TWI461874B - 流體溫度控制單元及流體溫度量測單元 - Google Patents
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims description 350
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 119
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 17
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 13
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 13
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- -1 aromatic Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000036413 temperature sense Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
- G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
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Description
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造一元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下,圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部分(例如,包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言,單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括:所謂的步進器,其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分;及所謂的掃描器,其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對較高折射率之液體(例如,水)中,以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中,液體為蒸餾水,但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而,另一流體可為適當的,特別係濕潤流體、不可壓縮流體,及/或折射率高於空氣之折射率(理想地,高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係尤其理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長,所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體,包括懸浮有固體粒子(例如,石英)之水,或具有奈米粒子懸浮液(例如,具有高達10奈米之最大尺寸的粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴,諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)為一種形式之浸潤系統配置。該配置要求應在掃描曝光期間加速大液體本體。此情形可能需要額外或更強大之馬達,且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
所提議之另一配置係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。此類型之配置可被稱作局域化浸潤系統配置。
另一配置為全濕潤配置,其中浸潤液體係未受限制的,如在PCT專利申請公開案第WO 2005/064405號中所揭示。在此系統中,浸潤液體係未受限制的。基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的,因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形可具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中,液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出,使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理,但仍可能會發生浸潤液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件,該部件在所有位置中覆蓋基板W,且經配置以使浸潤液體延伸於該部件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中,揭示複式載物台或雙載物台浸潤微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸潤液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測,且在存在浸潤液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者,該裝置僅具有一個台。
在曝光浸潤微影裝置中之基板之後,將基板台遠離於其曝光位置移動至基板可被移除且藉由不同基板替換所在之位置。此過程被稱作基板調換(substrate swap)。在雙載物台微影裝置中,可(例如)在投影系統下方進行該等台之調換。
在浸潤裝置中,藉由流體處置系統或裝置來處置浸潤液體。流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。流體處置系統可至少部分地限制流體且藉此為流體限制系統。流體處置系統可提供對流體之障壁且藉此為障壁部件。此障壁部件可為流體限制結構。流體處置系統可產生或使用流體(諸如氣體)流動,例如,以有助於處置液體(例如,有助於控制浸潤流體之流動及/或位置)。氣體流動可形成密封件以限制浸潤流體,因此,流體處置結構可被稱作密封部件;此密封部件可為流體限制結構。將浸潤液體用作浸潤流體。在該情況下,流體處置系統可為液體處置系統。流體處置系統可位於投影系統與基板台之間。關於前述描述,在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
在一浸潤微影裝置中,可能有必要精確地控制一流體相對於另一流體之溫度。舉例而言,可能有必要相對於以熱方式用以調節投影系統之液體之溫度控制提供於投影系統之最終元件與基板之間的空間中之浸潤流體之溫度,或相對於提供於投影系統之最終元件與基板之間的空間中之浸潤流體之溫度控制以熱方式用以調節投影系統之液體之溫度。出於此原因,可能有必要比較第一流體之溫度與第二流體之溫度。若出於此目的而使用溫度感測器,則可能有必要使該等溫度感測器相對於彼此進行校準,通常達小於1毫開爾文之準確度。
需要(例如)提供一種流體溫度控制單元,其用以基於一第二流體之溫度來調整一第一流體之溫度;及/或提供一種溫度感測器校準單元,其可相對於一第二溫度感測器校準一第一溫度感測器,該第一溫度感測器經組態以量測一第一流體路徑中之一第一流體之溫度。
根據一態樣,提供一種流體溫度控制單元,其包含:一加熱器,其經組態以加熱一第一流體路徑中之一第一流體;一第一溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑中之該第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其經組態以量測一第二流體路徑中之一第二流體之一溫度;及一控制器,其經組態以基於藉由該第一感測器感測之該溫度及藉由該第二感測器感測之該溫度來控制該加熱器。
根據一態樣,提供一種溫度感測器校準單元,其包含:一第一溫度感測器,其經組態以量測一第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其處於一管道部分中;一閥門,其經組態以選擇性地將第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分,或將一第二流體之流動自一第二流體路徑切換至該管道部分;及一計算單元,其經組態以在該閥門已將第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分時,計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。
根據一態樣,提供一種流體溫度量測單元,其包含:一第一溫度感測器,其經組態以量測一第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑之一旁路迴路中之該第一流體之一溫度;及一熱交換器,其處於該旁路迴路中的該第二溫度感測器之上游,以交換該旁路迴路中之第一流體與一第二流體之間的熱。
根據一態樣,提供一種控制一第一流體路徑之一流體出口處之一流體之一溫度的方法,該方法包含:量測在該第一流體路徑中之一加熱器之下游的該第一流體路徑中之一第一流體之該溫度;量測一第二流體路徑中之一第二流體之一溫度;及基於該第一流體之該溫度及該第二流體之該溫度來控制該加熱器,使得該加熱器加熱該第一流體以使其溫度更接近於該第二流體之該溫度。
根據一態樣,提供一種感測器校準方法,該方法包含:使用一第一溫度感測器來量測一第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;使用一第二溫度感測器來量測一管道部分中之流體之一溫度;將第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分;及基於來自該第一溫度感測器及該第二溫度感測器之信號來計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。
根據一態樣,提供一種量測一第二流體中之一溫度的方法,該方法包含:將一溫度感測器置放於一第一流體路徑之一旁路迴路中;及將一熱交換器提供於該旁路迴路中的該溫度感測器之上游,以用於交換該旁路迴路中之第一流體與該第二流體之間的熱。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例,在該等圖式中,對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含:
- 照明系統(照明器)IL,其經組態以調節輻射光束B(例如,UV輻射或DUV輻射);
- 支撐結構(例如,光罩台)MT,其經建構以支撐圖案化元件(例如,光罩)MA,且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化元件MA之第一定位器PM;
- 基板台(例如,晶圓台)WT,其經建構以固持基板(例如,塗佈抗蝕劑之晶圓)W,且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二定位器PW;及
- 投影系統(例如,折射投影透鏡系統)PS,其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如,包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件,諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件,或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件。支撐結構MT以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構MT可為(例如)框架或台,其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意,例如,若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵,則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常,被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列,及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的,且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型,以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜,以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統,包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合,其適合於所使用之曝光輻射,或適合於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪,裝置為透射類型(例如,使用透射光罩)。或者,裝置可為反射類型(例如,使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在此等「多載物台」機器中,可並行地使用額外台,或可在一或多個台上進行預備步驟,同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1,照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言,當輻射源SO為準分子雷射時,該輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下,不認為輻射源SO形成微影裝置之部分,且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下,例如,當輻射源SO為水銀燈時,該輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常,可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外,照明器IL可包含各種其他組件,諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束,以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT(例如,光罩台)上之圖案化元件MA(例如,光罩)上,且係藉由圖案化元件MA而圖案化。在橫穿圖案化元件MA後,輻射光束B傳遞通過投影系統PS,投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如,干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器),基板台WT可準確地移動,例如,以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地,第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件MA。一般而言,可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地,可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下,支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器,或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分,但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地,在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中,圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中:
1. 在步進模式中,在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時,使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即,單次靜態曝光)。接著,使基板台WT在X及/或Y方向上移位,使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中,曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2. 在掃描模式中,在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時,同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即,單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中,曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上),而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3. 在另一模式中,在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時,使支撐結構MT保持基本上靜止,從而固持可程式化圖案化元件,且移動或掃描基板台WT。在此模式中,通常使用脈衝式輻射源,且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
可將用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成三種通用種類。此等種類為浴類型配置、所謂的局域化浸潤系統,及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中,基板W之實質上全部且(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中。
局域化浸潤系統使用液體供應系統,其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面,且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持靜止,而基板W在該區域下方移動。圖2至圖5展示可用於此系統中之不同供應元件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中,液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。浸潤液體可被供應至投影系統及面對投影系統之對向表面或其附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5之液體供應元件中之任一者可用於此系統中。然而,密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率,或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
如圖2及圖3所說明,液體係藉由至少一入口供應至基板上,較佳地沿著基板相對於最終元件之移動方向。液體係在已通過投影系統PS下方之後藉由至少一出口被移除。亦即,隨著在-X方向上於元件下方掃描基板,在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置:液體係經由入口被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中,沿著基板W相對於最終元件之移動方向供應液體,但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目均係可能的,圖3中說明一實例,其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意,在圖2及圖3中藉由箭頭來展示液體之流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係藉由在投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口而供應,且係藉由自該等入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而移除。可在中心具有孔之板中配置入口,且將投影光束投影通過該孔。液體係藉由在投影系統PS之一側上之一個凹槽入口而供應,且藉由在投影系統PS之另一側上之複數個離散出口而移除,從而在投影系統PS與基板W之間導致液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意,在圖4中藉由箭頭來展示基板W之流動方向及流體流動之方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統,液體限制結構沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。
圖5示意性地描繪具有液體限制結構12之局域化液體供應系統或流體處置結構,液體限制結構12沿著投影系統PS之最終元件與對向表面(例如,基板台WT或基板W)之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意,此外或在替代例中,除非另有明確敍述,否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面)。液體限制結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止,但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中,密封件係形成於液體限制結構12與基板W之表面之間,且可為諸如氣體密封件(美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示具有氣體密封件之此系統)或流體密封件之無接觸密封件。
液體限制結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16),使得液體受限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方及環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構12而至少部分地形成空間11。液體係藉由液體入口13被帶入投影系統PS下方及液體限制結構12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件,使得提供液體緩衝。在一實施例中,液體限制結構12具有內部周邊,內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處,內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如,矩形),但並非需要為此情況。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體,氣體密封件16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如,空氣或合成空氣)形成,但在一實施例中,氣體密封件16係藉由N2
或另一惰性氣體形成。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至液體限制結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流動。氣體對液體限制結構12與基板W之間的液體的力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣體流動對於使在空間11中含有液體係有效的。在全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在另一實施例中,液體限制結構12不具有氣體密封件。
本發明之一實施例可適用的其他類型之液體限制結構包括所謂的氣體拖曳液體限制結構,諸如在2009年5月25日申請之美國專利申請案第US 61/181,158號中所描述的氣體拖曳液體限制結構,該申請案以引用之方式併入本文中。美國專利申請公開案第US 2008/0212046號提供另外細節,且其全文之內容亦以引用之方式併入本文中。
圖5之實例為所謂的局域化區域配置,其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面的局域化區域。其他配置係可能的。舉例而言,可使用在液體限制結構12之下表面40上使用單相抽取器的配置。在全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0038968號中描述包含具有多孔部件之單相抽取器的抽取器總成。在全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中揭示此抽取器總成係結合凹座及氣刀加以使用之配置。本發明之一實施例可應用於全濕潤浸潤裝置中所使用之流體處置結構。在全濕潤實施例中,例如,藉由允許液體洩漏出將液體限制至投影系統之最終元件與基板之間的限制結構,允許流體覆蓋基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分。可在2008年9月2日申請之美國專利申請案第US 61/136,380號中找到用於全濕潤實施例之流體處置結構之實例。
在所有以上液體限制結構中,將液體提供至投影系統PS與基板W及/或基板台WT之間的空間11。在圖5之實例中,通過出口13提供此液體。
浸潤液體(例如,超純水)之折射率對於溫度高度敏感。因此,需要準確地控制提供至空間11之流體(例如,液體)(在下文中於描述中被稱作第一流體)之溫度。
在一實施例中,第一流體之溫度經配置成與提供至投影系統PS之熱調節液體(在下文中被稱作第二流體)之溫度實質上相同。此情形可為有利的,因為在空間11中之流體與投影系統PS中之流體之間因而將不存在熱轉移。
圖6及圖7示意性地展示流體溫度控制單元之兩個實施例,其用以達成第一流體之溫度與第二流體之溫度之匹配。圖6及圖7之兩個實施例均依賴於比較來自兩個溫度感測器之信號。為了使系統工作,應使兩個溫度信號相對於彼此進行校準達小於1毫開爾文內。2008年8月22日申請之美國專利申請案第US 61/136,273號揭示控制流體之溫度的方法,其補償控制單元與使用點之間的熱干擾。US 61/163,273揭示校準置放於同一流體路徑中之兩個感測器的方式。在最後控制步驟與使用點之間存在大距離的任何情況下,均可應用此方法。使用本發明之一實施例以參考一不同流體而對一流體之溫度進行最終調整。可結合US 61/136,273中所描述之方法來使用本發明之方法。
校準兩個感測器之一方式係自裝置移除該兩個感測器且將其放至同一環境中。然而,此情形導致該裝置之停工時間且藉此導致產出率之損失,且因此為不良的。圖6及圖7之實施例允許在不自裝置移除溫度感測器且藉此不損失裝置之工作時間的情況下進行校準。在一些情境中,甚至有可能在裝置之操作期間使兩個溫度感測器相對於彼此進行校準。
圖6示意性地說明根據一實施例之流體溫度控制單元。流體溫度控制單元包含用於使第一流體流動通過之第一流體路徑110。第一流體路徑可始於流體源111。可將第一流體提供至第一流體路徑110之出口112。自出口112,可將第一流體提供至浸潤裝置之組件。浸潤裝置之組件可為液體限制結構12。舉例而言,可接著將第一流體提供至空間11中。
第一溫度感測器120提供於第一流體路徑110中以量測第一流體之溫度。第一溫度感測器120提供於鄰近於出口112的第一流體路徑110之下游末端處。
提供第二溫度感測器130以量測第二流體之溫度。第二流體在第二流體路徑140中流動。第二流體路徑係自入口141至出口142,且包括單向閥門145。
第二溫度感測器130係在第一流體路徑110之第一旁路迴路160中。亦即,迫使第一流體路徑110中之第一流體之流體流動的一部分進入第一旁路迴路160中以繞過第一流體路徑110之一部分。流量限制器165提供於第一旁路迴路160中以限制流動通過旁路迴路160之第一流體之量。熱交換器170提供於第一旁路迴路160中。熱交換器170係在第二溫度感測器130之上游。
第二流體路徑140將第二流體引導至熱交換器170。在熱交換器170中,通過熱交換器170之第一流體流動與第二流體流動之相對量值係使得第一流體使其溫度改變至第二流體之溫度。為了達成第一流體之溫度至第二流體之溫度之改變,第二流體之流量應為第一流體流動之量的至少三倍,理想地為至少六倍。因此,藉由量測自熱交換器170傳出之第一流體之溫度,第二溫度感測器130有效地量測第二流體之溫度。
提供控制器150以控制流體溫度控制單元之閥門,以及控制用以調整第一流體之溫度的流體溫度控制單元之組
件。控制器150自第一溫度感測器120及第二溫度感測器130接收信號、比較溫度差,且調整流體溫度控制單元之參數,使得如藉由第一溫度感測器量測的第一流體之溫度實質上等於(例如,在5毫開爾文、2毫開爾文或1毫開爾文或小於1毫開爾文內)如藉由第二溫度感測器130量測的第二流體之溫度(儘管係間接量測)。
為了調整第一流體之溫度,粗略溫度控制器90提供於第一流體路徑110之上游末端處。流量控制器95提供於粗略溫度控制器之下游。最後,加熱器100提供於第一旁路迴路160之下游及第一溫度感測器120之上游。
在控制器150之控制下,調整粗略溫度控制器90,使得第一流體之溫度略微低於如藉由第二溫度感測器130量測的第二流體之溫度。粗略溫度控制器90需要供應一穩定流體溫度以使校準為有效的。溫度穩定性應較佳地低於1毫開爾文/30秒。接著調整加熱器100之功率輸出以將第一流體加熱至如藉由第二溫度感測器130量測的第二流體之溫度。基於藉由第一溫度感測器120及第二溫度感測器130量測之溫度差來控制加熱器100。此控制可被視為前饋控制。
上述流體溫度控制方法依賴於第一溫度感測器120及第二溫度感測器130達成針對流體之給定溫度之相同讀數,或相對於彼此進行校準(例如,藉由計算第二溫度感測器中相對於第一溫度感測器之校準溫度誤差,或藉由計算第一溫度感測器中相對於第二溫度感測器之校準溫度誤差)。溫度感測器120、130之絕對準確度倒不是重要的。
圖6之流體溫度控制單元經調適以允許可能為或可能不為控制器150之部分的計算單元150c計算第二溫度感測器130中相對於第一溫度感測器120之校準溫度誤差,或計算第一溫度感測器120中相對於第二溫度感測器130之校準溫度誤差。此係藉由在一校準時間在控制器150之控制下防止第二流體流動通過熱交換器170達成。此係藉由在第二流體路徑140中提供第二旁路迴路190達成,第二旁路迴路190繞過熱交換器170及單向閥門145(其係在熱交換器170之下游或上游)。
提供閥門180,其可切換第二流體自入口141通過熱交換器170或通過第二旁路迴路190之流動。單向閥門145防止第二流體自第二旁路迴路190之末端流動至熱交換器170。因此,第二流體自第二旁路迴路190流動朝向出口142。
第二旁路迴路190具備流量限制器195。流量限制器195經設計成使得第二旁路迴路190具有實質上等於通過熱交換器170及單向閥門145之路徑之流動阻力的流動阻力。以此方式,無論閥門180是將流動引導通過熱交換器170或是將流動引導通過第二旁路迴路190均將對第二流體溫度或其壓降具有極小效應,使得投影系統冷卻系統之操作不受影響。
當控制器150已防止第二流體流動通過熱交換器170時,可起始一校準時間。在特定量之時間(例如,基於經驗所判定的預定量之時間)之後,離開熱交換器170之第一流體之溫度將實質上等於進入該熱交換器之第一流體之溫度。藉此,在第二溫度感測器130處第一流體之溫度將實質上等於通過第一流體路徑110與第一旁路迴路160之接面之第一流體之溫度。若切斷加熱器100,則在第一溫度感測器120處第一流體之溫度應具有與在第二溫度感測器130處第一流體之溫度實質上相同的溫度。因此,校準單元150c可比較來自第一溫度感測器120之信號與來自第二溫度感測器130之信號,且假定第一溫度感測器120及第二溫度感測器130正量測具有實質上相同溫度之流體。基於該兩個信號,及該兩個信號之間的差,可計算一校準溫度誤差。
可藉由控制器150在正常操作期間使用藉由計算單元150c計算之校準溫度誤差。此有助於確保可考量藉由第一溫度感測器120量測之溫度與藉由第二溫度感測器130量測之溫度之間的任何偏移。以該方式,不管第一溫度感測器120與第二溫度感測器130之間的任何漂移,離開出口112之第一流體之實際溫度實質上等於第二流體之溫度。
在一實施例中,該等溫度感測器理想地為負溫度係數(NTC)感測器。此等感測器理想地具有至少實際上相當於+/-1毫開爾文之準確度。又更理想地,感測器具有至少實際上相當於+/-0.1毫開爾文之準確度。
理想地,在粗略溫度控制器90之出口側處第一流體之溫度係在加熱器100之工作範圍內(例如,比第二流體之溫度低10毫開爾文)。此係因為加熱器100之功率消耗理想地儘可能地小,使得不干擾單元之熱穩定性。
為了使得校準儘可能地準確,第一溫度感測器120與第二溫度感測器130之間的距離理想地儘可能地小。此外,需要使第一流體路徑110之管道與第一旁路迴路160之管道熱絕緣。另外,應使環境(例如,藉由矩形198封閉之環境)之溫度保持為儘可能地穩定。此情形之原因在於:藉由流動通過第一旁路迴路160之第一流體遵循之路徑與第一流體路徑110不同,且因此其自環境吸收不同量之熱。此可轉變成甚至在校準之後存在的額外偏移。舉例而言,可能有必要使自在與第一旁路迴路160之接面之下游之第一流體路徑至第一溫度感測器120及第一旁路迴路160的所有電熱產生組件(例如,液體流量控制器95、加熱器100及可能甚至閥門180)熱隔絕。
此系統具有如下優點:不再有必要自裝置實體地移除感測器,且排除人為誤差。此外,不存在用於校準的機器之停工時間。因為沒有必要打開浸潤液體供應系統來執行校準,所以避免該供應系統之污染機會。此外,若需要替換一溫度感測器,則僅需要替換該溫度感測器且執行校準程序。自成本觀點以及停工時間觀點,此係有利的。
在校準期間,第一液體之壓力未改變。因此,在校準期間無需浪費液體。實際上,取決於用於冷卻投影系統之第二流體流動之穩定性,有可能在曝光期間執行此程序。藉由將第一流體或第二流體引導至一排泄管(drain),第一流體或第二流體均不會被浪費。
圖7說明一另外實施例。圖7之另外實施例與圖6之實施
例相同,惟下文所描述之內容除外。
在圖7之實施例中,操作原理係使用加熱器100、第一感測器120及第二感測器130(其直接量測第二流體之溫度)來調整第一流體之溫度,使得將第一流體之溫度調整成與第二流體之溫度實質上相同。
如在圖6之實施例中,可提供粗略溫度控制器90及液體流量控制器95。
在加熱器100及第一感測器120之下游,分支管線220使第一流動路徑110分支。分支管線220通向具有閥門227之第一子分支管線240,閥門227係用於控制通過第一子分支管線240之流動。第一子分支管線240包括流量限制器225以限制流動之量。在正常操作期間,將第一流體之流動引導通過第一流動路徑110及第一子分支管線240。第二子分支管線250自分支管線220經由閥門230而通向管道部分260,第二溫度控制器130提供於管道部分260中。第二子分支管線250將流動引導至在管道部分260之後的排泄管248。
提供閥門227、230、233且藉由控制器150控制該等閥門以切換通過第一子分支管線240(在正常操作期間)或通過第二子分支管線250(在校準時間期間)之第一流體流動。流量限制器225將通過第一子分支管線240之流量限制達等於第二子分支管線250中之流量限制的量。因此,當切換至校準模式時,在第一流動路徑110中不存在壓力改變。另外,存在通過分支管線220之連續流動,藉此減少細菌在
分支管線220、240、250中生長且進入第一流動路徑110之機會。因此,第一流體可在校準時間期間傳遞通過管道部分260,且使其溫度藉由第二溫度感測器130感測。以此方式,如同圖6之實施例,若撤銷啟動加熱器100,則藉由第一溫度感測器120及第二溫度感測器130量測之第一流體之溫度實質上相同。因此,如在圖6之實施例中,校準單元150c可使該兩個感測器相對於彼此進行校準。
在圖7之實施例中,在正常操作期間,在控制器150之控制下的第二流體路徑140中之閥門270、272經設定成用於第二流體至管道部分260之流動。在校準時間期間,關閉在控制器150之控制下的閥門270、272,使得第二流體不在管道部分260中流動。在校準時間期間,第二流體將繼續在第二流體路徑140中流動通過包括流量限制件290之部分280。在正常操作期間,流動亦將傳遞通過部分280。
圖8及圖9說明針對圖7之實施例隨著時間而變化的藉由第一感測器120量測之實例溫度(藉由線340指示)及藉由第二感測器130量測之溫度(藉由線330指示)。自時間0至約2.25,發生正常操作。與第二感測器130相比較,將60毫開爾文之溫度校準偏移施加至第一感測器120之量測,因為此偏移為先前所量測之偏移。因此,第一液體之溫度與第二液體之溫度實質上相等。
約在時間2.25,在位置300處,調整閥門,使得將第一流體引導遍及第二溫度感測器130。可看出,會花費時間以使藉由第二溫度感測器130量測之溫度達到平衡。此可
(例如)因為液體已位於第一流動路徑110與第二溫度感測器130之間的管道中且已變熱。因此,校準未被進行持續特定時間。在圖8所說明之實施例中,特定時間為2.3分鐘,且在圖9中可看出,在此時間之後,如藉由線330指示的第二溫度感測器130之溫度讀數已實質上達到穩態。在此時間(位置310),可計算新溫度校準偏移誤差。此誤差為舊溫度校準偏移(為60毫開爾文)加上如藉由線340指示的第一溫度感測器120量測之溫度與如藉由線330指示的藉由第二溫度感測器130量測的第一流體之溫度之間的差。在圖8之實例中,此差為約30毫開爾文。因此,計算出90毫開爾文之新校準溫度誤差。
在將閥門返回至其正常使用位置且第二流體而非第一流體流動遍及第二溫度感測器130(在點320處)之後,將新校準溫度偏移施加至第一溫度感測器120。可看出,由於第一溫度感測器120之讀數與第二溫度感測器130之讀數之間的已知90毫開爾文偏移,第一流體之溫度可與第二流體之溫度對準。
在圖9中之位置310處的時間可看出,在已施加校準溫度誤差之後且在將閥門切換回至正常模式之前,藉由第一溫度感測器120量測之溫度與藉由第二溫度感測器130量測的同一第一流體之溫度僅相差0.5毫開爾文。此指示可使用本發明之一實施例來達成0.5毫開爾文之準確度。
應瞭解,上文所描述之特徵中的任一者均可與任何其他特徵一起使用,且其不僅為本申請案中所涵蓋的明確地描述之該等組合。
在一態樣中,提供一種流體溫度控制單元,其包含:一加熱器,其經組態以加熱一第一流體路徑中之一第一流體;一第一溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑中之該第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其經組態以量測一第二流體路徑中之一第二流體之一溫度;及一控制器,其經組態以基於藉由該第一感測器感測之該溫度及藉由該第二感測器感測之該溫度來控制該加熱器。理想地,該控制器經組態以基於藉由該第一感測器感測之該溫度與藉由該第二感測器感測之該溫度之間的一差來控制該加熱器。理想地,該第一溫度感測器係在該加熱器之下游。理想地,該第二溫度感測器係在該第一流體路徑之一第一旁路迴路中。理想地,提供一熱交換器,其係在該第一旁路迴路中的該第二溫度感測器之上游,其中該熱交換器經組態以交換該第二流體路徑中之第二流體與該第一旁路迴路中之第一流體之間的熱,使得該第一旁路迴路中之該第一流體達到該第二流體路徑中之該第二流體之該溫度,使得藉由量測該熱交換器之下游之第一流體之該溫度,該第二溫度感測器量測該第二流體路徑中之該第二流體之該溫度。理想地,一流量限制器提供於該第一旁路迴路中以限制該第一旁路迴路中之流量。理想地,該控制器經組態以在一校準時間期間導致防止第二流體流動至該熱交換器。理想地,提供一計算單元,其經組態以在該校準時間期間計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。理想地,提供一閥門以選擇性地將流動切換至該熱交換器或切換至繞過該熱交換器的該第二流體路徑之一第二旁路迴路。理想地,該閥門為一減速閥門(slow valve)。理想地,該第二旁路迴路包含一流量限制器,該流量限制器經組態以將流量限制成與通過該熱交換器之路徑之量實質上相同。理想地,該第一旁路迴路係在該加熱器之上游。理想地,提供在該第一溫度感測器之上游的自該第一流體路徑之一分支。理想地,該分支包含一閥門以在一第一子分支與一第二子分支之間切換,理想地,其中該第一子分支與該第二子分支具有實質上相同之流量限制。理想地,該第二子分支包含包括該第二溫度感測器之一管道部分。理想地,該第二流體路徑中之一閥門係可切換的,使得第二流體在該管道部分中流動。理想地,該控制器經組態以控制該流體溫度控制單元之閥門,使得在正常使用期間僅第二流體在該管道部分中流動,且在一校準時間期間僅第一流體在該管道部分中流動。理想地,提供一計算單元,其經組態以在該校準時間期間計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。
在一另外態樣中,提供一種浸潤微影裝置,其包含一投影系統,及以上態樣之流體溫度控制單元。理想地,第一流體路徑為用於待提供於該投影系統與一基板之間的一空間中之浸潤液體的一流體路徑。理想地,第二流體路徑為用於該投影系統之熱調節之液體的一流體路徑。
在一另外態樣中,提供一種溫度感測器校準單元,其包含:一第一溫度感測器,其經組態以量測一第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其處於一管道部分中;一閥門,其經組態以選擇性地將第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分,或將一第二流體之流動自一第二流體路徑切換至該管道部分;及一計算單元,其經組態以在該閥門已將第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分時,計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。理想地,提供一控制器,其經組態以控制該閥門以在一校準時間將該第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分。
在一另外態樣中,提供一種流體溫度量測單元,其包含:一第一溫度感測器,其經組態以量測一第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑之一旁路迴路中之該第一流體之一溫度;及一熱交換器,其處於該旁路迴路中的該第二溫度感測器之上游,以交換該旁路迴路中之第一流體與一第二流體之間的熱。理想地,提供一控制器,其經組態以在一校準時間導致防止第二流體流動至該熱交換器中,及/或控制流體流動,使得在一工作時間期間該第一流體使其溫度控制至該第二流體之溫度。理想地,提供一計算單元,其經組態以在該校準時間期間計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。理想地,提供一加熱器,其經組態以加熱在該第一溫度感測器之上游的該第一流體路徑中之該第一流體。理想地,該控制器或一控制器經組態以基於藉由該第一感測器及該第二感測器量測之溫度來控制該加熱器,使得在該加熱器之下游,該第一流體具有實質上等於該第二流體之溫度的一溫度。
在一另外態樣中,提供一種控制一第一流體路徑之一流體出口處之一流體之一溫度的方法,該方法包含:量測在該第一流體路徑中之一加熱器之下游的該第一流體路徑中之一第一流體之該溫度;量測一第二流體路徑中之一第二流體之一溫度;及基於該第一流體之該溫度及該第二流體之該溫度來控制該加熱器,使得該加熱器加熱該第一流體以使其溫度更接近於該第二流體之該溫度。
在一另外態樣中,提供一種感測器校準方法,該方法包含:使用一第一溫度感測器來量測一第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;使用一第二溫度感測器來量測一管道部分中之流體之一溫度;將第一流體之流動自該第一流體路徑切換至該管道部分;及基於來自該第一溫度感測器及該第二溫度感測器之信號來計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。
在一另外態樣中,提供一種量測一第二流體中之一溫度的方法,該方法包含:將一溫度感測器置放於一第一流體路徑之一旁路迴路中;及將一熱交換器提供於該旁路迴路中的該溫度感測器之上游,以用於交換該旁路迴路中之第一流體與該第二流體之間的熱。
在一另外態樣中,提供一種元件製造方法,其包含將一經圖案化輻射光束通過一液體而投影至一基板上,且進一步包含以上態樣中之任一者之方法,其中該液體為第一流體。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用,但應理解,本文中所描述之微影裝置可具有在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件方面中的其他應用,諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。熟習此項技術者應瞭解,在此等替代應用之內容背景中,可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時,可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外,可將基板處理一次以上,(例如)以便產生多層IC,使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合,包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例,但應瞭解,可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言,本發明之實施例可採取如下形式:電腦程式,其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列;或資料儲存媒體(例如,半導體記憶體、磁碟或光碟),其具有儲存於其中之此電腦程式。另外,可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時,本文中所描述之控制器可各自或組合地係可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言,每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體,及/或用以收納此媒體之硬體。因此,該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸潤微影裝置,特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型,且無論浸潤液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上,或是未受限制的。在一未受限制配置中,浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面,使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中,液體供應系統可能不限制浸潤流體,或其可能提供浸潤液體限制之比例,但未提供浸潤液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋如本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中,液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於兩相流動之一或多個開口的組合。該等開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中,空間之表面可為基板及/或基板台之一部分,或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面,或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此,對於熟習此項技術者將顯而易見,可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧空間
12‧‧‧液體限制結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧氣體密封件
90‧‧‧粗略溫度控制器
95‧‧‧液體流量控制器
100‧‧‧加熱器
110‧‧‧第一流體路徑/第一流動路徑
111‧‧‧流體源
112‧‧‧出口
120‧‧‧第一溫度感測器
130‧‧‧第二溫度感測器
140‧‧‧第二流體路徑
141‧‧‧入口
142‧‧‧出口
145‧‧‧單向閥門
150‧‧‧控制器
150c‧‧‧計算單元/校準單元
160‧‧‧第一旁路迴路
165‧‧‧流量限制器
170‧‧‧熱交換器
180‧‧‧閥門
190‧‧‧第二旁路迴路
195‧‧‧流量限制器
198‧‧‧矩形
220‧‧‧分支管線
225‧‧‧流量限制器
227‧‧‧閥門
230‧‧‧閥門
233‧‧‧閥門
240‧‧‧第一子分支管線
248‧‧‧排泄管
250‧‧‧第二子分支管線
260‧‧‧管道部分
270‧‧‧閥門
272‧‧‧閥門
280‧‧‧部分
290‧‧‧流量限制件
300‧‧‧位置
310‧‧‧位置
320‧‧‧點
330‧‧‧線
340‧‧‧線
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1...基板對準標記
P2...基板對準標記
PM...第一定位器
PS...投影系統
PW...第二定位器
SO...輻射源
W...基板
WT...基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置;圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統;圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統;圖5描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統;圖6示意性地描繪根據一實施例之流體溫度控制單元;圖7示意性地描繪根據一另外實施例之流體溫度控制單元;圖8描繪展示圖7之流體溫度控制單元之兩個溫度感測器之實例溫度的曲線圖;及圖9為圖8之曲線圖的細節。
12‧‧‧液體限制結構
90‧‧‧粗略溫度控制器
95‧‧‧液體流量控制器
100‧‧‧加熱器
110‧‧‧第一流體路徑/第一流動路徑
111‧‧‧流體源
112‧‧‧出口
120‧‧‧第一溫度感測器
130‧‧‧第二溫度感測器
140‧‧‧第二流體路徑
141‧‧‧入口
142‧‧‧出口
145‧‧‧單向閥門
150‧‧‧控制器
150c‧‧‧計算單元/校準單元
160‧‧‧第一旁路迴路
165‧‧‧流量限制器
170‧‧‧熱交換器
180‧‧‧閥門
190‧‧‧第二旁路迴路
195‧‧‧流量限制器
198...矩形
Claims (21)
- 一種流體溫度控制單元,其包含:一加熱器,其經組態以加熱一第一流體路徑中之一第一流體;一第一溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑中之該第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其經組態以量測一第二流體路徑中之一第二流體之一溫度;及一控制器,其經組態以基於藉由該第一感測器感測之該溫度及藉由該第二感測器感測之該溫度來控制該加熱器。
- 如請求項1之流體溫度控制單元,其中該控制器經組態以基於藉由該第一感測器感測之該溫度與藉由該第二感測器感測之該溫度之間的一差來控制該加熱器,及/或其中該第一溫度感測器係在該加熱器之下游。
- 如請求項1之流體溫度控制單元,其中該第二溫度感測器係在該第一流體路徑之一第一旁路迴路中。
- 如請求項3之流體溫度控制單元,其進一步包含一熱交換器,該熱交換器係在該第一旁路迴路中的該第二溫度感測器之上游,其中該熱交換器經組態以交換該第二流體路徑中之第二流體與該第一旁路迴路中之第一流體之間的熱,使得該第一旁路迴路中之該第一流體達到與該第二流體路徑中之該第二流體之該溫度實質上相同的溫度,使得藉由量測該熱交換器之下游之第一流體之該溫 度,該第二溫度感測器量測該第二流體路徑中之該第二流體之該溫度。
- 如請求項3之流體溫度控制單元,其進一步包含位於該第一旁路迴路中之一流量限制器,其用以限制該第一旁路迴路中之流量。
- 如請求項3之流體溫度控制單元,其中該控制器經組態以在一校準時間期間防止第二流體流動至該熱交換器。
- 如請求項6之流體溫度控制單元,其進一步包含一計算單元,該計算單元經組態以在該校準時間期間計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差,及/或該流體溫度控制單元進一步包含一閥門,該閥門經組態以選擇性地將流動切換至該熱交換器或切換至繞過該熱交換器的該第二流體路徑之一第二旁路迴路。
- 如請求項7之流體溫度控制單元,其中該閥門為一減速閥門(slow valve)。
- 如請求項7之流體溫度控制單元,其中該第二旁路迴路包含一流量限制器,其經組態以限制流量實質上與通過該熱交換器之流量相同。
- 如請求項3之流體溫度控制單元,其中該第一旁路迴路係為該加熱器之上游。
- 如請求項1之流體溫度控制單元,其進一步包含在該第一溫度感測器之下游的自該第一流體路徑之一分支。
- 如請求項11之流體溫度控制單元,其中該分支包含一閥門以在一第一子分支與一第二子分支之間切換,及/或其中該第一子分支與該第二子分支具有實質上相同之流量限制。
- 如請求項12之流體溫度控制單元,其中該第二子分支包含包括該第二溫度感測器之一管道部分。
- 如請求項13之流體溫度控制單元,其中該第二流體路徑中之一閥門係可切換的,使得第二流體在該管道部分中流動。
- 如請求項13之流體溫度控制單元,其中該控制器經組態以控制該流體溫度控制單元之閥門,使得在正常使用期間僅第二流體在該管道部分中流動,且在一校準時間期間僅第一流體在該管道部分中流動。
- 如請求項15之流體溫度控制單元,其進一步包含一計算單元,該計算單元經組態以在該校準時間期間計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。
- 一種流體溫度量測單元,其包含一第一溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑中之一第一流體之一溫度;一第二溫度感測器,其經組態以量測該第一流體路徑之一旁路迴路之該第一流體之一溫度;及一熱交換器,該熱交換器係在該第二溫度感測器之該 旁路迴路上游,用以交換該旁路迴路中之該第一流體與一第二流體之間的熱。
- 如請求項17之流體溫度量測單元,其進一步包含一控制器,該控制器經組態以在一校準時間期間防止第二流體流動至該熱交換器,及/或經組態以控制流體流量,俾使在一第一工作時間期間該第一流體之溫度經控制成該第二流體之溫度。
- 如請求項18之流體溫度量測單元,其進一步包含一計算單元,該計算單元經組態以在該校準時間期間計算該第二溫度感測器中相對於該第一溫度感測器之一校準溫度誤差,或計算該第一溫度感測器中相對於該第二溫度感測器之一校準溫度誤差。
- 如請求項17之流體溫度量測單元,其進一步包含一加熱器,該加熱器經組態以加熱該第一溫度感測器之該第一流體路徑上游內之該第一流體。
- 如請求項20之流體溫度量測單元,其中一控制器係經組態以基於該第一感測器及該第二感測所量測之溫度以控制該加熱器,俾使該加熱器下游之該第一流體之溫度實質上與該第二流體之溫度相同。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22876509P | 2009-07-27 | 2009-07-27 | |
US25832609P | 2009-11-05 | 2009-11-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201116958A TW201116958A (en) | 2011-05-16 |
TWI461874B true TWI461874B (zh) | 2014-11-21 |
Family
ID=43496401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099123320A TWI461874B (zh) | 2009-07-27 | 2010-07-15 | 流體溫度控制單元及流體溫度量測單元 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8319157B2 (zh) |
JP (1) | JP5225335B2 (zh) |
KR (2) | KR101205982B1 (zh) |
CN (1) | CN101968608B (zh) |
NL (1) | NL2005009A (zh) |
TW (1) | TWI461874B (zh) |
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---|---|---|---|---|
NL2009378A (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus. |
US9726327B2 (en) * | 2012-05-14 | 2017-08-08 | Hyundai Heavy Industries Co., Ltd. | System and method for processing liquefied gas |
CN103176370B (zh) * | 2013-03-13 | 2015-04-15 | 华中科技大学 | 一种用于浸没式光刻的浸液温控系统 |
CN103969965B (zh) * | 2014-05-12 | 2015-11-18 | 华中科技大学 | 精确控制浸没式光刻机浸液温度的装置及其温控方法 |
JP6625568B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2019-12-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 調節システム及び調節システムを備えるリソグラフィ装置 |
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- 2010-07-26 US US12/843,614 patent/US8319157B2/en active Active
- 2010-07-26 JP JP2010166761A patent/JP5225335B2/ja active Active
- 2010-07-26 KR KR1020100072102A patent/KR101205982B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
JP5225335B2 (ja) | 2013-07-03 |
KR20110134346A (ko) | 2011-12-14 |
TW201116958A (en) | 2011-05-16 |
KR101205982B1 (ko) | 2012-11-28 |
CN101968608A (zh) | 2011-02-09 |
CN101968608B (zh) | 2013-10-09 |
US20110017724A1 (en) | 2011-01-27 |
KR101620930B1 (ko) | 2016-05-16 |
JP2011029644A (ja) | 2011-02-10 |
KR20110011572A (ko) | 2011-02-08 |
NL2005009A (en) | 2011-01-31 |
US8319157B2 (en) | 2012-11-27 |
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