TWI459151B - 微影裝置及在二相流動中量測流動速率的方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及在二相流動中量測流動速率的方法
本發明係關於一種微影裝置及一種在二相流動中量測流動速率之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸沒微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。
在曝光浸沒微影裝置中之基板之後，將基板台遠離於其曝光位置而移動至基板可被移除且藉由不同基板替換之位置。此情形被稱作基板調換(substrate swap)。在雙載物台微影裝置中，可在投影系統下方進行基板台調換。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，特別為濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)為一種形式之浸沒系統配置。該配置要求應在掃描曝光期間加速大液體本體。此情形可能需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
所提議之另一配置係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。此類型之配置可被稱作局域化浸沒系統配置。
PCT專利申請公開案WO 2005/064405揭示被稱作全濕潤配置的另一類型之浸沒系統配置，其中浸沒液體係未受限制的。在此系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形可具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板W，且經配置以使浸沒液體延伸於該部件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。
在浸沒裝置中，藉由流體處置系統、結構或裝置來處置浸沒流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸沒流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸沒流體之障壁且藉此為障壁部件(諸如流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可產生或使用氣體流動，例如，以有助於控制浸沒流體之流動及/或位置。氣體流動可形成用以限制浸沒流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在該情況下，流體處置系統可為液體處置系統。流體處置系統位於投影系統與基板台之間。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
在流體處置系統或液體限制結構中，液體受限制至空間(亦即，在浸沒空間中)。舉例而言，在限制結構內，藉由該結構之本體、投影系統之表面及下伏表面(例如，基板台、被支撐於基板台上之基板、擋板部件及/或量測台)來限制液體。在局域化區域浸沒系統之情況下，亦藉由流體處置系統或液體限制結構與下伏結構之間的液體彎液面而將液體限制於浸沒空間中。在全濕潤系統之情況下，允許液體離開浸沒空間而流動至基板及/或基板台之頂部表面上。
浸沒微影裝置通常包含一或多個管道，在該一或多個管道中具有二相流動。舉例而言，在同時地或相繼地通過開口移除氣體及液體時發生二相流動。一實例為提取器，其用以控制彎液面(例如，液體限制結構與基板之間的液體彎液面)之位置。為了正確地操作該裝置以防護該裝置免於液泛(出於診斷原因，等等)，需要偵測/量測二相流動。藉由壓力感測器來偵測二相流動係困難的，因為經量測壓力取決於二相流動中之確切氣體-液體比率(例如，氣體對液體比率及/或液體對氣體比率)。壓力感測器之使用不會得到關於氣體-液體比率之資訊。
因此，需要(例如)提供一種用以在二相流動中偵測流動之系統。需要提供一種用以在二相流動中偵測氣體-液體比率之系統。
在一態樣中，提供一種微影裝置，其包含：一管道，其用於使二相流動通過；一流動分離器，其經組態以將該二相流動分離成一氣體流動及一液體流動；及一流量計，其經組態以在該氣體流動及/或該液體流動中量測流體流動速率。
在一態樣中，提供一種在二相流動中量測一流動速率之方法，其包含：將二相流動分離成一氣體流動及一液體流動；及使用一流量計以在該氣體流動及/或該液體流動中量測流體流動速率。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統。投影系統之類型可包括：折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。投影系統之選擇或組合係適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，該輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，該輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS。投影系統PS將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
用以在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體的配置為所謂的局域化浸沒系統IH。在此系統中，使用流體處置結構，其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在該區域下方移動。圖2至圖5中說明四種不同類型之流體處置結構。
如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)。液體在通過投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口而被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口而被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口之各種定向及數目均係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。在液體供應器件及液體回收器件中之箭頭指示液體流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口而被供應，且藉由自該等入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口而被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口而被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制部件之液體供應系統，液體限制部件沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。
圖5示意性地描繪具有流體處置結構12之局域化液體供應系統。流體處置結構12沿著投影系統PS之最終元件與對向表面(其理想地為實質上平坦表面(例如，基板台WT及/或基板W))之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面)。流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間，且可為諸如流體密封件(理想地，氣體密封件)之無接觸密封件。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的浸沒空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場在流體處置結構12之下表面40中形成對基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)，使得液體受限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。理想地，下表面40係實質上平行於對向表面。浸沒空間11係藉由在投影系統PS之最終元件下方及環繞投影系統PS之最終元件所定位的流體處置結構12至少部分地形成。液體係藉由液體入口13被帶入投影系統PS下方及流體處置結構12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，藉由下表面40之邊緣20界定的內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。下表面40具有外部邊緣45或緣邊。
氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，藉由N2 或另一惰性氣體形成氣體密封件16。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至液體限制結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被提取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流動。氣體對在流體處置結構12與基板W之間的液體的力使在浸沒空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣體流動對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
圖6說明為液體供應系統之部分之液體限制結構12的實施例。液體限制結構12圍繞投影系統PS之最終元件的周邊(例如，圓周)延伸。
界定空間11之表面中的複數個開口20將液體提供至空間11。液體在進入空間11之前分別傳遞通過側壁28中之開口29及側壁22中之開口20。
密封件提供於液體限制結構12之底部與基板W之間。在圖6中，密封器件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件組成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供(選用的)流動控制板50，流動控制板50延伸至空間11中。開口180可自面對基板W或基板台WT的液體限制結構12之底部表面上的流動控制板50徑向地向外。開口180可在朝向基板W之方向上提供液體。在成像期間，此可有用於藉由以液體來填充基板W與基板台WT之間的間隙而防止浸沒液體中之氣泡形成。
用以自液體限制結構12與基板W及/或基板台WT之間提取液體之提取器總成70可自開口180徑向地向外。提取器總成70可作為單相提取器或作為雙相提取器進行操作。
凹座80可自提取器總成70徑向地向外。凹座80係經由入口82而連接至氛圍。凹座80係經由出口84而連接至低壓力源。氣體刀90可自凹座80徑向地向外。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示提取器總成、凹座及氣體刀之配置。
提取器總成70包含液體移除器件或提取器或入口，諸如全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示的提取器總成。在一實施例中，液體移除器件70包含被覆蓋於多孔材料110中之入口，多孔材料110係用以將液體與氣體分離以實現單液相液體提取。選擇腔室120中之負壓，使得形成於多孔材料110之孔中的彎液面防止周圍氣體被牽引至液體移除器件70之腔室120中。然而，當多孔材料110之表面與液體進行接觸時，不存在用以限制流動之彎液面，且液體可自由地流動至液體移除器件70之腔室120中。
多孔材料110具有大量小孔，其各自具有在5毫米至50毫米之範圍內的尺寸，例如，寬度(諸如直徑dhole )。多孔材料110可被維持於在將供以移除液體之表面(例如，基板W之表面)上方的在50毫米至300毫米之範圍內的高度處。在一實施例中，多孔材料110係至少輕微親液性的，亦即，與浸沒液體(例如，水)成小於90°(理想地小於85°，或理想地小於80°)之動態接觸角。
儘管圖6中未特定地說明，但液體供應系統具有用以處理液體液位之變化的配置。此情形係使得積聚於投影系統PS與液體限制結構12之間的液體可被處理且不會溢出。一種處理此液體之方式係提供一疏液性(例如，疏水性)塗層。該塗層可圍繞液體限制結構12之頂部形成環繞開口之帶狀物，及/或圍繞投影系統PS之最後光學元件形成帶狀物。塗層可自投影系統PS之光軸徑向地向外。疏液性(例如，疏水性)塗層有助於使浸沒液體保持於空間11中。
圖5及圖6之實例為所謂的局域化區域配置，其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面的局域化區域。其他配置係可能的，包括利用氣體拖曳原理之流體處置系統。已(例如)在2008年5月8日申請之美國專利申請公開案第US 2008-0212046號及美國專利申請案第US 61/071,621號中描述所謂的氣體拖曳原理。在該系統中，以理想地具有隅角之形狀配置提取孔。隅角可與步進及掃描方向對準。對於在步進或掃描方向上之給定速度，與在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於掃描方向的情況相比較，隅角可與步進及掃描方向對準的情況減少對流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面的力。本發明之一實施例可適用於全濕潤浸沒裝置中所使用之流體處置結構。在全濕潤實施例中，例如，藉由允許液體洩漏出將液體限制至投影系統之最終元件與基板之間的限制結構，允許流體覆蓋基板台之整個頂部表面。可在2008年9月2日申請之美國專利申請案第US 61/136,380號中發現用於全濕潤實施例之流體處置結構的實例。
應瞭解，上文所描述之特徵中的任一者均可與任何其他特徵一起加以使用，且其不僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之該等組合。
在一浸沒裝置中可存在一或多個管道，在該一或多個管道中具有二相流動。下文參看圖8給出一些實例。可能需要在此管道中量測該流動。舉例而言，量測該流動可導致如下確認：在管道中導致流體流動之泵正在起作用。可能需要在二相流動中量測氣體-液體比率。舉例而言，取決於氣體-液體比率，可發生不同流動型態(flow regime)，每一流動型態具有發生干擾之不同頻率範圍。(舉例而言，塊狀流動(slug flow)具有與(例如)霧沫流動(mist flow)之干擾範圍不同的干擾範圍)。此外，不同氣體-液體比率可導致將不同熱負荷施加至組件。因此，需要能夠在二相流動中量測氣體-液體比率。
可使用關於二相流動之資訊以採取行動來最佳化或改良裝置效能。舉例而言，可能有必要變化離開或進入出口之流動，以便達成所要結果。作為一實例，可能需要達成等於離開鄰近管道之氣體流動的進入用於二相流動之管道之氣體流動速率。在一實施例中，可能需要在二相流動中達成特定氣體-液體比率。
本發明之一實施例係針對以上問題中之一或多者，或本文中未提及之其他問題。圖7中示意性地說明本發明之一實施例。存在二相流動之管道100可為基板台WT或液體限制結構12之部分，如下文參看圖6及圖8所描述。在管道100中液體及氣體之流動係藉由流動分離器而分離成氣體流動及液體流動。如圖7所說明，在一實施例中，流動分離器可包括分離腔室111。隨著二相流動自管道100流動至分離腔室111中，液體121滴落至分離腔室111之底部，且氣體130存在於分離腔室111之頂部處。氣體管道140離開分離腔室111之頂部。藉此，實質上僅氣體流動存在於氣體管道140中。液體管道150附接至分離腔室111之底部，且藉此，實質上僅液體流動存在於其中。
氣體管道140及液體管道150均連接至重新組合腔室160，且貫穿出口管道170而將二相流動提取出該重新組合腔室。出口管道170將二相流動提供至排放管(drain)181，在該點處，可在適當時重新循環或棄置液體。
泵190可提供於重新組合腔室160下游。泵190經組態以牽引流體或推動流體通過管道及腔室。進入分離腔室111之氣體流動將等於離開重新組合腔室160之氣體流動。進入分離腔室111之液體流動將等於離開重新組合腔室160之液體流動。因此，氣體管道140中之氣體流動速率將等於管道100中之二相流動中之氣體流動速率。因此，藉由定位第一流量計260以量測氣體管道140中之氣體流動，第一流量計260之讀數將等於管道100中之氣體流動。類似地，可提供第二流量計262以量測液體管道150中之液體流動。第二流量計262之讀數將等於管道100中之液體流動速率。
儘管在圖7中將泵190說明為處於重新組合腔室160下游，但取而代之或另外，該泵可提供於分離腔室111上游，如以虛線所說明且以元件符號190'所指示。另外，在將出口管道170之末端保持於相對於管道100之負壓下的情況下，代替泵190、190'，項目190、190'可為流動速率或壓力調整器件(例如，調節閥)。
可使用圖7所說明之系統，而不在重新組合腔室160中重新組合兩個流動(特別係在使用泵190'且分離腔室111始終含有一些液體的情況下)。取而代之，氣體管道140及液體管道150可直接通向一或多個排放管。
可提供控制器300。第一流量計260及第二流量計262可將指示經量測之流動速率的信號提供至控制器300。基於該等信號中之一或兩者，可使用控制器300以變化裝置之至少一參數。
舉例而言，控制器300可變化通過裝置之至少一泵之流動速率的參數。如圖7所說明，此參數可為在出口管道170中泵190之流動速率及/或在管道100中泵190'之流動速率。在一實施例中，控制器300可變化通過流動速率或壓力調整器件(例如，(調節)閥)或另外泵320之流動速率。流動速率或壓力調整器件或另外泵320可為經組態以提取氣體或液體或氣體及液體兩者之提取系統的部分，或為經組態以提供液體或氣體或液體及氣體兩者之提供系統的部分。
在一實施例中，控制器300可控制基板台WT及/或液體限制結構12之參數。舉例而言，控制器300可變化基板台WT與液體限制結構12之相對位置，藉此以變化該等兩個組件之間的距離。
控制器300可取決於藉由第一流量計260或第二流量計262或第一流量計260及第二流量計262兩者量測之流體流動量值來調整參數。或者或另外，控制器300可取決於藉由第一流量計260量測的氣體流動中之流體流動量值對藉由第二流量計262量測的液體流動中之流體流動之比率及/或藉由第二流量計262量測的液體流動中之流體流動對藉由第一流量計260量測的氣體流動中之流體流動量值之比率來調整參數。在一實施例中，可以將氣體流動量值或液體流動量值或氣體流動量值及液體流動量值兩者或氣體-液體比率維持於特定所要(例如，預定)位準下為目標來調整參數。
控制器300可隨著時間推移基於氣體流動速率之改變或液體流動速率之改變或氣體流動速率或液體流動速率兩者之改變或氣體-液體比率之改變來判定參數變化。舉例而言，控制器可隨著時間推移來變化至少一參數，以便將該等條件中之任一者維持為實質上恆定(例如，在預定位準下)。
現將在若干實例中描述圖7之系統或系統之部分的使用。在此等實例中，項目320、321、322、323、324、325及410被稱作泵。然而，此等項目可或者為流動速率或壓力調整器件(例如，調節閥)。舉例而言，此等項目可變化通過其而到達低壓力源(例如，321、322、323、324、325)之流動或自高壓力源(例如，410)之流動。
在一實施例中，可使用圖7之系統或系統之部分以阻礙在泵出現故障時發生液體溢出之可能性。舉例而言，在圖6之腔室120中產生負壓之泵的故障或附接至所謂的氣體拖曳原理配置中之提取器之開口之泵的故障可能導致浸沒液體溢出於基板台WT上。因此，需要此故障之快速偵測以防止裝置之停工時間。若偵測到此故障，則可調整一參數，諸如將液體提供至空間11之泵的流動速率及/或將液體提供至液體限制結構12與基板W之間的間隙之泵的流動速率(例如，減少至零)。
在管道100中使用壓力感測器以量測此故障係不可靠的，因為單獨地基於壓力，難以區別不起作用之泵與僅抽汲氣體之泵。亦即，壓力感測器對於經抽汲之確切氣體-液體比率敏感。類似地，用以在管道100中偵測二相流動之流量計(諸如脈衝流量計及/或以熱損耗為基礎之流量計)歸因於氣體及液體之屬性的較大差異而具有困難。
圖7之系統的使用允許量測氣體流動速率及/或液體流動速率，且藉此允許偵測泵190或190'是否正確地起作用。若偵測到故障，則控制器300可採取矯正措施。舉例而言，控制器300可設法指導泵190或190'增加提取。或者或另外，控制器300可指導將液體提供至空間11或通過開口180將液體提供至液體限制結構12與基板之間的泵320切斷。此情形可減少在泵出現故障之情況下之液體洩漏的可能性。
與適用於附接至圖6中之腔室120及附接至氣體拖曳原理液體限制結構之開口之泵之原理相同的原理亦可適用於其他區域。圖8中說明另外實例，圖8說明投影系統PS、氣體拖曳原理液體限制結構12及基板台WT。該等實例包括用於自液體限制結構12之頂部表面提取液體的管道311及泵321。提供此管道311及泵312以移除過量液體，否則其可溢流遍及液體限制結構12。另一實例為在基板台WT中之提取器，其包含：管道312，其定位於基板W之邊緣下方；及泵322，其用以提取洩漏於基板W邊緣與基板W所在的基板台WT中之凹座之邊緣之間的間隙305中的液體。另一實例為包含在基板台WT之邊緣處之管道313及泵323的提取器。此提取器可經定位以捕獲逸出於基板台WT之邊緣與第二基板台WT之邊緣或定位於第一基板台WT與第二基板台WT之間的橋接器333之間的液體。2008年8月7日申請之美國專利申請案第US 61/136,030號揭示用於浸沒液體之此提取器的細節，該浸沒液體逸出於兩個基板台及/或一基板台與至另一基板台之橋接器333之間的間隙之間。上文關於圖7所描述之原理可適用於此提取器之泵323。相同原理可適用於一提取器，其用於自投影系統之最終元件與基板W之間的空間11提取浸沒液體。可以與上文關於其他類型之提取器所描述之方式相同的方式來監視此提取器之泵324。可獲益於圖8所說明之故障偵測的另一提取器為所謂的氣體拖曳原理提取器之開口335、關聯管道315及泵325。
上文所提及之提取器中的一或多者可為不受控制的且僅僅以最大速度運行。此情形可導致困難，因為提取器所提取之氣體的比例可隨著時間而變化。此情形可導致藉由沿著關聯管道之二相流體流動而施加不同熱負荷。舉例而言，可使用本發明之一實施例以根據對兩個流動之量值的認識或對一個流動之量值及泵之體積流動速率的認識來量測氣體-液體流動之比率。控制器300可接著控制關聯泵以變化通過該泵之二相流體流動，且藉此變化二相流動中之氣體-液體比率。舉例而言，若氣體流動對液體流動之比率太高(亦即，存在太多氣體)，則關聯泵之流動速率可減小，因為提取器之正確起作用的有效部分為經提取之液體量，而非氣體量。高比率指示泵比移除到達提取器之開口之液體量所需要之努力更努力地工作。藉由減小泵之流動速率，可維持液體流動速率(亦即，可移除到達提取器之所有液體)，但減少氣體流動速率，藉此導致二相流動中之氣體對液體之比率的減小(亦即，液體之比率例的增加)。
此情形之特定實例為提取泵325，提取泵325經組態以自液體限制結構12與基板W之間的間隙提取液體。舉例而言，若氣體對液體之比率太高，則可降低泵頻率，藉此減小藉由泵提取之總體積以及增加泵之壽命。氣體對液體之比率將接著減小。藉此減小藉由到達液體限制結構12之流動因蒸發而施加之冷卻負荷。
可藉由控制器300使用藉由提取泵325提取之氣體-液體比率或僅液體量或僅氣體量的量測以變化至少一參數。該參數可選自：提取泵325之提取速率、通過出口400所提供之氣體速率、通過出口180所提供之液體速率，及/或液體限制結構12與基板W之頂部表面之間的距離。藉由泵325提取的氣體對液體之比率對液體限制結構12與基板台WT之間的力具有效應。可使用控制器300以使該氣體對液體之比率保持實質上恆定。此情形未必意謂恆定力，除非流動之量值保持相同。若氣體對液體之比率太低(存在太多液體)，則可增加離開開口400(例如，氣體刀)之氣體流動速率，使得藉由提取泵325提取更多氣體。或者或另外，可能需要增加通過開口335之流動。或者或另外，可減小離開開口180之液體流動，藉此以減小藉由提取泵325提取之液體量。或者或另外，可變化液體限制結構12與基板台WT之間的距離以具有相同或類似效應。
在2009年5月25日申請之美國專利申請案第US 61/181,158號中，提議使離開出口400之氣體流動速率與進入連接至流動提取泵325之開口335之氣體流動速率平衡的觀念。在此系統中，通過液體限制結構12提取離開出口400的離開液體限制結構12之實質上所有氣體以通過連接至提取泵325之開口335。藉由使用圖7之系統，可變化離開出口400之氣體流動速率，及/或進入連接至提取泵325之開口335的氣體流動速率。亦即，可藉由控制器300來控制泵325、410中之任一者或兩者以達成所要平衡。在此實施例中，泵410理想地為如上文所提議之流動速率或壓力調整器件。
在一實施例中，藉由將泵410維持於恆定體積流動下使離開出口400之氣體流動速率保持恆定(恆定質量流動)。控制器300可接著變化泵325以達成等於離開開口400之氣體流動速率的進入開口335之氣體流動速率。或者，可使泵325之流動速率保持恆定，且可變化泵410(及視情況，諸如連接至開口180之泵的一或多個另外泵)以使離開開口400之流動速率與進入開口335之流動速率平衡。在一實施例中，可量測進入開口335之氣體流動(其中泵325之體積流動未必固定)，且可藉由變化泵410之頻率來控制通過開口400之氣體流動。
在一實施例中，第一流量計260及第二流量計262量測通過流體(亦即，氣體、液體或氣體及液體兩者)之管道100(其為提取管道)的流動速率。提取管道100可具有控制器300以控制自可形成於液體限制結構12之表面中之一或多個提取開口(例如，335)通過提取管道100的流體(亦即，氣體、液體或氣體及液體兩者)流動。
在一實施例中，液體限制結構12包含一氣體刀，該氣體刀具有位於二相流體提取開口335附近之開口400。可使用氣體流動感測器來感測通過氣體刀之氣體流動。可藉由控制器300來控制通過氣體刀開口400之流動。控制器300可控制氣體刀流動及/或提取流動，以便使通過氣體刀之流動與通過提取管道100之流動平衡，或至少使得流動速率在特定流動速率差內。流動速率差可小於任一流動速率之百分之二十、百分之十或甚至百分之五。
若該差大於特定流動速率差，則存在流動速率失配。在流動速率失配之流動型態中，流動控制效能及液體限制結構12之效能可能會在低於特定效能標準時劣化。在偵測到流動速率失配時，控制器300產生一信號。可將該信號引導至使用者，例如，作為警告信號。可將該信號引導至流動速率控制器300，其回應於該信號而將流動速率差減少至低於特定流動速率差。在一實施例中，流動速率控制器300操作以調整流動速率，同時液體限制結構12仍在操作。藉此恢復系統效能。
在上文所描述之實施例中之任一者中，泵可為體積流動泵。
在上文所描述之實施例中之任一者中，控制器300可允許使用者控制。舉例而言，控制器300可指示諸如氣體流動速率、液體流動速率及氣體-液體比率之特定參數，且允許使用者手動地變化操作參數。
在一態樣中，提供一種微影裝置，其包含：一管道，其用於使二相流動通過；一流動分離器，其用於將該二相流動分離成一氣體流動及一液體流動；及一第一流量計，其用於在該氣體流動或該液體流動中量測流體流動速率。理想地，該裝置進一步包含一第二流量計，該第二流量計用於在該氣體流動及該液體流動中之另一者中量測流體流動速率。理想地，該裝置進一步包含一控制器，該控制器用於取決於藉由該第一流量計及/或該第二流量計量測之該流體流動速率來控制該裝置之至少一參數。理想地，該控制器經調適以取決於藉由該第一流量計或該第二流量計或該第一流量計及該第二流量計兩者量測之流體流動量值來調整該參數。理想地，該控制器經組態以取決於該氣體流動中之該流體流動量值對該液體流動中之該流體流動之比率或該液體流動中之該流體流動量值對該氣體流動中之該流體流動之比率來控制該參數。理想地，隨著時間推移基於該經量測流動速率之量值來控制該裝置之該至少一參數，理想地，該至少一參數包括通過至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵之一流動速率。理想地，該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵包括用於變化通過該管道之流體流動的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。理想地，該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵包括用於變化進入一液體限制結構與一基板之間的一間隙之流體流動的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。理想地，用於變化進入一間隙之流體流動的該流動速率或壓力調整器件或流體泵為用於變化進入該間隙之氣體流動的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。理想地，用於變化進入該間隙之流體流動的該流動速率或壓力調整器件或流體泵為用於變化進入該間隙之液體流動的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。理想地，該控制器經組態成使得控制該至少一參數，使得提高該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵之該流動速率與藉由該第一流量計量測之該流動速率實質上相同。理想地，該控制器經組態成使得控制該至少一參數，使得藉由該第一流量計量測之該流動速率實質上為一預定流動速率。理想地，該裝置進一步包含一另外管道、一另外流動速率或壓力調整器件或流體泵，且該控制器控制該另外流動速率或壓力調整器件或流體泵，使得通過該另外管道之流體流動速率在一預定速率下實質上恆定。理想地，該至少一參數包括在一基板與一液體限制結構之間的一距離，該液體限制結構用於將液體限制至在一投影系統與該基板之間的一空間，理想地，該至少一參數包括經調整以在用於牽引二相流動通過該管道之一組件出現故障之情況下阻礙液體溢出的一參數。理想地，該流動分離器包含一分離腔室，理想地，提供一重新組合腔室，在該重新組合腔室中重新組合該等分離之氣體流動與液體流動。理想地，該管道始於一液體限制結構中之一開口。理想地，該開口處於界定一空間之一表面中，該液體限制結構將液體限制至該空間，其中該空間處於該投影系統與該基板之間。理想地，該開口處於該液體限制結構之一下表面中，該下表面在使用中面對一基板。理想地，在使用中，液體及氣體係自該液體限制結構與該基板之間通過該開口加以提取。理想地，該開口被覆蓋有一多孔部件。理想地，該開口形成於該液體限制結構之一上表面中。理想地，該管道始於用於支撐一基板之一基板台之一表面中的一開口。理想地，該開口係用於通過該開口提取傳遞通過一基板之一邊緣與供以支撐該基板之該基板台之間的一間隙之液體。理想地，該開口係用於通過該開口提取傳遞通過該基板台之一邊緣與一第二基板台之一邊緣或定位於該第一基板台與一第二基板台之間的一橋接器之間的一間隙之液體。
在一態樣中，提供一種在二相流動中量測流動速率之方法，其包含：將二相流動分離成一氣體流動及一液體流動；及使用一第一流量計以在該氣體流動或該液體流動中量測流體流動速率。理想地，該方法進一步包含使用一第二流量計以在該氣體流動及該液體流動中之另一者中量測流體流動速率。理想地，該方法進一步包含變化一裝置之至少一參數，其中該二相流動取決於藉由該第一流量計及/或該第二流量計量測之該流體流動速率而流動。理想地，經變化之該參數包括通過至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵之一流動速率。理想地，使用該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵以變化通過管道之流體流動，該二相流動在該管道中流動。理想地，經變化之該至少一參數包括進入一液體限制結構與一基板之間的間隙之一流體流動速率。理想地，經變化之該至少一參數包括進入一液體限制結構與一基板之間的間隙之一氣體流動。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。上文所描述之控制器可具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是在基板及/或基板台上未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒流體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋如本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。
此外，儘管已在特定實施例及實例之內容背景中揭示本發明，但熟習此項技術者應理解，本發明超出特定揭示之實施例而延伸至其他替代實施例及/或本發明及其明顯修改以及等效物之使用。此外，雖然已詳細地展示及描述本發明之許多變化，但基於此揭示，對於熟習此項技術者而言，在本發明之範疇內的其他修改將係顯而易見的。舉例而言，據預期，可進行該等實施例之特定特徵及態樣的各種組合或子組合，且其仍屬於本發明之範疇。因此，應理解，可將所揭示實施例之各種特徵及態樣彼此組合或彼此取代，以便形成本發明之變化模式。因此，本文中所揭示之本發明的範疇意欲不應受到上文所描述之特定揭示之實施例限制，而應僅藉由隨後申請專利範圍之清楚閱讀進行判定。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
11．．．浸沒空間
12．．．流體處置結構/液體限制結構
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封件
20．．．邊緣/開口
22．．．側壁
28．．．側壁
29．．．開口
50．．．流動控制板
70．．．提取器總成/液體移除器件
80．．．凹座
82．．．入口
84．．．出口
90．．．氣體刀
100．．．提取管道
110．．．多孔材料
111．．．分離腔室
120．．．腔室
121．．．液體
130．．．氣體
140．．．氣體管道
150．．．液體管道
160．．．重新組合腔室
170．．．出口管道
180．．．開口/出口
181．．．排放管
190．．．泵
190'．．．泵
260．．．第一流量計
262．．．第二流量計
300．．．控制器
305．．．間隙
311．．．管道
312．．．泵/管道
313．．．管道
315．．．管道
320．．．泵
321．．．泵
322．．．泵
323．．．泵
324．．．泵
325．．．泵
335．．．開口
400．．．出口/開口
410．．．泵
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IH．．．局域化浸沒系統
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪作為用於微影投影裝置中之液體供應系統的流體處置結構；
圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖5以橫截面描繪流體處置結構；
圖6以橫截面描繪另外流體處置結構；
圖7示意性地描繪用以在二相流動中量測流動速率之系統；及
圖8以橫截面說明本發明之一實施例可適用之液體限制結構及基板台。
12．．．流體處置結構/液體限制結構
100．．．提取管道
111．．．分離腔室
121．．．液體
130．．．氣體
140．．．氣體管道
150．．．液體管道
160．．．重新組合腔室
170．．．出口管道
181．．．排放管
190．．．泵
190'．．．泵
260．．．第一流量計
262．．．第二流量計
300．．．控制器
320．．．泵
WT．．．基板台

Claims (13)

  1. 一種微影裝置，其包含：一管道，其用於使二相流動通過；一流動分離器，其經組態以將該二相(phase)流動分離成一氣體流(gas flow)及一液體流(liquid folw)；一第一流量計，其經組態以在該氣體流及/或該液體流中量測流體流動速率；及一控制器，該控制器經組態以取決於由該第一流量計所量測得到之該流體流動速率來控制通過至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵之一流動速率，該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵經組態以改變通過該管道之流體流動。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該第一流量計經組態以量測在該氣體流中之流體之流動速率且進一步包含一第二流量計，該第二流量計經組態以量測在該液體流中之流體之流動速率。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該控制器經組態以取決於由該第一流量計所量測得到之流體流動量值來調整該流動速率。
  4. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經組態以取決於該氣體流中之該流體流動量值對該液體流中之該流體流動之比率或該液體流中之該流體流動量值對該氣體流中之該流體流動之比率來控制該流動速率。
  5. 如請求項1之微影裝置，其中該流動速率係基於隨時間 而量測得到之流動速率量值被控制。
  6. 如請求項1之微影裝置，其中該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵包括經組態以變化進入一液體限制結構與一基板之間的一間隙之流體流動的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中經組態以變化進入該間隙之流體流動的該流動速率或壓力調整器件或流體泵係經組態以變化進入該間隙之氣體流的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。
  8. 如請求項6之微影裝置，其中經組態以變化進入該間隙之流體流動的該流動速率或壓力調整器件或流體泵係經組態以變化進入該間隙之液體流的一流動速率或壓力調整器件或流體泵。
  9. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經組態成使得該流動速率受到控制，使得通過該至少一流動速率或壓力調整器件或流體泵之該流動速率與由該第一流量計所量測得到之該流動速率實質上相同。
  10. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經組態使得該流動速率受到控制，使得由該第一流量計所量測得到之該流動速率實質上為一預定流動速率。
  11. 如請求項10之微影裝置，其進一步包含一另外管道、一另外流動速率或壓力調整器件或流體泵，且其中該控制器經組態以控制該另外流動速率或壓力調整器件或流體泵，使得通過該另外管道之流體流動速率在一預定速率 下實質上恆定。
  12. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經進一步組態以取決於由該第一流量計所量測得到之該流體流動速率而控制在一基板與一液體限制結構之間的一距離，該液體限制結構經組態以將液體限制至在一投影系統與該基板之間的一空間。
  13. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經組態以在經組態以牽引二相流動通過該管道之一組件出現故障之情況下控制該流動速率，以緩和液體溢出(liquid spillage)。
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