TWI470369B - 流體供應系統、微影裝置、改變流體流動速率之方法及元件製造方法 - Google Patents

流體供應系統、微影裝置、改變流體流動速率之方法及元件製造方法 Download PDF

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Description

流體供應系統、微影裝置、改變流體流動速率之方法及元件製造方法
本發明係關於一種流體供應系統、一種微影裝置、一種改變流體流動速率之方法及一種元件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可係適當的，特別係濕潤流體、不可壓縮流體，及/或具有高於空氣之折射率(理想地，具有高於水之折射率)的折射率之流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，具有高達10奈米之最大尺寸的粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可係適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
在浸沒裝置中，藉由流體處置系統、元件結構或裝置來處置浸沒流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸沒流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸沒流體之障壁且藉此為障壁部件(諸如流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可形成或使用氣體流動，例如，以有助於控制浸沒流體之流動及/或位置。氣體流動可形成用以限制浸沒流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；該密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在彼情況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所界定之特徵的參考可被理解為包括關於液體所界定之特徵。
所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以針對此情形所配置之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(理想地沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在投影系統下方傳遞之後藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示液體係經由入口而被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口而被吸取的配置。在基板W上方之箭頭說明液體流動方向，且在基板W下方之箭頭說明基板台之移動方向。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向來供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口之各種定向及數目均係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上入口與出口之四個集合。在液體供應元件及液體回收元件中之箭頭指示液體流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口而供應，且藉由自入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出口，且投影光束被投影通過孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口而供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口而移除，從而導致在投影系統PS與基板W之間的液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式平台或雙平台浸沒微影裝置之觀念。該裝置具備用於支撐基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由第二位置處之台進行曝光。或者，裝置僅具有一個台。
PCT專利申請公開案WO 2005/064405揭示浸沒液體未受限制之全濕潤配置。在該系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此可為有利的，因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許彼液體洩漏(或流動)遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體溢出，使得可以受控方式而自基板台之頂部表面移除液體。儘管該系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕彼問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板且經配置以使浸沒液體延伸於其與基板及/或固持基板之基板台之頂部表面之間。
在浸沒微影中，浸沒液體之溫度改變可由於浸沒液體之折射率對浸沒液體之溫度的高敏感度而導致成像缺陷。
需要(例如)減少或消除經供應至一微影裝置之浸沒液體的溫度改變。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含：一第一控制器，其經組態以改變自一流體源至一第一組件之一流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定。
根據一態樣，提供一種改變自一流體源至一組件之流體流動速率的方法，該方法包含調整該流體源與該第一組件之間的一第一流體流動路徑中之一閥門，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含藉由將一流體源連接至一第一組件之一第一流體流動管道所界定之一第一流體路徑，該系統包含：在該第一流體流動管道中之一接合點，其經由一第一排放流體流動路徑而將該第一流體流動管道連接至一排放組件；及一第一控制器，其經組態以改變至該第一組件之一流體速率，該控制器經組態以：改變該接合點與該第一組件之間的該第一流體流動管道中之該流體速率、改變該接合點與該排放組件之間的該第一排放流體流動路徑中之該流體速率，及將一實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。
根據一態樣，提供一種改變自一流體源至一組件之流體流動速率的方法，該方法包含調整該流體源與該組件之間的一流體流動路徑中之一閥門，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定。
根據一態樣，提供一種改變自一流體源至一組件之流體流動速率的方法，該方法包含：改變一接合點與該組件之間的一流體流動管道中之該流體速率，在該接合點處，該流體流動管道經由一排放流體流動路徑而連接至一排放組件；改變該接合點與該排放組件之間的該排放流體流動路徑中之該流體流動速率；及將一實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含藉由將一流體源連接至一第一組件之一第一流體流動管道所界定之一第一流體路徑，該系統包含：在該第一流體流動管道中之一接合點，其經由一第二流體流動路徑而將該第一流體流動管道連接至一第二組件；及一控制器，其經組態以改變至該第一組件之流體速率，該控制器經組態以：改變該接合點與該第一組件之間的該第一流體流動管道中之該流體速率、改變該接合點與該第二組件之間的該第二流體流動路徑中之該流體速率，及將一實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化元件MA之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗布抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件MA。支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化元件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件MA可係透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在該等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之一部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之一部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分或可為與微影裝置分離之實體。在後者情況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的且可經分離地提供(例如，藉由微影裝置製造商或另一供應商)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化元件MA而圖案化。在橫穿圖案化元件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化元件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可係固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或改變或完全不同的使用模式。
可將用於在投影系統之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成至少兩種通用種類。此等種類為浴類型(或浸漬式)配置及局域化浸沒系統。在浸漬式配置中，基板之實質上全部且(視情況)基板台之一部分係浸漬於液體中，諸如浸漬於浴中或液體膜下方。局域化浸沒系統使用液體供應系統以僅將液體提供至基板之局域化區域。在局域化浸沒系統種類中，藉由液體所填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面。覆蓋基板的在空間中之液體體積相對於投影系統保持實質上靜止，而基板在彼空間下方移動。
本發明之一實施例可針對之另外配置為全濕潤配置。在全濕潤配置中，液體係未受限制的。在此配置中，基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或一部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。圖2至圖5之液體供應元件中的任一者可用於該系統中。然而，密封特徵不存在於液體供應元件中、未經啟動、不如正常一樣有效率，或以另外方式對將液體僅密封至局域化區域係無效的。圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。以上已描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統。流體限制結構可沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明該配置。流體限制結構在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件可形成於流體限制結構與基板之表面之間。在一實施例中，密封件係形成於流體限制結構與基板之表面之間。理想地，密封件可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示且圖5中說明具有氣體密封件之該系統。
圖5示意性地描繪具有形成障壁部件或流體限制結構之本體12的局域化液體供應系統或流體處置結構，障壁部件或流體限制結構沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考此外或在替代例中亦指代基板台WT之表面)。流體處置結構在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件係形成於本體12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件或流體密封件之無接觸密封件。
流體處置元件使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場而形成至基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)，使得液體受限制於基板W表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由在投影系統PS之最終元件下方及環繞投影系統PS之最終元件所定位的本體12而至少部分地形成空間11。液體係藉由液體入口13而被帶入投影系統PS下方及本體12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。本體12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，本體12具有在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形的內部周邊。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如，矩形，但並非需要為此情況。
藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間係形成於本體12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，藉由N2 或另一惰性氣體形成氣體密封件16。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至本體12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被提取。氣體入口15上之過壓力、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速度氣體流動。本體12與基板W之間的液體上之氣體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可係連續或不連續的。氣體流動對使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。
圖5之實例為所謂的局域化區域配置，其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面的局域化區域。其他配置係可能的，包括利用如(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之單相提取器或兩相提取器的流體處置系統。在一實施例中，單相或兩相提取器可包含被覆蓋於多孔材料中之入口。在單相提取器之一實施例中，多孔材料係用以將液體與氣體分離以實現單液相液體提取。在多孔材料下游之腔室被維持於輕微負壓下且填充有液體。腔室中之負壓係使得形成於多孔材料之孔中的彎液面防止周圍氣體被牽引至腔室中。然而，當多孔表面與液體進行接觸時，不存在用以限制流動之彎液面且液體可自由地流動至腔室中。多孔材料具有(例如)直徑在5微米至300微米(理想地為5微米至50微米)之範圍內的大量小孔。在一實施例中，多孔材料係至少輕微親液性的(例如，親水性的)，亦即，與浸沒液體(例如，水)成小於90°之接觸角。
可能之另一配置為基於氣體拖曳原理(gas drag principle)進行工作之配置。已(例如)在2008年5月8日申請之美國專利申請公開案第US 2008-0212046號及美國專利申請案第US 61/071,621號中描述所謂的氣體拖曳原理。在彼系統中，以理想地具有隅角之形狀來配置提取孔。隅角可與步進或掃描方向對準。對於在步進或掃描方向上之給定速度，與在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於掃描方向的情況相比較，隅角可與步進或掃描方向對準的情況降低對流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面的力。本發明之一實施例可適用於全濕潤浸沒裝置中所使用之流體處置結構。在全濕潤實施例中，例如，藉由允許液體洩漏出將液體限制至投影系統之最終元件與基板之間的限制結構，允許流體覆蓋基板台之整個頂部表面。可在2008年9月2日申請之美國專利申請案第US 61/136,380號中找到用於全濕潤實施例之流體處置結構的實例。
在浸沒微影裝置中，流體通常供應至流體處置系統。若所供應之流體為用於浸沒空間之流體(亦即，浸沒流體)，則需要小心地控制彼流體之溫度，特別係在其為用於浸沒空間之液體或另一實質上不可壓縮流體的情況下。舉例而言，溫度準確度可為大約小於50 mK。此係由於浸沒液體之折射率對液體溫度的高敏感度。溫度差可導致折射率變化，此可導致成像缺陷。
浸沒微影裝置中之一些操作可能需要浸沒液體之流動速率變化。該流動變化可為靜態流動速率之間的改變。靜態流動速率為遍及一段時間實質上恆定之流動速率。舉例而言，該變化可在諸如虛設基板(或封閉圓盤)之擋板部件在(例如)基板調換期間置放於液體處置系統下方時發生。在液體處置結構下方的擋板部件之存在將液體維持於浸沒空間11中。將液體保持於浸沒空間中會避免必須排空及再填充浸沒空間，排空及再填充浸沒空間可導致浸沒空間(包括投影系統)之乾燥表面上的乾漬，或由於小液滴自浸沒空間之表面蒸發的溫度波動。然而，例如，在基板調換期間，可能需要浸沒液體流動之降低速率。在曝光期間所供應液體之流動速率可具有實質上恆定流動速率；在(例如)基板調換期間所供應液體之流動速率可在不同(例如，實質上恆定)流動速率下。
舉例而言，另一類型之擋板部件為在(例如)基板調換期間延伸於兩個台(諸如載運第一基板之第一基板台與載運第二基板之第二基板台)之間的橋接器。當在投影系統下方以第二基板調換第一基板時，使液體處置系統維持充滿。自投影系統下方移動第一基板台，使得橋接器傳遞於投影系統下方，接著傳遞於第二基板台下方。以此方式，表面始終相反於液體處置系統之底部，使得表面部分地界定經限制有液體之空間。在基板台與橋接器之間的接點中可存在間隙或凹槽。為了降低液體自液體處置系統洩漏或氣泡產生於液體處置系統中之液體中的危險，可降低供應至浸沒空間之液體的流動速率。可能需要改變之液體流動速率時的另一實例為基板台中之一或多個冷卻通道。
改變浸沒液體之流動可藉由改變離開液體源之流動速率或藉由切換液體源與液體正被提供至之組件之間的液體流動路徑中之旁路分支中之單一閥門加以達成。此等兩種控制方法均具有一或多個缺點。在液體源變化其出口壓力以達到新的所要流動速率之後，可花費不良地長的時間來達到穩定流動。達成穩定流動所花費之時間可藉由流動控制器對其出口壓力之變化的回應加以判定。兩種方法均導致自液體源之變化的總流動速率或遍及液體源之不同的壓力損失。此等兩種結果均係不良的，因為其各自可導致經供應之液體之溫度變化。需要使離開液體源之液體的流動速率實質上恆定，及/或使在至液體源之出口處之液體的壓力實質上恆定。此實質上消除以上所提及之溫度改變來源。
圖6說明根據本發明之一實施例的液體供應系統10。液體供應系統10係在包含第一控制器100及第二控制器200之液體控制器90的控制下。使用液體控制器90以改變自液體源120至第一組件110之液體流動速率。
第一控制器100經配置以改變至第一組件110之液體流動速率，同時使在液體源120下游對液體流動之總流動阻力維持實質上恆定。在一實施例中，第一控制器100經配置以改變至第一組件110之液體流動速率，同時將實質上恆定壓力維持於液體源120之出口處。
第二控制器200經配置以控制液體源120。第二控制器200有助於確保液體源120在實質上恆定壓力下或在實質上恆定流動速率下或在此兩者下供應液體。
液體供應系統10包含藉由液體源120與第一組件110之間的管道所界定之第一液體流動路徑112。第一組件閥門114提供於第一液體流動路徑112中。閥門114理想地係藉由第一控制器100控制以在敞開位置與閉合位置之間變化。
提供藉由管道所界定之第一旁路線路116，第一旁路線路116將在第一閥門114上游之第一液體流動路徑112連接至在閥門114下游之第一液體流動路徑。亦即，旁路線路116提供繞過閥門114之液體路徑。
若閥門114閉合，則液體將自液體源120通過旁路線路116而僅達到第一組件110。若閥門114完全敞開，則液體將通過閥門114以及通過第一旁路線路116而達到第一組件110。可藉由在敞開位置與閉合位置之間移動閥門114而在此等兩個極端之間改變至第一組件110之流動速率。
流動限制件115經說明為處於第一液體流動路徑112中的在閥門114上游的液體流動路徑之部分(平行於旁路線路116)中。流動限制件117經展示為處於液體流動路徑112中之旁路線路116中。此等流動限制件可經故意地界定，或可僅僅作為用以界定第一液體流動路徑112之管道之組態及尺寸的結果。
為了使液體供應系統能夠使在液體源120下游對液體流動之總流動阻力維持實質上恆定，界定(例如)至排放件140之額外液體流動路徑。藉由管道來界定第一排放液體流動路徑122。第一排放液體流動路徑122連接液體源120(例如，在液體源出口處)與排放件140。在一實施例中，第一排放液體流動路徑122始於與第一液體流動路徑112之接合點121處。可認為，第一液體流動路徑112及第一排放液體流動路徑122具有在液體源120與接合點121之間的共同流動路徑。第一控制器100經組態以改變接合點121與第一組件110之間的流動速率，同時將實質上恆定壓力維持於接合點121處(且實際上在接合點121與液體源120之間的任何點處)之液體流動中。
在一實施例中，排放件140可為液體必須在特定流動速率下被提供至之組件。然而，彼實施例可僅在排放件處所需要之液體流動速率的速率與在第一組件110處所需要之液體之速率成比例的情況下係可行的。在另一實施例中，排放件140為液體可經再循環回至液體源120(例如，直接或通過過濾器或其他調節裝置)所處之位置，或液體可被處置所處之位置。
第一排放閥門124提供於第一排放液體流動路徑122中。流動限制件125經說明為處於第一排放液體流動路徑122中。旁路線路126可界定平行於第一排放閥門124及流動限制件125之流動路徑。流動限制件127可處於旁路線路126中。如同流動限制件115、117，第一排放液體流動路徑122中之流動限制件125、127可為經故意地界定於第一排放液體流動路徑122中之流動限制件。流動限制件125、127可僅僅為界定第一排放液體流動路徑122之管道之組態及尺寸的結果。
為了使在液體源120下游對液體之流動阻力維持實質上恆定，執行以下步驟。當敞開閥門114以藉此導致第一液體流動路徑112中之流動阻力降低時，相應地閉合第一排放閥門124以增加針對通過第一排放液體流動路徑122之液體的流動阻力。藉此，降低液體至排放件140中之流動，且增加液體至第一組件110之流動。同時，使在液體源120下游對液體之總流動阻力維持實質上恆定。藉此，可改變至第一組件110之液體流動速率，而不變化通過液體源120之流動速率或遍及液體源120之壓力損失。結果，可快速地達成穩定的液體供應速率。在實質上一致溫度下(例如，當改變(例如，變化)供應至消耗裝置之液體的流動速率時)，藉由消耗裝置(例如，在第一組件110處)來收納藉由液體源120所供應之液體。
為了降低至第一組件110之液體流動速率，第一控制器100操作。第一控制器可操作以閉合閥門114及敞開第一排放閥門124。因此，可使在液體源120下游對液體之總流動阻力維持實質上恆定。
可能有必要小心地平衡第一液體流動路徑112及第一排放液體流動路徑122中之各種流動限制件115、117、125、127。此可有助於確保藉由敞開一閥門及閉合另一閥門而使總流動阻力維持實質上恆定。在一實施例中，同時操作該等閥門，例如，使得一閥門可敞開且另一閥門閉合。
單向閥門128經說明為處於第一排放液體流動路徑122中。此保護液體源120免於排放件140中之背壓。過量加壓之排放件140可能導致液體源120之損害及/或污染。
在圖6之實施例中，第一排放液體流動路徑122包含藉由一或若干管道所界定之第一排放旁路線路126，第一排放旁路線路126將在第一排放閥門124上游之第一排放液體流動路徑122連接至在第一排放閥門124下游之第一排放液體流動路徑122。流動限制件127亦經說明為處於第一排放旁路線路126中。旁路線路126有助於確保始終存在通過第一排放液體流動路徑122之液體流動。此可阻礙可能本應導致諸如過濾阻隔、成像缺陷等等之困難的細菌之生長。
在一些情況下，可存在自第一組件110所傳輸之壓力波動。舉例而言，在第一組件110處之液體壓力可在第一組件110包含於傳遞遍及基板台之間的間隙之液體處置結構中的情況下變化。施加至第一組件110中之液體的壓力在液體處置結構遍及間隙時可不同於在第一組件110遍及基板台或基板時。該壓力波動可自第一組件110傳輸通過液體供應系統10中之液體。流動限制件115有助於防止壓力波動在液體供應系統10中進一步向上游傳輸。
若在系統中不存在壓力波動，則可省略在閥門114上游的第一液體流動路徑122之主要部分中的流動限制件115。當閥門114敞開時，可將至第一組件110之流動速率增加至最大供應液體速率。然而，需要在液體供應系統10中具有特定量之反壓，因此，流動限制件115之存在可係理想的。
因為在液體供應件120下游對液體流動之總流動阻力實質上恆定，所以第二控制器200改變藉由液體源120所供應之液體之速率所需要的時間不再起任何作用。
旁路線路116中之流動限制件117及旁路線路126中之流動限制件127的量值在使總流動阻力維持恆定方面並不重要。有可能使流動限制件115及閥門114之流動限制件平衡於流動限制件125及第一排放閥門124之流動限制件。為了進行此操作，可相應地調整或設計流動限制件115、125。
圖7中說明另外實施例。圖7之實施例相同於圖6之實施例，惟下文所描述的除外。在圖7之實施例中，省略旁路線路116。在此實施例中，有可能藉由閉合閥門114而達成至第一組件110之零流動速率。該實施例可藉由實現在下游(亦即，在諸如第一組件110之消耗裝置處)之壓力的降低而改良產出率。因此，省略旁路線路116之配置可快於具有旁路線路116之配置而接近零流動。
圖8說明另外實施例。圖8之實施例相同於圖6之實施例，惟下文所描述的除外。在圖8之實施例中，省略旁路線路126。藉由完全停止至排放件140之流動，本應通過旁路線路126而傳遞至排放件140之流動可被引導至消耗裝置(例如，第一組件110)。可供應至消耗裝置之最大流動速率可大於在至排放件之第一排放流動路徑122被旁路線路126包括之情況下的最大流動速率。
在一實施例中，第一排放閥門124為T型閥門且省略旁路線路126，如圖8所說明。在接合點121處將T型閥門整合至第一液體流動路徑112中，使得在T型連接件與閥門之間的互連體積較小或實質上不存在。當閉合第一排放閥門124時，防止液體在第一排放閥門124上游之第一排放液體流動路徑122中靜止不動。在此實施例中，流動限制件125可在第一排放閥門124下游。此配置之優點在於：與具有旁路線路126之實施例相比較，藉由液體源120所提供之液體的量減少。有利地，最小化閥門124與接合點121之間的體積。該配置具有少於先前所提及之組件的組件，從而降低系統之複雜度且促進修理。
圖9說明另外實施例。圖9之實施例為具有圖6之特徵而無旁路線路116的實施例。理想地，流動限制件115不提供於在閥門114上游之第一液體流動路徑112中。在閥門114下游，第一液體流動路徑112連接至第一組件110。在一實施例中，第一液體流動路徑112在閥門114之後分叉，使得第一組件110在兩個埠110a、110b處具備液體。流動限制件111a、111b提供於埠110a、110b中之每一者上游。在一實施例中，流動路徑112分離成兩個以上路徑，使得存在對應於每一分離路徑之埠110及流動限制件111。
該實施例特別適合於將液體提供至液體處置系統，特別係提供至在使用中將液體通過如圖5所示之入口13而提供至浸沒空間11且在使用中於朝向基板之方向上提供液體的液體處置系統之部分。在如圖5所示之配置中，每一埠110a、110b可對應於液體至液體處置系統之不同位置(例如，入口13)及至面向基板之表面之入口的供應。在一實施例中，不同埠110a、110b可對應於用於液體之同一供應的兩個不同入口，例如，至浸沒空間11之兩個入口13或界定於液體處置結構之下表面中的兩個入口。
朝向基板供應液體之配置在圖5中未予以說明，但為該液體處置系統之修改。美國專利申請公開案第2008/0212046號之液體處置系統確實具有該液體供應件。該供應件可用於避免在液體供應件傳遞遍及(例如)基板之邊緣與基板台之間的間隙時氣泡之形成。埠110a、110b可為界定於液體處置結構12之下表面中的開口。埠可經定尺寸以充當液體流動限制器，因此，限制件111a、111b可為界定埠110a、110b之開口，或經定位成鄰近於液體流動路徑中之埠。
在一實施例中，埠110a、110b各自為界定於液體處置結構12之下表面中的開口。該等埠可定位於若干位置處，以圍繞下表面之周邊而供應浸沒液體之均勻供應壓力。此促進氣泡之形成的降低(在不可避免的情況下)。在一實施例中，在離光徑之相同徑向距離處存在對應於在液體處置系統12中彼此等距離地間隔之兩個埠110的兩個入口。在液體處置系統中之入口(例如，一個入口)之不均勻分布的情況下，遍及液體處置系統之下表面可能存在不良的不均勻壓力分布。本發明之一實施例有助於遍及供應於液體處置結構下方之液體的下表面提供均勻壓力。
在操作液體供應系統以控制液體自埠110a、110b之供應時，閉合閥門114。同時，敞開排放閥門124。通過埠110a、110b所供應之液體的流動速率降低(或許降低至零)。可選擇液體供應系統中之流動限制件(例如，限制件125、111a及111b)以快速地降低流動速率。可藉由同時閉合排放閥門124及敞開閥門114而達成原始流動速率。
當擋板部件在(例如)基板調換期間處於液體處置結構下方時，可降低流動速率。舉例而言，橋接器可在投影系統PS下方移動，或封閉圓盤可藉由液體處置結構固持。當在(例如)基板調換之後重新開始曝光時，流動速率可返回至其原始位準。降低至埠110a、110b之流動速率可降低形成氣泡之危險且更改行程高度(flight height)(在液體處置結構之下表面之最低部分與相反表面之間的距離)。
在圖9之實施例中，當完全閉合閥門114時，至第一組件110之液體流動速率可為零。此在擋板部件封閉界定於液體處置結構中之浸沒空間時(諸如在使用封閉圓盤時)可係理想的。在一實施例中，可存在如在圖6之實施例中的旁路線路116。因此，可通過埠110a、110b連續地供應液體。此在橫越橋接器時可係理想的，因為可降低自浸沒空間損失液體之危險。
圖10說明另外實施例。圖10之實施例相同於圖6之實施例，惟下文所描述的除外。
圖6之實施例僅允許至第一組件110之兩個不同流動速率。相反地，圖10之實施例允許藉由添加兩個另外閥門來達成四個不同流動速率。亦即，將具有組件閥門224之另外液體流動路徑212提供於液體源120與第一組件110之間。可提供關聯流動限制件215。提供具有排放閥門244及流動限制件225之另外排放液體流動路徑222，使得可藉由變化另外排放液體流動路徑222之流動阻力而補償另外液體流動路徑212之流動阻力的任何變化。此係藉由以操作閥門114及排放閥門124之相同方式在第一控制器100之控制下以相反方式來控制閥門224、244加以達成。另外液體流動路徑212之流動阻力可不同於經定位有閥門114之流動路徑的流動阻力。因此，圖10之實施例允許至第一組件110之四個不同流動速率。在第一流動速率中，兩個閥門114、124均敞開；在第二流動速率中，僅閥門114敞開；在第三流動速率中，僅閥門224敞開；且在第四流動速率中，閥門114及閥門224均不敞開。
圖11說明另外實施例。圖11之實施例相同於圖6之實施例，惟下文所描述的除外。
如同圖8之實施例，圖11之實施例允許至消耗裝置110之兩個以上速率。除了圖6之兩個流動速率以外，圖11之實施例亦可將流動速率降低至零。第一液體流動路徑112具備在旁路線路116上游之沿線閥門250。第一排放液體流動路徑122具備對應閥門260。理想地，提供閥門260以作為如以上關於圖8之實施例所描述的T型閥門，使得存在實質上零體積之靜態液體。
為了將至第一組件110之流動降低至零，閉合閥門250且敞開閥門124及260。為了達成至第一組件110之中及高流動速率，敞開閥門250。為了達成高流動速率，敞開閥門114。在高流動速率下，閉合閥門260。對於中流動速率，閉合閥門114，使得供應至第一組件110之所有液體均傳遞通過旁路線路116。在此配置中，閉合閥門124且敞開閥門260，使得至排放件140之流動僅係通過旁路線路126。在一實施例中，同時操作閥門124及250，使得當閥門250閉合時閥門124敞開。閥門124及250可均連接至控制器且可藉由控制器操作，該控制器可連接至液體控制器90或為液體控制器90之一部分。同時操作閥門114及260，使得當閥門260閉合時閥門114敞開。閥門114及260可均連接至控制器且可藉由控制器操作，該控制器可連接至液體控制器90或為液體控制器90之一部分。
圖12說明另外實施例。圖12之實施例相同於圖6之實施例，惟下文所描述的除外。
在圖12中，另外組件310藉由液體供應系統10而具備液體。使用同一液體源120。提供相同於液體流動路徑112的至另外組件310之另外液體流動路徑312。為了在通過另外液體流動路徑312之流動速率藉由改變組件閥門320之位置而變化時補償彼流動路徑之流動阻力，如在圖10之實施例中提供另外排放液體流動路徑222。可藉由改變通過另外排放液體流動路徑222之流動阻力而補償另外液體流動路徑312之流動阻力的任何變化。
儘管圖12之實施例係基於圖6之實施例，但可在多重消耗裝置或組件實施例中實施任何其他實施例。舉例而言，參看圖9所描述之液體供應件可為第一組件110，供應於如圖5所說明之空間11中的液體可為第二組件310。
在全濕潤浸沒微影裝置中，將液體供應至在空間11外部之區域(被稱作散裝液體供應(bulk liquid supply))。此可經由一或多種類型之出口加以供應，且彼等類型中之每一者可為藉由本發明之一實施例之液體供應系統所供應的組件。可在液體供應系統12之徑向向外邊緣處及/或在基板台上之不同位置處供應散裝液體。可使用第一控制器100自單一液體源120個別地改變至每一組件之流動速率。在圖12之實施例中，每一消耗裝置具有沿線分支及排放閥門。每一消耗裝置沿線分支及排放閥門係藉由具有開關之消耗裝置控制器加以連接，使得當沿線分支中之閥門敞開時，排放閥門將閉合且反之亦然。不同消耗裝置之沿線分支係並聯的。在排放分支中，分支閥門124、224與旁路線路126係並聯的且導致單一排放件140。散裝液體可具有與經配置以將液體供應至空間11之液體供應件分離之源。
適合於本發明之實施例的閥門包括Parker PV20、GemClean Star(RTM) UHP PFA Valve C60(AOV)、GemClean Star(RTM) UHP PFA Valve-Metal Free或Entegris Integra。
應瞭解，以上所描述之特徵中的任一者均可與任何其他特徵一起加以使用，且其不僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之彼等組合。
在一實施例中，存在一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含：一第一控制器。該第一控制器經組態以改變自一流體源至一第一組件之一流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定。
該流體供應系統可進一步包含在該流體源與該第一組件之間的一第一流體流動路徑。該流體供應系統可進一步包含用於使流體自該第一流體流動路徑中之一接合點流動至一排放組件之一第一排放流體流動路徑。
在一實施例中，存在一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含藉由將一流體源連接至一第一組件之一第一流體流動管道所界定之一第一流體路徑，該系統包含：一接合點及一第一控制器。該接合點係在該第一流體流動管道中，其經由一第一排放流體流動路徑而將該第一流體流動管道連接至一排放組件。該第一控制器經組態以改變至該第一組件之一流體速率。該控制器經組態以：改變該接合點與該第一組件之間的該第一流體流動管道中之該流體速率、改變該接合點與該排放組件之間的該第一排放流體流動路徑中之該流體速率，及將一實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。
該流體供應系統可進一步包含在該第一流體流動路徑中之一第一組件閥門。該流體供應系統可進一步包含一第一旁路線路，該第一旁路線路連接在該第一組件閥門上游之該第一流體流動路徑與在該第一組件閥門下游之該第一流體流動路徑。
該流體供應系統可進一步包含在該第一排放流體流動路徑中之一第一排放閥門。為了改變至該第一組件之該流體流動速率，該第一控制器可調整該第一組件閥門及該第一排放閥門，以便改變通過該第一流體流動路徑及該第一排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定及/或將實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。該總流動阻力可經維持實質上恆定，及/或在該接合點處之該流體流動中的該壓力可藉由敞開該第一排放閥門或該第一組件閥門及閉合該第一排放閥門及該第一組件閥門中之另一者而經維持實質上恆定。
該流體供應系統可進一步包含一第一排放旁路線路，該第一排放旁路線路連接在該第一排放閥門上游之該第一排放流體流動路徑與在該第一排放閥門下游之該第一排放流體流動路徑。
該流體供應系統可進一步包含：在該流體源與該第一組件之間的一另外流體流動路徑，其中一另外組件閥門係在該另外流體流動路徑中；及在該流體源與該排放件之間的一對應另外排放流體流動路徑，其中一另外排放閥門係在該另外排放流體流動路徑中。該第一控制器可經組態以藉由調整該等組件閥門中之一或多者及該等對應排放閥門中之一或多者而改變該流體流動速率，以便改變通過該第一流體流動路徑及該第一排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定。
該流體供應系統可進一步包含在該流體源與一第二組件之間的一第二流體流動路徑。該流體供應系統可進一步包含在該第二流體流動路徑中之一第二組件閥門，及連接在該第二組件閥門上游之該第二流體流動路徑與在該第二組件閥門下游之該第二流體流動路徑之一第二旁路線路。
該流體供應系統可進一步包含用於自該流體源或該接合點至該排放組件之流體流動之一第二排放流體流動路徑，及在該第二排放流體流動路徑中之一第二排放閥門。為了改變至該第二組件之該流體流動速率，該第一控制器可調整該第二組件閥門及該第二排放閥門，以便改變通過該第二流體流動路徑及該第二排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定及/或將實質上恆定壓力維持於該接合點處之該流體流動中。
該排放組件可為選自需要供應有流體之一組件、用於處置廢棄物之一排放件或一再循環單元之群組的排放組件。該流體供應系統可進一步包含一第二控制器，該第二控制器經組態以控制該流體源以在一實質上恆定壓力及/或實質上恆定流動速率下供應流體。
該流體源可經組態以供應一液體。該流體供應系統可包含一液體供應系統。
在一實施例中，存在一種連接至如本文中所描述之流體供應系統的微影裝置。
該微影裝置可進一步包含一流體處置元件以在一投影系統之一最終元件與一基板之間供應流體，其中該流體處置系統連接至該流體供應系統。
在一實施例中，存在一種改變自一流體源至一組件之流體流動速率的方法，該方法包含調整該流體源與該組件之間的一流體流動路徑中之一閥門，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定。
在一實施例中，存在一種改變自一流體源至一組件之流體流動速率的方法，該方法包含：改變一接合點與該組件之間的一流體流動管道中之該流體速率，在該接合點處，該流體流動管道經由一排放流體流動路徑而連接至一排放組件；改變該接合點與該排放組件之間的該排放流體流動路徑中之該流體流動速率；及將一實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。
在一實施例中，存在一種元件製造方法，其包含：將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體而投影至該基板上；及使用本文中所描述之一或多種方法來改變至該空間之流體流動速率。
在一實施例中，存在一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含藉由將一流體源連接至一第一組件之一第一流體流動管道所界定之一第一流體路徑，該系統包含：一接合點；及一控制器。該接合點係在該第一流體流動管道中，其經由一第二流體流動路徑而將該第一流體流動管道連接至一第二組件。該控制器經組態以改變至該第一組件之流體速率，該控制器經組態以：改變該接合點與該第一組件之間的該第一流體流動管道中之該流體速率、改變該接合點與該第二組件之間的該第二流體流動路徑中之該流體速率，及將一實質上恆定壓力維持於該接合點處之流體流動中。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗布顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文中所描述之控制器可各自或組合地係可操作的。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於以上所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。控制器可包括用於儲存該等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納該媒體之硬體。因此，控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為以上所提及之彼等類型，且無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制。在未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在該未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒流體或其可能提供浸沒液體限制比例，但未提供浸沒液體之實質上完整限制。
應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於兩相流動之一或多個開口的組合。開口可各自為至浸沒空間中之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸沒空間之出口(或至流體處置結構中之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
10．．．液體供應系統
11．．．投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間
12．．．本體/液體處置系統/液體供應系統
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封件
90．．．液體控制器
100．．．第一控制器
110．．．第一組件/埠/消耗裝置
110a．．．埠
110b．．．埠
111a．．．流動限制件
111b．．．流動限制件
112．．．第一液體流動路徑
114．．．第一組件閥門
115．．．流動限制件
116．．．第一旁路線路
117．．．流動限制件
120．．．液體源/液體供應件
121．．．接合點
122．．．第一排放液體流動路徑
124．．．第一排放閥門/分支閥門
125．．．流動限制件
126．．．第一排放旁路線路
127．．．流動限制件
128．．．單向閥門
140．．．排放件
200．．．第二控制器
212．．．另外液體流動路徑
215．．．流動限制件
222．．．另外排放液體流動路徑
224．．．組件閥門/分支閥門
225．．．流動限制件
244．．．排放閥門
250．．．沿線閥門
260．．．閥門
310．．．另外組件/第二組件
312．．．另外液體流動路徑
320．．．組件閥門
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化元件對準標記
M2．．．圖案化元件對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統；
圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖5描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖6示意性地說明本發明之一實施例的流體供應系統；
圖7示意性地說明本發明之另外實施例的流體供應系統；
圖8示意性地說明本發明之另外實施例的流體供應系統；
圖9示意性地說明本發明之另外實施例的流體供應系統；
圖10示意性地說明本發明之另外實施例的流體供應系統；
圖11示意性地說明本發明之另外實施例的流體供應系統；及
圖12示意性地說明本發明之另外實施例的流體供應系統。
11．．．投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間
12．．．本體/液體處置系統/液體供應系統
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封件
PS．．．投影系統
W．．．基板

Claims (16)

  1. 一種用於一微影裝置之流體供應系統，該微影裝置包括一第一組件且連接至或可連接至一流體源，該流體供應系統包括：一第一流體流動路徑(first fluid flow path)，其係在該流體源與該第一組件之間；一第一排放流體流動路徑(first drain fluid flow path)，其用於使一流體自該第一流體流動路徑中之一接合點(junction)流動至一排放組件(drain component)；第一組件閥門，位於該接合點與該組件間之該第一流體流動路徑中；一第一排放閥門(first drain valve)，其係在該第一排放流體流動路徑中；一第一旁路線路(first by-pass line)，其連接位在該第一組件閥門上游之該第一流體流動路徑與位在該第一組件閥門下游之該第一流體流動路徑，或者一第一排放旁路線路(first drain by-pass line)，其連接位在該第一排放閥門上游之該第一排放流體流動路徑與位在該第一排放閥門下游之該第一排放流體流動路徑，或者該第一旁路線路與該第一排放旁路線路兩者；一第一控制器，其經組態以藉由控制該第一組件閥門、該第一排放閥門或同時兩者來改變自該流體源至該第一組件之一流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力(flow resistance)維持實質上恆 定。
  2. 如請求項1之流體供應系統，其中為了改變至該第一組件之該流體流動速率，該第一控制器調整該第一組件閥門及該第一排放閥門，以便改變通過該第一流體流動路徑及該第一排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定及/或將實質上恆定壓力維持於該接合點處之該流體流動中。
  3. 如請求項2之流體供應系統，其中該總流動阻力經維持實質上恆定，及/或在該接合點處之該流體流動中的該壓力係藉由敞開該第一排放閥門或該第一組件閥門及閉合該第一排放閥門及該第一組件閥門中之另一者而經維持實質上恆定。
  4. 如請求項1之流體供應系統，其進一步包含：在該流體源與該第一組件之間的一另外流體流動路徑，其中一另外組件閥門係在該另外流體流動路徑中；及在該流體源與該排放件之間的一對應另外排放流體流動路徑，其中一另外排放閥門係在該另外排放流體流動路徑中。
  5. 如請求項4之流體供應系統，其中該第一控制器經組態以藉由調整該等組件閥門中之一或多者及該等對應排放閥門中之一或多者而改變該流體流動速率，以便改變通過該第一流體流動路徑及該第一排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定。
  6. 如請求項1之流體供應系統，其進一步包含在該流體源與一第二組件之間的一第二流體流動路徑。
  7. 如請求項6之流體供應系統，其進一步包含在該第二流體流動路徑中之一第二組件閥門，及連接在該第二組件閥門上游之該第二流體流動路徑與在該第二組件閥門下游之該第二流體流動路徑之一第二旁路線路。
  8. 如請求項7之流體供應系統，其進一步包含用於自該流體源或該接合點至該排放組件之流體流動之一第二排放流體流動路徑，及在該第二排放流體流動路徑中之一第二排放閥門。
  9. 一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含藉由將一流體源連接至一第一組件之一第一流體流動管道所界定之一第一流體路徑，該系統包含：在該第一流體流動管道中之一接合點，其經由一第一排放流體流動路徑而將該第一流體流動管道連接至一排放組件；及一第一控制器，其經組態以改變至該第一組件之一流體速率，該控制器經組態以：藉由控制該第一流體流動管道中之一第一流動改變元件(first flow varying device)，改變該接合點與該第一組件之間的該第一流體流動管道中之該流體速率；藉由控制該第一排放流體流動路徑中之一第二流動改變元件，改變該接合點與該排放組件之間的該第一排放流體流動路徑中之該流體速率；及 將在該接合點處之流體流動維持在一實質上恆定壓力。
  10. 一種連接至一流體供應系統之微影裝置，該微影裝置包括一第一組件且連接至或可連接至一流體源，該流體供應系統包括：一第一流體流動路徑，其係在該流體源與該第一組件之間；一第一排放流體流動路徑，其用於使一流體自該第一流體流動路徑中之一接合點流動至一排放組件；一另外流體流動路徑(further fluid flow path)，其係在該流體源與該第一組件之間，在該另外流體流動路徑中具有一組件閥門(component valve)；一對應的另外排放流體流動路徑，其係在該流體源與該排放組件之間，在該另外排放流體流動路徑中具有一排放閥門(drain valve)；及一第一控制器，其經組態以藉由控制該組件閥門及/或該排放閥門來改變自該流體源至該第一組件之一流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該第一控制器經組態以藉由調整該另外組件閥門及/或該另外排放閥門，以便改變通過該第一流體流動路徑及該第一排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定。
  12. 一種改變自一流體源至一微影裝置之一組件之流體流動速率的方法，其中一組件流體流動路徑連接至該流體源與該組件，且一排放流體流動路徑將該組件流體流動路 徑自該組件流體流動路徑中之排放流體流動路徑之一接合點連接至一排放組件，該組件流體流動路徑具有一組件閥門且該排放流體流動路徑具有一排放閥門，該方法包括：調整該流體源與該組件之間的該組件流體流動路徑中之該組件閥門，同時使在該流體源下游對流體流動之總流動阻力維持實質上恆定；及使流體通過一組件旁路線路(component by-pass line)或使流體通過一排放旁路線路(drain by-pass line)或使流體同時通過該組件旁路線路與該排放旁路線路兩者，其中該組件旁路線路連接位在該組件閥門上游之該組件流體流動路徑與位在該組件閥門下游之該組件流體流動路徑，且其中該排放旁路線路連接位在該排放閥門上游之該排放流體流動路徑與位在該排放閥門下游之該排放流體流動路徑。
  13. 一種改變自一流體源至一組件之流體流動速率的方法，該方法包含：藉由控制一流體流動管道中之一第一流動改變元件來改變一接合點與該組件之間的該流體流動管道中之該流體速率，在該接合點處，該流體流動管道經由一排放流體流動路徑而連接至一排放組件；藉由控制該排放流體流動路徑中之一第二流動改變元件來改變該接合點與該排放組件之間的該排放流體流動路徑中之該流體流動速率；及 將在該接合點處之流體流動維持在一實質上恆定壓力。
  14. 一種元件製造方法，其包含：將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體而投影至該基板上；藉由調整一流體源與一組件之間的一流體流動路徑中之一閥門來改變自該流體源至該空間之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定；使流體自該流體流動路徑中之一接合點流過一排放流體流動路徑至一排放組件；及使流體流過該流體源與該空間之間的一另外流體流動路徑，且使流體流過該流體源與該排放組件之間的一對應的另外排放流體流動路徑，該另外排放流體流動路徑具有一排放閥門。
  15. 如請求項14之方法，包括藉由調整該另外組件閥門及/或該另外排放閥門，以便改變通過該流體流動路徑及該排放流體流動路徑之該流體流動速率，同時使在該流體源下游對流體之總流動阻力維持實質上恆定。
  16. 一種用於一微影裝置之流體供應系統，其包含藉由將一流體源連接至一第一組件之一第一流體流動管道所界定之一第一流體路徑，該系統包含：在該第一流體流動管道中之一接合點，其經由一第二流體流動路徑而將該第一流體流動管道連接至一第二組 件；及一控制器，其經組態以改變至該第一組件之流體速率，該控制器經組態以：藉由控制該第一流體流動管道中之一第一流動改變元件來改變該接合點與該第一組件之間的該第一流體流動管道中之該流體速率；藉由控制該第二流體流動路徑中之一第二流動改變元件來改變該接合點與該第二組件之間的該第二流體流動路徑中之該流體速率；及將在該接合點處之流體流動維持在一實質上恆定壓力。
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