JP2019505841A - リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板をロードする方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図5
Description
[0001] この文献は、2016年2月8日及び2016年6月2日出願の欧州特許出願第16154599.1号及び欧州特許出願第16172678.1号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
a.放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
b.パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
c.基板(例えば、レジストコート基板)Wを保持するように構築され、一定のパラメータに従ってテーブル、例えば基板Wの表面を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された支持テーブル、例えば、1つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、又は支持テーブルWTと、
d.パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
条項1. 基板を支持するように構成された支持テーブルから基板をアンロードする方法であって、方法は、
支持テーブルのベース面と基板の間のギャップに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、
アンロードの初期段階において、ガスの供給が、支持テーブルの外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、
アンロードの後期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる方法。
条項2. アンロードの初期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口、及び外側領域の半径方向内側にあり、中心領域の半径方向外側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口から行われず、
アンロードの中間段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口から行われず、
アンロードの後期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる、条項1に記載の方法。
条項3. アンロードの中間段階において、ガスの供給が、中間領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、中間領域の少なくとも1つのガス流開口から第1の圧力より小さい第2の圧力で行われる、条項2に記載の方法。
条項4. アンロードの初期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口から第1の圧力より小さい第2の圧力で行われる、条項1から3のいずれかに記載の方法。
条項5. アンロードの後期段階において、ガスの供給が、中心領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、中心領域の少なくとも1つのガス流開口から第1の圧力より小さい第2の圧力で行われる、条項1から4のいずれかに記載の方法。
条項6. 基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、
支持テーブルのベース面と基板の間のギャップから、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第1の段階において、ガスの抽出が、支持テーブルの中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、中心領域の半径方向外側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口、及び中間領域の半径方向外側にある支持テーブルの外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第2の段階において、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも1つのガス流開口及び中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第3の段階において、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる方法。
条項7. ロードの第1の段階において、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給が、中間領域の少なくとも1つのガス流開口及び/又は外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる、条項6に記載の方法。
条項8. ロードの第2の段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口から、周囲圧力より大きい圧力で行われる、条項6又は7に記載の方法。
条項9. 基板を支持テーブルに向かって下降させるとき、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達すると、ガスの抽出が、中心領域のガス流開口、中間領域のガス流開口、及び外側領域のガス流開口のいずれからも行われず、
基板が支持テーブルに着地したときに、ロードの第1の段階、ロードの第2の段階、及びロードの第3の段階が行われる、条項6から8のいずれかに記載の方法。
条項10. 中心領域及び中間領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように、中心領域と中間領域の間のガス流を制限することを含む、条項2から9のいずれかに記載の方法。
条項11. 中間領域は中心領域を取り囲む、条項2から10のいずれかに記載の方法。
条項12. 中間領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し中間領域と外側領域の間のガス流を制限する中間領域壁によって画定される、条項2から11のいずれかに記載の方法。
条項13. 中間領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中間サブ領域を含む、条項2から11のいずれかに記載の方法。
条項14. 各中間サブ領域は、ベース面より上に突出し、中間領域と中心領域又は外側領域の間のガス流を制限する中間サブ領域壁によって画定される、条項13に記載の方法。
条項15. 中間サブ領域は互いに離間する、条項13又は14に記載の方法。
条項16. ガスを中間サブ領域のそれぞれのギャップに対して実質的に互いに独立に抽出又は供給することができる、条項13から15に記載の方法。
条項17. 中間領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように、中間領域と外側領域の間のガス流を制限することを含む、条項2から16のいずれかに記載の方法。
条項18. 外側領域は中間領域を取り囲む、条項2から17のいずれかに記載の方法。
条項19. 中心領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように、中心領域と外側領域の間のガス流を制限することを含む、条項1から18のいずれかに記載の方法。
条項20. 中心領域は、支持テーブルのベース面より上に突出し、中心領域と外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定される、条項1から19のいずれかに記載の方法。
条項21. 中心領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中心サブ領域を含む、条項1から19のいずれかに記載の方法。
条項22. 各中心サブ領域は、ベース面より上に突出し、中心領域と外側領域の間のガス流を制限する中心サブ領域壁によって画定される、条項21に記載の方法。
条項23. 中心サブ領域は互いに離間する、条項21又は22に記載の方法。
条項24. ガスを中心サブ領域のそれぞれのギャップに対して実質的に互いに独立に抽出又は供給することができる、条項21から23に記載の方法。
条項25. 外側領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し、外側領域と外側領域の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限する外側領域壁によって画定される、条項1から24のいずれかに記載の方法。
条項26. 外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含む、条項1から24のいずれかに記載の方法。
条項27. 各外側サブ領域は、ベース面より上に突出し、外側領域と外側領域の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限する外側サブ領域壁によって画定される、条項26に記載の方法。
条項28. 外側サブ領域は互いに離間する、条項26又は27に記載の方法。
条項29. ガスを外側サブ領域のそれぞれのギャップに対して実質的に互いに独立に抽出又は供給することができる、条項26から28に記載の方法。
条項30. ガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
中心領域の半径方向外側にある外側領域と、
ガス流システムがベース面と基板の間のギャップにガスを供給するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
基板が支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成されるリソグラフィ装置。
条項31. 支持テーブルは中心領域の半径方向外側かつ外側領域の半径方向内側にある中間領域を備え、
基板が支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口及び中間領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの中間段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項30に記載のリソグラフィ装置。
条項32. アンロードの中間段階において、コントローラが、ガスの供給を中間領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行った後、ガスの供給を中間領域の少なくとも1つのガス流開口から第1の圧力より小さい第2の圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項31に記載のリソグラフィ装置。
条項33. アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行った後、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口から第1の圧力より小さい第2の圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項30から32のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項34. アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を中心領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行った後、ガスの供給を中心領域の少なくとも1つのガス流開口から第1の圧力より小さい第2の圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項30から33のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項35. ガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
ガス流システムがベース面と基板の間のギャップからのガスの抽出に用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
基板が支持テーブル上にロードされるとき、
ロードの第1の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、中間領域のガス流開口及び外側領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第2の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも1つのガス流開口及び中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、外側領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第3の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成されるリソグラフィ装置。
条項36. ロードの第1の段階において、コントローラが、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給を中間領域の少なくとも1つのガス流開口及び/又は外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項35に記載のリソグラフィ装置。
条項37. ロードの第2の段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項35又は36に記載のリソグラフィ装置。
条項38. 基板を支持テーブルに向かって下降させるとき、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成され、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達すると、コントローラが、ガスの抽出を中心領域のガス流開口、中間領域のガス流開口、及び外側領域のガス流開口のいずれからも行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
基板が支持テーブルに着地したとき、コントローラが、ロードの第1の段階、ロードの第2の段階、及びロードの第3の段階を実行するようにガス流システムを制御するように構成される、条項35から37のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項39. 中心領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び中間領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように中心領域と中間領域の間のガス流を制限するように構成された中心領域壁によって画定される、条項31又は37のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項40. 中間領域は中心領域を取り囲む、条項31から39のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項41. 中間領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し、中間領域と外側領域の間のガス流を制限する中間領域壁によって画定される、条項31から40のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項42. 中間領域は複数の重ならない中間サブ領域を含み、各中間サブ領域は、ベース面より上に突出し、中間領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように中間領域と外側領域の間のガス流を制限する中間サブ領域壁によって画定される、条項31から40のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項43. 中間サブ領域は互いに離間する、条項42に記載のリソグラフィ装置。
条項44. ガス流システムが、中間サブ領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又はガスの供給を実質的に互いに独立に行うように構成される、条項42又は43に記載のリソグラフィ装置。
条項45. 外側領域は中間領域を取り囲む、条項31から44のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項46. ガス流システムが、
中心領域の少なくとも1つのガス流開口に接続された中心流路と、
外側領域の少なくとも1つのガス流開口に接続された外側流路と、を備え、
中心流路が外側流路から独立している、条項30から45のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項47. ガス流システムが、
中心領域の少なくとも1つのガス流開口に接続された中心流路と、
中間領域の少なくとも1つのガス流開口に接続された中間流路と、
外側領域の少なくとも1つのガス流開口に接続された外側流路と、を備え、
中心流路、中間流路、及び外側流路が互いに独立している、条項31から45のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項48. ガス流システムが、中心流路、中間流路、及び/又は外側流路の流量を変化させるように構成された少なくとも1つの圧電バルブを備える、条項46又は47に記載のリソグラフィ装置。
条項49. 中心流路、中間流路、及び/又は外側流路の圧力を感知するように構成された少なくとも1つの圧力センサを備え、
コントローラが、圧力センサによって感知された圧力に基づいて、中心流路、中間流路、及び/又は外側流路の流量を変化させるように構成される、条項46から48のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項50. 中心領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように、中心領域と外側領域の間のガス流を制限するように構成された中心領域壁によって画定される、条項30から49のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項51. 中心領域は複数の重ならない中心サブ領域を含み、各中心サブ領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように中心領域と外側領域の間のガス流を制限する中心サブ領域壁によって画定される、条項30から49のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項52. 中心サブ領域は互いに離間している、条項51に記載のリソグラフィ装置。
条項53. ガス流システムが、中心サブ領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又はガスの供給を実質的に互いに独立に行うように構成される、条項51又は52に記載のリソグラフィ装置。
条項54. 外側領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し、外側領域と外側領域の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限する外側領域壁によって画定される、条項30から53のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項55. 外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含み、各外側サブ領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び外側領域の間のガス流を制限する外側サブ領域壁によって画定される、条項30から54のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項56. 外側サブ領域は互いに離間している、条項55に記載のリソグラフィ装置。
条項57. ガス流システムが、外側サブ領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又はガスの供給を実質的に互いに独立に行うように構成される、条項55又は56に記載のリソグラフィ装置。
条項58. 基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、
基板を支持テーブルに向かって下降させること、
基板を支持テーブルに向かって下降させるときに、支持テーブルの複数のガス流開口を介して、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加すること、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達したときに、支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する負圧源を制御して、負圧を印加することを停止すること、及び
基板が支持テーブルに着地したときに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加することを再開させること、を含む方法。
条項59. 基板が支持テーブルに着地したときに、複数のガス流開口を介してギャップから抽出されるガス流が徐々に増加するように、負圧源を制御して、負圧を複数の段階で徐々に増大させる、条項58に記載の方法。
条項60. 負圧源を備えたガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
基板を支持テーブルに向かって下降させるときに、コントローラが、支持テーブルの複数のガス流開口を介して、支持テーブルと基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加するように構成され、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達したときに、コントローラが、支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する負圧源を制御して、負圧を印加することを停止するように構成され、
基板が支持テーブルに着地したときに、コントローラが、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加することを再開させるように構成されるリソグラフィ装置。
条項61. 基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、
支持テーブルのベース面と基板の間のギャップから、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第1の段階において、ガスの抽出が、支持テーブルの外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口及び中間領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第2の段階において、ガスの抽出が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第3の段階において、ガスの抽出が、外側領域の少なくとも1つのガス流開口、中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる方法。
条項62. ガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
ガス流システムがベース面と基板の間のギャップからのガスの抽出に用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
各領域は
その領域のガス流開口と流体連通する流路と、
流路の圧力を感知するように構成された圧力センサと、を備え、
基板が支持テーブル上にロードされるとき、コントローラが、感知した各流路の圧力に基づいて、各領域のガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成されるリソグラフィ装置。
条項63. 領域の少なくとも1つが、複数の接線方向に分布させたサブ領域を含み、各サブ領域は、
そのサブ領域のガス流開口と流体連通する流路と、
流路の圧力を感知するように構成された圧力センサと、を備え、
基板が支持テーブル上にロードされるとき、コントローラが、感知した各流路の圧力に基づいて、各サブ領域のガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される、条項62に記載のリソグラフィ装置。
Claims (15)
- 基板を支持するように構成された支持テーブルから前記基板をアンロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、
アンロードの初期段階において、前記ガスの供給が、前記支持テーブルの外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記外側領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、 アンロードの後期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる、方法。 - 前記アンロードの初期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口、及び前記外側領域の半径方向内側にあり、かつ前記中心領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口から行われず、
アンロードの中間段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口から行われず、 前記アンロードの後期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる、請求項1に記載の方法。 - 前記アンロードの中間段階において、ガスの供給が、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口から周囲圧力より大きい第1の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口から前記第1の圧力より小さい第2の圧力で行われる、請求項2に記載の方法。
- 基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップから、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第1の段階において、前記ガスの抽出が、前記支持テーブルの中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記中心領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口及び前記中間領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第2の段階において、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記外側領域のガス流開口から行われず、 ロードの第3の段階において、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる方法。 - 前記ロードの第1の段階において、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給が、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口及び/又は前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる、請求項4に記載の方法。
- 前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるとき、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、 前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達すると、前記ガスの抽出が、前記中心領域のガス流開口、前記中間領域のガス流開口、及び前記外側領域のガス流開口のいずれからも行われず、
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記ロードの第1の段階、前記ロードの第2の段階、及び前記ロードの第3の段階が行われる、請求項4又は5に記載の方法。 - 前記中間領域は前記中心領域を取り囲む、又は
前記中間領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中間サブ領域を含む、及び/又は、
前記外側領域は前記中間領域を取り囲む、請求項2から6のいずれかに記載の方法。 - 前記外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含む、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させること、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるときに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加すること、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達したときに、前記支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する前記負圧源を制御して負圧を印加することを停止すること、及び
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記ガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加することを再開させること、を含む方法。 - 前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記負圧源を制御して、前記複数のガス流開口を介して前記ギャップから抽出されるガスの流量が徐々に増加するように、前記負圧を複数の段階で徐々に増大させる、請求項9に記載の方法。
- 基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップから、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第1の段階において、前記ガスの抽出が、前記支持テーブルの外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記外側領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口及び前記中間領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第2の段階において、前記ガスの抽出が、前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口から行われず、 ロードの第3の段階において、前記ガスの抽出が、前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行われる、方法。 - ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップにガスを供給するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
前記基板が前記支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、前記コントローラが、前記ガスの供給を前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、前記中心領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、 アンロードの後期段階において、前記コントローラが、前記ガスの供給を前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口及び前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行うように前記ガス流システムを制御するように構成される、リソグラフィ装置。 - ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、
ロードの第1の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、前記中間領域のガス流開口及び前記外側領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第2の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口から行い、前記外側領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、 ロードの第3の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも1つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも1つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも1つのガス流開口から行うように前記ガス流システムを制御するように構成される、リソグラフィ装置。 - 負圧源を備えたガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるときに、前記コントローラが、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記支持テーブルと前記基板の間のギャップからガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加するように構成され、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達したときに、前記コントローラが、前記支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する前記負圧源を制御して負圧を印加することを停止するように構成され、 前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記コントローラが、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記ガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加することを再開させるように構成される、リソグラフィ装置。 - ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
各領域は、
その領域の前記ガス流開口と流体連通する流路と、
その領域に関する圧力を感知するように構成された圧力センサと、が設けられ、 前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、前記コントローラが、前記感知した各領域の圧力に基づいて、各領域の前記ガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
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