TWI576956B - 基板固持器、微影裝置之支撐平台、微影裝置及元件製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種基板固持器、一種用於微影裝置之支撐平台、一種微影裝置,及一種用於使用微影裝置來製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下,圖案化元件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部分(例如,包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言,單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括:所謂步進器,其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分;及所謂掃描器,其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
在曝光期間,基板必須被牢固地固持以防止在經固持有該基板
之基板平台移動時移位。該基板亦必須保持扁平至緊密容許度。習知地使用靜電夾具或真空夾具將基板夾持至基板固持器。以相似方式將基板固持器夾持至基板平台。基板固持器具有自其表面突出以支撐基板之許多瘤節。瘤節之遠端準確地形成為共平面以符合基板上之平坦度要求。
必須快速地將基板裝載至基板固持器上且快速地自基板固持器移除基板以便不縮減微影裝置之產出率。通常,提供自下方之基板平台突出通過基板固持器中之孔之升降銷釘(elevator pin),其通常被稱為e銷釘(e-pin)。當待裝載一基板時,e銷釘突出以在基板固持器上方某距離處收納該基板,該基板被承載於基板處置器之叉齒上。可接著抽出基板處置器,且使e銷釘收縮以將基板降低至基板固持器上。在曝光之後,e銷釘延伸以提昇基板,因此基板處置器之叉齒可插入於基板之下方以拾取基板。
近年來,經製造有半導體元件之矽基板之標準大小已自200毫米直徑增加至300毫米直徑。為了支撐較大直徑基板,使用多個e銷釘,該等e銷釘係與基板固持器之中心隔開且圍繞基板固持器之中心而分佈。現在有可能製造具有用於半導體元件製造之所需品質的直徑為450毫米之矽基板。因此,正開發能夠處置450毫米直徑之基板的微影裝置及程序裝置。處置較大基板及/或較薄基板之需要以及對基板平坦度之改良之持續需求對e銷釘及基板固持器之效能的需求愈來愈高。
舉例而言,需要提供一種基板固持器及e銷釘之改良型配置。
根據本發明之一態樣,提供一種基板固持器,其具有:一上部表面;位於該上部表面上且橫越該上部表面而分佈之複數個瘤節,該等瘤節經組態以在其上支撐一基板;及該基板固持器中之複數個孔隙,該等孔隙係與該基板固持器之中心隔開;其中該等孔隙中之至少
一者在該基板固持器之該上部表面處具有包括至少一凹腔之一形狀,且至少一瘤節位於該凹腔內。
根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,一基板平台經配置以支撐一基板固持器,該基板平台包含:複數個隔開式e銷釘;一致動器系統,其用於控制每一e銷釘進入及/或通過該基板固持器中之一各別孔隙之一突出;其中每一e銷釘在其一遠端處具有一尖端部分,且該尖端部分在平行於該基板固持器之一上部表面的一平面中之橫截面具有至少一凹腔。
根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包括如上文所描述之一基板固持器及如上文所描述之一基板平台。
根據本發明之一態樣,提供一種元件製造方法,其包含使用一微影裝置以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板,其中該微影裝置係如上文所描述。
11‧‧‧空間
12‧‧‧流體處置結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/高速氣流
20‧‧‧瘤節
20a‧‧‧瘤節
20b‧‧‧瘤節
22‧‧‧上部表面
23‧‧‧開口
24‧‧‧e銷釘孔隙
24a‧‧‧孔隙
25‧‧‧氣體密封件/隆脊
28‧‧‧中心
29‧‧‧開口
30‧‧‧e銷釘
30a‧‧‧e銷釘
31‧‧‧遠端/盤碟形凹陷
32‧‧‧側壁/導管
33‧‧‧真空源
34‧‧‧腔室/尖端部分
35‧‧‧主體部分
36‧‧‧腔室
53‧‧‧流量控制板
55‧‧‧開口
70‧‧‧抽取器總成/液體移除元件
90‧‧‧氣刀
111‧‧‧多孔材料
120‧‧‧入口
121‧‧‧腔室
180‧‧‧開口
201‧‧‧出口
210‧‧‧出口
220‧‧‧凹座
241‧‧‧凹腔頂點/向內指向頂點
242‧‧‧凸出部/凸出頂點
243‧‧‧假想線
320‧‧‧彎液面
400‧‧‧彎液面
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WH‧‧‧基板固持器
WT‧‧‧基板平台/支撐平台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例,在該等圖式中,對應元件符號指示對應部件,且在該等圖式中:圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置;圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統;圖4描繪供微影投影裝置中使用之另一液體供應系統;圖5描繪供微影投影裝置中使用之另一液體供應系統;圖6以橫截面描繪供微影投影裝置中使用之另一液體供應系統;圖7以平面描繪用於微影裝置之基板固持器;圖8以平面描繪根據本發明之一實施例之突出通過基板固持器的e銷釘;圖9以平面描繪根據本發明之一實施例之突出通過基板固持器的e銷釘;
圖10以平面描繪根據本發明之一實施例之e銷釘的尖端;圖11以平面描繪根據本發明之一實施例之e銷釘的尖端;圖12以橫截面描繪根據本發明之一實施例的在突出至支撐平台中之在經降低位置的e銷釘;及圖13描繪圖12之配置,其中e銷釘在提昇位置。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含:-照明系統(照明器)IL,其經組態以調節輻射光束B(例如,UV輻射或DUV輻射);-支撐結構(例如,光罩平台)MT,其經建構以支撐圖案化元件(例如,光罩)MA,且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件MA之第一定位器PM;-支撐平台,例如,用以支撐一或多個感測器或基板平台WT之感測器平台,該基板平台WT經建構以固持基板(例如,抗蝕劑塗佈晶圓)W,連接至經組態以根據某些參數而準確地定位基板W之(例如)平台之表面的第二定位器PW;及-投影系統(例如,折射投影系統)PS,其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如,包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件,諸如,折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件,或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件MA。支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如,圖案化元件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化元件MA。支撐結構
MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或平台,其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化元件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意,舉例而言,若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵,則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常,被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如,積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件MA可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列,及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知,且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型,以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中每一者可個別地傾斜,以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統,包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統,或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪,裝置屬於透射類型(例如,使用透射光罩)。替代地,裝置可屬於反射類型(例如,使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個或兩個以上平台(或載物台或支撐件)之
類型,例如,兩個或兩個以上基板平台,或一或多個基板平台及一或多個清潔平台、感測器平台或量測平台之組合。舉例而言,在一實施例中,微影裝置為包含位於投影系統之曝光側處之兩個或兩個以上平台之多載物台裝置,每一平台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中,平台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中,平台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中,多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感基板之第一平台(亦即,基板平台);及未經組態以固持輻射敏感基板之第二平台(通常在下文中(且不限於)被稱作量測平台、感測器平台及/或清潔平台)。第二平台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外的一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多個物件:用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記,及/或清潔元件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在此等「多載物台」機器中,可並行地使用多個平台,或可對一或多個平台進行預備步驟,同時將一或多個其他平台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板平台、清潔平台、感測器平台及/或量測平台之方式的方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化元件平台(或載物台或支撐件)。
在一實施例中,微影裝置可包含用以量測裝置之組件之位置、速度等等之編碼器系統。在一實施例中,組件包含基板平台。在一實施例中,組件包含量測平台及/或感測器平台及/或清潔平台。除了本文所描述之用於平台之干涉計系統以外或對本文所描述之用於平台之干涉計系統之替代,存在該編碼器系統。編碼器系統包含與尺度或網格相關聯(例如,與尺度或網格成對)之感測器、轉換器或讀頭。在一實施例中,可移動組件(例如,基板平台及/或量測平台及/或感測器平台及/或清潔平台)具有一或多個尺度或網格,且微影裝置之框架(組件
相對於其移動)具有感測器、轉換器或讀頭中之一或多者。感測器、轉換器或讀頭中之一或多者與尺度或網格合作以判定組件之位置、速度等等。在一實施例中,微影裝置之框架(組件相對於其移動)具有一或多個尺度或網格,且可移動組件(例如,基板平台及/或量測平台及/或感測器平台及/或清潔平台)具有與尺度或網格合作以判定組件之位置、速度等等之感測器、轉換器或讀頭中之一或多者。
參看圖1,照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言,當輻射源SO為準分子雷射時,輻射源SO及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下,不認為輻射源SO形成微影裝置之部件,且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下,舉例而言,當輻射源SO為水銀燈時,輻射源SO可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常,可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外,照明器IL可包含各種其他組件,諸如,積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束,以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO,可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部件。舉例而言,照明器IL可為微影裝置之整體部件,或可為自微影裝置分離之實體。在後一狀況下,微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況,照明器IL可拆卸且分離地提供照明器(例如,由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如,光罩平台)MT上之圖案化元件(例如,光罩)MA上,且係藉由該圖案化元件MA而圖案化。在已橫穿圖案化元件MA的情況下,輻射光束B傳遞通過投影系
統PS,投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如,干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器),可準確地移動基板平台WT,例如,以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地,第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件MA。一般而言,可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地,可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板平台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下,支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器,或可固定。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分,但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地,在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中,圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中:
1.在步進模式中,在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時,使支撐結構MT及基板平台WT保持基本上靜止(亦即,單次靜態曝光)。接著,使基板平台WT在X及/或Y方向上移位,使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中,曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中,在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時,同步地掃描支撐結構MT及基板平台WT(亦即,單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板平台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中,曝
光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上),而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時,使支撐結構MT保持基本上靜止,從而固持可程式化圖案化元件,且移動或掃描基板平台WT。在此模式中,通常使用脈衝式輻射源,且在基板平台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如,上文所提及之類型之可程式化鏡陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
儘管可在本文中特定地參考微影裝置在IC製造中之使用,但應理解,本文所描述之微影裝置可在製造具有微尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用,諸如,製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。
用於在投影系統PS之最終器件與基板之間提供液體之配置可分類成三個一般類別。此等類別為浴類型配置、所謂局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中,基板W之實質上全部及(視情況)基板平台WT之部分被浸沒於液體浴中。
局域化浸潤系統使用液體供應系統,其中液體僅提供至基板之局域化區域。由液體填充之空間的平面小於基板之頂部表面的平面,且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止,而基板W在該區域下方移動。圖2至圖6展示可用於此系統中之不同供應元件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號揭示一種已提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中,液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板平台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度小。液體可為基板上之液體膜(諸如,液體薄膜)。浸潤液體可供應至投影系統及面對投影系統之對向表面或其附近(此對向表面可為基板及/或基板平台之表面)。圖2至圖5之液體供應元件中任一者亦可用於此系統中。然而,密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率,或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
如圖2及圖3所說明,液體係藉由至少一入口而供應至基板上(較佳地,沿著基板相對於最終器件之移動方向)。液體在已通過投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。隨著在-X方向上於器件下方掃描基板,在器件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置:液體係經由入口被供應且在器件之另一側由連接至低壓源之出口吸取。在圖2之說明中,沿著基板相對於最終器件之移動方向供應液體,但無需為此狀況。圍繞最終器件而定位之入口及出口的各種定向及數目係可能的,圖3說明一實例,其中圍繞最終器件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意,液體之流動方向係由圖2及圖3中之箭頭展示。
圖4展示具有局域化液體供應系統之另一浸潤微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側的兩個凹槽入口而供應,且係藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口而移除。可在中心具有孔之板中配置入口,且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口而供應,且係藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口而移除,從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意,流體流及基板之方向係由圖4中之箭頭展示。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統,液體限制結構沿著投影系統之最終器件與基板平台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5說明此配置。
在一實施例中,微影裝置包含液體限制結構,液體限制結構具有液體移除元件,液體移除元件具有經覆蓋有網目或相似多孔材料之入口。網目或相似多孔材料提供在投影系統之最終器件與可移動平台(例如,基板平台)之間的空間中接觸浸潤液體之孔之二維陣列。在一實施例中,網目或相似多孔材料包含蜂窩狀或其他多邊形網目。在一實施例中,網目或相似多孔材料包含金屬網目。在一實施例中,網目或相似多孔材料自始至終圍繞微影裝置之投影系統之影像場而延伸。在一實施例中,網目或相似多孔材料位於液體限制結構之底部表面上且具有面向平台之表面。在一實施例中,網目或相似多孔材料使其底部表面之至少一部分大體上平行於平台之頂部表面。
圖5示意性地描繪局域化液體供應系統或流體處置結構12,其沿著投影系統之最終器件與基板平台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意,除非另有明確陳述,否則在下文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板平台之表面)。流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止,但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中,密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間,且可為無接觸密封件,諸如,氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終器件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件16,使得將液體限制於基板W之表面與投影系統PS之最終器件之間的空間內。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終器件
下方且環繞投影系統PS之最終器件的流體處置結構12而至少部分地形成。液體係藉由液體入口13而帶入至在投影系統PS下方且在流體處置結構12內之空間中。液體可由液體出口13移除。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統之最終器件。液體液位上升至高於最終器件,使得提供液體緩衝。在一實施例中,流體處置結構12具有內部周邊,該內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終器件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處,內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如,矩形),但無需為此狀況。
液體可藉由氣體密封件16而含有於空間11中,該氣體密封件16在使用期間形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。該氣體密封件係藉由氣體而形成。氣體密封件中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至流體處置結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在流體處置結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可連續或不連續。氣流16對於使在空間11中含有液體係有效的。全文據此以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2004-0207824號揭示此系統。在一實施例中,流體處置結構12不具有氣體密封件。
圖6說明為液體供應系統之部件之流體處置結構12。流體處置結構12圍繞投影系統PS之最終器件之周邊(例如,圓周)而延伸。
部分地界定空間11之表面中之複數個開口23將液體提供至該空間11。液體分別通過各別腔室34、36而傳遞通過側壁28、32中之開口29、23,之後進入空間11。
密封件提供於流體處置結構12之底部與對向表面(例如,基板W或基板平台WT或此兩者)之間。在圖6中,密封元件經組態以提供無
接觸密封件且係由若干組件組成。自投影系統PS之光軸徑向地向外,提供延伸至空間11中之(選用)流量控制板53。控制板53可具有開口55以准許流動液體通過開口55;若控制板53在Z方向(例如,平行於投影系統PS之光軸)上位移,則開口55可有益。開口180可在流體處置結構12之面對對向表面(例如,基板W)(例如,與對向表面(例如,基板W)相對)的底部表面上自流量控制板53徑向地向外。開口180可在朝向對向表面之方向上提供液體。在成像期間,此可有用於藉由運用液體來填充基板W與基板平台WT之間的間隙而防止浸潤液體中之氣泡形成。
抽取器總成70可自開口180徑向地向外以自流體處置結構12與對向表面之間抽取液體。抽取器總成70可作為單相抽取器或作為雙相抽取器進行操作。抽取器總成70充當液體之彎液面320之彎液面牽制特徵。
氣刀90可自抽取器總成徑向地向外。全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2006/0158627號詳細地揭示抽取器總成及氣刀之配置。
作為單相抽取器之抽取器總成70可包含液體移除元件、抽取器或入口,諸如全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2006-0038968號所揭示之抽取器總成。在一實施例中,液體移除元件70包含被覆蓋於多孔材料111中之入口120,多孔材料111係用以將液體與氣體分離以實現單液相液體抽取。腔室121中之負壓經選擇成使得形成於多孔材料111之孔中之彎液面防止周圍氣體被吸入至液體移除元件70之腔室121中。然而,當多孔材料111之表面與液體接觸時,彎液面不限定流動,且液體可自由地流動至液體移除元件70之腔室121中。
多孔材料111具有許多小孔,每一小孔具有在5微米至50微米之範
圍內的尺寸,例如,寬度(諸如,直徑)。可將多孔材料111維持於在高於諸如對向表面之表面(例如,基板W之表面)50微米至300微米之範圍內的高度,液體將自該對向表面被移除。在一實施例中,多孔材料111係至少稍微親液性的,亦即,與浸潤液體(例如,水)成小於90°、理想地小於85°或理想地小於80°之動態接觸角。
自氣刀90徑向地向外,可提供一或多個出口210以自氣刀90移除氣體及/或移除可通過氣刀90逸出之液體。該一或多個出口210可位於氣刀90之一或多個出口之間。為了促進流體(氣體及/或液體)至出口210之取道,可將凹座220提供於液體限制結構12中,該凹座220係自氣刀90之出口及/或自氣刀90之出口之間而引導朝向出口210。
儘管圖6中未特定地說明,但液體供應系統具有用以處理液體液位變化之配置。此配置係使得可處理在投影系統PS與液體限制結構12之間積聚(且形成彎液面400)之液體且該液體不會逸出。一種處理此液體之方式係提供一疏液性(例如,疏水性)塗層。塗層可圍繞環繞開口之流體處置結構12之頂部及/或圍繞投影系統PS之最後光學器件而形成條帶。塗層可自投影系統PS之光軸徑向地向外。疏液性(例如,疏水性)塗層幫助使浸潤液體保持於空間11中。另外或替代地,可提供一或多個出口201以移除相對於結構12到達某種高度之液體。
另一局域化區域配置係使用氣體拖曳原理之流體處置結構。舉例而言,美國專利申請公開案第US 2008-0212046號、第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號已描述所謂氣體拖曳原理。在彼系統中,抽取孔係以可理想地具有一隅角之形狀而配置。該隅角可與較佳移動方向(諸如,步進或掃描方向)對準。對於在較佳方向上之給定速率,與在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於較佳方向的情況相比較,隅角可與較佳移動方向對準的情況會縮減對流體處理結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。然而,本發明之一實
施例可應用於流體處理系統,該流體處理系統在平面中具有任何形狀,或具有諸如以任何形狀配置之抽取開口的組件。在一非限制性清單中,此形狀可包括橢圓形(諸如,圓圈)、直線形狀(諸如,矩形(例如,正方形),或平行四邊形(諸如,菱形)),或具有四個以上隅角之成隅角形狀(諸如,具有四個或四個以上尖角之星形)。
在本發明之一實施例可涉及的US 2008/0212046 A1之系統之變化中,供以配置開口之成隅角形狀的幾何形狀允許針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在尖銳隅角(在約60°與90°之間,理想地在75°與90°之間,且最理想地在75°與85°之間)。此情形允許在每一經對準隅角之方向上之速率增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面(例如,在超過臨界速率時)的液體小滴之產生縮減。在隅角與掃描方向及步進方向兩者對準的情況下,可在彼等方向上達成增加之速率。理想地,在掃描方向與步進方向上之移動速率可實質上相等。
為了曝光,將基板固持於基板固持器上,又將基板固持器支撐於基板平台上。在一實施例中,基板固持器經組態以支撐基板之下部表面。基板固持器包括基底表面,基底表面具有自基底表面突起之複數個瘤節。基板之下部表面可被支撐於瘤節之上部面上。可準確地製造瘤節,使得支撐基板之該等瘤節之遠端準確地共平面且幫助確保基板足夠扁平地被固持。此配置亦可最小化或縮減與基板固持器接觸之基板之總面積,最小化或縮減污染物在支撐平台與基板之間被轉移之可能性,及/或最小化或縮減污染物位於基板將接觸基板固持器(此可引起基板之變形)之位置之可能性。
在一實施例中,基板下方之圍繞瘤節之空間可連接至負壓源。因此,基板可真空夾持至基板固持器。基板固持器又夾持至基板平台。在一實施例中,提供靜電夾持系統以將基板夾持至基板固持器及
/或將基板固持器夾持至基板平台。
隨著在此項技術中持續需要產生較小尺寸之結構,當基板被固執於裝置中以供成像時對基板之平坦度的要求變得愈來愈嚴格。本發明人已判定:在基板平台之現有設計中自平坦度之偏差(此等偏差有時被稱作不平坦度)的一個來源為基板固持器中之e銷釘突出以收納、降低及提昇基板所通過的孔隙。此等孔隙被稱為e銷釘孔隙。在一已知設計中,瘤節之間距(中心至中心距離)為約1毫米至3毫米。e銷釘之尖端之直徑為4毫米或大於4毫米,且基板固持器中之對應e銷釘孔隙之直徑為約7.5毫米。在每一e銷釘孔隙周圍,提供形成氣體密封件之凸起壁或隆脊以縮減氣體通過e銷釘孔隙而進入基板與基板固持器之間的抽空空間之洩漏。結果,存在基板未受支撐所遍及之約11毫米至13毫米之跨距。不管基板之勁度,此未受支撐跨距仍可引起基板之上部表面之不理想偏轉。此不平坦度可導致形成於e銷釘孔隙附近的元件特徵之失真或位移,此導致良率縮減。
在本發明之一第一態樣中,一種基板固持器具有:一上部表面;位於該上部表面上且橫越該上部表面而分佈之複數個瘤節,該等瘤節經組態以在其上支撐一基板;及複數個孔隙,該等孔隙係與該基板固持器之中心隔開;其中該等孔隙中之至少一者在該基板固持器之該上部表面處具有包括至少一凹腔之一形狀,且至少一瘤節位於該凹腔內。
藉由將孔隙之形狀配置成具有至少一凹腔(亦即,具有向內指向之至少一頂點)且將瘤節定位於彼凹腔內(亦即,在鄰近側與向內指向頂點之間的角度內),可縮減未受支撐跨距。基板之不平坦度得以縮減且良率可增加。上部表面處的孔隙之形狀為孔隙在上部表面之平面中的橫截面。遠離上部表面的孔隙之橫截面之形狀或大小無需恆定。凹腔必需位於兩個凸出部(亦即,向外指向之頂點)之間。若瘤節相比
於接合兩個鄰近凸出部之假想直線更接近於孔隙之中心,則該瘤節可被視為在凹腔內。在本發明之一實施例中,界定凹腔之孔隙之形狀之側無需為直線。在孔隙之形狀之側彎曲之狀況下,凹腔可被描述為凹面。
在本發明之一實施例中,每一孔隙通過基板固持器而延伸至其下部表面,以產生通孔。在本發明之一實施例中,至少一孔隙經組態以收納一各別e銷釘。在本發明之一實施例中,至少一孔隙經組態以連接至一真空源。在本發明之一實施例中,在基板固持器中存在具有不包括凹腔之形狀的其他孔隙。
在本發明之第二態樣中,至少一孔隙之形狀具有至少一對稱度及複數個凹腔。
在本發明之第三態樣中,至少一孔隙之形狀具有兩個反射對稱度及/或旋轉對稱度,且存在四個凹腔。
在本發明之第四態樣中,至少一孔隙為十字形狀。
在本發明之第五態樣中,在上部表面處存在具有包括至少一凹腔之形狀的至少三個孔隙。
在本發明之第六態樣中,一種基板平台經調適以支撐一基板固持器,且具有:複數個隔開式e銷釘;及一致動器系統,其用於控制每一e銷釘進入及/或通過該基板固持器中之一各別孔隙之一突出;其中每一e銷釘在其一遠端處具有一尖端部分,且該尖端部分在平行於該基板固持器之一上部表面的一平面中之橫截面具有至少一凹腔。在一實施例中,該基板固持器整合至該基板平台中,使得該基板固持器及該基板平台形成一個組件。在一實施例中,e銷釘整合至該基板固持器中。
圖7描繪用於微影裝置之基板固持器WH。基板固持器WH經組態以支撐基板W之下部表面。基板固持器WH係由支撐平台WT(圖7中未
繪示)支撐。
基板固持器WH具有上部表面22。基板固持器WH包含複數個瘤節20。瘤節20在上部表面22上方突起。複數個瘤節20中每一者具有一各別遠端。瘤節20經配置成使得當基板W係由支撐固持器WH支撐時,基板W係由複數個瘤節20中每一者之各別遠端支撐。當基板被如此支撐時,基板實質上平行於上部表面22。在一實施例中,基板W係與瘤節20之僅遠端接觸。以足夠準確度來製造瘤節,使得該等瘤節之遠端共平面,其具有足夠小以符合在曝光期間對基板之平坦度要求之容許度。
瘤節20係用以將基板W固持至基板固持器WH,而在基板W與基板固持器WH之間具有相對低接觸面積。舉例而言,基板W之面積的約1%至約3%係與瘤節20接觸。藉由具有低接觸面積,污染敏感度得以縮減。
待曝光之基板W係由基板固持器WH固持。詳言之,可將基板W夾持至基板固持器WH。夾持可藉由使基板W與基板固持器WH之間的空間處於相比於周圍壓力(亦即,環繞基板W及支撐固持器WH之氣體(例如,空氣)之壓力)低的壓力下來實現。由基板固持器WH及基板W圍封之區可處於近真空壓力下,使得基板W經真空夾持至基板固持器WH。
在一實施例中,基板固持器WH包含形成於其中之一或多個真空孔(圖中未繪示),在此狀況下為三個。該等孔經由支撐平台WT而與真空源連通。可自由基板W及基板固持器WH圍封之區通過該等孔來抽取氣體,藉此縮減供夾持基板W的此空間中之壓力。可使真空孔足夠小,例如具有與瘤節之間距相同的數量級,使得不會出現顯著未受支撐跨距。若需要提供較大真空孔(例如)以增加氣體之流動速率,可以與下文所描述之e銷釘孔隙相同的方式以具有至少一凹腔之形狀來
製造真空孔。基板平台中之理想的任何其他孔亦可以具有至少一凹腔之形狀而形成。
基板固持器WH亦包括複數個孔隙24(在此狀況下為三個),以收納e銷釘而待用於收納、降低及提昇基板W。此等孔隙在下文中被稱作e銷釘孔隙。在本發明之一實施例中,存在四個、五個或六個e銷釘孔隙。e銷釘孔隙24係與基板固持器WH之中心28隔開且彼此隔開。在一實施例中,e銷釘孔隙24中每一者經安置成與基板固持器WH之中心相隔距離r(至e銷釘孔隙之中心予以量測)。自基板固持器WH之中心至鄰近e銷釘孔隙24之中心之假想線對向相同角度θ。在一實施例中,r等於或大於基板固持器之半徑的¼。在一實施例中,r等於或小於基板固持器之半徑的¾。因此,e銷釘孔隙圍繞以基板固持器WH之中心為中心之假想圓相等地間隔。此配置用以在經由e銷釘提昇或降低基板時均勻地分配施加於基板上之力。
圖8為e銷釘孔隙24中之一者的放大圖。將看到,e銷釘孔隙24具有凹腔多邊形形狀,特定言之,存在四個凹腔頂點241及八個凸出部242,且e銷釘孔隙24之總形狀為十字形狀。氣體密封件25環繞e銷釘孔隙,該氣體密封件25採取凸起壁或隆脊之形式,其緊密遵循孔隙24之邊緣。出於製造原因,可需要使隆脊25與e銷釘孔隙24之邊緣間隔小距離,其中隆脊25與基板固持器之上部表面會合,但需要最小化此距離。隆脊25用以縮減在使用真空夾持將基板固持於基板固持器WH上時氣體通過e銷釘孔隙24之洩漏。隆脊25相對於基板固持器WH之基底表面之高度略小於瘤節20相對於基板固持器WH之基底表面之高度。若不需要則可省略隆脊25,例如在使用靜電夾持件的情況下可省略隆脊25。
如圖8可見,至少一個瘤節20a、20b被置放於凹腔頂點241處之孔隙24之側之角度內。為了清楚起見,圖8僅展示少數瘤節,許多其他
瘤節將存在於孔隙24之附近。可看出,瘤節20a、20b相比於接合鄰近凸出頂點242之線更接近於e銷釘孔隙24之中心。以此方式,在瘤節20a、20b之間的由基板固持器WH支撐之基板W之未受支撐跨距(其為圖8中之距離d1)小於可運用具有相同面積及縱橫比的非凹腔形狀之e銷釘孔隙而獲得的跨距。
圖12及圖13為展示用以提昇基板W之e銷釘30之操作的橫截面圖。在圖12中,e銷釘30被展示處於收縮位置,且遠端31係在基板固持器WH之上部表面22之層級下方。因此,基板W被支撐於瘤節20之遠端上。在圖13中,e銷釘30被展示處於突出位置,且基板W升高離開瘤節20以提供間隙c。基板處置器之叉齒可接著被插入於基板W之下方,以在基板交換期間使基板W升高遠離基板固持器WH。
圖12及圖13中亦可見,e銷釘30在其遠端處具有尖端部分34,及主體部分35,該主體部分35之直徑大於該尖端之直徑。e銷釘孔隙24相似地在基板固持器WH之上部表面處變窄,但在基板固持器WH之上部表面下方較大。在e銷釘孔隙24之下部較寬部分中,在經收縮e銷釘與孔隙大小之間存在較大間隙。此較大間隙縮減在基板平台之過度加速或減速的情況下對基板固持器或e銷釘之損害之可能性。
圖12及圖13中亦可見,每一e銷釘30之遠端具有一盤碟形凹陷31,該盤碟形凹陷31經由導管32而連接至真空源33。此真空源可為與用以將基板W夾持至基板固持器WH同一個真空源,或該真空源可為分離真空源。當e銷釘30與基板W接觸時操作真空源33,使得基板W係藉由基板上方之氛圍與凹陷31內之減壓之間的壓力差動而夾持至e銷釘。藉由在提昇操作及降低操作期間將基板夾持至e銷釘,避免了基板W之不理想側向移動。詳言之,此夾持使能夠在待維持之基板被收納於基板固持器WH上時預對準該基板。為了提供足夠夾持力以避免基板之側向移動,e銷釘30之遠端在平面中必須具有足夠面積。在
本發明之一實施例中,e銷釘之末端之面積大於約8平方毫米。在本發明之一實施例中,每一e銷釘之遠端之面積大於約10平方毫米。在本發明之一實施例中,每一e銷釘之遠端之面積大於約12平方毫米。在本發明之一實施例中,所有e銷釘之遠端之總面積大於約33平方毫米。
圖9展示在本發明之另一實施例中的e銷釘30a之尖端及對應e銷釘孔隙24a。e銷釘30a之尖端在平面中再次為十字形狀,且孔隙24a具有對應形狀。在圖9之實施例中,e銷釘30a及e銷釘孔隙24a兩者之十字形狀之臂相比於圖8之實施例中之情形較窄且較狹長。此情形使得向內指向頂點241處之凹腔較深且縮減基板W之未受支撐跨距,該未受支撐跨距在圖9中由距離d2指示。另外,多個瘤節20a可位於由孔隙24之側及接合鄰近凸出頂點242之假想線243界定的凹腔內。再次,圖9展示在孔隙24附近的許多瘤節中之僅少數瘤節。
將看到,在圖8及圖9之實施例中,十字形狀之e銷釘及對應e銷釘孔隙24具有具相同長度及寬度的四個臂。因此,e銷釘尖端與e銷釘孔隙之縱橫比為1:1。為了在提昇及降低基板時均勻地分配基板上之負荷,此縱橫比係理想的。若e銷釘尖端與e銷釘孔隙之縱橫比為1:1,則相比於縱橫比較高之情況,可更容易製造e銷釘。在一實施例中,e銷釘尖端與e銷釘孔隙之縱橫比小於約2:1,理想地小於4:3。
十字形狀e銷釘之臂之長度及寬度係受到製造問題及強度問題以及向e銷釘之尖端提供足夠面積以供夾持之需要約束。在一實施例中,e銷釘之臂之寬度大於或等於約0.25毫米,理想地大於約0.5毫米。在一實施例中,臂之寬度小於約2毫米,理想地小於約1毫米。在本發明之一實施例中,e銷釘尖端之臂之長度等於或大於約3毫米,理想地等於或大於約2毫米。在一實施例中,臂之長度等於或小於8毫米,理想地等於或小於6毫米。十字形狀e銷釘之臂之長度及寬度判定
該等臂之勁度。較短且較厚臂較堅固且較不易碎,此情形可理想。
除了圖8及圖9所展示之簡單十字形狀以外的其他形狀可用於本發明之實施例中。舉例而言,在本發明之一實施例中,e銷釘之尖端在臂之相交點處具有(例如)藉由將正方形或圓圈疊加於該相交點上或藉由圓化臂之間的隅角而形成的放大中心部分。後一狀況允許在維持至成正方形隅角孔隙之恆定間隙的同時增加e銷釘尖端之面積。在本發明之一實施例中,十字之臂不具有恆定寬度,例如,臂之寬度隨著與相交點相隔之距離增加而增加。寬度之增加可隨著與中心相隔之距離而為線性以產生直側,或為非線性以使得臂之側彎曲。臂之末端可具備(例如)呈圓形把手或橫桿之形式的放大件。
圖10及圖11說明在本發明之實施例中可用於e銷釘之尖端之其他形狀的實例。在圖10中,e銷釘之臂具有瓣片(petal)之形狀,其具有通向點之彎曲側。此等瓣片之總長度及最大寬度可相同於上文針對直側十字所指示之總長度及最大寬度。在圖11之實施例中,e銷釘之尖端具有形成為正方形之形狀,其在每一隅角處具有一弓形凹口。此形狀亦可被描述為圓化隅角(其中十字之臂會合)之極端狀況。
在上文所說明及描述之本發明之實施例中,在e銷釘之尖端之形狀中存在四個臂或瓣片。在本發明之一實施例中,可存在更多或更少臂或瓣片。詳言之,本發明之一實施例可具有三個、四個或五個臂或瓣片。在本發明之一實施例中,每一對鄰近臂或尖端之間的角度相等。在一實施例中,鄰近臂或尖端之間的角度不盡相同。
在本發明之一實施例中,孔隙之邊緣與e銷釘在突出通過e銷釘孔隙時之尖端之間的間隙儘可能的小。可藉由改良型製造技術及/或藉由在將基板固持器置放於支撐平台WT上時之改良之位置準確度來縮減必需間隙。在本發明之一實施例中,e銷釘尖端與孔隙之邊緣之間的間隙係在1毫米至4毫米之範圍內,理想地在1.5毫米至3.5毫米之範
圍內。
在本發明之一實施例中,瘤節係以經判定以提供相比於由嚴格規則網格給予或將瘤節配置於同心環上之支撐力更均一的支撐力之配置而定位。US 2004247361描述判定瘤節之合適配置之方法。其中所描述之方法可易於經調適以增加e銷釘孔隙24附近之支撐力的均一性。詳言之,在本發明之一實施例中,在e銷釘孔隙之附近(例如,在凹腔中)相比於其他區(例如,裝置之中心)之密度(每單位面積的瘤節之數目)增加。在本發明之一實施例中,瘤節之分佈亦在基板固持器之邊緣附近變化,以補償浸潤系統中之可變壓力效應。基板固持器之邊緣附近之瘤節之分佈可如US 2005219499所描述。
如應瞭解,上述特徵中任一者可與任何其他特徵一起使用,且本申請案不僅涵蓋明確地描述之彼等組合。
此外,儘管為方便起見上文已在浸潤微影裝置之內容背景中描述本發明,但應瞭解,本發明可結合任何形式之微影裝置而使用,該等微影裝置例如,所謂乾式大氣微影裝置,其中在投影系統與經曝光基板之間僅存在空氣或另一氣體;或如用於極紫外線(EUV)微影裝置中之真空微影裝置。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用,但應理解,本文所描述之微影裝置可具有其他應用,諸如,製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。熟習此項技術者應瞭解,在此等替代應用之內容背景中,可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時,可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另
外,可將基板處理一次以上,例如,以便產生多層IC,使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中任一者或組合。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此,對於熟習此項技術者將顯而易見,可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板平台/支撐平台
Claims (12)
- 一種基板固持器,其具有:一上部表面;位於該上部表面上且橫越該上部表面而分佈之複數個瘤節,該等瘤節經組態以在其上支撐一基板;及該基板固持器中之複數個孔隙,該等孔隙係與該基板固持器之中心隔開;其中該等孔隙中之至少一者在該基板固持器之該上部表面處具有包括至少一凹腔之一形狀,且至少一瘤節位於該凹腔內。
- 如請求項1之基板固持器,其中該上部表面處的該孔隙中之至少一者之該形狀具有至少一對稱度及複數個凹腔。
- 如請求項2之基板固持器,其中該上部表面處的該孔隙中之至少一者之該形狀具有兩個反射對稱度及/或旋轉對稱度及四個凹腔。
- 如請求項1至3中任一項之基板固持器,其中該孔隙中之至少一者為十字形狀。
- 如請求項1至3中任一項之基板固持器,其中在該上部表面處存在具有包括至少一凹腔之形狀的至少三個孔隙。
- 一種經配置以支撐一基板固持器之基板平台,該基板平台包含:複數個隔開式e銷釘;一致動器系統,其用於控制每一e銷釘進入及/或通過該基板固持器中之一各別孔隙之一突出;其中每一e銷釘在其一遠端處具有一尖端部分,且該尖端部分 在平行於該基板固持器之一上部表面的一平面中之橫截面具有至少一凹腔。
- 如請求項6之基板平台,其中每一尖端部分之該橫截面具有至少一對稱度及複數個凹腔。
- 如請求項7之基板平台,其中每一尖端部分之該橫截面具有兩個反射對稱度及/或旋轉對稱度及四個凹腔。
- 如請求項6至8中任一項之基板平台,其中該尖端部分之該橫截面為十字形狀。
- 如請求項6至8中任一項之基板平台,其中存在至少三個e銷釘。
- 一種微影裝置,其包含一如請求項6至10中任一項之基板平台,及支撐於該基板平台上的一如請求項1至5中任一項之基板固持器。
- 一種元件製造方法,其包含使用一微影裝置以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板,其中該微影裝置包含一如請求項6至10中任一項之基板平台,及支撐於該基板平台上的一如請求項1至5中任一項之基板固持器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14151736 | 2014-01-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201533838A TW201533838A (zh) | 2015-09-01 |
TWI576956B true TWI576956B (zh) | 2017-04-01 |
Family
ID=49955233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103142896A TWI576956B (zh) | 2014-01-20 | 2014-12-09 | 基板固持器、微影裝置之支撐平台、微影裝置及元件製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9939736B2 (zh) |
JP (1) | JP6262866B2 (zh) |
KR (1) | KR101885750B1 (zh) |
CN (1) | CN105934715B (zh) |
IL (1) | IL246289B (zh) |
NL (1) | NL2013835A (zh) |
TW (1) | TWI576956B (zh) |
WO (1) | WO2015106860A1 (zh) |
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2014
- 2014-11-20 NL NL2013835A patent/NL2013835A/en unknown
- 2014-11-20 JP JP2016547550A patent/JP6262866B2/ja active Active
- 2014-11-20 KR KR1020167021302A patent/KR101885750B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-20 WO PCT/EP2014/075163 patent/WO2015106860A1/en active Application Filing
- 2014-11-20 US US15/111,455 patent/US9939736B2/en active Active
- 2014-11-20 CN CN201480073555.7A patent/CN105934715B/zh active Active
- 2014-12-09 TW TW103142896A patent/TWI576956B/zh active
-
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- 2016-06-16 IL IL246289A patent/IL246289B/en active IP Right Grant
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CN105934715B (zh) | 2019-01-01 |
US9939736B2 (en) | 2018-04-10 |
WO2015106860A1 (en) | 2015-07-23 |
IL246289A0 (en) | 2016-07-31 |
KR101885750B1 (ko) | 2018-08-06 |
IL246289B (en) | 2021-04-29 |
TW201533838A (zh) | 2015-09-01 |
CN105934715A (zh) | 2016-09-07 |
JP6262866B2 (ja) | 2018-01-17 |
US20160334710A1 (en) | 2016-11-17 |
JP2017505458A (ja) | 2017-02-16 |
KR20160104722A (ko) | 2016-09-05 |
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