JP5249168B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。実施形態では液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することができる。本発明の実施形態は液体に関して説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族、フルオロハイドロカーボンなどの炭化水素、及び／又は水溶液である。

[0004] 液浸装置内で、液浸液は流体ハンドリングシステム又は装置によって取り扱われる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムとすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体を閉じ込めることができ、それにより例えば流体閉じ込め構造を有する流体閉じ込めシステムとすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体にバリアを提供することができ、それによりバリア部材とすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば液体の取扱いに役立てるために、流体（気体など）の流れを生成又は使用することができる。実施形態では、液浸液を液浸流体として使用することができる。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムとすることができる。

[0005] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板Ｗ上に、好ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口ＯＵＴを持つ４組の入口ＩＮが、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。

[0007] 局所液体供給システムがあるさらなる液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置される。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。使用する入口ＩＮと出口ＯＵＴの組み合わせの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。

[0008] 欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有してよい。

[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これが有利なのは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているからである。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。この液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題を軽減する１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載されている。全ての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0010] 以上で説明したように、液浸リソグラフィ装置、つまり投影システムの最終要素と基板の間で液浸流体を使用するリソグラフィ装置は、投影システムに対して基板がスキャンされるように構成することができる。例えば局所液体供給システムがある液浸リソグラフィ装置では、投影システムに対する基板のこの動作を慎重に制御しなければならない。特に、例えば液浸流体が閉じ込められている空間の前縁と後縁にて液浸流体のメニスカスに関する注意をしなければならない。

[0011] したがって、装置の動作条件を設定する場合には細心の注意を払わなければならない。例えば基板と投影システムとの相対速度が大きすぎる場合は、液浸流体が失われることがある、つまり投影システムと基板の間の空間内に所望のように保持することができないことがある。

[0012] 投影システムに対する基板の使用可能な最高速度のような装置の動作条件は、液浸流体の制御に使用されるシステムの設計に依存する。したがって例えば、液浸流体の損失が許容レベルまで最小化されることを十分に確信できる最高相対速度を割り出すことができ、その速度を超えないように液浸リソグラフィ装置を然るべく構成することができる。

[0013] 例えば動作条件を最適化できるシステムを提供することが望ましい。例えば、投影システムに対する基板の速度を最大にすることができるシステムを提供することが望ましいことがある。

[0014] 本発明の態様によれば、
投影システムを使用して、基板テーブルによって支持された基板にパターン付き放射ビームを投影し、
投影システムと基板の間で流体閉じ込め構造に囲まれた空間に液浸流体を提供し、
基板テーブル及び／又は放射ビームが投影される基板に関連するパラメータに基づいて流体閉じ込め構造の動作条件を割り出し、
割り出された少なくとも１つの動作条件に基づいて流体閉じ込め構造の動作を制御することを含む、デバイス製造方法が提供される。

[0015] 本発明の態様によれば、
基板を支持する基板テーブル、
基板テーブルによって支持された基板にパターン付き放射ビームを投影する投影システム、
投影システムと基板の間の空間内で液浸流体を制御する流体閉じ込め構造、及び
基板及び／又は基板テーブルに関連するパラメータに基づいて流体閉じ込め構造の動作条件を割り出し、割り出された動作条件に基づいて流体閉じ込め構造の動作を制御する制御システム、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0016] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。

[0017] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0018] リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 [0018] リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。 [0019] リソグラフィ投影装置内で使用するさらなる液体供給システムを示した図である。 [0020] リソグラフィ投影装置内で使用するさらなる液体供給システムを示した図である。 [0021] 本発明の実施形態による液浸リソグラフィ装置の制御システムの概略的構成を示した図である。 [0022] 本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの概略的構成を示した図である。 [0023] 本発明の実施形態による液浸リソグラフィ装置の概略的構成を示した図である。 [0024] 本発明の実施形態による液浸リソグラフィ装置の部分の概略的構成を示した図である。 [0025] 本発明の実施形態による液浸リソグラフィ装置の部分の概略的構成を示した図である。

[0026] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0027] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0028] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0029] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されているデバイスの特別な機能層に相当する。

[0030] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0031] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0032] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0033] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0034] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0035] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0036] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0037] 図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0038] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0039] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0040] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0041] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0042] 投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間に液体を提供する構成は、２つの一般的カテゴリに分類することができる。それは、基板Ｗの全体及び任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体槽に浸される槽型構成、及び液体が基板Ｗの局所領域にのみ提供される液体供給システムが使用されるいわゆる局所液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体によって充填された空間が基板Ｗの上面より平面図で小さく、液体で充填された領域は、基板Ｗがその領域の下で移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。本発明の実施形態が指向するさらなる構成は、液体が閉じ込められないオールウェット構成である。この構成では、実質的に基板Ｗの上面全体、及び基板テーブルＷＴの全部又は一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板Ｗを覆う液体の深さは浅い。液体は、基板Ｗ上の液体の薄膜などの膜でよい。図２から図５の液体供給デバイスのいずれも、このようなシステムにも使用することができる。しかし、密封特徴部が存在しないか、動作しないか、通常ほど効率的でないか、それ以外にも局所区域のみに液体を密封するには有効でない。図２から図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが図示されている。図２から図４に開示した液体供給システムは、以上で説明されている。

[0043] 提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する流体閉じ込め部材又は構造又はバリア部材を液体供給システムに提供する。このような構成が、図５に図示されている。流体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、流体閉じ込め構造と基板の表面の間にシールが形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0044] 図５は、流体閉じ込め構造１２、ＩＨがある局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。流体閉じ込め構造１２、ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の文章で基板Ｗの表面に言及する場合、それは他に明記しない限り、追加的又は代替的に基板テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、流体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、流体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールでよい。

[0045] 流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素の間の空間１１内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対するガスシール１６などの非接触シールを、投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、それを囲む流体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体入口１３によって投影システムＰＳの下方で、流体閉じ込め構造１２内の空間１１に入れる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体閉じ込め構造１２は投影システムＰＳの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。実施形態では、流体閉じ込め構造１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有し、例えば円形でよい。底部では、内周がイメージフィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形でよいが、そうである必要はない。

[0046] 実施形態では、液体は、使用中に流体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、実施形態ではＮ₂又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内の気体は、圧力下で入口１５を介して流体閉じ込め構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流１６があるように構成される。流体閉じ込め構造１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよい。環状溝は連続的又は不連続的でよい。気体の流れは、液体を空間１１に封じ込めるのに有効である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0047] 多くの他のタイプの液体供給システムが可能である。本発明の実施形態は、任意の特定タイプの液体供給システムに限定されない。本発明の実施形態は、投影システムの最終要素と基板の間の液体が閉じ込められないオールウェットシステムで使用するために最適化される。しかし、本発明の実施形態は他のタイプの液体供給システムで使用することができる。

[0048] 本発明の実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置は、液浸流体の制御に使用される流体閉じ込め構造１２、ＩＨに対する基板及びそれを支持する基板テーブルの最高許容速度など、流体閉じ込め構造の動作条件を割り出すように構成される。

[0049] 最高許容速度などの流体閉じ込め構造の動作条件は、ビーム又は放射が投影される基板に関連する１つ又は複数のパラメータに基づいて割り出すことができる。次に、流体閉じ込め構造の動作を制御する場合に、最高許容速度のこの割り出された値（又は他の動作条件）を使用する。例えば、リソグラフィプロセス中に投影システムに対する基板及び基板テーブルの動作を制御する場合に、最高許容速度を使用することができる。このようなプロセスは、投影システムに対する基板の最高許容速度など、流体閉じ込め構造の動作条件を割り出す場合に、様々な基板、又はレジスト層、トップコート又はトップコートを必要としないレジスト層、つまりトップコートレスレジストなどの様々な基板に適用されるコーティングの性質の違いを考慮するために使用することができる。

[0050] システムは、露光される基板の１つ又は複数のパラメータに基づいて流体閉じ込め構造の１つ又は複数の動作条件を割り出せることを認識されたい。例えばシステムは代替的又は追加的に、投影システムと基板の間の空間に提供される液浸流体の流量を設定することができる。代替的又は追加的に、システムは投影システムと基板の間の空間から液浸流体を抽出するために使用される低圧源のレベルを設定することができる。代替的又は追加的に、液浸流体を制御し、例えば液浸流体の損失を減少させるためにガスナイフを使用する液浸リソグラフィ装置では、システムはガスナイフ内で使用される気体流量を割り出すことができる。代替的又は追加的に、ガスナイフを使用するこのような液浸リソグラフィ装置では、システムはガスナイフ内で使用される気体の所望の組成、又は組成に基づく相対湿度などのパラメータを割り出すことができる。代替的又は追加的に、システムは露光プロセス中に基板と流体閉じ込め構造の間にある間隔の必要なサイズを割り出すことができる。任意の他の動作条件を代替的又は追加的にシステムによって割り出すことができる。

[0051] このような構成が有利であり得るのは、以上で検討したように最高許容速度などの所望の動作条件が流体閉じ込め構造１２、ＩＨの設計に依存することに加えて、所望の動作条件が基板自体又は基板に適用されるコーティングの影響を受けることがあるからである。したがって、露光される基板に関連するパラメータの１つ又は複数に基づいて流体閉じ込め構造の動作条件を割り出し、使用することにより、流体閉じ込め構造の動作条件を最適化し、したがってリソグラフィ装置の動作を最適化することが可能である。

[0052] 基板又は使用コーティングの性質に関係なく、液浸流体の損失が許容レベル未満に維持されることを保証するために、液浸リソグラフィ装置の各構成について最高許容速度を割り出すことができる。つまり、最高許容速度は、装置に、つまり液浸流体の損失に最悪の影響を及ぼす基板（及びコーティング）に予想される最悪の状態に基づいて設定される。しかしその結果、液浸流体の損失をもたらす可能性が低い基板又は基板コーティングの場合は、液浸流体の有意の損失という有意の危険がない状態で、投影システムに対してシステムによって許容される速度より高速で基板を移動することができる。同様の考慮事項が、流体閉じ込め構造の任意の他の動作条件を設定する際にも当てはまる。

[0053] 装置のスループット、つまり所与の期間内に処理可能な基板の数は、最高許容スキャン速度などの動作条件から直接影響を受ける。したがって、システムの最高許容速度より高速で投影システムに対して移動可能な基板では、システムのスループットは理論的に可能な値より小さい。つまり最適以下である。同様に、リソグラフィ装置の性能は、流体閉じ込め構造の任意の他の動作条件を最適化することによって改善することができる。

[0054] したがって、各基板の性質及び／又はそれに適用される任意のコーティングの性質を考慮に入れる最高許容速度などの動作条件を割り出すことにより、リソグラフィ装置の性能、例えばスループットを改善することが可能である。

[0055] 本発明の実施形態による液浸リソグラフィ装置は、投影システムとともに液浸流体を制御する流体閉じ込め構造に対する基板及び基板テーブルの最高許容速度など、流体閉じ込め構造の１つ又は複数の動作条件を割り出すように構成された制御システムを含むことができる。割り出された１つ又は複数の動作条件に基づいて、例えば流体閉じ込め構造に対する基板及び基板テーブルの速度がこの最高許容速度を超えないように、装置の動作が制御される。

[0056] 特に図６に示すように、プロセッサ２０ａ及びメモリ２０ｂを含むコントローラ２０は、処理される基板に関連するパラメータ２１を受信するように構成することができる。コントローラ２０は、パラメータを動作条件に関連づけるデータ、つまりこの例では流体閉じ込め構造に対する基板の最高許容速度を記憶するルックアップテーブル２２によって、その基板の動作条件、例えば最高許容速度を割り出すことができる。その後、コントローラ２０は割り出された動作条件に基づいて装置２３の動作を制御する。例えば、アクチュエータシステム２３ａを使用して基板及び基板テーブルの動作を制御し、流体閉じ込め構造に対する基板及び基板テーブルの速度が最高許容速度を超えないことを保証することができる。

[0057] 最高許容速度などの動作条件を割り出すために使用されるパラメータ２１は、例えば基板又は基板のコーティング上における液浸流体の接触角とすることができる。

[0058] 基板又は基板上のコーティング上にある液浸流体の接触角は、所与の基板及び／又は基板コーティングについて概ね知ることができ、所与の基板及び／又は基板コーティングについて多少の変動がある。したがって、所与の基板及び／又は基板コーティングについて、接触角の予想値に対応する公称値を知ることができる。したがって液浸リソグラフィ装置がすぐに所与の基板上でプロセスを実行するように構成されている場合、コントローラ２０には、リソグラフィ装置を構成するために必要な任意の他の情報を提供するのと同時に、パラメータ２１として接触角の公称値を提供することができる。

[0059] むしろ、コントローラ２０は基板及び／又は基板上のコーティングを示すデータを受信できることが認識される。その場合、ルックアップテーブル２２は、特定の基板及び／又は基板コーティングのタイプをそのリソグラフィ装置の動作条件（例えば最高許容速度）に直接関連させることができる。

[0060] 代替的又は追加的に、コントローラ２０は使用者がユーザインタフェース２６にて実行する入力の形態でパラメータ２１を受信することができる。

[0061] 代替的又は追加的に、コントローラ２０は、基板及び／又は基板上のコーティング上における液浸流体の接触角などのパラメータ２１の直接測定に関するデータを受信することができる。例えば、センサ２５を設けて、露光プロセスを実行する前に各基板上（又は基板のコーティング上）で液浸流体の接触角を測定することができる。例えばセンサは、基板又は基板上のコーティング上に配置された液浸流体のサンプルを結像し、適切なイメージ分析ソフトウェアとともに接触角の測定値を取得するように配置されたＣＣＤカメラなどのカメラの形態とすることができる。現在知られている他の形態の流体接触角センサを使用してもよい。

[0062] さらに、センサを使用して、基板及び／又は基板上のコーティング上における液浸流体の接触角以外に、基板に関連する１つ又は複数のパラメータの直接測定を提供できることを認識されたい。例えば、レベリングセンサを設けることができる。このようなセンサは、基板及び／又は基板上のコーティングの表面微細構造を測定することができる。

[0063] 接触角センサなどのセンサ２５は、図７に示すようにリソグラフィシステム内で様々な異なる可能な位置のうち１つ又は複数に設けることができる。

[0064] 例えば、リソグラフィ装置３２内の露光前及び／後に基板を処理するように構成されたシステム３１内に、センサ２５を設けることができる。このようなシステムは、例えば制御された方法でコーティングを基板に適用する、基板を加熱する、及び／又は基板を冷却することができる。

[0065] 代替的又は追加的に、リソグラフィシステム内で基板を搬送するように構成された基板ハンドリング装置３３内に、センサ２５を設けることができる。例えば、基板を液浸リソグラフィ装置３２に提供する直前に接触角を測定できるように構成することができる。

[0066] 代替的又は追加的に、液浸リソグラフィ装置３２自体がセンサ２５を含むことができる。

[0067] 代替的又は追加的に、例えば以前のプロセス中に基板上に生成されたパターンを検査する、及び／又は以前のプロセスステップで生成された２つのパターンのオーバレイを比較するために設けることができるインスペクション装置３４の一部として、センサ２５を含むことができる。

[0068] 代替的又は追加的に、基板及び／又は基板上のコーティング上における液浸流体の接触角を測定するために、完全に別個のユニット３５を設けることができる。基板に関連する任意の他のパラメータについても、センサを設けることに同様の考慮事項が当てはまることが認識される。

[0069] 図８に示すように、接触角センサなどのセンサ２５は、液浸リソグラフィ装置３２内で様々な異なる可能な位置のうち１つ又は複数に設けることができる。

[0070] 図８に示す例では、液浸リソグラフィ装置３２は、１つの基板Ｗ２上でパターンを露光している間に、基板テーブルＷＴ１に対する別の基板Ｗ１の位置を測定するなどの測定プロセスを同時に実行できるように構成された露光ステーション４１及び測定ステーション４２を含む。したがって、このような装置は２つの基板テーブルＷＴ１、ＷＴ２を含むことができる。このような構成では、測定ステーション４２の一部である測定計器４３とともに、又はその一部としてセンサ２５を設けることができる。

[0071] 代替的又は追加的に、測定ステーション４２と露光ステーション４１の間で基板Ｗ１、Ｗ２及び基板テーブルＷＴ１、ＷＴ２を移送するプロセス中に、基板Ｗ１、Ｗ２に関連するパラメータの測定を実行できるように、測定ステーション４２と露光ステーション４１の間にセンサ２５を設けることができる。

[0072] ２つの基板テーブルを有する液浸リソグラフィ装置の幾つかの構成では、図９に示すように後退可能なスワップブリッジ５１を設けることができる。このような後退可能なスワップブリッジ５１の機能は、第一基板テーブルＷＴ１及び関連する基板Ｗ１の処理と、第二基板テーブルＷＴ２及び関連する基板Ｗ２とを露光ステーション４１にて切り替えるプロセスを容易にできることである。図示のように、移送プロセス中に後退可能なスワップブリッジ５１は、２つの基板テーブルＷＴ１、ＷＴ２間に配置され、流体閉じ込め構造１２の下を通過するために２つの基板テーブルＷＴ１、ＷＴ２及び関連する基板Ｗ１、Ｗ２の表面の連続性を提供するように構成される。このような構成を使用することにより、移送プロセス中に流体閉じ込め構造１２から流体を除去する必要がない。移送が終了すると、露光プロセスを妨害しないように、後退可能なスワップブリッジ５１を後退させることができる。このような構成では、露光ステーション４１に移送する前、及び／又は移送プロセス中に、つまりパターン付き放射ビームを基板に投影できるように基板を位置決めするプロセスの直前又はプロセス中に、基板に関連するパラメータを測定できるようにセンサ２５を構成することができる。

[0073] 液浸リソグラフィ装置の幾つかの構成では、図１０に示すように測定ステージ５２を設けることができる。図１０に示すように、このような測定ステージ５２は、露光ステーション４１にて基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴと交換するように構成することができる。したがって、例えば以上で検討したように基板Ｗを基板テーブルＷＴに装填している間、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り出している間、又は基板Ｗを測定ステーション４２にて処理している間に、流体閉じ込め構造１２の下に測定ステージ５２を提供することができる。このような構成を使用することにより、例えば基板Ｗを基板テーブルＷＴに装填している間、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り出している間、又は基板Ｗを測定ステーション４２にて処理している間に、流体閉じ込め構造１２から流体を除去する必要がない。さらに測定ステージ５２は、洗浄、例えば液体閉じ込め構造１２の部品の洗浄、又は投影システムＰＳの性能に関する測定など、他の機能を実行するように構成することができる。このような構成では、露光ステーション４１に移送する直前、及び／又は移送プロセス中に、つまりパターン付き放射ビームを基板Ｗに投影できるように基板Ｗを位置決めする場合に測定ステージ５２と交換する前又は交換する間に、基板Ｗに関連するパラメータを測定できるようにセンサ２５を構成することができる。

[0074] 代替的又は追加的に、露光ステーション４１の一部としてセンサ２５を設けることができる。特に、例えば図８に示すように流体閉じ込め構造１２に関連した、又はそれと一体のセンサ２５を設けることができる。

[0075] 代替的又は追加的に、センサ２５は図８に示すように基板テーブルＷＴに装着するか、一体化することができる。このような構成では、基板に関連するパラメータの測定は、プロセス中に任意の都合の良い時に実行することができる。

[0076] 代替的又は追加的に、図８の上左手隅に示すように、基板ハンドリング装置３３が基板Ｗを基板テーブルＷＴに装填する位置でパラメータの測定を実行できるように、リソグラフィ装置３２内にセンサ２５を設けることができる。

[0077] 代替的又は追加的に、図８の上右手隅に示すように、測定ステーション４２又は露光ステーション４１の動作を妨害せずにパラメータの測定を実行できるように、リソグラフィ装置３２内の別個の位置にセンサ２５を設けることができる。

[0078] リソグラフィシステムの動作中に、通常はバッチと呼ばれる複数の基板を、実質的に同じ方法で連続的に処理できることを認識されたい。その場合、液浸リソグラフィ装置は、流体閉じ込め構造に対する基板の最高許容速度など、特定のバッチ内にある基板の全部に対して使用される流体閉じ込め構造の動作条件を割り出すように構成することができる。したがって例えば動作条件が最高許容速度であり、これが基板又は基板コーティング上における液浸流体の接触角の測定に基づいて割り出される場合、バッチの最高許容速度を割り出すために使用される接触角の測定は、基板の１つで実行される。あるいは、例えば接触角の測定をバッチの複数又は全部の基板で実行し、最高許容速度を例えば測定値の平均から割り出すことができる。任意の他の動作条件を割り出す、及び基板に関連する任意の他のパラメータを使用する場合、同様の可能性が当てはまる。

[0079] 基板の性質が、基板の縁部では例えば基板の中央の性質と異なることがある。例えば基板の中心部分では、基板のトップコーティングのみが液浸流体と接触することがある。対照的に、基板の縁部近くでは１つ又は複数の他のコーティング層、又は基板自体が液浸流体と接触することがある。したがって液浸リソグラフィ装置は、コントローラ２０が、基板の中心領域に関連する基板のパラメータに基づいて、流体閉じ込め構造に対する基板の第一最高可能速度などの流体閉じ込め構造の動作条件の第一値を割り出すように構成することができる。この第一値、例えば第一最高許容速度は、流体閉じ込め構造が基板の中心部分に隣接しているリソグラフィプロセスの段階で使用することができる。動作条件の第二値、例えば第二最高許容速度を、流体閉じ込め構造が基板の縁部に隣接しているリソグラフィプロセスの段階のために提供することができる。

[0080] 動作条件のこのような第二値を、液浸リソグラフィ装置に対して固定することができる。あるいは、例えばコントローラ２０は、基板の縁部状態に関連するパラメータに基づいて、以上のように基板（又は基板のバッチ）毎に動作条件の第二値を割り出すことができる。

[0081] コントローラ２０は、基板又は基板コーティングに関連する任意の他の関連パラメータに基づき、流体閉じ込め構造に対する基板の最高許容速度などの流体閉じ込め構造の１つ又は複数の動作条件を割り出すように構成することができる。例えば動作条件は、基板の表面又は基板上のコーティングの液浸流体の吸収性、基板の表面又は基板上のコーティングの湿潤性、基板の表面又は基板上のコーティングの化学的特性、又は基板の表面又は基板上のコーティングの物理的特性の値に基づいて割り出すことができる。異なる動作条件の割り出しには異なるパラメータを使用できることが認識される。

[0082] １つ又は複数の動作条件を割り出すために、以上で検討したパラメータのいずれかの任意の組み合わせを使用することができる。同様に、任意のパラメータを、基板（又は基板のバッチ）毎に適切なセンサ２５で測定するか、所与のプロセスに対して液浸リソグラフィ装置を構成するために実行すべきプロセスに関する情報とともにコントローラ２０に提供することができる。

[0083] コントローラ２０は、ルックアップテーブル２２以外の手段によって１つ又は複数のパラメータに基づいて１つ又は複数の動作条件を割り出すことができる。例えば、コントローラ２０に提供された１つ又は複数のパラメータの値に基づいて１つ又は複数の動作条件を直接計算するアルゴリズムを提供することができる。

[0084] ルックアップテーブル２２を設ける場合、ルックアップテーブル２２に含まれるデータは、例えば較正実験によって提供することができる。この情報は、個々の液浸リソグラフィ装置毎に事前に割り出すか、特定の構成の全液浸リソグラフィ装置で共通とすることができる。

[0085] 動作条件を制御し、最適化することが望ましい。例えば露光した基板上で欠陥が発生するのを減少させるか、防止するか、最小化するために、動作条件を変更及び／又は調節することができる。これは、液体閉じ込め構造からの液体の損失を減少させるか、防止するか、最小化するように動作条件を変更することによって達成することができる。

[0086] 液体閉じ込め構造から逃げた液体が液滴を形成することがある。液滴中の液体が蒸発して、基板上の乾燥汚れを形成することがある。

[0087] 液滴は、液体閉じ込め構造のその後の経路に配置されることがある。液滴と液体閉じ込め構造内の液浸液との相互作用が気泡を形成することがある。気泡は、基板上に欠陥を形成させ得るので、パターン付き露光ビームの光路に入らないことが望ましい。液体閉じ込め構造による液体供給率などの動作条件は、このような望ましくない相互作用を減少させるか、防止するか、最小化するように設定することができる。

[0088] 流体閉じ込め構造の動作は、基板の縁部などのコーティングの一部を、例えば粒子の形態で基板から離すか、液浸液中に溶解させることがある。離れた粒子は、欠陥の源となり得る汚染粒子と見なすことができる。液体閉じ込め構造の動作条件は、例えばコーティングに向かう及び／又はコーティングから離れる流体の流れ（例えば液体及び／又は気体の流れ）によって基板に与えられる力を制限することによって、基板の表面からのコーティング損失を減少させるか、防止するか、最小化するように設定することができる。

[0089] 液体閉じ込め構造及び投影システムに対して基板及び基板テーブルを経路指示することにより、液体閉じ込め構造を基板の縁部上に、及び基板テーブル上へと通過させることができる。したがって液体閉じ込め構造の動作性能は、基板テーブル表面に対する液浸液の接触角など、基板テーブル表面の表面特性に依存することがある。したがって、本明細書で説明したセンサの少なくとも１つを使用して、基板テーブル表面の表面特性を検出することができる。センサの測定を使用して、前述したような基板表面の場合と同じ方法で液体閉じ込め構造の動作条件を設定することができる。

[0090] 液浸液に対する接触角などの基板テーブルの表面特性を、１つの基板又は基板のロットの露光中に変化させることはできないが、基板テーブルの特性をより長期間にわたって感知することが望ましいことがある。コーティングとして使用するものを含む基板テーブル上に存在する材料などの幾つかの材料の表面の接触角は、時々経時変化することがある。このような変化は、自然のエージングの結果であることがある。一因は、表面材料と露光放射などのＵＶ放射との相互作用であることがあり、これは液浸液が存在していてもあり得る。

[0091] したがって例えば液体閉じ込め構造の性能、又は基板テーブルの表面と基板又はダミー基板、閉鎖ディスク、測定ステージの表面又は後退可能なブリッジなどのシャッタ部材との間に画定されるギャップなど、別の液浸システムの態様を最適化するために、表面特性を監視することが望ましい。シャッタ部材は、例えば基板の交換中に、液体閉じ込め構造と投影システムと（基板交換中の）シャッタ部材との間に画定された空間内に液浸液を閉じ込めるために使用される。

[0092] 表面特性の変化が望ましくない場合、例えば検出された表面特性が特定の閾値を超えるか、それより小さい場合、感知センサに接続された制御システムが使用者に対して警告信号を起動することができる。

[0093] 以上の実施形態は基板支持体ＷＴ及び基板Ｗについて説明してきたが、本発明はこの態様に限定されない。例えば本発明の実施形態は、様々なオブジェクトを基板テーブルＷＴ上のオブジェクト支持体に装着することを指向することができる。例えば、オブジェクトは、基板テーブルＷＴの上面上のセンサ支持体上で支持されるセンサとすることができる。

[0094] 認識されるように、上述した特徴のいずれも、任意の他の特徴とともに使用することができ、本出願に含まれるのは明示的に説明されたこれらの組み合わせだけではない。

[0095] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0096] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。

[0097] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含む１つ又は複数のコンピュータプログラム、又はこのような１つ又は複数のコンピュータプログラムを内部に記憶した１つ又は複数のデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータプロセッサが１つ又は複数のコンピュータプログラムを読み取ると、本明細書で言及した１つ又は複数の異なるコントローラを動作可能にすることができる。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成され、それによりコントローラは１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作する。

[0098] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[0099] 本明細書で想定するような流体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00100] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。

Claims (17)

1. 投影システムを使用して、基板テーブルによって支持された基板にパターン付き放射ビームを投影し、
   前記投影システムと前記基板の間で流体閉じ込め構造に囲まれた空間に液浸流体を提供し、
   基板テーブル及び／又は前記放射ビームが投影される前記基板に関連するパラメータに基づいて前記流体閉じ込め構造の動作条件を割り出し、
   前記割り出された動作条件に基づいて前記流体閉じ込め構造の動作を制御し、
   前記基板の縁部に関連するパラメータに基づいて前記流体閉じ込め構造の前記動作条件のさらなる値を割り出し、
   前記流体閉じ込め構造が前記基板の前記縁部に隣接している場合に、前記動作条件の前記割り出されたさらなる値を使用して、前記流体閉じ込め構造の前記動作を制御することを含み、
   前記基板の前記縁部に関連する前記パラメータが、前記基板の前記縁部の表面又は前記基板の前記縁部上のコーティングの性質の値を含む、デバイス製造方法。
2. 前記方法が、パターン付き放射ビームを前記基板の異なる部分に投影するために、前記投影システム及び前記流体閉じ込め構造に対して前記基板及び基板テーブルを移動することをさらに含み、
   前記流体閉じ込め構造の前記動作条件が、前記流体閉じ込め構造に対する前記基板及び基板テーブルの最高許容速度を含み、
   前記割り出された動作条件に基づいて前記流体閉じ込め構造の前記動作を制御することが、前記流体閉じ込め構造に対する前記基板及び基板テーブルの前記速度が前記最高許容速度を超えないように、前記基板及び前記基板テーブルの前記移動を制御することを含む、請求項１に記載のデバイス製造方法。
3. 前記流体閉じ込め構造の動作条件を割り出すことが、前記パラメータに関連する最高許容速度を割り出すためにルックアップテーブルを使用することを含む、請求項１又は２に記載のデバイス製造方法。
4. 前記パラメータが、前記基板及び／又は前記基板テーブルの少なくとも一部上における前記液浸流体の接触角の値を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
5. 前記流体閉じ込め構造の前記動作条件を割り出すために使用される前記接触角の前記値が、前記基板テーブル及び／又は前記放射が投影される前記基板上の前記接触角の測定に基づく、請求項４に記載のデバイス製造方法。
6. 前記方法が、パターン付き放射ビームを複数の基板を備えるバッチに投影することを含み、
   前記バッチ内の全基板を処理するために前記流体閉じ込め構造の前記動作条件の割り出しに使用される前記パラメータが、前記バッチ内の前記基板の１つ又は複数で測定された前記パラメータの値に基づく、請求項１から５のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
7. 前記パターン付き放射ビームが前記基板に投影されるように前記基板が配置されている間に、前記測定を実行できるように構成されたセンサ、前記基板が前記基板テーブルによって支持され且つ測定ステーションが前記基板テーブルに対する前記基板の位置を割り出すように前記基板が配置されている間に、前記測定を実行するように構成されたセンサ、前記パターン付き放射ビームを前記基板に投影できるように基板を配置するプロセスの直前又はプロセス中に前記測定を実行するように構成されたセンサ、基板ハンドリング装置内に装着されたセンサ、基板を検査するように構成された装置内に装着されたセンサ、又は基板にコーティングを塗布すること、前記基板を加熱すること、前記基板を冷却することから選択された少なくとも１つを実行するように構成された装置内に装着されたセンサ、から選択された少なくとも１つのセンサを使用して、前記パラメータを測定することを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
8. 前記パラメータが、前記基板及び／又は前記基板テーブルに塗布されたコーティングに関連する前記接触角の公称値を備える、請求項４から７のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
9. 前記パラメータが、前記基板及び／又は前記基板テーブルに塗布されたコーティングのタイプの表示を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
10. 前記パラメータの値に対応する入力を使用者から受け、前記動作条件を割り出す場合に前記値を使用することをさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
11. 前記パラメータが、前記基板及び／又は基板テーブルの表面又は前記基板及び／又は基板テーブル上のコーティングの前記液浸流体の吸収性、前記基板及び／又は基板テーブルの表面又は前記基板及び／又は基板テーブル上のコーティングの湿潤性、前記基板及び／又は基板テーブルの表面又は前記基板及び／又は基板テーブル上のコーティングの化学的特性、又は前記基板及び／又は基板テーブルの表面又は前記基板及び／又は基板テーブル上のコーティングの物理的特性の値、から選択された少なくとも１つを含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
12. 前記流体閉じ込め構造の前記動作条件が、前記流体閉じ込め構造に囲まれた前記空間に入る液浸流体の流量、前記流体閉じ込め構造に囲まれた前記空間から液浸流体を抽出するために使用される低圧、前記液浸流体の損失を減少させるために前記流体閉じ込め構造内で使用されるガスナイフの気体流量、前記流体閉じ込め構造内で使用されるガスナイフ中の前記気体の組成、又は前記基板と前記流体閉じ込め構造の間の間隔のサイズ、から選択された少なくとも１つを含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
13. 基板を支持する基板テーブル、
    前記基板テーブルによって支持された基板にパターン付き放射ビームを投影する投影システム、
    前記投影システムと前記基板の間の空間内で液浸流体を制御する流体閉じ込め構造、
    前記基板及び／又は前記基板テーブルに関連するパラメータに基づいて前記流体閉じ込め構造の動作条件を割り出し、該割り出された動作条件に基づいて前記流体閉じ込め構造の動作を制御する制御システム、を備え、
    前記制御システムが、前記基板の縁部に関連するパラメータに基づいて前記流体閉じ込め構造の前記動作条件のさらなる値を割り出し、前記流体閉じ込め構造が前記基板の前記縁部に隣接している場合に、前記動作条件の前記割り出されたさらなる値を使用して、前記流体閉じ込め構造の前記動作を制御し、
    前記基板の前記縁部に関連する前記パラメータが、前記基板の前記縁部の表面又は前記基板の前記縁部上のコーティングの性質の値を含む、液浸リソグラフィ装置。
14. 前記流体閉じ込め構造及び前記投影システムに対して前記基板及び基板テーブルを移動させるアクチュエータシステムをさらに備え、
    前記流体閉じ込め構造の前記動作条件が、前記流体閉じ込め構造に対する前記基板及び前記基板テーブルの最高許容速度を含み、
    前記制御システムが、前記流体閉じ込め構造に対する前記基板及び基板テーブルの前記速度が前記最高許容速度を超えないように前記アクチュエータシステムを制御する、請求項１３に記載の液浸リソグラフィ装置。
15. 前記基板及び／又は基板テーブル上にある前記液浸流体の接触角を測定するセンサをさらに備え、
    前記パラメータが、前記センサによって測定された前記接触角の値を含む、請求項１３又は１４に記載の液浸リソグラフィ装置。
16. 前記基板がパターン付き放射ビームを前記基板に投影できる位置にある間に前記接触角を測定できるように、前記センサが構成される、請求項１５に記載の液浸リソグラフィ装置。
17. 前記基板テーブルに対する前記基板の前記位置を測定する測定ステーションをさらに備え、
    前記測定ステーションが前記基板テーブルに対する前記基板の前記位置を測定するように前記基板及び前記基板テーブルが位置決めされている間に、前記接触角を測定できるように、前記センサが構成される、請求項１５に記載の液浸リソグラフィ装置。

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