JP6317825B2 - リソグラフィ装置のためのサポートテーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置のためのサポートテーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２０１４年４月３０日に出願した欧州特許出願第１４１６６５２６．５号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置のためのサポートテーブル、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0004] 投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすために比較的高屈折率を有する液体（例えば水）にリソグラフィ投影装置における基板を沈めることが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、他の液体を使用することもできる。本発明のある実施形態は液体について記載するが、他の流体、特に、湿潤流体、非圧縮性流体及び/又は空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体も適切であり得る。ガスを排除する流体は特に望ましい。この趣旨は、露光放射が液体ではより短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を増大させると共に焦点深度を増大させることともみなされる。）中に固体粒子（例えば、石英）が懸濁される水、又はナノ粒子懸濁液（最大１０ｎｍまでの最大寸法を有する粒子）を有する液体を含む他の液浸液が提案されている。懸濁された粒子は、その粒子が懸濁される液体と同様又は同じ屈折率を有しても有さなくてもよい。適切となり得る他の液体としては、芳香族やフッ化炭化水素などの炭化水素及び/又は水溶液が挙げられる。
[0005] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の槽に沈める（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）ということは、スキャン露光中に加速される必要がある液体が大量にあるということを意味する。これは追加の又はさらに強力なモータを必要とし、液体内の乱流は望ましくなくかつ予測不可能な結果となり得る。
[0006] 液浸装置においては、液浸流体は流体取扱システム、デバイス構造又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体を供給することができ、よって流体供給システムであってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてよく、よって流体閉じ込めシステムであってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体にバリアを提供し、よって流体閉じ込め構造などのバリア部材であってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、例えば、液浸流体の流れ及び/又は位置を制御するのに役立たせるためにガス流を生成又は使用することができる。ガス流は液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、よって流体取扱構造をシール部材と呼ぶことができる。そのようなシール部材は流体閉じ込め構造であってよい。ある実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。その場合、流体取扱システムは液体取扱システムであってよい。上記の記載に関して、この段落において流体に関して定められた特徴についての言及は、液体に関して定められた特徴も含むと理解してよい。
[0007] リソグラフィ装置に液浸流体を利用することはある程度の困難を伴うことがあり得る。例えば、液浸流体の使用は、リソグラフィ装置内のさらなる熱負荷という結果をもたらすことがあり、これは基板上のイメージの形成の精度に影響を与え得る。
[0008] 一部の場合、熱負荷は基板にわたって不均一となることがあり、これはイメージの不均一な変化という結果になり得る。例えば、熱負荷は、流体取扱システムの動作及び/又は液浸流体の蒸発によって引き起こされ得る。これらの影響は基板の一部に限局され得る。結果的に、基板内に局所的な温度変化があり、基板の局所的な熱膨張又は収縮となり得る。次いで、これはオーバーレイエラー及び/又はクリティカルディメンション（ＣＤ）の局所的変化となり得る。サポートテーブルは、基板の温度を調整する調整システムを含んでよい。
[0009] サポートテーブルは、基板を支持する複数のバールを含んでよい。さらに、サポートテーブルは、基板とサポートテーブルとの間の熱結合を増大させるために複数の突起物（熱的リングと呼ぶことがある）を含んでよい。突起物は、基板とサポートテーブルとの間のガス流を制限し得る。これは、サポートテーブル上への基板のクランプ又はローディングを減速させ得る。なぜなら、領域が目標圧力に到達するためにガスが基板より下の領域から排気されるのにさらに長く時間がかかるからである。同様に、基板のアンロードも減速され得る。これは、リソグラフィ装置のスループットを減少させ得る。
[0010] 例えば、基板とサポートテーブルとの間の熱結合を減少させることなく、クランプ又はローディングの速度を高め及び/又はスループットを増加させることができるシステムを提供することが望ましい。
[0011] 本発明のある態様によると、リソグラフィ装置のためのサポートテーブルが提供される。ここで、サポートテーブルは基板の下面を支持するように構成され、サポートテーブルは、サポートテーブル上で支持された基板の下面と実質的に平行であるように構成されたベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、それぞれ遠位端及びベース面からの第１高さを有し、複数のバールは、基板がサポートテーブルによって支持されているときに基板は複数のバールの各々のぞれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、ベース面より上に突出する複数の細長い隆起した突起物であって、各細長い隆起した突起物は、ベース面からの第２高さを有し、第２高さは第１高さより低い、複数の細長い隆起した突起物とを備え、ベース面は複数の領域を含み、各領域内には、いくつかの細長い隆起した突起物が配置され、各領域内に配置された全ての細長い隆起した突起物は、互いに対して実質的に平行になるように実質的に同じ延長方向を有し、それによって細長い隆起した突起物と細長い隆起した突起物との間に細長い隆起した突起物と実質的に平行な少なくとも１つのガス流路を形成する。
[0012] 本発明のある態様によると、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含むデバイス製造方法が提供される。ここで、リソグラフィ装置は、基板の下面を支持するように構成されたサポートテーブルを含み、サポートテーブルは、サポートテーブル上で支持された基板の下面と実質的に平行であるように構成されたベース面と、ベース面より上に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々は、それぞれ遠位端及びベース面からの第１高さを有し、複数のバールは、基板がサポートテーブルによって支持されているときに基板は複数のバールの各々のぞれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、ベース面より上に突出する複数の細長い隆起した突起物であって、各細長い隆起した突起物は、ベース面からの第２高さを有し、第２高さは第１高さより低い、複数の細長い隆起した突起物とを備え、ベース面は複数の領域を含み、各領域内には、いくつかの細長い隆起した突起物が配置され、各領域内に配置された全ての細長い隆起した突起物は、互いに対して実質的に平行になるように実質的に同じ延長方向を有し、それによって細長い隆起した突起物と細長い隆起した突起物との間に細長い隆起した突起物と実質的に平行な少なくとも１つのガス流路を形成する。
[0013] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0014] 図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0015] 図２は、リソグラフィ投影装置で用いる液体供給システムを示す。 [0015] 図３は、リソグラフィ投影装置で用いる液体供給システムを示す。 [0016] 図４は、リソグラフィ投影装置で用いるさらなる液体供給システムを示す。 [0017] 図５は、リソグラフィ投影装置で用いるさらなる液体供給システムを示す。 [0018] 図６は、リソグラフィ投影装置で用いるさらなる液体供給システムの断面図を示す。 [0019] 図７は、リソグラフィ装置のためのサポートテーブルの平面図を示す。 [0020] 図８は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。 [0020] 図９は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。 [0020] 図１０は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。 [0020] 図１１は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの平面図を示す。 [0021] 図１２は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの一部の拡大平面図を示す。 [0022] 図１３は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの詳細の断面図を示す。 [0023] 図１４は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの断面図を示す。 [0024] 図１５は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの詳細の断面図を示す。 [0024] 図１６は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルの詳細の断面図を示す。
[0025] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってテーブル、例えば、基板Ｗの表面を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された、サポートテーブル、例えば、１つ以上のセンサを支持するセンサテーブル又は基板テーブルＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[0026] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0027] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0028] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
[0029] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学システム、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0030] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0031] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ若しくはサポート）、例えば、２つ以上の基板テーブル又は１つ以上の基板テーブルと１つ以上のクリーニング、センサ若しくは測定テーブルとの組み合わせを有する型のものであってもよい。例えば、ある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に配置された２つ以上のテーブルを含むマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上の物体を含み、及び/又は保持する。ある実施形態では、１つ以上のテーブルは、放射感応性基板を保持してよい。ある実施形態では、１つ以上のテーブルは、投影システムからの放射を測定するためにセンサを保持してよい。ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１テーブル（すなわち、基板テーブル）及び放射感応性基板を保持するように構成されていない第２テーブル（以下、総称して、測定、センサ及び/又はクリーニングテーブルと呼ぶが、これに限定されない）。第２テーブルは、放射感応性基板以外に、１つ以上の物体を含み、及び/又は保持してよい。そのような１つ以上の物体は、以下から選択された１つ以上を含んでよい：投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び/又は（例えば、液体閉じ込め構造を洗浄する）クリーニングデバイス。
[0032] そのような「マルチプルステージ」（又は「マルチステージ」）機械においては、複数のテーブルを並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、クリーニング、センサ及び/又は測定テーブルと同様の方法で並列に使用することができる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ若しくはサポート）を有してよい。
[0033] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0034] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなしてよく又はみなさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、又はリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬがその上に取り付けられるように構成されてよい。任意選択として、イルミネータＩＬは、取り外し可能であり、かつ（例えば、リソグラフィ装置製造業者又は別の供給業者によって）別個に設けられてもよい。
[0035] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0036] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などのマイクロスケール又はさらにナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
[0037] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供するための構成は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは浴式構成、いわゆる局所液浸システム及びオールウェット(all wet)液浸システムである。浴式構成では、基板Ｗの実質的に全体及び任意選択として基板テーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。
[0038] 局所液浸システムは、液体が基板の局部にのみ供給される液体供給システムを使用する。液体によって埋められた空間は、平面における基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、投影システムＰＳに対して実質的に静止しているままである一方、基板Ｗはその領域の下で移動する。図２〜図６は、そのようなシステムで用いることができる様々な供給デバイスを示している。液体を局部に密閉させるために封止フィーチャが存在する。この構成のために提案されている一方法は、ＰＣＴ特許出願公開公報第９９/４９５０４号に開示されている。
[0039] 図２及び図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動きの方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通った後で少なくとも１つの出口によって除去される。基板が要素の下でＸ方向にスキャンされながら、液体は要素の＋Ｘ側に供給されて−Ｘ側で取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給されて低圧源に接続された出口によって要素の反対側で取り上げられる構成を概略的に示している。図２では、液体は最終要素に対する基板の動きの方向に沿って供給されているが、これに限定されない。最終要素の周りに位置決めされる様々な向き及び数の入口及び出口が可能であり、その一例を図３に示している。この例では、いずれかの側に出口を有する入口の４つのセットが、最終要素の周りに規則的なパターンで設けられる。液体の流れの方向を図２及び図３の矢印によって示していることに留意されたい。
[0040] 局所液体供給システムを有するさらなる液浸リソグラフィ解決策を図４に示している。液体は投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口は中心に孔を有するプレートに配置されてよく、この孔を通って投影ビームが投影される。液体は投影システムＰＳの片側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の個別の出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に薄い液体膜の流れをもたらす。どの入口及び出口の組み合わせを使用するかの選択は、基板Ｗの動きの方向に依存してよい（他の入口と出口の組み合わせは非活動状態である）。図４において流体の流れ及び基板の方向を矢印で示している。
[0041] 提案されている他の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を有する液体供給システムを提供することである。そのような構成を図５に示している。
[0042] 図５は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる局所液体供給システム又は流体取扱構造１２を概略的に示している。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、基板テーブルの表面を加えたもの又はその代替のものを言う。）流体取扱構造１２は、ＸＹ平面において投影システムに対して実質的に固定されているが、Ｚ方向（光軸の方向）において多少の相対運動があり得る。ある実施形態では、シールが流体取扱構造１２と基板Ｗの表面との間に形成され、そのシールはガスシール（そのようなガスシールを用いるシステムは欧州特許出願公開公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールであってよい。
[0043] 流体取扱構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６が投影システムＰＳのイメージフィールドの周りに形成されてよい。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及びその周りに位置決めされた流体取扱構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムＰＳの下の空間及び流体取扱構造１２内へと運ばれる。液体出口１３によって液体を除去することができる。流体取扱構造１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。ある実施形態では、流体取扱構造１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に正確に一致することができる内周を有し、例えば円形とすることができる。底部では、内周がイメージフィールドの形状に正確に一致し、例えば矩形とすることができるが、そうである必要はない。
[0044] 液体は、使用中に流体取扱構造１２の底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてよい。ガスシールはガスによって形成される。ガスシール内のガスは、加圧下で入口１５を介して流体取扱構造１２と基板Ｗとの間のギャップに設けられる。ガスは出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速のガス流１６があるように構成される。流体取扱構造１２と基板Ｗの間で液体にかかるガスの力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝であってもよい。環状溝は連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガス流１６は、液体を空間１１内に封じ込めるのに効果がある。このようなシステムは、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、流体取扱構造１２はガスシールを有さない。
[0045] 図６は、液体供給システムの一部である流体取扱構造１２を示している。流体取扱構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば、円周）に延在する。
[0046] 部分的に空間１１を画定する表面内の複数の開口２３は、液体を空間１１に提供する。液体は、空間１１に入る前にそれぞれのチャンバ３４及び３６を通って側壁２８及び３２内の開口２９及び２３をそれぞれ通る。
[0047] シールは、流体取扱構造１２の底面と対向面、例えば、基板Ｗ、基板テーブルＷＴ又はその両方との間に設けられる。図６では、シールデバイスは、非接触シールを提供するように構成され、いくつかの部品から構成される。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に、空間１１に延在する（任意の）流れ制御プレート５３が設けられる。制御プレート５３は、液体が中を通ることができる開口５５を有してよい。開口５５は、制御プレート５３がＺ方向（例えば、投影システムＰＳの光軸と平行）に移動された場合に効果的となり得る。対向面、例えば基板Ｗに面する（例えば、反対側の）流体取扱構造１２の底面にある流れ制御プレート５３の半径方向外側には、開口１８０があってよい。開口１８０は、対向面に向かう方向に液体を提供することができる。結像中、これは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップを液体で満たすことによって液浸液における気泡形成の防止に有用となり得る。
[0048] 開口１８０の半径方向外側には、流体取扱構造１２と対向面との間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ７０があってよい。抽出器アセンブリ７０は、単相又は二重相抽出器として動作してよい。抽出器アセンブリ７０は、液体のメニスカス３２０のメニスカス固定特徴部として機能する。
[0049] 抽出器アセンブリの半径方向外側には、ガスナイフ９０があってよい。抽出器アセンブリ及びガスナイフの構成は、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２００６/０１５８６２７号明細書に開示されている。
[0050] 単相抽出器としての抽出器アセンブリ７０は、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されるような液体除去デバイス、抽出器又は入口を含んでよい。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、単一液相液体抽出を可能にするために液体をガスから引き離すために使用される多孔質材料１１１で覆われる入口１２０を含む。チャンバ１２１内の負圧は、多孔質材料１１１の孔に形成されたメニスカスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に周囲ガスが吸い込まれることを防止するように選択される。しかしながら、多孔質材料１１１の表面が液体と接触した場合、流れを制限するメニスカスはなく、液体は液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内へと自由に流れる。
[0051] 多孔質材料１１１は、多数の小さい孔を有する。各孔は、５〜５０マイクロメートルの範囲の寸法、例えば直径などの幅を有する。多孔質材料１１１は、液体が除去されるべき対向面などの表面、例えば基板Ｗの表面から５０〜３００マイクロメートル範囲の高さで維持されてよい。ある実施形態では、多孔質材料１１１は、少なくとも僅かに親液性であり、すなわち、液浸液、例えば水に対して９０°より小さい、望ましくは８５°より小さい又は望ましくは８０°より小さい動的接触角を有する。
[0052] ガスナイフ９０の半径方向外側には、ガスナイフ９０からガスを除去するため及び/又はガスナイフ９０を通り過ぎて漏れ得る液体を除去するための１つ以上の出口２１０が設けられてよい。１つ以上の出口２１０は、ガスナイフ９０の１つ以上の出口間に配置されてよい。出口２１０への流体（ガス及び/又は液体）のチャネリングを容易にするために、ガスナイフ９０の出口から及び/又はガスナイフ９０の出口と出口との間から出口２１０に向かって誘導される凹所２２０が液体閉じ込め構造１２に設けられてよい。
[0053] 図７は、リソグラフィ装置のためのサポートテーブルＷＴを示している。基板テーブルＷＴは、基板Ｗの下面を支持するように構成される。サポートテーブルＷＴはベース面を含む。ベース面は、基板テーブルＷＴ上で支持された基板Ｗの下面と実質的に平行になるように構成される。サポートテーブルＷＴは複数のバール２０を含む。バール２０はベース面より上に突出する。複数のバール２０のうちの各バールは、それぞれ遠位端を有する。バール２０は、基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されている場合に基板Ｗが複数のバール２０のうちの各バールのそれぞれの遠位端によって支持されるように配置される。
[0054] 使用中、基板ＷはサポートテーブルＷＴによって支持される。基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されている場合、基板Ｗは各バール２０のそれぞれの遠位端によって支持される。
[0055] 使用中、流体取扱構造１２は基板Ｗに熱負荷をかける。例えば、流体取扱構造１２の熱負荷は、基板Ｗ及び/又はサポートテーブルＷＴを冷却することができる。
[0056] 図７に示すように、サポートテーブルＷＴは、複数の細長い隆起した突起物４５を含む。細長い隆起した突起物４５はギャップによって離されている。複数の細長い隆起した突起物４５は、バール２０とバール２０との間でベース面２２より上に突出する。バール２０は、細長い隆起した突起物４５以上にベース面から突出する。図７に示す構成では、細長い隆起した突起物４５は、一連の同心円環を形成するように構成される。各円環はセクションに分けられる。各セクションは、細長い隆起した突起物４５に該当する。
[0057] 複数の細長い隆起した突起物４５を提供することにより、細長い隆起した突起物４５が位置決めされたところでは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のガス層の厚さが減少される。これは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱結合を増大させる。細長い隆起した突起物４５の上部は、バール２０の上部より低い。細長い隆起した突起物４５は、基板Ｗと接触していない。そうでない場合、細長い隆起した突起物４５は、基板Ｗの平坦さに影響を与え得る。
[0058] 使用中、基板ＷはサポートテーブルＷＴによって保持される。特に、基板ＷはサポートテーブルＷＴにクランプされてよい。クランプは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域が周囲圧力（すなわち、基板Ｗ及びサポートテーブルＷＴを囲う圧力）と比べて低い圧力にあることによって補助されることができる。サポートテーブルＷＴ及び基板Ｗに取り囲まれた領域は、基板ＷがサポートテーブルＷＴに真空クランプされるようにほぼ真空圧力にあってよい。
[0059] ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、その中に形成された１つ以上の孔を含む。孔は基板Ｗのクランプを容易にする。ガスは、基板Ｗ及びサポートテーブルＷＴに取り囲まれた領域から孔を介して抽出されてよく、それによって基板Ｗのクランプのために領域内の圧力を低下させる。
[0060] 基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱的結合を向上させる細長い隆起した突起物４５は、基板Ｗの下から孔に向かうガスの流れを制限することができる。これはサポートテーブルＷＴ上への基板Ｗのクランプ又はローディングを減速させ得る。これはリソグラフィ装置のスループットを減少させ得る。細長い隆起した突起物４５は、基板Ｗの下の真空（又はほぼ真空）に不均一性を作り出し得る。そのような基板Ｗの下の真空における不均一性は、基板Ｗの平坦さに影響を与え得る。
[0061] 細長い隆起した突起物４５は、（細長い隆起した突起物４５を引き離す）複数のギャップが整列されてベース面のエッジに向かってガス流路８２を形成するように配置される。
[0062] 細長い隆起した突起物４５間のギャップは、ガスを流れやすくする。細長い隆起した突起物４５間のギャップは、基板ＷをサポートテーブルＷＴに真空クランプするために使用される負圧における局所的低下を減少させ得る。
[0063] 図７に示すように、細長い隆起した突起物４５は、リング（熱的リングと呼ぶことができる）を形成するように配置されてよい。熱的リングは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱伝達を高める。増大した熱伝達は、リソグラフィ装置のオーバーレイ性能を改善する。しかし、細長い隆起した突起物４５によって形成された熱的リングは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域におけるガス流のためのバリアとして機能することができる。
[0064] クランプ処理中、基板ＷはサポートテーブルＷＴにまで下げられてよい。基板ＷをサポートテーブルＷＴ上で保持するクランプ力を生成するようにガスが基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域から排気される。特に、基板Ｗが（ベース面の上の）細長い隆起した突起物４５の高さと同程度のバール２０上の距離に下げられた場合、熱的リングはガス流をかなり減少させることができる。
[0065] 図８は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴを示している。サポートテーブルＷＴはリソグラフィ装置用である。サポートテーブルＷＴは、基板Ｗの下面を支持するように構成される。
[0066] サポートテーブルＷＴはベース面２２を含む。ある実施形態では、ベース面２２は、サポートテーブルＷＴ上で支持された基板Ｗの下面と実質的に平行になるように構成される。ある実施形態では、バール２０の遠位端は、平らな向きにおいて基板Ｗを支持する平面に沿って位置決めされる。
[0067] サポートテーブルＷＴは、複数のバール２０を含む。バール２０はベース面２２より上に突出する。複数のバール２０のうちの各バール２０は、それぞれ遠位端を有する。各バール２０は、ベース面２２からの第１高さＨ１を有する。複数のバール２０は、基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されているときに基板Ｗが複数のバール２０のうちの各バール２０のそれぞれの遠位端によって支持されるように配置される。
[0068] バール２０は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間で比較的少ない接触で基板ＷをサポートテーブルＷＴに対して保持するために使用される。例えば、基板Ｗの面積の約１％〜約３％の領域が、サポートテーブルＷＴのバール２０と接触している。接触を少なくすることにより、汚染感度は減少される。
[0069] そのような構成は、サポートテーブルＷＴと接触する基板Ｗの総面積を最小にするか又は減少させるかことができ、よって、基板Ｗの変形という結果となり得る、汚染物質がサポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間で移動する可能性を最小にするか又は減少させ、及び/又は汚染物質が基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間に位置する可能性を最小にするか又は減少させる。
[0070] ある実施形態では、基板Ｗの下にあるバール２０の周りの空間は、負圧源に接続されてよい。したがって、基板Ｗは、基板テーブルＷＴに真空クランプされてよい。
[0071] ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは調整システム２１を含む（例えば、図１４を参照）。調整システム２１は、サポートテーブルＷＴ（すなわち、基板Ｗを支持するサポートテーブルＷＴの一部）に熱を供給及び/又はサポートテーブルＷＴから熱を除去する。サポートテーブルＷＴは、流体取扱構造１２の熱負荷による基板Ｗの変形を減少させるように露光中に基板Ｗを調整することができる。調整システム２１は、サポートテーブルＷＴ自体を調整することができる。ある実施形態では、調整システム２１は、サポートテーブルＷＴの残りの部分に熱を供給及び/又はそこから熱を除去する。サポートテーブルＷＴの調整は、サポートテーブルＷＴの変形を減少させることができる。サポートテーブルＷＴの変形の減少は、基板Ｗの変更の減少という結果となり得る。
[0072] ある実施形態では、調整システム２１は、サポートテーブルＷＴ内にチャネルを備えてよい。調整流体は、チャネルを通って流れるように提供されてよい。ある実施形態では、調整システム２１は、サポートテーブルＷＴに熱を提供できるヒータシステムを含んでよい。ある実施形態では、調整システム２１は、調整システム２１の改善した制御を提供し得るコントローラ５００によって制御することができる。調整システム２１の特徴は、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２０１３/０９４００５号に開示されている。
[0073] 流体取扱構造１２による基板Ｗに対する熱負荷は、基板Ｗを変形し得る。例えば、基板Ｗは縮む。バール２０は、基板Ｗの変形を抑制するために硬い。サポートテーブルＷＴの調整システム２１は、基板Ｗの温度を調整する。
[0074] 基板Ｗ及び/又はサポートテーブルＷＴに作用する局所的な熱負荷の場合、例えば、基板Ｗ内に局所的な温度変化があり得る。これは、結果的に、特に基板Ｗの主要上面及び下面に平行する方向における局所的熱膨張又は熱収縮となる。しかしながら、基板Ｗの熱膨張及び/又は熱収縮は、基板ＷがクランプされるサポートテーブルＷＴによって抵抗され得る。特に、熱膨張及び/又は熱収縮に抵抗する力は、バール２０を介して基板Ｗに加えられてよい。
[0075] 図１４に示すように、基板内の温度変化を減少又は最小にするために、サポートテーブルＷＴに熱を供給及び/又はそこから熱を除去する調整システム２１が設けられてもよい。したがって、基板Ｗ及び/又はサポートテーブルＷＴに対する熱負荷を補償するために熱を供給又は除去することができる。調整システム２１は、サポートテーブルＷＴに対する熱負荷を補償するためにサポートテーブルＷＴに直接熱を提供するか又はそこから直接熱を除去することができる。さらに、調整システム２１は、基板Ｗに対する熱負荷を補償するために、熱がサポートテーブルＷＴから基板Ｗに流れるか又は基板ＷからサポートテーブルＷＴに流れるようにサポートテーブルＷＴに熱を提供するか又はそこから熱を除去することができる。
[0076] ある実施形態では、サポートテーブルＷＴ、調整システム２１又は両方は、使用中、調整システム２１の動作から生じる基板Ｗへの熱伝達又は基板Ｗからの熱伝達が基板Ｗにわたって均一とならないように構成される。
[0077] 特に、ある実施形態では、システムは、基板Ｗの単位面積当たりの基板Ｗへの又は基板Ｗからの熱伝達が、基板Ｗの中心又は中心近くに配置された１つ以上の領域より基板のエッジにおける基板の１つ以上の領域で大きいように構成される。言い換えると、サポートテーブルＷＴ及び/又は調整システム２１は、調整システム２１の効果が、中心領域より基板Ｗのエッジ領域で大きいように構成される。そのようなシステムは、所与の熱負荷に対して、基板Ｗのエッジ領域における基板Ｗの温度変化は、その中心領域における基板Ｗの温度変化より小さくなり得るように構成されてよい。これは、所与の局所的温度変化に対する基板Ｗにわたる熱膨張及び/又は熱収縮のあらゆる変化を補償することができる。したがって、基板Ｗにわたる基板の結果として生じる膨張及び/又は収縮の変化を減少又は最小にすることができる。
[0078] しかしながら、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の限られた接触領域により、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱結合は比較的低い。低い熱結合は、サポートテーブルＷＴの温度変化と比較して大きい温度変化を基板に対して引き起こし得るが、これは望ましくない。特に、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の少ない接触領域は、基板Ｗの温度をサポートテーブルＷＴの調整システム２１が調整できる範囲を制限する。
汚染感度を高めてしまうため、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の接触の量を増やすことが望ましくない。
[0079] 図８に示すように、ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは複数の細長い隆起した突起物４５を含む。細長い隆起した突起物４５は、ベース面２２より上に突出する。各細長い隆起した突起物は、ベース面２２からの第２高さＨ２を有する。第２高さＨ２は第１高さＨ１より低い。基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されている場合、基板Ｗは細長い隆起した突起物４５によって支持されない。基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されている場合、基板Ｗは細長い隆起した突起物４５とは間隔が空いている。基板ＷがサポートテーブルＷＴによって支持されている場合、基板Ｗは細長い隆起した突起物４５と接触しない。
[0080] ある実施形態では、ベース面２２は複数の領域を含む。各領域内において、いくつかの細長い隆起した突起物４５が配置される。各領域内に配置される全ての細長い隆起した突起物４５は、それらが互いに対して実質的に平行であるように実質的に同じ延長方向を有する。したがって、細長い隆起した突起物４５に対して実質的に平行なガス流路８２が細長い隆起した突起物４５間に形成される。
[0081] 例えば、図８に示す構成において、ベース面２２は８つの領域を含む。隣接領域間の境界は、細長い隆起した突起物４５の延長方向の変更によって定められる。図８に示す構成では、各領域内に配置された全ての細長い隆起した突起物４５は、互いに平行になるように同じ延長方向を有する。したがって、細長い隆起した突起物４５に平行するガス流路８２は、細長い隆起した突起物４５と細長い隆起した突起物４５との間に形成される。これは、ガス流路８２が細長い隆起した突起物４５と垂直である図７に示す構成とは異なる。
[0082] 図８に示す構成では細長い隆起した突起物４５は平行であるが、これは必須ではない。例えば、ある実施形態では、各領域内に配置された細長い隆起した突起物４５は互いに実質的に平行であり、互いから１０°以上ずれない延長方向を有する。延長方向が互いに１０°以上ずれないようにすることにより、各領域内のガス流路８２は実質的に平行する側面を有し、それによってガス流路８２に沿うガス流を改善する。
[0083] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、ベース表面２２のエッジに向かう少なくとも１つのガス流路８２を細長い隆起した突起物４５と細長い隆起した突起物４５との間に形成するようにベース面２２のエッジに向かって誘導される。ベース面２２のエッジは、サポートテーブルＷＴのエッジにある。例えば、図８に示すように平面図で示した場合、ベース面２２のエッジは円形のサポートテーブルＷＴのエッジである。
[0084] 細長い隆起した突起物４５は、ベース面２２のエッジに向かって誘導される。細長い隆起した突起物４５は、延長方向を有する。細長い隆起した突起物４５の延長方向は、放射状の部品を有する。これは、図７に示すサポートテーブルＷＴの細長い隆起した突起物４５とは異なる。図７に示すサポートテーブルＷＴでは、細長い隆起した突起物４５は、ベース面２２のエッジに向かって誘導されない。細長い隆起した突起物４５は、方位角又は接線方向（すなわち、放射状ではない方向）に誘導されない。細長い隆起した突起物４５の延長方向は、放射状の部品を有さない。細長い隆起した突起物４５の延長方向は、方位角又は接線方向である。
[0085] 図８に示すように、細長い隆起した突起物４５間には少なくとも１つのガス流路８２が形成される。ガス流路８２は、細長い隆起した突起物４５に対して実質的に平行である。ある実施形態では、ガス流路８２はベース面２２のエッジに向かって誘導される。
[0086] クランプ処理中、取り付けピン（図示せず）は、サポートテーブルＷＴの上で基板Ｗを支持する。ある実施形態では、取り付けピンはコントローラ５００によって制御される。基板Ｗは、サポートテーブルＷＴに向かって下げられる。サポートテーブルＷＴからの基板Ｗの基板高さＨは、基板Ｗの下面からバール２０の遠位端までの距離である。基板ＷをサポートテーブルＷＴにクランプするために、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域からガスが排気される。ガスの排気時間は、目標のクランプ力を提供するために基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域が目標の圧力に到達するためにかかる時間である。基板高さＨが（細長い隆起した突起物４５の）第２高さＨ２と同等又はそれより低い場合のガスの排気時間は、一般的に、基板ローディングプロセスの総時間の約三分の二に及び得る。ガスの排気時間のあらゆる減少は、基板ローディングプロセスの総時間を減少させることができる。
[0087] 第１近似として、ガス排気時間は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域から排気するガスの体積フラックスに対して反比例し得る。図７に示す細長い隆起した突起物４５によって形成される熱的リングは、排気中のガスの体積フラックスを減少させ、それによってガス排気時間を増大させる。細長い隆起した突起物４５の効果は、基板高さＨが第２高さＨ２と同等又はそれより低い場合にガス流に対して特に著しくなり得る。基板Ｗより下の領域からガスを排気するプロセスは、基板Ｗがバール２０と接触する前に開始する。基板ＷがサポートテーブルＷＴにクランプされた場合、基板高さＨはゼロである。
[0088] 以下の説明においては、体積フラックスは、サポートテーブルＷＴの単位円周当たりの量である。図７に示すサポートテーブルＷＴ及び本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴに対しては、排気ガスの体積フラックスを２つの部として考えることができる。排気ガスの体積フラックスの１つの部分は、ガス流路８２に沿うガス流に対応する。この部分をガス流路体積フラックスＱ８２と呼ぶことができる。ガス流路体積フラックスＱ８２は、以下のように（バール２０の）第１高さＨ２及び基板高さＨに関連する。
Ｑ８２〜（Ｈ＋Ｈ１）３
[0089] 言葉で表すと、ガス流路体積フラックスＱ８２は、基板高さＨ及び第１高さＨ１の合計の３乗におよそ比例する。
[0090] 体積フラックスの他方の部分は、細長い隆起した突起物４５の上のガス流に対応する。この部分を突起物体積フラックスＱ４５と呼ぶことができる。突起物体積フラックスＱ４５は基板高さＨに関連し、（バール２０の）第１高さＨ１及び（細長い隆起した突起物４５の）第２高さＨ２は以下のとおりである。
Ｑ４５〜（Ｈ＋Ｈ１−Ｈ２）３
[0091] 言葉で表すと、突起物体積フラックスＱ４５は、第１高さＨ１と第２高さＨ２との差及び基板高さＨの合計の３乗におよそ比例する。
[0092] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５の第２高さＨ２は、第１高さＨ２と第２高さＨ２との間の差より大きい。ある実施形態では、第２高さＨ２は、第１高さＨ１の少なくとも９０％である。ガス排気プロセスの一部に対して、基板高さＨは、細長い隆起した突起物４５の第２高さＨ２と同程度であってよい。
[0093] 基板高さＨが第１高さＨ２と第２高さＨ２との差よりかなり大きい（すなわち、Ｈ＞＞Ｈ１−Ｈ２）という近似を行うことにより、突起物体積フラックスＱ４５は、基板高さＨの３乗におよそ比例する（すなわち、Ｑ４５〜Ｈ３）。基板高さＨと第２高さＨ２が同等であるとさらに近似すると、ガス流路体積フラックスＱ８２は、基板高さＨの２倍の３乗におよそ比例する（すなわち、Ｑ４５〜（２Ｈ）３、つまり、Ｑ４５〜８Ｈ３）。
[0094] 上記の近似によると、ガス流路体積フラックスＱ８２は、サポートテーブルＷＴの単位円周当たりの突起物体積フラックスＱ４５より約８倍大きくてよい。
[0095] 細長い隆起した突起物４５は、排気ガスの体積フラックスをかなり減少させ、それにより、排気時間、よってローディング時間をかなり増大させる。ガスの排気中、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域は、負圧に接続される。ガスを十分に速く排気できない場合、圧力が増大して基板Ｗの形状を変形させ得る。圧力は基板Ｗを変形させ、それによって基板Ｗの表面が平らではなくなり得る。例えば、基板Ｗは、ソンブレロと同様の形状を有するように変形され得る。変形した基板Ｗは望ましくなく、リソグラフィ装置の適切な機能を妨げ得る。
[0096] 基板変形問題を回避するために負圧の大きさを減少させてよいが、これは、基板ローディング時間を増大させ、リソグラフィ装置のスループットを減少させる。
[0097] 本発明のある実施形態によると、ガス流路８２が細長い隆起した突起物４５に実質的に平行であるとすると、ガス流路８２に対応するサポートテーブルＷＴの面積の割合が増加する。これは、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱結合に影響を及ぼす、細長い隆起した突起物４５の総面積の減少を伴うことなく達成される。細長い隆起した突起物４５は、基板Ｗとの熱伝導に対して熱的に重要である。
[0098] ガス流路８２が細長い隆起した突起物４５に実質的に平行であるとすると、ガス流路８２で覆われたサポートテーブルＷＴの円周の割合は増大される。ガス流路８２で覆われた円周の割合を増大させることにより、基板変形の可能性を必要以上に増やすことなくガス排気時間を減らすことができる。これは、基板ローディング時間を減少させることによってリソグラフィ装置のスループットを改善する。
[0099] 本発明において、ガス流路８２に相当するベース表面２２の割合は、図７に示すサポートテーブルＷＴと比較して高い。これは、例えば、図７と図８との比較から分かる。排気ガスの体積フラックスは、ガス流路８２で覆われたベース面２２の割合とほぼ線形に増大し得る。近似によると、ガス流路８２で覆われたベース面２２の割合は、図７に示す熱的リング設計と比較して約５〜１０の倍数で増加され得る。排気ガスの総体積フラックスは、本発明において約５〜１０の倍数で増加され得る。特に基板高さＨが第２高さＨ２と同等である場合のガスの排気時間は、かなり減少され得る。これは、基板ローディング時間を減少させる。
[00100] 各細長い隆起した突起物４５は軸方向を定める。軸方向は、細長い隆起した突起物４５の全体的な延長方向に該当する。図８に示すように、ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、実質的に直線であってよい。
[00101] 図９は、本発明のある実施形態によるテーブルＷＴを示している。ある実施形態では、各細長い隆起した突起物４５は、バール２０とバール２０との間に位置決めされるようにジグザグ状を有するように配置される。バール２０とバール２０との間に位置決めされるということは、細長い隆起した突起物４５の上にバール２０は位置決めされないことを意味する。
[00102] 図１０は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴを示している。ある実施形態では、少なくとも１つの細長い隆起した突起物４５は、バール２０とバール２０との間に位置決めされるように軸方向の蛇行形状を有するように配置される。例えば、少なくとも１つの細長い隆起した突起物４５は、平面図で見たときに正弦波の形を有してよい。
[00103] ある実施形態では、少なくとも１つの細長い隆起した突起物４５はジグザグ形状を有し、少なくとも１つの細長い隆起した突起物４５は、軸方向の蛇行形状を有してよい。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５の一部は角状（例えば、ジグザグ）であり、同じ細長い隆起した突起物４５の別の部分は、例えば、蛇行形状又は直線であってよい。
[00104] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、バール２０とバール２０との間に位置決めされるが、必ずしもこの限りではない。例えば、図１１に示すように、いくつかのバール２０は、細長い隆起した突起物４５の上に配置されてよい。バール２０の遠位端は、バール２０が細長い隆起した突起物４５の上に位置決めされているか否かに関わらず、ベース面２２より上に第１高さＨ１突出する。例えば、細長い隆起した突起物４５の第２高さＨ２がバール２０の第１高さＨ１の９５％であった場合、細長い隆起した突起物４５上に位置決めされた任意のバール２０は、細長い隆起した突起物４５より上にさらに５％突出する。
[00105] 各細長い隆起した突起物４５は、延長軸Ｘ４５を有する。軸は、軸方向、すなわち、細長い隆起した突起物４５の延長方向に対応する。図１２には、細長い隆起した突起物４５の延長軸Ｘ４５が示されている。図１２は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴの一部を示している。サポートテーブルＷＴの一部分が示されている。図１２は、サポートテーブルＷＴのベース面２２の中心１００及び細長い隆起した突起物４５の中心９１を示している。半径Ｒは、ベース面２２の中心１００から延び、細長い隆起した突起物４５の中心９１を通過する。
[00106] ある実施形態では、少なくとも１つの、かつ任意的には各々の細長い隆起した突起物４５は、細長い隆起した突起物４５の中心９１を通るベース面２２の半径Ｒから約２５°以上ずれない延長軸Ｘ４５を有する。細長い隆起した突起物４５の延長軸Ｘ４５と細長い隆起した突起物４５の中心を通るベース面２２の半径Ｒとの間で定義された角度θは、約２５°以下である。細長い隆起した突起物４５の延長軸Ｘ４５と半径Ｒとの間に約２５°の最大角度偏差を提供することにより、排気時間を確実に減少することができる。角度偏差θを減少させることにより、ガス排気時間を減少させることができる。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５の軸は、細長い隆起した突起物４５の中心９１を通るベース面２２の半径Ｒから約２０°以上、任意選択として約１５°以上ずれない。
[00107] 細長い隆起した突起物４５によって形成されたパターンは、特に限定されていない。図８では、細長い隆起した突起物４５は、同じ基準フレーム（例えば、サポートテーブルＷＴの半径）に対して０度、４５度、９０度、１３５度、１８０度、２２５度、２７０度及び３１５度に沿って方向付けられる。限定された数の配向方向を有することにより、サポートテーブルＷＴを製造しやすくなるが、他の配向方向も可能である。より単純なパターンは、サポートテーブルＷＴを製造しやすくするという利点を有する。
[00108] ある実施形態では、各細長い隆起した突起物４５は、動径成分(radial component)及び接線成分を含む延長方向を有する。動径成分の大きさは、接線成分の大きさより大きい。
[00109] ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、ベース面２２の中心から距離を置いてサポートテーブルＷＴ内に形成された複数の孔８９を含む。孔８９は、ガス排気のために基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域を負圧へと連絡させる。
[00110] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５の外側セットは、孔８９の半径方向外側の外側領域２４（図１４を参照）に位置決めされる。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５の内側セットは、孔８９の半径方向内側の内側領域２５（図１４を参照）内に位置決めされる。方位角（例えば、実質的に環状の）ガス流路８３は、ベース面２２の中心１００から離れて形成されてよい。そのような構成を図８〜図１１の各々に示している。
[00111] 方位角ガス流路８３を提供することにより、ガスは、ガス排気中に孔８９と孔８９との間により簡単に流れることができる。一部のガス流路８２は、孔８９のうちの１つの線上にある。この場合、ガスは、ガス流路８２に沿って孔８９に直接流れることができる。しかしながら、他のガス流路８２は、孔８９の直接的な線上にない。この場合、方位角ガス流路８３は、ガスが孔８９に流れるように役立つことができる。
[00112] ある実施形態では、少なくとも１つのガス流路８２は、ベース面２２の中心１００に対して実質的に放射状であるが、必ずしもこの限りではない。図８に示すように、例えば、一部のガス流路８２は、ベース面２２の中心１００の線上にないため放射状ではない。しかしながら、ガス流路をベース面２２のエッジに向かって誘導させると、ガス流路８２は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域からガスを排気することに役立つ。
[00113] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、ガスが基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域から排気されたときに流れ方向に沿って誘導される。
[00114] 図１５及び図１６に示すように、ある実施形態では、少なくとも１つのガス流路８２のフロア８４は、少なくとも１つのガス流路８２がベース面２２に溝を形成するようにベース面２２より低い。図１５は、図８からのラインＸ−Ｘに沿ったサポートテーブルＷＴの断面を示している。図１６は、図８からのラインＹ−Ｙに沿ったサポートテーブルＷＴの断面を示している。より深い溝は、ガス流に対してより多くの空間及びより少ない制限を与える。ガス流を増加させることができ、それによって基板Ｗのクランプを改善する。
[00115] ある実施形態では、直線のガス流路８２のフロア８４は、ベース面２２と実質的に同じレベルにある。直線のガス流路８２及びベース面２２を実質的に同じレベルに提供することにより、サポートテーブルＷＴを製造しやすくする。
[00116] ある実施形態では、ガス流路８２のフロア８４の全ては、ベース面２２から下方に実質的に同じ距離離れているか又はベース面２２と同じレベルにある。
[00117] ガス流路８２を提供することにより、基板Ｗより下のガス流は増加される。基板Ｗのローディング中、ガスは孔８９を通って抽出される。ガス流路８２内のガス流路の速度は、サポートテーブルＷＴの他の領域内のガス流と比較して大きい。
[00118] ある実施形態では、各ガス流路８２は、実質的に直線を形成するが、ある実施形態では、ガス流路は屈曲又は湾曲していてもよい。例えば、屈曲したガス流路の一部は、半径方向に延在していてよい。屈曲したガス流路の別の部分は、半径方向に対して傾斜していてよい。別の例としては、湾曲したガス流路は、図９又は図１０に示すものと同様の形状を有してもよい。
[00119] ある実施形態では、各細長い突起物４５は、バール２０間の平均ピッチの少なくとも１０倍である長さＬ４５を有する。細長い隆起した突起物４５の長さＬ４５は、軸に沿って、すなわち、細長い隆起した突起物４５の全体の延長方向に沿って測定される。各細長い突起物４５がバール２０間の平均ピッチの少なくとも１０倍である長さＬ４５を有すると、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱伝導率を上げるために必要となる突起物４５の数が減少する。これによって、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間に所与のレベルの熱伝導率を有するサポートテーブルＷＴを製造しやすくする。
[00120] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、サポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝導率を上げるように構成される。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域からのガスの放射状の排気の速度を上げる。
[00121] 様々の異なるバールパターンを本発明と組み合わせて用いることができる。異なった形の細長い隆起した突起物４５を採用してもよい。ある実施形態では、ガス流路８２は、ベース面２２の中心とベース面２２のエッジとの間に遮るもののない流線を提供する。
[00122] ある実施形態では、孔８９は、少なくとも１つのガス流路８２内に配置される。孔８９はガス流路８２の線上にあってもよい。ある実施形態では、ガス流路８２は、孔８９からサポートテーブルＷＴのエッジに向かって孔８９から半径方向外側に延在してよい。ある実施形態では、各孔８９は、対応するガス流路８２の一端に配置される。ある実施形態では、各孔８９は、対応するガス流路８２の半径方向内側の端に配置される。そのような直線のガス流路８２は、孔８９に接続された負圧が最も大きい影響を受け得る、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域内のガス流を増加させるという利点を有する。ガス流路８２は、ガス流が大きく増大されることによって基板Ｗのクランプの速度が上がるように孔８９に直接繋がるチャネルである。
[00123] ある実施形態では、１つ以上のバール２０は、少なくとも１つのガス流路８２のフロア８４から突出する。これは、例えば、図１５に示されている。バール２０をガス流路８２内に設けることにより、サポートテーブルＷＴによって支持される基板Ｗの平坦度は上がる。バール２０をガス流路８２内に設けることにより、基板Ｗを支持するバール２０とバール２０との間の最大距離は減少され、それによって基板Ｗがバール２０間で垂れ下がるか又は湾曲する可能性を減少させる。
[00124] 図１３は、本発明のある実施形態によるサポートテーブルＷＴの一部の平面における拡大図を示している。ある実施形態では、１つ以上のバール２０は階段状バールであり、すなわち、ベース面２２に垂直な面に階段状のプロファイルの断面を有する。階段状のプロファイルは、第１高さＨ１及び基板Ｗの下面を支持するようにそれぞれの遠位端を有する第１部４１を有する。階段状のプロファイルは、第１部４１を囲う第２部４２をさらに有する。第２部４２は、少なくとも１つのガス流路８２のフロア８４から突出する。少なくとも１つのガス流路のフロア８４は、ベース面２２と同じレベルであってよく、又はベース面２２に対して下げられてよい。第２部はベース面２２からの第３高さＨ３を有する。第３高さＨ３は、ベース面２２より上にある第２部４２の上部の高さである。第３高さＨ３は第１高さＨ１より低い。十分に大きいとすると、第２部４２は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の熱結合を増加させる。ある実施形態では、第２高さＨ２は、熱結合を向上させるために第２部４２の上面が細長い隆起した突起物４５の上面と実質的に平行であるように、第３高さＨ３と実質的に等しい。これは、サポートテーブルＷＴを製造しやすくするという利点を有する。
[00125] 階段状プロファイルを有するバール２０は、基板Ｗの下面と接触するように配置された第１部４１を有し、これは階段状ではないバール２０に対応し得る。階段状プロファイルを有するバール２０は、基板Ｗの下面と接触しない第２部４２をさらに含む。したがって、各第２部４２は、サポートテーブルＷＴと基板Ｗの下面との間の離隔距離が減少されるが基板Ｗと接触する基板Ｗの下面の単位面積当たりのバール２０の総面積に影響を与えない領域を提供する。
[00126] 第２部４２は、第１部４１を囲ってよい。第２部４２のサイズは全てのバール２０に対して同じである必要はない。したがって、例えば、第２部４２の幅及び/又は高さは、サポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝達に対する抵抗が基板Ｗのエッジに向かって減少するようにベース面２２の中心１００からの距離に伴い増大し得る。基板Ｗの温度変化の望ましくない影響は、基板Ｗのエッジにおいてより大きくなり得る。しかしながら、基板Ｗのエッジに向かうサポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝達に対する抵抗の減少は、基板Ｗのエッジにより良い調整を適用させる。基板Ｗのエッジにおけるより良い調整は、中心にあるものに対して基板Ｗのエッジにおける温度変化をさらに減少させ、それによって基板Ｗのエッジにおける温度変化のより大きな影響を補償する。
[00127] バール２０は階段状プロファイルを有する必要はない。第２部４２を省くことにより、ガス流路８２内の空間を増大させる。ガス流路８２内の増大した空間は、ガス流路８２を通るガス流の増加の効果を有し得る。
[00128] ある実施形態では、サポートテーブルＷＴは、ベース面２２の中心からある距離をおいた複数の孔８９を含む。サポートテーブルＷＴは、基板Ｗのクランプを容易にする孔８９のアレイを有する半径を有してよい。しかしながら、孔８９のアレイが存在する必要はない。ある実施形態では、孔８９が１つのみである場合がある。ある実施形態では、ベース面２２の中心から異なる距離において複数の孔８９があってよい。
[00129] ベース面２２に対してガス流路８２のフロア８４を下げることはガス流をさらに改善し、それによって基板Ｗのクランプ及びリソグラフィ装置のスループットの速度をさらに上げる。ある実施形態では、バール２０は、少なくとも１つのガス流路８２がベース面２２内に溝を形成するようにベース面２２より上に突出するので、フロア８４は少なくともベース面２２よりかなり低い。この場合、基板Ｗとガス流路８２のベース面２２との間の距離は、基板Ｗの下面とベース面２２との間の距離の少なくとも２倍である。これは、ベース面２２のエッジからベース面２２の中心までの速いガス移動を容易にする。
[00130] サポートテーブルＷＴのさらなる任意の特徴は、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２０１３/０９４００５号明細書に開示されている。
[00131] ある実施形態では、少なくとも１つの細長い隆起した突起物４５は、細長い隆起した突起物４５の上面とサポートテーブルＷＴによって支持された基板Ｗの下面との間の離隔距離が１０μｍ以下であるように構成されてよい。このような実施形態では、基板Ｗの下面からのベース面２２の離隔距離は１５０μｍであってよい。あるいは、ベース面２２と基板Ｗの下面との間の離隔距離は、さらに大きくてもよく、例えば４００μｍ以上であってよい。複数の細長い隆起した突起物４５を有する実施形態では、基板Ｗの下面の面積の約５０％は、細長い隆起した突起物４５のすぐ上にあってよい。したがって、サポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝導率を高めることができる。特に、熱伝達を約２〜３倍増やし、他の全ての係数は一定であってよい。ある実施形態では、平面図におけるサポートテーブルＷＴの面積の少なくとも約１０％、又は任意選択として約２０％は、細長い隆起した突起物４５によって形成される。平面図におけるサポートテーブルＷＴの面積の少なくとも約１０％、又は任意選択として約２０％が細長い隆起した突起物４５によって形成されると、細長い隆起した突起物４５は、サポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝導率をかなり高める。ある実施形態では、平面図におけるサポートテーブルＷＴの面積の少なくとも約３０％、又は任意選択として約４０％は、細長い隆起した突起物４５によって形成される。平面図におけるサポートテーブルＷＴの面積の少なくとも約３０％、又は任意選択として約４０％が細長い隆起した突起物４５によって形成されると、細長い隆起した突起物４５は、サポートテーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝導率をより一層高める。ある実施形態では、平面図におけるサポートテーブルＷＴの面積の最大限の約５０％は、細長い隆起した突起物４５によって形成される。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５によって形成される平面図におけるサポートテーブルＷＴの面積の割合は、約１０％〜約５０％の範囲、約２０％〜約５０％の範囲、又は約３０％〜約５０％の範囲内にある。
[00132] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、バール２０の幅より大きい幅（平面から見たとき）を有する。細長い隆起した突起物４５がバール２０より幅広いと、細長い隆起した突起物４５は、基板Ｗへの熱伝導率をかなり増大させる領域を提供する。
[00133] ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、サポートテーブルＷＴの主要部と同じ材料から作られる。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、細長い隆起した突起物４５を介して基板Ｗへの熱伝導率を高めるように選択された材料から成る。ある実施形態では、細長い隆起した突起物４５は、セラミック、シリコン処理した炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）又は高い伝導性を有するグラファイトなどの材料から成る。
[00134] 当然のことながら、上記に記載のあらゆる特徴は他のあらゆる特徴と用いることができ、明確に記載されたその組み合わせのみが本出願に含まれるわけではない。例えば、本発明のある実施形態を図２〜図４の実施形態に適用することができる。さらに、本明細書中における加熱又はヒータに関する考察は、冷却又はクーラをそれぞれ包含すると理解されるべきである。
[00135] さらに、本発明の実施形態は、便宜上のため、液浸リソグラフィ装置の関連で上述のとおり言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、任意の型のリソグラフィ装置と組み合わせて使われてもよい。
[00136] 当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[00137] 本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折及び反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
[00138] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置のためのサポートテーブルであって、前記サポートテーブルは基板の下面を支持するように構成され、前記サポートテーブルは、
    前記サポートテーブル上で支持された前記基板の前記下面と実質的に平行であるように構成されたベース面と、
    前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、それぞれ遠位端及び前記ベース面からの第１高さを有し、前記複数のバールは、前記基板が前記サポートテーブルによって支持されているときに前記基板は前記複数のバールの各々の前記ぞれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、
    前記ベース面より上に突出する複数の細長い隆起した突起物であって、各細長い隆起した突起物は、前記ベース面からの第２高さを有し、前記第２高さは前記第１高さより低く、前記各細長い隆起した突起物は、バールとバールとの間に位置決めされるようにジグザグ状又は蛇行形状を有するように配置される、複数の細長い隆起した突起物とを備え、
    前記ベース面は複数の領域を含み、各領域内には、いくつかの前記細長い隆起した突起物が配置され、各領域内に配置された全ての前記細長い隆起した突起物は、互いに対して実質的に平行になるように実質的に同じ延長方向を有し、それによって前記細長い隆起した突起物と前記細長い隆起した突起物との間に前記細長い隆起した突起物と実質的に平行な少なくとも１つのガス流路を形成する、サポートテーブル。
  2. 平面図における前記サポートテーブルの面積の少なくとも約２０％は、前記細長い隆起した突起物によって形成される、請求項１に記載のサポートテーブル。
  3. 前記各細長い隆起した突起物に対して、前記細長い隆起した突起物の延長軸と前記細長い隆起した突起物の中心を通る前記ベース面の半径との間に定められた角度は約２５°以下である、請求項１又は２に記載のサポートテーブル。
  4. 前記各細長い隆起した突起物は、前記バールと前記バールとの間の平均ピッチの少なくとも１０倍の長さを有する、請求項１、２又は３に記載のサポートテーブル。
  5. 前記サポートテーブルは、その中に形成された複数の孔を含み、前記複数の孔は前記ベース面の中心から距離を置いて配置され、前記細長い隆起した突起物の外側セットは前記孔の半径方向外側の外側領域に位置決めされ、前記細長い隆起した突起物の内側セットは前記孔の半径方向内側の内側領域に位置決めされ、それによって前記ベース面の中心から距離を置いて方位角ガス流路を形成する、請求項１〜４のいずれかに記載のサポートテーブル。
  6. 前記少なくとも１つのガス流路は、前記ベース面の中心に対して実質的に放射状である、請求項１〜５のいずれかに記載のサポートテーブル。
  7. 前記少なくとも１つのガス流路のフロアは、前記少なくとも１つのガス流路が前記ベース面内に溝を形成するように前記ベース面より低い、請求項１〜６のいずれかに記載のサポートテーブル。
  8. 前記第２高さは前記第１高さの少なくとも９０％である、請求項１〜７のいずれかに記載のサポートテーブル。
  9. １つ以上のバールは、前記ベース面と垂直の平面において階段状プロファイルの断面を有し、前記階段状プロファイルは、前記第１高さ及び前記基板の前記下面を支持するようにそれぞれの遠位端を有する第１部と、前記第1部を囲いかつ前記少なくとも１つのガス流路のフロアから突出する第２部とを有し、前記第２部は、前記第１高さより低い前記ベース面からの第３高さを有する、請求項１〜８のいずれかに記載のサポートテーブル。
  10. 前記サポートテーブルに熱を供給し及び/又は前記サポートテーブルから熱を除去するように構成された調整システムをさらに備える、請求項１〜９のいずれかに記載のサポートテーブル。
  11. 前記細長い隆起した突起物は、前記サポートテーブルと前記基板との間の熱伝導率を上げるように構成される、請求項１〜１０のいずれかに記載のサポートテーブル。
  12. 前記各細長い隆起した突起物は、動径成分及び接線成分を含む延長方向を有し、前記動径成分の大きさは、前記接線成分の大きさより大きい、請求項１〜１１のいずれかに記載のサポートテーブル。
  13. 各領域内に配置された前記細長い隆起した突起物は、互いに１０°以上ずれない延長方向を有する、請求項１〜１２のいずれかに記載のサポートテーブル。
  14. 請求項１〜１３のいずれかに記載のサポートテーブルを備える、リソグラフィ装置。
  15. パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ装置は、基板の下面を支持するように構成されたサポートテーブルを含み、前記サポートテーブルは、
    前記サポートテーブル上で支持された前記基板の前記下面と実質的に平行であるように構成されたベース面と、
    前記ベース面より上に突出する複数のバールであって、前記複数のバールの各々は、それぞれ遠位端及び前記ベース面からの第１高さを有し、前記複数のバールは、前記基板が前記サポートテーブルによって支持されているときに前記基板は前記複数のバールの各々の前記ぞれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、
    前記ベース面より上に突出する複数の細長い隆起した突起物であって、各細長い隆起した突起物は、前記ベース面からの第２高さを有し、前記第２高さは前記第１高さより低く、前記各細長い隆起した突起物は、バールとバールとの間に位置決めされるようにジグザグ状又は蛇行形状を有するように配置される、複数の細長い隆起した突起物とを備え、
    前記ベース面は複数の領域を含み、各領域内には、いくつかの前記細長い隆起した突起物が配置され、各領域内に配置された全ての前記細長い隆起した突起物は、互いに対して実質的に平行になるように実質的に同じ延長方向を有し、それによって前記細長い隆起した突起物と前記細長い隆起した突起物との間に前記細長い隆起した突起物と実質的に平行な少なくとも１つのガス流路を形成する、デバイス製造方法。
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