ本体、71a…筒状部分、71b…排気口、71c…貫通孔、72…リム部、73,74…円環絞り、75…ピン部、W…ウエハ、WST…ウエハステージ、S1〜S3…空間。
Claims (9)
- 基板を保持する基板保持部材であって、
保持部材本体と;
前記保持部材本体の上面に形成された第1の環状凸部と;
前記保持部材本体の上面の前記第1の環状凸部の内側に形成された少なくとも1つの第2の環状凸部と;
前記保持部材本体の上面の少なくとも前記第1の環状凸部の内側の領域内に所定間隔で配置され、かつ前記第2の環状凸部の上端から所定のクリアランスを介して前記基板を支持する複数のピン状の支持部と;を備え、
前記保持部材本体の、最も内側の前記第2の環状凸部の内側領域に少なくとも1つの排気口が形成されていることを特徴とする基板保持部材。 - 前記第1の環状凸部と前記少なくとも1つの第2の環状凸部とは、前記保持部材本体の上面に同心状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持部材。
- 前記第1の環状凸部と前記第2の環状凸部とは、円環状の凸部であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板保持部材。
- 前記第1の環状凸部の上端は、前記複数のピン状の支持部の先端によって形成される面とほぼ面一であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板保持部材。
- 前記第1の環状凸部は、その上端面が、前記複数のピン状の支持部の先端によって形成される面より低くなるように形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板保持部材。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板保持部材と;
前記排気口を介して前記保持部材本体と前記基板との間の空間を真空排気する真空排気機構と;を備える基板保持装置。 - エネルギビームにより基板を露光して前記基板上にパターンを形成する露光装置であって、
前記基板を保持する請求項6に記載の基板保持装置と;
前記基板に前記エネルギビームを照射するビーム源と;を備える露光装置。 - 基板を保持する基板保持方法であって、
第1の環状凸部と、該第1の環状凸部の内側に位置する少なくとも一つの第2の環状凸部と、少なくとも第1の環状凸部の内側の領域内に所定間隔で配置されるとともに前記第2の環状凸部の上端よりその先端が幾分上方に位置する複数のピン状の支持部とが、その上面にそれぞれ形成され、かつ最も内側の前記第2の環状凸部の内側領域に少なくとも1つの排気口が形成された保持部材本体を有する基板保持部材を用意し、該基板保持部材に前記基板を載置する工程と;
前記保持部材本体と前記基板との間の空間を、前記排気口を介して外部に真空排気する工程と;を含む基板保持方法。 - エネルギビームにより基板を露光する露光方法であって、
請求項8に記載の基板保持方法を用いて前記基板を保持する工程と;
前記エネルギビームを照射して前記基板上にパターンを形成する工程と;を含む露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273693A true JP2007273693A (ja) | 2007-10-18 |
Family
ID=38676188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006096950A Pending JP2007273693A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 基板保持部材及び基板保持方法、基板保持装置、並びに露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007273693A (ja) |
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