JP2011029644A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 346
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 131
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 44
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
- G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
Abstract
【解決手段】流体温度制御ユニットは、第1流体通路110内の第1流体を加熱するように構成されたヒータ100と、第1流体通路内の第1流体の温度を測定するように構成された第1温度センサ120と、第2流体通路140内の第2流体の温度を測定するように構成された第2温度センサ130と、第1センサによって検出された温度及び第2センサによって検出された温度に基づきヒータ100を制御するように構成されたコントローラ90を備える。
【選択図】図6
Description
放射ビームB(例えばUV放射またはDUV放射)を調整するよう構成されている照明系(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストでコーティングされたウェーハ)Wを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイからなる)目標部分Cに投影するよう構成されている投影系(例えば屈折投影レンズ)PSと、を備える。
1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射(すなわち単一静的露光)で目標部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Cのサイズを制限することになる。
Claims (15)
- 第1流体通路内の第1流体を加熱するように構成されたヒータと、
前記第1流体通路内の前記第1流体の温度を測定するように構成された第1温度センサと、
第2流体通路内の第2流体の温度を測定するように構成された第2温度センサと、
前記第1センサによって検出された温度及び前記第2センサによって検出された温度に基づき前記ヒータを制御するように構成されたコントローラと、
を備える流体温度制御ユニット。 - 前記コントローラは、前記第1センサによって検出された温度と前記第2センサによって検出された温度との差分に基づき前記ヒータを制御するように構成され、及び/または前記第1温度センサが前記ヒータの下流にあることを特徴とする請求項1に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記第2温度センサが前記第1流体通路の第1バイパスループ内にあることを特徴とする請求項1または2に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記第1バイパスループ内の前記第2温度センサの上流に熱交換器をさらに備え、
前記熱交換器は、前記熱交換器の下流で第1流体の温度を測定することによって前記第2温度センサが前記第2流体通路内の第2流体の温度を測定できるように、前記第2流体通路内の第2流体と前記第1バイパスループ内の第1流体との間で熱交換して、前記第1バイパスループ内の前記第1流体を、前記第2流体通路内の前記第2流体の温度と実質的に等しい温度に到達させるように構成されることを特徴とする請求項3に記載の流体温度制御ユニット。 - 前記コントローラは、較正時間の間、前記熱交換器への第2流体への流入を防止するよう構成されることを特徴とする請求項3または4に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記較正時間中に、前記第1温度センサに対する前記第2温度センサ内の較正温度誤差、またはその逆を計算するように構成された計算ユニットをさらに備え、及び/または、
前記熱交換器への流れ、または前記熱交換器をバイパスする前記第2流体通路の第2バイパスループへの流れのいずれかに選択的に切り替えるように構成されたバルブをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の流体温度制御ユニット。 - 前記第1温度センサの下流に前記第1流体通路から分かれる分岐をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記分岐は、第1サブ分岐と第2サブ分岐とを切り替えるためのバルブを備え、望ましくは前記第1サブ分岐と前記第2サブ分岐が実質的に同一の流量制限を有することを特徴とする請求項7に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記第2サブ分岐は、前記第2温度センサを有する導管部を備えることを特徴とする請求項8に記載の流体温度制御ユニット。
- 第2流体が前記導管部内を流れるように、前記第2流体通路内のバルブが切り替え可能であることを特徴とする請求項9に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記コントローラは、前記流体温度制御ユニットのバルブを制御して、通常使用時は第2流体のみを前記導管部内に流し、較正時間の間は第1流体のみを前記導管部内に流すように構成されることを特徴とする請求項9または10に記載の流体温度制御ユニット。
- 前記較正時間の間に、前記第1温度センサに対する前記第2温度センサ内の較正温度誤差、またはその逆を計算するように構成された計算ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の流体温度制御ユニット。
- 第1流体通路内の第1流体の温度を測定するように構成された第1温度センサと、
導管部内の第2温度センサと、
前記第1流体通路から前記導管部への第1流体の流れと、第2流体通路から前記導管部への第2流体の流れとを選択的に切り替えるように構成されたバルブと、
前記第1流体が前記第1流体通路から前記導管部に流れるように前記バルブが切り替えられたとき、前記第1温度センサに対する前記第2温度センサ内の較正温度誤差、またはその逆を計算するように構成された計算ユニットと、
を備える温度センサ較正ユニット。 - 第1流体通路の流体出口での流体の温度を制御する方法であって、
前記第1流体通路内のヒータの下流で前記第1流体通路内の第1流体の温度を測定し、
第2流体通路内の第2流体の温度を測定し、
前記第1流体及び前記第2流体の温度に基づき前記ヒータを制御して、前記ヒータが前記第1流体を加熱してその温度を前記第2流体の温度に近づけるようにすることを含む方法。 - 液体を通して基板上にパターン付与された放射ビームを投影することを含み、請求項14に記載の方法をさらに含むデバイス製造方法であって、前記液体が前記第1流体であることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22876509P | 2009-07-27 | 2009-07-27 | |
US61/228,765 | 2009-07-27 | ||
US25832609P | 2009-11-05 | 2009-11-05 | |
US61/258,326 | 2009-11-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029644A true JP2011029644A (ja) | 2011-02-10 |
JP5225335B2 JP5225335B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=43496401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010166761A Active JP5225335B2 (ja) | 2009-07-27 | 2010-07-26 | 流体温度制御ユニットおよび方法、デバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8319157B2 (ja) |
JP (1) | JP5225335B2 (ja) |
KR (2) | KR101205982B1 (ja) |
CN (1) | CN101968608B (ja) |
NL (1) | NL2005009A (ja) |
TW (1) | TWI461874B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017526952A (ja) * | 2014-07-23 | 2017-09-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 調節システム及び調節システムを備えるリソグラフィ装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2009378A (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus. |
EP2851547A4 (en) * | 2012-05-14 | 2016-04-27 | Hyun Dai Heavy Ind Co Ltd | SYSTEM AND METHOD FOR TREATING LIQUEFIED GAS |
CN103176370B (zh) * | 2013-03-13 | 2015-04-15 | 华中科技大学 | 一种用于浸没式光刻的浸液温控系统 |
CN103969965B (zh) * | 2014-05-12 | 2015-11-18 | 华中科技大学 | 精确控制浸没式光刻机浸液温度的装置及其温控方法 |
JP6697494B2 (ja) * | 2018-02-01 | 2020-05-20 | ファナック株式会社 | 異常判別装置、プログラム、異常判別システム及び異常判別方法 |
JP2021149467A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 株式会社Kelk | 温度制御システム |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH1151481A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Paloma Ind Ltd | 給湯器 |
JP2001050589A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Paloma Ind Ltd | 給湯器 |
JP2001141303A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Noritz Corp | 給湯器 |
JP2005009733A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Paloma Ind Ltd | 給湯器 |
WO2005106930A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006190971A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006222165A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007027438A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP2007173718A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008311372A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 超純水中の溶存窒素の測定方法及び溶存窒素測定装置 |
JP2009016387A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JP3368091B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
KR100944660B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2010-03-04 | 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 | 열매체 유체를 이용해서 대상물의 온도를 조절하기 위한장치 및 방법 |
EP1382359B1 (en) * | 2002-07-19 | 2007-02-07 | Terumo Kabushiki Kaisha | Peritoneal dialysis apparatus and storage medium storing a program for controlling said apparatus |
SG121818A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1806773A4 (en) * | 2004-10-13 | 2008-12-31 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) * | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8501060B2 (en) * | 2005-02-14 | 2013-08-06 | Moldcool International Llc | Method and apparatus for controlling the temperature of molds, dies, and injection barrels using fluid media |
CN101322077A (zh) * | 2005-11-30 | 2008-12-10 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 局部控制热流以便更精确地调控机器温度 |
US7525640B2 (en) * | 2006-11-07 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8634053B2 (en) * | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2003341A (en) * | 2008-08-22 | 2010-03-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
SG159467A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-30 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2010
- 2010-07-01 NL NL2005009A patent/NL2005009A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-07-15 TW TW099123320A patent/TWI461874B/zh active
- 2010-07-26 KR KR1020100072102A patent/KR101205982B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-26 US US12/843,614 patent/US8319157B2/en active Active
- 2010-07-26 JP JP2010166761A patent/JP5225335B2/ja active Active
- 2010-07-27 CN CN2010102396202A patent/CN101968608B/zh active Active
-
2011
- 2011-10-31 KR KR1020110112045A patent/KR101620930B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH1151481A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Paloma Ind Ltd | 給湯器 |
JP2001050589A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Paloma Ind Ltd | 給湯器 |
JP2001141303A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Noritz Corp | 給湯器 |
JP2005009733A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Paloma Ind Ltd | 給湯器 |
WO2005106930A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006190971A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006222165A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007027438A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP2007173718A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008311372A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 超純水中の溶存窒素の測定方法及び溶存窒素測定装置 |
JP2009016387A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017526952A (ja) * | 2014-07-23 | 2017-09-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 調節システム及び調節システムを備えるリソグラフィ装置 |
US10114298B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Conditioning system and lithographic apparatus comprising a conditioning system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101205982B1 (ko) | 2012-11-28 |
US8319157B2 (en) | 2012-11-27 |
NL2005009A (en) | 2011-01-31 |
US20110017724A1 (en) | 2011-01-27 |
KR101620930B1 (ko) | 2016-05-16 |
KR20110134346A (ko) | 2011-12-14 |
KR20110011572A (ko) | 2011-02-08 |
CN101968608B (zh) | 2013-10-09 |
CN101968608A (zh) | 2011-02-09 |
TWI461874B (zh) | 2014-11-21 |
TW201116958A (en) | 2011-05-16 |
JP5225335B2 (ja) | 2013-07-03 |
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