TWI587098B - 微影裝置及使用一微影裝置製造一器件的方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及使用一微影裝置製造一器件的方法
本發明係關於一種微影裝置及一種使用一微影裝置製造一器件的方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。 在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參看液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可合適，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體特別理想。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可具有或可不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸沒於液體浴中(參見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂存在在掃描曝光期間必須加速之大液體本體。此情形需要額外或較大功率馬達，且液體中之擾流可導致不理想且不可預測效應。
在浸潤裝置中，浸潤流體係由流體處置系統、器件結構或裝置處置。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地侷限浸潤流體且藉此為流體侷限系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤流體之障壁且藉此為障壁部件，諸如，流體侷限結構。在一實施例中，流體處置系統可產生或使用氣流，(例如)以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成密封件以侷限浸潤流體，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體侷限結構。在一實施例中，浸潤液體係用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。參看前述描述，此段中對關於流體所界定之特徵之參考可被理解為包括關於液體所界定之特徵。
液體小滴可飛濺至通常不與浸潤空間中之浸潤液體接觸之組件(諸如，投影系統之最終元件之部分)上。此等小滴可接著蒸發，從而在諸如投影系統之最終元件之組件上形成冷點(cold spot)，從而導致成像誤差及/或聚焦誤差。
因此，需要提供用以縮減飛濺小滴之效應或實質上用以避免此類小滴形成之系統。
根據一發明，提供一種微影裝置，其包含：一投影系統，其用於將一經圖案化輻射光束投影至一基板上；一流體侷限結構，其經組態以將浸潤流體侷限於該投影系統之一最終元件與該基板之一表面之間的一局域化區中；一空間，其在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限；及該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該表面上的一或多個開口，其經組態為可連接至用以將增濕氣體供應至該空間之一增濕氣體源及用以自該空間抽取氣體之一負壓源中的一者。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一投影系統，其用於將一經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一流體侷限結構，其經組態以將浸潤流體侷限於該投影系統之一最終元件與該基板之一表面之間的一局域化區中；一空間，其在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限；及一可撓性密封件，其在該流體侷限結構與該投影系統及該微影 裝置之該組件中之該至少一者之該等表面中的一者之間延伸，該可撓性密封件經組態為使得該空間係由該可撓性密封件進一步界限。
根據本發明之一態樣，提供一種使用一微影裝置製造一器件之方法，其包含：使用一投影系統以將一經圖案化輻射光束通過一浸潤流體而投影至一基板上；使用一流體侷限結構以在該投影系統之一最終元件與該基板之間的一局域化區中供應及侷限該浸潤流體；提供在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限的一空間；及如下操作中之至少一者：將增濕氣體供應至界限該空間的該投影系統及該微影裝置之該組件中之至少一者之該表面上的一或多個開口，及自界限該空間的該投影系統及該微影裝置之該組件中之至少一者之該表面上的一或多個開口抽取氣體。
根據本發明之一態樣，提供一種使用一微影裝置製造一器件之方法，其包含：使用一投影系統以將一經圖案化輻射光束通過一浸潤流體而投影至一基板上；使用一流體侷限結構以在該投影系統之一最終元件與該基板之間的一局域化區中供應及侷限該浸潤流體；提供在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限的一空間；其中該空間係由在該流體侷限結構與該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該等表面中之一者之間延伸的一可撓性密 封件進一步界限。
11‧‧‧局域化區
12‧‧‧流體侷限結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/高速氣流
50‧‧‧熱調節系統
53‧‧‧主體部件
60‧‧‧空間
61‧‧‧開口
62‧‧‧開口
63‧‧‧振動隔離系統
65‧‧‧可撓性密封件
66‧‧‧第一邊緣
67‧‧‧第二邊緣
72‧‧‧供應埠
73‧‧‧回收埠
74‧‧‧通路
75‧‧‧液體供應裝置
79‧‧‧通路
80‧‧‧液體回收裝置
81‧‧‧回收腔室
83‧‧‧多孔部件
84‧‧‧孔
400‧‧‧彎液面
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖3為描繪根據一實施例之另一液體供應系統的側橫截面圖；圖4以橫截面描繪根據本發明之另一實施例之流體侷限結構及投影系統；圖5以橫截面描繪根據本發明之另一實施例之流體侷限結構及投影系統；圖6以橫截面描繪根據本發明之另一實施例之流體侷限結構及投影系統；圖7以橫截面描繪根據本發明之另一實施例之流體侷限結構及投影系統；及圖8以橫截面描繪根據本發明之另一實施例之流體侷限結構及投影系統。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台或經建構 以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W之基板台WT，該支撐台連接至經組態以根據某些參數而準確地定位台之表面(例如，基板W)的第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各 種混合光罩類型。可程式化鏡陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。術語「透鏡」在內容背景允許時可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中之任一者或其組合。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或兩個以上基板台，或一或多個基板台及一或多個清潔台、感測器台或量測台之組合。舉例而言，在一實施例中，微影裝置為包含位於投影系統之曝光側處之兩個或兩個以上台之多載物台裝置，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中，多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感基板之第一台(亦即，基板台)；及未經組態以固持輻射敏感基板之第二台(通常在下文中(但不限於)被稱作量測台、感測器台及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外的一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者中之一或多者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記，及/或清潔器件(用以清潔(例如)液體侷限結構)。
在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板台、清潔台、感測器台及/或量測台之方式的方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化器件台(或載物台或支撐件)。
在一實施例中，微影裝置可包含用以量測裝置之組件之位置、速度等等之編碼器系統。在一實施例中，組件包含基板台。在一實施例中，組件包含量測台及/或感測器台及/或清潔台。除了本文所描述之用於台之干涉計系統以外或對本文所描述之用於台之干涉計系統之替代，存在編碼器系統。編碼器系統包含與尺度或柵格相關聯(例如，與尺度或柵格成對)之感測器、轉換器或讀頭。在一實施例中，可移動組件(例如，基板台及/或量測台及/或感測器台及/或清潔台)具有一或多個尺度或柵格，且微影裝置之框架(組件相對於其移動)具有感測器、轉換器或讀頭中之一或多者。感測器、轉換器或讀頭中之一或多者與尺度或柵格合作以判定組件之位置、速度等等。在一實施例中，微影裝置之框架(組件相對於該框架而移動)具有一或多個尺度或柵格，且可移動組件(例如，基板台及/或量測台及/或感測器台及/或清潔台)具有與該(該等)尺度或該柵格(該等柵格)合作以判定組件之位置、速度等等的感測器、轉換器或讀頭中之一或多者。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之零件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體零件，或可為自微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL可拆卸且分離地提供照明器(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之零件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位 於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
局域化浸潤系統可用以在投影系統PS之最終元件與基板W之間提供液體。局域化浸潤系統使用液體供應系統或流體侷限結構，其中將 液體僅提供至基板之局域化區域。由液體填充之區域在平面中小於基板之頂部表面，且填充有液體之區域在基板W在彼區域下方移動時相對於投影系統PS保持實質上靜止。圖2及圖3展示可用於此系統中之不同液體供應系統。存在用以將液體密封至局域化區域之密封特徵。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號揭示一種已提議安排此情形之方式。
全濕潤配置可用以在投影系統PS之最終元件與基板W之間提供液體。在全濕潤配置中，液體未受侷限。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。至少覆蓋基板之液體之深度小。液體可為基板上之液體膜(諸如，液體薄膜)。浸潤液體可被供應至投影系統及面對投影系統之對向表面或該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2及圖3之液體供應系統中之任一者亦可用於此系統中。然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
在一實施例中，微影裝置包含流體侷限結構，流體侷限結構具有液體移除器件，液體移除器件具有運用網目或相似多孔材料覆蓋之入口。網目或相似多孔材料提供接觸投影系統之最終元件與可移動台(例如，基板台)之間的空間中之浸潤液體之孔之二維陣列。在一實施例中，網目或相似多孔材料包含蜂窩狀或其他多邊形網目。在一實施例中，網目或相似多孔材料包含金屬網目。在一實施例中，網目或相似多孔材料自始至終圍繞微影裝置之投影系統之影像場而延伸。在一實施例中，網目或相似多孔材料位於流體侷限結構之底部表面上且具有面向台之表面。在一實施例中，網目或相似多孔材料使其底部表面之至少一部分大體上平行於台之頂部表面。
圖2示意性地描繪局域化液體供應系統或流體侷限結構12，其沿 著投影系統之最終元件與基板台WT或基板W之間的區之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板台WT之表面)。流體侷限結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於流體侷限結構12與基板W之表面之間，且可為無接觸密封件，諸如，氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
流體侷限結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的區11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件16，使得將液體侷限於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的區內。該區11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的流體侷限結構12而至少部分地形成。液體係藉由液體入口13而帶入至在投影系統PS下方且在流體侷限結構12內之區中。液體可藉由液體出口13而移除。流體侷限結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體侷限結構12具有在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形的內部周邊。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但無需為此狀況。
可藉由氣體密封件16而在區11中含有液體，該氣體密封件16在使用期間在流體侷限結構12之底部與基板W之表面之間形成。該氣體密封件係藉由氣體而形成。氣體密封件中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至流體侷限結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在侷限液體之高速氣流16。氣體對在流體侷限 結構12與基板W之間的液體之力使在區11中含有液體。入口/出口可為環繞區11之環形凹槽。環形凹槽可連續或不連續。氣流16對於使在區11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在一實施例中，流體侷限結構12不具有氣體密封件。
圖3為描繪根據一實施例之另一局域化液體供應系統或流體侷限結構12的側橫截面圖。圖3中所說明及下文所描述之配置可應用於上文所描述及圖1中所說明之微影裝置。液體供應系統具備流體侷限結構12，該流體侷限結構12沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板台WT之表面)。
流體侷限結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的局域化區11中至少部分地含有液體。局域化區11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的流體侷限結構12而至少部分地形成。在一實施例中，流體侷限結構12包含一主體部件53及一多孔部件83。多孔部件83成板形且具有複數個孔(亦即，開口或微孔)。在一實施例中，多孔部件83為眾多小孔84以網目之形式形成之網目板。全文據此以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2010/0045949 A1號中揭示此系統。
主體部件53包含能夠將液體供應至局域化區11之供應埠72，及能夠自局域化區11回收液體之回收埠73。供應埠72係經由通路74連接至液體供應裝置75。液體供應裝置75能夠將液體供應至供應埠72。自液體供應裝置75饋入之液體係通過對應通路74而供應至供應埠72中之每一者。供應埠72在光學路徑附近安置於主體部件53之面對光學路徑的規定位置處。回收埠73能夠自局域化區11回收液體。回收埠73係經由 通路79連接至液體回收裝置80。液體回收裝置80包含真空系統，且能夠藉由經由回收埠73吸入液體而回收液體。液體回收裝置80回收經由回收埠23通過通路29而回收的液體LQ。多孔部件83安置於回收埠73中。
在一實施例中，為了在投影系統PS與一側上之流體侷限結構12之間具有液體且在投影系統PS與另一側上之基板W之間具有液體的局域化區11，將液體自供應埠72供應至局域化區11且將流體侷限結構12中之回收腔室81中之壓力調整至負壓以便經由多孔部件83之孔84(亦即，回收埠73)回收液體。使用供應埠72執行液體供應操作且使用多孔部件83執行液體回收操作會在投影系統PS與一側上之流體侷限結構12之間形成局域化區11且在投影系統PS與另一側上之基板W之間形成局域化區11。
如上文所提及，浸潤流體小滴可飛濺至或形成於投影系統PS之最終元件之表面上。可鄰近於浸潤流體受侷限之局域化區11發生此情形。可在使彎液面400(例如)歸因於基板W及/或基板台WT相對於投影系統PS之移動而移動時發生此情形。在本發明之一實施例中，將增濕氣體之供應提供至鄰近於局域化區11中之浸潤流體之空間60。增濕氣體可含有呈氣態形式之浸潤流體。此情形可縮減浸潤流體小滴之蒸發。如圖4中所展示，空間60可在一側上由投影系統PS之表面界限且在另一側上由流體侷限結構12之表面界限。空間60被提供為鄰近於含有浸潤流體之局域化區11。因此，空間60亦可由局域化區11中之浸潤流體之表面部分地界限，例如，由彎液面400部分地界限。
視情況，如圖4中所展示，可包括至少環繞投影系統PS之最終元件之組件。舉例而言，可提供熱調節系統50。熱調節系統50可經組態以至少熱調節投影系統PS之最終元件。舉例而言，此熱調節系統50可經配置為至少圍繞投影系統PS之最終元件且緊鄰該投影系統PS之該 最終元件。至少環繞投影系統PS之最終元件之組件可具有對下文更詳細論述之熱調節系統50之實例替代的功能或除了下文更詳細論述之熱調節系統50之實例以外的功能。舉例而言，至少環繞投影系統PS之最終元件之組件可為度量衡框架。
應瞭解，在該等圖中，為了清楚起見以誇示形式展示了投影系統PS與熱調節系統50之間的分離。另外，在一些配置中，在投影系統PS與熱調節系統50或至少環繞投影系統PS之最終元件之其他組件之間可不存在分離。
熱調節系統50可經組態以最小化投影系統PS相對於所要操作溫度之溫度波動。此可(例如)藉由具有相對高熱容量之熱調節系統50來達成。舉例而言，熱調節系統50可由相對大質量之材料(諸如，金屬)形成。替代地或另外，熱調節系統50可在其內具有複數個通道。熱調節流體可提供於彼等通道內。詳言之，熱調節流體可經由維持熱調節流體之穩定溫度之調節系統而循環。替代地或另外，一或多個帕爾貼器件及/或加熱器可提供於熱調節系統50中。
儘管在熱調節系統50之使用之內容背景中描述組件，但應瞭解，可出於其他原因提供組件及/或組件可具有不同組態。在任一狀況下，應瞭解，組件50無需具有圖4至圖8中所描繪之橫截面中之形狀。
在使用諸如熱調節系統50之組件之情況下，投影系統之至少一個表面與熱調節系統50之至少一個表面之組合一起可界限空間60之一個側。圖4中描繪此配置。
藉由維持空間60內之浸潤流體濕度，可最小化來自投影系統PS之表面(且詳言之，來自投影系統PS之最終元件)上之小滴之浸潤流體之蒸發。因此，提供可經由合適導管(圖式中未被描繪)而連接至增濕氣體源的一或多個開口61。因此，增濕氣體可提供至空間60。增濕氣 體源可用以維持空間60內之濕度位準。
亦可提供一或多個開口62以自空間60抽取氣體。舉例而言，一或多個開口62可經由導管可連接至負壓源。該一或多個開口62可經適當地定位以最小化增濕氣體至微影裝置之其他零件之洩漏。
在本發明之一配置中，可連接至增濕氣體源之一或多個開口61及連接至負壓源之一或多個開口62中之至少一者可配置於空間60之與流體侷限結構12相對的側上之表面上。舉例而言，一或多個開口61、62可提供於投影系統PS之表面上，如圖4中所展示。在其他配置中，如下文所論述，開口61、62中之至少一者可提供於熱調節系統50(若被提供)之表面上。
替代地或另外，若提供至少部分地環繞投影系統PS之最終元件之另一組件，則可將開口61、62中之至少一者提供於彼組件之表面中。
在空間60之與流體侷限結構12相對的側上之表面上提供開口61、62中之至少一者可縮減在流體侷限結構12內裝配額外設施(service)之要求。可已經將複數個設施提供於流體侷限結構12內以便控制在局域化區11內浸潤流體之供應。在流體侷限結構12內提供額外設施(諸如，用以將增濕氣體提供至空間60之設施)可使現有設施之供應有困難及/或受影響。
在圖4中所描繪之配置中，可連接至增濕氣體源之一或多個開口61提供於投影系統PS之界限空間60之表面上。可連接至負壓源以自空間60抽取氣體之一或多個開口62提供於流體侷限結構12之表面上。
應瞭解，該配置可變換位置。在彼狀況下，投影系統PS之表面上之一或多個開口61可連接至負壓源，且流體侷限結構12上之一或多個開口62可連接至增濕氣體源。
圖5描繪此配置之變體。在圖5之配置中，代替提供可連接至投 影系統PS之表面上之負壓源之一或多個開口62，將可連接至負壓源之一或多個開口62提供於熱調節系統50之表面上。此配置可確保可連接至增濕氣體源或負壓源之一或多個開口61、62中之至少一者無需被容納於流體侷限結構12內。然而，此配置亦避免在投影系統PS內提供一或多個開口61、62之集合之要求。相似地，為了將一或多個開口61、62連接至增濕氣體源或負壓源而在投影系統PS中無需導管。在導管中此等開口61、62及關聯氣流之供應可造成投影系統PS內之振動。藉由在投影系統PS中無需開口61、62及/或關聯導管，可縮減投影系統PS中之振動誘發性誤差。
在本發明之一配置中，可連接至負壓源之一或多個開口62可經配置為相比於可連接至增濕氣體源之一或多個開口61較遠離含有浸潤流體之局域化區11。此配置可輔助控制增濕氣體至微影裝置之其他零件之洩漏。
應瞭解，可連接至負壓源之一或多個開口62必須與可連接至增濕氣體源之一或多個開口61足夠分離，以確保增濕氣體提供至空間60而非被立即抽取。然而，可連接至增濕氣體源之一或多個開口61與可連接至負壓源之一或多個開口62之間的分離愈大，為了最小化增濕氣體至微影裝置之其他零件之洩漏將需要之抽取之量愈大。因此，可連接至增濕氣體源之一或多個開口61與可連接至負壓源之一或多個開口62之間的分離可經選擇為用以平衡此等要求。
一般而言，可預期，空間60內之浸潤流體濕度之位準可自可連接至空間60中之增濕氣體源之一或多個開口61之部位至可連接至負壓源之一或多個開口62之部位減低。因此，空間60中之最高濕度可被發現接近於可連接至增濕氣體源之一或多個開口61之部位。因此，至少可連接至增濕氣體源之一或多個開口61可定位成儘可能接近於含有浸潤流體之局域化區11。此部位為最可能存在形成於投影系統PS之表面 上之浸潤流體小滴的部位。在此部位處提供可連接至增濕氣體源之一或多個開口61可確保最高可能濕度提供於其最有用於抑制蒸發之部位處。
因此，可連接至增濕氣體源之一或多個開口61可提供於投影系統PS之表面上。此配置之上述益處可大於在投影系統PS內產生藉由在投影系統PS內包括一或多個開口61及關聯導管而造成的振動之風險之可能缺點。
若一或多個開口61、62之集合及關聯導管提供於投影系統PS內，則該導管及/或該等開口61、62可借助於振動隔離系統63而安裝至投影系統PS。圖4中展示此配置，在圖4中可連接至增濕氣體源之一或多個開口61提供於投影系統PS之表面上。詳言之，氣體導管及經形成有一或多個開口61的投影系統PS之表面之部分可借助於形成振動隔離系統63之回彈部件及/或制振器而與投影系統PS之剩餘部分分離。此配置可最小化氣體導管與一方面可連接至增濕氣體源之開口61與另一方面可連接至投影系統PS之開口61之間的振動之轉移。因此，氣流誘發性振動可未顯著影響投影系統PS之操作。
圖6及圖7描繪其中微影裝置包括至少部分地環繞投影系統PS之最終元件之組件(諸如，熱調節系統50)之配置。如圖6及圖7中所展示，熱調節系統50可經組態成使得其亦至少部分地環繞流體侷限結構12之部分。在彼狀況下，可連接至增濕氣體源之一或多個開口61可形成於熱調節系統50之界限空間60之表面上。一或多個開口62可接著經配置於較遠離含有浸潤流體之局域化區11之部位處。詳言之，開口62可形成於組件之表面面對流體侷限系統12之對置之表面之部位處。
在圖6中所展示之一個配置中，可連接至負壓源之一或多個開口62亦可提供於熱調節系統50上。如圖7中所展示，在另一配置中，可連接至負壓源之一或多個開口62可提供於流體侷限結構12之表面上。
在諸如圖4及圖7中所描繪之配置的配置中(其中可連接至負壓源之一或多個開口62提供於流體侷限結構12之表面上)，可連接至負壓源之一或多個開口62可連接至為用以侷限浸潤流體之流體侷限結構12之系統之部分的導管。因此，常見負壓源及/或可連接至負壓源之導管可用於用以侷限流體之系統及用於自空間60抽取增濕氣體兩種操作。
應瞭解，除了圖4至圖7中所描繪之實例以外，亦可提供開口61、62之其他配置及配置組合。
增濕氣體源可經組態以供應在氣體供應件之溫度及壓力下具有最大可達到濕度之氣體。然而，在氣體自增濕氣體源至空間60之遞送期間之壓力之任何後續下降將引起來自氣體針對所得氣體壓力之最大可達到濕度的縮減。此情形可縮減抑制空間60內之浸潤流體之蒸發之效應。
因此，用於將增濕氣體自增濕氣體源之源遞送至空間60之系統可經組態以最小化壓降。舉例而言，增濕氣體源與至空間60中之一或多個開口61之間的氣體導管可經組態為平滑的及/或不具有尖銳隅角。替代地或另外，可在增濕氣體源與一或多個開口61之間使用多個導管。另外，一或多個氣體導管可具有相對大直徑，例如，3毫米至8毫米，視情況為4毫米至6毫米。亦可使用較大直徑導管。
亦可藉由將一或多個開口61配置為足夠大而最小化壓降。舉例而言，一或多個開口61可具有大約0.2毫米至2毫米，視情況為0.5毫米至1毫米之橫截面。一般而言，複數個開口61可用以將增濕氣體供應至空間60中。舉例而言，可沿著圍繞含有浸潤流體之局域化區11之線配置達10至100個孔之配置。在一配置中，開口61可彼此足夠接近，使得來自開口61之增濕氣流形成增濕氣簾。開口61可經設定為與鄰近開口隔開達數毫米至數公分。
開口61之配置可並非同樣自始至終圍繞含有浸潤流體之局域化區11。舉例而言，在第一區中的開口61之大小可不同於在第二區中的開口61之大小。替代地或另外，在第一區中的鄰近開口61之間的分離可不同於在第二區中的鄰近開口61之間的分離。
開口61之配置之不對稱性的效應可使得可在一區中相比於在另一區中提供較大增濕氣流。即使所有開口61可連接至同一增濕氣體源，亦可為此狀況。
若存在流體侷限結構12之配置之不對稱性，則此配置可有用。詳言之，流體侷限結構12經組態以抽取亦可含有浸潤流體之粒子之浸潤流體及氣體。此抽取亦可抽取提供至空間60之一些增濕氣體。當基板W及/或基板台WT相對於流體侷限結構12而移動時，浸潤流體及氣體由流體侷限結構12之抽取可經組態為在流體侷限結構12之一側上比在另一側上大，以考量基板及/或基板台WT相對於流體侷限結構12之移動。此情形可引起由流體侷限結構12在一側上比在另一側上進行的提供至空間60之增濕氣體之對應較大抽取。因此，在流體侷限結構12之此側上具有提供至空間60之相對較高增濕氣流可使在彼側上由流體侷限結構12進行之增濕氣體之額外抽取之效應偏移。此情形可確保空間60內之濕度位準在含有浸潤流體之局域化區11之所有側上儘可能地一致。
一般而言，關於可連接至負壓源之一或多個開口62之配置之考慮因素可與上文關於可連接至增濕氣體源之一或多個開口61所論述之考慮因素相同。
在一配置中，可以多孔隔膜之形式提供可連接至增濕氣體源及/或負壓源之一或多個開口61、62。然而，多孔隔膜之供應可引起相對大壓降。因此，可僅結合可連接至負壓源之一或多個開口62使用多孔隔膜。如下文所解釋，相對大壓降之供應可在抽取流路徑方面有益。
可連接至負壓源之一或多個開口62可具有與該一或多個開口62相關聯之氣流限定件(圖式中未被描繪)。舉例而言，如上文所論述，多孔隔膜可提供於一或多個開口62處。此多孔隔膜將提供氣流限定件。替代地或另外，可在將一或多個開口62連接至負壓源之導管內提供收縮。舉例而言，收縮可為導管之變窄或導管方向之一或多個改變。氣流限定件之此配置抑或另一形式之氣流限定件可用以產生壓降。抽取流路徑中之相對大壓降可縮減壓力之波動之效應。
在一配置中，氣流限定件可不與可連接至負壓源之一或多個開口62相關聯。可連接至負壓源之一或多個開口62及將一或多個開口62連接至負壓源之一或多個導管可經組態以最小化一或多個開口62與負壓源之間的壓降。此可藉由使用與上文關於可連接至增濕氣體源之一或多個開口61所論述之組態相似的組態而達到。
應瞭解，增濕氣體源可供應運用浸潤流體而增濕之任何合適氣體。在將超純水用作浸潤流體之狀況下，可方便的是將增濕空氣用作增濕氣體。
應瞭解，為了維持空間60內之濕度位準，可最小化增濕氣體自空間60之洩漏。因此，微影裝置可經組態以最小化(例如)投影系統PS與流體侷限結構12之間的間隙之大小。替代地或另外，可最小化投影系統PS與環繞投影系統PS之最終元件之任何組件(諸如，熱調節系統50)之間的間隙。替代地或另外，可最小化流體侷限結構12與環繞投影系統PS之最終元件之組件(諸如，熱調節系統50)之間的間隙。然而，應瞭解，可需要微影裝置之此等零件之間的最小分離，以便提供該等零件相對於彼此之移動，而在微影裝置之使用期間在微影裝置之該等零件之間不具有接觸。
圖8描繪可獨自或結合上文所論述之實施例中之任一者使用的本發明之一實施例。如所展示，可提供可撓性密封件65，其橫越微影裝 置之兩個零件之間的間隙而延伸以便提供至空間60之邊界。在圖8中所描繪之配置中，可撓性密封件65自流體侷限結構12之表面延伸至投影系統PS之表面。可撓性密封件65之配置可幫助使在空間60內含有增濕氣體。在不包括增濕氣體自增濕氣體源之供應之實施例中，可藉由在含有浸潤流體之局域化區11之邊緣處在彎液面400處之浸潤流體之蒸發而增濕空間60中之氣體。
在一配置中，可撓性密封件65可經組態為使得當空間60之體積保持恆定時，氣體並不流動通過可撓性密封件65。然而，當空間60之體積改變時，氣體可流動通過可撓性密封件65。此情形可避免空間60之體積之改變，從而造成空間60內壓力之改變。舉例而言，當流體侷限結構12相對於投影系統PS移動時，空間60之體積可改變。可在微影裝置之使用期間發生此情形。
可撓性密封件65之第一邊緣66可經組態為附接至微影裝置之零件。可撓性密封件65之第二邊緣67可僅僅在另一末端處鄰接微影裝置之另一零件。舉例而言，在圖8中所描繪之配置中，可撓性密封件65在可撓性密封件65之第一邊緣66處固定地連接至流體侷限系統12。可撓性密封件65之第二邊緣67僅僅鄰接投影系統PS。因此，若在空間60內存在壓力之任何稍微增加，則可撓性密封件65可撓曲，從而產生供氣體在可撓性密封件65之第二邊緣67與投影系統PS之間流動之小空間。
另外，可撓性密封件65之使用可最小化自一組件至另一組件之任何振動之轉移。舉例而言，對於諸如圖8中所描繪之配置的配置，此可撓性密封件65可最小化自流體侷限結構12至投影系統PS之任何振動之轉移。
可撓性密封件65可由適於在微影裝置內使用且具有所需彈性屬性之任何材料形成。可需要使可撓性密封件65能夠彈性地變形小量以 准許如上文所述之撓曲。替代地或另外，可撓性密封件65可經組態為使得當可撓性密封件65之第二邊緣67鄰接投影系統PS時，其彈性地變形小量使得其偏置以鄰接投影系統PS。可撓性密封件65可由金屬形成或由塑膠形成。舉例而言，可撓性密封件65可由聚四氟乙烯(PTFE)形成。
結合上文所論述之實施例中之任一者，可提供蒸發器，其加熱流體侷限結構12內之浸潤流體且將浸潤流體蒸汽提供至空間60。此蒸發器可輔助最大化空間60內之濕度。
儘管可在本文中特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可在製造具有微尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。
應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一 或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於兩個相流動之一或多個開口之組合。該等開口可各自為進入至浸潤空間中之入口(或來自流體處置結構之出口)或出自浸潤空間之出口(或進入至流體處置結構中之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵之一或多個元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧局域化區
12‧‧‧流體侷限結構
50‧‧‧熱調節系統
60‧‧‧空間
61‧‧‧開口
62‧‧‧開口
63‧‧‧振動隔離系統
400‧‧‧彎液面
PS‧‧‧投影系統

Claims (14)

  1. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，其用於將一經圖案化輻射光束投影至一基板上；一流體侷限(confinement)結構，其經組態以將浸潤流體侷限於該投影系統之一最終元件與該基板之一表面之間的一局域化區(localized region)中；一空間，其在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限(bounded)且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限；及該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該表面上的一或多個開口，其經組態為可連接至用以將增濕(humidified)氣體供應至該空間之一增濕氣體源及用以自該空間抽取氣體之一負壓源中的一者。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該一或多個開口提供於該投影系統之一表面上。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該一或多個開口形成於一氣體供應導管中，該氣體供應導管係藉由一振動隔離系統而安裝至該投影系統。
  4. 如請求項1、2或3之微影裝置，其中該組件包含一熱調節系統，該熱調節系統經組態以最小化該投影系統之至少該最終元件之溫度之變化；且該一或多個開口形成於該熱調節系統之一表面中。
  5. 如請求項1、2或3之微影裝置，其中該至少一組件包含一熱調節 系統，該熱調節系統經組態以最小化該投影系統之至少該最終元件之溫度之變化；該熱調節系統之一部分環繞該流體侷限結構之一部分，使得在面對彼此的該熱調節系統之該表面與該流體侷限結構之該表面之間提供一間隙；且該一或多個開口提供於該熱調節系統及該流體侷限結構之該等對向表面中之一者上，且經組態為可連接至該負壓源以自該空間抽取氣體。
  6. 如請求項1、2或3之微影裝置，其進一步包含一或多個開口，該一或多個開口經組態為可連接至用以將增濕氣體供應至該空間之該增濕氣體源及用以自該空間抽取氣體之該負壓源中的另一者；其中與經組態為可連接至用以自該空間抽取氣體之該負壓源的該一或多個開口相比，經組態為可連接至用以將增濕氣體供應至該空間之該增濕氣體源的該一或多個開口較接近於該局域化區中之該浸潤流體。
  7. 如請求項1、2或3之微影裝置，其中該一或多個開口包含沿著至少部分地環繞該空間之一線而提供之複數個開口；且該等開口之橫截面及鄰近開口之間的分離中之至少一者針對該等開口之一第一群組相比於針對該等開口之一第二群組不同。
  8. 如請求項1、2或3之微影裝置，其中至少一個開口係與一氣流限定件相關聯。
  9. 如請求項1、2或3之微影裝置，其中該微影裝置包含一可撓性密封件，該可撓性密封件在該流體侷限結構與該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該等表面中的一者之間延 伸，該可撓性密封件經組態為使得該空間係由該可撓性密封件進一步界限。
  10. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，其用於將一經圖案化輻射光束投影至一基板上；及一流體侷限結構，其經組態以將浸潤流體侷限於該投影系統之一最終元件與該基板之一表面之間的一局域化區中；一空間，其在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限；及一可撓性密封件，其在該流體侷限結構與該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該等表面中的一者之間延伸，該可撓性密封件經組態為使得該空間係由該可撓性密封件進一步界限。
  11. 如請求項9或10之微影裝置，其中該可撓性密封件經組態以在該空間之體積恆定時最小化經過該可撓性密封件之氣流，但在該空間之該體積改變時准許氣流經過該密封件。
  12. 如請求項9或10之微影裝置，其中該可撓性密封件在該可撓性密封件之一第一邊緣處連接至該流體侷限結構之一表面或該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該表面，且經組態為使得該可撓性密封件之一第二邊緣鄰接該流體侷限結構之該表面或該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該表面中的另一者。
  13. 一種使用一微影裝置製造一器件之方法，其包含：使用一投影系統以將一經圖案化輻射光束通過一浸潤流體而投影至一基板上； 使用一流體侷限結構以在該投影系統之一最終元件與該基板之間的一局域化區中供應及侷限該浸潤流體；提供在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限的一空間；及如下操作中之至少一者：將增濕氣體供應至界限該空間的該投影系統及該微影裝置之該組件中之至少一者之該表面上的一或多個開口，及自界限該空間的該投影系統及該微影裝置之該組件中之至少一者之該表面上的一或多個開口抽取氣體。
  14. 一種使用一微影裝置製造一器件之方法，其包含：使用一投影系統以將一經圖案化輻射光束通過一浸潤流體而投影至一基板上；使用一流體侷限結構以在該投影系統之一最終元件與該基板之間的一局域化區中供應及侷限該浸潤流體；提供在一側上由該投影系統及該微影裝置之至少部分地環繞該投影系統之該最終元件之一組件中的至少一者之一表面界限且在另一側上由該流體侷限結構之一表面界限的一空間；其中該空間係由在該流體侷限結構與該投影系統及該微影裝置之該組件中之該至少一者之該等表面中之一者之間延伸的一可撓性密封件進一步界限。
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