KR20150023506A - 지지 장치, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

지지 장치, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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안토니우스 프란시스쿠스 요한네스 데 그루트
마르텐 반 베이넘
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Abstract

리소그래피 장치에 대한 지지 장치(60)는 대상물 홀더 및 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체(65)를 포함한다. 대상물 홀더는 대상물(W)을 지지하도록 구성된다. 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부(66)를 포함한다. 추출 몸체는 추출 몸체가 실질적으로 대상물 홀더로부터 디커플링되도록 대상물 홀더로부터 이격된다. 추출 몸체는 대상물 홀더를 둘러싸도록 구성된 돌출부(30)를 포함하여, 사용 시 액체 층(32)이 돌출부 상에 유지되고 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 한다.

Description

지지 장치, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{SUPPORT APPARATUS, LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 출원은 2012년 5월 29일에 출원된 미국 가출원 61/652,582의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다. 본 출원은 2012년 6월 29일에 출원된 미국 가출원 61/666,348의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 지지 장치, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 침지시키는 것이 제안되었다. 일 실시예에서, 상기 액체는 증류수이지만, 또 다른 액체가 사용될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체에 관하여 설명될 것이다. 하지만, 또 다른 유체, 특히 습윤 유체(wetting fluid), 비압축성 유체 및/또는 공기보다 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적절할 수 있다. 가스를 배제한 유체들이 특히 바람직하다. 이것의 요점은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피처들의 이미징을 가능하게 한다는 것이다[또한, 액체의 효과는 시스템의 유효 개구수(numerical aperture: NA)를 증가시키는 것으로 간주될 수 있으며, 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다]. 그 안에 고체 입자(예를 들어, 석영)가 부유(suspend)하고 있는 물, 또는 나노-입자 부유물(예를 들어, 최대 치수가 10 nm까지인 입자들)을 갖는 액체를 포함한 다른 침지 액체들이 제안되었다. 부유된 입자들은, 그것들이 부유하고 있는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 적절할 수 있는 다른 액체들로는 방향족화합물(aromatic)과 같은 탄화수소, 플루오르화탄화수소(fluorohydrocarbon), 및/또는 수용액을 포함한다.
기판 또는 기판과 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 시 대량의 액체(large body of liquid)가 가속화되어야 한다는 것을 의미한다. 이는 추가적이거나 더 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.
침지 장치에서, 침지 유체는 유체 핸들링 시스템(fluid handling system), 디바이스 구조체 또는 장치에 의해 처리된다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 침지 유체를 공급할 수 있으므로, 유체 공급 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 적어도 부분적으로 침지 유체를 한정할 수 있으므로, 유체 한정 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 침지 유체에 대한 방벽(barrier)을 제공할 수 있으므로, 유체 한정 구조체와 같은 방벽 부재일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 예를 들어 침지 유체의 흐름 및/또는 위치를 제어하는 데 도움이 되는 가스의 흐름을 생성하거나 이용할 수 있다. 가스의 흐름이 침지 유체를 한정하도록 시일(seal)을 형성할 수 있으므로, 유체 핸들링 구조체는 시일 부재라고 언급될 수 있다; 이러한 시일 부재는 유체 한정 구조체일 수 있다. 일 실시예에서, 침지 액체가 침지 유체로서 사용된다. 그 경우, 유체 핸들링 시스템은 액체 핸들링 시스템일 수 있다. 앞서 언급된 설명을 참조하면, 이 단락에서 유체에 대해 정의된 특징의 언급은 액체에 대해 정의된 특징을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
리소그래피 장치에서 침지 액체를 처리하는 것은 1 이상의 액체 처리 문제를 가져온다. 통상적으로, 기판 및/또는 센서와 같은 대상물과 상기 대상물(예를 들어, 기판 및/또는 센서)의 에지 주위의 테이블(예를 들어, 기판 테이블 또는 측정 테이블) 사이에 갭이 존재한다. 미국 특허 공개공보 US 2005-0264778은, 의도적으로 액체로 갭을 채워 갭이 액체 공급 시스템 아래로 지남에 따른 기포(bubble)의 포함을 회피하기 위해, 및/또는 갭에 들어가는 여하한의 액체를 제거하기 위해 액체 소스 또는 저압 소스(low pressure source)를 제공하는 것, 또는 재료로 갭을 채우는 것을 기재하고 있다.
예를 들어, 리소그래피 장치의 대상물 홀더(object holder)의 온도 프로파일의 안정성을 개선하는 것이 바람직하다.
일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에 대한 지지 장치가 제공되고, 이는 대상물을 지지하도록 구성된 대상물 홀더; 및 상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽(radially outward)에 있는 추출 몸체(extraction body)를 포함하며, 상기 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부(extraction opening)를 포함하고, 상기 추출 몸체는 추출 몸체가 실질적으로 대상물 홀더로부터 디커플링(decouple)되도록 대상물 홀더로부터 이격되며, 상기 추출 몸체는 대상물 홀더를 둘러싸도록 구성된 돌출부(projection)를 포함하여, 사용 시 액체 층이 돌출부 상에 유지되고 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 한다.
일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에 대한 지지 장치가 제공되고, 이는 대상물 홀더; 및 상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체를 포함하며, 상기 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 상기 추출 몸체는 주변부에 이격된 복수의 접합부들(plurality of peripherally spaced joints)에 의해 대상물 홀더에 연결되어, 상기 접합부들 사이에서 추출 몸체가 대상물 홀더로부터 이격되도록 한다.
일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 방법은: 지지 장치로 기판을 지지하는 동안 기판 상으로 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 상기 지지 장치는: 대상물을 지지하도록 구성된 대상물 홀더; 및 상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체를 포함하며, 상기 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 상기 추출 몸체는 추출 몸체가 실질적으로 대상물 홀더로부터 디커플링되도록 대상물 홀더로부터 이격되며, 상기 추출 몸체는 대상물 홀더를 둘러싸도록 구성된 돌출부를 포함하여, 사용 시 액체 층이 돌출부 상에 유지되고 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 한다.
일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 방법은: 지지 장치로 기판을 지지하는 동안 기판 상으로 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 상기 지지 장치는: 대상물 홀더; 및 상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체를 포함하며, 상기 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 상기 추출 몸체는 주변부에 이격된 복수의 접합부들에 의해 대상물 홀더에 연결되어, 상기 접합부들 사이에서 추출 몸체가 대상물 홀더로부터 이격되도록 한다.
일 실시형태에 따르면, 열전도율을 갖는 테이블 재료로 형성된 테이블; 테이블의 후퇴부(recess) 내에 위치된 몸체 -상기 몸체와 테이블 사이에 갭이 존재함- ; 및 몸체의 최상면으로부터 테이블의 최상면까지의 갭을 브리징(bridge)하는 부재를 포함한 지지 장치가 제공되고, 상기 부재는 테이블 재료의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖는 열저항 재료의 열저항 층을 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 방법은: 지지 장치로 기판을 지지하는 동안 기판 상으로 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 상기 지지 장치는: 열전도율을 갖는 테이블 재료로 형성된 테이블; 테이블의 후퇴부 내에 위치된 몸체 -상기 몸체와 테이블 사이에 갭이 존재함- ; 및 몸체의 최상면으로부터 테이블의 최상면까지의 갭을 브리징하는 부재를 포함하며, 상기 부재는 테이블 재료의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖는 열저항 재료의 열저항 층을 포함한다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용하는 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 사용하는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 5는 리소그래피 투영 장치에서 사용하는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 6 내지 도 8은 일 실시예의 지지 장치의 일부분의 단면도;
도 9는 일 실시예의 지지 장치의 일부분의 평면도;
도 10 내지 도 14는 일 실시예의 지지 장치의 일부분의 단면도;
도 15 내지 도 19는 일 실시예의 열적 컨디셔닝 시스템(thermal conditioning system)의 단면도;
도 20 내지 도 30은 일 실시예의 지지 장치의 일부분의 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 테이블의 표면, 예를 들어 기판(W)의 표면을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 지지 테이블, 예를 들어 1 이상의 센서를 지지하는 센서 테이블 또는 기판 지지 장치(60); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 더 많은 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 이는 패터닝 디바이스(MA)의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 이상의 테이블들[또는 스테이지(들) 또는 지지체(들)], 예를 들어 2 이상의 기판 테이블들, 또는 1 이상의 기판 테이블과 1 이상의 센서 또는 측정 테이블의 조합을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 다수 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 리소그래피 장치는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블들[또는 스테이지(들) 또는 지지체(들)]을 가질 수 있으며, 이는 기판, 센서 및 측정 테이블들과 유사한 방식으로 병행하여 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스(SO)가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스(SO)가 수은 램프인 경우, 상기 소스(SO)는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터(IL)의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다. 소스(SO)와 유사하게, 일루미네이터(IL)는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주될 수 있으며, 또는 간주되지 않을 수 있다. 예를 들어, 일루미네이터(IL)는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있으며, 또는 리소그래피 장치와 별도의 개체일 수 있다. 후자의 경우, 리소그래피 장치는 일루미네이터(IL)로 하여금 그 위에 장착되게 하도록 구성될 수 있다. 선택적으로, 일루미네이터(IL)는 분리가능하고, (예를 들어, 리소그래피 장치 제조자 또는 또 다른 공급자에 의해) 별도로 제공될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 지지 장치(60)는 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 지지 장치(60)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부(C)들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 지지 장치(60)는 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 지지 장치(60)는 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 지지 장치(60)는 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 지지 장치(60)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부(C)의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부(C)의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 지지 장치(60)가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 지지 장치(60)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 구성들은 3 개의 일반 카테고리들로 분류될 수 있다. 이들은 배스 형태의 구성, 소위 국부화된 침지 시스템, 및 전체 습식(all-wet) 침지 시스템이다. 배스 형태의 구성에서는, 실질적으로 기판(W)의 전체 및 선택적으로 기판 지지 장치(60)의 일부분이 액체 배스 내에 잠긴다.
국부화된 침지 시스템은 기판의 국부화된 영역에만 액체가 제공되는 액체 공급 시스템을 사용한다. 액체로 채워진 공간은 기판의 최상면보다 평면이 더 작고, 액체로 채워진 공간(volume)은 기판(W)이 상기 공간 밑에서 이동하는 동안 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 정지 상태로 유지된다. 도 2 내지 도 5는 이러한 시스템에서 사용될 수 있는 상이한 공급 디바이스들을 나타낸다. 밀폐 특징부(sealing feature)가 존재하여, 국부화된 영역에 액체를 밀폐시킨다. 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 PCT 특허 출원 공개공보 WO 99/49504호에 개시되어 있다.
전체 습식 구성에서는 액체가 한정되지 않는다. 기판의 전체 최상면 및 기판 테이블의 전체 또는 일부분이 침지 액체로 덮인다. 적어도 기판을 덮는 액체의 깊이는 얕다. 액체는 기판 상에서 박막(thin-film)과 같은 얇은 층(film)의 액체일 수 있다. 침지 액체는 투영 시스템 및 투영 시스템을 향해 있는 마주하는 표면의 구역에 또는 그 안에 공급될 수 있다(이러한 마주하는 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면일 수 있음). 도 2 내지 도 5의 여하한의 액체 공급 디바이스들이 이러한 시스템에서도 사용될 수 있다. 하지만, 밀폐 특징부들이 존재하지 않거나, 활성화되지 않으며, 또는 정상(normal)만큼 효율적이지 않고, 아니면 국부화된 영역에만 액체를 밀폐시키는 데 효과적이지 않다.
도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 적어도 1 이상의 유입구에 의해 기판 상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 액체가 공급된다. 액체는 투영 시스템 아래로 통과한 이후에 적어도 1 이상의 유출구에 의해 제거된다. 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에서 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 최종 요소 주위에 위치되는 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 가능하다; 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 도 3에서 설명된다. 액체의 유동 방향이 도 2 및 도 3에서 화살표들에 의해 나타내어진다는 것을 유의한다.
국부화된 액체 공급 시스템을 이용하는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 투영 시스템(PS)의 양쪽에서 2 개의 홈형 유입구(groove inlet)에 의해 액체가 공급되고, 유입구들의 반경방향 바깥쪽으로 배치된 복수의 개별 유출구들에 의해 액체가 제거된다. 기판 및 유체의 유동 방향이 도 4에서 화살표들에 의해 나타내어진다는 것을 유의한다.
제안된 또 다른 구성은 액체 공급 시스템에 액체 한정 구조체를 제공하는 것이며, 이는 투영 시스템의 최종 요소와 기판, 기판 테이블 또는 둘 모두 사이의 공간의 경계의 적어도 일부분을 따라 연장된다. 이러한 구성이 도 5에 예시된다.
도 5는 액체 한정 구조체(IH)를 갖는 국부화된 액체 공급 시스템 또는 유체 핸들링 시스템을 개략적으로 도시하며, 이는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 지지 장치(60) 또는 기판(W) 사이의 공간의 경계의 적어도 일부분을 따라 연장된다[본 명세서에서 기판(W)의 표면에 대한 언급은, 달리 분명히 설명되지 않는 경우, 추가적으로 또는 대안적으로 기판 테이블의 표면도 칭한다는 것을 유의한다]. 일 실시예에서, 액체 한정 구조체(IH)와 기판(W)의 표면 사이에 시일이 형성되고, 이는 가스 시일(이러한 가스 시일을 갖는 시스템은 유럽 특허 출원 공개공보 EP-A-1,420,298호에 개시되어 있음) 또는 액체 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다.
액체 한정 구조체(IH)는 적어도 부분적으로 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 액체를 포함한다. 상기 공간(11)은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에 이를 둘러싸서 위치된 액체 한정 구조체(IH)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 액체 유입구(13)에 의해 액체 한정 구조체(IH) 내 투영 시스템(PS) 밑의 공간으로 액체가 유입된다. 상기 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다.
사용 시, 방벽 부재(IH)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 시일(16)에 의해 액체가 공간(11) 내에 포함될 수 있다. 가스 시일 내의 가스는 압력을 받아 유입구(15)를 통해 방벽 부재(IH)와 기판(W) 사이의 갭에 제공된다. 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 유출구(14) 상의 진공 레벨 및 갭의 지오메트리(geometry)는, 안쪽으로 액체를 한정시키는 고속 가스 흐름(high-velocity gas flow: 16)이 존재하도록 배치된다. q방벽 부재(IH)와 기판(W) 사이의 액체에 대한 가스의 힘이 공간(11) 내에 액체를 포함한다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개공보 US 2004-0207824호에 개시되어 있으며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다. 일 실시예에서, 액체 한정 구조체(IH)는 가스 시일을 갖지 않는다.
본 발명의 일 실시예는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개공보 US 2006-0158627호, US 2006-0038968호, US 2008-0212046호, US 2009-0279060호, US 2009-0279062호, US 2004-0207824호, US 2010-0313974호 및 US 2012-0120376호에 개시된 것들을 포함한 여하한의 유체 핸들링 구조체에 적용될 수 있으며, 이들 모두의 기재내용들은 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
제어 시스템(500)이 리소그래피 장치의 전반적인 작동들을 제어하고, 특히 아래에서 더 설명되는 작동 과정을 수행한다. 제어기(500)는 중앙 처리 유닛, 휘발성 및 비-휘발성 스토리지 수단, 키보드 및 스크린과 같은 1 이상의 입력 및 출력 디바이스들, 1 이상의 네트워크 연결부, 및 리소그래피 장치의 다양한 부분들에 대한 1 이상의 인터페이스를 포함한 적절히-프로그램된 범용 컴퓨터로서 구현될 수 있다. 제어 컴퓨터와 리소그래피 장치 사이의 일대일 관계는 필수적이지 않다는 것을 이해할 것이다. 본 발명의 일 실시예에서, 하나의 컴퓨터가 다수 리소그래피 장치들을 제어할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 다수 네트워크화 컴퓨터들이 하나의 리소그래피 장치를 제어하는 데 사용될 수 있다. 또한, 제어기(500)는 리소그래피 장치가 일부분을 형성하는 리소셀(lithocell) 또는 클러스터(cluster)에서 1 이상의 연계된 공정 디바이스들 및 기판 핸들링 디바이스들을 제어하도록 구성될 수 있다. 또한, 제어기(500)는 리소셀 또는 클러스터의 감독 제어 시스템(supervisory control system) 및/또는 팹(fab)의 전체 제어 시스템에 종속되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제어기는 본 발명의 일 실시예를 수행하도록 장치를 작동시킨다. 일 실시예에서, 제어기(500)는 추후 제 2 단계에서 사용하기 위해 본 명세서에서 설명되는 제 1 단계의 결과를 저장하는 메모리를 갖는다.
도 6은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 6은 지지 장치 및 대상물의 단면도이다. 일 실시예에서, 지지 장치는 기판 지지 장치(60)이고, 대상물은 기판(W)이다. 지지 장치는 대상물 홀더를 포함한다. 대상물 홀더는 대상물을 유지하도록 구성된다. 아래의 설명에서, 본 발명의 일 실시예는 기판 지지 장치(60)인 지지 장치 및 기판(W)을 유지하는 기판 홀더(61)인 대상물 홀더의 맥락에서 설명된다. 하지만, 일 실시예에서 대상물 홀더는 예를 들어 센서를 유지하는 센서 홀더이고, 기판 지지 장치(60)는 선택적으로 기판을 유지하지 않을 수 있는 대상물 홀더를 위한 지지 장치이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 기판 홀더(61)에 의해 유지된다. 일 실시예에서, 기판 홀더(61)는 1 이상의 돌출부(62)[예를 들어, 버얼(burl)]를 포함한다. 기판 홀더(61)는 핌플 테이블(pimple table) 또는 버얼 테이블이라고 불릴 수 있다.
기판 지지 장치(60)는 추출 몸체(65)를 포함한다. 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)의 반경방향 바깥쪽에 있다. 도 6에서, 기판 지지 장치(60) 및 기판(W) 그림 아래의 화살표가 반경방향 바깥쪽 방향을 나타낸다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 평면도에서 추출 몸체(65)가 기판 홀더(61)를 둘러싸도록 형상화된다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 폐쇄된 형상(closed shape)을 형성한다. 상기 형상은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 환형 또는 다각형일 수 있다.
기판(W)의 에지가 이미징되고 있는 경우 또는 기판(W)이 투영 시스템(PS) 아래에서 처음 이동하는 때와 같은 다른 경우, 액체(11)는 적어도 부분적으로 기판(W)의 에지와 기판 지지 장치(60)의 에지 사이의 갭(5) 위를 지날 것이다. 이는 액체 저수부(liquid reservoir: 11)로부터의 액체가 갭(5)에 들어가게 할 수 있다.
기판 홀더(61)에 의해 기판 지지 장치(60)와 기판(W) 사이에 적용되는 하압력(under pressure)이, 기판(W)이 제 자리에 확고히 유지될 것을 보장하도록 돕는다. 하지만, 액체가 기판(W)과 기판 홀더(61) 사이에 있게 되면, 이는 특히 기판(W)을 언로딩(unload)하는 경우에 어려움을 초래할 수 있다.
추출 몸체(65)는 기판 지지 장치(60)의 최상면(69)으로부터 액체를 추출하도록 구성된다. 추출 개구부(66)를 제공함으로써, 액체 공급 시스템(IH)의 액체(11)에 들어가는 가스의 기포들이 감소된다. 이러한 기포들의 1 이상은 기판(W)의 이미징에 해로운 영향을 미칠 수 있다. 추출 개구부(66)는 유체 핸들링 구조체(IH) 내의 액체 저수부(11)로 새어나가는 기판(W)과 기판 지지 장치(60) 사이의 갭(5) 내의 가스를 감소시키도록 제공된다. 가스가 액체 저수부(11)로 새어나가는 경우, 이는 액체 저수부(11) 내에 기포가 떠오르게 할 수 있다. 이러한 기포는 투영 빔의 경로 내에 있는 경우, 이미징 오차들을 초래할 수 있다. 추출 개구부(66)는 기판(W)의 에지와 기판(W)이 배치되는 기판 지지 장치(60) 내의 후퇴부의 에지 사이의 갭(5)으로부터 가스를 제거하기 위한 것이다.
추출 개구부(66)는 주로 가스를 추출하고[가령, 20 내지 100 Nl/min(normal liters per minute)], 침지 액체는 소량(가령, 약 1 내지 100 ml/min, 선택적으로는 10 내지 20 ml/min)만 추출한다. 이러한 2-상 유동(two-phase flow)으로, 침지 액체가 증발하여, 기판(W)의 에지를 둘러싸는 기판 지지 장치(60)를 냉각시킨다. 이는 기판(W)의 변형을 유도할 수 있으며, 이는 결국 오버레이 성능을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)가 실질적으로 기판 홀더(61)로부터 디커플링(decouple)되도록 기판 홀더(61)로부터 이격된다. 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)로부터 실질적으로 열적 디커플링되며, 및/또는 실질적으로 기계적 디커플링된다. 일 실시예에서, 실질적으로 기판 홀더(61) 전체가 실질적으로 추출 몸체(65) 전체로부터 이격된다.
추출 몸체(65)가 기판 홀더(61)로부터 실질적으로 디커플링되도록 제공함으로써, 추출 몸체(65)에 대한 온도 부하(temperature load)가 기판 홀더(61)의 열기계적 거동(thermo-mechanical behavior)에 감소된 영향을 미친다. 특히, 기판 홀더(61)에 대한 추출 몸체(65)의 냉각 효과가 감소된다. 앞서 언급된 바와 같이, 이러한 증발 냉각은 추출 몸체(65)의 추출 개구부(66)를 통하는 2-상 유동으로 인해 발생할 수 있다. 따라서, 기판 홀더(61)의 온도 프로파일의 안정성이 개선될 수 있다.
일 실시예에서, 대상물 홀더는 센서를 유지하도록 구성된 센서 홀더이고, 추출 몸체는 에지 시일 부재(edge seal member)이다. 일 실시예에서, 에지 시일 부재는 에지 시일 부재와 센서 사이의 갭을 통해 도달해야 하는 침지 액체를 추출하는 추출 개구부를 포함한다.
일 실시예에서, 대상물 홀더는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블이고, 추출 몸체는 센서 홀더이다. 센서가 기판 옆에 배치된다. 센서 및 기판은 상이한 지지체들에 의해 지지된다. 일 실시예에서, 센서 홀더는 기판 테이블과 센서 사이의 갭을 통해 도달해야 하는 침지 액체를 추출하는 추출 개구부를 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 채널(68)을 포함한다. 채널(68)은 통로(67)를 통해 추출 개구부(66)와 유체 연통(fluid communication with)한다. 추출 개구부(66)는 기판(W)의 에지의 주변부(periphery)(예를 들어, 둘레) 주위에서 1 이상의 개별 위치들에 제공될 수 있다. 추출 개구부(66)는 평면에 있어서 슬릿들 또는 원형 개구부들, 또는 여하한의 다른 형상일 수 있다. 일 실시예에서, 3 개의 개별 원형 개구부가 추출 몸체(65)로부터 기판 지지 장치(60)로 2-상 유동을 추출하도록 제공된다. 추출 개구부(66)가 2 mm의 직경을 가질 수 있다. 채널(68)은 기판 지지 장치(60)의 최상면(69)으로부터 개구부(66)를 통해 유체를 추출하기 위해 하압력에 연결된다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)가 기판 홀더(61)로부터 분리(detach)되도록 기판 홀더(61)에 연결되지 않는다. 추출 몸체(65)는 어떠한 지점에서도 기판 홀더(61)와 직접 접촉하지 않는다. 이는 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 사이의 열 전달, 특히 전도에 의한 열 전달을 감소시킨다. 일 실시예에서, 기판(W)과 기판 지지 장치(60) 사이의 갭(5)은 갭(5)을 통한 기판 홀더(61) 아래로의 액체 손실이 최소이도록 좁다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)에 연결된다. 도 7은 이러한 본 발명의 실시예를 도시한다. 추출 몸체(65)는 실질적으로 기판 홀더(61)로부터 디커플링된다. 추출 몸체(65)는 시일에 의해 기판 홀더(61)에 견고하지 않게(non-rigidly) 연결된다. 시일은 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 중간 갭(75)을 브리징하도록 구성된다.
일 실시예에서, 시일은 스티커(sticker: 70)를 포함한다. 스티커(70)는 중간 갭(75)을 통한 액체 손실을 감소시키도록 배치된다. 일 실시예에서, 스티커(70)는 중간 갭(75)을 밀폐한다. 일 실시예에서, 시일은 예를 들어 용접, 볼팅(bolting) 또는 진공 클램핑(vacuum clamping)에 의해 형성된다. 추출 개구부(66)는 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의, 시일 위의 갭으로부터 유체를 추출하도록 구성된다.
일 실시예에서, 스티커(70)는 부착 층(adhesive layer: 71) 및 필름 층(film layer: 72)을 포함한다. 부착 층(71)은 기판 홀더(61) 및 추출 몸체(65)에 필름 층(72)을 부착한다. 스티커(70)는 유체가 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 중간 갭(75)에 들어가는 것을 방지하도록 돕는다. 중간 갭(75)은 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 간의 우수한 열적 접촉을 방지한다. 일 실시예에서, 스티커(70)는 50 마이크로미터보다 작거나 같은, 10 마이크로미터보다 작거나 같은, 또는 약 10 마이크로미터의 두께를 갖는다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 진공 또는 가스를 포함하는 중간 갭(75)에 의해 기판 홀더(61)로부터 이격된다. 중간 갭(75)에서의 진공, 또는 거의 진공(near vacuum)이 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 간의 열전달을 감소시킨다.
도 8은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 기판 지지 장치(60)는 기판 테이블(WT)을 포함한다. 기판 홀더(61)는 기판 테이블(WT)의 대상물 홀더 후퇴부 내에 위치된다. 기판 홀더(61)인 대상물 홀더에 관련하여, 대상물 홀더 후퇴부는 기판 테이블(WT)의 기판 홀더 후퇴부(85)이다. 추출 몸체(65)의 적어도 일부가 기판 홀더 후퇴부(85) 내에 위치된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 실질적으로 추출 몸체(65) 전체가 기판 홀더 후퇴부(85) 내에 위치된다. 하지만, 반드시 이러한 경우일 필요는 없다. 아래에 설명되는 바와 같이, 또한 예를 들어 도 12에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 추출 몸체(65)의 일부분이 기판 홀더 후퇴부(85)를 넘어 연장된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 추출 몸체(65)는 계면부(interface: 81)에서 기판 테이블(WT)에 연결된다. 계면부(81)는 추출 몸체(65)와 기판 테이블(WT) 간의 연결을 제공한다. 기판(WT)의 가속력들이 계면부(81)를 통해 추출 몸체(65)에 전달된다. 계면부(81)는, 계면부(81)가 기판 테이블(WT)로부터 추출 몸체(65)로 가속력들을 전달할 정도로 강성 연결(stiff connection)을 제공한다. 계면부(81)에서의 연결의 강성도(stiffness)는 바람직하게는 추출 몸체(65)와 기판 테이블(WT) 간의 열전달을 감소시키기 위해 최소이다.
일 실시예에서, 계면부(81)는 추출 몸체(65)의 저면(82) 및/또는 반경방향 표면(예를 들어, 반경방향 바깥쪽 에지)에 있다. 이는 도 8에 도시된다. 일 실시예에서, 계면부(81)는 추출 몸체(65)의 외표면에 있다.
계면부(81)에서의 연결 형태는 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 진공 클램핑, 볼팅, 접착(gluing), 및/또는 동적 리프 스프링 커플링(kinematic leaf spring coupling)에 의해 기판 테이블(WT)에 연결된다.
일 실시예에서, 계면부(81)는 1 이상의 버얼을 포함한다. 일 실시예에서, 버얼과 기판 테이블(WT) 사이의 연결 영역은 버얼과 추출 몸체(65) 사이의 접촉면보다 작다. 이는 버얼에 추가 유연성을 제공한다.
일 실시예에서, 갭(5)의 표면들에는 소수성 코팅이 제공된다. 소수성 코팅은 중간 갭(75)을 통한 기판 지지 장치(60)의 최상면(69)으로부터의 액체 손실을 감소시키도록 돕는다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)와 동일한 재료로 구성된다. 일 실시예에서, 기판 홀더(61) 및 추출 몸체(65)는 둘 다, 예를 들어 SiC, SiSiC, 또는 다이아몬드 상(diamond-like) 재료로 형성된다. 추출 몸체(65)의 재료를 기판 홀더(61)의 재료와 매칭함으로써, 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 간의 열기계적 크로스토크(cross-talk)가 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 기판 테이블(WT)과 동일한 재료로부터 구성된다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65) 및 기판 테이블(WT)은 둘 다, 예를 들어 Zerodur®와 같은 유리-세라믹, 또는 코디어라이트(cordierite)로부터 형성된다.
도 9는 본 발명의 일 실시예를 평면도로 도시한다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 주변부에 이격된 복수의 접합부(91)들에 의해 기판 홀더(61)에 연결된다. 접합부(91)들 사이에서, 추출 몸체(65)는 대상물 홀더(61)로부터 이격된다.
추출 몸체(65)가 접합부(91)들에 의해서만 기판 홀더(61)에 연결되도록 제공함으로써, 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 열 전달이 감소된다. 이는 기판 홀더(61)에 대한 추출 몸체(65)의 증발 냉각 효과를 감소시킨다. 이어서, 이는 기판(W)에 대한 증발 냉각 효과를 감소시킨다. 기판 홀더(61)의 열적 프로파일의 안정성이 개선된다.
접합부(91)들 사이에 갭(92)들이 형성된다. 갭(92)들은 진공 또는 가스를 포함할 수 있다. 갭(92)들은 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 사이의 열 전달, 특히 전도에 의한 열 전달을 감소시킨다. 일 실시예에서, 갭(92)들의 표면들에는 소수성 코팅이 제공된다.
접합부(91)들은 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 사이에 최소 강성 연결을 제공한다. 상기 연결은 기판 홀더(61)로부터 추출 몸체(65)로 가속력들이 전달되도록 충분한 강성일 수 있다. 일 실시예에서, 강성도는 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 간의 열기계적 크로스토크를 감소시키기 위해 최소이다.
예를 들어, 도 8 및 도 12에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 기판 홀더(61)는 예를 들어 일련의 버얼들에 의해 기판 테이블(WT)에 연결된다. 버얼들은 가속력들로 하여금 기판 테이블(WT)로부터 기판 홀더(61)로 전달되게 하는 한편, 기판 테이블(WT)과 기판 홀더(61) 사이의 열전달을 감소시키는 버얼들 사이의 갭들을 제공한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 접합부(91)들 중 적어도 하나가 기판 홀더(61)의 최상면으로부터 부분적으로만 추출 몸체(65)의 저면(82)을 향해 연장된다. 접합부(91)들 중 적어도 하나 바로 아래에서, 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)로부터 이격된다. 접합부(91)들 중 적어도 하나 아래에서, 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이에 갭(106)이 제공된다. 진공 또는 가스를 포함할 수 있는 갭(106)은 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 열 전달을 감소시킨다. 갭 106은 갭들 92와 유체 연통한다.
일 실시예에서, 접합부(91)들은 기판 홀더(61)의 최상면으로부터 추출 몸체(65)의 저면(82)까지 연장된다. 일 실시예에서, 접합부(91)는 기판 홀더(61) 및/또는 추출 몸체(65)와 단일체(monolithic)이다. 일 실시예에서, 접합부(91)는 기판 홀더(61) 및/또는 추출 몸체(65)와 별개인 부분(piece)이 아니다. 일 실시예에서, 추출 개구부(66)는 접합부(91) 위에 위치된다.
일 실시예에서, 접합부(91)들 중 적어도 하나가 접합부(91) 사이 및/또는 접합부(91)에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 접합부 사이 및/또는 접합부로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 접합부 컨디셔닝 시스템(101)을 포함한다. 접합부 컨디셔닝 시스템(101)은 여하한 형태의 열적 컨디셔닝 시스템일 수 있다. 적절한 열적 컨디셔닝 시스템들은 아래에서 더 상세히 설명되고, 도 15 내지 도 19에 도시된다. 도 15 내지 도 19는 추출 몸체(65)의 주 몸체에 적용되는 적절한 열적 컨디셔닝 시스템들을 도시한다. 특히, 도 15 내지 도 19는 추출 개구부(66)와 유체 연통하는 채널(68)에 적용되는 열적 컨디셔닝 시스템들을 도시한다. 이 열적 컨디셔닝 시스템들이 접합부(91)에 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 접합부(91)들은 전체로서 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이에서 주변부의 최대 10 %를 따라 연장된다. 주변부는 접합부(91)들 사이에서 갭(92)들을 따라 연장된다. 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 중간 갭(75)의 주변부의 적어도 90 %가 접합부(91)들 사이의 갭(92)들로 구성된다. 도 9에서, 중간 갭(75)은 두 점선들 사이의 구역으로서 나타내어진다. 두 점선들은 기판 홀더(61) 및 추출 몸체(65)의 에지들에 대응한다. 접합부(91)들이 주변부의 최대 10 %를 따라 연장되도록 제공함으로써, 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 열전달이 허용가능한 레벨까지 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 접합부(91)들은 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이에 기계적 강성(mechanical stiffness)을 제공한다. 일 실시예에서, 접합부(91)들은 전체로서 주변부의 적어도 2 % 또는 적어도 5 %를 따라 연장된다. 이는 접합부(91)들로 하여금 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이에 허용가능한 레벨의 기계적 강성을 제공하게 한다.
도 9 및 도 10에 도시된 기판 지지 장치(60)에는, 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같은 기판 테이블(WT)이 제공될 수 있다.
접합부(91)들의 수는 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 기판 지지 장치(60)는 6, 8, 10, 12, 14 또는 그 이상의 접합부(91)들을 포함한다. 접합부(91)들의 수는 홀수 또는 짝수일 수 있다. 추출 몸체(65)는 접합부(91)들이 존재하는 만큼 많은 세그먼트(segment: 93)들로 분할된다. 각각의 세그먼트(93)는 한 접합부(91)로부터 인접한 접합부(91)로 추출 몸체(65)를 따라 연장된다. 각각의 세그먼트(93)는 갭(92)에 의해 기판 홀더(61)로부터 이격된다.
추출 몸체(65)는 접합부(91)들에 의해서만 기판 홀더(61)에 기계적으로, 및 열적으로 연결된다. 이는 추출 몸체(65)로부터 기판 홀더(61)로의 열적 크로스토크를 감소시킨다. 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 열전도가 감소된다.
추출 몸체(65)의 온도 변동은 기판 홀더(61)의 외측 에지에 도입되는 기계적 응력(mechanical stress)을 유도할 수 있다. 이는 기계적 크로스토크로 인한 것이다. 이 기계적 크로스토크는 기판 홀더(61) 및 기판(W)의 국부적인 변형을 유도할 수 있다.
도 9에 도시된 실시예에서, 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 간의 기계적 크로스토크는 종래의 시스템에서와 비교하여 상이하게 작용한다. 분할된 추출 몸체(65)에서, 기계적 응력이 접합부(91)들의 위치들에서만 기판 홀더(61)로 전달된다. 기판 홀더(61)에 도입되는 응력은 접합부(91)들의 강성도뿐만 아니라 추출 몸체(65)의 각 세그먼트(93)의 신장(elongation)(또는 수축)에 의해 결정된다.
각 세그먼트(93)의 신장은 주로 그 세그먼트(93)의 평균 온도에 영향을 받는다. 세그먼트(93)의 신장을 감소시키기 위해, 그 세그먼트(93) 내의 모든 국부 변형들의 합이 바람직하게는 0까지 감소되어야 한다. 이 경우, 기판 홀더(61) 상에 기계적 응력이 존재하지 않을 것이다. 앞선 신장이라는 용어는 온도 변동으로 인한 세그먼트(93)의 길이 증가를 의미하는 데 사용된다. 또한, 바람직하게는 온도 변동으로 인한 세그먼트(93)의 수축도 감소되어야 한다.
일 실시예에서, 세그먼트(93)들 중 적어도 하나가 저항 센서(resistive sensor: 94)를 포함한다. 저항 센서(94)는 박막 저항 센서일 수 있다. 저항 센서(94)는 세그먼트(93)의 평균 온도를 측정하도록 구성된다. 저항 센서(94)는 추출 몸체(65)의 표면에, 또는 그 위에 위치된다. 예를 들어, 저항 센서(94)는 추출 몸체(65)의 최상면(105)이나 그 위에, 또는 저면(82)이나 그 위에 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 세그먼트(93)들 중 적어도 하나가 추출 몸체(65)에 열 에너지를 적용시키도록 구성된 가열기를 포함한다. 일 실시예에서, 제어기(500)는 세그먼트(93)의 평균 온도를 유지하기 위해 저항 센서(94)에 의한 측정들에 기초하여 가열기를 제어하도록 구성된다. 일 실시예에서, 저항 센서(94)는 추출 몸체(65)에 열을 적용시키는 데 사용된다. 이는, 예를 들어 저항 센서(94)에 전류를 적용하여 행해질 수 있다. 이 경우, 추가적인 가열기는 필요하지 않다.
저항 센서(94)는 실질적으로 저항 센서(94)의 전체 길이에 걸쳐 전기 저항을 측정한다. 일 실시예에서, 저항 센서(94)는 2 개의 인접한 접합부(91)들 사이에 위치된다. 저항 센서(94)는 그 세그먼트(93)의 평균 온도를 측정한다. 세그먼트(93)의 평균 온도는 세그먼트(93)의 신장(또는 수축)에 대응한다.
저항 센서(94)의 열적 응답은 그 적은 질량(low mass)으로 인해 매우 빠르다. 제어 성능은 저항 센서(94), 및 선택적으로 별도 가열기를 이용함으로써, 예를 들어 종래의 센서들 및 플렉스 포일 가열기(flex foil heater)들을 이용하는 것에 비해 증가될 수 있다. 일 실시예에서, 저항 센서(94)는 박막 가열기로 대체된다.
일 실시예에서, 갭(92)들은 진공을 포함한다. 일 실시예에서, 갭(92)들은 기판 지지 장치(60)의 상부면에서 개방된다. 하지만, 반드시 이러한 경우일 필요는 없다. 일 실시예에서, 갭(92)들은 덮이거나 폐쇄될 수 있다. 예를 들어, 스티커와 같은 박막 재료/시일이 갭(92)들에 걸쳐 적용될 수 있으며, 또는 갭(92)들은 낮은 열전도율을 갖는 재료로 폐쇄될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 주 몸체(111) 및 커버 링(cover ring: 112)을 포함한다. 커버 링(112)은 주 몸체(111)의 최상면(115)에 위치된다. 일 실시예에서, 커버 링(112)은 주 몸체(111)와 단일체이다. 일 실시예에서, 커버 링(112)은 주 몸체(111)와 별개인 몸체이다. 통상적인 사용 시 액체 공급 디바이스(IH)와 접촉하는 추출 몸체(65)의 최상부에 커버 링(112)을 제공함으로써, 추출 개구부(66), 통로(67) 및 채널(68)에서의 열적 부하(thermal load)가 액체 공급 디바이스(IH)에 감소된 열적 영향을 미친다.
도 12는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 커버 링(112)은 주 몸체(111)의 반경방향 크기를 넘어 반경방향 바깥쪽으로 연장된다. 추출 몸체(65)는 단면도에서 봤을 때 계단식 프로파일(stepped profile)을 갖는다.
커버 링(112)이 주 몸체(111)의 반경방향 크기를 넘어 반경방향 바깥쪽으로 연장되도록 제공함으로써, 더 적은 기판 테이블(WT)의 최상면(122)이 리소그래피 장치의 사용 시 액체 저수부(11)와 접촉한다. 일 실시예에서, 기판 테이블(WT)의 최상면(122)에는 소수성 코팅이 제공된다. 소수성 코팅은 기판 테이블(WT) 상에서의 증발 부하를 감소시키도록 돕는다. 액체 저수부(11)가 기판 테이블(WT)의 최상면(122)과 접촉하는 경우, 소수성 코팅이 저하(degrade)될 수 있다. 이는 액체 손실의 증가를 유도하고, 증발 부하를 증가시킬 수 있다.
커버 링(112)은 기판 테이블(WT)의 일부를 보호할 수 있다. 액체 저수부(11)가 커버 링(112)과 접촉하는 경우, 커버 링(112) 상에서 증발 부하가 발생된다[및 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 상에서의 증발 부하가 대응하여 감소함]. 유체 핸들링 구조체(IH)로 인한 열적 부하는 기판 테이블(WT)에 감소된 영향을 미친다. 이는 기판 테이블(WT)의 온도 프로파일의 안정성을 개선한다.
일 실시예에서, 주 몸체(111)의 반경방향 크기를 넘어 반경방향 바깥쪽으로 연장되는 커버 링(112)의 일부분이 기판 테이블(WT)의 커버 링 후퇴부(125) 내에 위치된다. 일 실시예에서, 커버 링 후퇴부(125)는 기판 홀더 후퇴부(85)의 반경방향 바깥쪽에 있다. 커버 링 후퇴부(125)는, 커버 링 후퇴부(125) 및 기판 홀더 후퇴부(85)가 기판 테이블(WT)의 계단식 후퇴부들을 형성하도록 기판 홀더 후퇴부(85)보다 얕다.
일 실시예에서, 기판(W)이 기판 홀더(61)에 의해 유지되는 경우, 기판(W)의 최상면은 추출 몸체(65)의 최상면(105)과 실질적으로 동일 평면상(coplanar)에 있다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)의 최상면(105)은 기판 테이블(WT)의 최상면(122)과 실질적으로 동일 평면상에 있다.
일 실시예에서, 커버 링(112)은 실질적으로 기판 테이블(WT)의 최상면(122)에서의 기점 마커(fiduciary marker: 121)까지 연장된다. 하지만, 반드시 이러한 경우일 필요는 없다. 일 실시예에서, 기점 마커(121)는 기판 테이블(WT)의 커버 링 후퇴부(125)로부터 이격된다.
일 실시예에서, 커버 링(112) 및 기판 테이블(WT)의 최상면(122)에서의 기점 마커(121)[또는 최상면(122)] 사이의 갭(123)이 박막 시일(124)에 의해 브리징된다. 박막 시일(124)은 다양한 구성들로 제공되며, 이는 도 7에 관하여 설명된 스티커(70)의 다양한 가능한 구성들과 동일할 수 있다.
커버 링(112)이 통상적으로 액체 공급 디바이스(IH)와 접촉하는 기판 테이블(WT)의 일부분에 걸쳐 연장되도록 제공함으로써, 기판 테이블(WT)의 열적 부하가 액체 공급 디바이스(IH) 및 특히 리소그래피 장치의 액체 렌즈에 감소된 영향을 미친다. 이는 리소그래피 장치의 오버레이 및 포커스를 개선한다. 일 실시예에서, 커버 링(112)은 접합부(91)들과 유사한 방식으로 열적으로 컨디셔닝된다. 일 실시예에서, 커버 링(112)은 기판 테이블(WT)의 가열 및/또는 냉각의 가능한 소스들에 대한 열적 차폐(thermal shield)를 제공하도록 배치된다. 이는 커버 링(112)과 기판 테이블(WT) 사이에 단열(thermal insulation)을 제공함으로써 달성될 수 있다.
일 실시예에서, 커버 링(112)은 적어도 3 mm의 두께를 갖는다. 일 실시예에서, 커버 링(112)은 커버 링(112)의 저부와 리소그래피 장치의 사용 시 커버 링(112) 바로 아래에 있는 기판 테이블(WT)의 표면 사이에 필요한 접촉이 실질적으로 존재하지 않도록 강성인 두께를 갖는다. 하지만, 일 실시예에서는 커버 링(112)의 저면과 기판 테이블(WT)의 맞은편 표면 사이에 견고하지 않은 국부적 연결이 제공된다. 일 실시예에서, 견고하지 않은 국부적 연결은 기판 테이블(WT)과 추출 몸체(65)의 커버 링(112) 사이의 열전달을 감소시키도록 매우 낮은 열전도율을 갖는다.
도 13은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 기판 지지 장치(60)는 액체 추출기(130)를 포함한다. 액체 추출기(130)는 추출 개구부(66)의 반경방향 안쪽에 있다. 액체 추출기(130)는 기판 홀더(61)의 최상면으로부터 액체를 추출하도록 구성된다.
액체 추출기(130)는, 갭(5)으로부터 기판(W) 아래까지 도달하는 여하한의 액체가 이미징 후 기판 홀더(61)로부터의 기판(W)의 효율적인 해제(release)를 막지 못하게 하도록 제공된다. 액체 추출기(130)의 제공은 기판(W) 아래에 도달하는 액체로 인해 발생할 수 있는 문제를 감소시키거나 제거한다. 추출 개구부(66)와 같이, 액체 추출기(130)는 하압력에 의해 유체를 제거한다.
액체 추출기(130)는 개구부(131) 및 채널(133)을 포함한다. 채널(133)은 통로(132)를 통해 개구부(131)와 유체 연통한다. 개구부(131)는 기판(W)의 에지의 주변부 주위에서 1 이상의 개별 위치들에 제공될 수 있으며, 평면에 있어서 슬릿들 또는 원형 개구부들 또는 여하한의 다른 형상일 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어 3 개의 개별 (원형) 개구부(131)들이 기판(W)의 에지 주위에 제공된다.
도 14는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 액체 추출기(130)의 적어도 일부를 포함한다. 일 실시예에서, 채널(133)은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 일 실시예에서, 통로(132)는 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 사이의 중간 갭(75)에 걸쳐 있다(span). 일 실시예에서, 중간 갭(75)은 기판 홀더(61)의 저부로의 액체 손실이 최소이도록 좁다.
추출 몸체(65) 내에 액체 추출기(130)의 적어도 일부를 제공함으로써, 액체 추출기(130)에서의 열적 부하가 기판 홀더(61)에 감소된 영향을 미친다.
일 실시예에서, 액체 추출기(130)는 액체 추출기(130)에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 액체 추출기로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 액체 추출기 컨디셔닝 시스템을 포함한다. 액체 추출기 컨디셔닝 시스템은 열적 컨디셔닝 시스템이다. 적절한 열적 컨디셔닝 시스템들이 아래에서 설명되고, 도 15 내지 도 19에 도시된다. 도 15 내지 도 19에서, 열적 컨디셔닝 시스템들은 추출 몸체(65)의 추출 개구부(66)와 유체 연통하는 채널(68)에 대한 열적 컨디셔닝 시스템들에 관련하여 설명된다. 이 열적 컨디셔닝 시스템들이 액체 추출기(130), 및 특히 액체 추출기(130)의 채널(133)에 동등하게 적용가능하다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)와 기판 테이블(WT) 사이에 위치된다. 일 실시예에서, 추출 개구부(66)는 기판 지지 장치(60)의 최상면(69)으로부터 액체 및 가스를 둘 다 추출하도록 구성된다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 사이의 공간은 주변부에서(peripherally) 연속적이며, 추출 몸체(65)의 최상면(105)으로부터 추출 몸체(65)의 저면(82)까지 연속적이다.
도 15 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 열적 컨디셔닝 시스템들을 도시한다. 도 15 내지 도 19에서, 열적 컨디셔닝 시스템들은 추출 몸체(65)의 추출기의 부분들에 적용된다. 열적 컨디셔닝 시스템들은 액체 추출기(130) 및/또는 접합부(91)들 및/또는 기판 지지 장치(60)의 다른 부분들에 적용될 수 있다. 도 15 내지 도 19에 도시된 열적 컨디셔닝 시스템들은 서로 조합될 수 있다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 추출 몸체로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 추출 몸체 컨디셔닝 시스템을 포함한다. 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 열적 컨디셔닝 시스템이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 열적 컨디셔닝 시스템을 도시한다. 일 실시예에서, 열적 컨디셔닝 시스템은 독립적으로 제어가능한 복수의 컨디셔닝 유닛들을 포함한다. 복수의 컨디셔닝 유닛들 각각은 추출 몸체(65)의 각각의 대응하는 구역에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 이로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된다. 일 실시예에서, 컨디셔닝 유닛은 가열기/온도 센서(151)를 포함한다. 일 실시예에서, 가열기/온도 센서들은 추출 몸체(65)의 추출 개구부(66)와 유체 연통하는 채널(68)에 인접하여 위치된다.
가열기/온도 센서(151)들은 독립적으로 제어가능하다. 온도 센서는 채널(68)의 온도를 감지하도록 구성된다. 가열기는 채널(68)에 열 에너지를 공급하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제어기(500)는 소정(예를 들어, 사전설정된) 온도에 채널(68)[또는 기판 지지 장치(60)의 또 다른 구성요소]을 유지하기 위해 가열기/온도 센서(151)를 제어한다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 열적 컨디셔닝 시스템을 도시한다. 일 실시예에서, 열적 컨디셔닝 시스템은 도 16의 묘사에서의 추출 몸체(65)와 같은 구성요소의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(fluid-carrying channel: 161)들의 네트워크를 포함한다. 일 실시예에서, 유체-운반 채널(161)들은 열적 컨디셔닝 액체를 운반한다. 열적 컨디셔닝 액체는, 예를 들어 물일 수 있다. 유체-운반 채널(161)들은 소정(예를 들어, 사전설정된) 온도에 추출 몸체(65)의 온도를 유지한다. 일 실시예에서, 1 이상의 가열기/온도 센서들(도시되지 않음)은 유체-운반 채널(161)들 내의 열적 컨디셔닝 액체의 온도를 제어하기 위해 유체-운반 채널(161)들 내에 또는 부근에 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 유체-운반 채널(161)들은 상 변화 물질(phase change material)을 운반한다. 이러한 시스템에서, 상 변화 물질은 원하는 설정값 온도에서 상을 변화시키도록 선택되고, 그러므로 상을 변화시키지 않는 유체보다 훨씬 더 효율적으로 열을 전달할 수 있다.
일 실시예에서, 유체-운반 채널(161)들은 유체로서 이산화탄소를 운반한다. 유체-운반 채널(161)들은 냉각 채널들이라고 칭해질 수 있다. 일 실시예에서, 유체-운반 채널(161)들은 이산화탄소가 최대 30 ℃, 및 선택적으로는 최대 22 ℃의 끓는점을 갖는 압력에서 이산화탄소를 포함한다. 이산화탄소는 추출 몸체(65)의 온도를 유지하도록 돕는다. 예를 들어, 유체-운반 채널(161)들에 포함된 이산화탄소의 끓는점보다 높은 추출 몸체(65)에서의 과도한 열이 이산화탄소로 전달될 수 있다. 이 과도한 열은 이산화탄소를 끓게 한다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 열적 컨디셔닝 시스템을 도시한다. 일 실시예에서, 열적 컨디셔닝 시스템은 히트 파이프(heat pipe: 171)를 포함한다. 일 실시예에서, 히트 파이프(171)는 채널(68) 주위에 위치된다. 채널(68) 주위에 히트 파이프(171)를 제공함으로써, 채널(68)의 온도가 쉽게 제어될 수 있다. 이는 히트 파이프(171)가 매우 큰 "전도율"을 갖는다는 사실로 인한 것이다.
일 실시예에서, 히트 파이프(171)의 적어도 일부분이 채널(68)과 기판 홀더(61) 사이에 위치된다. 이는 기판 홀더(61)와 추출 몸체(65) 사이의 열 전달을 감소시킨다. 히트 파이프(171)의 온도는 히트 파이프(171) 내의 균질한 압력으로 인해 매우 균질하다. 히트 파이프(171)는 증기로 증발하여 열에너지를 흡수할 수 있는 동작 유체(working fluid)를 포함한다. 증기는 히트 파이프(171)의 공동(cavity)을 따라 더 낮은 온도의 구역으로 이동한다. 그 후, 증기는 동작 유체로 다시 응결되고, 히트 파이프(171) 내의 윅(wick)에 의해 흡수된다. 이 응결은 열에너지를 방출한다. 그 후, 동작 유체가 다시 히트 파이프(171)의 더 높은 온도 구역으로 유동한다. 이 방식으로, 히트 파이프(171)의 온도가 실질적으로 균질하게 유지된다.
일 실시예에서, 히트 파이프(171)는 물, 아세톤, 에탄올, 메탄올, 암모니아, 2-부탄, DME, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및 프로판으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 동작 유체를 포함한다. 다른 동작 유체들이 적절할 수 있다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 열적 컨디셔닝 시스템을 도시한다. 도 19에 도시된 바와 같이, 열적 컨디셔닝 시스템은 히트 파이프(171) 및 적어도 하나의 가열기/온도 센서(151)를 포함할 수 있다. 가열기/온도 센서는 히트 파이프(171)에 에너지를 적용하도록 구성된다. 이는 히트 파이프(171) 내의 동작 유체에 대한 포화 압력을 설정한다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 열적 컨디셔닝 시스템을 도시한다. 도 18에 도시된 실시예에서, 가열기/온도 센서(151)들은 유체-운반 채널(161)들과 조합된다. 일 실시예에서, 열적 컨디셔닝 시스템은 추출 몸체(65) 내에서 채널(68) 주위에 제공된다. 일 실시예에서, 제어기(500)는 가열기/온도 센서(151)에 의해 채널(68)에 제공되는 열에너지를 제어한다.
가열기/온도 센서(151)에 제공된 에너지는 전기적일 수 있다. 가열기/온도 센서(151)는 전기 에너지를 열 에너지로 변환한다. 가열기/온도 센서(151)에 제공되는 전기 에너지가 너무 낮은 경우, 가열기/온도 센서(151)에 의해 제공되는 열에너지는 너무 낮을 것이다. 가열기/온도 센서(151)에 제공되는 전기 에너지가 너무 높은 경우, 가열기/온도 센서(151)에 의해 제공되는 열에너지는 너무 높을 것이다. 이는 너무 낮거나 너무 높은 추출 몸체(65)의 온도를 초래할 수 있다. 가열기/온도 센서(151)들이 독립적으로 제어가능하도록 제공함으로써, 이 잠재적 오차가 감소될 수 있다.
추가적으로 유체-운반 채널(161)들의 네트워크를 제공함으로써, 추출 몸체(65)의 온도의 안정성이 개선될 수 있다. 가열기/온도 센서(151)들에 의해 과도한 열이 제공되는 경우, 과도한 열은 예를 들어 유체-운반 채널(161)들 내에 포함된 이산화탄소의 증발에 의해 흡수될 것이다.
일 실시예에서, 제어기(500)는 유체-운반 채널(161)들 내의 이산화탄소의 압력을 제어하도록 구성되어, 약 6x106 Pa가 되게 한다. 이산화탄소 대신에, 또는 이에 추가하여 또 다른 유체가 유체-운반 채널(161)들 내에서 사용될 수 있다.
도 20은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 외측 에지 상에 에지 가열기(201)를 포함한다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 내표면 상에 에지 가열기(202)를 포함한다. 일 실시예에서, 기판 홀더(61)는 기판 홀더(61)의 외측 에지에 위치된 에지 가열기(203)를 포함한다. 일 실시예에서, 에지 가열기들(201, 202, 203)은 제어기(500)에 의해 독립적으로 제어가능하다. 에지 가열기들(201, 202, 203)은 기판 지지 장치(60)의 온도 프로파일의 안정성을 유지하도록 돕는다. 에지 가열기들(201, 202, 203) 각각은 온도 센서를 포함할 수 있다.
도 21 내지 도 26은 앞서 설명된 특징들을 조합함으로써 형성된 본 발명의 특정 실시예들을 도시한다. 본 명세서에서 설명된 가능한 특징들의 다른 조합들에 의해 또 다른 특정 실시예들이 형성될 수 있다.
도 21은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 21에 도시된 실시예에서, 액체 추출기(130)는 기판 홀더(61) 내에 제공된다. 기판 홀더(61)는 유체-운반 채널(161)들의 네트워크에 의해 열적으로 컨디셔닝된다. 추출 몸체(65)는 유체-운반 채널(161)들의 네트워크에 의해 열적으로 컨디셔닝된다. 추출 몸체(65)의 커버 링(112)은 유체-운반 채널(161)에 의해 열적으로 컨디셔닝된다.
도 22는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 22에 도시된 실시예에서, 액체 추출기는 기판 홀더(61) 내에 제공된다. 기판 홀더(61)는 기판 홀더(61)의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(161)들의 네트워크를 포함한다. 기판 홀더(61)는 기판 홀더(61)의 외측 에지에 위치된 에지 가열기(203)를 포함한다. 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 내측 에지 및 외측 에지에 에지 가열기들(201, 202)을 포함한다.
도 23은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 23에 도시된 실시예에서, 액체 추출기(130)는 기판 홀더(61) 내에 제공된다. 기판 홀더(61)는 유체-운반 채널(161)들의 네트워크에 의해 열적으로 컨디셔닝된다. 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 내측 에지 및 외측 에지에 에지 가열기들(201, 202)을 포함한다.
도 24는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 24에 도시된 실시예에서, 액체 추출기(130)의 일부분은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 채널(133)은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 통로(132)의 일부분이 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 기판 홀더(61)는 기판 홀더(61)의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(161)들의 네트워크를 포함한다. 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 내측 에지 및 외측 에지에 에지 가열기들(201, 202)을 포함한다. 에지 가열기들(201, 202)은 추출 몸체(65)의 온도를 제어하도록 구성된다. 도 24에 도시된 실시예는 에지 가열기(201, 202)를 유체-운반 채널(161)들로 대체함으로써 수정될 수 있다.
도 25는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 25에 도시된 실시예에서, 액체 추출기(130)의 일부분은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 채널(133)은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 통로(132)의 일부분이 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)의 계단식 형상에 대응하는 계단식 형상을 갖는다. 액체 추출기(130)의 채널(133)은 기판 홀더(61)의 일부분 바로 아래에서 추출 몸체(65)의 일부분 내에 제공된다.
도 25에 도시된 실시예에서, 기판 홀더(61)는 기판 홀더(61)의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(161)들의 네트워크를 포함한다. 기판 홀더(61)는 기판 홀더의 외측 에지에 에지 가열기(203)를 포함한다. 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 내측 에지 및 외측 에지에 에지 가열기들(201, 202)을 포함한다. 도 25에 도시된 실시예는 에지 가열기(201, 202, 203)를 유체-운반 채널(161)들로 대체함으로써 수정될 수 있다.
도 26은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 26에 도시된 실시예에서, 액체 추출기(130)의 일부분은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 채널(133)은 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 통로(132)의 일부분이 추출 몸체(65) 내에 제공된다. 추출 몸체(65)는, 도 25에 나타낸 바와 같이 기판 홀더(61)의 계단식 형상에 대응하는 계단식 형상을 갖는다. 기판 홀더(61)는 기판 홀더(61)의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(161)들의 네트워크를 포함한다. 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 내측 에지 및 외측 에지에 위치된 에지 가열기들(201, 202)을 포함한다. 유체-운반 채널(161)이 액체 추출기(130)의 개구부(131)와 채널(133)을 연결하는 통로(132)의 반경방향 바깥쪽에서 기판 홀더(61) 내에 제공된다. 도 26에 도시된 실시예는 에지 가열기(201, 202)를 유체-운반 채널(161)들로 대체함으로써 수정될 수 있다.
도 24 내지 도 26에 도시된 실시예들에서, 커버 링(112)은 1 이상의 가열기/온도 센서들에 의해, 단-상 컨디셔닝에 의해, 2-상 컨디셔닝에 의해, 1 이상의 펠티에(Peltier) 요소들에 의해, 1 이상의 유체-운반 채널들에 의해, 또는 이 구성요소들의 여하한의 조합에 의해 열적으로 컨디셔닝될 수 있다.
리소그래피 장치의 사용 중에, 기판 테이블(WT)은 액체 한정 구조체(IH)가 기판 테이블(WT) 바로 위의 위치에 있도록 액체 한정 구조체(IH)에 대해 이동한다. 일 실시예에서, 기판 테이블(WT)은 액체 한정 구조체(IH)에 대해 이동하도록 작동된다. 공간(11) 내의 액체의 온도는 켈빈의 천 분의 몇 이내에서(within a few thousandths of a Kelvin) 제어될 필요가 있을 수 있다. 이는 공간(11) 내의 액체의 온도가 리소그래피 장치의 유효 렌즈의 굴절률에 영향을 미치기 때문이다.
액체 한정 구조체(IH)가 기판 테이블(WT) 위의 위치에 있도록 액체 한정 구조체(IH)에 대해 기판 테이블(WT)이 이동하는 경우, 공간(11) 내의 액체와 기판 테이블(WT) 사이에 열이 전달될 수 있다. 이 열 전달은 바람직하지 않게 공간(11) 내의 액체의 온도를 변화하게 할 수 있다. 기판 테이블(WT)과 공간(11) 내의 액체 간의 열 전달이 감소되는 지지 장치(60)를 제공하는 것이 바람직하다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치(60)의 일부분을 단면도로 도시한다. 지지 장치(60)는 기판 테이블(WT)과 같은 테이블, 및 몸체(271)를 포함한다. 몸체(271)는 기판 테이블(WT)의 후퇴부(279) 내에 위치된다. 기판 테이블(WT)과 몸체(271) 사이에 갭(273)이 존재한다.
도 27에 도시된 바와 같이, 지지 장치(60)는 갭(273)을 브리징하는 부재(274)를 포함한다. 부재(274)는 시일 부재 또는 시일이라고 칭해질 수 있다. 부재(274)는 몸체(271)의 최상면(277)으로부터 기판 테이블(WT)의 최상면(122)으로 연장된다. 부재(274)의 일부분은 몸체(271)의 최상면(277) 상에 있다. 부재(274)의 일부분은 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 상에 위치된다.
기판 테이블(WT)은 열전도율을 갖는 테이블 재료로 형성된다. 부재(274)는 열저항 층(275)을 포함한다. 열저항 층(275)은 열저항 재료로 형성된다. 열저항 재료는 테이블 재료의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖는다.
부재(274)는, 액체 한정 구조체(IH)가 기판 테이블(WT) 바로 위에 있는 경우에 기판 테이블(WT)과 공간(11) 내의 액체 사이의 열 전도를 감소시킨다. 열저항 층(275)은 공간(11) 내의 액체를 향해 기판 테이블(WT) 외부로 전달되는 열 및 기판 테이블(WT)을 향해 공간(11) 내의 액체 외부로 전달되는 열에 대한 저항 역할을 한다. 열저항 층(275)의 낮은 열 전도도 계수로 인해, 테이블 재료로부터 공간(11) 내의 액체를 향하는 열 전달은 리소그래피 장치의 사용 중에 기판 테이블(WT)이 공간(11) 내의 액체와 직접 접촉하는 상황에 비해 상당히 감소된다. 부재(274)가 열적 차폐부(예를 들어, 열 절연체 또는 단열부)를 제공하며, 이는 기판 테이블(WT)과 공간(11) 내의 액체 사이의 열 전달을 실질적으로 감소시킨다.
부재(274)는 본 명세서에 설명된 여하한의 실시예들, 특히 도 6 내지 도 26에 관하여 설명된 것들과 조합될 수 있다. 일 실시예에서, 몸체(271)는 앞서 설명된 바와 같은 추출 몸체(65)이다. 일 실시예에서, 몸체(271)는 예를 들어 기판 홀더(61) 또는 센서일 수 있다. 몸체(271)가 추출 몸체(65)인 경우, 몸체(271)의 최상면(277)은 추출 몸체(65)의 최상면(105)에 대응한다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65) 및 기판 홀더(61)는 서로 열적 디커플링되지 않는다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65) 및 기판 홀더(61)는 단일 구성요소를 형성한다. 부재(274)는 상기 단일 구성요소로부터 기판 테이블(WT)의 최상면(122)으로 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 갭(273)은 앞서 설명된 바와 같은 중간 갭(75)에 대응한다. 일 실시예에서, 후퇴부(279)는 앞서 설명된 바와 같은 기판 홀더 후퇴부(85)에 대응한다.
도 27에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 몸체(271)는 복수의 버얼(272)들을 통해 기판 테이블(WT)에 연결된다. 버얼(272)들 대신에, 몸체(271)는 진공 클램프, 볼트, 접착제 및/또는 동적 리프 스프링 커플링과 같은 다른 수단에 의해 기판 테이블(WT)에 연결될 수 있다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치(60)를 단면도로 도시한다. 일 실시예에서, 부재(274)는 몸체(271)의 최상면(277)보다 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 상에 더 많이 있다. 일 실시예에서, 부재(274)는 반경방향으로, 몸체(271)의 최상면(277)을 따라 안쪽으로 연장되는 것보다 기판 테이블(WT)의 최상면(122)을 따라 바깥쪽으로 더 연장된다. 이는 도 27을 참조하면, D2 간격이 D1 간격보다 더 크다는 것을 의미한다.
D2 간격은 기판 테이블(WT)의 최상면(122)을 따라 (예를 들어, 반경방향) 바깥쪽으로 연장된다. D2 간격은 후퇴부(279)의 내측 에지로부터 부재(274)의 외측 에지까지 바깥쪽(반경방향) 방향으로 측정된다. 도 27의 저부의 화살표는 (반경방향) 바깥쪽 방향을 나타낸다. D1 간격은 몸체(271)의 최상면(277)을 따라 (반경방향) 안쪽으로 연장되는 정도에 대응한다. D1 간격은 몸체(271)의 외측 에지로부터 부재(274)의 내측 에지까지 계산된다.
부재(274)가 몸체(271)의 최상면(277)보다 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 상에 더 많도록 제공함으로써, 부재(274)는 더 효율적으로 기판 테이블(WT)과 액체 한정 구조체(IH)의 공간(11) 내의 액체 사이의 열전달을 감소시킨다.
도 28에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 부재(274)는 실질적으로 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 전체에 걸쳐 연장된다. 일 실시예에서, 부재(274)는 실질적으로 연속적이다. 부재(274)는 기판 테이블(WT) 상에 있는 1 이상의 센서와 같은 1 이상의 구성요소를 둘러쌀 수 있다. 부재(274)는 공간(11) 내의 액체가 기판(WT)과 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 부재(274)는 기판 테이블(WT)의 최상면(122)의 모든 지점들과 공간(11) 내의 액체 사이의 열전달을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에서, 부재(274)는 열적응 층(thermal adaptation layer: 276)을 포함한다. 열적응 층(276)은 열적응 재료로 형성된다. 본 명세서에서, 열적응 재료라는 용어는 열적응 층(276)을 형성하는 재료를 칭하는 데 사용된다. 열적응 재료는 그 온도를 공간(11) 내의 액체와 동일한 온도에 적응시킨다. 열적응 재료는 테이블 재료의 25 ℃에서의 비열 용량(specific heat capacity at 25 ℃)보다 낮은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는다. 액체 한정 구조체(IH)가 기판 테이블(WT) 바로 위의 위치에 있도록 액체 한정 구조체(IH)에 대해 기판 테이블(WT)이 이동하는 경우, 공간(11) 내의 액체는 부재(274)와 직접 접촉할 수 있다. 공간(11) 내의 액체가 열적응 층(276)을 포함한 부재(274)와 접촉하는 경우, 부재(274)는 그 온도를 액체의 온도에 비교적 빠르게 적응시킨다.
일 실시예에서, 열적응 층(276)은 열저항 층(275) 위에 위치된다. 일 실시예에서, 열적응 층(276)은 부재(274)의 최상면을 형성한다. 공간(11) 내의 액체는 열적응 층(276)과 직접 접촉한다. 열적응 층(276)의 낮은 비열 용량으로 인해, 공간(11) 내의 액체의 온도 변동은 매우 낮다. 열적응 층(276)의 낮은 비열 용량은, 열적응 층(276)이 공간(11) 내의 액체와 실질적으로 동일한 온도이기 전에 공간(11) 내의 액체와 열적응 층(276) 사이에 비교적 적은 양의 에너지가 전달된다는 것을 의미한다. 비교적 적은 양의 에너지 전달로 인해, 공간(11) 내의 액체의 온도 변동은 비교적 낮다.
일 실시예에서, 열적응 재료는 테이블 재료의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는다. 열적응 층(276)과 공간(11) 내의 액체 사이의 열 전달에 대해, 높은 전달 계수가 존재할 수 있다. 액체가 열적응 층(276)과 접촉하는 경우, 부재(274)는 부분적으로는 높은 전달 계수로 인해 그 온도를 액체의 온도에 빠르게 적응시킨다.
일 실시예에서, 열적응 층(276)은 50 마이크로미터보다 작거나 같은, 20 마이크로미터보다 작거나 같은, 또는 10 마이크로미터보다 작거나 같은 두께를 갖는다. 열적응 층(276)은 낮은 전체 열 용량을 갖고, 예를 들어 기판(W)과 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 간의 동일 평면 관계에 크게 영향을 미치지 않도록 얇다. 공간(11) 내의 액체가 열적응 층(276)과 접촉하는 경우, 부재(274)와 액체 사이의 열 전달로 인한 액체의 온도 변화가 비교적 낮다.
일 실시예에서, 열적응 재료는 800 J/kgK보다 작거나 같은 25 ℃에서의 비열 용량 또는 600 J/kgK보다 작거나 같은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는다. 낮은 비열 용량을 가짐으로써, 액체가 부재(274)와 접촉하는 경우의 액체의 온도 변동이 비교적 낮다.
일 실시예에서, 열적응 재료는 스테인리스 강 및 티타늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 일 실시예에서, 열적응 재료에 사용될 수 있는 재료는 알루미늄, SiSiC, (캡슐화된) 열분해 흑연[(Encapsulated) Thermal Pyrolytic Graphite] 및 리튬 알루미노실리케이트 유리-세라믹(예를 들어, Zerodur®)을 포함한다. 이 재료들은 더 높은 비열 용량을 갖기 때문에 스테인리스 강 및 티타늄보다 덜 유리할 수 있다. 일 실시예에서, 열적응 재료는 내수성이다. 일 실시예에서, 열적응 재료는 비교적 높은 열저항을 갖는다.
스테인리스 강은 약 16 내지 24 W/mK의 열전도율을 갖는다. 티타늄은 약 15 내지 23 W/mK의 열전도율을 갖는다. 열적응 재료의 열전도율은 테이블 재료의 열전도율보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 열적응 재료의 열전도율은 비교적 낮다. 예를 들어, 스테인리스 강 및 티타늄은, 내수성이고 낮은 비열 용량을 갖는 다른 금속들에 비해 비교적 낮은 열전도율들을 갖는다.
일 실시예에서, 열저항 층(275)은 열적응 층(276)과 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 및 몸체(271)의 최상면(277) 사이에 있다. 액체는 열적응 층(276)과 접촉하지만, 열저항 층(275)과는 접촉하지 않는다.
일 실시예에서, 열저항 재료는 테이블 재료의 열 용량보다 높은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는다.
일 실시예에서, 열저항 층(275)은 50 마이크로미터보다 작거나 같은, 20 마이크로미터보다 작거나 같은, 또는 10 마이크로미터보다 작거나 같은 두께를 갖는다. 열저항 층(275)은 부재(274)의 전체 열 용량이 비교적 낮도록 얇다. 부재(274)가 액체와 접촉하는 경우, 액체의 온도 변동은 부재(274)의 낮은 열 용량으로 인해 비교적 낮다.
일 실시예에서, 열저항 재료는 0.5 W/mK보다 작거나 같은, 0.1 W/mK보다 작거나 같은, 또는 0.05 W/mK보다 작거나 같은 열전도율을 갖는다. 비교적 낮은 열전도율 및 이에 따른 높은 열저항을 가짐으로써, 부재(274) 및 특히 열저항 층(275)은 액체 한정 구조체(IH)가 기판 테이블(WT) 바로 위에 있는 경우에 기판 테이블(WT)의 테이블 재료와 공간(11) 내의 액체 사이의 열전달을 감소시킨다.
일 실시예에서, 열저항 재료는 접착제(adhesive)이다. 열저항 층(275)은 기판 테이블(WT) 및 몸체(271)에 열적응 층(276)을 부착시키도록 작용할 수 있다. 일 실시예에서, 부재(274)는 스티커이다.
일 실시예에서, 열저항 재료는 아크릴레이트 폴리머, 실릴 말단 폴리에테르(silyl terminated polyether)(예를 들어, MS Polymer®) 및 에폭시로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 일 실시예에서, 또 다른 재료가 열저항 재료로서 사용될 수 있다. 에폭시는 약 0.05 W/mK 내지 약 0.35 W/mK 범위 내의 열전도율을 가질 수 있다. 에폭시는 약 1000 J/kgK의 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는다.
일 실시예에서, 테이블 재료는 코디어라이트 또는 Zerodur®일 수 있다. Zerodur®는 약 820 J/kgK의 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는다. Zerodur®는 약 1.5 W/mK의 열전도율을 갖는다.
일 실시예에서, 부재(274)는 100 마이크로미터보다 작거나 같은, 50 마이크로미터보다 작거나 같은, 20 마이크로미터보다 작거나 같은, 또는 10 마이크로미터보다 작거나 같은 총 두께를 갖는다. 부재(274)는 총 열 용량이 비교적 낮도록 얇은 총 두께를 갖는다. 이는 부재(274)와 접촉하는 액체의 온도 변동을 감소시킨다. 일 실시예에서, 부재(274)는 기판 테이블(WT)의 평탄한 최상면(122)에 크게 악영향을 미치지 않도록 얇다.
일 실시예에서, 부재(274)는 25 W/mK보다 작거나 같은, 15 W/mK보다 작거나 같은, 또는 10 W/mK보다 작거나 같은 평균 열전도율을 갖는다. 평균 열전도율은 부재의 서브-부분보다는 전체로서 부재(274)의 열전도율을 칭한다. 부재(274)는 액체 한정 구조체(IH)가 기판 테이블(WT) 바로 위에 있는 경우에 기판 테이블(WT)의 테이블 재료와 공간(11) 내의 액체 사이의 열전달을 감소시키도록 낮은 평균 열전도율을 갖는다.
일 실시예에서, 부재(274)는 1500 J/kgK보다 작거나 같은, 1000 J/kgK보다 작거나 같은, 또는 750 J/kgK보다 작거나 같은 25 ℃에서의 평균 비열 용량을 갖는다. 25 ℃에서의 평균 비열 용량은 부재의 서브-부분보다는 전체로서 부재(274)의 25 ℃에서의 비열 용량을 칭한다. 부재(274)는, 부재(274)가 그 온도를 부재(274)와 접촉하는 액체의 온도에 비교적 빠르게 적응시키도록 낮은 평균 비열 용량을 갖는다.
도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치(60)를 단면도로 도시한다. 도 29에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 기판 테이블(WT)은 부재 후퇴부(291)를 포함한다. 부재(274)는 적어도 부분적으로 부재 후퇴부(291) 내에 있다. 부재 후퇴부(291)는 부재(274)가 기판 테이블(WT)의 최상면(122) 위에 (조금이라도) 있는 정도를 감소시킨다. 일 실시예에서, 부재 후퇴부(291)는 부재(274)의 총 두께와 실질적으로 동일한 깊이를 갖는다. 일 실시예에서, 부재(274)는 기판 테이블(WT)의 최상면(122)과 실질적으로 동일 평면상에 있다. 일 실시예에서, 부재(274)의 최상면은 기판이 기판 테이블(WT) 내의 기판 홀더(61)에 의해 유지되는 경우의 기판(W)과 실질적으로 동일 평면상에 있다.
도 30은 일 실시예의 지지 장치의 일부분을 단면도로 도시한다. 추출 몸체(65)는 기판 홀더(61)로부터 실질적으로 열적 디커플링되고, 및/또는 실질적으로 기계적 디커플링된다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 돌출부(30)를 포함한다. 돌출부(30)는 대상물 홀더[예를 들어, 기판 홀더(61)]를 둘러싸도록 구성된다. 돌출부(30)는, 사용 시 액체 층(32)이 돌출부(30) 상에 유지되고 대상물 홀더[예를 들어, 기판 홀더(61)] 상에 지지된 대상물[예를 들어, 기판(W)]과 접촉하도록 구성된다.
일 실시예에서, 돌출부(30)는 그 최상면(31)이 환형을 형성하도록 구성될 수 있다. 환형은 추출 몸체(65)의 내측 구역 주위에 연장된다. 환형은 기판 홀더(61)를 둘러싼다. 이는 제조를 용이하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 돌출부(30)는 기판(W)에 실질적으로 수직인 방향으로 연장된다. 일 실시예에서, 돌출부(30)의 최상면(31)은 기판(W)의 하부면과 마주한다.
일 실시예에서, 돌출부(30)는 돌출부(30)의 최상면(31)과 기판 홀더(61)에 의해 지지된 기판(W)의 하부면 간의 간격이 약 20 ㎛ 또는 그보다 작도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 돌출부는 돌출부(30)의 최상면(31)과 기판 홀더(61)에 의해 지지된 기판(W)의 하부면 간의 간격이 10 ㎛ 또는 그보다 작도록 구성될 수 있다.
사용 시, 돌출부(30)의 최상면(31)과 기판(W)의 하부면 사이에서 돌출부(30) 상에 액체 층(32)이 유지된다. 돌출부(30)는, 사용 시 액체 층(32)이 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽으로부터 돌출부(30)의 반경방향 안쪽으로 액체가 유동하는 것을 방지하도록 구성된다. 이는 돌출부(30) 상에 유지된 액체 층(32)의 모세관 압력(capillary pressure)이 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽과 돌출부(30)의 반경방향 안쪽 간의 압력 차로 인한 힘보다 크기 때문에 달성될 수 있다. 모세관 압력은 액체 층(32)이 기판(W)과 돌출부(30) 사이의 갭을 통하게 하는 데 필요한 힘이고, 갭이 작을수록 더 크다. 모세관 압력은 액체 층(32)과 주위 가스(예를 들어, 공기) 간의 계면에 걸친 압력 차이에 의해 야기된다.
돌출부(30)의 최상면(31)과 기판(W)의 하부면 간의 간격이 너무 큰 경우(예를 들어, 20 ㎛보다 크거나 10 ㎛보다 큰 경우), 액체 층(32)의 모세관 압력은 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽으로부터 돌출부(30)의 반경방향 안쪽으로 액체가 유동하는 것을 방지하기에 충분히 크지 않다. 간격이 작을수록, 모세관 압력이 더 크며, 이로 인해 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽으로부터 돌출부(30)의 반경방향 안쪽으로 액체가 유동하는 것을 방지하는 기능이 더 크다.
돌출부(30)의 최상면(31)은 기판(W)의 하부면과 접촉하지 않는다. 여하한의 이러한 접촉은 기판(W)의 평탄도(flatness)에 악영향을 주기 때문에 바람직하지 않다. 이러한 이유로, 돌출부(30)의 최상면(31)과 기판(W)의 하부면 간의 타겟 간격에 하한계(lower limit)를 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 돌출부(30)는 돌출부(30)의 최상면(31)과 기판(W)의 하부면 간의 간격이 2 ㎛ 또는 그보다 크도록 구성된다.
일 실시예에서, 돌출부(30)의 최상면(31)은 추출 몸체(65)의 최상면(105)보다 낮다. 이는 기판(W)으로 하여금, 기판(W)의 주변부 구역(peripheral region)이 돌출부(30) 바로 위에 위치되도록 위치되게 한다. 기판(W)의 최상면은 추출 몸체(65)의 최상면(105)과 실질적으로 동일 평면상에 있을 수 있다.
일 실시예에서, 기판 지지 장치(60)는 사용 시 추출 몸체(65)의 일부분이 대상물 홀더[예를 들어, 기판 홀더(61)] 상에 지지된 대상물[예를 들어, 기판(W)]의 주변부 에지 아래로 연장되도록 구성된다. 이는 도 30에 도시되며, 이는 추출 몸체(65)의 내측 주변부 구역이 반경 방향으로 기판(W)의 외측 주변부 구역과 오버랩되는 것을 나타낸다. 기판(W) 위 및/또는 추출 몸체(65) 위로부터 유동하는 액체가 추출 몸체(65)와 기판(W) 사이의 갭(5)을 통해 유동할 수 있다. 갭(5)을 통해 유동하는 액체가 추출 몸체(65)의 추출 개구부(66), 통로(67) 및 채널(68)을 통해 추출될 수 있다. 추출 몸체(65)가 기판(W) 아래까지 도달하도록 제공함으로써, 이러한 액체가 기판 홀더(61)에 도달하는 것이 방지된다.
일 실시예에서, 도 30에 나타낸 바와 같이 기판 홀더(61)는 어떠한 종류의 액체 추출기도 실질적으로 포함하지 않는다. 일 실시예에서, 기판 홀더(61)는 사용 시 침지 리소그래피 장치에서 사용되는 액체와 실질적으로 접촉하지 않는다. 액체는 기판 홀더(61)로부터 분리되는 추출 몸체(65)에 의해서만 추출된다. 기판(W)은 기판 홀더(61)에 의해서만 지지되고, 추출 몸체(65)에 의해서는 지지되지 않는다. 일 실시예에서, [기판 홀더(61)에 의해 수행되는] 기판 지지 기능과 [추출 몸체(65)에 의해 수행되는] 액체 포획 기능(liquid capturing function) 사이에 완전한 분리가 존재한다. 일 실시예에서, 기판 홀더(61)는 추출 몸체(65)와 별개인 몸체이다. 돌출부(30) 상의 액체 층(32)에 의해 야기되는 열적 부하는 최소이다.
기판 홀더(61)는 기판(W)을 지지하는 기능 및 정확한 위치설정을 수행하는 기능을 수행한다. 기판 홀더(61)가 실질적으로 액체와 접촉하지 않도록 기판 지지 장치(60)를 배치함으로써, 기판 홀더(61)가 기판(W)을 위치시키는 정확성이 증가될 수 있다. 이는 기판 홀더(61)가, 예를 들어 액체의 증발에 의해 야기되는 열적 부하에 실질적으로 영향을 받지 않기 때문이다.
돌출부(30)를 제공함으로써, 액체가 기판 홀더(61)와 접촉할 가능성이 회피되어, 기판 홀더(61)의 정확성을 증가시킨다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)의 내측 주변부 구역과 기판(W)의 외측 주변부 구역 간의 오버랩 정도는 약 0.5 mm 이상이다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)의 내측 주변부 구역과 기판(W)의 외측 주변부 구역 간의 오버랩 정도는 약 3 mm 이하이다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 채널(300)을 포함할 수 있다. 채널(300)은 통로 301에 연결되고, 이는 채널(300)을 추출 몸체(65)의 통로 80에 연결한다. 채널(300) 및 통로 301은 선택적이다. 통로 80은 기판(W)의 하부면과 추출 몸체(65)의 상부면 사이에 위치된다. 통로 80은 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽으로 바로 옆에 위치된다. 통로 80은 기판(W) 아래에서 연장된다.
일 실시예에서, 채널(300)은 유체가 통로 80으로부터 통로 301을 통해 채널(300)로 흡입되도록 진공과 연통한다. 일 실시예에서, 채널(300)은 과-압력과 연통하고, 통로 301은 채널(300)을 중간 갭(75)에 연결한다. 일 실시예에서, 진공 또는 과압력은 액체 층(32)을 반경방향 바깥쪽으로 돌출부(30)로부터 밀어내도록 제어된다. 이는, 예를 들어 기판(W)을 언로딩하기 전에 행해질 수 있다. 이는 기판(W)을 더 제거하기 쉽게 하고, 건조한 기판들을 내보낼(export) 수 있게 한다.
일 실시예에서, 채널(300)은 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽의 압력과 돌출부(30)의 반경방향 안쪽의 압력 간의 차이를 제어하는 데 사용되어, 압력 차이가 액체 층(32)의 모세관 압력보다 낮도록 한다. 이는 액체 층(32)을 돌출부(30) 상에 유지한다.
일 실시예에서, 통로 301은 채널(300)을 추출 몸체(65)의 통로 80에 연결하지 않는다. 그 대신, 일 실시예에서 통로 301은 채널(300)을 추출 몸체(65)와 기판 홀더(61) 사이의 중간 갭(75)에 연결한다. 이 경우, 채널은 과압력과 연통한다. 일 실시예에서, 통로 301은 통로 80을 채널 68에 연결하고, 이 경우 채널 300은 생략될 수 있다.
돌출부(30) 상의 유체 층(32)의 모세관 압력이 기판(W)의 외측 주변부를 아래쪽으로 당겨지게 할 가능성이 존재한다. 이는 기판(W)의 평탄도를 감소시킬 위험이 있다. 평탄도는 약 10 nm의 구역 내 양만큼 감소될 수 있다. 기판(W)의 평탄도에 대한 모세관 압력의 영향은 예측되고 보상될 수 있다.
돌출부(30)에 가까운 통로(80)에 기포들이 모일 가능성이 존재한다. 이는, 돌출부(30)의 반경방향 바깥쪽으로 바로 옆의 구역 내에서 유체의 유동이 두 방향으로 특히 낮은 속도로 있기 때문이다. 일 실시예에서, 채널(300) 및 통로 301은 추출 몸체(65)의 통로 80의 이 코너로부터 여하한의 이러한 기포들 또는 가스 포켓들을 흡입하는 데 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(161)들의 네트워크와 같은 열적 컨디셔닝 시스템을 포함한다. 일 실시예에서, 유체-운반 채널(161)들은 열적 컨디셔닝 액체를 운반한다. 열적 컨디셔닝 액체는, 예를 들어 물일 수 있다. 유체-운반 채널(161)들은 소정(예를 들어, 사전설정된) 온도에 추출 몸체(65)의 온도를 유지한다. 일 실시예에서, 1 이상의 가열기/온도 센서들(도시되지 않음)이 유체-운반 채널(161)들 내에 또는 부근에 위치되어, 유체-운반 채널(161)들 내의 열적 컨디셔닝 액체의 온도를 제어할 수 있다.
기판 홀더 및 추출 몸체가 동일한 몸체의 일부분으로서[즉, 중간 갭(75)이 존재하지 않도록] 형성되는 기판 지지 장치에 대해, 이러한 유체-운반 채널들을 제공함으로써, 추출에 의해 야기되는 열적 부하로 인한 최대 기판 변위(substrate displacement)가 약 2 배로 감소될 수 있다. 대안적으로, 기판 홀더로부터 추출 몸체를 열적으로 디커플링함으로써[즉, 중간 갭(75)을 제공함으로써], 추출에 의해 야기되는 열적 부하로 인한 최대 기판 변위가 약 6 배 감소될 수 있다. 따라서, 기판 홀더로부터의 추출 몸체의 열적 디커플링이 유체-운반 채널들을 제공하는 것에 비해 기판 변위를 감소시키는 데 약 3 배 이상 효과적이다.
유체-운반 채널들(또는 에지 가열기들과 같은 대안적인 온도 제어 메카니즘들)과 함께 열적 디커플링의 조합된 효과는 개별적인 효과들의 합보다 크다. 특히, (예를 들어, 도 30에 도시된 바와 같이) 유체-운반 채널(161)들과 조합하여 중간 갭(75)을 제공함으로써, 추출로 인한 최대 기판 변위가 약 80 배(이는 2 x 6 = 12보다 상당히 더 큼) 감소된다는 것이 발견되었다. 이에 대한 이유가 아래에서 설명된다.
중간 갭(75)을 제공함에 의한 열적 디커플링은 최대 기판 변위들을 약 6 배 감소시키지만, 기판 지지 장치(60)에 걸친 온도 차이는 약 10 배 증가되며, 이는 바람직하지 않다. 추출 몸체(65) 내에 유체-운반 채널(161)들을 제공하는 것이 기판 지지 장치(60)에 걸친 온도 차이를 감소시키는 데 효과적이다. 따라서, 중간 갭(75) 및 유체-운반 채널(161)들을 제공함으로써, 최대 기판 변위는 이러한 큰 비율(factor)로 감소된다. 일 실시예에서, 중간 갭은 적어도 0.2 mm이다. 일 실시예에서, 중간 갭은 적어도 0.5 mm이다. 일 실시예에서, 중간 갭은 최대 3 mm이다.
일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 외측 에지 상에 에지 가열기(201)를 포함한다. 일 실시예에서, 추출 몸체(65)는 추출 몸체(65)의 하부면 상에 에지 가열기(204)를 포함한다. 일 실시예에서, 에지 가열기들(201, 204)은 제어기(500)에 의해 독립적으로 제어가능하다. 에지 가열기들(201, 204)은 기판 지지 장치(60)의 온도 프로파일의 안정성을 유지하도록 돕는다. 에지 가열기들(201, 204) 각각은 온도 센서를 포함할 수 있다. 에지 가열기들(201, 204)은 유체-운반 채널(161)에 추가하여, 또는 이에 대한 대안예로서 사용될 수 있다.
도면들에 도시된 특징들은 서로 조합될 수 있다. 단지 예시에 의해, 도 30의 특징들은 도 8의 계면부(81) 및/또는 도 11의 커버 링(112)과 조합될 수 있다.
일 실시예에서, 열전도율을 갖는 테이블 재료로 형성된 테이블; 테이블의 후퇴부 내에 위치된 몸체 -몸체와 테이블 사이에 갭이 존재함- ; 및 몸체의 최상면으로부터 테이블의 최상면까지 갭을 브리징하는 부재를 포함한 지지 장치가 제공되고, 상기 부재는 테이블 재료의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖는 열저항 재료의 열저항 층을 포함한다.
일 실시예에서, 부재는 몸체의 최상면보다 테이블의 최상면 상에 더 많다.
일 실시예에서, 부재는 몸체의 최상면을 따라 안쪽으로 연장되는 것보다 테이블의 최상면을 따라 바깥쪽으로 더 연장된다.
일 실시예에서, 부재는 실질적으로 테이블의 전체 최상면에 걸쳐 연장된다.
일 실시예에서, 부재는 테이블 재료의 25 ℃에서의 비열 용량보다 낮은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는 열적응 재료의 열적응 층을 포함한다.
일 실시예에서, 열적응 재료는 테이블 재료의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는다.
일 실시예에서, 열저항 층은 열적응 층과 테이블의 최상면 및 몸체의 최상면 사이에 있다.
일 실시예에서, 열저항 재료는 테이블 재료의 비열 용량보다 높은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는다.
일 실시예에서, 열저항 재료는 접착제이다.
일 실시예에서, 지지 장치는 대상물을 지지하도록 구성된 대상물 홀더를 더 포함하고, 몸체는 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽의 추출 몸체이며, 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 추출 몸체는 추출 몸체가 실질적으로 대상물 홀더로부터 디커플링되도록 대상물 홀더로부터 이격되며, 추출 몸체는 대상물 홀더를 둘러싸도록 구성된 돌출부를 포함하여, 사용 시 유체 층이 돌출부 상에 유지되고 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 한다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 추출 몸체가 대상물 홀더로부터 분리되도록 대상물 홀더에 연결되지 않는다.
일 실시예에서, 돌출부는 사용 시 액체 층이 돌출부의 반경방향 바깥쪽으로부터 돌출부의 반경방향 안쪽으로 액체가 유동하는 것을 방지하도록 구성된다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 진공 또는 가스를 포함하는 중간 갭에 의해 대상물 홀더로부터 이격된다.
일 실시예에서, 대상물 홀더 및 추출 몸체의 적어도 일부분은 테이블의 대상물 홀더 후퇴부 내에 위치되고, 추출 몸체는 계면부에서 테이블에 연결된다.
일 실시예에서, 계면부는 추출 몸체의 저면 및/또는 반경방향 표면에 있다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 진공 클램프, 볼트, 접착제 및/또는 동적 리프 스프링 커플링에 의해 테이블에 연결된다.
일 실시예에서, 지지 장치는 대상물 홀더를 더 포함하고, 몸체는 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽의 추출 몸체이며, 추출 몸체는 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 추출 몸체는 주변부에 이격된 복수의 접합부들에 의해 대상물 홀더에 연결되어, 상기 접합부들 사이에서 추출 몸체가 대상물 홀더로부터 이격되도록 한다.
일 실시예에서, 접합부들 중 적어도 하나가 대상물 홀더의 최상면으로부터 부분적으로만 추출 몸체의 저면을 향해 연장되어, 상기 적어도 하나의 접합부 바로 아래에서 추출 몸체가 대상물 홀더로부터 이격되도록 한다.
일 실시예에서, 접합부들 중 적어도 하나가 접합부들 사이 및/또는 접합부에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 접합부들 사이 및/또는 접합부로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 접합부 컨디셔닝 시스템을 포함한다.
일 실시예에서, 접합부들은 전체로서 대상물 홀더와 추출 몸체 사이에서 주변부의 최대 10 %를 따라 연장된다.
일 실시예에서, 대상물 홀더 및 추출 몸체의 적어도 일부분은 테이블의 대상물 홀더 후퇴부 내에 위치된다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 대상물 홀더를 둘러싸도록 구성된 돌출부를 포함하여, 사용 시 액체 층이 돌출부 상에 유지되고 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 한다.
일 실시예에서, 돌출부는 사용 시 액체 층이 돌출부의 반경방향 바깥쪽으로부터 돌출부의 반경방향 안쪽으로 액체가 유동하는 것을 방지하도록 구성된다.
일 실시예에서, 돌출부의 최상면은 추출 몸체의 최상면보다 낮다.
일 실시예에서, 지지 장치는 사용 시 추출 몸체의 일부분이 대상물 홀더 상에 지지된 대상물의 주변부 에지 아래에서 연장되도록 구성된다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 주 몸체 및 주 몸체의 최상면에 위치된 커버 링을 포함하고, 부재는 커버 링의 최상부 상에 있다.
일 실시예에서, 커버 링은 주 몸체의 반경방향 크기를 넘어 반경방향 바깥쪽으로 연장된다.
일 실시예에서, 커버 링은 실질적으로 지지 장치의 테이블의 최상면에서의 기점 마크까지 연장된다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 추출 몸체에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 추출 몸체로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 추출 몸체 컨디셔닝 시스템을 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 독립적으로 제어가능한 복수의 컨디셔닝 유닛들을 포함하고, 복수의 컨디셔닝 유닛들 각각은 추출 몸체의 각각의 컨디셔닝 구역에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 이로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된다.
일 실시예에서, 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 추출 몸체의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널들의 네트워크를 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 이산화탄소가 최대 30 ℃ 또는 최대 22 ℃의 끓는점을 갖는 압력에서 이산화탄소를 포함하는 냉각 채널을 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 히트 파이프를 포함한다.
일 실시예에서, 여하한의 청구항들의 지지 장치는 추출 개구부의 반경방향 안쪽에 있고 대상물 홀더의 최상면으로부터 액체를 추출하도록 구성된 액체 추출기를 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 액체 추출기의 적어도 일부분을 포함한다.
일 실시예에서, 액체 추출기는 액체 추출기에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 액체 추출기로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 액체 추출기 컨디셔닝 시스템을 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체는 추출 몸체에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 추출 몸체로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 추출 몸체 컨디셔닝 시스템을 포함하고, 액체 추출기 컨디셔닝 시스템 및 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 독립적으로 제어가능하다.
일 실시예에서, 액체 추출기 컨디셔닝 시스템은 액체 추출기의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널들의 네트워크를 포함한다.
일 실시예에서, 추출 몸체와 대상물 홀더 사이의 공간은 주변부에서 연속적이고, 추출 몸체의 상부면으로부터 추출 몸체의 저면까지 연속적이다.
일 실시예에서, 대상물 홀더는 기판 홀더이다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 방법은: 지지 장치로 기판을 지지하는 동안 기판 상으로 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 상기 지지 장치는: 열전도율을 갖는 테이블 재료로 형성된 테이블; 테이블의 후퇴부 내에 위치된 몸체 -테이블과 몸체 사이에 갭이 존재함- ; 및 몸체의 최상면으로부터 테이블의 최상면까지 갭을 브리징하는 부재를 포함하며, 상기 부재는 테이블 재료의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖는 열저항 재료의 열저항 층을 포함한다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이, 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 436, 405, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계-판독가능한 명령어는 2 이상의 컴퓨터 프로그램들에서 구현될 수 있다. 2 이상의 컴퓨터 프로그램들은 1 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체 상에 저장될 수 있다.
본 명세서에 설명된 여하한의 제어기들은 각각 또는 조합하여, 1 이상의 컴퓨터 프로그램들이 리소그래피 장치의 적어도 1 이상의 구성요소 내에 위치된 1 이상의 컴퓨터 프로세서들에 의해 판독되는 경우에 작동가능할 수 있다. 상기 제어기들은 각각 또는 조합하여, 신호를 수신, 처리 및 송신하는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 제어기들 중 적어도 1 이상과 통신하도록 1 이상의 프로세서들이 구성된다. 예를 들어, 각각의 제어기는 앞서 설명된 방법들에 대한 기계-판독가능한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 1 이상의 프로세서들을 포함할 수 있다. 또한, 제어기들은 이러한 컴퓨터 프로그램들을 저장하는 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하는 하드웨어를 포함할 수 있다. 그러므로, 상기 제어기(들)는 1 이상의 컴퓨터 프로그램들의 기계-판독가능한 명령어들에 따라 작동할 수 있다.
본 발명의 1 이상의 실시예는, 침지 액체가 배스의 형태로 제공되든지, 기판의 국부화된 표면적에만 제공되든지, 또는 한정되지 않든지, 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 앞서 언급된 형태들에 적용될 수 있으며, 이에 국한되지는 않는다. 한정되지 않는 구성에서, 침지 액체는 기판 및/또는 기판 테이블의 표면에 걸쳐 흐를 수 있으므로, 실질적으로 기판 테이블 및/또는 기판의 덮여있지 않은 전체 표면이 젖게 된다. 이러한 한정되지 않는 침지 시스템에서, 액체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있으며, 또는 실질적으로 침지 액체의 완전한 한정은 아니지만 침지 액체 한정의 부분을 제공할 수 있다.
본 명세서에서 의도되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 이는 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메카니즘 또는 조합일 수 있다. 이는 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 개구부를 포함한 1 이상의 유체 개구부, 1 이상의 가스 개구부, 또는 2상 흐름을 위한 1 이상의 개구부의 조합을 포함할 수 있다. 상기 개구부들은 각각 침지 공간으로의 유입구(또는 유체 핸들링 구조체로부터의 유출구), 또는 침지 공간 밖으로의 유출구(또는 유체 핸들링 구조체로의 유입구)일 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있으며, 또는 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있거나, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은, 선택적으로 위치, 양(quantity), 질, 형상, 유량 또는 액체의 여하한의 다른 특징들을 제어하는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (31)

  1. 리소그래피 장치에 대한 지지 장치(support apparatus)에 있어서:
    대상물을 지지하도록 구성된 대상물 홀더(object holder); 및
    상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽(radially outward)에 있는 추출 몸체(extraction body)
    를 포함하고,
    상기 추출 몸체는 상기 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부(extraction opening)를 포함하며, 상기 추출 몸체는 상기 추출 몸체가 실질적으로 상기 대상물 홀더로부터 디커플링(decouple)되도록 상기 대상물 홀더로부터 이격되며,
    상기 추출 몸체는 상기 대상물 홀더를 둘러싸도록 구성된 돌출부(projection)를 포함하여, 사용 시 액체 층이 상기 돌출부 상에 유지되고 상기 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 하는 지지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    사용 시, 상기 액체 층의 모세관 압력(capillary pressure)이 상기 돌출부의 반경방향 바깥쪽과 상기 돌출부의 반경방향 안쪽 간의 압력 차이보다 커서, 상기 돌출부의 반경방향 바깥쪽으로부터 상기 돌출부의 반경방향 안쪽으로 상기 유체가 유동하는 것을 방지하는 지지 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 추출 몸체는 진공 또는 가스를 포함하는 중간 갭에 의해 상기 대상물 홀더로부터 이격되는 지지 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    사용 시, 상기 추출 몸체의 일부분이 상기 대상물 홀더 상에 지지된 대상물의 주변부 에지(peripheral edge) 아래에 연장되도록 구성되는 지지 장치.
  5. 리소그래피 장치에 대한 지지 장치에 있어서:
    대상물 홀더; 및
    상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체
    를 포함하고,
    상기 추출 몸체는 상기 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하며, 상기 추출 몸체는 주변부에 이격된 복수의 접합부들(plurality of peripherally spaced joints)에 의해 상기 대상물 홀더에 연결되어, 상기 접합부들 사이에서 상기 추출 몸체가 상기 대상물 홀더로부터 이격되도록 하는 지지 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 접합부들 중 적어도 하나가 상기 대상물 홀더의 최상면으로부터 부분적으로만 상기 추출 몸체의 저면을 향해 연장되어, 상기 접합부들 중 적어도 하나 바로 아래에서 상기 추출 몸체가 상기 대상물 홀더로부터 이격되도록 하는 지지 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 접합부들 중 적어도 하나가 상기 접합부들 사이 및/또는 상기 접합부에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 상기 접합부들 사이 및/또는 상기 접합부로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 접합부 컨디셔닝 시스템(joint conditioning system)을 포함하는 지지 장치.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접합부들은 전체로서 상기 대상물 홀더와 상기 추출 몸체 사이에서 주변부의 최대 10 %를 따라 연장되고, 상기 접합부들은 상기 주변부의 전체 둘레를 따라 실질적으로 균등하게 분포되는 지지 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추출 몸체는 주 몸체 및 상기 주 몸체의 최상면에 위치된 커버 링(cover ring)을 포함하는 지지 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 커버 링은 상기 주 몸체의 반경방향 크기를 넘어 반경방향 바깥쪽으로 연장되는 지지 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추출 몸체는 상기 추출 몸체에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 상기 추출 몸체로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 추출 몸체 컨디셔닝 시스템을 포함하는 지지 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 독립적으로 제어가능한 복수의 컨디셔닝 유닛들을 포함하고, 상기 복수의 컨디셔닝 유닛들 각각은 상기 추출 몸체의 각각의 컨디셔닝 구역에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 상기 컨디셔닝 구역으로부터 열 에너지를 제거하도록 구성되는 지지 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 상기 추출 몸체의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널(fluid-carrying channel)들의 네트워크를 포함하는 지지 장치.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은, 이산화탄소가 최대 30 ℃ 또는 최대 22 ℃의 끓는점을 갖는 압력에서 상기 이산화탄소를 포함한 냉각 채널을 포함하는 지지 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추출 개구부의 반경방향 안쪽에 있고, 상기 대상물 홀더의 최상면으로부터 액체를 추출하도록 구성된 액체 추출기(liquid extractor)를 포함하는 지지 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 추출 몸체는 상기 액체 추출기의 적어도 일부분을 포함하는 지지 장치.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 액체 추출기는 상기 액체 추출기에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 상기 액체 추출기로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 액체 추출기 컨디셔닝 시스템을 포함하는 지지 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 추출 몸체는 상기 추출 몸체에 열 에너지를 공급하고, 및/또는 상기 추출 몸체로부터 열 에너지를 제거하도록 구성된 추출 몸체 컨디셔닝 시스템을 포함하고, 상기 액체 추출기 컨디셔닝 시스템 및 상기 추출 몸체 컨디셔닝 시스템은 독립적으로 제어가능한 지지 장치.
  19. 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 추출기 컨디셔닝 시스템은 상기 액체 추출기의 온도를 제어하도록 구성된 유체-운반 채널들의 네트워크를 포함하는 지지 장치.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물 홀더는 기판 홀더인 지지 장치.
  21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열전도율을 갖는 테이블 재료로 형성된 테이블 -상기 추출 몸체는 상기 테이블의 후퇴부(recess) 내에 위치되며, 상기 추출 몸체와 상기 테이블 사이에 갭이 존재함- ; 및
    상기 추출 몸체의 최상면으로부터 상기 테이블의 최상면으로 상기 갭을 브리징(bridge)하는 부재
    를 포함하고, 상기 부재는 상기 테이블 재료의 열전도율보다 낮은 열전도율을 갖는 열저항 재료의 열저항 층을 포함하는 지지 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 부재는 상기 추출 몸체의 최상면보다 상기 테이블의 최상면 상에 더 많이 있는 지지 장치.
  23. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 부재는 상기 추출 몸체의 최상면을 따라 안쪽으로 연장되는 것보다 상기 테이블의 최상면을 따라 바깥쪽으로 더 연장되는 지지 장치.
  24. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부재는 실질적으로 상기 테이블의 전체 최상면에 걸쳐 연장되는 지지 장치.
  25. 제 21 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부재는 열적응 재료(thermal adaptation material)의 열적응 층을 포함하고, 상기 열적응 재료는 상기 테이블 재료의 25 ℃에서의 비열 용량(specific heat capacity at 25 ℃)보다 낮은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는 지지 장치.
  26. 제 21 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열적응 재료는 상기 테이블 재료의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 지지 장치.
  27. 제 21 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열저항 층은 상기 열적응 층과 상기 테이블의 최상면 및 상기 추출 몸체의 최상면 사이에 있는 지지 장치.
  28. 제 21 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열저항 재료는 상기 테이블 재료의 비열 용량보다 높은 25 ℃에서의 비열 용량을 갖는 지지 장치.
  29. 제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 따른 지지 장치를 포함하는 리소그래피 장치.
  30. 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법에 있어서:
    지지 장치로 기판을 지지하는 동안, 상기 기판 상으로 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 투영하는 단계
    를 포함하고, 상기 지지 장치는:
    대상물을 지지하도록 구성된 대상물 홀더; 및
    상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체
    를 포함하며, 상기 추출 몸체는 상기 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 상기 추출 몸체는 상기 추출 몸체가 실질적으로 상기 대상물 홀더로부터 디커플링되도록 상기 대상물 홀더로부터 이격되며,
    상기 추출 몸체는 상기 대상물 홀더를 둘러싸는 환형을 형성하도록 구성된 돌출부를 포함하여, 사용 시 유체 층이 상기 돌출부 상에 유지되고 상기 대상물 홀더 상에 지지된 대상물과 접촉하도록 하는 디바이스 제조 방법.
  31. 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법에 있어서:
    지지 장치로 기판을 지지하는 동안, 상기 기판 상으로 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 투영하는 단계
    를 포함하고, 상기 지지 장치는:
    대상물 홀더; 및
    상기 대상물 홀더의 반경방향 바깥쪽에 있는 추출 몸체
    를 포함하며, 상기 추출 몸체는 상기 지지 장치의 최상면으로부터 유체를 추출하도록 구성된 추출 개구부를 포함하고, 상기 추출 몸체는 주변부에 이격된 복수의 접합부들에 의해 상기 대상물 홀더에 연결되어, 상기 접합부들 사이에서 상기 추출 몸체가 상기 대상물 홀더로부터 이격되도록 하는 디바이스 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220143173A (ko) * 2017-11-20 2022-10-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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DE102014206686A1 (de) * 2014-04-07 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Anordnung zur Aktuierung eines Elementes
EP3155481B1 (en) * 2014-06-10 2019-04-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of manufacturing a lithographic apparatus
WO2016005167A1 (en) 2014-07-09 2016-01-14 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, inspection method and device manufacturing method
DE102014226309A1 (de) * 2014-12-17 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente; optisches System und Lithographieanlage
WO2016173779A1 (en) 2015-04-29 2016-11-03 Asml Netherlands B.V. Support apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6556869B2 (ja) * 2015-06-23 2019-08-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 支持装置、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2018531410A (ja) * 2015-10-06 2018-10-25 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． リソグラフィ装置のオブジェクトを保持するためのチャック及びクランプ、並びにリソグラフィ装置のクランプによって保持されるオブジェクトの温度を制御する方法
CN113253577A (zh) 2015-12-08 2021-08-13 Asml荷兰有限公司 衬底台、光刻设备和操作光刻设备的方法
CN111474826A (zh) 2015-12-15 2020-07-31 Asml荷兰有限公司 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
EP3455677A1 (en) 2016-05-12 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Extraction body for lithographic apparatus
KR102450292B1 (ko) 2017-06-06 2022-10-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 지지 테이블로부터 대상물을 언로딩하는 방법
CN109256354B (zh) * 2017-07-14 2021-01-12 财团法人工业技术研究院 转移支撑件及转移模块
KR102434745B1 (ko) * 2017-12-13 2022-08-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 기판 홀더
KR20220145343A (ko) * 2020-02-24 2022-10-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 지지체 및 기판 테이블

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1429188A2 (en) * 2002-11-12 2004-06-16 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070098527A (ko) * 2006-03-29 2007-10-05 캐논 가부시끼가이샤 노광장치
JP2007266603A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR20110104455A (ko) * 2010-03-16 2011-09-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 커버, 및 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 커버를 설계하는 방법

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR100588124B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG150388A1 (en) * 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
TW201806001A (zh) * 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3104396B1 (en) 2003-06-13 2018-03-21 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101681852B1 (ko) 2003-12-15 2016-12-01 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4826146B2 (ja) * 2004-06-09 2011-11-30 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4708876B2 (ja) 2005-06-21 2011-06-22 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070107935A (ko) 2006-05-04 2007-11-08 주식회사 하이닉스반도체 액침 리소그래피 장치
KR20080008612A (ko) 2006-07-20 2008-01-24 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8634052B2 (en) 2006-12-13 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method involving a ring to cover a gap between a substrate and a substrate table
JP4961299B2 (ja) 2007-08-08 2012-06-27 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
EP2131241B1 (en) 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036835A1 (nl) 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2131242A1 (en) 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010034227A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Nikon Corp ステ−ジ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
NL2003470A (en) 2008-10-07 2010-04-08 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004305A (en) 2009-03-13 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2010251745A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Asml Netherlands Bv 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2004547A (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Asml Netherlands Bv An immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method.
SG166747A1 (en) 2009-05-26 2010-12-29 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2005478A (en) 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method.
NL2005874A (en) * 2010-01-22 2011-07-25 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2007453A (en) 2010-10-18 2012-04-19 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2515170B1 (en) 2011-04-20 2020-02-19 ASML Netherlands BV Thermal conditioning system for thermal conditioning a part of a lithographic apparatus and a thermal conditioning method
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
SG188036A1 (en) 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
CN107300835B (zh) 2012-05-17 2019-02-15 Asml荷兰有限公司 热调节单元、光刻设备以及器件制造方法
NL2010817A (en) * 2012-05-29 2013-12-02 Asml Netherlands Bv A support apparatus, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
RU2633302C2 (ru) * 2012-10-09 2017-10-11 Конинклейке Филипс Н.В. Позиционирующее устройство, управляющее устройство и способ управления

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1429188A2 (en) * 2002-11-12 2004-06-16 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007266603A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR20070098527A (ko) * 2006-03-29 2007-10-05 캐논 가부시끼가이샤 노광장치
KR20110104455A (ko) * 2010-03-16 2011-09-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 커버, 및 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 커버를 설계하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220143173A (ko) * 2017-11-20 2022-10-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016189027A (ja) 2016-11-04
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US9507275B2 (en) 2016-11-29
US20170090304A1 (en) 2017-03-30
JP5973064B2 (ja) 2016-08-23
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CN107367907B (zh) 2019-05-03
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EP2856262A1 (en) 2015-04-08

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