TWI574124B - 支撐裝置、微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

支撐裝置、微影裝置及器件製造方法 Download PDF

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葛路特 安東尼司 法蘭西斯科司 喬漢尼司 德
克莉絲汀娜 艾利珊卓 胡甄丹
喬漢斯 亨利哈斯 威廉瑪斯 賈庫博
凱特 尼可拉斯 添
馬提恩 豪班
雷孟德 威黑墨斯 路易斯 拉法瑞
禎 史蒂芬 克里斯丁 威斯特雷肯
金 文森 奧維卡皮
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Description

支撐裝置、微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種支撐裝置、一種微影裝置及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描 述本發明之一實施例。然而，另一流體可合適，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體特別理想。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可具有或可不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸沒於液體浴中(參見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可導致不理想且不可預測之效應。
在浸潤裝置中，浸潤流體係由流體處置系統、器件結構或裝置處置。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸潤流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤流體之障壁且藉此為障壁部件，諸如，流體限制結構。在一實施例中，流體處置系統可創製或使用氣流，例如，以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸潤流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸潤液體用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
在微影裝置中處置浸潤液體會伴有液體處置之一或多個問題。 間隙通常存在於一物件(諸如，基板及/或感測器)與圍繞該物件(例如，基板及/或感測器)之邊緣之台(例如，基板台或量測台)之間。美國專利申請公開案US 2005-0264778揭示用材料來填充彼間隙或提供液體源或低壓力源以用液體來故意地填充該間隙，以便避免在該間隙通過於液體供應系統下方時產生之氣泡夾雜及/或移除未進入該間隙之任何液體。
舉例而言，需要改良微影裝置之物件固持器之溫度量變曲線(temperature profile)的穩定性。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之支撐裝置，該支撐裝置包含：一物件固持器，其經組態以支撐一物件；及一抽取本體，其自該物件固持器徑向地向外，該抽取本體包含經組態以自該支撐裝置之一頂部表面抽取流體之一抽取開口，其中該抽取本體係與該物件固持器隔開，使得該抽取本體自該物件固持器實質上解耦；其中該抽取本體包含一突出物，該突出物經組態成使得其環繞該物件固持器，且使得在使用時，一液體層保留於該突出物上且接觸該物件固持器上支撐之一物件。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之支撐裝置，該支撐裝置包含：一物件固持器；及一抽取本體，其自該物件固持器徑向地向外，該抽取本體包含經組態以自該支撐裝置之一頂部表面抽取流體之一抽取開口，其中該抽取本體係由複數個周邊隔開接頭連接至該物件固持器，使得在該等接頭之間，該抽取本體係與該物件固持器隔開。
根據一態樣，提供一種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含：將由一圖案化器件圖案化之一光束投影至一基板上，同時用一支撐裝置來支撐該基板，其中該支撐裝置包含：一物件固持器，其經組態以支撐一物件；及一抽取本體，其自該物件固持器徑向地向 外，該抽取本體包含經組態以自該支撐裝置之一頂部表面抽取流體之一抽取開口，其中該抽取本體係與該物件固持器隔開，使得該抽取本體自該物件固持器實質上解耦；其中該抽取本體包含一突出物，該突出物經組態成使得其環繞該物件固持器，且使得在使用時，一液體層保留於該突出物上且接觸該物件固持器上支撐之一物件。
根據一態樣，提供一種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含：將由一圖案化器件圖案化之一光束投影至一基板上，同時用一支撐裝置來支撐該基板，其中該支撐裝置包含：一物件固持器；及一抽取本體，其自該物件固持器徑向地向外，該抽取本體包含經組態以自該支撐裝置之一頂部表面抽取流體之一抽取開口，其中該抽取本體係由複數個周邊隔開接頭連接至該物件固持器，使得在該等接頭之間，該抽取本體係與該物件固持器隔開。
根據一態樣，提供一種支撐裝置，該支撐裝置包含：一台，其係由具有一熱導率之一台材料形成；一本體，其定位於該台之一凹座內，其中在該本體與該台之間存在一間隙；及一部件，其自該本體之一頂部表面至該台之一頂部表面而橋接該間隙，該部件包含熱阻材料之一熱阻層，該熱阻材料的一熱導率低於該台材料之該熱導率。
根據一態樣，提供一種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含：將由一圖案化器件圖案化之一光束投影至一基板上，同時用一支撐裝置來支撐該基板，其中該支撐裝置包含：一台，其係由具有一熱導率之一台材料形成；一本體，其定位於該台之一凹座內，其中在該本體與該台之間存在一間隙；及一部件，其自該本體之一頂部表面至該台之一頂部表面而橋接該間隙，該部件包含熱阻材料之一熱阻層，該熱阻材料的一熱導率低於該台材料之該熱導率。
5‧‧‧間隙
11‧‧‧空間/液體/液體儲集器
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧氣體密封件/高速氣流
30‧‧‧突出物
31‧‧‧頂部表面
32‧‧‧液體層/流體層
60‧‧‧基板支撐裝置
61‧‧‧基板固持器
62‧‧‧突出物
65‧‧‧抽取本體
66‧‧‧抽取開口
67‧‧‧通路
68‧‧‧通道
69‧‧‧頂部表面
70‧‧‧貼紙
71‧‧‧黏接劑層
72‧‧‧膜層
75‧‧‧中間間隙
80‧‧‧通路
81‧‧‧界面
82‧‧‧底部表面
85‧‧‧基板固持器凹座
91‧‧‧周邊隔開接頭
92‧‧‧間隙
93‧‧‧片段
94‧‧‧電阻性感測器
101‧‧‧接頭調節系統
105‧‧‧頂部表面
106‧‧‧間隙
111‧‧‧主體
112‧‧‧覆蓋環
115‧‧‧頂部表面
121‧‧‧信用標記
122‧‧‧頂部表面
123‧‧‧間隙
124‧‧‧薄膜密封件
125‧‧‧覆蓋環凹座
130‧‧‧液體抽取器
131‧‧‧開口
132‧‧‧通路
133‧‧‧通道
151‧‧‧加熱器/溫度感測器
161‧‧‧流體攜載通道
171‧‧‧熱管
201‧‧‧邊緣加熱器
202‧‧‧邊緣加熱器
203‧‧‧邊緣加熱器
204‧‧‧邊緣加熱器
271‧‧‧本體
272‧‧‧瘤節
273‧‧‧間隙
274‧‧‧部件
275‧‧‧熱阻層
276‧‧‧熱調適層
277‧‧‧頂部表面
279‧‧‧凹座
291‧‧‧部件凹座
300‧‧‧通道
301‧‧‧通路
500‧‧‧控制器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IH‧‧‧液體限制結構/障壁部件/液體供應系統
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施 例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖5描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖6至圖8以橫截面描繪一實施例之支撐裝置之零件；圖9以平面圖描繪一實施例之支撐裝置之零件；圖10至圖14以橫截面描繪一實施例之支撐裝置之零件；圖15至圖19以橫截面描繪一實施例之熱調節系統；圖20至圖30以橫截面描繪一實施例之支撐裝置之零件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；- 支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台，或經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W之基板支撐裝置60，其連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該台之表面(例如，基板W之表面)之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學 組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任 何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或兩個以上基板台，或一或多個基板台與一或多個感測器台或量測台之組合。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板台、感測器台及量測台之方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化器件台(或載物台或支撐件)。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之一體式零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於源SO，照明器IL可被認為或可不被認為形成微影裝置之零件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之一體式零件，或可為與微影裝置分離之實體。在後者狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於 其上。視情況，照明器IL可拆卸，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由圖案化器件MA圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板支撐裝置60，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其在圖1中未被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之零件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板支撐裝置60之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板支撐裝置60保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板支撐裝置60在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最 大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板支撐裝置60(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板支撐裝置60相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度(及曝光場之大小)判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板支撐裝置60。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板支撐裝置60之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置可分類成三種一般類別。此等類別為浴類型配置、所謂局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板支撐裝置60之部分被浸沒於液體浴中。
局域化浸潤系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。由液體填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面，且經填充有液體之體積相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在彼體積下方移動。圖2至圖5展示可用於此系統中之不同供應器件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種已提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中，液體未受限制。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體之深度小。液體可為在基板上之液體膜，諸如，液體薄膜。浸潤液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或供應於該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5之液體供應器件中任一者亦可用於此系統中。然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域無效。
如圖2及圖3所說明，液體係由至少一入口供應至基板上，較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向。液體在已通過於投影系統下方之後由至少一出口移除。隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圍繞最終元件而定位之入口及出口之各種定向及數目係可能的；圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意，圖2及圖3中藉由箭頭展示液體之流動方向。
圖4展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係由投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口供應，且由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口移除。應注意，圖4中藉由箭頭展示流體及基板之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著投影系統之最終元件與基板、基板台或此兩者之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。
圖5示意性地描繪具有液體限制結構IH之局域化液體供應系統或流體處置系統，液體限制結構IH沿著投影系統之最終元件與基板支撐裝置60或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意， 另外或在替代例中，除非另有明確陳述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台之表面)。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構IH與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件之無接觸密封件。
液體限制結構IH使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構IH至少部分地形成。由液體入口13將液體帶入至在投影系統PS下方且在液體限制結構IH內之空間中。可由液體出口13移除液體。
可由氣體密封件16使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於障壁部件IH之底部與基板W之表面之間。在壓力下經由入口15將氣體密封件中之氣體提供至障壁部件IH與基板W之間的間隙。經由出口14抽取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在障壁部件IH與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。全文據此以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在一實施例中，液體限制結構IH不具有氣體密封件。
本發明之一實施例可應用於包括(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0158627號、第US 2006-0038968號、第US 2008-0212046號、第US 2009-0279060號、第US 2009-0279062號、第US 2004-0207824號、第US 2010-0313974號及第US 2012-0120376號所揭示之流體處置結構的任何流體處置結構，所有該等專利申請公開案之內容之全文係據此以引用方式併入本文中。
控制器500控制微影裝置之總操作且尤其執行下文進一步所描述 之操作程序。控制器500可被體現為經合適程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出器件(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接，及至微影裝置之各種零件之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係係不必要的。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影裝置。在本發明之一實施例中，多個網路連接式電腦可用以控制一個微影裝置。控制器500亦可經組態以控制一零件係由微影裝置形成之微影製造單元(lithocell)或叢集中之一或多個關聯程序器件及基板處置器件。控制器500亦可經組態為從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。在一實施例中，該控制器操作該裝置以執行本發明之一實施例。在一實施例中，控制器500具有記憶體以儲存本文所描述之步驟1之結果以供稍後用於步驟2中。
圖6描繪本發明之一實施例。圖6為通過支撐裝置及物件之橫截面。在一實施例中，支撐裝置為基板支撐裝置60且物件為基板W。支撐裝置包含物件固持器。物件固持器經組態以固持物件。在以下描述中，在支撐裝置為基板支撐裝置60且物件固持器為用以固持基板W之基板固持器61的內容背景中描述本發明之一實施例。然而，在一實施例中，物件固持器為(例如)用以固持感測器之感測器固持器，且基板支撐裝置60為用於物件固持器之支撐裝置，視情況不能夠固持基板。
如圖6所描繪，基板W係由基板固持器61固持。在一實施例中，基板固持器61包含一或多個突出物62(例如，瘤節(burl))。基板固持器61可被稱為小突起台(pimple table)或瘤節台(burl table)。
基板支撐裝置60包含抽取本體65。抽取本體65自基板固持器61徑向地向外。在圖6中，在基板支撐裝置60及基板W之圖式下方之箭頭指示徑向向外方向。在一實施例中，抽取本體65經塑形成使得抽取本體65在平面圖中環繞基板固持器61。在一實施例中，抽取本體65形 成封閉形狀。該形狀並不受到特定地限制且可為(例如)環帶或多邊形。
當基板W之邊緣正被成像時或在其他時間，諸如，當基板W首先在投影系統PS下方移動時，液體11將至少部分地通過於基板W之邊緣與基板支撐裝置60之邊緣之間的間隙5上方。此情形可引起液體自液體儲集器11進入間隙5。
由基板固持器61施加於基板W與基板支撐裝置60之間的負壓幫助確保基板W被穩固地固持於適當位置。然而，若液體到達於基板W與基板固持器61之間，則此情形可導致困難，特別是當卸載基板W時。
抽取本體65經組態以自基板支撐裝置60之頂部表面69抽取流體。藉由提供抽取開口66，會縮減進入液體供應系統IH之液體11之氣體氣泡。此等氣泡中之一或多者可有害地影響基板W之成像。提供抽取開口66以在基板W與基板支撐裝置60之間縮減間隙5中逸出至流體處置結構IH中之液體儲集器11中的氣體。若氣體確實逸出至液體儲集器11中，則此情形可導致浮動於液體儲集器11內之氣泡。若此氣泡處於投影光束之路徑中，則其可導致成像誤差。抽取開口66將用以自基板W之邊緣與基板支撐裝置60中經置放有基板W之凹座之邊緣之間的間隙5移除氣體。
抽取開口66主要地抽取氣體(比如，介於20與100標準公升/分鐘(Nl/min)之間)且僅抽取少量浸潤液體(比如，約1至100ml/min，且視情況為10至20ml/min)。在用此二相流的情況下，浸潤液體蒸發，從而冷卻環繞基板W之邊緣之基板支撐裝置60。此情形可引起基板W變形，其最終可導致疊對效能減低。
在一實施例中，抽取本體65係與基板固持器61隔開，使得抽取本體65自基板固持器61實質上解耦。抽取本體65自基板固持器61實質上熱解耦及/或實質上機械解耦。在一實施例中，實質上整個基板固 持器61係與實質上整個抽取本體65隔開。
藉由規定抽取本體65自基板固持器61實質上解耦，抽取本體65上之溫度負荷對基板固持器61之熱機械行為之影響縮減。詳言之，抽取本體65之冷卻對基板固持器61之效應減低。如上文所提及，此蒸發冷卻可歸因於通過抽取本體65之抽取開口66之二相流而發生。因此，可改良基板固持器61之溫度量變曲線之穩定性。
在一實施例中，物件固持器為經組態以固持感測器之感測器固持器，且抽取本體為邊緣密封部件。在一實施例中，邊緣密封部件包含用以抽取應到達通過邊緣密封部件與感測器之間的間隙之浸潤液體之抽取開口。
在一實施例中，物件固持器為經組態以固持基板之基板台，且抽取本體為感測器固持器。感測器經置放成鄰接於基板。感測器及基板係由不同支撐件支撐。在一實施例中，感測器固持器包含用以抽取應到達通過基板台與感測器之間的間隙之浸潤液體之抽取開口。
在一實施例中，抽取本體65包含通道68。通道68係通過通路67而與抽取開口66進行流體連通。抽取開口66可提供於圍繞基板W之邊緣之周邊(例如，圓周)的一或多個離散部位處。抽取開口66在平面圖中可為隙縫或圓形開口或任何其他形狀。在一實施例中，提供三個離散圓形開口以抽取自抽取本體65至基板支撐裝置60之二相流。抽取開口66可具有2毫米之直徑。通道68連接至負壓，以便抽取自基板支撐裝置60之頂部表面69通過開口66之流體。
在一實施例中，抽取本體65不具有對基板固持器61之連接，使得抽取本體65自基板固持器61拆卸。抽取本體65在任何點處不直接接觸基板固持器61。此情形縮減抽取本體65與基板固持器61之間的熱轉移，特別是藉由傳導之熱轉移。在一實施例中，基板W與基板支撐裝置60之間的間隙5窄，使得通過間隙5到達基板固持器61之底部之液體 損失最小。
在一實施例中，抽取本體65連接至基板固持器61。圖7描繪本發明之此實施例。抽取本體65自基板固持器61實質上解耦。抽取本體65係由一密封件非剛性地連接至基板固持器61。該密封件經組態以橋接抽取本體65與基板固持器61之間的中間間隙75。
在一實施例中，密封件包含貼紙70。貼紙70經配置以縮減通過中間間隙75之液體損失。在一實施例中，貼紙70密封中間間隙75。在一實施例中，密封件係藉由(例如)焊接、螺栓連接或真空夾持而形成。抽取開口66經組態以自基板固持器61與抽取本體65之間在密封件上方之間隙抽取流體。
在一實施例中，貼紙70包含黏接劑層71及膜層72。黏接劑層71將膜層72黏附至基板固持器61及抽取本體65。貼紙70幫助防止流體進入基板固持器61與抽取本體65之間的中間間隙75。中間間隙75防止基板固持器61與抽取本體65之間的良好熱接觸。在一實施例中，貼紙70具有小於或等於50微米、小於或等於10微米或約10微米之厚度。
在一實施例中，抽取本體65係由包含真空或氣體之中間間隙75而與基板固持器61隔開。中間間隙75中之真空或近真空縮減抽取本體65與基板固持器61之間的熱轉移。
圖8描繪本發明之一實施例。如圖8所描繪，在一實施例中，基板支撐裝置60包含基板台WT。基板固持器61定位於基板台WT之物件固持器凹座內。在物件固持器為基板固持器61之內容背景中，物件固持器凹座為基板台WT之基板固持器凹座85。抽取本體65之至少一部分定位於基板固持器凹座85內。如圖8所描繪，在一實施例中，實質上整個抽取本體65定位於基板固持器凹座85內。然而，未必需要為此狀況。如下文將解釋且如(例如)圖12所描繪，在一實施例中，抽取本體65之部分延伸超出基板固持器凹座85。
如圖8所描繪，抽取本體65在界面81處連接至基板台WT。界面81在抽取本體65與基板台WT之間提供連接。基板WT之加速力係經由界面81而轉移至抽取本體65。界面81在界面81將加速力自基板台WT轉移至抽取本體65之程度上提供硬連接。界面81處之連接之硬度理想地最小，以便縮減抽取本體65與基板台WT之間的熱轉移。
在一實施例中，界面81處於抽取本體65之底部表面82及/或徑向表面(例如，徑向向外邊緣)。圖8中描繪此情形。在一實施例中，界面81處於抽取本體65之外部表面。
界面81處之連接形式並不受到特定地限制。在一實施例中，抽取本體65係藉由真空夾持、螺栓連接、膠黏及/或運動板片彈簧耦接而連接至基板台WT。
在一實施例中，界面81包含一或多個瘤節。在一實施例中，瘤節與基板台WT之間的連接區域小於瘤節與抽取本體65之間的接觸表面。此情形向瘤節提供額外可撓性。
在一實施例中，間隙5之表面具備疏水性塗層。疏水性塗層幫助縮減自基板支撐裝置60之頂部表面69通過中間間隙75之液體損失。
在一實施例中，抽取本體65係由相同於基板固持器61之材料的材料製成。在一實施例中，舉例而言，基板固持器61及抽取本體65兩者係由SiC、SiSiC或類鑽石材料形成。藉由使抽取本體65之材料與基板固持器61之材料匹配，可縮減基板固持器61與抽取本體65之間的熱機械串擾。
在一實施例中，抽取本體65係由相同於基板台WT之材料的材料製成。在一實施例中，舉例而言，抽取本體65及基板台WT兩者係由諸如Zerodur®或堇青石之玻璃陶瓷形成。
圖9以平面圖描繪本發明之一實施例。在一實施例中，抽取本體65係由複數個周邊隔開接頭91連接至基板固持器61。在該等接頭91之 間，抽取本體65係與基板固持器61隔開。
藉由規定抽取本體65係僅由接頭91連接至基板固持器61，會縮減基板固持器61與抽取本體65之間的熱轉移。此情形縮減抽取本體65處之蒸發冷卻對基板固持器61之效應。又，此情形縮減蒸發冷卻對基板W之效應。基板固持器61之熱量變曲線之穩定性得以改良。
間隙92形成於該等接頭91之間。間隙92可包含真空或氣體。間隙92縮減抽取本體65與基板固持器61之間的熱轉移，特別是藉由傳導之熱轉移。在一實施例中，間隙92之表面具備疏水性塗層。
接頭91在抽取本體65與基板固持器61之間提供最小硬連接。該連接可足夠硬，使得加速力自基板固持器61轉移至抽取本體65。在一實施例中，硬度最小，以便縮減基板固持器61與抽取本體65之間的熱機械串擾。
如(例如)圖8及圖12所描繪，在一實施例中，基板固持器61係由(例如)一系列瘤節連接至基板台WT。瘤節允許將加速力自基板台WT轉移至基板固持器61，同時在該等瘤節之間亦提供縮減基板台WT與基板固持器61之間的熱轉移之間隙。
圖10描繪本發明之一實施例。在一實施例中，該等接頭91中至少一者自基板固持器61之頂部表面僅部分地延伸朝向抽取本體65之底部表面82。直接在該等接頭91中至少一者下方，抽取本體65係與基板固持器61隔開。在該等接頭91中至少一者下方，間隙106提供於基板固持器61與抽取本體65之間。可包含真空或氣體之間隙106縮減基板固持器61與抽取本體65之間的熱轉移。間隙106係與間隙92進行流體連通。
在一實施例中，接頭91自基板固持器61之頂部表面延伸至抽取本體65之底部表面82。在一實施例中，接頭91係與基板固持器61及/或抽取本體65成整體。在一實施例中，接頭91不為與基板固持器61及 /或抽取本體65分離之片件。在一實施例中，抽取開口66定位於接頭91上方。
在一實施例中，該等接頭91中至少一者包含接頭調節系統101，接頭調節系統101經組態以將熱能供應至接頭91及/或接頭91之間及/或自接頭91及/或接頭91之間移除熱能。接頭調節系統101可為任何類型之熱調節系統。下文進一步詳細地描述且圖15至圖19中描繪合適熱調節系統。圖15至圖19描繪應用於抽取本體65之主體之合適熱調節系統。詳言之，圖15至圖19描繪應用於與抽取開口66進行流體連通之通道68的熱調節系統。此等熱調節系統可應用於接頭91。
在一實施例中，接頭91整個地沿著基板固持器61與抽取本體65之間的周邊之至多10%而延伸。該周邊沿著接頭91之間的間隙92而延伸。基板固持器61與抽取本體65之間的中間間隙75之周邊之至少90%由接頭91之間的間隙92組成。在圖9中，中間間隙75被表示為兩個虛線之間的區。該兩個虛線對應於基板固持器61及抽取本體65之邊緣。藉由規定接頭91沿著周邊之至多10%而延伸，可將主題固持器61與抽取本體65之間的熱轉移縮減至可接受位準。
在一實施例中，接頭91在基板固持器61與抽取本體65之間提供機械硬度。在一實施例中，接頭91整個地沿著周邊之至少2%或至少5%而延伸。此情形允許接頭91在基板固持器61與抽取本體65之間提供可接受位準之機械硬度。
圖9及圖10所描繪之基板支撐裝置60可具備如(例如)圖8所描繪之基板台WT。
接頭91之數目並不受到特定地限制。在一實施例中，基板支撐裝置60包含6個、8個、10個、12個、14個或更多接頭91。接頭91之數目可為奇數或偶數。抽取本體65分段成數目與接頭91之數目一樣多的片段93。每一片段93沿著抽取本體65自一個接頭91延伸至一鄰近接頭 91。每一片段93係由間隙92而與基板固持器61隔開。
抽取本體65係僅由接頭91機械及熱連接至基板固持器61。此情形縮減自抽取本體65至基板固持器61之熱串擾。基板固持器61與抽取本體65之間的熱傳導縮減。
抽取本體65之溫度變化可引起在基板固持器61之外部邊緣處引入機械應力。此係歸因於機械串擾。此機械串擾可引起基板固持器61及基板W之局域變形。
在圖9所描繪之實施例中，相比於習知系統中之情形，抽取本體65與基板固持器61之間的機械串擾不同地起作用。在分段式抽取本體65中，機械應力僅在接頭91之位置處轉移至基板固持器61。基板固持器61中引入之應力係藉由抽取本體65之每一片段93之伸長率(或收縮率)以及接頭91之硬度判定。
每一片段93之伸長率主要地受到彼片段93之平均溫度影響。為了縮減片段93之伸長率，應理想地將彼片段93內之所有局域應變之總和縮減至0。在此狀況下，在基板固持器61上將不存在機械應力。以上術語伸長率用以意謂歸因於溫度變化的片段93之長度增加。應理想地亦縮減歸因於溫度變化的片段93之收縮率。
在一實施例中，該等片段93中至少一者包含電阻性感測器94。電阻性感測器94可為薄膜電阻性感測器。電阻性感測器94經組態以量測片段93之平均溫度。電阻性感測器94定位於抽取本體65之表面上或處。舉例而言，電阻性感測器94可定位於抽取本體65之頂部表面105上或處，或抽取本體65之底部表面82上或處。
在一實施例中，該等片段93中至少一者包含經組態以將熱能施加至抽取本體65之加熱器。在一實施例中，控制器500經組態以基於由電阻性感測器94進行之量測而控制加熱器，以便維持片段93之平均溫度。在一實施例中，電阻性感測器94用以將熱施加至抽取本體65。 舉例而言，此情形可在將電流施加至電阻性感測器94的情況下進行。在此狀況下，無需額外加熱器。
電阻性感測器94量測遍及電阻性感測器94之實質上整個長度之電阻。在一實施例中，電阻性感測器94定位於兩個鄰近接頭91之間。電阻性感測器94量測彼片段93之平均溫度。片段93之平均溫度對應於片段93之伸長率(或收縮率)。
電阻性感測器94之熱回應由於其低質量而極快速。相比於使用(例如)習知感測器及撓曲箔片加熱器，可藉由使用電阻性感測器94且視情況使用分離加熱器來增加控制效能。在一實施例中，用薄膜加熱器來替換電阻性感測器94。
在一實施例中，間隙92包含真空。在一實施例中，間隙92在基板支撐裝置60之上部表面處敞開。然而，未必需要為此狀況。在一實施例中，可覆蓋或封閉間隙92。舉例而言，可將諸如貼紙之薄膜材料/密封件施加於間隙92上方，或可用具有低熱導率之材料來封閉間隙92。
圖11描繪本發明之一實施例。在一實施例中，抽取本體65包含主體111及覆蓋環112。覆蓋環112定位於主體111之頂部表面115處。在一實施例中，覆蓋環112係與主體111成整體。在一實施例中，覆蓋環112為與主體111分離之本體。藉由在抽取本體65之頂部處提供將在正常使用時接觸液體供應器件IH之覆蓋環112，抽取開口66、通路67及通道68中之熱負荷對液體供應器件IH之熱效應縮減。
圖12描繪本發明之一實施例。在一實施例中，覆蓋環112徑向地向外延伸超出主體111之徑向範圍。當在橫截面中進行檢視時，抽取本體65具有階梯狀剖面。
藉由規定覆蓋環112徑向地向外延伸超出主體111之徑向範圍，基板台WT之較少頂部表面122在微影裝置之使用時接觸液體儲集器11。 在一實施例中，基板台WT之頂部表面122具備疏水性塗層。疏水性塗層幫助縮減基板台WT上之蒸發負荷。當液體儲集器11接觸基板台WT之頂部表面122時，疏水性塗層可降解。此情形可引起液體損失增加且引起蒸發負荷增加。蒸發負荷可引起基板台WT變形。
覆蓋環112可保護基板台WT之部分。當液體儲集器11接觸覆蓋環112時，在覆蓋環112上產生蒸發負荷(且基板台WT之頂部表面122上之蒸發負荷對應地縮減)。歸因於流體處置結構IH之熱負荷對基板台WT之效應縮減。此情形改良基板台WT之溫度量變曲線之穩定性。
在一實施例中，徑向地向外延伸超出主體111之徑向範圍的覆蓋環112之部分定位於基板台WT之覆蓋環凹座125內。在一實施例中，覆蓋環凹座125自基板固持器凹座85徑向地向外。覆蓋環凹座125淺於基板固持器凹座85，使得覆蓋環凹座125及基板固持器凹座85形成基板台WT之階梯狀凹座。
在一實施例中，當基板W係由基板固持器61固持時，基板W之頂部表面係與抽取本體65之頂部表面105實質上共平面。在一實施例中，抽取本體65之頂部表面105係與基板台WT之頂部表面122實質上共平面。
在一實施例中，覆蓋環112實質上延伸至基板台WT之頂部表面122處之信用標記121。然而，未必需要為此狀況。在一實施例中，信用標記121係與基板台WT之覆蓋環凹座125隔開。
在一實施例中，覆蓋環112與基板台WT之頂部表面122處之信用標記121(或頂部表面122)之間的間隙123係由薄膜密封件124橋接。薄膜密封件124呈各種構造，其可相同於關於圖7所描述之貼紙70之各種可能構造。
藉由規定覆蓋環112延伸遍及通常將接觸液體供應器件IH的基板台WT之部分，基板台WT中之熱負荷對液體供應器件IH且尤其對微影 裝置之液體透鏡之效應縮減。此情形改良微影裝置之疊對及聚焦。在一實施例中，以相似於接頭91之熱調節方式的方式來熱調節覆蓋環112。在一實施例中，覆蓋環112經配置以便提供預防基板台WT之可能加熱及/或冷卻源之熱屏蔽。此情形可藉由在覆蓋環112與基板台WT之間提供熱絕緣而達成。
在一實施例中，覆蓋環112具有至少3毫米之厚度。在一實施例中，覆蓋環112具有一厚度以便硬，使得在覆蓋環112之底部與在微影裝置之使用時直接在覆蓋環112下方的基板台WT之表面之間實質上無需接觸。然而，在一實施例中，在覆蓋環112之底部表面與基板台WT之對置表面之間提供非剛性局域連接。在一實施例中，非剛性局域連接具有極低熱導率，以便縮減基板台WT與抽取本體65之覆蓋環112之間的熱轉移。
圖13描繪本發明之一實施例。在一實施例中，基板支撐裝置60包含液體抽取器130。液體抽取器130自抽取開口66徑向地向內。液體抽取器130經組態以自基板固持器61之頂部表面抽取液體。
提供液體抽取器130以幫助防止自間隙5到達基板W下方之任何液體防止在成像之後的基板W自基板固持器61之有效率釋放。液體抽取器130之提供會縮減或消除可歸因於液體到達基板W下方而發生之問題。類似於抽取開口66，液體抽取器130藉由負壓而移除流體。
液體抽取器130包含開口131及通道133。通道133係通過通路132而與開口131進行流體連通。開口131可提供於圍繞基板W之邊緣之周邊的一或多個離散部位處，且在平面圖中可為隙縫或圓形開口或任何其他形狀。在一實施例中，圍繞(例如)基板W之邊緣提供三個離散(圓形)開口131。
圖14描繪本發明之一實施例。在一實施例中，抽取本體65包含液體抽取器130之至少一部分。在一實施例中，通道133提供於抽取本 體65中。在一實施例中，通路132橫跨抽取本體65與基板固持器61之間的中間間隙75。在一實施例中，中間間隙75窄，使得至基板固持器61之底部之液體損失最小。
藉由將液體抽取器130之至少一部分提供於抽取本體65中，液體抽取器130處之熱負荷對基板固持器61之效應縮減。
在一實施例中，液體抽取器130包含經組態以將熱能供應至液體抽取器130及/或自液體抽取器130移除熱能之液體抽取器調節系統。液體抽取器調節系統為熱調節系統。下文描述且圖15至圖19中描繪合適熱調節系統。在圖15至圖19中，在用於與抽取本體65之抽取開口66進行流體連通之通道68之熱調節系統的內容背景中描繪熱調節系統。此等熱調節系統同等地適用於液體抽取器130，且尤其適用於液體抽取器130之通道133。
在一實施例中，抽取本體65定位於基板固持器61與基板台WT之間。在一實施例中，抽取開口66經組態以自基板支撐裝置60之頂部表面69抽取氣體及液體兩者。在一實施例中，抽取本體65與基板固持器61之間的空間周邊地連續，且自抽取本體65之頂部表面105至抽取本體65之底部表面82連續。
圖15至圖19描繪根據本發明之一實施例之熱調節系統。在圖15至圖19中，熱調節系統應用於抽取本體65之抽取器之零件。熱調節系統可應用於液體抽取器130及/或應用於接頭91及/或應用於基板支撐裝置60之其他零件。圖15至圖19所描繪之熱調節系統可彼此組合。
在一實施例中，抽取本體65包含經組態以將熱能供應至抽取本體65及/或自抽取本體65移除熱能之抽取本體調節系統。抽取本體調節系統為熱調節系統。
圖15描繪根據本發明之一實施例之熱調節系統。在一實施例中，熱調節系統包含可受到獨立地控制之複數個調節單元。複數個調 節單元中每一者經組態以將熱能供應至抽取本體65之各別調節區及/或自抽取本體65之各別調節區移除熱能。在一實施例中，調節單元包含加熱器/溫度感測器151。在一實施例中，加熱器/溫度感測器經定位成鄰近於與抽取本體65之抽取開口66進行流體連通之通道68。
加熱器/溫度感測器151可受到獨立地控制。溫度感測器經組態以感測通道68之溫度。加熱器經組態以將熱能供應至通道68。在一實施例中，控制器500控制加熱器/溫度感測器151，以便使通道68(或基板支撐裝置60之另一組件)維持於某一(例如，預定)溫度。
圖16描繪根據本發明之一實施例之熱調節系統。在一實施例中，熱調節系統包含經組態以控制組件(諸如，圖16之描繪中之抽取本體65)之溫度的流體攜載通道161之網路。在一實施例中，流體攜載通道161攜載熱調節液體。舉例而言，熱調節液體可為水。流體攜載通道161使抽取本體65之溫度維持於某一(例如，預定)溫度。在一實施例中，一或多個加熱器/溫度感測器(圖中未繪示)可定位於流體攜載通道161中或附近，以便控制流體攜載通道161內之熱調節液體之溫度。
在一實施例中，流體攜載通道161攜載相變材料。在此系統中，相變材料經選擇成使得其在所要設定點溫度下改變相位且因此相比於不改變相位之流體能夠更有效率地轉移熱。
在一實施例中，流體攜載通道161攜載二氧化碳作為流體。流體攜載通道161可被稱為冷卻通道。在一實施例中，流體攜載通道161含有在一壓力下之二氧化碳，使得該二氧化碳具有至多30℃且視情況為至多22℃之沸點。二氧化碳幫助維持抽取本體65之溫度。舉例而言，抽取本體65中高於流體攜載通道161中含有之二氧化碳之沸點的過量熱可轉移至二氧化碳。此過量熱造成二氧化碳沸騰。
圖17描繪根據本發明之一實施例之熱調節系統。在一實施例 中，熱調節系統包含熱管171。在一實施例中，熱管171定位於通道68周圍。藉由將熱管171提供於通道68周圍，可容易地控制通道68之溫度。此係歸因於熱管171具有極大「傳導率(conductivity)」的事實。
在一實施例中，熱管171之至少一部分定位於通道68與基板固持器61之間。此情形縮減抽取本體65與基板固持器61之間的熱轉移。熱管171之溫度歸因於熱管171內之均勻壓力而極均勻。熱管171含有工作流體，工作流體可蒸發成蒸汽，藉此吸收熱能。蒸汽沿著熱管171之空腔遷移至處於較低溫度之區。蒸汽接著冷凝回至工作流體且由熱管171中之芯吸收。此冷凝釋放熱能。工作流體接著流動回至熱管171之較高溫度區。以此方式，熱管171中之溫度保持實質上均勻。
在一實施例中，熱管171包含選自由如下各者組成之群組之工作流體：水、丙酮、乙醇、甲醇、氨、2-丁烷、DME、1,1,1,2-四氟乙烷，及丙烷。其他工作流體可合適。
圖19描繪根據本發明之一實施例之熱調節系統。如圖19所描繪，熱調節系統可包含熱管171及至少一加熱器/溫度感測器151。加熱器/溫度感測器經組態以將能量施加至熱管171。此情形設定用於熱管171中之工作流體之飽和壓力。
圖18描繪根據本發明之一實施例之熱調節系統。在圖18所描繪之實施例中，加熱器/溫度感測器151係與流體攜載通道161組合。在一實施例中，熱調節系統在抽取本體65內提供於通道68周圍。在一實施例中，控制器500控制由加熱器/溫度感測器151提供至通道68之熱能。
提供至加熱器/溫度感測器151之能量可為電能。加熱器/溫度感測器151將電能轉換成熱能。若提供至加熱器/溫度感測器151之電能過低，則由加熱器/溫度感測器151提供之熱能將過低。若提供至加熱器/溫度感測器151之電能過高，則由加熱器/溫度感測器151提供之熱 能將過高。此情形可導致抽取本體65之溫度過低或過高。藉由規定加熱器/溫度感測器151可受到獨立地控制，可縮減此潛在誤差。
藉由另外提供流體攜載通道161之網路，可改良抽取本體65之溫度之穩定性。若存在由加熱器/溫度感測器151提供之過量熱，則該過量熱將藉由(例如)流體攜載通道161內含有之二氧化碳之蒸發而被吸收。
在一實施例中，控制器500經組態以將流體攜載通道161內之二氧化碳之壓力控制為約6×106帕斯卡。代替二氧化碳或除了二氧化碳以外之另一流體亦可用於流體攜載通道161中。
圖20描繪本發明之一實施例。在一實施例中，抽取本體65包含在抽取本體65之外部邊緣上之邊緣加熱器201。在一實施例中，抽取本體65包含在抽取本體65之內部表面上之邊緣加熱器202。在一實施例中，基板固持器61包含定位於基板固持器61之外部邊緣處之邊緣加熱器203。在一實施例中，邊緣加熱器201、202、203可受到控制器500獨立地控制。邊緣加熱器201、202、203幫助維持基板支撐裝置60之溫度量變曲線之穩定性。邊緣加熱器201、202、203中每一者可包含一溫度感測器。
圖21至圖26描繪藉由組合上文所描述之特徵而形成的本發明之特定實施例。另外特定實施例可藉由本文所描述之可能特徵之其他組合而形成。
圖21描繪本發明之一實施例。在圖21所描繪之實施例中，液體抽取器130提供於基板固持器61中。基板固持器61係由流體攜載通道161之網路進行熱調節。抽取本體65係由流體攜載通道161之網路進行熱調節。抽取本體65之覆蓋環112係由流體攜載通道161進行熱調節。
圖22描繪本發明之一實施例。在圖22所描繪之實施例中，液體抽取器130提供於基板固持器61中。基板固持器61包含經組態以控制 基板固持器61之溫度的流體攜載通道161之網路。基板固持器61包含定位於基板固持器61之外部邊緣處之邊緣加熱器203。抽取本體61包含在抽取本體65之外部邊緣及內部邊緣處之邊緣加熱器201、202。
圖23描繪本發明之一實施例。在圖23所描繪之實施例中，液體抽取器130提供於基板固持器61中。基板固持器61係由流體攜載通道161之網路進行熱調節。抽取本體65包含在抽取本體65之外部邊緣及內部邊緣處之邊緣加熱器201、202。
圖24描繪本發明之一實施例。在圖24所描繪之實施例中，液體抽取器130之部分提供於抽取本體65中。通道133提供於抽取本體65中。通路132之部分提供於抽取本體65中。基板固持器61包含經組態以控制基板固持器61之溫度的流體攜載通道161之網路。抽取本體65包含在抽取本體65之外部邊緣及內部邊緣處之邊緣加熱器201、202。邊緣加熱器201、202經組態以控制抽取本體65之溫度。可藉由用流體攜載通道161來替換邊緣加熱器201、202而修改圖24所描繪之實施例。
圖25描繪本發明之一實施例。在圖25所描繪之實施例中，液體抽取器130之部分提供於抽取本體65中。通道133提供於抽取本體65中。通路132之部分提供於抽取本體65中。抽取本體65具有對應於基板固持器61之階梯狀形狀的階梯狀形狀。液體抽取器130之通道133提供於直接在基板固持器61之部分下方的抽取本體65之部分中。
在圖25所描繪之實施例中，基板固持器61包含經組態以控制基板固持器61之溫度的流體攜載通道161之網路。基板固持器61包含在該基板固持器之外部邊緣處之邊緣加熱器203。抽取本體65包含在抽取本體65之外部邊緣及內部邊緣處之邊緣加熱器201、202。可藉由用流體攜載通道161來替換邊緣加熱器201、202、203而修改圖25所描繪之實施例。
圖26描繪本發明之一實施例。在圖26所描繪之實施例中，液體抽取器130之部分提供於抽取本體65中。通道133提供於抽取本體65中。通路132之部分提供於抽取本體65中。如在圖25中一樣，抽取本體65具有對應於基板固持器61之階梯狀形狀的階梯狀形狀。基板固持器61包含經組態以控制基板固持器61之溫度的流體攜載通道161之網路。抽取本體65包含定位於抽取本體65之外部邊緣及內部邊緣處之邊緣加熱器201、202。流體攜載通道161自通路132徑向地向外提供於基板固持器61中，其連接通道133與液體抽取器130之開口131。可藉由用流體攜載通道161來替換邊緣加熱器201、202而修改圖26所描繪之實施例。
在圖24至圖26所描繪之實施例中，覆蓋環112可由一或多個加熱器/溫度感測器、藉由單相調節、藉由二相調節、由一或多個帕耳帖(Peltier)元件、由一或多個流體攜載通道或由此等組件之任何組合進行熱調節。
在微影裝置之使用期間，基板台WT相對於液體限制結構IH而移動，使得液體限制結構IH處於直接在基板台WT上方之位置。在一實施例中，基板台WT經致動以相對於液體限制結構IH而移動。可要求將空間11中之液體之溫度控制至數千克耳文(Kelvin)內。此係因為空間11中之液體之溫度影響微影裝置之有效透鏡之折射率。
當基板台WT相對於液體限制結構IH而移動，使得液體限制結構IH處於基板台WT上方之位置時，熱可在空間11中之液體與基板台WT之間轉移。此熱轉移可不理想地造成空間11中之液體之溫度變化。需要提供基板台WT與空間11中之液體之間的熱轉移縮減的支撐裝置60。
圖27以橫截面描繪根據本發明之一實施例的支撐裝置60之零件。支撐裝置60包含諸如基板台WT之台，及本體271。本體271定位 於基板台WT之凹座279內。在本體271與基板台WT之間存在間隙273。
如圖27所描繪，支撐裝置60包含橋接間隙273之部件274。部件274可被稱為密封部件或密封件。部件274自本體271之頂部表面277延伸至基板台WT之頂部表面122。部件274之部分處於本體271之頂部表面277上。部件274之部分定位於基板台WT之頂部表面122上。
基板台WT係由具有熱導率之台材料形成。部件274包含熱阻層275。熱阻層275係由熱阻材料形成。熱阻材料的熱導率低於台材料之熱導率。
部件274縮減當液體限制結構IH直接在基板台WT上方時基板台WT與空間11中之液體之間的熱轉移。熱阻層275用作對離開基板台WT朝向空間11中之液體之熱轉移的抵抗及對離開空間11中之液體朝向基板台WT之熱轉移的抵抗。相比於基板台WT在微影裝置之使用期間直接接觸空間11中之液體的情形，歸因於熱阻層275之低熱導率係數，自台材料朝向空間11中之液體之熱轉移顯著地縮減。部件274提供熱屏蔽(例如，熱隔離器或熱絕緣)，其實質上縮減空間11中之液體與基板台WT之間的熱轉移。
部件274可與本文所描述之實施例中任一者組合，特別是與關於圖6至圖26所描述之實施例中任一者組合。在一實施例中，本體271為如上文所描述之抽取本體65。在一實施例中，舉例而言，本體271可為基板固持器61或感測器。在本體271為抽取本體65之狀況下，本體271之頂部表面277對應於抽取本體65之頂部表面105。
在一實施例中，抽取本體65及基板固持器61並不彼此熱解耦。在一實施例中，抽取本體65及基板固持器61形成單一組件。部件274可自彼單一組件延伸至基板台WT之頂部表面122。在一實施例中，間隙273對應於如上文所描述之中間間隙75。在一實施例中，凹座279對 應於如上文所描述之基板固持器凹座85。
如圖27所描繪，在一實施例中，本體271係經由複數個瘤節272而連接至基板台WT。代替瘤節272，本體271可藉由諸如真空夾具、螺栓、膠黏劑及/或運動板片彈簧耦接之其他方式而連接至基板台WT。
圖28以橫截面描繪根據本發明之一實施例之支撐裝置60。在一實施例中，相比於處於本體271之頂部表面277上，部件274之更多部分處於基板台WT之頂部表面122上。在一實施例中，相比於沿著本體271之頂部表面277向內，部件274延伸沿著基板台WT之頂部表面122徑向地向外延伸得更遠。參看圖27，此意謂距離D2大於距離D1。
距離D2指示部件274沿著基板台WT之頂部表面122向外延伸(例如，徑向地)的程度。在向外(徑向)方向上自凹座279之內部邊緣至部件274之外部邊緣量測距離D2。圖27之底部處之箭頭表示(徑向)向外方向。距離D1對應於部件274沿著本體271之頂部表面277向內延伸(徑向地)的程度。自本體271之外部邊緣至部件274之內部邊緣計算距離D1。
藉由規定相比於處於本體271之頂部表面277上，部件274更多地處於基板台之頂部表面122上(D2)，部件274更有效率地縮減基板台WT與液體限制結構IH之空間11中之液體之間的熱轉移。
如圖28所描繪，在一實施例中，部件274延伸遍及基板台WT之實質上整個頂部表面122。在一實施例中，部件274實質上連續。部件274可環繞處於基板台WT上之一或多個組件，諸如，一或多個感測器。部件274可防止空間11中之液體直接接觸基板台WT。部件274可縮減基板台WT之頂部表面122之所有點與空間11中之液體之間的熱轉移。
在一實施例中，部件274包含熱調適層276。熱調適層276係由熱 調適材料形成。此處，術語熱調適材料用以指代形成熱調適層276之材料。熱調適材料將其溫度調適至相同於空間11中之液體之溫度的溫度。相比於台材料在25℃下之比熱容量，熱調適材料在25℃下具有較低比熱容量。當基板台WT相對於液體限制結構IH而移動，使得液體限制結構IH處於直接在基板台WT上方之位置時，空間11中之液體可直接接觸部件274。當空間11中之液體接觸包含熱調適層276之部件274時，部件274相對快速地將其溫度調適至該液體之溫度。
在一實施例中，熱調適層276定位於熱阻層275上方。在一實施例中，熱調適層276形成部件274之頂部表面。空間11中之液體直接接觸熱調適層276。歸因於熱調適層276之低比熱容量，空間11中之液體之溫度變化極低。熱調適層276之低比熱容量意謂：在熱調適層276處於實質上相同於空間11中之液體之溫度的溫度之前，在空間11中之液體與熱調適層276之間轉移相對少量能量。歸因於相對少量能量轉移，空間11中之液體之溫度變化相對低。
在一實施例中，熱調適材料具有高於台材料之熱導率的熱導率。對於熱調適層276與空間11中之液體之間的熱轉移，可存在高轉移係數。當液體接觸熱調適層276時，部件274部分地歸因於高轉移係數而快速地將其溫度調適至液體之溫度。
在一實施例中，熱調適層276具有小於或等於50微米、小於或等於20微米或小於或等於10微米之厚度。熱調適層276薄，使得其具有低總熱容量且不會顯著地影響(例如)基板台WT之頂部表面122與基板W之間的共平面關係。當空間11中之液體接觸熱調適層276時，歸因於部件274與該液體之間的熱轉移的該液體之溫度變化相對低。
在一實施例中，熱調適材料在25℃下具有小於或等於800J/kgK之比熱容量，或在25℃下具有小於或等於600J/kgK之比熱容量。藉由具有低比熱容量，當液體接觸部件274時液體之溫度變化相對低。
在一實施例中，熱調適材料係選自由不鏽鋼及鈦組成之群組。在一實施例中，可用於熱調適材料之材料包含鋁、SiSiC、(經囊封)熱裂解石墨，及鋁矽酸鋰玻璃-陶瓷(諸如，Zerodur®)。此等材料相比於不鏽鋼及鈦可較不有利，此係因為其具有較高比熱容量。在一實施例中，熱調適材料防水。在一實施例中，熱調適材料具有相對高熱阻。
不鏽鋼具有約16至24W/mK之熱導率。鈦具有約15至23W/mK之熱導率。熱調適材料之熱導率可大於台材料之熱導率。在一實施例中，熱調適材料之熱導率相對低。舉例而言，相比於將防水且具有低比熱容量之其他金屬，不鏽鋼及鈦具有相對低熱導率。
在一實施例中，熱阻層275處於熱調適層276與基板台WT之頂部表面122及本體271之頂部表面277兩者之間。液體接觸熱調適層276，但不接觸熱阻層275。
在一實施例中，熱阻材料在25℃下具有高於台材料之熱容量的比熱容量。
在一實施例中，熱阻層275具有小於或等於50微米、小於或等於20微米或小於或等於10微米之厚度。熱阻層275薄，使得部件274之總熱容量相對低。當部件274接觸液體時，液體之溫度變化歸因於部件274之低熱容量而相對低。
在一實施例中，熱阻材料具有小於或等於0.5W/mK、小於或等於0.1W/mK或小於或等於0.05W/mK之熱導率。藉由具有相對低熱導率且因此具有高熱阻，部件274且尤其是熱阻層275縮減當液體限制結構IH直接在基板台WT上方時基板台WT之台材料與空間11中之液體之間的熱轉移。
在一實施例中，熱阻材料為黏接劑。熱阻層275可用以將熱調適層276黏附至基板台WT及本體271。在一實施例中，部件274為貼紙。
在一實施例中，熱阻材料係選自由丙烯酸酯聚合物、矽烷基末 端聚醚(諸如，MS Polymer®)及環氧樹脂組成之群組。在一實施例中，另一材料可用作熱阻材料。環氧樹脂可具有在自約0.05W/mK至約0.35W/mK之範圍內之熱導率。環氧樹脂在25℃下具有約1000J/kgK之比熱容量。
在一實施例中，台材料可為堇青石或Zerodur®。Zerodur®在25℃下具有約820J/kgK之比熱容量。Zerodur®具有約1.5W/mK之熱導率。
在一實施例中，部件274具有小於或等於100微米、小於或等於50微米、小於或等於20微米或小於或等於10微米之總厚度。部件274具有小的總厚度，使得其總熱容量相對低。此情形縮減接觸部件274之液體之溫度變化。在一實施例中，部件274薄，使得其不會顯著不利地影響基板台WT之平坦頂部表面122。
在一實施例中，部件274具有小於或等於25W/mK、小於或等於15W/mK或小於或等於10W/mK之平均熱導率。平均熱導率指代部件274總體上之熱導率，而非其子部分之熱導率。部件274具有低平均熱導率，以便縮減當液體限制結構IH直接在基板台WT上方時基板台WT之台材料與空間11中之液體之間的熱轉移。
在一實施例中，部件274在25℃下具有小於或等於1500J/kgK之平均比熱容量、在25℃下具有小於或等於1000J/kgK之平均比熱容量，或在25℃下具有小於或等於750J/kgK之平均比熱容量。在25℃下之平均比熱容量指代部件274總體上在25℃下之比熱容量，而非其子部分之比熱容量。部件274具有低平均比熱容量，使得部件274相對快速地將其溫度調適至接觸部件274之液體之溫度。
圖29以橫截面描繪根據本發明之一實施例之支撐裝置60。如圖29所描繪，在一實施例中，基板台WT包含部件凹座291。部件274至少部分地處於部件凹座291內。部件凹座291縮減部件274處於基板台 WT之頂部表面122上方(若果真發生的話)的程度。在一實施例中，部件凹座291具有實質上等於部件274之總厚度的深度。在一實施例中，部件274係與基板台WT之頂部表面122實質上共平面。在一實施例中，在基板W係由基板台WT中之基板固持器61固持之狀況下，部件274之頂部表面係與該基板實質上共平面。
圖30以橫截面描繪一實施例之支撐裝置之零件。抽取本體65自基板固持器61實質上熱解耦及/或實質上機械解耦。
在一實施例中，抽取本體65包含突出物30。突出物30經組態成使得其環繞物件固持器(例如，基板固持器61)。突出物30經組態成使得在使用時，液體層32保留於突出物30上且接觸物件固持器(例如，基板固持器61)上支撐之物件(例如，基板W)。
在一實施例中，突出物30可經組態成使得其頂部表面31形成環帶。環帶圍繞抽取本體65之內部區而延伸。環帶環繞基板固持器61。此情形可促進製造。在一實施例中，突出物30在實質上垂直於基板W之方向上延伸。在一實施例中，突出物30之頂部表面31面對基板W之下部表面。
在一實施例中，突出物30可經組態成使得突出物30之頂部表面31與由基板固持器61支撐之基板W之下部表面之間的分離度為約20微米或更小。在一實施例中，突出物可經組態成使得突出物30之頂部表面31與由基板固持器61支撐之基板W之下部表面之間的分離度為約10微米或更小。
在使用時，液體層32在突出物30之頂部表面31與基板W之下部表面之間保留於突出物30上。突出物30經組態成使得在使用時，液體層32防止液體自突出物30之徑向向外處流動至突出物30之徑向向內處。之所以可達成此情形係因為保留於突出物30上之液體層32之毛細管壓力大於歸因於突出物30之徑向向外處與突出物30之徑向向內處之間的 壓力差之力。毛細管壓力為迫使液體層32通過基板W與突出物30之間的間隙所必要之力且針對較小間隙較高。毛細管壓力係由橫越液體層32與周圍氣體(例如，空氣)之間的界面之壓力差造成。
若突出物30之頂部表面31與基板W之下部表面之間的分離度過大(例如，大於20微米或大於10微米)，則液體層32之毛細管壓力不足夠大以防止液體自突出物30之徑向向外處流動至突出物30之徑向向內處。分離度愈小，毛細管壓力愈大，且藉此，防止液體自突出物30之徑向向外處流動至突出物30之徑向向內處的功能愈大。
突出物30之頂部表面31不接觸基板W之下部表面。任何此類接觸將不理想，此係因為其將不利地影響基板W之平坦度。出於此原因，可需要提供用於突出物30之頂部表面31與基板W之下部表面之間的目標分離度之下限。舉例而言，在一實施例中，突出物30經組態成使得突出物30之頂部表面31與基板W之下部表面之間的分離度為2微米或更大。
在一實施例中，突出物30之頂部表面31低於抽取本體65之頂部表面105。此情形允許基板W定位成使得基板W之周邊區直接定位於突出物30上方。基板W之頂部表面可與抽取本體65之頂部表面105實質上共平面。
在一實施例中，基板支撐裝置60經組態成使得在使用時，抽取本體65之部分延伸於物件固持器(例如，基板固持器61)上支撐之物件(例如，基板W)之周邊邊緣下方。圖30中描繪此情形，圖30展示出抽取本體65之內部周邊區在徑向方向上與基板W之外部周邊區重疊。自基板W上方及/或抽取本體65上方流動之液體可流動通過抽取本體65與基板W之間的間隙5。可經由抽取本體65之抽取開口66、通路67及通道68而抽取流動通過間隙5之液體。藉由規定抽取本體65伸出至基板W下方，會防止此液體到達基板固持器61。
在如圖30所示之實施例中，基板固持器61實質上不包含任何種類之液體抽取器。在一實施例中，基板固持器61在使用時實質上不接觸用於浸潤微影裝置中之液體。僅由與基板固持器61分離之抽取本體65抽取液體。基板W係僅由基板固持器61支撐而非由抽取本體65支撐。在一實施例中，在基板支撐功能(由基板固持器61執行)與液體俘獲功能(由抽取本體65執行)之間存在完整分離度。在一實施例中，基板固持器61為與抽取本體65分離之本體。由突出物30上之液體層32造成之熱負荷最小。
基板固持器61執行支撐基板W且執行準確定位之功能。藉由將基板支撐裝置60配置成使得基板固持器61實質上不接觸液體，可增加基板固持器61定位基板W之準確度。此係因為基板固持器61實質上不受到由(例如)液體蒸發造成之熱負荷影響。
藉由提供突出物30，會避免液體接觸基板固持器61之可能性，藉此增加基板固持器61之準確度。
在一實施例中，抽取本體65之內部周邊區與基板W之外部周邊區之間的重疊範圍為約0.5毫米或更大。在一實施例中，抽取本體65之內部周邊區與基板W之外部周邊區之間的重疊範圍為約3毫米或更小。
在一實施例中，抽取本體65可包含通道300。通道300連接至通路301，通路301將通道300連接至抽取本體65之通路80。通道300及通路301係選用的。通路80定位於基板W之下部表面與抽取本體65之上部表面之間。通路80經定位成自突出物30緊接徑向地向外。通路80延伸於基板W下方。
在一實施例中，通道300係與真空連通，使得流體自通路80被吸入通過通路301而到達通道300。在一實施例中，通道300係與過壓連通且通路301將通道300連接至中間間隙75。在一實施例中，真空或過 壓受到控制，以便迫使液體層32自突出物30徑向地向外且離開突出物30。此情形可在(例如)卸載基板W之前進行。此情形使較易於移除基板W且使有可能排出乾燥基板。
在一實施例中，通道300用以控制自突出物30徑向地向外之壓力與自突出物30徑向地向內之壓力之間的差，使得該壓力差小於液體層32之毛細管壓力。此情形使液體層32保持於突出物30上。
在一實施例中，通路301不將通道300連接至抽取本體65之通路80。取而代之，在一實施例中，通路301將通道300連接至抽取本體65與基板固持器61之間的中間間隙75。在此狀況下，通道係與過壓連通。在一實施例中，通路301將通路80連接至通道68，在此狀況下，可省略通道300。
存在突出物30上之流體層32之毛細管壓力造成向下拉動基板W之外部周邊的可能性。存在此情形縮減基板W之平坦度的風險。該平坦度可縮減達大約10奈米之量。可預測及補償毛細管壓力對基板W之平坦度之效應。
存在氣泡聚集於接近於突出物30之通路80中的可能性。此係因為：在自突出物30緊接徑向地向外之區中，流體流在兩個方向上處於特別低速率。在一實施例中，通道300及通路301可用以自抽取本體65之通路80之此隅角吸入任何此等氣泡或氣體囊袋。
在一實施例中，抽取本體65包含熱調節系統，諸如，經組態以控制抽取本體65之溫度的流體攜載通道161之網路。在一實施例中，流體攜載通道161攜載熱調節液體。舉例而言，熱調節液體可為水。流體攜載通道161使抽取本體65之溫度維持於某一(例如，預定)溫度。在一實施例中，一或多個加熱器/溫度感測器(圖中未繪示)可定位於流體攜載通道161中或附近，以便控制流體攜載通道161內之熱調節液體之溫度。
對於基板固持器及抽取本體被形成為同一本體之零件(亦即，使得不存在中間間隙75)的基板支撐裝置，藉由提供此等流體攜載通道，可將歸因於由抽取造成之熱負荷的最大基板位移縮減達原先的約二分之一。或者，藉由使抽取本體自基板固持器熱解耦(亦即，藉由提供中間間隙75)，可將歸因於由抽取造成之熱負荷的最大基板位移縮減達原先的約六分之一。因此，在縮減基板位移方面，使抽取本體自基板固持器熱解耦相比於提供流體攜載通道更有效三倍。
熱解耦連同流體攜載通道(或者，諸如邊緣加熱器之溫度控制機構)之組合式效應大於個別效應之總和。詳言之，已發現，藉由結合流體攜載通道161而提供中間間隙75(例如，如圖30所描繪)，將歸因於抽取之最大基板位移縮減達原先的約八十(其顯著地大於2×6=12)分之一。下文解釋此情形之原因。
儘管藉由提供中間間隙75進行之熱解耦將最大基板位移縮減達原先的約六分之一，但橫越基板支撐裝置60之溫度差增加達約10倍；此情形不理想。將流體攜載通道161提供於抽取本體65中會有效於縮減橫越基板支撐裝置60之溫度差。因此，藉由提供中間間隙75及流體攜載通道161，將最大基板位移減低達此大因數。在一實施例中，中間間隙為至少0.2毫米。在一實施例中，中間間隙為至少0.5毫米。在一實施例中，中間間隙為至多3毫米。
在一實施例中，抽取本體65包含在抽取本體65之外部邊緣上之邊緣加熱器201。在一實施例中，抽取本體65包含在抽取本體65之下部表面上之邊緣加熱器204。在一實施例中，邊緣加熱器201、204可受到控制器500獨立地控制。邊緣加熱器201、204幫助維持基板支撐裝置60之溫度量變曲線之穩定性。邊緣加熱器201、204中每一者可包含一溫度感測器。除了流體攜載通道161以外或作為流體攜載通道161之替代例，亦可使用邊緣加熱器201、204。
諸圖所描繪之特徵可彼此組合。僅僅藉由實例，圖30之特徵可與圖8之界面81及/或圖11之覆蓋環112組合。
在一實施例中，提供一種支撐裝置，該支撐裝置包含：一台，其係由具有一熱導率之一台材料形成；一本體，其定位於該台之一凹座內，其中在該本體與該台之間存在一間隙；及一部件，其自該本體之一頂部表面至該台之一頂部表面而橋接該間隙，該部件包含熱阻材料之一熱阻層，該熱阻材料的一熱導率低於該台材料之該熱導率。
在一實施例中，相比於處於該本體之該頂部表面上，該部件之更多部分處於該台之該頂部表面上。
在一實施例中，相比於沿著該本體之該頂部表面向內，該部件沿著該台之該頂部表面向外延伸得更遠。
在一實施例中，該部件延伸遍及該台之實質上整個該頂部表面。
在一實施例中，該部件包含熱調適材料之一熱調適層，該熱調適材料在25℃下之一比熱容量低於該台材料在25℃下之一比熱容量。
在一實施例中，該熱調適材料具有高於該台材料之該熱導率的一熱導率。
在一實施例中，該熱阻層處於該熱調適層與該台之該頂部表面及該本體之該頂部表面兩者之間。
在一實施例中，該熱阻材料在25℃下具有高於該台材料之一比熱容量的一比熱容量。
在一實施例中，該熱阻材料為一黏接劑。
在一實施例中，該支撐裝置進一步包含：一物件固持器，其經組態以支撐一物件且其中該本體為自該物件固持器徑向地向外之一抽取本體，該抽取本體包含經組態以自該支撐裝置之一頂部表面抽取流體之一抽取開口，其中該抽取本體係與該物件固持器隔開，使得該抽 取本體自該物件固持器實質上解耦；其中該抽取本體包含一突出物，該突出物經組態成使得其環繞該物件固持器，且使得在使用時，一流體層保留於該突出物上且接觸該物件固持器上支撐之一物件。
在一實施例中，該抽取本體自該物件固持器斷開，使得該抽取本體自該物件固持器拆卸。
在一實施例中，該突出物經組態成使得在使用時，該液體層防止液體自該突出物之徑向向外處流動至該突出物之徑向向內處。
在一實施例中，該抽取本體係由包含一真空或一氣體之一中間間隙而與該物件固持器隔開。
在一實施例中，該物件固持器及該抽取本體之至少一部分定位於該台之一物件固持器凹座內，且其中該抽取本體在一界面處連接至該台。
在一實施例中，該界面處於該抽取本體之一底部表面及/或一徑向表面。
在一實施例中，該抽取本體係藉由一真空夾具、一螺栓、膠黏劑及/或一運動板片彈簧耦接而連接至該台。
在一實施例中，該支撐裝置進一步包含：一物件固持器，其中該本體為自該物件固持器徑向地向外之一抽取本體，該抽取本體包含經組態以自該支撐裝置之一頂部表面抽取流體之一抽取開口，其中該抽取本體係由複數個周邊隔開接頭連接至該物件固持器，使得在該等接頭之間，該抽取本體係與該物件固持器隔開。
在一實施例中，該等接頭中至少一者自該物件固持器之一頂部表面僅部分地延伸朝向該抽取本體之一底部表面，使得直接在該至少一接頭下方，該抽取本體係與該物件固持器隔開。
在一實施例中，該等接頭中至少一者包含一接頭調節系統，該接頭調節系統經組態以將熱能供應至該接頭及/或供應於該等接頭之 間及/或自該接頭及/或在該等接頭之間移除熱能。
在一實施例中，該等接頭整個地沿著該物件固持器與該抽取本體之間的一周邊之至多10%而延伸。
在一實施例中，該物件固持器及該抽取本體之至少一部分定位於該台之一物件固持器凹座內。
在一實施例中，該抽取本體包含一突出物，該突出物經組態成使得其環繞該物件固持器，且使得在使用時，一液體層保留於該突出物上且接觸該物件固持器上支撐之一物件。
在一實施例中，該突出物經組態成使得在使用時，該液體層防止液體自該突出物之徑向向外處流動至該突出物之徑向向內處。
在一實施例中，該突出物之一頂部表面低於該抽取本體之一頂部表面。
在一實施例中，該支撐裝置經組態成使得在使用時，該抽取本體之部分延伸於該物件固持器上支撐之一物件之一周邊邊緣下方。
在一實施例中，該抽取本體包含一主體及定位於該主體之一頂部表面處之一覆蓋環，其中該部件處於該覆蓋環之頂部上。
在一實施例中，該覆蓋環徑向地向外延伸超出該主體之一徑向範圍。
在一實施例中，該覆蓋環實質上延伸至該支撐裝置之該台之該頂部表面處的一信用標記。
在一實施例中，該抽取本體包含一抽取本體調節系統，該抽取本體調節系統經組態以將熱能供應至該抽取本體及/或自該抽取本體移除熱能。
在一實施例中，該抽取本體調節系統包含可受到獨立地控制之複數個調節單元，其中該複數個調節單元中每一者經組態以將熱能供應至該抽取本體之一各別調節區及/或自該抽取本體之一各別調節區 移除熱能。
在一實施例中，該抽取本體調節系統包含經組態以控制該抽取本體之溫度的流體攜載通道之一網路。
在一實施例中，該抽取本體調節系統包含一冷卻通道，該冷卻通道含有在一壓力下之二氧化碳，使得該二氧化碳具有至多30℃或至多22℃之一沸點。
在一實施例中，該抽取本體調節系統包含一熱管。
在一實施例中，任一技術方案之支撐裝置包含一液體抽取器，該液體抽取器自該抽取開口徑向地向內且經組態以自該物件固持器之一頂部表面抽取液體。
在一實施例中，該抽取本體包含該液體抽取器之至少一部分。
在一實施例中，該液體抽取器包含一液體抽取器調節系統，該液體抽取器調節系統經組態以將熱能供應至該液體抽取器及/或自該液體抽取器移除熱能。
在一實施例中，該抽取本體包含一抽取本體調節系統，該抽取本體調節系統經組態以將熱能供應至該抽取本體及/或自該抽取本體移除熱能，且其中該液體抽取器調節系統及該抽取本體調節系統可受到獨立地控制。
在一實施例中，該液體抽取器調節系統包含經組態以控制該液體抽取器之溫度的流體攜載通道之一網路。
在一實施例中，該抽取本體與該物件固持器之間的一空間周邊地連續，且自該抽取本體之一上部表面至該抽取本體之一底部表面連續。
在一實施例中，該物件固持器為一基板固持器。
在一實施例中，提供一種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含：將由一圖案化器件圖案化之一光束投影至一基板上，同時 用一支撐裝置來支撐該基板，其中該支撐裝置包含：一台，其係由具有一熱導率之一台材料形成；一本體，其定位於該台之一凹座內，其中在該本體與該台之間存在一間隙；及一部件，其自該本體之一頂部表面至該台之一頂部表面而橋接該間隙，該部件包含熱阻材料之一熱阻層，該熱阻材料的一熱導率低於該台材料之該熱導率。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有一或多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約436奈米、405奈米、365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或 兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之任何控制器可各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此等媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸潤微影裝置，尤其(但不獨佔式地)為上文所提及之彼等類型，且不管浸潤液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或未受限制。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中，液體供應系統可不限制浸潤液體或其可提供浸潤液體限制之比例，但未提供浸潤液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。該等開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或出自浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可 包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵之一或多個元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
5‧‧‧間隙
30‧‧‧突出物
31‧‧‧頂部表面
32‧‧‧液體層/流體層
60‧‧‧基板支撐裝置
61‧‧‧基板固持器
65‧‧‧抽取本體
66‧‧‧抽取開口
67‧‧‧通路
68‧‧‧通道
75‧‧‧中間間隙
80‧‧‧通路
105‧‧‧頂部表面
161‧‧‧流體攜載通道
201‧‧‧邊緣加熱器
204‧‧‧邊緣加熱器
300‧‧‧通道
301‧‧‧通路
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種用於一微影裝置之支撐裝置，其包含：一物件固持器，其經組態以支撐一物件；及一抽取本體，其自該物件固持器徑向地向外，且部分地在該物件之一周邊邊緣(peripheral edge)下方延伸，該抽取本體包含一第一開口及一第二開口，該第一及第二開口經組態以透過形成於該支撐裝置之一頂部表面上之一間隙在該抽取本體與該物件之間抽取流體，其中該抽取本體係與該物件固持器隔開，使得該抽取本體自該物件固持器實質上機械性地及熱解耦。
  2. 如請求項1之支撐裝置，其中該第二開口與一負壓源(under pressure)流體連通。
  3. 如請求項1之支撐裝置，其中該第一開口經配置於該物件下方且位於該第二開口徑向地向內之位置，且與一真空源流體連通。
  4. 如請求項1之支撐裝置，其中該抽取本體藉由一中間間隙而自該物件固持器實質上機械性地及熱解耦。
  5. 如請求項1之支撐裝置，其中該抽取本體藉由一密封件(seal)非剛性地(non-rigidly)連接至該物件固持器。
  6. 如請求項1之支撐裝置，其中該抽取本體藉由複數個周邊隔開接頭(peripherally spaced joints)連接至物件固持器。
  7. 如請求項1-6中任一項之支撐裝置，其中該抽取本體之一內部周邊區與物件固持器之一外部周邊區之間的重疊範圍為約0.5毫米至約3毫米。
  8. 如請求項1-6中任一項之支撐裝置，其中該抽取本體進一步包含用於控制該抽取本體之一溫度之一熱調節系統。
  9. 一種微影裝置，其包含如請求項1至8中任一項之支撐裝置。
  10. 一種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含：將由一圖案化器件圖案化之一光束投影至一基板上，同時用一支撐裝置來支撐該基板，其中該支撐裝置包含：一物件固持器，其經組態以支撐一物件；及一抽取本體，其自該物件固持器徑向地向外，且部分地在該物件之一周邊邊緣下方延伸，該抽取本體包含一第一開口及一第二開口，該第一及第二開口經組態以透過形成於該支撐裝置之一頂部表面上之一間隙在該抽取本體與該物件之間抽取流體，其中該抽取本體係與該物件固持器隔開，使得該抽取本體自該物件固持器實質上機械性地及熱解耦。
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